TK – 33205

ELEKTRONIKA DASAR

Dasar Transistor
JURUSAN TEKNIK KOMPUTER
FAKULTAS TEKNIK DAN ILMU KOMPUTER
UNIVERSITAS KOMPUTER INDONESIA
 KONFIGURASI COMMON EMITTER (CE)
HUBUNGAN EMITER BERSAMA
- RC +
C
+ RB - +
B
VCE +
+
VCC
+ VBE
- -
VBB -

E
VBB  VBE
IB 
RB
VCE  VC  VE VCB  VC  VB VBE  VB  VE
VCE  VCC  I C R C  PD  VCE I C
 Pendekatan pertama

+ +

VBE dcIB VCE

- -

Pendekatan kedua

+ +

VBE dcIB VCE

0.7 V

- -
 Pendekatan ketiga

+ +

dcIB
VBE VCE

rbc
rbe
- -

rbe = emitter diode bulk resistance =1.5 

rbc = collector diode bulk resistance =2.8 

 Rangkaian penganti transistor IC
 dc 
IE
IC
IC = dc IE  dc 
IB

IB dc IE
n r’b

VCE VCE
p

IE
VBE V’BE
n
VBE
MODEL EBERS-MOLL
IC  IE

IE
IB 
 dc

VBE = 0,7 V IE
GARIS BEBAN

RB
VCE

Garis Beban (Load Line)

I B  0  I C  0  VCE  15V Tempat kedudukan titik-
titik operasi (VCE,IC)
15V
VCE  0  IC   5 mA
3k
TITIK OPERASI

15V
IB   30A
500k
  100  I C   I B  100(30) A  3 mA
VCE  15  R C I C  15  3k(3 mA)  6V Titik Operasi Q

  50  I C   I B  50(30) A  1,5 mA
Titik Operasi QL
VCE  15  R C I C  15  3k(1,5 mA)  10,5V

  150  I C   I B  150(30) A  4,5 mA

Titik Operasi QH
VCE  15  R C I C  15  3k(4,5 mA)  1,5V
 RC PRATEGANGAN TRANSISTOR
(TRANSISTOR BIAS)

Vcc
VBB RE

RC

R2
R1 VB  VBB
VB R1  R 2
VE VCC VE  VB  VBE
VBB
R2 RE VE
IE 
RE
 R1 RC
R1 RC

VB
VCC VCC VCC
VE

R2 RE R2 RE

VOLTAGE – DIVIDER BIAS (VDB)

R2
VB  VCC
R1  R 2
VE  VB  VBE
VE
IE 
RE
VDB ANALYSIS 2,2
VB  10  1,8 V
10  2,2
VE  1,8  0,7  1,1V
1,1 V
IE   1,1 mA
1 k
VC  10  (1,1 mA)(3,6 k)  6,04V
C
B
VCE  6,04 V  1,1 V  4,94 V
E
 2N3906 2N3906
2N3904

Transistor NPN Transistor PNP Upside-down Transistor PNP

Base Bias Emitter Feedback Collector Feedback Emitter and Collector
Feedback Bias
Bias Bias
Contoh Soal 3.1

Pada rangkaian transistor di bawah ini, bila tegangan inputnya 2 V,

tentukan tegangan outputnya.

2  0,7
I C1  I E1   6,5 mA
200
VC1  16  (6,5 mA)(1k)  9,5 V
Vout  9,5 V  0,7 V  8,8 V
 +VCC
+VCC

R1 RC
RC
VC
VB RTH

VE

R2
RE VTH RE

R2 IE VTH  VBE
VTH  VCC IB   IE 
R1  R 2  R TH
RE 
R 1R 2 
R TH  R 1 // R 2 
R1  R 2 R TH VTH  VBE
R E  100  IE 
Kirchoff : I B R TH  VBE  I E R E  VTH  0  RE
DESIGN GUIDELINE
+VCC
VE  0,1 VCC VCE  0,5 VCC
0,4VCC  I E R C 0,1VCC  I E R E  R C  4R E
RC R TH  R 1 // R 2 R 2  R1
VC R2
RTH R E  100  R 2  0,01  R E

VE

VTH RE
Contoh Soal 3.2

Bila  berubah dari 250 ke 500, tentukan perubahan titik operasi yang terjadi
2,2
VTH  (10)  1,8 V
10  2,2
R TH  2,2 // 10  1,8 k
1,8  0,7
  250  I E   1,092 mA
1,8k
1k 
250
VCE  10  (3,6k  1k )(1,092mA)  4,976V
1,8  0,7
  500  I E   1,096 mA
1,8k
1k 
500
VCE  10  (3,6k  1k )(1,096mA)  4,958V

R2 2,2 VB  VBE 1,8  0,7

VB  VCC  10  1,8V  I E    1,1 mA
R1  R 2 10  2,2 RE 1k
VCE  VCC  (R C  R E )I E  10  (3,6k  1k )(1,1mA)  4,94V