薄膜太阳能电池的进展和展望／荣 　 翔等 · １３ ·

薄膜太阳能电池的进展和展望
荣 　 翔１，邓林龙１，张美林２
１　 厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院，厦门 ３６１００５；
（ ２　 厦门大学化学化工学院，厦门 ３６１００５）

摘要 　　 薄膜太阳能电池因具有价格低、弱光性好、大面 积 自 动 化 生 产、柔 性 便 携 等 优 点，表 现 出 极 大 的 发 展 意 义 和 良 好 的 市

场前景。目前光伏市场上薄膜太阳能电池主要分为硅基薄膜 太 阳 能 电 池、碲 化 镉 薄 膜 太 阳 能 电 池、铜 铟 镓 硒 薄 膜 太 阳 能 电 池 三 大
类。本文介绍了三种薄膜太阳能电池的发展现状，指出了它 们 的 优 点 和 存 在 的 主 要 问 题，分 析 了 学 术 界 和 产 业 界 针 对 这 些 问 题 的
解决方案，展望了其发展前景。
关键词 　　 薄膜太阳能电池 　 硅基薄膜太阳能电池 　 碲化镉 　 铜铟镓硒
中图分类号： ４＋２　　 文献标识码：
ＴＭ９１４． Ａ　　

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ｓｅｌ
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ｄｅ

阳能电池、碲化镉（
ＣｄＴｅ）薄膜太阳能电池、铜铟镓 硒（
ＣＩＧＳ）
０　 引言 薄膜太阳能电池三大类。根据汉能公司的调查， ２０１５ 年全球
自 ２１ 世纪以来，随着经济社会 的 不 断 发 展 和 进 步，能 源 薄膜太阳能电池的产能约为 ９．
３ＧＷ，产量约为 ４．４ＧＷ。其
的重要性日益凸 显。 传 统 的 化 石 能 源 无 论 是 储 量 还 是 环 境 中硅基薄膜电池的产 能 占 比 为 ３８％ ，
ＣＩＧＳ 薄 膜 电 池 的 产 能
友好性都存在其固有的局限性，如何满足未来持 续 增 长 的 能 占比为 ２７％ ，
ＣｄＴｅ薄膜电池的产能占比为 ３５％ 。
源需求成为世界 各 国 不 可 避 免 的 重 要 问 题。 为 了 预 防 这 种 １　 硅基薄膜太阳能电池
１．
单一的能源结构体系可能带来 的严重后果，新能 源 方 案 应 运 与 ＣｄＴｅ 和 ＣＩＧＳ 太 阳 能 电 池 相 比，硅 基 太 阳 能 电 池 不
而生。在新能源领 域，太 阳 能 光 伏 发 电 是 重 点，在 国 家 政 策 存在毒性污 染 （ ＣｄＴｅ 中 含 有 镉 ）、原 料 稀 缺 （
ＣＩＧＳ 需 要 铟，
支持下，其产业发展迅速，应用广泛，这为薄 膜 太 阳 能 光 伏 发 ＣｄＴｅ需要碲，均为稀缺元素）等 不足。虽 然硅基 薄 膜 太 阳 能
电提供了难得 的 发 展 机 遇。２００７—２００９ 年 薄 膜 太 阳 能 电 池 电池的转换效率低，但是其制造 成本低、起 步 早，因 此 目 前 其
发展非常快，各种薄膜太阳能电池市场保持 ７２％ 的平均 年 增 产业化程度 最 高。 日 本 产 业 技 术 综 合 研 究 所 Ｈｉ ｔｏ
ｓｈｉ等 报
长率。后来，随着硅 原 料 价 格 的 降 低，晶 硅 太 阳 能 电 池 所 占 道 ［１］，硅 基 太 阳 能 电 池 在 实 验 室 光 衰 减 后 最 高 效 率 达 到
的市场比例有所回升。２０１５ 年，薄膜太阳能电池占据整个光 ０４％ ；
１４． ＴＥＬ　
Ｓｏｌ
ａｒ 公 司 报 道，硅 基 太 阳 能 电 池 的 大 规 模 组
伏市场的 １５％ 。薄膜电池 进 一 步 扩 大 市 场 份 额 的 阻 力 在 于 件转化效率最高达到 １２． ２４％ （表 １）。硅 基 薄 膜 太 阳 能 电 池
其成本尚未真正 降 低，设 备 和 技 术 大 多 数 依 赖 国 外，这 是 需 最初的商业化产品是非晶硅薄膜太阳能电池。在 ２０ 世 纪 ８０
要从技术上解决的问题。 年代，非晶硅太阳能电池是当时唯一商业化的 薄 膜 太 阳 能 电
本文结合当前薄膜太阳能电 池的工 业 化 生 产，对 薄 膜 太 池，并曾经一度占有全球光伏市场的 １／３，但是之后由于其效
阳能电池的研究发展现状以及优缺 点做了总结，并 对 薄 膜 太 率和稳定性的问题一直未能得到有效改善，从 而 导 致 比 例 下
阳能电池未来的发展进行展望。 滑。
图 １ 是一 个 典 型 的 ｐ－ｉ－ｎ 结 构 的 非 晶 硅 薄 膜 太 阳 能 电
１　 薄膜太阳能电池的发展历史 、现状和展望 池。它的主要问题是转换效率偏低，目前 大 规 模 生 产 的 效 率
目前光伏市场上 薄 膜 太 阳 能 电 池 主 要 分 为 硅 基 薄 膜 太 不超过 １０％ ；另一个问题是光致衰减效应（
Ｓｔａ
ｅｂｌ
ｅｒ－Ｗｒ
ｏｎｓｋ
ｉ

　 基金项目：福建省科技厅软科学项目（
２０１７Ｒ０１００）；福建省自然科学基金面上项目（ ０１２６４）
２０１６Ｊ
　 荣翔：男，１９９４ 年生，硕士研究生，研究方向为钙钛矿太阳能电池的制 备 和 性 能 表 征 　Ｅ－ｍａ ｌ：
ｉ ４９２１１４７５６＠ｑｑ．
ｃｏｍ　 张 美 林：通 信
作者，女，１９８６ 年生，博士，研究方向为光伏电池制备 　Ｅ－ｍａ
ｉｌ：
ｚｈａｎｇｍｅ
ｉｌ
ｉｎ２０１４＠ｘｍｕ．
ｅｄｕ．
ｃｎ
 · １４ · 　　　　 　２０１８ 年 １１ 月第 ３２ 卷专辑 ３２

表 １　 薄膜太阳能电池的实验室效率和组件转化效率 ４）制造双结（如图 ２ 所 示）、三 结 电 池（如 图 ３ 所 示），提

（
Ｔａｂ
ｌｅ１　Ｔｈｅ
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ｌｅｓ 高电池的转 换 效 率 和 稳 定 性。 根 据 研 究，在 被 太 阳 光 照 射
ｔ
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ｌｓ ０００ｈ后，一个单 一 界 面 的 太 阳 能 电 池 的 效 率 会 降 低 ３０％
１　
电池类型 实验室最高效率 组件转化最高效率 左右，而一个三结太阳能电池的效率会降低 １５％ 左右。电池
硅基 ０４％ （光衰减后）１
１４．
［］
２４％ ２
１２．
［］ 的效率并不会出现持续性的衰减，通常在 １　
０００ｈ 后，它的衰
［］ ［］
减程度已经 达 到 饱 和 值，不 会 再 进 一 步 衰 减。Ｋａｎｅｋａ 公 司
ＣｄＴｅ
　 １％ ３
２２． ６％ ４
１８．
采用 ａ－Ｓ
ｉ ｉ双吸 收 层 结 构 制 成 双 结 非 晶 硅 太 阳 能 电 池
／ｍｃ－Ｓ
［］ ［］
ＣＩＧＳ　 ９％ ５
２２． ７２％ ６
１８． 器件，利用ａ－Ｓ
ｉ和 ｍｃ－Ｓ
ｉ对不同光波段的吸收倾向不同，来拓
宽器件的光谱吸收作用，从而增 大光生 电 流、提 高 器 件 效 率，
其 １　
２１０ ｍｍ×１　００８ ｍｍ 规 格 器 件 的 效 率 可 达 ８．
２％ ～
０％ 。汉能公司通过对欧瑞康（
９． Ｏｅｒ
ｌｉｋｏｎ）的技术整合，开发
的非微晶硅基双结叠层组件的转换效率可以达到 １０％ 以上。
汉能公司自主开 发 的 三 结 电 池 结 构 能 够 有 效 地 增 加 光 的 吸
收范围，减小初始 的 光 致 衰 减 效 应，规 模 化 生 产 时 光 衰 减 稳
定后效率达到 ８．
２％ 。

图 １　 非晶硅太阳能电池的结构示意图
Ｆ
ｉｇ．
１　Ｓｃｈｅｍａ
ｔｉｃ　
ｄｉａｇ
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　 ｒｐｈｏｕｓ
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ｃｏｎ　
ｓｏｌ
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ｌ

效应）［７］。光致衰减效应是指非 晶 硅 经 过 太 阳 光 照 射 数 百 小
时后，在其内部将 产 生 缺 陷，从 而 使 转 化 效 率 明 显 下 降。 为
了解决这些问题，研究人员主要从以下几个方面进行研究。
１）提高掺杂效率，增强内建电场，提 高 电 池 的 稳 定 性 和
（
效率。Ｓｈ ｎ 等在非晶硅太阳能电池中 以 磷 掺 微 晶 氧 化 硅（
ｉ ｎ－
μｃ－Ｓ
ｉＯ∶Ｈ ）作 为 ｎ 型 层，获 得 的 器 件 的 效 率 为 ［
８］
２％ 。
９．
图 ２　 双结非晶硅太阳能电池结构示意图
Ｆｅｎｇ 等通过向 ＺｎＯ 层掺 杂 Ｅｒ３＋ 和 Ｙｂ３＋ 使 该 层 具 有 上 转 换
Ｆ
ｉｇ．
２　Ｓｃｈｅｍａ
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ｄｉａｇｒａｍ　ｏｆ
　ｔｗｏ－ｊｕｎｃ
ｔｉｏｎ　
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ｒｐｈｏｕｓ
效果，可以将红外波段的光转变为可 供非 晶硅层 吸 收 的 可 见
ｓｉｌｉ
ｃｏｎ　ｓ
ｏｌａｒｃ
　ｅｌｌ
波段的光，从而 提 高 非 晶 硅 太 阳 能 电 池 的 光 吸 收 ［９］。 Ｍａ 等
在 ｎ－ｉ
－ｐ 型非晶硅太阳能电池中引入 ｐ 型硼掺杂 ｎｃ－Ｓ
ｉ∶Ｈ／ａ－
Ｓ
ｉＣ∶Ｈ 量子点超 晶 格，从 而 获 得 了 具 有 高 电 导、宽 带 隙、减
反射效应的器件，其初始效率达 １０． ［ ］
５％ １０ 。
２）提高本征 非 晶 硅 材 料 的 稳 定 性 （包 括 晶 化 技 术 ），改
（
善非晶硅电 池 内 部 界 面，减 少 晶 界 少 子 复 合。Ｋｅｙａ 等 通 过
拉曼光 谱 研 究 了 Ｓ
ｉＨ２、
ＳｉＨ 的 比 例 与 ｐ－ｉ－ｎ 式 非 晶 硅 太 阳 能
电池 性 能 的 关 系，得 出 了 较 低 的 Ｓ ｉＨ 比 对 器 件 性 能 有
ｉＨ２／Ｓ
利，因此为了获得较好的电池性能，需要抑制 ｐ 型层与 ｐ－ｉ界
面的 Ｓ
ｉ－Ｈ２ 键 的 形 成 １１ 。Ｆ
［ ］
ｉｓ ｒ 等 在 高 压 下 制 备 ａ－Ｓ
ｃｈｅ ｉ∶ Ｈ
层，提高了开路电压，这是因为在高压状态 下，开 放 体 缺 陷 的
平均尺寸提高，从而使带隙变宽，且开路电压升高 ［１２］。
３）为提高电 池 效 率，可 以 从 充 分 利 用 及 捕 获 太 阳 光 等
（ 图 ３　 三结非晶硅太阳能电池结构示意图
方面进行考虑。Ｐａｒｋ 等对玻璃基底进行蜂窝状蚀刻，增 加 光 Ｆ
ｉｇ．
３　Ｓｃｈｅｍａ
ｔｉｃ　
ｄｉａｇｒａｍ　ｏｆ
　ｔｈｒｅｅ－ｊ
ｕｎｃ
ｔｉｏｎ　
ａｍｏ
ｒｐｈｏｕｓ
捕获，将电池的短 路 电 流 密 度 提 高 至 １７．
２ ｍＡ／ｃｍ２，效 率 达 ｓｉｌ
ｉｃｏｎ　
ｓｏｌａｒｃ
　ｅｌｌ
到 １０． ［ ］
７５％ １３ 。Ｌ
ｉｎ 等在 柔 性 Ｔｉ基 底 材 料 上 引 入 双 层 式 纳 作为第一个商业化的产品，非晶硅薄 膜 太 阳 能 电 池 从 主
米图案化 ａ－Ｓ
ｉ结构，并在上面增加一层聚二甲硅氧烷 纳 米 柱 流市场上逐渐消失，目前所占的全球光伏电池 市 场 份 额 不 足
膜，从而 使 电 池 光 捕 获 性 能 提 升，效 率 提 高 了 ４１．
７％ ，达 到 １％ 。它将逐渐被 非 晶、微 晶 等 叠 层 太 阳 能 电 池 所 取 代。 硅
８．０５％ ，经 过 反 复 弯 折 １０　０００ 次，仍 保 持 初 始 效 率 的 基薄膜电池发展 遇 到 的 难 题 是 在 低 成 本 的 前 提 下 如 何 提 高
６％ １４ 。除了器件及器件界面形貌控制外，在器件中 填 埋
［ ］
９７． 光电转换效率到 １５％ 以 上，这 样 才 会 具 备 较 强 的 市 场 竞 争
金属纳米颗粒也可 增 加 光 散 射 和 光 谱 吸 收。Ｇｈａｈｒ ｉ等
ｅｍａｎ 力。
运用三维物理模 型 分 析 了 非 晶 硅 电 池 中 填 埋 金 属 纳 米 颗 粒 ２　 碲化镉薄膜太阳能电池
１．
的优化方式，并通过理论分析预测器 件可采用这 种 方 式 优 化 ＣｄＴｅ薄膜太阳能电池（器件结 构如图 ４ 所示）是 最 近 发
并获得 １３％ 的效率 ［
１５］
。 展最快的薄膜太阳能电池。ＣｄＴｅ 薄膜太阳能电池 的 性 能 稳
薄膜太阳能电池的进展和展望／荣 　 翔等 · １５ ·

定、制备过程简单、制造成本低、大规模效率 远 高 于 非 晶 硅 太 材 料 的 禁 带 宽 度 仅 为 １．
１３ｅＶ，小 于 最 佳 带 隙 宽 度１．
４５ｅＶ。
阳能电池。如表 １ 所 示，
ＣｄＴｅ 薄 膜 太 阳 能 电 池 实 验 室 最 高 目前提高转换效率的一个重要研究方向是提高吸收层的禁带
１％ ，大面积电池组件的转换效率 最高可
转换效率可达到 ２２． 宽度，包括提高 Ｇａ与Ｉ
ｎ＋Ｇａ 的 比 例，或 者 用 Ｓ 代 替 Ｓｅ。 例
６％ ，均由 Ｆ
达到 １８． ｉｒｓ
ｔ　Ｓｏ
ｌａｒ公司研发制得
［
３－４］
。限制 ＣｄＴｅ 如，ＣｕＧａＳｅ２ 和 ＣｕＧａＳｅ５（
ＣＧＳ）的禁带宽度分别为１． ６７ｅＶ和
薄膜太阳能电池发展的因素可能有： ８２ｅＶ。目前，
１． ＣＧＳ 薄 膜 太 阳 能 电 池 效 率 达 到 １０．
［ ］
３％ ２０ ；
（
１）ＣｄＴｅ 薄 膜 太 阳 能 电 池 的 发 展 受 到 碲 原 料 的 限 制。 Ｃｕ（
Ｉｎ，Ａｌ） ＣＩＡＳ）的 禁 带 宽 度 在 １．
Ｓｅ２ （ ０～２． ６ｅＶ 之 间 可
碲（
Ｔｅ）是稀有元素，成本较高，天然储藏量有限。按照 ＣｄＴｅ 调，ＣＩＡＳ 薄 膜 太 阳 能 电 池 的 效 率 已 经 可 以 达 到１６．
９％ 以
薄膜组件转化率在 １０％ 的 情 况 下，
ＣｄＴｅ 薄 膜 太 阳 能 电 池 的 上 ；
［
２１］
Ｃｕ
ＩｎＳ２（
ＣＩＳ）的 禁 带 宽 度 为 １．５ｅＶ，更 接 近 理 想 薄 膜
每年产能会被限制 在 ２０ＧＷ 以 内 ［１６］，其 总 量 势 必 无 法 满 足 太阳能电池的带 隙，且 无 毒。 德 国 ＨＭＩ研 究 中 心 的 小 面 积
大规模薄膜太阳能电池发电的需 要。为缓 解 碲 原 料 的 限 制， 衬底的 ＣＩ
Ｓ 太阳能电池的实验室效率达到 １２． ８％ 。目前，该
ＣｄＴｅ薄膜电池目前的发展方向一方 面是 通过降 低薄膜的 厚 研究所 建 立 了 ３５ ＭＷ 的 ＣＩ
Ｓ薄膜太阳能电池的中试生产
度来降低碲的用 量，另 一 方 面 是 通 过 提 高 效 率 来 提 高 产 能。 线，可 以 生 产 １　２００ ｍｍ×６００ ｍｍ 的 薄 膜 太 阳 能 电 池 组
同时，碲的回收利用将极大缓解资源的不足。 件 ［２２］。
２）镉污染问题是发展 ＣｄＴｅ薄膜太阳能电池的另 一 项
（ ２）关键原料Ｉ
（ ｎ 元素供应不足。研究人员正在探索用相
隐忧。ＣｄＴｅ中含有毒的镉元 素。一方面，
ＣｄＴｅ 薄膜 太 阳 能 邻的 ⅡＢ 和 ⅣＡ 族元素的组合来取代 ⅢＡ 族 元素，例如，锌
电池制造和使用过程中镉的泄漏量 非常低，远不 及 矿 石 燃 料 ＣＺＴＳ）的 效 率 达 到 １２．
黄锡矿结构 的 铜 锌 锡 硫 （ ６％ ２３ 。 另
［ ］

燃烧排放量，更比不上镍镉电池向 环境 中 排 放 的 镉 量。另 一 一方面，通过回 收 Ｉ

ｎ 元 素 也 将 缓 解 原 料 不 足 的 情 况 ２４ 。 此
［ ］

方面，目前美国与德国 业 界 已 经 开 始 推 行 ＣｄＴｅ 太 阳 能 电 池 外，采用更薄的吸收层也有助于缓解原料供应不足的情况。

回收和再利用机制。例 如，
Ｆｉｒ
ｓｔＳｏ
　 ｌ
ａｒ公 司 率 先 实 施 了 预 付 ３）缓冲层 ＣｄＳ 存在毒 性。缓 冲 层 ＣｄＳ 中 的 Ｃｄ 是 一 种
（
费的光伏模块回收和 循 环 利 用 计 划，该 公 司 的 ＣｄＴｅ 太 阳 能 有毒元素，为此，科学家 一 直 在 寻 找 新 的 缓 冲 层。 目 前 无 Ｃｄ
电池组件在销售 时 就 与 用 户 签 订 了 由 工 厂 支 付 回 收 费 用 的 缓冲层主要是 Ｚｎ 的 硫 化 物、硒 化 物 或 者 氧 化 物，以 及 Ｉ
ｎ的
回收合同。目前回收成本为 ０． １ 美元 １７ ，低于回 收 收
０８～０．
［ ］
硫化物或者硒化物。２０１５ 年 Ｓｏ
ｌａｒ　
Ｆｒｏｎｔｉ
ｅｒ公 司采用化学浴
９０％ 的组件可 以 被 回 收 利 用。 因 此，镉 污 染 问 题 不 会 成
益， 沉积法沉积的 ＺｎＳ Ｏ ＯＨ 作 为 缓 冲 层 在 玻 璃 衬 底 上 制 备
（ ， ）
为 ＣｄＴｅ太阳能电池大规模应用的限制因素。目前欧美国 家 ３％ 的 ＣＩＧＳ 薄 膜 太 阳 能 电 池，打 破 了 当 时
了转换效率为 ２２．
已经批准这种电池作为民用产品出现在市场上。 ＣＩＧＳ 薄膜太阳能电池转换效率的世界纪录 ２５ 。
［ ］

总之，
ＣｄＴｅ薄膜太 阳 能 电 池 是 目 前 全 球 最 成 功 的 薄 膜 （４）制作工艺复杂，投资成本高。通过 ＣＩＧＳ 薄膜太阳能
太阳能电池。２０１７ 年，
Ｆｉｒ
ｓｔＳｏ
　 ｌ
ａｒ 公 司 的 ＣｄＴｅ 薄 膜 太 阳 能 电池量产技术的成熟化来大幅降低制造成本，是 未 来 努 力 的
电池的平均转化效率达到１６． ９％ ，产能达到２． ３ＧＷ，发电成 一大目标。
６７ 美 元／峰 瓦 （约 ４．
本只有 ０． ２ 元／峰 瓦）１８ ，远 远 低 于 硅 电
［ ］

池的成本（约 ７ 元／峰瓦） ，且其发电性能稳 定、使用寿 命 超

［
１９］

过 ２０ 年。

图 ５　ＣＩＧＳ 薄膜太阳能电池的结构示意图
Ｆ
ｉｇ．
５　Ｓｃｈｅｍａ
ｔｉｃ　
ｄｉａｇ
ｒａｍ　
ｏｆ　
ＣＩＧＳ
　ｔｈ
ｉｎｆ
　ｉ
ｌｍ　
ｓｏｌ
ａｒｃ
　ｅｌ
ｌ
图 ４　ＣｄＴｅ薄膜太阳能电池结构示意图 综合来看，目前全球 研 发 ＣＩＧＳ 太 阳 能 电 池 的 研 究 人 员
Ｆ
ｉｇ．
４　Ｓｃｈｅｍａ
ｔｉｃ　
ｄｉａｇ
ｒａｍ　
ｏｆ　
ＣｄＴｅ
　ｔｈ
ｉｎｆ
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ｌｍ　
ｓｏｌ
ａｒｃ
　ｅｌ
ｌ 众多，很多基础科学和 技 术 问 题 得 到 解 决。 但 是 ＣＩＧＳ 薄 膜
３　 铜铟镓硒薄膜太阳能电池
１． 太阳能电池的商 业 化 仍 然 存 在 一 定 的 财 务 风 险。 与 已 经 投
ＣＩＧＳ 薄膜太阳能电池（器件结构如图 ５ 所 示）的 性 能 稳 入大规模生产的 传 统 晶 体 硅 太 阳 能 电 池 相 比，
ＣＩＧＳ 薄 膜 太
定、抗辐射能力强、光电转换效率高，其光电 转 换 效 率 足 以 媲 阳能电池仍然需要较长的时间来扩大生产规 模，降 低 生 产 成
美单晶硅太阳能电池。无论是在地表大面 积 发 电，还 是 在 空 本。
间微小卫星动力 电 源 上 的 应 用，
ＣＩＧＳ 薄 膜 太 阳 能 电 池 均 具
有广阔的市场前景。目前，如表 １ 所 示，
２　 结语
ＣＩＧＳ 薄 膜 太 阳 能 电
池实验室最高效率达到 ２２．
９％ ５ ，由 Ｓｏ
［］
ｌａｒ　
Ｆｒｏｎ
ｔｉｒ制 得；大
ｅ 本文综述了三种商业 化 的 薄 膜 太 阳 能 电 池：硅 基、
ＣｄＴｅ
面积电池组 件 效 率 最 高 达 到 １８．
７２％
［
６］
，由 汉 能 公 司 制 得。 和 ＣＩＧＳ 薄膜太阳能电池。尽管它们的效率始终无法进一步
但是它也主要面临着以下几方面的问题： 提高，但得益于起 步 早，硅 基 薄 膜 太 阳 能 电 池 将 来 仍 能 占 据
１）提高光电转化效率。虽然 ＣＩＧＳ 薄膜太阳能电池的最
（ 一定的市场份 额。 目 前 ＣｄＴｅ 薄 膜 太 阳 能 电 池 仍 然 是 最 成
高转换效率已经超过 ２２％ ，但是得到最高转换效率的 吸收 层 功、最有竞争力 的 薄 膜 太 阳 能 电 池。ＣＩＧＳ 薄 膜 太 阳 能 电 池
 · １６ · 　　　　 　２０１８ 年 １１ 月第 ３２ 卷专辑 ３２

在未来具有巨大的发展潜力。目前，
ＣｄＴｅ和 ＣＩＧＳ 薄膜太 阳 Ｗ，Ｗａｎｇ　
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能电池在转化效率上足以媲美现在 主流的晶硅 太 阳 能 电 池， Ｐｈｙｓ
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２０１６，
５５（
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０１２３０２．

它们的市场份额有望进一步提高。 １０ Ｍａ
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１５７，
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薄膜太阳能电池 虽 然 存 在 着 价 格 低、弱 光 性 好 等 特 点，
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但是同样存在着转化效率低、使用寿命短 等 缺 点。随 着 技 术
Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ，
２０１６，
５５（
７Ｓ２），
０７ＬＥ０３．
的进步，这些缺点 会 逐 渐 弱 化，薄 膜 太 阳 能 电 池 仍 具 有 光 明
１２ Ｆ
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的发展前景。 ２０１５，
１０６（
４），
０４３９０５．
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参考文献
ｒｇｙ，２０１７，
７（２），
０２５５０２．
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１８），
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２０１８．
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