ÔN TẬP ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ I

1. Khuếch đại sử dụng BJT: Phân tích và thiết kế

- Phân cực (3): fixed bias, self bias, voltage divider bias
- Loại trans (2): NPN, PNP
- Mắc KĐ: E chung, B chung, C chung
- Hiệu ứng early (2): có hoặc có r0
- Tụ by pass CE (2): có hoặc không có CE (nối đất RE hay không?)
- Các tham số DC bằng bias (3): Điểm làm việc tĩnh (Vbe, Vce, Ic)
- Các tham số AC bằng sơ đồ tương đương xoay chiều (4): Av, Ai, Zin, Zout
- Mô hình sơ đồ xoay chiều (2): (beta, re) hoặc gm
VD: Cho mạch voltage divider bias, thông tin trans (beta, r0…)Thiết kế (tính giá trị điện
trở) để đạt được:
- Hệ số khuếch đại: 200 lần và Zin>=1kΩ, Zout<=100 Ω
2. Khuếch đại sử dụng FET: Phân tích và thiết kế
- Phân cực (3): fixed bias, self bias, voltage divider bias
- Loại trans (3): JFET, D-MOSFET, E-MOSFET (khác nhau bởi đặc tuyến ID và VGGS)
- Kênh (2): Kênh N và Kênh P
- Mắc KĐ (3): S chung, G chung, D chung
- Hiệu ứng early (2): có hoặc có rd
- Tụ by pass CS (2): có hoặc không có CS (nối đất RS hay không?)
- Các tham số DC bằng bias (3): Điểm làm việc tĩnh (Vgs, Vds, Id)
- Các tham số AC bằng sơ đồ tương đương xoay chiều (4): Av, Zin, Zout
- Mô hình sơ đồ xoay chiều (2): gm
VD: Cho mạch self bias, thông tin trans:
JFET, D-MOSFET: (IDSS, Vp)
E-MOSFET: (k, Vgs(ON), ID(on))
Thiết kế (tính giá trị điện trở) để đạt được:
- Hệ số khuếch đại: 5-10 lần và Zin>=1MΩ, Zout<=1kΩ
3. Khuếch đại đa tầng
tầng FET + 1 tầng BJT (phân tích): Ghép tầng: Av= Av1*Av2, Trở kháng nguồn và tải
4. Khuếch đại công suất: A, B, AB
- A: Khuếch đại thông thường (1 trans đặc tuyến lớn). Tính hệ số khuếch đại công suất.
- B, AB: Ghép hai trans với nhau. Tính hiệu suất.
5. Khuếch đại thuật toán: Thiết kế
- KĐ đảo hoặc KĐ không đảo
- Mạch cộng, mạch trung bình cộng
- Mạch trừ
VD: Sử dụng mạch KĐ để có: V0= 5V1*7V2-10V3.