Tài liệu thực tập Mạch tương tự - CT135

Bài 3
MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG BJT VÀ FET
Bài thí nghiệm này sinh viên thực tập ráp mạch khuếch đại tín hiệu với hai loại
linh kiện khác nhau BJT (Bipolar Junction Transistor), FET (Field Effect
Transistor). Cụ thể mạch khuếch đại tín hiệu sử dụng BJT được phân cực kiểu cầu
chia điện thế, mạch khuếch đại với JFET phân cực tự động. Ngoài ra sinh viên thực
hiện các thao tác đo đạc để xác định dòng điện IDSS và VGS(OFF) ứng với nguồn VDD
đặt trước của JFET.

MỤC TIÊU
Qua bài thực hành sinh viên cần đạt được:
 Hiểu được ý nghĩa của tụ phân dòng CE, tụ phân dòng CS tác động lên độ lợi
mạch khuếch đại.
 Có kỹ năng sử dụng SCOPE xác định độ lợi của một mạch khuếch đại.
 Hiểu được ảnh hưởng lên tín hiệu ngõ ra trong một mạch khuếch đại khi tín
hiệu ngõ vào có biên độ lớn.

Lưu ý: Trong bài thực hành viên sử dụng transitor C828 (hoặc BJT khác tương
đương) và JFET kênh N-K30A với thứ tự chân linh kiện như sau:

C828: K30A:
K30A
 E: chân 1.  S: chân 1.
C828

 C: chân 2.  G: chân 2.
 B: chân 3. E C B
 D: chân 3. S G D

Phần I: MẠCH DÙNG BJT

Hình 3.1

Bài 3 - Trang 1
 Tài liệu thực tập Mạch tương tự - CT135

1. Sinh viên ráp mạch như hình 3.1 để hở tụ CE.

Đo điện thế phân cực VC, VB, VE.
2. Vẫn để hở tụ CE, khởi động FGEN cấp tín hiệu vi với các thông số biên độ
Vp-p = 0.1V, tần số f = 1KHz, dạng tín hiệu hình sin. Sử dụng SCOPE và mắc
thêm các dây nối cần thiết quan sát và vẽ dạng tín hiệu vi, vo? Xác định độ
khuếch đại Av của mạch?
3. Mắc thêm tụ CE vào mạch. Quan sát tín hiệu vi và vo. Nhận xét về dạng của
vo lúc này. Giải thích tại sao?
4. Giảm dần biên độ vi để tín hiệu vo và vi đồng dạng. Xác định độ khuếch đại
Av của mạch?
5. Sinh viên thay điện trở RE= RE1 + RE2; Với RE1=RE2=470. Mắc tụ phân
dòng CE song song với 1 điện trở RE2. Thay đổi biên độ vi để tín hiệu vo và
vi đồng dạng. Xác định độ khuếch đại Av của mạch?
6. So sánh độ khuếch đại của mạch trong trường hợp có tụ và không tụ CE?

Phần II: MẠCH DÙNG FET

II.1 XÁC ĐỊNH IDSS VÀ VGS(OFF) CỦA JFET

Hình 3.2

Sinh viên mắc mạch như hình 3.2. Với VDS =6V được lấy từ nguồn dương VPS biến
đổi được và -VGS được lấy từ nguồn âm VPS biến đổi được.
1. Sinh viên xác định IDSS và VGS(off). Tiến hành thực hành và ghi nhận kết quả IDSS,
VGS(off)?
2. Trình bày cụ thể cách xác định IDSS và VGSoff? (Gợi ý: sinh viên dựa vào nguyên
tắc hoạt động cơ bản của JFET).

Bài 3 - Trang 2
 Tài liệu thực tập Mạch tương tự - CT135

II.2 MẠCH KHUẾCH ĐẠI JFET

Hình 3.3

- Sinh viên mắc mạch như hình 3.3, để hở tụ CS.

- Sử dụng FGEN cấp tín hiệu vi, với biên độ vp-p =0.1V, tần số f=1KHz, dạng
hình sin.
1. Vẫn để hở tụ CS, xác định độ khuếch đại Av của mạch bằng phương pháp so
sánh?
2. Gắn tụ CS vào mạch, xác định độ khuếch đại của mạch trong trường hợp này?
So sánh độ khuếch đại của mạch trong trường hợp có tụ CS và không tụ CS?
3. Điều chỉnh tăng biên độ vi từ từ, đồng thời quan sát vi và vo. Nhận xét về
dạng của vo. Giải thích tại sao?

Bài 3 - Trang 3