第 ２９卷 第 ５期 重 庆 理 工 大 学 学 报（自然科学） ２

０１５年 ５月
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１６７
４－８
４２５（ｚ
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０１５．
０５．
００１

电动摩托车控制器的散热性能分析
凌智勇，缪友谊，邢雷杰

（江苏大学 机械工程学院，江苏 镇江 ２
１２０
１３）

摘 要：分析了电动摩托车控制器的主要热源金属———氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳ
ＦＥＴ）的功率损耗并进行了理论计算，根据控制器总散热热阻对控制器的散热底板进行热设计，
运用 ＣＦＤ软件 Ｆｌ
ｏＥＦＤ对控制器整体的热设计进行数值分析，得出控制器的温度分布。针对控
制器最大功率损耗下的散热性能，分析了散热底板上的不同散热翅片参数对控制器整体温度分
布的影响。实验结果表明：针对控制热散热性能的仿真误差小于 １
０％，验证了仿真的合理性，
优化后的散热底板可以满足控制器的散热需求。
关 键 词：控制器；ＭＯＳ
ＦＥＴ；热设计；优化分析
中图分类号：ＴＫ１２４ 文献标识码：Ａ 文章编号：
１６７
４－８４
２５（２
０１５）０５－０
００１－０５

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随着新能源的发展，电动摩托车成为人们日 的核心部件之一就是用于实现电子换向功能的金
常生活的重要交通工具。目前我国已成为全球最 属 －氧化物半导体场效应晶体管（ｍｅ
ｔａｌｏ
ｘｉｄｅｓ
ｅｍ
大的电动摩托车生产和消费国。电动摩托车通过 ｉ
ｃｏｎ
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ｒａｎｓ
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ｏｒ，ＭＯＳＦＥＴ）。 ＭＯＳ

电机控制器驱动直流无刷电机转动，电机控制器 ＦＥＴ作为一种对温度比较敏感的半导体元器件，

收稿日期： ２０１５－０１－２ ４
作者简介：凌智勇（１ ９
５ ７—），男，博士，教授，主要从事微纳米元器件研究。
引用格式：凌智勇，缪友谊，邢雷杰．电动摩托车控制器的散热性能分析［Ｊ ］．重庆理工大学学报：自然科学版，２ ０
１５
（５）：１－５．
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 ２ 重庆理工大学学报

其性能受到温度的影响。研究表明，元器件的工 Ｑ２根据 ＰＷＭ 反向信号同步导通或关断，Ｂ相上
作温度每升高 １０℃，系统可靠性将降低 ５
０％，超 管 Ｑ３常闭，Ｂ相下管 Ｑ４常开。ＭＯＳＦＥＴ的功率
［１－２］
过 ５５％的失效是由于温度过高引起的 。电机 损耗包括开通损耗、关断损耗和导通损耗。
控制器的主要热量来源于 ＭＯＳＦＥＴ本身，必须对 开通损耗：
［３，
４］ ｔ
ＭＯＳＦＥＴ以及控制器的散热性能进行分析 。 ２

针对 ＭＯＳＦＥＴ功耗的确定和散热器的设计，
Ｐｏｎ ＝ ｆ
ｓｗ ∫Ｖ （ｔ）Ｉ（ｔ）ｄｔ≈ １
ｔ
１
ＤＳ Ｄ
２
Ｖ Ｉｔｆ （１）
ＤＳ Ｄ ｏ
ｎｓｗ

国内外 学 者 做 了 很 多 研 究。王 赋 攀 等 ［５］介 绍 了 关断损耗：

ＭＯＳＦＥＴ功率损耗的组成和计算方法，指出合理 ｔ
４

的风冷散热能够提高散热性能。胡海拉等 ［６］
建立 Ｐｏｆｆ ＝ｆ
ｓｗ ∫Ｖ （ｔ）Ｉ（ｔ）ｄｔ≈ １
ｔ
３
ＤＳ Ｄ
２
Ｖ Ｉｔｆ （２）
ＤＳ Ｄ ｏ
ｆｆｓ
ｗ

了单 个 和 耦 合 器 件 的 热 阻 拓 补 模 型 用 于 确 定 导通损耗：
ＭＯＳＦＥＴ结点的温度，并用 Ｉ
ｃｅｐａ
ｋ软件进行建模 ２
Ｐｃｏｎｄ ＝Ｉ
ＤＲ ｎ）Ｄ
ＤＳ（ｏ （３）
［７］
分析，取得了较好效果。王淑旺等 对电动车的
其中：ＶＤＳ为漏源极之间的电压；Ｉ
Ｄ 为漏源极电流；
控制器采用水冷方式，验证了设计的合理性。魏
ｔ
ｏｎ为导 通 时 间；ｔ
ｏｆ为 关 断 时 间；ｆ
ｆ ｓｗ为 工 作 频 率；
军等 ［８］研究了自然对流情况下 ＰＣＢ上不同功率的
ＲＤＳ（ｏｎ）为 ＭＯＳ
ＦＥＴ导 通 电 阻；Ｄ为 ＰＷＭ 信 号 占
发热元件安装位置及连接形式。
空比。
Ａ－Ｂ相 导 通 过 程 占 整 个 电 机 工 作 周 期 的
１ 控制器功耗计算
１／
３，计算 ＭＯＳＦＥＴ功率损耗，得到的上、下管功耗
分别为：
控制器 ＰＣＢ组件由逻辑区域和功率区域组
上管功耗
成，其中功率区域的 ＭＯＳＦＥＴ用于控制 Ａ／
Ｂ／Ｃ三
Ｐｕ ＝（Ｐｏｎ ＋Ｐｏｆｆ ＋Ｐｃｏｎｄ）／
３ （４）
相电流输出。如图 １所示，控制器工作方式为三
下管功耗
相六 步。 Ａ／
Ｂ／Ｃ三 相 各 具 有 一 个 上 管 和 下 管 ２ ２
Ｐｌ ＝（Ｉ
ＤＲ ｎ） ＋Ｉ
ＤＳ（ｏ ＤＲ ｎ）（
ＤＳ（ｏ １－Ｄ））／
３ （５）
ＭＯＳＦＥＴ，依次排布为 Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６，导通
设 计 选 取 ＭＯＳＦＥＴ型 号 为 英 飞 凌 Ｉ
ＰＰ０３
４
顺序为 Ｑ１Ｑ４→ Ｑ１Ｑ６→ Ｑ３Ｑ６→ Ｑ３Ｑ２→ Ｑ５Ｑ２→
ＮＥ７Ｎ３Ｇ，其最大允许结点温度为 １７
５℃。采取晶
Ｑ５Ｑ４→Ｑ１Ｑ４。
体管最高结温 Ｉ
ＩＩ级降额应用，取 １
４５℃作为最大
结点设计温度。ＭＯＳＦＥＴ功率损耗随电机负载增
大而增加，最 大 负 载 时 ＭＯＳ
ＦＥＴ工 作 参 数 如 下：
ＶＤＳ ＝４８Ｖ，Ｉ
Ｄ ＝３２．４Ａ，ｔ
ｏｎ ＝２３７ｎｓ
，ｔｏ
ｆｆ＝４０５ｎｓ
，
ｆ
ｓｗ＝１５．
６ｋＨｚ
，最大占空比 Ｄ＝０．
９，ＭＯＳＦＥＴ导通
电阻 ＲＤＳ（ｏｎ）受漏源极电流、栅源极电压以及结点
温度的共同影响，取结点最大工作温度为 １４５℃
时 ＲＤＳ（ｏｎ） ＝５．５ｍΩ。 计 算 得 到 的 上 管 功 耗 为
４．
３Ｗ，下管功耗为 ２．
１Ｗ。
图 １ 控制器 ＭＯＳ
ＦＥＴ工作方式示意图
１．
２ 控制器其他元件功耗计算
１．
１ ＭＯＳＦＥＴ功率损耗计算 控制器 ＰＣＢ组件还包括 １个 ＴＯ－２
２０封装稳
控制 器 功 率 损 耗 主 要 集 中 在 功 率 区 域 的 ４个电容以及贴片元件和连接器。贴片元
压芯片、
ＭＯＳＦＥＴ上。取电机一个导通周期中 Ａ－Ｂ相导 件功率损耗和连接器接触阻抗产生的热损耗很微
通过程进行分析：Ａ相上管 Ｑ１根据 ＰＷＭ （ｐｕｌ
ｓｅ 弱，作忽略处理。稳压芯片和电解质电容总功率
ｗｉ
ｄｔｈｍｏ
ｄｕｌ
ａｔ
ｉｏ
ｎ）信号同步导通或关断，Ａ相下管 为 ０．
５Ｗ。
 凌智勇，等：电动摩托车控制器的散热性能分析

２ 控制器散热结构设计
如图 ２所示，为了节约 ＰＣＢ空间以及成本，将
６个 ＭＯＳＦＥＴ和 １个稳压芯片伸出 ＰＣＢ外并且位
于 ＰＣＢ同侧。在进行控制器的散热设计时根据功
率损耗 Ｐ以及结点温度与环境温度的温度差 Ｔ确
定总的热阻，并对总的热阻进行分配，以设计满足
要求的散热器。
３
足计算要求。但控制器安装在电动摩托车座位底
部，其 安 装 空 间 较 小，控 制 器 的 高 度 不 超 过
１
００ｍｍ。
散热底板结构如图 ３所示。将翅片集成在基
板厚度为 ３ｍｍ、尺寸为 １０８ｍｍ×１
１７ｍｍ的散热
底板上。由于散热底板采用铝合金压铸制成，翅
片的尺寸受到铸造工艺以及强度的限制，故翅片
最小厚度以及翅片间距均要大于 ３ｍｍ，高度小于
１
５ｍｍ。选取翅片高度 １５ｍｍ、间距 ９ｍｍ、厚度
３ｍｍ的初始设计方案进行分析。

图 ２ 控制器 ＰＣＢ结构示意图
图 ３ 散热底板结构示意图
２．
１ 热阻计算
ＭＯＳＦＥＴ通过散热器散热的热阻 ＲＪＡ ＝ＲＪＣ ＋ ３ ＣＦＤ仿真及优化
ＲＣＳ ＋ＲＳＡ，其中：ＲＪＣ为 ＭＯＳＦＥＴ结点到壳体的热
较短的研发周期对产品性能评估提出挑战，
阻；ＲＣＳ为壳体到散热器的热阻；ＲＳＡ为散热器到安
采用仿真模拟可以在研发 阶 段 提 前 了 解 产 品 性
装环境的热阻。
能，提出优化方案。本文采用 ＣＦＤ软件 Ｆｌ
ｏＥＦＤ对
本控制器最高工作环境温度为 ４０℃，控制器
设计方案进行模拟。Ｆｌ
ｏＥＦＤ直接嵌入 Ｐｒ
ｏ／Ｅ中，
设计需 要 的 ＭＯＳＦＥＴ最 大 总 热 阻 ＲＪＡ ＝ΔＴ／
Ｐ＝
无需对产品模型进行修改即可进行分析仿真。
５
３℃／
Ｗ，而 ＭＯＳ
ＦＥＴ参数手册中，
ＲＪＣ ＝０．
７℃／
Ｗ，
３．
１ 三维建模及网格划分
ＲＪＡ ＝６２℃ ／
Ｗ，显 然 需 要 加 装 散 热 器 进 行 强 化
在 Ｐｒ
ｏ／Ｅ中建立的控制器三维模型如图 ４所
散热。
示，包 括 上 盖、ＰＣＢ组 件、ＴＩ
Ｍ 材 料 和 底 板。 对
ＭＯＳＦＥＴ和 稳 压 芯 片 并 联 耦 合 等 效 热 阻
ＰＣＢ上的无功率损耗元件做隐含处理，计算域为
ＲＪＣ总 ＝０．
１℃ ／
Ｗ。为了减小 ＭＯＳＦＥＴ金属基底和
１ｍ×１ｍ×１ｍ的立方体。采用 ４级网格精度以
散热底板之间的接触热阻以及防止由于直接接触
及狭长通道细化对翅片处的网格进行细化处理。
引起的短路，在 ＭＯＳ
ＦＥＴ和散热底板之间放置一
层 Ｈｉ
Ｆｌ
ｏｗ３０
０Ｐ绝缘热导界面材料（ｔ
ｈｅｒ
ｍａｌｉ
ｎｔｅ
ｒ
ｆ
ａｃｅｍａ
ｔｅｒ
ｉａ Ｍ）［９］。在压力为 １７
，ＴＩ
ｌ ２ｋＰａ时，等效
接触热阻 ＲＣＳ总 ＝０．
２℃ ／
Ｗ，则散热器的最大设计
热阻 ＲＳＡ ＝ＲＪＡ! ＲＪＣ总 ! ＲＣＳ总 ＝５．
０℃ ／
Ｗ。
２．
２ 散热器结构设计与计算
根据国标 ＧＢ７４２３．
２—８
７选取散热器基板长
度为 １２３ｍｍ的 ＳＲＸ０５Ｄ型材散热器。散热器翅
片垂直放置，自然对流状态下 ＲＳＡ ＝２．２℃ ／
Ｗ，满 图 ４ 控制器三维模型
 ４ 重庆理工大学学报

对散热器的自然对流换热过程作以下假设： 际应用中散热器的成本与质量相关。在满足散热
① 满 足 Ｂｏ
ｕｓｓ
ｉｎｅ
ｓｑ假 设；② 流 体 为 不 可 压 缩 层 要求下，质量越小成本越低。因此，对底板的质量
流；③ ＰＣＢ板导热属性为均值、各项同性；④ 忽略 和散热性能进行分析。
热辐射影响。考虑固体内部热传导，在环境温度 固定初始设计的翅片间距和厚度参数，对翅
为２
３℃，压力为 １０
１．３ｋＰａ时，各零件材料物理性 片高度和质量进行研究。由于翅片高度受到最高
能如表 １所示。 不超过 １５ｍｍ安装条件的限制，因此取翅片高度

表 １ 材料的物理性能 为 ０，
３，６，
９，１２，
１５ｍｍ，分别分析 ＭＯＳＦＥＴ结点的
最高温度、散热底板的最高以及平均温度，结果如
热导率 比热
零件 材料 表 ２所示。从表 ２可以看出：翅片高度为 ３ｍｍ时
Ｗ／
（ｍ·℃） Ｊ／
（ｋｇ·℃）
上盖 ＰＢＴ ０．
２ ２０
００ 的 ＭＯＳ
ＦＥＴ结点最高温度为 １
４３．
９℃，基本满足设
底板 Ａｌ
Ｓｉ１
２Ｃｕ １
５０ ９
４０ 计要求；
翅片高度每增加 ３ｍｍ，ＭＯＳ
ＦＥＴ结点最高
ＰＣＢ板 ＦＲ４，Ｃｕ ０．
３ ８
００ 温度下降超过 ５℃，
但相应的质量增加超过 ３
０ｇ。
焊料 Ｓ
ｎ，Ａｇ ７
８．４ ３
０６ 以翅片高度 ３ｍｍ为固定值，对翅片间距进行
ＭＯＳ
ＦＥＴ基板 Ｃｕ ３
８５ ３
８４ 分析，取间距为 ３，６，９，１２，１５ｍｍ，对应的翅片数
ＭＯＳ
ＦＥＴ塑封 树脂胶 １ ８
８２ 目为 ２０，
１４，
１０，８，６个。表 ３为不同翅片数目下
连接器 Ｃｕ
Ｚｎ３
０ １
１０ ３
８５ ＭＯＳＦＥＴ结点的最高温度、散热底板的最高以及
平均温度。从表 ３可以看出：随着翅片数目的增
３．
２ 针对原始方案的仿真验证
加，结点最高温度随之下降，当翅片数目超过 １０
模拟最高环境温度为 ４０℃、功率损耗最大时
片时可以满足散热需求；与改变翅片高度相比，同
控制器的散热性能。控制器的温度云图如图 ５所
等质量下，增加翅高其散热性能比增加翅片数目
示，可以看出 ＭＯＳＦＥＴ结点最高温度为 １３４．
２℃，
效果更好，可以优先考虑增加翅片高度，但增加翅
小于目标值（１
４５℃），此时散热底板平均温度为
片的数目对控制器的整体高度不会产生影响。考
１２２．
１℃。
虑到控制器实际安装空间较小，为了减小控制器
的体积，最终选取翅片高度 ３ｍｍ、翅片数目 ２０、间
距 ３ｍｍ作为最终优化结果。
３．
４ 实验验证
如图 ６所示，在控制器散热底板设置测量点，
对优化后的模型进行实验验证。由于 ＭＯＳＦＥＴ结
点温度不能直接测量，故可以选取散热底板作为
测量对象。取 ＭＯＳＦＥＴ安装位置附近的 ８个点和
图 ５ 控制器温度云图
散热底板 翅 片 处 ２个 点 作 为 测 量 点，在 温 度 为
３．
３ 底板参数优化分析 ４
０℃ 的恒温箱中进行测试，０．５ｈ后传感器测量
控制器的初始设计可以满足目标要求，但实 点温度达到平衡状态。

表 ２ 不同翅片高度下控制器温度

高度 ／
ｍｍ ０ ３ ６ ９ １
２ １
５
ＭＯＳ
ＦＥＴ最高温度 ／
℃ １
５７．
５ １
４３．
９ １
３９．
２ １
３３．
８ １
２７．
９ １
２２．
４
散热底板最高温度 ／
℃ １
３６．
９ １
３２．
６ １
２６．
９ １
２１．
４ １
１５．
５ １
１０．
１
散热底板平均温度 ／
℃ １
３３．
２ １
２４．
４ １
１９．
９ １
１４．
４ １
０８．
８ １
０３．
５
质量 ／
ｇ １
９２ ２
２８ ２
６１ ２
９３ ３
２６ ３
５９
 凌智勇，等：电动摩托车控制器的散热性能分析 ５

表 ３ 不同翅片数目下控制器温度

翅片间距 ／
ｍｍ ３ ６ ８ ９ １
２ １
５
翅片数目 ２
０ １
４ １
２ １
０ ８ ６
ＭＯＳ
ＦＥＴ最高温度 ／
℃ １
４２．
７ １
４３．
２ １
４３．
９ １
４４．
２ １
４６．
９ １
４７．
８
散热底板最高温度 ／
℃ １
３１．
１ １
３１．
７ １
３２．
６ １
３２．
９ １
３４．
９ １
３５．
６
散热底板平均温度 ／
℃ １
２４．
３ １
２６．
２ １
２４．
４ １
２４．
７ １
２６．
１ １
２７．
８
质量 ／
ｇ ２
５０ ２
３６ ２
２８ ２
２２ ２
１５ ２
１２

４ 结束语

对某电动摩托车直流无刷电机控制器进行热
设计，并利用数值模拟方法对控制器的整体热性
能进行了分析，通过对底板参数优化，得出了适用
于工程的优化模型。通过实验对优化后的模型进
行验证，保证了控制器中的 ＭＯＳＦＥＴ能正常工作，
提高了控制器的稳定性。

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ｅｎｇＲ，
Ｆｅｎ
ｇＴ，
ＬｉｎＹ．
Ｔｈｅｒ
ｅｓｅ
ａｒｃ
ｈｏｆｔ
ｈｅｒ
ｍａｌｄ
ｅｓｉｇ
ｎ
对模拟温度和测试温度的数据对比，结果如 ｆｏ
ｒｖｅｈｉ
ｃｌ
ｅｃ ｏｎ
ｔｒｏ
ｌｌｅ
ｒｂ ａ
ｓｅｄｏｎｓｉｍｕ
ｌａｔ
ｉｏｎ［Ｊ
］．Ａｐ
ｐｌｉ
ｅｄ
图 ７所示。 Ｔｈｅｒ
ｍａｌＥｎｇ
ｉｎｅｅｒ
ｉｎｇ，
２０１３，
５８（１／
２）：４２
０－４ ２
９．
［４］ Ｍａｌｌ
ｉｋＳ，Ｅｋｅ
ｒｅＮ，Ｂｅ ｓ
ｔＣ，ｅｔａｌ
．Ｉｎ
ｖｅｓｔ
ｉｇ
ａｔｉ
ｏｎｏｆｔｈｅ
ｒｍａ ｌ
ｍａｎａｇ
ｅｍｅｎｔｍａｔｅ
ｒｉａ
ｌｓｆｏｒａｕｔ
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ｉｖ
ｅｅ ｌ
ｅｃｔ
ｒｏｎ
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ｎ ｔ
ｒｏｌ
ｕｎ
ｉｔｓ
［Ｊ］．Ａｐｐｌ
ｉｅ
ｄＴｈ ｅｒ
ｍａｌＥｎｇｉ
ｎｅｅ
ｒｉｎ
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１０，
３１（１）：
１００
板实际测量温度低于模拟温度；实际测量的 ６个 －１０２．
［９］ Ｏｔ
ｉａ
ｂ ａＫＣ，
Ｅｋｅ
ｒｅＮＮ，Ｂｈ
ａｔｔ
ｉＲＳ，ｅ
ｔａｌ
．Ｔｈ
ｅｒｍａ
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ｔｅｒ

ＭＯＳＦＥＴ温度较均衡，但温度分布趋势一致，最大
ｆ
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ｅｒｉ
ａｌｓｆｏｒａｕｔｏ
ｍｏ ｔ
ｉｖ
ｅｅ ｌｅｃ
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ｎｉｃｃ ｏｎｔ
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误差小于 １０％。实验测量的散热底板的最高温度 Ｔｒ
ｅｎｄｓ，
ｔｅｃ
ｈｎｏｌｏ
ｇｙａ ｎ
ｄＲ＆Ｄ ｃ ｈａ
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ｎｇｅｓ［Ｊ］．Ｍｉｃｒｏ
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ｃ
不高于 １２５℃即可实现 ＭＯＳＦＥＴ结点温度不高于 ｔ
ｒｏｎ
ｉｃｓＲｅｌｉ
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ｔｙ．
２０１１，５１（１２）：
２０３１－２ ０
４ ３．
设计的 １４５℃。 （责任编辑 刘 舸）