第５４卷第２期 原 子 能 科 学 技 术 Ｖｏ

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１００ ＭｅＶ 回旋加速器的

高功率质子束流线研制
魏素敏 ，张天爵 ，王 　 峰 ，安世忠 ，葛 　 涛 ，温立鹏 ，宋国芳 ，郑 　 侠 ，刘景源
（中国原子能科学研究院 串列加速器升级工程部，北京 　１０２４１３）

摘要：为调试 １００ ＭｅＶ 回旋加速器高功率束流 及 放 射 性 同 位 素 研 制，设 计 了 一 条 高 功 率 质 子 束 流 线 及

可插拔式高功率束流调试靶。研究了 １００ ＭｅＶ 回旋加速器引出区色散效 应 及 剥 离 膜 的 散 射 效 应 ，从 而
优化了光学模拟的初始参数，使得模拟结果更加精 确。高 功 率 束 流 调 试 靶 设 计 为 可 插 拔 式 以 代 替 常 用
固定式调试靶，该靶插入束流管道中时可进行高功 率 质 子 束 流 调 试，在 拔 出 时，质 子 束 流 可 直 接 轰 击 束
流线终端的靶 站 以 生 产 放 射 性 同 位 素。 优 化 了 高 功 率 束 流 调 试 靶 的 水 冷 结 构 ，确 保 调 试 靶 可 承 受
５００μＡ以上的质子束流。经调试，该束流线可传输最高流强 ５２０μＡ 的质子束流。
关键词：质子束流线；高功率；束流调试靶
中图分类号：
ＴＬ５４２　　　 文献标志码：
Ａ　　　 文章编号：
１０００－６９３１（
２０２０）
０２－０３７９－０６
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收稿日期：
２０１９－０３－２５；修回日期：
２０１９－０６－１０
作者简介：魏素敏（
１９８２—），女，河北石家庄人，副研究员，博士，核技术应用专业
网络出版时间：
２０１９－０９－０９；网络出版地址：
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２０１９０９０７．
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 ３８０ 原子能科学技术 　　 第５４卷

　　 为 满 足 核 物 理 、核 技 术 等 多 学 科 研 究 及 方 向 双 向 引 出 质 子 束 流 ，经 南 北 引 出 开 关 磁
同 位 素 研 制 的 需 求 ，中 国 原 子 能 科 学 研 究 院 铁后输运到 两 条 公 共 束 流 管 道 中。为 能 及 时
实 施 了 ＨＩ－１３ 串 列 加 速 器 升 级 工 程 ，其 中 对剥 离 引 出 后 的 束 流 进 行 聚 焦 从 而 有 效 地 控
１００ ＭｅＶ紧 凑 型 回 旋 加 速 器 及 束 流 输 运 系 统 制 束 流 包 络 ，引 出 开 关 磁 铁 安 装 在 主 磁 铁 磁
是 该 工 程 的 关 键 设 备 ［１－５］。 该 回 旋 加 速 器 的 设 轭 内 部 ，每 个 引 出 开 关 磁 铁 后 面 的 双 单 元 四
计指标为 １００ ＭｅＶ／２００μＡ，最 高 可 达 ５００μＡ， 极 透 镜 尽 可 能 靠 近 主 磁 铁 安 装 ，缩 短 束 流 漂
设 计 有５ 条 质 子 束 流 输 运 管 道 以 满 足 同 位 素 移距 离 。 北 线 的 质 子 束 流 经 过 ±３０
°的 开 关 磁
在 线 分 离 、中 子 科 学 等 不 同 生 产 、实 验 的 需 铁后 被 分 配 到 加 速 器 束 流 调 试 及 同 位 素 研 制
求 。 由 于 受 厂 房 空 间 限 制 ，其 中 高 功 率 束 流 质子 束 流 管 道 和 同 位 素 在 线 分 离 质 子 束 流 管
调试与 同 位 素 研 制 设 计 使 用 同 一 条 束 流 管 道 ，其 中 高 功 率 束 流 调 试 靶 放 置 于 同 位 素 靶
道 ，从 而 导 致 了 束 流 线 布 局 设 计 及 光 学 匹 配 室 ，与 同 位 素 研 制 靶 共 用 一 段 质 子 束 流 管 道 ，
难 度 增 大 、高 功 率 束 流 调 试 靶 设 计 困 难 。 为满 用于高功率 质 子 束 流 的 调 试。南 线 的 质 子 束
足 １００ ＭｅＶ 回旋 加 速 器 高 功 率 束 流 调 试 及 同 流 经 过 最 大 偏 角 为 ４５
°的 开 关 磁 铁 后 被 分 配
位素 研 制 的 需 要，设 计 一 条 高 功 率 质 子 束 流 线 到 准 单 能 中 子 源 、白 光 中 子 源 、单 粒 子 效 应 研
及可插拔式高功率 束 流 调 试 靶，研 究 １００ ＭｅＶ 究质子束流管道中。
回旋加速器引出区色散效应及剥离膜的散射效 ２　 同 位 素 研 制 及 加 速 器 束 流 调 试 束 流 线 设
１．
应，从而优化光学模拟的初始参数，使得模拟结 计要求
果更加精确。 在 ＨＩ－１３ 串列加 速 器 升 级 工 程 中，回 旋 加
速器的 验 收 指 标 为 １００ ＭｅＶ／２００μＡ，设 计 最
１　 束流线布局 高调试流强 ５００μＡ，因此需有一能承受高功率
１　１００ ＭｅＶ 回 旋 加 速 器 束 流 传 输 系 统 总 体
１． 质 子 束 流 轰 击 的 束 流 调 试 靶 来 接 收 调 试 束 流，
布局 该束 流 线 要 求 束 流 流 强 ２００～５００ μＡ，能 量
１００ ＭｅＶ 回旋加速 器 配 有 ５ 条 束 流 管 道， ７５～１００ ＭｅＶ，管道上 束 流 损 失 不 大 于 １％ ，为
分别用于 同 位 素 在 线 分 离 （
ＩＳＯＬ）、中 子 科 学、 避免靶上热量集中，靶上束斑直径２ ５ｍｍ。同位
加速器束流调试、同位素研制、单粒子效应研究 素研制靶对束流的需求为束流强度 ５
０～２
００μＡ，
等，总体布局 如 图 １ 所 示。 加 速 器 从 南 北 两 个 能量 ７５～１００ ＭｅＶ，靶上束斑直径２０ｍｍ。
３　 同位素研制及加速器束流调试束流线布局
１．
传统高功率质子束流调试方法是由加速器
专门 引 出 一 条 束 流 线，束 流 线 末 端 安 装 固 定 的
束流 调 试 靶，调 试 靶 头 本 体 安 装 在 厚 混 凝 土 屏
蔽层中，投入 运 行 后 基 本 无 法 再 进 行 移 动。 这
种模式决定了加速器进行高功率束流调试必须
建造 一 条 专 门 的 束 流 线 用 于 束 流 调 试，且 还 需
设计一套专业的换靶机构来对调试靶进行后期
的维护，占用加速器周围有限的实验场地，增加
了建造成本。 但 在 串 列 升 级 工 程 中，受 到 厂 房
的限制，没有空间建造专用加速器束流调试线。
综合 考 虑 各 束 流 线 用 途 及 对 束 流 的 要 求 后，将
加速器束流调试束流线与同位素研制束流线合
并。针对此情况，本 文 设 计 了 一 种 新 的 高 功 率
质子 束 流 调 试 方 案：将 调 试 靶 放 置 在 同 位 素 研
图 １　１００ ＭｅＶ 回旋加速器束流线布局 制束 流 线 的 中 间 位 置，且 调 试 靶 的 靶 头 设 计 为
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可插 拔 式，该 靶 插 入 束 流 管 道 中 时 可 进 行 高 功
第２期 　　 魏素敏等：
１００ ＭｅＶ 回旋加速器的高功率质子束流线研制 ３８１

率质子束流调试，拔出时，质子束流可直接轰击
束流线终端的靶站以生产放射性同位素。该一
线双用的设计给束流线布局、束流线光学模拟、
高功 率 束 流 调 试 靶 设 计 带 来 了 较 大 的 困 难：高
功率束流调试靶的位置安排及辐射剂量屏蔽占
据了 光 学 元 件 的 排 布 空 间，因 此 造 成 了 光 学 元
件布局的局促，进而导致束流线光学匹配、移动
式高功率束流调试靶的冷却及机械运动设计等
困难。
高功率束流调试靶放置于加速器与同位素
研制靶之间，为尽量减少局部屏蔽尺寸，该靶放
置于 同 位 素 靶 室 东 南 角，利 用 加 速 器 大 厅 北 墙
作为屏蔽的一部分（图 ２）。 从 加 速 器 北 引 出 口
引出的质 子 束 流 在 经 过 北 线 开 关 磁 铁 Ｂ 后 向
西北 方 向 偏 转 ３０
°后 传 输 至 同 位 素 靶 室，Ｑ１～
Ｑ４ 分别 为 两 组 双 单 元 四 极 透 镜，用 于 束 流 聚
焦；
ＢＤ 为高功率束 流 调 试 靶，加 速 器 大 厅 北 墙
作为 该 调 试 靶 局 部 屏 蔽 的 一 部 分；由 于 空 间 限
制，调试靶前安装四极透 镜 Ｑ５ 用 于 聚 焦，四 极
透镜 Ｑ６ 放置 于 调 试 靶 后，以 调 整 同 位 素 研 制
Ｔ）上 的 质 子 分 布。 另 外，为 改 善 调 试 靶 及
靶（
同位 素 研 制 靶 上 束 斑 的 均 匀 度，进 而 改 善 靶 上
热分布，提高靶的寿命，在靶前预留了放置旋转
扫 描磁铁的空间 ，该 磁 铁 产 生 周 期 变 换 的 垂 直
于束 流 运 动 方 向 的 二 极 磁 场，使 得 靶 上 束 流 周
期性旋转扫描，进而提高靶上束斑均匀度 ［６］。
２　 光学模拟结果
１　 输入参数
２．
加速器束流调试束流线及同位素研制束流
线均 需 高 流 强 束 流，尤 其 是 加 速 器 束 流 调 试 束
流线，最高需传输 ５００μＡ 的 束 流，因 此 需 进 行
详细的模拟与设计优化以控制束流线上的束流
损失，其 中 束 流 的 初 始 输 入 参 数 是 束 流 线 光 学
匹配的关键。加速器设计中通常给出的是剥离
膜上的粒子分布并以此作为束流线设计的初始
参数，未考虑 剥 离 膜 对 粒 子 的 散 射 作 用；此 外，
１００ ＭｅＶ回旋加速器引出区空间狭小且结构紧
凑，主 磁 场 的 边 缘 及 引 出 开 关 磁 铁 在 此 处 形 成
了复 杂 的 磁 场 分 布，该 磁 场 对 引 出 质 子 有 色 散
效应，将引起束流的发散，光学模拟程序中无相
应元器件。为 得 到 准 确 的 光 学 匹 配 初 始 参 数，
研究 了 剥 离 膜 对 粒 子 的 散 射 作 用，得 到 剥 离 膜
后的 粒 子 分 布，同 时 计 算 了 引 出 区 磁 场 对 粒 子
的作用，加载在剥离膜后的粒子上，得到束流线
匹配的初始参数。
１００ ＭｅＶ 回 旋 加 速 器 剥 离 膜 质 量 厚 度 为
１５０μｇ／ｃｍ２ ，利用 ＲＥＶＭＯＣ 程 序 模 拟 得 到 粒
子通过剥离膜时散射角的增量 Δθ，将其叠加在
ＣＯＭＡ 模拟得到的剥离膜上束流 σ 矩阵上，可
得到 包 含 剥 离 膜 散 射 作 用 的 σ 矩 阵，计 算 公
式为：

ｄ＋ （
Δθ）
２ ２
ｘ
′ ｘ
ｎｅｗ ＝ 槡′ｏ
ｌ

ｄ＋ （
Δθ） （
１）
２ ２
ｙ′ｎｅｗ ＝ 槡
ｙ′ｏ
ｌ

式中： ｘ′
ｏ
ｌｄ、
ｙ′ｏ
ｌｄ 为 剥 离 膜 前 粒 子 角 度 分 布；
ｘ′ｎｅｗ 、

ｎｅｗ 为剥离膜后粒子角度分布。
ｙ′
图 ２　 高功率束流调试靶及同位素研制束流线布局
式（
２）为 计 算 得 到 的 剥 离 膜 前 后 的 束 流
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σ 矩阵。可看出，通过剥离膜后，束流的 σ 矩阵
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中的σ２２ 和σ４４ 项明显变大。

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０　 ０．
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０　 ０．
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２５８ －１２．
４７
烆０．
８２７　０．
４７３　 ０．
０　 ０．
０ －１２．
４７　 ０．
９６８ 烎
 ３８２ 原子能科学技术 　　 第５４卷

烄１．
４５１　 ０．４３３　 ０．
０　 ０．
０　 ０．
０　 ０．
８２７ 烌
４３３　０．
０． １２３　５　 ０．
０　 ０．
０　 ０．
０　 ０．
４７３
０．
０　 ０．
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８６２　 ０．
０１２　
９　 ０．
０　 ０．
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０．
０　 ０．
０　 ０．
０１２　
９　０．
６８３　
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０　 ０．
０
０．
０　 ０．
０　 ０．
０　 ０．
０　 ６　
２５８ －１２．
４７
烆０．８２７　 ０．４７３　 ０．０　 ０．０ －１２．
４７　 ０．
９６８ 烎
　　１００ ＭｅＶ 回 旋 加 速 器 在 引 出 区 安 装 了 引 直径约为 ２５ ｍｍ，同位素研制靶上束斑直径 约
出开关磁铁以将不同能量的束流偏转到同一束 为 ２０ｍｍ。
流管道内，因此粒子穿过剥离膜后，需经过主磁
场的 边 缘 场 和 开 关 磁 铁 磁 场，在 该 磁 场 下 求 解 ３　 高功率束流调试靶研制
粒子运动方程（式（
３）），从而得到粒子从剥离膜 由于一线双 用，高 功 率 调 试 靶 位 于 加 速 器
到引出开关磁铁出口的传输矩阵。 及同 位 素 研 制 靶 之 间，该 调 试 靶 靶 头 为 可 插 拔

ｘ
１－ｎ
″＋ ２ ｘ ＝ δ
１ 式设计，在束流调试模式下，调试靶插入束流管
ρ ρ 道中，靶头处于束流传输路径上，全部束流均被
ｎ 束流调试靶接收；在同位素研制模式下，调试靶
ｙ″＋ ２ｙ ＝０
ρ
拔出，靶头完全离开束流传输路径，使得束流能
１ １ （
ｌ
′ ＝ ２δ－ ｘ ３） 完全通过，不 影 响 后 续 束 流 传 输 效 率。 该 靶 头
γ ρ
式中： 的机械结构如图 ４ 所示，其中图 ４ａ 为靶头插入
ρ 为粒子 运 动 的 曲 率 半 径；ｎ 为磁场降落
指数。 束流 管 道 时 的 模 型，图 ４ｂ 为 靶 头 拔 出 时 的 模
剥离膜后束流 的 σ 矩 阵，乘 以 引 出 区 粒 子 型，汽 缸 中 的 压 缩 空 气 提 供 靶 头 上 下 移 动 的 动
的传 输 矩 阵，即 得 到 引 出 开 关 磁 铁 出 口 的 束 流 力。与固定式调 试 靶 相 比，插 拔 式 调 试 靶 不 仅
矩阵，作为后续束流光学匹配的输入参数。 需满足高功率要求，要有良好的冷却性能，受高

２　 计算结果
２． 功率 束 流 长 时 间 轰 击 不 会 熔 化，还 要 求 结 构 紧
图 ３ 为加速器束流调试束流线及同位素研 凑，给后续设备留有足够的安装空间。
制束 流 线 光 学 匹 配 结 果，整 个 光 路 匹 配 使 用 的 为降低质子 束 打 靶 产 生 的 电 离 辐 射，对 不
计算软件为 ＴＲＡＣＥ　
３Ｄ，匹 配 过 程 考 虑 了 粒 子 同材料的调试 靶 进 行 了 辐 射 场 模 拟 计 算 ［７］，计
间的空间电荷 效 应。 图 ３ａ 为 加 速 器 束 流 调 试 算中取 质 子 参 数 １００ ＭｅＶ／２００μＡ，以 靶 为 中
束流线的光 学 匹 配 结 果，其 中 元 件 ２、
４、８、
１０、 心在半径为 １００ｍｍ 的空气球表面评估计算中

１２ 均为四极透镜，
６ 为 偏 转 磁 铁；图 ３ｂ 为 束 流 子和 光 子 的 出 射 数 目；此 外 还 综 合 评 估 了 各 种
传输 到 同 位 素 研 制 靶 时 束 流 线 的 匹 配 结 果，与 材料的热性能、机械性能及导热性能，最终选择
加速 器 调 试 束 流 线 相 比，增 加 了 １ 个 四 极 透 镜 了铜材料作 为 调 试 靶 靶 头 材 料。 屏 蔽 设 计 中，

１５。为避免靶上 束 流 过 于 集 中，在 匹 配 中 调 整 将调 试 靶 置 于 同 位 素 靶 室 的 东 南 角，紧 邻 加 速

各 四极透镜的参 数 ，控 制 加 速 器 调 试 靶 上 束 斑 器 大厅北屏蔽墙 ，将 其 作 为 调 试 靶 屏 蔽 的 一 部

ａ———加速器束流调试束流线；
ｂ———同位素研制束流线
图 ３　 加速器束流调试束流线及同位素研制束流线光学匹配结果
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第２期 　　 魏素敏等：
１００ ＭｅＶ 回旋加速器的高功率质子束流线研制 ３８３

分，以减 轻 靶 自 身 的 局 部 屏 蔽，方 便 靶 头 的 移
动；同时节省了屏蔽层所占的空间，使束流线整
体布局更加紧凑。
由于加速器最高需调试 ５００μＡ 束流，因此
高功率调试靶的水冷结构要保证靶头可承受至
少 ５０ｋＷ 的束流功率。计算中对比了不同的螺
旋角度及孔径，靶头结构如图 ５ａ所示，该靶的主
体结构由外壳和内芯组成。外壳厚度为１０ｍｍ，
上下两端为冷却水管开的直径为２０ｍｍ的孔，冷
却水铜管焊接到孔内，内芯的螺旋管壁采用锥型
螺旋冷却结构。图 ５ｂ 为靶头的温度分布，计算
得到，束流功率为 ２７ｋＷ 时，靶上温升为 ２７ ℃ ；
束流功率 为 ４０ｋＷ 时，靶 上 温 升 为 ３９ ℃ ；束 流
功率为 ５０ｋＷ 时，靶上温升为４５ ℃ 。该计算结 图 ４　 高功率束流调试靶结构
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果表明调试靶可承受 ５００μＡ 的质子束流。

图 ５　 高功率束流调试靶靶头结构及截面温度分布
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ｄｕｍｐ

４　 束流调试结果 同位素研制及加速器束流调试束流输运线和可
２０１８ 年 １１ 月，该 束 流 线 进 行 了 束 流 调 试 插拔式高功率束流调试靶的设计、建造与调试，
实验，经测试，在束 流 调 试 靶 上 得 到 ２５６μＡ 的 设计中严格控制了束流线上的束流损失和辐射
质子束流，束 流 稳 定 打 靶 约 ３０ ｍｉ
ｎ，此 时 剥 离 剂量；调 试 靶 特 殊 的 可 插 拔 式 结 构 使 该 束 流 线
膜上束 流 强 度 为 ２５７．
０７μＡ，束 流 线 传 输 效 率 可一 线 多 用，同 时 用 于 高 功 率 质 子 束 调 试 及 同
好于 ９９．
５％ 。之后在 靶 上 调 试 得 到 ５１９．５μＡ 位素研制。经调试，该束流线稳定传输 ２５０μＡ
的质子束流，束流功率 约 ５２ｋＷ，为目前我国质 束流时，传 输 效 率 好 于 ９９．
５％ ，该 束 流 线 可 传
子平均功率最高的束流线。温度实时监测显示， 输最高束 流 强 度 ５２０ μＡ 的 质 子 束 流，是 目 前
靶上束流功率为 ２
７ｋＷ 时，靶上温升为２
７．４ ℃； 我国质子平均功率最高的束流线。
束流功率为 ４０ｋＷ 时，靶 上 温 升 为４０．
６ ℃ ，与
计算 值 吻 合 较 好，验 证 了 温 度 计 算 及 水 冷 系 统 参考文献：
设计的合理性。 ［
１］　ＺＨＡＮＧ　
Ｔｉａｎ
ｊｕｅ，ＬＩ　
Ｚｈｅｎｇｕｏ，ＡＮ　
Ｓｈｚｈｏｎｇ，ｅ
ｉ ｔ
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ｌ．Ｔｈｅ
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５　 结论 ［
Ｊ］．Ｎｕｃ
ｌｅａ
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ｒｕｍｅｎ
ｔｓａｎｄ　
　 Ｍｅｔ
ｈｏｄｓ
　ｉｎ　
Ｐｈｙ
ｓ－
本文介绍了 ＨＩ－１３ 串列加速器升级工程中 ｉ
ｃｓ　
Ｒｅｓ
ｅａｒ Ａ，２０１１，２６９（
ｃｈ　 ２４）：２　
８６３－２　
８７０．
３８４ 原子能科学技术 　　 第５４卷

［
２］　ＺＨＡＮＧ　
Ｔ，ＹＡＮＧ　
Ｊ．Ｔｈｅ　
ｂｅａｍ　
ｃｏｍｍｉ
ｓｓｉ
ｏｎｉ
ｎｇ ｓ
ｅａｒ Ｂ，２００８，２６６：４　
ｃｈ　 ６９７－４　
７０１．
ｆ　ＢＲＩＦ　ａｎｄ
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ｅ　ｃｙ
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ｔ ６］　 贾先禄，张 天 爵，吕 银 龙，等 ．３０ ＭｅＶ 医 用 回 旋
［
ＣＩＡＥ［
Ｊ］．Ｎｕｃ
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ｒｕｍｅｎ
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　 Ｍｅｔ
ｈｏｄｓ
　ｉｎ 加速器束流输运 线 上 旋 转 扫 描 磁 铁 的 研 制 ［
Ｊ］．
Ｐｈｙ
ｓｉｃ
ｓ　Ｒｅ
ｓｅａ
ｒ Ｂ，２０１６，３７６：４３４－４３９．
ｃｈ　 高能物理与核物理，
２００７，
３１（
３）：
２９２－２９５．
［
３］　ＺＨＡＮＧ　Ｔｉ
ａｎｕｅ， ＬＩ　Ｚｈｅｎｇｕｏ， ＬＶ　Ｙｉ
ｊ ｎｌｏｎｇ． Ｊ
ＩＡ　
Ｘｉａｎ
ｌｕ，ＺＨＡＮＧ　Ｔｉ
ａｎｕｅ，ＬＶ　Ｙｉ
ｊ ｎｌｏｎｇ，ｅ
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ｔｒｕｃ
ｔｉ ｆ　ＣＹＣＩＡＥ－１００， ａ
ｏｎ　ｏ ａ
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ｆ　ｗｏｂｂ
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ｔ　ｏｎ　
３０ ＭｅＶ
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１００ ＭｅＶ　 ｃｌｏ
ｔｒｏｎ　
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ｔ　 Ｃ］∥Ｐｒ
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ｉｃａ
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ｂｅａｍ　
ｔｒａｎｓｐｏ
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Ｊ］．Ｈｉ
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ｃ
Ｔｈｅ
ｉ Ａｐｐ
ｒ　 ｌｉｃ
ａｔｉ ｚｈｏｕ：［
ｏｎｓ．Ｌａｎ ｓ．ｎ．］，２０１０． （
３）：２９２－２９５（
ｉｎ　
Ｃｈｉ
ｎｅｅ）．
ｓ
［
４］　ＷＥＩ
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Ｓｕｍｉ Ｙｉｎ
ｌｏｎｇ，ＺＨＡＮＧ　
Ｔｉａｎ
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ｔ ７］　 贾先禄，张天爵，王 峰，等 ．１００ ＭｅＶ 强 流 质 子 回
［
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Ｊ］．强激光与粒子 束，
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ｏｎ　ａ Ｊ］．Ｎｕｃ
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ｒｕ－ ２０１３，
２５（
４）：
９７７－９８０．
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ｒ Ｂ，２００７，
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