Fecha: 19 10 2021

Entrega: 26 10 2021 8 am

Nombre: Jaime Andrés Núñez González, 201730031

MOSFETs

Tools en nanoHUB: MOSFET Simulation

1. Derive the enhancement´s MOSFET I(V) equation.

2. Derive the depletion´s MOSFET I (V) equation.

ϵ 2q NA
V T =2 ϕ F +
C ox√ϵs
(2 ϕ F )

ϵ 2q ND
V T =2 ϕ F +
C ox√ϵs
(−2 ϕ F )

ϵ ox
C ox = , ϵ =K s ϵ o
x ox s

Q N =−C ox ( V GS −V T ) ∀ V GS >V T

Q N =−C ox −ϕ ¿ ∀ V GS >V T

V Gs−V T =V D

z μ N Cox 2
I D =I Dsat = ( V GS −V T ) ∀ V DSat <V Ds
2L

True or False?

2.I. Circle the answer you believe is most accurate for each statement.
a. Effects of changing the gate voltage.
a. High gate voltage leads to a high drain current (IDS).
True / False
b. Low gate voltage will result in high saturation current magnitude. True /
False
c. A minimum gate voltage known as threshold voltage is required for current
to be produced.
True / False
b. Effects of changing the gate dielectric (oxide) material and its geometry.
a. Gate dielectric is an insulator. True / False
 b. When the electric field in the gate dielectric exceeds its inherent breakdown
field, the gate dielectric effectively breaks down.
True / False
c. When there is a source-drain breakdown, it implies that the substrate has lost
the ability to conduct electricity.
True / False
d. When the oxide thickness is reduced, it leads to a lower charge density
accumulating on the surface of the oxide. True/ False
e. Oxide thickness does not affect threshold voltage. True/ False
f. The thicker the oxide layer, the higher the threshold
True / False
g. Higher dielectric constant values result in higher IDS given that other input
parameters are held constant.
True / False
h. Increasing the Gate Length increases the charge density that accumulates on
the oxide layer.
True / False
i. High charge density below oxide layer leads to a lower IDS.
True / False
c. Effects of changing the substrate material.
a. Electron mobility is not dependent on the substrate used. True / False
b. High electron mobility leads to high drain currents. True / False
 2. II. Understanding Trends

This section requires usage of the MOSFETsim simulation tool to understand trends
between various input parameters.

a. Exploring Gate Voltage Effects

In the first exercise, we will make use of the tool option which allows us to change gate
voltage values. Through the exercise, you will be able to see the relationship between gate
voltage (VG) and drain current (IDS). Fill in the blanks with appropriate values of I DS for
values that explore the range of VG.

Gate Voltage,VG Drain Current, IDS

0 0
0 0
.
5
1 0
.
0
1 0
.
5
2 0
.
0
2 0
.
5
3 0.07
.
0
3 0.34
.
5
4 0.82
.
0
4 1.50
.
5
5 2.38
.
0
5 3.46
.
5
 6 4.75
.
0

Explain the trend you see.

Como se puede apreciar en la tabla, a pesar del que VG esta aumentando, la corriente IDS posee una
magnitud equivalente a 0 ya que para valores inferiores a 3[V] no se logra superar el V threshold del
MOSFET. Mientras que al alcanzar los 3 [V] se obtiene una magnitud diferente de 0. De ahí en adelante al
aumentar el VG la IDS aumenta también, cabe resaltar que este aumento en la magnitud no es de forma
lineal. Nótese que se llega la saturación manteniendo el VD constante y llegando a un valor de 5[V]. Es de
vital importancia resaltar que VG puede aumentar hasta cierto límite, puesto que de acuerdo a las
características del substrato, se puede presentar un Breakdown por efectos del campo eléctrico.

As gate length increases, explain how IDS changes.

Al aumentarse el largo del canal la corriente IDS aumenta ya que poseerá una mayor densidad de cargas, en
un área mayor, para el mismo valor del campo eléctrico. Esto implica que la movilidad de electrones se ve
 mejorada y, en consecuencia, que la conducción del sistema entre el drain y source mejore también.

As oxide thickness increases, explain how IDS changes.

Cuando se aumenta la capa de óxido, la corriente IDS decae para un VG constante, esto se debe a que al
aumentar el grosor de la capa, las propiedades dieléctricas cambian. Como consecuencia, la aplicación y
efecto del campo eléctrico disminuye considerablemente, por lo que el sistema necesitará una magnitud
mayor en VG de threshold para que este sea activado.
Now we will hold the oxide thickness and gate length constant, 50nm and 100nm,
respectively. What is IDS in this situation?
Si HfO2 Al2O3 HfSiO4
O2
IDS (mA) 0.071 11.64 2.274 3.372

Explain the trend you see.

Para un VG=3 [V] se evidencia que el HfO2 es el que genera una mayor IDS mientras que el SiO2 es el que
menos genera, sus magnitudes son: 11.64 [mA] y 0.071 [mA], respectivamente. Lo anterior se debe a que la
densidad de carga de este material es la mayor entre los otros compuestos, por lo que se puede apreciar que
mayor densidad de carga se obtiene magnitudes mayores, mientras que al disminuir este valor, se obtiene
valores de IDS menores. El impacto es tal que el IDS de HFO2 es casi tres veces mayor que el de HfSiO4.

b. Exploring Substrate Effects

Now, let us determine how changing the substrate can affect I DS. Each new substrate has a
different electron mobility value. Through this exercise, you will understand how changing
the substrate affects IDS while holding other input parameters constant.
Substrate S G Ge
i e As
Output Current (mA) 0.071 2.404 0

When the electron mobility increases, what happens to the output current?

La corriente de salida aumenta al aumentarse la movilidad de los electrones, esto se ve reflejado en que Ge
posea una mayor magnitud que Si en cuanto a flujo de cargas I (2.404 [mA] y 0.071 [mA] respectivamente)
c m2 c m2
puesto que la movilidad del Ge es de 4000 mientras que la de Si es de 1000 . En el caso del GaAs
Vs Vs
c m2
vemos que su corriente es de 0. Teniendo en cuenta que posee una movilidad de 10000 puede que
Vs
quizás que para este VG su movilidad tuviese una magnitud tan alta que el MOSFET se encuentra en la
región de Breakdown.

c.Short Answer

What conditions will cause a MOSFET to break down?

Una tensión eléctrica considerablemente alta VDS o un pico en el voltaje en VG rompería la integridad
estructural del dieléctrico, por lo que habría un corto entre el gate y el substrato del MOSFET.

What are some common dopants used to dope N-type substrates?

Nitrógeno y Fósforo