TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH Đề kiểm tra giữa kỳ Chữ ký GV phụ trách

KHOA HN Điện tử công suất Được mang theo tất cả

VIỆN ĐIỆN Số đề: 1/4 các loại tài liệu.
Thời gian làm bài: 90 phút

Câu 1 (3 điểm). Cho sơ đồ chỉnh lưu điôt cầu một pha dùng điôt như trên Hình 1, tải thuần trở R. U1 = 220
V, f = 50 Hz. Phía chỉnh lưu yêu cầu: Ud = 48 V; Pd = 500 W.

A IF
IF

VAK
0 VF0 VF V

Hình 1 Sơ đồ chỉnh lưu cầu một pha. Hình 2 Đặc tính tuyến tính hóa của điôt.

1.1 (1,5 điểm) Coi các phần tử trên sơ đồ là lý tưởng (máy biến áp và các điôt), hãy tính toán các thông
số cơ bản của sơ đồ chỉnh lưu này.
1.2 (0,5 điểm) Hãy chứng tỏ điôt VS-20ETS12THM3 hoặc VS-20ATS12HM3 của hãng Vishay (Tài liệu
kỹ thuật đính kèm) có thể sử dụng được cho ứng dụng trên.
1.3 (1 điểm) Từ những đặc tính về điện của điôt (Electrical specifications) điền các thông số vào đặc tính
V-A tuyến tính hóa của điôt, trên cơ sở đó hãy tính toán tổn hao khi dẫn của các điôt trong sơ chỉnh
lưu đã cho.

Hình 3 Sơ đồ chỉnh lưu cầu ba pha.

Câu 2. (4,5 điểm) Cho sơ đồ chỉnh lưu cầu 3 pha như trên Hình 3, nối trực tiếp với lưới điện hạ thế 3X220/380
V, 50 Hz.
La = 2,5 mH; R = 1,2 Ω; L = ;
Ed = 300 V,  = 30.
2.1 (1,5 điểm) Hãy tính toán các giá trị Ud, Id, góc chuyển mạch .
2.2 (0,5 điểm) Từ (2.1) hãy vẽ các dạng điện áp ud, dạng dòng điện iV1 và dạng điện áp trên van uV1.
2.3 (1,5 điểm) Khi Ed = -300 V, năng lượng được đưa trả về lưới với dòng Id = 25 A. Hãy xác định góc
điều khiển , góc chuyển mạch  và công suất đưa trả về lưới điện trong trường hợp này.
2.4 (1 điểm) Khi chuyển sang chế độ nghịch lưu phụ thuộc sơ đồ sẽ làm việc với dòng không đổi Id =
20 A và góc khóa của van ít nhất là min = 9 (ứng với trr = 500s). Hãy xác định góc αmax.

1|Page
 Hình 4 Đặc tính kỹ thuật của IGBT của hãng Infineon.
Câu 3: (2,5 điểm) Từ Hình 4 và Hình 5 hãy
xác định:
3.1 (1 điểm) Tổn hao công suất trong quá
trình đóng cắt khi sử dụng IGBT này cho
ứng dụng VCE = 600 VDC, IC = 60 A, tần
số đóng cắt fsw = 10 kHz (Các thời gian
đóng cắt sử dụng giá trị max, đặc tính
đóng cắt dòng điện, điện áp sử dụng đồ thị
giống như đối với MOSFET).
3.2 (1,5 điểm) Tính toán công suất cho mạch
Driver cho IGBT với giả thiết RG = 3,3 ,
VGE = 0 - 15V, Các thông số khác liên
quan đến điều khiển hãy tùy chọn cho phù
hợp. (Lưu ý hãy sử dụng công thức tính tụ
Hình 5 Đặc tính điện tích nạp vào cực điều khiển ký sinh từ các thông số của nhà sản xuất:
Qg theo điện áp giữa cực điều khiển và cực gốc. CGD=CRSS; CGS=CISS-CRSS, CDS=COSS-
CRSS)

2|Page
3|Page