ĐỀ TÀI TIỂU LUẬN KỸ THUẬT SIÊU CAO TẦN KHOÁ 12

1. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=5mA, VCE=5V

- Tần số trung tâm: 1.5 GHz

- Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện phân
cực cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa tìm
được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất
GT, trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

2. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=2,5mA, VCE=6V

- Tần số trung tâm: 1.2 GHz

- Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện
phân cực cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa
tìm được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất
GT, trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

3. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68730, Phân cực Ic=5mA, VCE=6V

- Tần số trung tâm: 1.8 GHz

- Tải ZL=75(ohm), Trở kháng nguồn Zs=75(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện phân cực
cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa tìm được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT,
trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

4. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=5mA, VCE=5V

- Tần số trung tâm: 1.5 GHz

- Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện phân cực
cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ ra để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa tìm được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT,
trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

5. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=2,5mA, VCE=6V

- Tần số trung tâm: 1.2 GHz

- Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện phân cực
cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ ra để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa tìm được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT,
trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

6. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68730, Phân cực Ic=5mA, VCE=6V

- Tần số trung tâm: 1.8 GHz

- Tải ZL=75(ohm), Trở kháng nguồn Zs=75(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện phân cực
cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ ra để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa tìm được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT,
trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

7. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=5mA, VCE=5V

- Tần số trung tâm: 2 GHz

- Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện phân
cực cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa tìm
được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất
GT, trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

8. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=2,5mA, VCE=6V

- Tần số trung tâm: 2.1 GHz

- Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện
phân cực cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa
tìm được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất
GT, trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

9. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68730, Phân cực Ic=5mA, VCE=6V

- Tần số trung tâm: 1.9 GHz

- Tải ZL=75(ohm), Trở kháng nguồn Zs=75(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện phân cực
cho ở trên.
b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa tìm được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT,
trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

10. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=5mA, VCE=5V

- Tần số trung tâm: 2.2 GHz

- Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện phân cực
cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ ra để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa tìm được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT,
trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

11. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=2,5mA, VCE=6V

- Tần số trung tâm: 2.3 GHz

- Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện phân cực
cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ ra để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa tìm được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT,
trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

12. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68730, Phân cực Ic=5mA, VCE=6V

- Tần số trung tâm: 1.1 GHz

- Tải ZL=75(ohm), Trở kháng nguồn Zs=75(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện phân cực
cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ ra để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa tìm được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT,
trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.
13. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic= 6 mA, VCE= 6V

- Tần số trung tâm: 1.3 GHz

- Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện phân
cực cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa tìm
được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất
GT, trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

14. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic= 4 mA, VCE= 5 V

- Tần số trung tâm: 1.6 GHz

- Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện
phân cực cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa
tìm được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất
GT, trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

15. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68730, Phân cực Ic= 3 mA, VCE= 6.5 V

- Tần số trung tâm: 1.7 GHz

- Tải ZL=75(ohm), Trở kháng nguồn Zs=75(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện phân cực
cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa tìm được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT,
trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

16. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:
- Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic= 6 mA, VCE= 8 V

- Tần số trung tâm: 2.4 GHz

- Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện phân cực
cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ ra để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa tìm được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT,
trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

17. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=2 mA, VCE= 5V

- Tần số trung tâm: 1.9 GHz

- Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện phân cực
cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ ra để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa tìm được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT,
trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

18. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68730, Phân cực Ic= 3.5 mA, VCE= 5.5 V

- Tần số trung tâm: 1.8 GHz

- Tải ZL=75(ohm), Trở kháng nguồn Zs=75(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện phân cực
cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ ra để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa tìm được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT,
trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

19. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic= 6.5 mA, VCE= 8 V

- Tần số trung tâm: 2.4 GHz

- Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện phân cực
cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ ra để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa tìm được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT,
trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.

20. Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với các yêu cầu sau:

- Dùng phần tử BJT NE68730, Phân cực Ic= 3 mA, VCE= 7 V

- Tần số trung tâm: 1.9 GHz

- Tải ZL=75(ohm), Trở kháng nguồn Zs=75(ohm)

a) Khảo sát phần tử BJT và xác định ma trận tán xạ S của phần tử khuếch đại tại điều kiện phân cực
cho ở trên.

b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ ra để đạt độ lợi cao nhất với bộ thông số S vừa tìm được.

c) Khảo sát đáp ứng của toàn mạch, xác định các thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT,
trở kháng vào, trở kháng ra của toàn mạch khuếch đại tại tần số trung tâm.