S-87.

1010 Elektroniikka I

Luento 6
Kanavatransistorit

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 1. kalvo / Saska Lindfors

 Lauantaitentti
 Elektroniikan perusteet kurssille järjestetään ylimääräinen
tentti.

 Lauantai 15.3 kello 10-13.

 http://math.tkk.fi/lauantaitentit
– Ilmoittautukaa viikkoa ennen (WebTopi)
– Sali ilmoitetaan pääosaston aulassa ko. lauantaiaamuna

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 2. kalvo / Saska Lindfors

 Luennon pääkohdat
 Mihin transistoreita käytetään.
 MOS-transistorin fysiikkaa: toimintaperiaate
 MOS-transistorin toimintatilat
– sulkutila
– lineaarinen alue
– saturaatio
 Suursignaalimalli
 Toimintapiste
 PMOS-transistori
 JFET-transistori

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 3. kalvo / Saska Lindfors

 Kuvitteellinen transistori
 Kolminapainen komponentti.
 Suure C (jännite tai virta) kontrolloi
kahden muun navan välistä virtaa.
 C on tyypillisesti heikompi signaali I1
1
 Vahvistin! 2
C

 C voi myös katkaista virran kokonaan 3

I3
 Kytkin!
I1≈I3
 Vahvistimilla ja kytkimillä voikin jo
toteuttaa huomattavan määrän erilaisia
elektronisia kytkentöjä.

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 4. kalvo / Saska Lindfors

 Kanavatransistorit
 Kanavatransistoreita on useaa eri tyyppiä
 Eristehilakanavatransistori eli IGFET (Insulated Gate Field
Effect Transistor)
I – Tavallisempi nimi MOSFET (metal-oxide semiconductor
FET) tai vain MOS-transistori.
C
– Metalli- (tai oikeastaan pii) ja eristekerroksien alla olevaa
kanavaa kontrolloidaan sähkökentällä.
I
– Joko avaustyyppisiä (tavallista) tai sulkutyyppisiä
(harvinaista).
– Kanavan enemmistövarauksenkuljettajista riippuen joko N-
D tai P- tyyppisiä.
 Liitoskanavatransistori eli JFET (Junction field effect
G transistor).
S – Kanavan resistiivisyyttä kontrolloidaan estosuuntaisen pn-
liitoksen tyhjennysalueen syvyyttä säätelemällä.
MOS – Tavallinen erilliskomponenttina.
 Yksinkertaisuuden nimessä jatkossa keskitytään avaus-
NMOS transistoriin.
S-87.1010 Ele I, 6. luento, 5. kalvo / Saska Lindfors
 NMOS-transistori
 P-tyyppisen piisubstraatin päälle kasvatetaan NMOS
D
SiO2 –eristekerros ja metalli hilaksi.
B
G
 Nielu ja lähde muodostuvat n+-tyypin alueista S
hilan molemmilla puolilla.
NMOS (VBS=0)
 MOS transistorin kanavan mitat (W ja L) D
vaikuttavat huomattavasti sen ominaisuuksiin. G
S
lähde hila nielu

(Bulk)
substraattikontakti
S-87.1010 Ele I, 6. luento, 6. kalvo / Saska Lindfors
 Kanavan muodostuminen

 Hila, eriste ja substraatti hila

muodostavat lähde nielu
kondensaattorin.
 Kun hilalle kytketään
kynnysjännitettä Vt
(≈0.4-0.7V) suurempi
positiivinen jännite,
kerääntyy eristekerroksen
alle elektroneja.
 Hilan alla oleva pii
invertoituu n-tyyppiseksi.
⇒ Lähteen ja nielun yhdistävä
kanava muodostuu.

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 7. kalvo / Saska Lindfors

 NMOS pienellä VDS-jännitteellä
 Jännite-ero nielun ja lähteen välillä aiheuttaa virran ID
kanavaan.
 Hilajännitteellä voidaan kontrolloida kanavan resistiivisyyttä ja
siinä kulkevaa virtaa. hila
 Soveltuu kytkimeksi. nielu
lähde
 Transistorin sanotaan
olevan lineaarisella (tai
triodi) alueella.

Lähteen, nielun ja kanavan muodostamasta

n-alueesta on estosuuntainen pn-liitos
substraattiin.
⇒MOS-transistori on eristetty substraatista

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 8. kalvo / Saska Lindfors

 NMOS-transistorin saturoituminen
 Jännite nielulla nostaa
kanavan resistanssia nielua hila
kohden tultaessa. nielu
– Kanavan resistanssi ei ole
lineaarinen vaan kasvaa VDS:n
lähde
funktiona.
 Jos nielun jännite nousee
riittävän korkeaksi, kanava
nielulla sulkeutuu.
 Virta ei katkea mutta siitä tulee
VDS-jännitteestä riippumaton.
 MOS-transistori toimii hila-
lähde jännitteen ohjaamana
virtalähteenä.
 Soveltuu vahvistimeksi.

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 9. kalvo / Saska Lindfors

 MOS-transistorin toimintatilat
 Sulkutila (ei kanavaa)
vGS < Vt
iD = 0
 Lineaarinen alue (triodi) D
ID
vGS > Vt ∧ vDS < vGS − Vt
G
W 2 
iD = k n' ( vGS − Vt ) vDS − 1 vDS  S
L 2
 Saturaatioalue
vGS > Vt ∧ vDS > vGS − Vt
k n' W
iD = ( vGS − Vt ) 2 Kynnysjännite Vt=0.4-0.7V
2 L Transkonduktanssikerroin
 Usein (ja tässä) oletetaan vBS=0. kn’=100-200µA/V2

– Jos näin ei ole Vt kasvaa. Saturaatiojännite vDSsat=vGS-Vt

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 10. kalvo / Saska Lindfors

 Sulkutila
 Hilan alla, lähteeltä nielulle, ei ole kanavaa.
 Sekä lähde-, että nielu-alueet ovat estosuuntaisten diodien
erottamia substraatista.
– Näin on normaalitoiminnassa aina.
 MOS-transistori käyttäytyy sulkutilassa kuin avoin kytkin.

Ehto: vGS < Vt

Virtayhtälö: iD = 0

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 11. kalvo / Saska Lindfors

 Lineaarinen alue
 Lineaarisella alueella lähteen ja nielun välillä on kanava.
 Nielu-lähde jännite vDS ei ole tarpeeksi korkea, jotta kanava
olisi nielun puolelta kiinni.
 MOS-transistori toimii kuin jänniteohjattu vastus tai suljettu
kytkin (jolla on sarjaresistanssia).
– Vastus on epälineaarinen vDS:n suhteen.

Ehto: vGS > Vt ∧ vDS < vGS − Vt

D
ID
Virtayhtälö:
G
W 1 2 
S iD = k '

n ( vGS − Vt ) vDS − vDS 
L 2 
S-87.1010 Ele I, 6. luento, 12. kalvo / Saska Lindfors
 NMOS-transistori lineaarisella alueella
 Transistori lähestyy lineaarista vastusta kun
vDS << vGS − Vt Termin merkitys Vastusapproksimaatio
katoaa ei suinkaan päde koko
W 1 2 
iD = k '

n ( vGS − Vt ) vDS − vDS  lineaarisella alueella
L 2 
W
⇒ iD ≈ k ( vGS − Vt ) vDS
'
n
L
 Vastuksen arvo riippuu vGS-Vt:stä
vds 1
rds = =
ids k ' W ( v − V )
n GS t
L
 Konduktanssi riippuu lineaarisesti
vGS-Vt:stä
W
g ds = k ( vGS − Vt )
'
n
L
S-87.1010 Ele I, 6. luento, 13. kalvo / Saska Lindfors
 Esimerkki 6.1
 Kahta NMOS transistoria (knW/L=10mA/V2, Vt=1V) käytetään kytkemään
vahvistimen tulo joko lähteeseen vs1 tai vs2.
 Lähteiden sisäinen resistanssi on 1kΩ ja vahvistimen tuloresistanssi on
1kΩ. Miten suuri vaimennus kytkimistä aiheutuu, kun tulosignaalien DC-
taso on nolla ja kytkimen ollessa suljettuna VG=5V?
Kytkimen resistanssi suljettuna:
 W
rds = 1 k n' ( vGS − Vt )  = 25Ω
 L 
Ideaalisella kytkimellä:
vi
20 log10 = −6dB
v[ s1|s 2 ]
NMOS kytkimenä:
vi 1kΩ
20 log10 = 20 log10 = −6.13dB ⇒ IL = 0.13dB
v[ s1|s 2 ] 2kΩ + 25Ω
S-87.1010 Ele I, 6. luento, 14. kalvo / Saska Lindfors
 Saturaatioalue
 Lähteen ja nielun välillä on kanava, joka on sulkeutunut nielun
päästä korkean nielu-lähde jännitteen vDS takia.
 Virta kanavassa ei riipu nielu-lähde jännitteestä vDS.
 MOS-transistori toimii kuin jänniteohjattu virtalähde.
– Virran riippuvuus hila-lähde jännitteestä vGS on neliöllinen.

Ehto: vGS > Vt ∧ vDS ≥ vGS − Vt

D
ID
Virtayhtälö:
G
k n' W
S iD = ( vGS − Vt ) 2
2 L

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 15. kalvo / Saska Lindfors

 MOS-transistorin ominaiskäyrästö
 Transistorien toimintaa kuvataan usein VI-
käyrästön avulla.
– Käyräperhe, jossa parametrina on kontrolloiva
suure. MOS-transistoreilla vGS-jännite.

sama käyrä
siirrettynä Vt:n
verran

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 16. kalvo / Saska Lindfors

 Kanavanpituuden moduloituminen
kanava  vDS-jännitteellä on heikko vaikutus
tyhjennysalueen pituuteen
saturaatiossa.
 Efektiivinen kanavanpituus muuttuu.
L’
 Kanavavirralla on heikko riippuvuus
tyhjennysalue
vDS-jännitteeseen saturaatiossakin.
 Efektiivinen kanavanpituus on
muotoa
L k n' W
L' = ⇒ iD = ( vGS − Vt ) 2
(1 + λvDS ) 2 L'
 Virraksi saadaan
k n' W
⇒ iD = ( vGS − Vt ) 2 (1 + λvDS )
2 L

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 17. kalvo / Saska Lindfors

 Suursignaalimalli saturaatiossa
 Kanavanpituuden moduloituminen vaikuttaa samaan tapaan
kuin rinnakkaisvastus.
k n' W
iD = ( vGS − Vt ) 2 (1 + λvDS ) Suursignaalimalli saturaatiossa
2 L

 Virta voidaan jakaa

kahteen tekijään:
iD = iD 0 + λiD 0 vDS

konduktanssi 1 1
r o= =
virtalähde g o  i D0

 Lähtöresistanssi jätetään usein pois

suursignaalilaskuista.
S-87.1010 Ele I, 6. luento, 18. kalvo / Saska Lindfors
 MOS-transistori vahvistimena
 Lasketaan nieluvirta hilajännitteen funktiona
k n (VGS + v gs − Vt )
1 'W 2
iD =
2 L
1 'W W
⇒ iD = k n (VGS − Vt ) + k n'
2
(VGS − Vt ) vgs + 1 kn' W vgs2
2 L L 2 L
ID id säröä
 Ratkaistaan lähtöjännite suursignaali-
vastinpiiristä.
W
vD = VDD − RD I D − RD k n' ( vGS − Vt ) vgs − RD k n' W vgs2
L 2 L
VD vd=RDid
k n' W
⇒ Avo =
vd
= − RD
kW'
n
(VGS − Vt ) iD = ( vGS − Vt ) 2
v gs L 2L

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 19. kalvo / Saska Lindfors

 Transistorin toimintapiste
 Yleensä transistori toimii
jonkin etukäteen asetetun
pisteen ympäristössä.
– Esimerkiksi signaalin 0.1V⋅sin(t)
kytkeminen NMOS transistorin
hilalle* on hyödytöntä, koska
transistori ei siirry lainkaan pois
sulkutilasta.
Q=(4V,2.5mA,5V)
 Määritellään MOS-transistorin
toimintapisteeksi Q joukko
(VGS,ID,VDS) silloin kun signaali
on nolla.
*
kun VS=0.

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 20. kalvo / Saska Lindfors

 Graafinen analyysi
 Vahvistimen toimintaa
voidaan havainnollistaa transistori siirtyy
piirtämällä kuormasuora lineaariselle alueelle
transistorin
ominaiskäyrästöön. VDD/RD
-1/RD
 Kuormasuorasta nähdään,
miten suuri tulosignaali voi
olla tietyssä toimintapisteessä
ennen kuin transistorin vgs
toimintatila vaihtuu.
Q
 Kuvan tilanteessa
tuloamplitudi voi olla n. 0.7V. VDD

transistori siirtyy
sulkutilaan
S-87.1010 Ele I, 6. luento, 21. kalvo / Saska Lindfors
 Toimintapisteen laskeminen (esimerkki
6.2)
 Epälineaarisia komponentteja sisältävän piirin toimintapisteen ratkaisu
vaatii useampia vaiheita.
2. Tehdään oletus transistori(e)n toimintatilasta.
3. Sijoitetaan suursignaalimalli transistorin tilalle.
4. Ratkaistaan (esim.) piirin jännitteiden solmuyhtälöt.
5. Tarkistetaan pitikö oletus toimintatilasta paikkansa.
VDD Vt=1V, k’nW/L=1mA/V2, VDD=5V, R1=100Ω
VD = VDD − R1 I D
R1 k n' W
ID = (VGS − Vt ) 2 = 8mA Oletus: saturaatiotila
ID 2 L
VD VD = 5V − 100Ω ⋅ 8mA = 4.2V OK

saturaatioehto VDS > VGS − Vt = 4V toteutuu.

VGS=5V, ID=8mA, VDS=4.2V
S-87.1010 Ele I, 6. luento, 22. kalvo / Saska Lindfors
 Hankalampi esimerkki... (6.3)
Lasketaan jännitteet ja ID. Vt=1V, k’nW/L=1mA/V2, VDD=10V

Solmuyhtälöt:
VDD
1
RD
V DD−V D = I D VD = VDD − RD I D
RD = 6kΩ
1 1 RG 2
 V
R G1 DD
−V G − V =0
RG2 G VG = VDD RG1 = 10MΩ
RG1 + RG 2
1 ID
VS = I D VS = RS I D
RS
IG = 0
Kirjoitetaan yhtälö ID:lle (oletetaan saturaatio)
IS = ID
VGS = VG − VS = VG − RS I D RG 2 = 10MΩ

RS = 6kΩ
k n' W
⇒ ID = (VG − RS I D − Vt ) 2
2 L

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 23. kalvo / Saska Lindfors

 ...jatkuu
W ' W
1+ k '
nRS (VG − Vt ) ± 1 + 2k n RS (VG − Vt )
⇒ ID = L L
Ratkaistaan ID
W 2
k n' RS
L

I D ≈ 0.89mA VGS = VG − RS I D = 5V − 6kΩ ⋅ 0.89mA = −0.34V

I D = 0.5mA VGS = 5V − 6kΩ ⋅ 0.5mA = 2V fysikaalinen ratkaisu

Ratkaisuja saatiin kaksi, koska MOS:n saturaatioalueen virtayhtälö tuottaa

saman virran kahdella eri VGS:n arvolla. Toisessa transistori on aina
sulkutilassa, jolloin yhtälö ei päde.

Ratkaistaan VDS: VDS = VD − VS = VDD − ( RD + RS ) I D = 4V

VDS > VGS − Vt = 1V ⇒ transistori on saturaatiossa.

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 24. kalvo / Saska Lindfors
Komplementäärinen MOS teknologia (CMOS)
 N-kanavaisen avauskanava MOS transistorin lisäksi käytetään P-
kanavaisia avauskanava MOS-transistoreja.
 Toiminta muuten samanlaista, mutta kaikkien jännitteiden merkit
vaihtuvat.
– Kanava muodostuu negatiivisella vGS-jännitteellä.
– Nieluvirran suunta on myös käänteinen: ulos nielulta.
 CMOS teknologialla voidaan toteuttaa molemmat komponentit.
– Ylivoimaisesti yleisin integroitujen piirien teknologia.
 p-substraatti tavallisin. PMOS transistoreja varten kasvatetaan
substraattiin erilliset N-altaat (ikään kuin paikallinen substraatti).
avaus-NMOS
D
B
G
S
avaus-PMOS
S
G
B
D
S-87.1010 Ele I, 6. luento, 25. kalvo / Saska Lindfors
 PMOS-transistori
 Toiminta on periaatteessa identtistä NMOS-transistorin
kanssa.
 Jännitteet ovat vastakkaismerkkisiä. PMOS
D
 Nieluvirran suunta on määritelty päinvastoin. G
B
PMOS NMOS S
VGS < 0 S D
PMOS (VBS=0)
iD
S
G VDS < 0 VDS > 0 G
G
iD D

D VGS > 0 S
k p' W k n' W
iD = ( vGS − Vtp ) 2 iD =
2 L
( vGS − Vtn ) 2
2 L
Myös Vtp on negatiivinen
S-87.1010 Ele I, 6. luento, 26. kalvo / Saska Lindfors
 Esimerkki 6.4
 Kuvan piirissä VDD=5V, VIN=2.5V, kn(W/L)n=1.25mA/V2,
kp(W/L)p=0.5mA/V2, Vtn=1V, Vtp=-1V.
 Lähtöön on kytketty 2.5V:n jännitelähde V1. Ratkaistaan IV1.
k p' W
iD1 = ( vGS1 − Vtp ) 2
2 L
= 0.25mA / V 2 [ − 2.5V − ( − 1V ) ] = 0.5625mA
2

k n' W
iD 2 = (VGS 2 − Vtp ) 2
2 L
= 0.625mA / V 2 ( 2.5 − 1V ) = 1.40625mA
2

IV 1 = I D 2 − I D1 ≈ 0.84mA

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 27. kalvo / Saska Lindfors

 Liitoskanavatransistori - JFET

 Hilajännite kontrolloi G VGS<0

estosuuntaisten pn-liitosten VDS=0
tyhjennysalueen leveyttä. p

⇒ Kanavan vastus muuttuu. S n

D
 Riittävän suurella nielu-lähde p

jännitteellä tyhjennysalueet kanava

yhdistyvät nielun päässä.
– ns. pinch-off. G VGS<0
⇒ Virta saturoituu samaan tapaan VDS>VDSsat
kuin MOS-transistoreilla. p

n
D S D
G p

S pinch-off
S-87.1010 Ele I, 6. luento, 28. kalvo / Saska Lindfors
 JFET – Kanavavirta saturaatiossa
 Virta riippuu myös JFETeillä
ID
neliöllisesti hila-
lähdejännitteestä.
2 Vp on negatiivinen IDSS
 VGS 
I D = I DSS 1 − 
 Vp 
 
 Virta saavuttaa
maksimiarvonsa IDSS, kun VGS Vp
VGS=0.
 VGS jännitteellä Vp kanava Vp:tä kutsutaan pinch-off
sulkeutuu ja virta on nolla. jännitteeksi. Se ei kuitenkaan liity
– Sekä VGS, että VP ovat virran saturoitumiseen vaan
negatiivisia n-kanava JFETillä. kanavan sulkutilaan.

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 29. kalvo / Saska Lindfors

 Tavoitteet
 Tietää
– MOSFETin rakenne ja terminaalien nimet.
– JFET, PMOS
 Ymmärtää
– NMOSin toimintatilat ja niiden erot
– NMOSin ominaiskäyrästö
– Toimintapisteen käsite
– NMOSin suursignaalimalli
 Soveltaa
– Laskea NMOS-kytkennän toimintapiste.

S-87.1010 Ele I, 6. luento, 30. kalvo / Saska Lindfors