S-87.

1010 Elektroniikka I

Luento 5
pn-diodi ja diodipiirit

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 1. kalvo / Saska Lindfors

 Luennon pääkohdat
„ Puolijohdefysiikan perusteita
„ pn-liitoksen toiminta
„ Diodimalleja
„ Tasasuuntauspiirejä
– Puoliaaltotasasuuntaaja
– Kokoaaltotasasuuntaaja
– Huipputasasuuntaaja.
„ Jännitteen kahdennus (moninkertaistus)
„ Jännitteenrajoituspiirejä.
„ Mikropiirien suojaus diodeilla.
„ Zener-diodin toiminta.
„ Jänniteregulointi Zener-diodilla.

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 2. kalvo / Saska Lindfors

 Puolijohteista
„ Puolijohteet ovat materiaaleja, joiden
johtavuusominaisuuksia voidaan säännellä lisäämällä niihin
sopivia epäpuhtausatomeja (doping, dopant atoms).
„ Luovuttaja-tyyppisillä epäpuhtausatomeilla on yksi elektroni
enemmän luovutettavaksi kiderakenteeseen kuin
perusmateriaalilla (esim. pii).
– Luovuttaja-tyyppisenä epäpuhtautena käytetään esim. fosforia.
„ Luovuttajan elektroni voi irrota kuljettamaan virtaa paljon
helpommin kuin perusmateriaalin elektronit.
– Materiaalin johtavuus nousee.
„ Tällä tavalla saostettua puolijohdetta kutsutaan n-tyyppiseksi.
– n-tyyppisessä materiaalissa on hyvin vähän vapaita aukkoja, koska ne
yhdistyvät nopeasti elektronien kanssa.

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 3. kalvo / Saska Lindfors

 p-tyyppinen puolijohde
„ Vastaanottaja-tyyppisillä aukko elektroni
epäpuhtausatomeilla on yksi
elektroni liian vähän
luovutettavaksi kiderakenteeseen.
– Esim. Boori
„ Rakenteeseen syntyy aukko, joka
voi myös kuljettaa virtaa
helpommin kuin perusmateriaalin
varauksenkuljettajat.
„ Tällä tavalla saostettua piitä
kutsutaan p-tyyppiseksi.
„ p-tyyppisessä materiaalissa on
hyvin vähän vapaita elektroneja. I

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 4. kalvo / Saska Lindfors

 pn-liitos
„ p- ja n-tyyppisten materiaalien
liitos johtaa merkittävästi virtaa
ainoastaan p-n-suunnassa.
„ p-n suuntaisessa virrassa p-
puolen täytyy emittoida aukkoja
ja n-puolen elektroneja.
„ Kummistakaan ei ole pulaa. V
„ n-p suunnassa n-puolen pitäisi
emittoida aukkoja ja p-puolen
elektroneja.
„ Kumpiakin on hyvin vähän.
⇒ Virta jää mitättömäksi.

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 5. kalvo / Saska Lindfors

 Varauksenkuljetusmekanismeista
„ Varaukset liikkuvat puolijohteessa kahden eri mekanismin
johdosta.
„ Diffuusio aiheutuu varaustenkuljettajien lämpöliikkeestä ja
pyrkii tasaamaan konsentraatioeroja.
„ Elektronien ja aukkojen diffuusiovirtojen tiheys:
dn dp
J n = qDn , J p = − qD p Dx = diffuusiovakio
dx dx n ja p = elektronien ja aukkojen tiheys

„ Sähkökenttä kiihdyttää varausta suunnassaan. Puolijohteessa

varauksenkuljettajien nopeus saturoituu ns. ajautuma-
nopeudeksi (drift velocity).
„ Ajautumavirran (drift current) tiheys:
qvdrift on materiaalin
J drift = qvdrift E johtavuus σ.

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 6. kalvo / Saska Lindfors

 Tasapainotila
„ Enemmistövarauksenkuljettajat diffusoituvat rajapinnan yli.
„ Jokainen siirtynyt enemmistövarauksenkuljettaja jättää
jälkeensä vastakkaismerkkisen kiinteän varauksen.
– n- ja p-materiaali on itsessään varausneutraalia. Epäpuhtausatomien
elektronit ja aukot ovat vain löysemmin kiinni.
„ Erimerkkiset kiinteät varaukset synnyttävät sähkökentän, joka
vetää enemmistövarauksenkuljettajia takaisin.
sähkökenttä

- - ++
diffuusiovirta
- - ++ diffuusio- ja
- - ++ ajautumisvirta ovat
P - - ++
N tasapainossa
ajautumisvirta
- - ++ yhtäsuuria.
- - ++

tyhjennysalue
S-87.1010 Ele I, 5. luento, 7. kalvo / Saska Lindfors
 Tyhjennysalue
„ Tasapainotilassa p- ja n- alueiden välillä on tyhjennysalue,
jossa ei ole enemmistövarauksenkuljettajia.
– Toimii kuten eriste Æ kondensaattori.
– Ulkoinen jännite vaikuttaa tyhjennysalueen leveyteen. Riittävän
suurella pn-suuntaisella jännitteellä se katoaa.
„ Kiinteä varaus aiheuttaa pn-rajapintaan sisäänrakennetun
potentiaalieron.
sähkökenttä

- - ++
diffuusiovirta
- - ++
- - ++
P - - ++
N
ajautumisvirta
- - ++
- - ++

tyhjennysalue
S-87.1010 Ele I, 5. luento, 8. kalvo / Saska Lindfors
 Diodi
„ pn-liitosta käytetään elektroniikassa p n
kaksinapaisena komponenttina, jota
kutsutaan diodiksi. VD

katodi
„ Diodin virta on eksponentiaalinen

anodi
funktio jännitteestä.
ID
( )
I D = I S eVD / nVT − 1 , VT =
kT
q
.

„ IS on diodista ja lämpötilasta riippuva

vakio (≈10-15A).
„ VT on terminen jännite joka on n.
25mV huoneenlämpötilassa.
„ n on diodin valmistusteknologiasta
riippuva vakio, väliltä 1...2.
S-87.1010 Ele I, 5. luento, 9. kalvo / Saska Lindfors
 Myötäsuuntainen diodi
„ Diodin sanotaan olevan myötäsuuntaisesti kytketty, jos sen yli
oleva jännite pn-suunnassa on positiivinen.
„ Lasketaan myötäsuuntaisen diodin jännite 1mA virralle.
⎛ 1mA ⎞ ⎛ 1mA ⎞
VD = 25mV ⋅ ln⎜⎜ + 1⎟⎟ = 25mV ⋅ 2.3 ⋅ log10 ⎜⎜ + 1⎟⎟ = 0.69V
⎝ 1 fA ⎠ ⎝ 1 fA ⎠
n = 1, I S = 1 fA

„ Diodin yli oleva jännite kasvaa vain 2.3*VT=60mV virran

kymmenkertaistuessa.
– 0.7V on hyvä approksimaatio diodin myötäsuuntaiselle jännitteelle.

ID 0.7V

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 10. kalvo / Saska Lindfors

 Estosuuntainen diodi
„ Estosuuntaisesti kytketyn diodin yli on pn-suunnassa
negatiivinen jännite.
„ Approksimoidaan virtaa suurilla (VD<<-VT) estosuuntaisilla
jännitteillä: Lähestyy nollaa.

( )
I D = I S eVD / nVT − 1 ⇒ I D ≈ − I S , VD << −VT

„ Hyvin pieni (luokkaa 1fA) jännitteestä riippumaton virta ⇒

DC:llä avoin piiri.
„ Vaihtovirralla estosuuntainen diodi toimii kuten
epälineaarinen kondensaattori.
ID DC
tyhjennysalue

AC

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 11. kalvo / Saska Lindfors

 Ideaalidiodi
„ Yksinkertaisimmillaan diodi mallinnetaan ideaalidiodina
„ Myötäsuuntaisena oikosulku
– Myötäsuuntainen jännitekin jätetään pois.
„ Estosuuntaisena avoin piiri.

vD

katodi
anodi
i

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 12. kalvo / Saska Lindfors

 Esimerkki 5.1
„ Tutkitaan kuvan piirin toimintaa.

Oletetaan, että diodi on estosuunnassa.

→ VD=VDD → diodi on myötäsuuntainen eli
oletus oli virheellinen.

Jos diodi oletetaan myötäsuuntaiseksi

saadaan VD=0 ja diodin läpi kulkevaksi
virraksi pn-suunnassa ID=VD/R.

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 13. kalvo / Saska Lindfors

 Esimerkki 5.1 (jatkuu)
„ Tarkennetaan vastausta:
„ Ratkaistaan ID analyyttisesti. (n=1, VDD=5V, Is=1fA)
VD = VDD − RI D
ei ratkea analyyttisesti.
(
I D = I S eVD nVT
)
−1

„ Iteroidaan. Alkuoletus VD=0.7.

⇒ I D = (VDD − VD ) R = 4.3mA ⇒ VD ≈ nVT ln (I D I S ) = 0.73
⇒ I D = (VDD − VD ) R = 4.27 mA ⇒ VD ≈ nVT ln (I D I S ) = 0.727

⇒ I D = (VDD − VD ) R = 4.273mA ⇒ VD ≈ nVT ln (I D I S ) = 0.7271

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 14. kalvo / Saska Lindfors

 Paloittain lineaarinen malli
„ Iteroiminen on melko hankalaa.
I
„ Toisaalta oletus oikosulusta on epätarkka.
„ Diodista voidaan tehdä malli, johon
k=1/rd
lisätään sarjavastus
„ Vastuksen arvo saadaan
approksimoimalla eksponenttifunktiota VD0 V
suoralla.
– Koska eksponentiaalinen funktio muuttuu hyvin
jyrkästi, on mallin tarkkuus kyseenalainen. ideaalidiodi

„ Mallin tarkkuutta voidaan parantaa rd

kaventamalla aluetta, jolla malli on hyvä.
– Samalla kavennetaan aluetta, jolla mallia voi
käyttää. VD0

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 15. kalvo / Saska Lindfors

 Esimerkki 5.2
„ Muodostetaan paloittain lineaarinen malli kuvan
omainaiskäyrän mukaiselle diodille.
„ Diodia aiotaan käyttää maksimissaan 7mA:n
myötäsuuntaisella virralla.

VD 0 = 0,65V
0,8V − VD 0
rD = ≈ 21.4Ω
7mA

VD0:n valinta tässä mielivaltainen.

Vaikuttaa mallin käyttöalueeseen.

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 16. kalvo / Saska Lindfors

 ’Vakio jännitepudotus’-malli
„ Monissa tapauksissa paloittain lineaarisen diodimallin
sarjaresistanssilla ei ole suurta merkitystä.
„ Piirin toiminnan alustavassa analyysissä se voidaan asettaa
nollaksi, jolloin malli (ja tarkastelu) yksinkertaistuu.

ID
ideaalidiodi

0.7V

0.7V VD

’Vakio jännitepudotus’-malli on paloittain lineaarisen mallin erikoistapaus, eikä

oikeastaan oma mallinsa. Se on kuitenkin Sedrassa esitetty erikseen, joten tehdään
niin tässäkin.
S-87.1010 Ele I, 5. luento, 17. kalvo / Saska Lindfors
 Piensignaalimalli
„ Ominaiskäyrä voidaan myös linearisoida
I
tietyn diodin yli olevan jännitteen VD
ympäristössä.
– Mallin tarkkuus on hyvä vain pienillä 1/rd
signaaleilla VD:n (tai ID:n) ympäristössä.
„ Ensimmäisen asteen Taylorin kehitelmä:
V
diD I S VD / nVT
f ( x) ≈ f ( x0 ) + f ' (x0 )(x − x0 ) = e
dvD nVT
(
⇒ iD ≈ I S eVD / nVT − 1 +) I S VD / nVT
nVT
e vd

rd
„ vd:n kerroin voidaan esittää vastuksena:
1 diD I nV
= = D ⇒ rd = T
rd dvD nVT ID
S-87.1010 Ele I, 5. luento, 18. kalvo / Saska Lindfors
 Esimerkki 5.3
„ Lasketaan diodin yli olevan jännitteen amplitudi, kun R=10kΩ,
ja V+=10+sin(2π • 60Hz • t) V. Diodin n=1.
„ Piensignaalimalli yksinkertaistaa laskua, koska vakiovirrat ja
vakiojännitteet voidaan jättää pois tarkastelusta.
Piiri Vakiovirta ja Piensignaalit
-jännite
VD ≈ 0.7V

9.3V
ID ≈ = 0.93mA
10kΩ

nVT rd
rd = ≈ 26.9Ω vd = vs = 2.68mV
ID R + rd
S-87.1010 Ele I, 5. luento, 19. kalvo / Saska Lindfors
 Diodin korvaaminen mallilla

suursignaali piensignaali

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 20. kalvo / Saska Lindfors

 Diodisovellus: teholähde
„ Diodeja käytetään paljon teholähteissä sekä muuntamaan
vaihtovirta tasavirraksi, että nostamaan jännitetasoa.
„ Tasavirtajännite muodostetaan yleensä tasasuuntaajan
(rectifier) ja suodattimen yhdistelmällä.
„ Usein suodatin on pelkkä iso kondensaattori.

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 21. kalvo / Saska Lindfors

Puoliaaltotasasuuntaaja: ideaalidiodi

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 22. kalvo / Saska Lindfors

Puoliaaltotasasuuntaaja: suursignaalimalli

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 23. kalvo / Saska Lindfors

 Kokoaaltotasasuuntaaja

„ Tarvitaan muuntaja, jossa on

väliulosotto toisiokäämissä.
„ Diodien estojännitteenkeston
oltava suurempi kuin 2VS-VD0.
„ Jännitehäviötä VD0, eli diodin
myötäsuuntaisen jännitteen
verran.

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 24. kalvo / Saska Lindfors

 Kokoaaltotasasuuntaaja (bridge rectifier)
„ Diodit johtavat pareittain
niin, että virta kulkee
kuorman läpi samaan
suuntaan.
„ Tasasuuntaus.

vs>0 vs<0 i
i

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 25. kalvo / Saska Lindfors

 Kokoaaltotasasuuntaaja

„ Ei väliulosottoa toisiokäämissä.
„ Diodien estojännitteenkeston
oltava suurempi kuin VS-VD0.
„ Virta kulkee kahden diodin läpi:
jännitehäviötä 2VD0.

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 26. kalvo / Saska Lindfors

 Huipputasasuuntaaja

„ Puoliaaltotasasuuntaaja
suodatuksella
– Diodi lataa kondensaattorin
huippuarvoon VP-VD0.
– Kuorma purkaa
kondensaattoria.
– Diodi ”virkistää” latauksen.
„ Estosuuntainen jännite
enimmillään 2VP-VD0.
„ Tasaa tehonlähteen
jännitteen.
„ Käytetään myös AM-
demodulaatioon. S-87.1010 Ele I, 5. luento, 27. kalvo / Saska Lindfors
 Tasolukko
− v̂s
„ Siirtää
vaihtojännitesignaalin Kondensaattoriin
kokonaan positiiviseksi. latautuu − v̂s vS
„ Tai negatiiviseksi, mikäli
diodi on toisin päin.
„ Kuvassa diodi oletettu vS
ideaaliseksi. t
„ Muutoin huippu olisi 2VP-
VD0.
„ Estosuuntainen jännite
maksimissaan 2VP-VD0. vO
2V
Tämän jälkeen diodi V
ei johda enää ellei t
kuorma pura
kondensaattoria.
S-87.1010 Ele I, 5. luento, 28. kalvo / Saska Lindfors
 Jännitteen kahdentaja
„ Kytketään tasolukon jälkeen
Aaltomuotoja piirrettäessä
huipputasasuuntaaja. on oletettu diodien olevan
„ Lähdössä näkyy DC-jännite, ideaalisia ja että C1>>C2.
joka on kaksi kertaa korkeampi Jos C1=C2, lähtöjännite
lähestyy vähitellen 2V:tä.
kuin pelkällä
huipputasasuuntaajalla. vS
t
C1 D2

vS D1 C2 vO
2V
V
t

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 29. kalvo / Saska Lindfors

 Jännitteen moninkertaistaminen
„ Jännitteen kahdentajia voi ketjuttaa, niin
että jännite moninkertaistuu.
„ Diodeista aiheutuva jännitepudotuskin
moninkertaistuu.
– Jos lähdetään kovin matalasta jänniteestä
tarvitaan monta astetta.
„ Jännitelähteen sisäinen impedanssi on
korkea. = 8Vˆ
– Usein lähdössä käytetään
tankkikondensaattoria.
Seuraavan
asteen
”maa”
V

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 30. kalvo / Saska Lindfors

 Jännitteen moninkertaistaminen
„ Miksei jännitteen nostoon käytetä
vain muuntajaa ja tasasuuntausta?
„ Tasasuuntausta ei voi tehdä
valtavan korkeille jännitteille diodien
jännitteenkeston vuoksi.
„ Muuntajaa ei aina haluta käyttää.

„ Kuvassa on simulaatio
alkutransientin
jälkeisestä tilasta
kaksiasteiselle
jännitteenkertojalle.
„ Aaltomuotoja
tarkastelemalla
selviää, että tässä
minkään diodin yli ei
tule yli 2Vs:n
jännitettä.

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 31. kalvo / Saska Lindfors

 Jännitteen rajoitus (clamp, limiter)
„ Diodeja käytetään paljon myös rajoittamaan jännitteitä.
„ Rajoittavaa vahvistinketjua käytetään vahvistuksen säädön sijasta
vastaanottimissa.
„ Jokainen asteista vahvistaa signaalia ja riippuen tulosignaalin
voimakkuudesta viimeiset asteet rajoittavat amplitudia.
„ Ulos tulee tietyllä tulosignaalivälillä samansuuruista suorakaideaaltoa.
„ Tulosiirrosjännitteet voidaan eliminoida kondensaattoreilla.

vin vo

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 32. kalvo / Saska Lindfors

Jännitteenrajoituspiirejä

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 33. kalvo / Saska Lindfors

 Integroitujen piirien suojaus
„ Integroitujen piirien tulot ovat
herkkiä vaurioitumaan
staattisesta sähköstä. VDD
„ Tulot suojataan diodeilla
käyttöjännitteisiin.
„ Yleensä lisäksi sarjavastus,
joka suodattaa hyvin nopeita
jännitepiikkejä.
– Diodien nopeus ei ole välttämättä
riittävä.
„ Myös käyttöjänniteet pitää
rajoittaa toisiinsa nähden.
– Piirilevyllä tämä ei ole ongelma;
piiriä suojataan ennen kytkemistä.
S-87.1010 Ele I, 5. luento, 34. kalvo / Saska Lindfors
 Diodin läpilyönti

„ Kun diodin jännite on riittävän negatiivinen syntyy läpilyönti.

„ Virta kasvaa voimakkaasti.
„ Diodi kuumenee ja tuhoutuu.

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 35. kalvo / Saska Lindfors

 Zener-diodi
„ Zener-diodin läpilyönti ei tuhoa Zener-jännite
diodia. Polvivirta
– Erilainen läpilyöntimekanismi
kuin tavallisessa diodissa.
„ Läpilyöntijännite on melko
tarkka ja lämpötilariippumaton.
Æ Voidaan käyttää
jännitereferenssinä tai piirien
esijännitykseen.
„ Virtaa kasvaa hyvin jyrkästi.
„ Matala dynaaminen resistanssi. Standardi-
symboli
Æ Sopii tasaamaan
jännitevaihteluita
(jänniteregulointi).
Muita
symboleita

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 36. kalvo / Saska Lindfors

 Zener-diodi jänniteregulaattorina
„ Zener-diodi kytketään kuorman rinnalle.
„ Jos syöttöjännite kasvaa, zener-diodiin menevä virta kasvaa,
eikä kuorman näkemä jännite muutu.
„ Jos kuormavirta IL kasvaa, zener-diodiin menevä virta
pienenee, eikä kuorman näkemä jännite muutu.
„ Zener-diodin pitää pysyä läpilyöntialueella.
„ Piiri on mitoitettava niin, että zener-diodin virta ei koskaan
laske polvivirran IZK alle.
R IL

V+ DZ RL
VO

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 37. kalvo / Saska Lindfors

 Regulaattorin määritelmiä
Linjaregulointi Kuormaregulointi
„ syöttöjännitteen vaihtelujen „ kuormavirran vaikutus
vaimennus antojännitteeseen
ΔVO ΔVO
= −(R || rz )
r
= z
ΔVS R + rz ΔI L

R IL

VS DZ RL
+ VS z − I L (rz || R )
R r
VO = VZ 0
R + rz R + rz

Tässä on lähdetty siitä, että kuorma ottaa virran IL ja RL>>rz. eli IL on

verraten riippumaton Vo:sta.
S-87.1010 Ele I, 5. luento, 38. kalvo / Saska Lindfors
 Zener regulaattorin mitoitus
„ Lähdejännitteen vaihtelu
VS min < VS < VS max
„ Kuormavirran vaihtelu
I L min < I L < I L max
R I L max
„ Zener-regulaattorin on pystyttävä
syöttämään maksimivirta
kuormaan minimisyöttöjännitteellä,
niin että zener-diodi on vielä
oikealla toiminta-alueella.
VS min − VZ 0 − rz I Z min
R=
I Z min + I L max
VS min − VZ 0
≈
I L max

VS min DZ RL min
VO

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 39. kalvo / Saska Lindfors

 Esimerkki 5.4 (Sedra 3.8)
VZ = 6,8V
(a) Ei kuormaa, IL = 0
I Z = 5mA
„ Zener-mallin jännite
rz = 20Ω
VZ 0 = VZ − rz I Z = 6,7 V
„ kaikki virta zener-diodiin
V + − VZ 0
IZ = = 6,35mA
R + rz
„ antojännite

VO = VZ 0 + rz I Z = (6,7 + 20 ⋅ 6,35m )V = 6,83V

R = 500Ω IL = 0

V + = 10V DZ RL = ∞
VO
S-87.1010 Ele I, 5. luento, 40. kalvo / Saska Lindfors
 Sedra 3.8 jatkuu
(b) Jännitevaihtelu ±1V, IL = 0 d) Kytketään 2kΩ:n kuorma

Sedrassa väärin!
„ antojännitteen muutos ƒ Lähtövirran approksimaatio
+rz 6,8V
ΔVO = ΔV IL ≈ ≈ 3,4mA
R + rz 2kΩ
20 ƒ antojännitteen muutos
= ±1V ⋅ ≈ ±38,5mV
500 + 20 ΔVO ≈ −(rz || R )ΔI L
≈ −19.2Ω ⋅ 3,4mA ≈ −65.3mV

I Z = 5mA
R = 500Ω IL R
L

+
VZ 0 = 6 ,7V
V = 10V ± 1V DZ
VZ = 6,8V
VO rz = 20Ω

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 41. kalvo / Saska Lindfors

 Sedra 3.8. (jatkuu aina vaan)
(e) Kytketään 500Ω:n kuorma (f) Mikä on minimikuorma, kun IZK on
„ Pelkällä vastusjaolla 0.2mA?

RL ƒ Antojännite polvivirralla
VO = V + = 5V ± 0.5V < VZ 0 VO ≈ VZK ≈ VZ 0 = 6.7V
R + RL
„ Zener-diodi ei johda ƒ Virransyöttökyky heikoimmillaan:

IL ≈
(9 − 6.7 )V − 0.2mA ≈ 4.4mA
R = 500Ω IL 500Ω
6.7V
⇒ min{RL } = = 1.5kΩ
DZ RL 4.4mA

VO
+
V = 10V ± 1V

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 42. kalvo / Saska Lindfors

 Tavoitteet
„ Tietää
– Virrankuljetusmekanismit puolijohteessa.
– Varauksenkuljettajatyypit.
– Pn-diodin rakenne, tyhjennysalue.
– Linja- ja kuormareguloinnin määritelmät.
„ Ymmärtää
– Diodin tyhjennysalueen ja sisäänrakennetun potentiaalin syntyminen.
– Paloittain lineaarisen mallin ja piensignaalimallin ero.
– Tavallisimpien diodikytkentöjen toiminta
ƒ Tasasuuntaajat, tasolukko, jännitteenrajoitin, zener-jänniteregulaattori.
„ Soveltaa
– Laskea yksinkertaisten diodipiirien jännitteitä ja virtoja.
– Mitoittaa zener-regulaattori annettujen spesifikaatioiden perusteella.

S-87.1010 Ele I, 5. luento, 43. kalvo / Saska Lindfors