Chapter 

4 (Problems and Solutions) 

3  Due to  some fabrication errors, the cross‐sectional area of emitter has doubled. How does the 
collector current change? 

Solution 

AE qDn ni2 VBE /VT

IC  (e  1).
N BWB  
I C  AE .

So if AE increases by a factor of two, then IC increases by the same factor. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
4    In  the circuit of Fig. 4.48, IS1 = IS2 = 5 10–5 A. 
      (a) Calculate the value of I X if VB = 0.7 V. 
      (b) Find the value of IS to get IY= 3.5 mA.  

 
Figure 4.48 
Solution 

(a) Let Is1 = Is2 = Is, then 

I CQ 2  I CQ1  I S eVBE /VT

 5  1015  e0.7/0.026
 2.46 mA.  
I X  I CQ 2  I CQ1
 4.92 mA.

(b)  

I CQ 3  IY  I S 3 eVBE /VT
 I S 3  e0.7/0.026
 3.5 mA  
3
3.5  10
IS3 
e0.7/0.026
 7.10  1015 A.

 
5  In  the circuit of Fig 4.49, it is required that the collector current of Q2 is to be twice that of Q1 if VBE1 
– VBE2 = 0. Determine the ratio of base widths of two transistors, if other device parameters are 
identical. 
 

 
Figure  4.49 

Solution 

AE1qDn ni2 VBE1 /VT

I C1  (e  1).
N BWB1
 
A qD n 2
IC 2  E 2 n i (eVBE 2 /VT  1).
N BWB 2

Since for VBE1  VBE2  0, I C 2  2 I C1  

AE 2 qDn ni2 VBE /VT A qD n 2

(e  1)  2  E1 n i (eVBE /VT  1)
N BWB 2 N BWB1
1 2
  
WB 2 WB1
WB1  2WB 2 .

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
ϲ Consider the  circuit of Fig. 4.50. 
      (a) If VB= 0.6 V and IX = 3.5 mA, determine IS1 and IS2 such that IS1 = 2IS2. 
      (b) Find the value of RC which places the transistors at the edge of the active mode. 
 

Solution 

I C1  I S 1eVBE /VT
I C 2  I S 2 eVBE /VT
I X  3.5mA, I S 1  2 I S 2
I X  I C1  I C 2
I C1 I S 1eVBE /VT 2I S 2 eVBE /VT
  2
I C 2 I S 2 eVBE /VT I S 2 eVBE /VT
I C1  2 I C 2
 
I X  2 I C 2  I C 2  3.5 mA
I C 2  1.166 mA and I C1  2.334 mA
2.334 mA
I S1  0.6/0.026
 2.217  1013 A
e
1.166 mA
I S 1  0.6/0.026  1.107  1013 A.
e

To place the transistors at the edge of active region, VB  VX ,  

VB  VX  VCC  I X RC
0.6  3  3.5  103  RC  
RC  685.7 .

 
 
 
ϳ  Consider  the circuit of Fig. 4.51. Calculate VX if IS = 6  10–15 A. 
 

Solution 

VBE  VCC  I C  1k  I E  1k

 VCC  I C  2k  (  I E  IC )
I 
VT ln  C   VCC  I C  2 k
 IS 
 IC 
0.026  ln  15 
 2  I C  2 k  
 6  10 
 IC 
0.026  ln  15 
 I C  2 k  2
 6  10 
I C  0.67 mA
VX  I C  1k  0.67 V.

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

8: The required circuit is shown in figure 4.52:

Figure 4.52

In figure 1 transistor Q1 is at the edge of the active region. That is,

VC  VB …… (1)
Here,
Base voltage is VB ,
Collector voltage is VC 

Apply Kirchhoff’s voltage law in the circuit shown in figure 1:

VCC  RC I C  VC
 VB 
 
 RC I S e  VT 
 VC …… (2)

Substitute equation (1) in equation (2)

 VB 
 
VCC  RC I S e  VT 
 VB …… (3)
Here,
Supply voltage VCC  is 2 V
Thermal voltage VT  is 26 mV
Saturation current  I S  is 5 1016 A
Collector resistance is  RC 

Substitute corresponding values in equation (3)

 VB 

2  RC  5 1016  e 2610
 3 

 VB
 VB 
 
 26103  2
RC e  VB 
5 1016
 4 1015
Use numerical methods or calculate by hit and trial
VB  760 mV
RC  500 
ϵ  Consider  the circuit of Fig 4.53. Calculate the value of VCC that places Q1 at the edge of the active 
region. Assume IS = 5  10–16 A. 

Solution 

VCC  I C RC  VC
 I C RC  VC
 I C eVBE /VT  RC  VC  
 5  1016  e0.75/0.026  500  0.75
 1.59 V.

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1ϭ  Consider  the circuit of Fig 4.55, assuming  = 100 and IS = 6  10–16 A. If RB = 10 k, determine VB 
such that IC = 1 mA. 

Solution 

VB  I B R1  VBE  I C RE
IC
 R1  VBE  I C RE  

1  103
  10  103  VBE  1  103  10  103.
100

But, 

I 
VBE  VT ln  C 
 IS 
 
 1  103 
 0.026ln  16 
 0.7316 V.
 6  10 

Therefore, 

VBE  0.1  0.7316  1

 
 1.8316 V.

 
1Ϯ  Inthe circƵitof Fig4.55,ifVB= 2Vand RB 10 k,caůculatethe collector current.  

Solution 

VB  I B R1  VBE  I C RE
IC
 R1  VBE  I C RE

 
I
2  C  10  103  0.7316  I C  1  103
100
I C  1.153 mA.

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1ϯ  In  the circuit depicted in Fig 4.56, if IS1= 2IS2 =  5  10–16 A, 1 = 2 = 100 and R1 = 10 k, compute VB 
such that IX = 1 mA and IY = 2 mA. 

 
 
Figure 4.56 

Solution 

I X  I S 1eVBE 1 /VT
IY  I S 2 eVBE 2/VT
VBE1  VBE 2  VBE  
I X I S1 1
  .
IY I S 2 3

Also, 

I X  1 I B1 and IY   2 I B 2 ; 1   2  100
I B1 I X 1
 
I B 2 IY 3
VB   I B1  I B 2  R1  VBE .
I 
VBE  VT ln  X 
 I s1 
 1  103 
 0.026  ln  16 
 5  10 
 0.736 V.
I
I B1  X

1  103
  10  A.
100
IY
I B2 

3  103
  30  A.
100
VB  10  A  30  A   10  103  0.736  
 1.136 V.

 
1ϰ  In  the circuit of Fig 4.56, if IS1=  3  10–16 A and  IS2 =  5  10–16 A, 1 = 2 = 100 and R1 = 5 k, VB = 
800 mV, calculate  IX and IY. 

Solution 

VBE1  VBE 2  VBE

VB   I B1  I B 2  R1  VBE
R1 I 
 IX IY   VT ln  X 
  I s1 
IS 2  2 I S 1 ; IY  2I X
R1  IX   
VB   3I X   VT ln  
  I s1 
5  103  IX 
  3I X  0.026  ln  16 
100  3  10 
 900 mV
I X  1 mA and IY  2 mA.

 
1ϱ   The  base‐emitter junction of a transistor is driven by a constant voltage. Suppose a voltage 
source is applied between the base and collector. If the device operates in the forward active region, 
what changes will takes place in IB and IC? 

Solution 

No change in VBE means no change in base current IB, and hence there will be no change in IC.  

 
1ϲ  In  a bipolar device VBE changes by  10 mV.  Calculate the change in gm, if the device is biased at 
IC = 2 mA. 

Solution 

I C I S eVBE /VT
gm  
VT VT
I S eVBE /VT VBE I C VBE
g m    
VT2 VT2
gm
g m  VBE .
VT

IC
gm 
VT
2  103

0.026
1

13 
I S eVBE /VT VBE
g m 
VT2
 
I V
 C 2 BE
VT
gm
g m  VBE
VT
1
 (10 mV)
13  0.026
1
 .
33.8

 
ϭϳ  A  transistor gives a transconductance of 1/13  with base‐emitter voltage of 800 mV. Calculate 
the value of IS of the transistor. 

Solution 

IC
gm 
VT
I S eVBE /VT

VT
g mVT
IS   
eVBE /VT
1
0.026 
 13
e0.8/0.026
 8.67  1017 A.

 
2Ϯ  The  collector voltage of a bipolar transistor varies from 1 V to 4 V while the base‐emitter voltage 
remains constant. What Early voltage is necessary to ensure that the collector current changes by less 
than 2%? 

Solution 

 V 
I C  I S eVBE /VT 1  CE 
 VA 
VCE
I C  I S eVBE /VT
VA
VCE
I S eVBE /VT
I C VA

IC  V 
I S eVBE /VT  1  CE 
 VA 
VCE

VA  VCE
I C
 0.02
IC
VCE
  0.02  
VA  VCE
VCE  3V
VCE (min)  1V
50VCE  VA  VCE (min)
150  VA  1
VA  149 V.

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2ϯ  In  the circuit of Fig 4.59, IS = 6  10–15 A. Determine the value of collector current and VX for  
(a)VA=  and  
(b) VA = 4 V. 

Solution 

(a) 

VA  
I C  I S eVBE /VT
 6  1017  e0.8/0.026
 1.38 mA  
VX  2.5  I C RC
 2.5  1.38  103  1  103
 1.11 V.

(b) 

VA  5 V
 V 
I C  I S eVBE /VT 1  CE 
 VA 
VX  VCC  I C RC
VCC  VX
IC 
RC
VCC  VX  V   
 I S eVBE /VT 1  CE 
RC  VA 
 V 
VCC  VX  RC I S eVBE /VT 1  CE 
 VA 
 V 
2.5  VX  1  103  6  1017  e0.8/0.026 1  X 
 5 
VX  0.874 V and I C  1.625 mA.

 
Ϯϲ  Abipolar  current source is to be designed for a specific output current. If VA= 2 V and output 
resistance is greater than 10 k, find the output current. 

Solution 

 V 
I C  I S eVBE /VT 1  CE 
 VA 
1 dI
 C
r0 dVCE
1 1
 I S eVBE /VT   IC 
VA VA
 
V
r0  A
IC
VA
 10 k
IC
2V
 IC   0.2 mA.
10 k 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Ϯϵ  For the  circuit depicted in Fig. 4.64, calculate the value of collector‐base bias, if IS = 7  10–16 A and 
VA= . 
 
 
 

VCC  I C RC  VCE
VCC  VCE
IC 
RC
 I S eVBE /VT
VBE  VCE  RC I S eVBE /VT  
16
VBE  0.2  1  10  6  10
3
e
VBE /0.026

VBE  VCC
 0.7144 V
I C  0.5144 mA.

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3ϯ  If  IS1 =3 IS2 = 6  10–16 A, calculate the value of VB in Fig. 4.68, required for getting IX = 10 mA. 
 

Solution 

I C1  I S 1eVBE1/VT
 6  1016 eVBE 1/0.026
I C 2  I S 2 eVBE 2 /VT
 2  1016 e0.82/0.026
 9.95 mA
I X  I C1  I C 2
10 mA  I C1  9.95mA  
I C1  0.05 mA
VEB1  VT e0.05/0.026
 0.026  e0.05/0.026
 0.654 V
VB  2  0.654
 1.346 V.

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3ϰ  In  the circuit of Fig. 4.69, calculate the value of IC, if  = 100 and IS = 6  10–16 A. 
 

Solution 

VCC  VEB  RB I B
IC
 VEB  RB

I S eVBE /VT
1.5  VEB  23  103 
  
16
6  10 e VBE /0.026
1.5  VEB  23  103 
100
VEB  0.762 V
I C  3.20 mA.

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
ϯϴ  Calculatethecollectorcurrnt of Qϭ inFiŐ 4.73,ifIS=3 10–1ϳ A.  

Solution 

VEB  2.5V  1.8V

 0.7 V
I C  I S eVBE /VT  
17
 3  10 e 0.7/0.026

 1.477  105 A.

 
4Ϯ  A  pnp current source must provide an output current of 5 mA with an Early voltage of 2 V. What 
is the output impedance? 

Solution 

VA
r0 
IC
20 V
  
5 mA
 4 k

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
ϰ5  In  the circuit in Fig 4.79,  = 100, and VA = . 
         (a) Determine the value of collector‐base forward bias if IS =  5  10–16 A and VBE of 0.8 V. 
         (b) Calculate the transconductance of the device. 
 

Solution 

VC  VB  VCB
RC I C  I B RB  VCB
VEB  VCC  I B RB
 2.5  I B  360 k
0.7  2.5  I B  360 k
 
IB  5 A
I C  0.5 mA
VCB  RC I C  I B RB
 4 k  0.5mA  5  A  360 k
 0.2 V.

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
ϰϳ  Consider  the circuit of Fig 4.81 where IS1 = IS2 =  5  10–16 A, IC2 = 0.5 mA, 1= 100, 2 = 50, VA = , and 
RC = 500 . If Vin= 1.45 V, what is the value of VBE1 and VBE2? 

Solution 

Vout  I C 2 RC
 0.5 mA  500 
 0.25 V.
I 
VEB 2  VT ln  C 2 
 IS 2 
 0.5 mA  
 0.026 ln  16 
 (5/3)  10 
 0.745 V.
Vin  VBE1  VBE 2 .
VBE1  Vin  VBE 2
 1.45  0.745
 0.705 V.
48 In order to find out VBE1 and VBE 2 , we have to use the formula,

I 
VBE 2  VT ln  C 2 
 IS 2 
and
Vin  VBE1  VBE 2

In accordance to question,
Vin  1.45 V

I S1  I S 2  5 106 A

I C1  0.5 mA

1  100

 2  50

VA  

RC  500 

VBE is deified as,

I 
VBE 2  VT ln  C 2 
 IS 2 

To obtain VBE 2 , substitute 0.5 103 A for I C 2 and 5 1016 A for I S 2 in the equation
I 
VBE 2  VT ln  C 2  , we get,
 IS 2 