Contents

• Introduction
- Basic concepts of technology
- Materials properties and material classes
• Technology and Analysis: Basic processes
- Film deposition Methods
- Lithography: Principles, and applications
- Material removing technique – etching, Chemical Mechanical
polishing

• Application to fabrication of complex circuits

• Characterisation techniques
- Scanning Electron Microscopy (SEM) and Near field
microscopy (AFM, STM)
1
Introduction: basic concepts of technology
Additive method Modifying Methods subtractive methods

Thin film deposition Radiative treatment Etching

Sputter deposition resist exposure Wet chemical etching

Molecular beam epitaxy (MBE) polymer hardening ion beam etching
Chemical vapor deposition (CVD) reactive ion etching (RIE)
Chemical solution deposition Thermal annealing Focussed ion beam etching

Printing techniques Crystallisation Radiative and thermal treatment

Diffusion
Inkjet printing Change of phase Laser ablation
Micro-nano contact printing Spark erosion
Ion beam treatment
Self organized Growth Tool-Assisted Material Removal
Implantation
Chemical Mechanical Polishing
Selective chemical reactions amorphization (CMP)
Biological growth of cells Chipping
Mechanical modification Drilling
Assembly Milling
Wafer bonding Plastic forming and shaping Sand blasting
scanning probe
Surface mounted technology manipulation
Wiring and bonding methods 2
Film deposition method
The deposition of thin-film functional layers on different substrate is an essential
step in many fields of modern technology. Applications range from large area
depositions to architectural structures in the field micro-nanoelectronics.
Thin films have roles as permanent parts of finished devices, they can also be used
intermittently during wafer processing as protective films, sacrificial layers and etch
and diffusion masks.
Therefore, films of very different materials have to be considered: semiconductors,
metals, insulating (dielectric) films, organic layers, ….

As illustration: Silicon MOSFET needs

dielectric material, semiconductor and
metals

3
Thin films versus bulk materials
In thin films, at least one dimension of the material, the thickness, is small. For
narrow lines, two dimensions are small, and for dots, all three dimensions are small.
This gives rise to prominence of surface effects.

Materials in micro-nano fabrication

Conductive Semiconducting Insulating

Elements Al, Cu, Au, W, Ti, Mo Si, Ge, GaAs, InP, Diamond
Oxide ITO, RuO2, ZnO SnO2 SiO2,Al2O3,HfO2
Nitrides TiN, TaN, W2N GaN Si3N4, AlN, BN
others Organic material Polymers

Considering the broad spectrum of materials and applications, it is obvious that

there can not be one method which can be applied in all fields.

4
Films deposition methods - Principles
The deposition methods, in the field of micro-nano electronics, are dominated by
depositions from the vapour phase. This method can be subdivised into Physiscal
and chemical methods.

Physical method
PVD (Physical vapor Deposition) Chemical method

Evaporation/ Sputter CVD / MOCVD

MBE

MBE: Molecular beam epitaxy

5
Films deposition methods – MBE Mocecular Beam Epitaxy
Epitaxy deposition means the growth of crystalline layer on top of the crystalline
substrate. The growing layer registers the crystalline information of from the layer
below. Because crystal information is transmitted across the substrate, surface quality
(film interface) of the starting wafer is of paramount importance. The Molecular beam
epitaxy (MBE) is a a popular technique for growing III-V compound semiconductors as
well as several other materials. MBE can produce high-quality layers with very abrupt
interfaces and good control of thickness, doping, and composition. Because of the high
degree of control possible with MBE, it is a valuable tool in the development of
sophisticated electronic and optoelectronic devices.

Riber MBE 49
6
Films deposition methods – MBE Mocecular Beam Epitaxy
Basic description

In MBE, the constituent elements of a semiconductor in the form of ‘molecular beams’

are deposited onto a heated crystalline substrate to form thin epitaxial layers. The
‘molecular beams’ are typically from thermally evaporated elemental sources, but other
sources include metal-organic group III precursors (MOMBE), gaseous group V hydride or
organic precursors (gas-source MBE), or some combination (chemical beam epitaxy or
CBE).

Shuter P; 200

Schematic view of MBE system

7
Films deposition methods – MBE Mocecular Beam
Epitaxy
Basic description

To obtain high-purity layers, it is critical that the material sources be extremely pure
and that the entire process be done in an ultra-high vacuum environment.

The residual gas pressure in the system is one of the basic parameters to be controlled
during the film deposition, as the residual gas atoms may collide with the depositing
species or may hit the growing surfaces and may thus incorporated in the film.
Therefore, Ultra High Vacuum (UHV – better than 10-9 Torr) is required for growing high
purity material.

Another important feature is that growth rates are typically on the order of a few Å/s
and the beams can be shuttered in a fraction of a second, allowing for nearly
atomically abrupt transitions from one material to another.

8
Films deposition methods – MBE Mocecular Beam Epitaxy
Film growth modes

Nucleation and growth of film proceed from energetically favourable places on the substrate
surface and even the cleanest polished surface shows some structures. Figure below shows
characteristic features as terraces of length ls, the steps and the kink within the step line,
which otherwise runs along well-define crystallographic directions.
If the surface diffusion is fast enough, a randomly deposited adatom will diffuse to the
energetically most favourable places like steps and especially kinks.
If not, adatoms may encounter each other within the terrace and may form adatom
clusters.

p. 202 ou 68

9
Films deposition methods – MBE Mocecular Beam Epitaxy

In situ growth monitoring

One technique that may be used for in-situ

thickness measurement is the Reflection
High Energy Electron Diffusion (RHEED).

A high energy beam (3-100keV) is directed

at the sample surface at a grazing angle. The
electrons are diffracted by the crystal
structure of the sample and then collide
(impinge) on a phosphor screen mounted
opposite to the electron gun.

10
Films deposition methods – MBE Mocecular Beam Epitaxy
In situ growth monitoring

The resulting pattern is a series of streaks.

The distance between the streaks being an
indication of the surface lattice unit cell
size. The grazing incidence angle ensures
surface specificity despite the high energy
of the incident electrons. If a surface is
atomically flat, then sharp RHEED patterns
are seen. If the surface has a rougher
surface, the RHEED pattern is more
diffuse. This behaviour can lead to 'RHEED
oscillations' as a material is evaporated
onto a surface. RHEED is therefore of
particular use with MBE.

11
Films deposition methods – MBE Mocecular Beam Epitaxy
Homoepitaxy vs heteroepitaxy

In solid phase epitaxy, the film registers the cristalline structure

from the underlying single-crystalline substrate. In homoepitaxy,
the substrate and the growing film are the same material. The
lattice parameters are identical (lattice match) Z

Heteroepitaxy X

Epitaxy of dissimilar materials is termed heteroepitaxy. It is a case where we want

to growth an epitaxial film on a different substrate. This is the case of SiGe on Si,
GaN on SiC, GaInAs on GaAs, … (III-V materials).
Two parameters needs to be considered here, that have an high impact on material
growth: surface energy (growth modes) and the lattice parameter or lattice match
of the two materials (strain).

Without go through the details, the consequences of strain are:

- The possibility to introduce strain in the thin layer (pseudomorphic materials)
- A possible mechanism of strain relaxation by misfit dislocations.

12
Films deposition methods – MBE Mocecular Beam Epitaxy
Illustration in the case of SiGe (Si1-xGex)

aSi = 5.43ÅÅ aGe = 5.66 Å aSi(1-x)Gex = (1-x)aSi + (x )aGe

Over 0,2% of lattice constant difference, there exist a critical thickness tc, which
depends on Ge fraction, below which mismatch can be accommodated by elastic
deformation. Above tc, the lattice relaxes via misfit dislocations and the crystalline
quality may become useless for device applications.

Si crystal

SiGe tchickness > tc

SiGe tchickness < tc
SiGe layer: strain relaxation by misfit
SiGe layer (Deformation of atoms
dislocations, and the film can re-approach
in the « y » direction to match Si
its structure far to the dislocation region 13
crystal)
Films deposition methods – MBE Mocecular Beam Epitaxy
Illustration in the case of SiGe (Si1-xGex)
Application for growing strained silicon

Mobility in strained Si is improved compares to the mobility in bulk material

 Stari may improved some electrical properties
14
Films deposition methods – MBE Mocecular Beam Epitaxy
Case of III-V materials – Application to High Electron Mobility Transistors (HEMT)

HEMT device structure

100 - 500 Å 1- 6 1024 /m3

100 - 500 Å NID - 2 1024 /m3
 doped 1 - 6 1016 /m2
20 - 75 Å NID
100 - 300 Å NID
Buffer layer

Typical substrates: GaAs, InP, SiC, … (Si)

Scanning Electron Microscopy (SEM) image of

Development of this technology is HEMT illustrating:
based on the progress made in - HEMT structure in a coplanar wave
guides
material growth (epitaxy):
- Active part of transistor with two gates
Abrupt interfaces, thin layers, - Cross section of the T-gate structure
heterostructures, … 15
Films deposition methods – MBE Mocecular Beam Epitaxy
Case of III-V materials – Application to High Electron Mobility Transistors (HEMT)
From GaAs substrate to InP substrate
a
Tensile strain
a1 a1 < a

Lattice match
a1 = a
Z

X,Y

Compressive
strain
a1 > a

16
Films deposition methods – MBE Mocecular Beam Epitaxy
Case of III-V materials – HEMT on GaAs substrate
Conventional HEMT y = z = 0
Ti/Au AuGe/Ni/Au
0 < x  0.4 0 < Ec  0.3 eV
Cap layer
100 - 500 Å NID - 2 1024 /m3 Ns  1.5 1012 cm-2
100 - 500 Å 1- 6 1024 /m3
Schottky Ga1-xAlxAs  doped 1 - 6 1016 /m2
Espaceur Ga1-xAlxAs 20 - 75 Å NID HEMT with a defined channel
y=0 z=x0
Canal Ga1-yInyAs 100 - 300 Å NID

Buffer Ga1-zAlzAs HEMT - Top and bottom dopped

Substrat semi-isolant GaAs
channel y = 0 z = x  0
(Increase the power)

Ga1-xIn xAs Pseudomorphic HEMT (z=0)

0 < x  0.3 0 < y  0.4
0 < Ec  0.35 eV
Mobility increase
with strain Pseudomorphic HEMT (z=x)
0 < x=z  0.3 0 < y  0.4
0.3 < Ec  0.4 eV
Similar approach with
Ns  2 - 2.5 1012 cm-2
InP HEMTs 17
Films deposition methods – Sputtering
Principle of DC sputter deposition
In a vacuum chamber, the target material, which is eroded, is at the cathode side (negative potential)
and the substraate for the film deposition is at the opposite anode side. The potential of several 100
Volts between these plates leads to the ignition of a plasma discharge for typical pressure of 10-1 – 10-3
Torr.
The positively charged ions of the plasma are accelerated to the target.
These accelerated particles sputter off the deposits, which arrive at the substrate mostly as neutral
atoms. These atoms attach to the surface either with chemical bonds (~1 eV) chemisorption) or by
short-range Van der Waals forces (~0.3-0.4 eV). These adatoms are able to move because of their own
initial energy or by substrate supplied energy, or because they receive energy from the impinging
particles.
he discharge is maintained as the accelerated electrons continuously ionize new gas particles by
collisions with the sputter gas.
Substrate - Anode(+)

Sputtering Plasma –
gas Inert gas

Target - Cathode(-)

18
Films deposition methods – Sputtering
RF sputtering principle
Sputter-deposited films can be modified by a number of parameters. System configuration and
geometry come to play via target-substrate distance, base pressure/gas phase impurities and power
coupling scheme/bias voltage.
Parameters such as pressure (controls the free path length of the atoms), power affect the momentum
of the impinging atoms and ions; and substrate temperature is important for desorption, diffusion and
reactions.

The DC sputtering works very well as

long as the target material shows some
electrical conductivity. For insulating
targets, however, a high-frequency
plasma discharge must be applied in 4 cm < h < 10cm
order to avoid the accumulation of
electric load. A typical frequency of
13,6 MHz (industrial frequency) is
capacitively coupled to the target and
there is only a small voltage decay
across the electrodes. The deposition
rate may be reduced

Practical RF sputtering system

19
Films deposition methods – Sputtering
Applications

Microsystems: Growth of materials where the strain can be controled (compressive or

tensile) according to the growth conditions

Deposition of conductive and non conductive materials

Deposition of thick layers (metals) such as Ti, Au, W, Ni, … (W is a refractory metal)
Thickness up to 1 µm

The deposition rate could be

improved using magnetron sputtering
Thickness up to 10 µm (TiNi)

Use of a closed magnetic field to trap electrons

Increase the efficientcy of the initial ionization process

Plasma creation at lower pressure (reducing both

background gas incorporation in the growing film and
energy losses in the sputtered atom through gas
collision) 20
Films deposition methods – Chemical Vapor Deposition
Principles

In CVD, film growth occurs trhough the

chemical reaction of the chemical
components (precursors), which are
transported to the vicinity of the substrate via
the vapor phase. Gaseous by-products are
pumped away.

Decomposition of source gases is induced

either by temperature (thermal CVD) or by
plasma (plama enhanced CVD - PECVD).

Thermal CVD processes take place in the

range 300 to 900°C, while PECVD requires
teperature around 100-400°C (typical:
300°C)
Conformal deposition
21
Films deposition methods – Chemical Vapor Deposition
Applications

CVD is widely used in silicon technology (large

scale technology) for material growth

Poly Si deposition SiH4 (g)  Si (s) + 2H2 (g) @ 600°C - 1 Torr

SiO2 deposition SiH4 + O2  SiO2 + 2H2 @ 450°C // dielectric
Si nitride 3SiH4 + 4NH3  Si3N4 + 12H2 @ 700°C // dielectric

Si doping 2AsH3 (g)  2 As (s) + 3 H2 (gas) @ 700°C

Drawback
Po

22
Contents
• Introduction
- Basic concepts of technology
- Materials properties and material classes
• Technology and Analysis: Basic processes
- Film deposition Methods
- Lithography: Principles, and applications
- Material removing technique – etching, Chemical Mechanical
polishing

• Application to fabrication of complex circuits

• Characterisation techniques
- Scanning Electron Microscopy (SEM) and Near field
microscopy (AFM, STM)
23
Lithography: Principles
The term ithography describes the method with which a patern is defined on a sample. A
lithogrpaphic system consists of a radiation source a resist coated sample, and an image
control system that regulates which part of the sample is illuminated by the radiation and
which is not.

Radiation source
(UV 365-436 nm, DUV 193-248 nm, EUV,
According to the light radiation Rayons X, Electrons, ions

source
Syst. optiques 1 (miroirs, lentilles) Alignment
system
Mask

Optical systems 2 (miror, lenses)

Numerical aperture NA = sin 

Substrate with coated resist

Porte substrat

24
Lithographie
Une opération de lithographie se décompose en 4 étapes:
- Dépôt d’une résine
- Alignement du masque
- Exposition de la résine
- Développement des motifs

Selon la nature du rayonnement, on distinguera:

- Les lithographies optiques
- Les lithographies non optiques.

25
Lithographie optique
Selon la position du substrat par rapport au masque, et la nature des
systèmes optiques, on distinguera 3 catégories de lithographie
optique: Contact, proximité et projection

Contact

gap

Contact g = 0
Proximité g # 0 (3 – 50Master_RT_Part
µm typ.)II Proximité
26
Lithographie optique
Formation de l'image avec une radiation dans le visible: UV ou Deep UV
Utilisation d'une résine photosensible

Longueurs d'onde d'une lampe UV (lampe au Mg)

Masques: plaques de verre recouverte d’un film d’oxyde de fer ou en chrome
i g
e
Intensity (arbitrary limit)

h
UV 300
d
E-line 546 nm UV 400
G-line 436 nm
H-line 405 nm
i-line 365 nm (Deep UV)

290 nm Wave length (nm) e-line 546 nm

313 nm g-line 436 nm
335 nm h-line 405 nm
365 nm i-line 365 nm 27
Lithographie optique par projection
Le système optique 2 du schéma de principe est l’élément clé de
cette approche. Ce système de lentille permet de ramener l’image du
masque à l’échelle 1

Réticule
x4
Utilisation de la technique de photo-
répétition pour réaliser des circuits
(insolation de chaque réticule d’un substrat
Lentilles de manière indépendante)
Syst. optique
2

Wafer Steppers

Projection 28
Lithographie optique: résolution des systèmes
Résolution: capacité à réaliser 2 lignes proches l’une de l’autre
(challenge de l’intégration)
UV UV

2bmin

Substrat Substrat

Résolution (bmin) des systèmes optiques en contact ou proximité

(à partir de la théorie de la diffraction de Fresnel)

: longueur d’onde de la radiation

 d
2.bmin  3. .( g  ) n : indice de réfraction de la résine (< 1.6)
n 2 g: gap masque-résine
d: épaisseur de la résine

2.bmin représente la période minimale des motifs

29
 Lithographie optique: résolution des systèmes

Résolution des systèmes optiques par projection

(à partir de la théorie de Rayleigh)

k1.
Re solution  : longueur d’onde de la radiation
NA
K1, k2 : constante
NA: ouverture numérique = sin ()
k 2 .
Focus  Profondeur de champ
NA2

Années 1980: k = 1, NA = 0,15,  = 436 nm  résolution de 3 µm

Steppers
Années 2000: k=0.7, NA = 0.6,  = 248 nm  résolution de 300 nm

30
Lithographie optique: Alignement des motifs

Substrat Masque

Superposition des motifs

par alignement

Master_RT_Part II 31
Lithographie optique: Caractéristiques d’une résine
Composantes de base d’une résine
Elément photo-actif qui détermine la sensibilité au rayonnement
Résine de base – fixe les propriétés mécaniques et thermiques
Solvant qui détermine la viscosité de la résine

Résine Positive
UV Insolation
- destruction de l'élément photo-actif

Substrat
Augmentation de la vitesse de dilution dans le
révélateur approprié

Substrat
Substrat après développement

32
Lithographie optique: Caractéristiques d’une résine

Résine Négative
UV

Insolation
 polymérisation, augmentation du poids moléculaire
Substrat
Grande résistance dans le révélateur approprié

Substrat Substrat après développement

33
Lithographie optique: Choix d’une résine

34
Lithographie optique: Choix d’une résine

35
** Energie d’insolation
Lithographie optique: Profil des motifs
Réalisation d’une ligne ou d’une tranchée dans une résine par
lithographie optique – Profils naturels de résines

Substrat Substrat

36
 Lithographie optique: Procédé type
Dépôt de résine
Nettoyage du substrat

Dépôt de résine à la tournette

Recuit (Postbake)

Insolation avec une énergie adéquate

Recuit de stabilisation (Post exposure

bake)
(optionnel)
Résine déposé sur le substrat en
utilisant une tournette
Développement de la résine
Vitesse de rotation et temps
Séchage (Postbake)
définissent l'épaisseur de la résine
déposée
Vérifications
Cste
Duréeexp osition ( s) 
Energie insolation (mJ / cm 2 ) épaisseur 
Puissance lampe UV (mW / cm 2 ) vitesse 37
Lithographie optique: Procédé type

Séquence animée

World of microsystems
www.fsrm.ch

Technologie
Lithographie
Dépôt de résine
Insolation
Développement
Décapage

38
Lithographie optique: Les applications

On utilisera des procédés de lithographies pour réaliser entre autres:

Des gravures (physiques ou chimiques)
Des dépôts (diélectriques, métaux, …)

Dans le cas des métallisations, on distinguera 2 grandes techniques

Les métallisations par dépôt et gravure
Les métallisations de type « lift-off »

39
 Lithographie: Application à la réalisation des
métallisations
Métallisation par gravure Métallisation par lift-off
Technologie silicium Technologie III-V
Résine

Si GaAs

Si GaAs

Si GaAs

Métal
METALISATION SOUS
Si GaAs FORME ALLIAGE
HAUTE INTÉGRAGION
MÉTAUX : Au, AuGe, Ti/Pt/Au
MÉTAUX : Al, Cu
GRAVURE NON SÉLECTIVE /
GRAVURE SÉLECTIVE / ISOLANT SUBSTRAT 40
Lithographie: Application aux circuits
fortement intégrés
Haute intégration
Technologie silicium
Planarisation des niveaux de métallisation
(CMP – Chemical Mechanical Polishing)

41
 Lithographie: Application aux procédés de
type Lift-off
2 types d’approche
Technique monocouche Techniques bi-couches

Changement des propriétés de l'élément Utilisation de 2 couches de résine

photo-actif par chauffage ou de manière
chimique

2 possibilités
a)
Dépôt de la résine Insolation et révélation couche dessus
Recuit Insolation et révélation couche 2
Traitement de surface
Insolation b)
Recuit Insolation et révélation couche du dessus
Révélation Attaque chimique de la seconde résine
Rinçage
a)- Deep UV (250 nm) : PMGI + Résine UV (type AZ)

b)- Procédé LORTM (Lift Off Resine)

AZ 5214 – AZ 1518 MCC LOR (Micro Chem) + Shippley S1805 42
Lithographie: Exemple d’un procédé mono-
couche (cas a)

43
Lithographie: Exemple d’un procédé bi-couche
(cas b)

44
Lithographie: Exemple d’un procédé bi-couche (cas b)

Technique monocouche Techniques bi-couches

TP DEA 2003

b)- Procédé LORTM (Lift Off Resine)

AZ 1518 MCC LOR (Micro Chem) + Shippley S1805 45
Lithographie optique: les perspectives
STEPPER

13.4 nm 50
Extreme UV nm
CaF2
157 - nm
Laser 70 nm
fluor
193 - nm
Laser 100 nm
argon-fluor
248 - nm
Laser 130 nm
krypton-fluor
248 - nm
Lampe 180 nm
mercure-xenon

250 nm
46
Lithographie optique: les perspectives

47
Lithographie optique: les perspectives

Longueur d’onde fortement absorbée par:

EUV L’air, les optiques
 utilisation de la réflexion

Systèmes fonctionnant sous vide 48

Lithographie électronique: principe
Ecriture directe des motifs sur un substrat en utilisant une résine
électro-sensible. Pas d’utilisation de masque physique.
Emission des électrons (ex.:
cathode à effet de champ)

Beam blanker: élément sensible,

permettant d’effacer le faisceau.
Doit être très rapide
Focalisation du faisceau vers la
cible

Platine à contrôle
interférométrique permettant une
précision de déplacement de
l’ordre de 0,6 nm

49
Lithographie électronique: principe
Tension d'accélération
1 – 100 KeV

Diamètre du spot < 10 nm

Taille du spot (IEMN - 7 nm)

Courant du faisceau : 100 pA à 200 nA

Dose d'exposition (qq µC/cm2) à mC/cm2

Utilisation d'une résine électro-

sensible - PMMA

PolyMethyl MethAcrylate

Équipement placé sur des systèmes anti-vibrationnels

Isolation du champ électromagnétique externe
Température contrôlée (0,1 degré) 50
Lithographie électronique: Applications
Fabrication de masques
Fabrication de composants

Tri-couches pour lift-off : PMMA – Copolymère-PMMA

51
Lithographie Rayons X: Propriétés
Très faible longueur d'onde (2 – 10 Å) [ 8,3 Å (Al L) , 4,37 Å ( Pd L)]

Faible énergie d'insolation (0,3 à 3 KeV)  Réduction effet de proximité

(sensibilité résines de l'ordre de 30 mJ/cm2)

Résolution ultime - Faible diffraction

Source de rayonnement: synchrotron

(radiation électromagnétique émise par des éléctrons en mouvement

52
Lithographie Rayons X: Applications

Élément absorbant du
masque
membrane du masque

Résine
substrat

Motifs après développement

Plexiglass: PMMA, polycarbonate

Types de résines Epoxy phenol resins, polyvinylidene fluoride (PVDF),
Polymeres: polysulfones, polyether

53
Lithographie Rayons X: Applications
Fabrication de dispositifs (microsystèmes) avec des rapports
d’aspect très importants

Exple: Hauteur de l’ordre du mm

Résolution latérale < 0.5 µm

54
 Lithographie Rayons X: Masques
Au Membrane

Masque RX
Difficulté de réalisation des masques
- L'or est opaque aux RX
-Forte absorption des matériaux

-Masque : Lignes d'or déposées sur membrane

par électrolyse (de 3 à 15 µm en fonction de la
hauteur de la résine)

Propriétés des membranes

Bonne transmission des rayons X
Stabilité mécanique
Résistance aux rayons X
Compatible au dépôt par électrolyse Coefficient d'absorption de
différents matériaux dans la
gamme de rayons X
Silicium – Nitrure – Titane - Diamant 55
Lithographie par impression: principes

Masque

Résine Gravure SC
SC

Impression

Motifs finaux

Séparation

Gravure résine

56
Lithographie par impression: principes
S-FIL: Step and Field Imprint
Lithography

D. J. Resnick, W. J. Dauksher, D. Mancini, K. J. Nordquist, T. C. Bailey, S. Johnson,

N. Stacey, J. G. Ekerdt, C. G. Willson, S. V. Sreenivasan, and N. Schumaker - SPIE
Microlithography Conference, February 2003.
www.molecularimprints.com
Master_RT_Part II 57
Lithographie par impression: les avantages

Précision des motifs indépendante de la longueur d’onde du rayonnement UV

Masque ré-utilisable si changement de génération technologique
Précision des motifs dépend du masque (réalisation par e-beam)
58
Lithographie par impression: les avantages
Nano-Imprint Step Flash Imprint
Lithography Lithography

Ref.
Transfert d’une monocouche
auto assemblée

D. J. Resnick, W. J. Dauksher, D. Mancini, K. J. Nordquist, T. C. Bailey, S. Johnson, N. Stacey, J.

G. Ekerdt, C. G. Willson, S. V. Sreenivasan, and N. Schumaker. www.molecularimprints.com
SPIE Microlithography Conference, February 2003. 59
Contents
• Introduction
- Basic concepts of technology
- Materials properties and material classes
• Technology and Analysis: Basic processes
- Film deposition Methods
- Lithography: Principles, and applications
- Material removing technique – etching, Chemical
Mechanical polishing

• Application to fabrication of complex circuits

• Characterisation techniques
- Scanning Electron Microscopy (SEM) and Near field
microscopy (AFM, STM)
60
Techniques de gravure: introduction
Gravure : Elément important de la fabrication des CI. Le transfert
d’un motif dans un matériau nécessite une étape de lithographie
suivie d’une étape de gravure.

On utilise généralement les gravures pour transférer des motifs dans :

Des matériaux SC (Mésa d'isolation, fabrication de
transistors bipolaires, micro-systèmes, …)

Des métaux (réalisation de CI, …)

Des diélectriques (réalisation de CI, …)

Gravures humides (attaque chimique)

On distingue 2
types de gravures
Gravures sèches (gravure plasma)
61
Techniques de gravure: Gravure humide
Principe

Solide + solution gravure  produits solubles

(Réaction de surface et dilution du matériau)

Exemple
Gravure des métaux par transfert électronique et création d’un ion soluble
Gravure des matériaux SC par des réactions d’oxydo-réduction
(oxydation du matériau, attaque de la couche d’oxyde)

62
Techniques de gravure: Gravure humide
Si
KOH – (10-50 %) gravure anisotropique (fonction de l’orientation cristalline) – Hydroxide de potassium
TMAH – Gravure anisotropique - Tetramethyle amnoniaque hydroxide -

SiO2
HF:H2O Gravure oxyde natif du silicium
HF (49%) Gravure couches sacrificielles d’oxyde (v > 1mm/mn)

GaAs
H2SO4:H2O2:H2O Gravure pouvant atteindre (v > 5mm/mn) selon dilution
NH4OH:H2O2:H2O solution de gravure de grande stabilité
HNO3:HF:O2

InP
HCL:H2O Grande vitesse de gravure élevée avec la température
HCL:HNO3 solution de gravure de grande stabilité
HCL:H2O2

Métaux
Al HCL:H2O2 HF:H2O Ref bouquins
Au HCL:HNO3 KI:I2:H2O KCN:H2O
Ti HF:H2O2
Cu HNO3:H2O 63
Techniques de gravure: Gravure humide

Vitesse de gravure déterminée par:

- La concentration de la solution de gravure
- Les conditions de gravure (température, agitation, …)
- La volatilité des produits chimiques
Les propriétés de la surface à graver (vitesse de diffusion des réactants,
orientation cristalline, …)

Gravure chimique de 2 types:

Isotropique
Anisotropique
64
Gravure humide: Profil de gravure isotropique
Gravure chimique généralement de type isotropique (vitesse de gravure identique
dans toutes les directions)

Vue de profil et de dessus

D’une gravure

Avantages et inconvénients
Très utile pour la fabrication de structures libres (poutres, membranes, …

Difficulté à réaliser des motifs fins à haut rapport d’aspect

65
Gravure humide: Profils de gravure anisotropique
Vitesse de gravure différente selon l’orientation cristalline (matériaux SC)

(111)

Gravure Si dans KOH (100)

54.7°

Vue de dessus et plan de coupe de rectangles dans un substrat Si orienté [100]

Remarque:

La hauteur de gravure peut être limitée par la largeur du motif . L’expression de

cette hauteur est déduite de l’angle alpha par
hmax  wmasque 2
66
Techniques de gravure: Gravure humide

67
Gravure humide: Profil de gravure anisotropique

Profils gravure y
Profils de gravure
GaAs orienté (100) en fonction du
x
dans Br:CH3OH O méplat

(111)

(100)
54.7°

Plan de coupe perpendiculaire Plan de coupe perpendiculaire

au grand méplat (Oy) au petit méplat (Ox) 68
Gravure humide : Exemples de résultats

Composant sur GaAs avec gravure profonde

Conséquence d'un
Utilisation de l'orientation cristalline
mauvaise orientation

69
Techniques de gravure: Gravure humide
Si InP : Profils de gravure à base HCl

Réalisation de microsystèmes
Gravures à base de KOH

Profil de gravure

TP DEA 2003
GaAs gravé NH4OH:H2O2:H2O
70
Techniques de gravure: Gravure sèche
La gravure sèche, communément appelée gravure « plasma », n’a pas
recours à des solutions liquides. On utilise des gaz qui peuvent être inertes
ou réactifs.
Plasma
Gaz ionisé électriquement neutre comportant des espèces excitées (électrons,
ions positifs et négatifs, atomes, molécules). Ionisation est obtenu à partir d’un
champ électrique intense.

Paramètre important : Taux d'ionisation

Réacteur RIE

Création
d'espèces 13,56 MHz : Fréquence industrielle
réactives
Substrat
Ions trop lourds/électrons pour répondre aux variations
rapides du champ électrique RF; oscillation des électrons pour
ionisation des molécules
Superposition signal
HF 13,56 MHz*
Accélération des ions vers le substrat par le champ électrique

Réacteur à plasma 71
Techniques de gravure: Gravure sèche
Utilisation des plasma en gravure

Les plasmas génèrent des ions qui peuvent être accélérés à des
énergies de 50 à 1000 eV au voisinage de la cible à pulvériser ou du
substrat à attaquer.

Utilisation des plasma pour des dépôts

Les plasmas peuvent générer des espèces chimiquement actives

Création des espèces par bombardement des atomes et molécules par des
électrons, création des ions, …

72
Gravures sèches: Profils de gravure
Caractéristiques de la gravure sèche
Meilleur contrôle des profils anisotropiques
Meilleure uniformité
Réalisation de profondes et « fines »

Profils de gravure
Possibilité de "moduler" le profil de gravure en fonction des caractéristiques
du plasma

Isotropique Directionnelle Anisotropique

Gravure Plasma
Différents types de gravure Gravure RIE (Reactive Ion Etching)
Et caractéristiques Gravure ICP [gravure profonde]
73
Gravures sèches: Profils de gravure
Domaine de pression Technologie Énergie d’excitation
Avantages et inconvénients des espèces
> 10-1 Torr Gravure par plasma Faible
• Fonctionne par attaque chimique de radicaux très
réactifs
• Isotropique
• Plus sélectif
• Pas de dommages dûs aux énergies des particules
incidentes
10-1 - 10-2 Torr RIE (Reactive Ion Etching) Assez élevé
• Fonctionne à la fois par pulvérisation physique et
attaque chimique
• Attaque directionnelle (anisotropique)
• Plus sélectif que la pulvérisation et l’usinage
ionique
< 10-2 Torr Pulvérisation et usinage ionique Élevée
• Fonctionne par transfert de moment des ions aux
atomes de surface
• Attaque directionnelle (anisotropie)
• Peu de sélectivité
• Possibilité de dommages dus aux énergies élevées

74
Gravures sèches: Exemple de sources de gravure

O2 Descuming résine

Matériau à Silicium SiO2 Siliciure

graver
SF6 CHF3 CFCl3
gaz CF4 + O2 CF4 + O2 CF2Cl2
HF CF4 + H2 CCl4
CFCl3 SiCl4 SF6

75
Gravures sèches: Gravure profonde
Principe
Passivation des Gravure
« murs » anisotropique

InP – 10 µm
ICP
Pression 0,5 – 100 mTorr
Densité plasma 10 11/cm2 76
Gravures sèches: Autres techniques –usinage ionique

Interactions ion-solide

Basse énergie Haute énergie

Gravure anisotrope

- Existence d'une séparation physique entre la formation des ions, leur

dispositif d'accélération et le porte substrat
-Création des ions:
Filament en W (Gaz neutres - Argon)
Décharge RF (2.4 GHz) (Gaz réactifs) 77
Exemple vitesse de gravure par usinage ionique

Si 215-500 500
GaAs 650 500

78
 Techniques de dépôts: Evaporation par effet Joule
Principe bâti évaporation par
Caractéristiques
EFFET JOULE

Mode de chauffage du creuset

Substrat
Enceinte
sous vide
Pression de vapeur du creuset
Balance quartz grande / matériau à déposer

Creuset Creusets: Matériaux réfractaires

[Tungstène (3400°C), Tantale(2600°C),
Molybdène(3000°C)]
Générateur
de courant
MATÉRIAUX DÉPOSÉS (IEMN)

Evaporation sous vide  diminution Métaux : Ca , Al , Au

pression de vapeur 1 Å/s < Vitesse de dépôt < 1000 Å/s
Epaisseur  2000 Å

Polymères :
Pentacene , sexithiophène , tri phenyl diamine (TPD)
Vitesse de dépôt ~ 0.1Å/s
Epaisseur de 200 à 700 Å 79
Techniques de dépôts: Evaporation sous vide

Evaporation sous vide  diminution pression de vapeur

80
Techniques de dépôts: Evaporation par canon à
électrons
Emission d’un faisceau électronique
Substrat (Filament de tungstène)
Enceinte
sous vide
Balance quartz
Déflection du faisceau avec un électroaimant
-
e

- 10 KV Creuset
Focalisation du faisceau vers un creuset (Cu)
refroidi
Filament + Lentille
magnétique

Matériaux déposés (IEMN)

Au , Ge , Ti , Al , Pt , Pd , AuGe
Vitesse de dépôt  5Å/s
Epaisseur  5000 Å

Ir , W , NiCr , Ni
Vitesse de dépôt  1Å/s
Epaisseur  1000 Å

Technique adaptée au lift-off 81

Techniques de dépôts: Evaporation sous vide
Applications : dépôts contacts ohmiques, contacts Schottky

82
Techniques de dépôts: Evaporation par effet Joule
Contact ohmique type p :
Pt/Ti/Pt/Au (100/400/100/500)
Contact ohmique type n :
Au/Mn/Ni/Au (400/400/100/2000)

Ni/Ge/Au/Ti/Au (150/195/390/500/2000)
Contact ohmique sur GaSb :
Ni/Ge/Au/Ni/Au (25/400/800/50/600)
Pd/Pt/Au (500/100/600)
Ge/Au/Ni/Au (400/800/200/600)

Contact ohmique sur GaN :

Ti/Al/Ni/Au (150/2200/400/500)
Contact ohmique type pMOS sur SOI:
Ge/Pt; Pt; Ir Contact schottky :
Ti/Pt/Au (250/250/3500)
Web IEMN Contact schottky sur GaN :
Pt/Au (100/1000)
Plôts épaississement :
Ti/Au (1000/4000) 83
 Techniques de dépôts: Métallisation par électrolyse
Principe
Passage du courant dans une solution électrolytique appropriée où le métal à
déposer est dissous.
 Réactions chimiques au voisinage de la cathode. Chaque anion capte 1 ou
plusieurs électrons pour donner un atome neutre qui se dépose sur la surface de
l'échantillon

Multimètre
Anode Cathode

Chauffage Générateur
Agitation
de courant

84
Techniques de dépôts: Métallisation par électrolyse

Applications Métallisations épaisses (e > 1 μm)

Réalisation de pont à air

Substrat

Ligne coplanaire

85
Techniques de dépôts: Métallisation par électrolyse

Applications Réalisation de pont à air

Résine épaisse Electrolyse Film métallique

Résine

Substrat semi-isolant Substrat semi-isolant

86
Techniques de dépôts: Métallisation par électrolyse

Applications Réalisation de ponts à air (1/2)

87
Techniques de dépôts: Métallisation par électrolyse

Applications Réalisation de pont à air (2/2)

88