Digitalis Elektronika

Dr.
Glöckner György: Digitálistechnika, digitális elektronika

1
DIGITÁLIS ELEKTRONIKA
E fejezetben a mikroszámítógépek integrált áramköri elemeinek villamos tulajdonságaival,

technológiájával és logikai kapcsolásaival foglalkozunk.
.1. Statikus és dinamikus villamos jellemzők
.1.1. Logikai szintek, pozitív és negatív logika
Régebben a digitális áramkörök alapelemei a relék voltak, és így az információt hordozó

jellemző az elektromos áram volt. A logikai 1 ill. 0 értékeket a "folyik áram" ill. "nem folyik
áram" állapot jelentette. Később a tranzisztorok majd az integrált áramkörök megjelenésével a
digitális áramköröknél a feszültségszint vált az információ hordozójává.
Azokat a feszültségszinteket, melyekhez logikai értékeket rendelhetünk, logikai szinteknek
nevezzük. Áramköri leírásnál (pl. katalógusokban) gyakran a 0 és 1 helyett, azokkal
„szinonim” módon L (Low = alacsony) és H (High = magas) jeleket használunk. Az 1.a.
ábrán ezen jelölésekkel látható egy igazság táblázat.
Összefüggés Pozitív logika Negatív logika

esetén esetén
A B Y A B Y A B Y
L L L 0 0 0 1 1 1
L H H 0 1 1 1 0 0
H L H 1 0 1 0 1 0
H H H 1 1 1 0 0 0
a. b. c.
1. ábra
Amennyiben az alacsonyabb logikai feszültségszinthez (L) rendeljük hozzá a logikai 0-t, és a

magasabb logikai feszültségszinthez (H) a logikai 1-et, akkor az 1.b. ábra igazságtáblázatát
nyerjük. Ez – mint korábban már láttuk – a logikai VAGY összefüggést adja. Ha azonban
fordított módon feleltetjük meg egymásnak a jelszinteket és a logikai értékeket, úgy az 1.c.
ábrát kapjuk, amely logikai ÉS kapcsolatot mutat. Az előző megfeleltetést pozitív, míg
utóbbit negatív logikának nevezzük.
Mi a továbbiakban pozitív logikát fogunk használni.
A digitális áramkörök az 1960-as évek közepétől már integrált áramkörös megvalósításúak

(ez azonban nem zárja ki, hogy pl. egy vezérlés egyes részeinél - pl. teljesítményfokozat,
beavatkozó szervek - ne alkalmazzanak diszkrét elemeket pl. tranzisztorokat, stb.).
A digitális áramkörök egyenfeszültséget igényelnek működésükhöz, így tápfeszültségről
működnek. Ez az esetek túlnyomó részében egyetlen tápfeszültséget jelent. Korábban szinte
kizárólag a +5V-os tápfeszültség volt elterjedve, és ez az 5V kvázi-szabvánnyá vált. Az
utóbbi egy-két évtizedben tendenciává vált a tápfeszültség csökkenése. Ennek okait a
tápfeszültségről szóló alfejezetben tárgyaljuk majd.
Dr. Glöckner György: Digitálistechnika, digitális elektronika
2
Ideális áramkörnél a logikai 1-nek a +UT, míg a logikai 0-nak a 0V felelne meg. Azért
tekintjük ezt ideális esetnek, mert így van egymástól a legtávolabb a két jelszint, vagyis így
különböztethetők meg legjobban egymástól. E távolságnak később még kézzelfoghatóbb
fontosságát is látni fogjuk a zavarvédettség kapcsán.
A logikai áramkörök tényleges megvalósítása (áramköri logikák) azonban ideálistól eltérő
H és L szinteket eredményez. Ezen H és L szintek konkrét értéke különböző áramköri
logikánál is általában eltérő. Az áramköri logikákról külön fejezet szól a későbbiekben.
Egy adott áramköri logikánál normál körülmények között a leggyakrabban előforduló és
mérhető H és L szinteket tipikus H (tipikus 1, U1) és tipikus L szinteknek (tipikus 0, U0)
nevezzük. A tipikus logikai 1 szint (H) jellemzően a tápfeszültség (pl. +5V), míg a logikai 0
szint (L) a 0V közelében helyezkedik el.
Az áramköri megvalósítás és használat során a gyakorlatban a logikai szintek mind az
tipikustól eltérnek. Okok lehetnek többek között:
o ha a kimenetet több - de a megengedettnél nem több - további áramkörrel (IC-vel)
terheljük
o a környezeti körülmények (pl. hőmérséklet, páratartalom, stb.) referencikörülményektől
eltérő esete. A referencia körülményeket az áramkörökre a katalógus definiálja.
o a gyártási pontatlanság és szórás előfordulása.
Így a H és L szint sem definiálható egy-egy feszültség szint értékkel, hanem csak egy-egy
feszültségszint-tartománnyal. Az említett – ideálistól eltérő körülmények miatt a tipikus
jelszint romlik vagy romolhat, vagyis közeledik az ellentétes logikai értéket jelképező jelszint
felé (és a később értelmezendő komparálási feszültség felé). Ezért a gyártók definiálják az
áramkör kimenetére a legrosszabb esetre vonatkozó értékeket (U1min ill. U0max).
A logikai szintek definiálhatók az egyes áramkörök bemenetére és kimenetére is.
Ezt illusztrálja a 2. ábra. Egy-egy integrált áramkör (Integrated circuit, IC) kimenetére és
bemenetére mutatjuk be a logikai szintek értelmezését. A jobb érthetőség kedvéért ú.n.
egyvonalas rajzot tüntettünk fel mind az első áramkör kimenetére mind pedig az őt terhelő,
második áramkör bemenetére vonatkozóan.
+UT +UT
U1
U1min
Ube1min
Uki Ube
IC1 Uk Uk IC2
Ube0max
U0max
U0
0V (GND) 0V (GND)
2. ábra
3
Ezen egyvonalas rajzot a definiált feszültségértékekkel a vonal két végpontján található a

tápfeszültség (+UT) és a 0V (GND: GrouND - „földpont”) között rajzoltuk meg.
A kimeneti vonalas rajzon sorban fentről lefelé a következő feszültségek láthatók:
o +UT: tápfeszültség az áramkör(ök) működéséhez szükséges feszültség a 0V-hoz képest
o Uki1: tpikus logikai 1 feszültségszint
o Uki1min: a kimeneti feszültség értéke, melynél a logikai 1 (H) szint értéke legrosszabb
körülmények között sem kisebb.
o Uk: komparálási (átváltási) feszültségszint, mely alatt L és mely felett H kimeneti logikai
feszültségszintet értelmezünk
o Uki0max a kimeneti feszültség értéke, melynél a logikai 0 (L) szint értéke legrosszabb
körülmények között sem nagyobb.
o Uki0: tpikus logikai 0 feszültségszint
o 0 V: a két pont között definiált tápfeszültség negatívabb pontja (tápfeszültség
referenciapontja).
Mivel a bemeneteken kimenetek hozzák létre a feszültség szintet, ezért itt tipikus értékek
nincsenek ill. legrosszabb esetre definiált értékek definíciója is eltérő a kimenetekétől.
(Természetesen a bemenet ill. a kimenetre kapcsolt bemenetek száma befolyásol(hat)ja a
kialakult értéket.). Így a bemeneti vonalas rajzon sorban fentről lefelé a következő
feszültségek láthatók:
o +UT: tápfeszültség az áramkör(ök) működéséhez szükséges feszültség a 0V-hoz képest
o Ube1min: a bemeneten logikai 1 (H) szintként elfogadott feszültség érték minimuma
(megengedett minimum).
o Uk: komparálási (átváltási) feszültségszint, mely alatt L és mely felett H kimeneti logikai
feszültségszintet értelmezünk
o Ubei0max a bemeneten logikai 0 (L) szintként elfogadott feszültség érték maximuma
(megengedett maximum).
o 0 V: a két pont között definiált tápfeszültség negatívabb pontja (tápfeszültség
referenciapontja).
Ahogy az ábrán is próbáltuk jelezni, mind az H, mind a L szinten a bemenet és a kimenet

között van egy ú.n. biztonsági sáv, mely további garanciát nyújthat, nehogy rosszul
értelmezze egy bemenet a kapott (kialakult) jelszintet. Gyakran – hibásan – a H és L szinten
így kapott feszültségkülönbségeket (Ube1min - Uki1min és Ubei0max - Uki0max) zavarvédettségi
értéknek (ld. később) értelmezik. Az bizonyos azonban, hogy e különbség értékek a
zavarvédettséget növelhetik.
.1.2. Zavarok, zavarvédettség, átviteli (transzfer) karakterisztika
Elektronikus áramköröknél gyakori behatásként jelentkezhetnek zavarok, melyek a

környezetből származhatnak (villámlás, erősáramú vezetékek, stb. okozta hatások). Ha a
zavarjelek amplitúdója elég nagy, akkor az áramkörök kimenetének állapotát is
befolyásolhatják, megváltoztathatják, s így hibás működés jöhet létre.
Az áramkör e zavarokkal szembeni védettségét zavarvédettségnek nevezzük.
Megkülönböztetünk statikus és dinamikus zavarokat. Előbbiek egyenáramú vagy lassan
változó jellegűek, míg utóbbiak lefolyási ideje ill. időparaméterei az áramkör időzítési
4
paramétereinek nagyságrendjébe esnek. Ennek megfelelően definiálható a statikus és

dinamikus zavarvédettség (zavarérzéketlenség) fogalma.
Fontos fogalom az átviteli ( transzfer) karakterisztika, mely a kimenő feszültség ábrázolása a

bemenő feszültség függvényében (általában inverterre adják meg). Így az a logikai 1 és 0
szintjei közötti állapotokról is felvilágosítást ad. Egy általános invertáló jellegű transzfer
karakterisztika látható a 2.a. ábrán. Megszerkesztettük a karakterisztikának 45o-os egyenesre
való tükörképét (Uki=Ube) is – ennek hasznát majd később mutatjuk be. A két görbe
metszéspontjában kapjuk a komparálási (kapcsolási) pontot. A K az ún. komparálási ponthoz
tartozik az uk komparálási feszültség. u0 ill. u1 a 0 ill. 1 szintek tipikus feszültségét jelentik.
Látható, hogy uz0 = uk - u0 ill. uz1 = u1 - uk az a zavarfeszültség, amely még éppen nem
okoz téves kimenetet. Ezt egy inverterlánccal igazolhatjuk, vizsgálva azt, hogy az inverterlánc
során vajon mekkora zavarfeszültség esetén regenerálódik a jel
(2b. ábra). Ehhez a jelet végig kell tükröznünk az Ube=Uki egyenesre, hiszen az egyik
inverter kimenete a következő inverter bemenete (ld. a 2.a. ábra szaggatott vonala). Így
juthatunk arra a következtetésre, hogy uz0 = uk - u0 ill. uz1 = u1 - uk azok határértékek,
mely elválasztja azt az értéktartományt melyekben még regenerálódik a jel ill. melyekben már
nem.
Belátható, hogy minél nagyobb e két érték, annál nagyobb az áramkör zavarérzéketlensége
(zavarvédettsége).
uki
uT
uki=f(ube)
uki=ube
K
uk
uz
u0
-uz
ube
u0 uk u1 uT
ube0=u0+uz ube1=u1-uz
2.a. ábra
2.b. ábra
5
Az u0, mind az u1 értékek adott áramkörnél ú.n. tipikus értékek. Ez azt jelenti, hogy
jellemzően ilyen értékeket vesz fel a logikai 0 és logikai 1 állapotban. Adott áramköröknél is
gyártási szórás, hőmérsékletváltozás, öregedés, stb. miatt a megadott uk, u0, u1 feszültségek
nem definiálhatók 1-1 feszültség értékkel, hanem csak 1-1feszültség sávval. Ez igaz a
transzfer karakterisztikára is. Ugyanakkor (ezt később részletesebben látni fogjuk) az u0 és u1
feszültségek a kapcsolástól függően (pl. hány bemenet terhel egy kimentet) lényegesebben is
változhatnak. E változás általában a kedvezőtlenebb irányba történő módosulást jelent, vagyis
u0 nő, u1 pedig csökken. Ez a zavarvédettség szempontjából egy kedvezőtlenebb
"konstellációt" eredményez 2.c. ábra.
uki
uT
u1 uki=f(ube)
uki=ube
K
uk
uz
u0
-uz ube
ukmin ukmax
u0 u0max u1min u1
uk uT
ube1=u1min-uz
ube0=u0max+uz
2.c. ábra
Az ábrán láthatók az ideálistól eltérő értékek. Ez alapján az áramkör által még hiba nélkül
elviselhető zavarjel értéke csökken, ezen ú.n. legrosszabb esetre (worst case: wc) megadható
értékek logikai 0 szintnél uz0wc = ukmin - u0max , míg logikai 1 szintnél.
uz1wc = u1min - ukmax. Figyelembe vettük azt is, hogy a valóságban a transzfer
karakterisztika sem egy görbe, hanem egy görbe sereg!
6
.1.3. Meghajtóképesség (Fan-out)
Az integrált áramkörök általában egy összetettebb kapcsolás részelemei. Az egyik elem

kimenete a másik elem bemenetére kapcsolódik. Minden digitális áramkör bemenete
bemeneti impedanciájával terhelést jelent az azt megelőző fokozat kimenetére nézve. Azt,
hogy egy adott kimenet - a specifikációk megtartása mellett - hány szabványos bemenetet
(az adott logikára jellemző ún. egységterhelést = fan-in-t) tud meghajtani, fan-out-nak
nevezzük (13.a. ábra). Ez más és más lehet logikai 0 és 1 szinten.
A fan-out fogalma fenti értelmezésben (dc fan-out) elsősorban egyenáramú tulajdonságot

jelent. Ugyanakkor előfordulhat, hogy egyenáramú terhelés vonatkozásában megfelelő a
kapcsolás (vagyis a kimenet által meghajtott szabványos bemenetek száma az előírtat nem
haladja meg), ugyanakkor a terhelés(ek) - párhuzamosan kapcsolódó, és így összeadódó -
kapacitásai a megengedettnél nagyobb késleltetést jelentenek, az áramkör sebességét
csökkenti(k) - 13.b. ábra. Ezért célszerű tehát dinamikus szempontból is definiálni ill.
meghatározni az áramkör fan-out-ját, ez az ún. ac fan-out. Míg tehát a dc fan-out a villamos
terhelhetőségről nyújt információt, addig az ac fan-out azt mondja meg, hogy az áramkör
milyen kapacitív terhelést (hány kapacitív egységterhelést) visel el úgy, hogy specifikált
dinamikus paraméterei (sebesség, jelkésleltetés) nem szenvednek csorbát.
Hogy hogyan befolyásolhatja a kapacitív terhelés a sebesség (jelterjedés - ld. következő

alfejezet) értékét, arra fontoljuk meg a 3.a.-c. ábrasor alapján a következőeket.
logikai 1. logikai uki

Ct1
áramkör áramkör
2. logikai
áramkör ube Ct2
n. logikai
áramkör Ctn
3.a. ábra 3.b. ábra

7
Összességében Ct=Ct1+Ct2+..+Ctn összefüggést kapunk. Tételezzük fel, hogy egy áramkör

bemenete ugrásszerűen megváltozik, például logikai 0-ról logikai 1-re (3.c. ábra).
A 3.b. ábrán látott soros hozzávezetési ellenállás és a bemeneti kapacitások által
meghatározott Tt=RCt időállandót definiálhatunk. Az ugrásjelre mutatott válaszjelet a 3.c.
ábrán láthatjuk. Amennyiben csak 1 terhelő áramkörünk van, úgy T1=RCt1, míg a látott n
számú terhelőáramkör esetén Tt=RCt érvényes. Előbbi esetben meredekebb, míg utóbbi
esetben „lankásabb” felfutású exponenciális görbénk lesz az RC hálózat kimenetén
ube
uki
Tt1 Tt
uk
3.c. ábra
Az ábrán bejelöltük az időállandókat és azt is, hogy egy esetleges komparálási feszültséget
hol metszenének a jelek: ennyi többlet-késleltetést jelentene a jelkésleltetésnél (ld. következő
alfejezet) - hiszen ennyivel később észlelné a logikai szint megváltozását a következő
bemenet.
.1.4. Jelterjedési idő (propagation delay)
Az áramkörök véges működési sebessége miatt a bemeneti jel megváltozását csak véges
idővel követi a kimeneti jel megváltozása. Sőt, általában a kimenet H L és L H változása
sem ugyanannyi idő alatt zajlik le. Előbbit tpHL-lel (vagy tpdo-lal), utóbbit tpLH-val (vagy tpd1 -
gyel) jelöljük . A jelterjedési idő fogalmát a két idő számtani átlagával definiáljuk (ld. 4.
ábra).:
t pd0  t pd1
t pd   [ns]
2
8
ube
100%
50%
0% t
tpd0 tpd1
uki
100%
50%
0% t
4. ábra
A jelterjedési idő mérése két módon történhet. A kimeneti és bemeneti görbén vagy az 50%-
os jelszint (ld. 4. ábra) vagy pedig a komparálási feszültség jelszint metszésével kapott
pontok között eltelt időt hasonlítjuk össze.
A jelterjedési időt járulékosan növelik kapacitív terhelések (ld. korábban 1.3. fejezetnél). Így
áramköri logika (ld. később 2.1. fejezetben) megválasztástól függően akár jelentős
többletkésleltetést okozhatnak a kapacitív terhelések. MOS logikáknál jelentősebb lehet a
többletkésleltetés, míg bipoláris logikák valamelyest jobban „tűrik” ezt. Ennek indokaként
röviden csak annyit mondunk, hogy MOS logikák kisebb, míg bipoláris logikák nagyobb
áramokkal dolgoznak, így a terhelő kapacitásokat előbbiek lassabban, utóbbiak gyorsabban
tudják feltölteni ill. kisütni átkapcsoláskor.
.1.5. Disszipáció
Az áramkörök működésükhöz a tápfeszültségből áramot vesznek fel, így rajtuk teljesítmény

disszipálódik ( Pd ). A disszipáció definícióját általánosan a következő összefüggés adja meg:
n
P   (U  I )  [V  mA  mW]
d(átlag) i1 Ti Ti
[P]=[V*mA=mW].Itt n az összes tápfeszültségek számát adja meg általánosan.
9
Nem egyforma az áramkörök adott állapotbeli (adott bemenetek és ennek megfelelően

megállapodott kimenetek) és állapotváltáskori (bemenet állapotának megváltozása miatt az
áramkör állapota, kimenetének állapota megváltozik) disszipációja. Előbbi a statikus, míg
utóbbi a dinamikus disszipáció. Vannak logikák (pl. bipoláris – ld. később), melyeknél a
statikus és vannak (CMOS – ld. később), amelyeknél a dinamikus disszipáció a domináns.
.1.6. 1.6. Jósági tényező
Általában technológiák ill. áramköri logikák (ld. később) használják. Az adott technológia
vagy áramköri logika jellemző és elemi egységének (pl. NEMÉS vagy VAGY kapu), kapuja
disszipációjának és jelkésleltetési idejének szorzataként (SPP= Pd  t pd - SPP: Speed Powe
dissipation Product – Sebesség disszipáció szorzat) definiáljuk a jósági tényezőt. Mivel mind
a disszipáció mind a jelkésleltetési idő minél kisebb értéke a kedvező, így annál jobb a logika,
technológia, minél kisebb a jósági tényező. E két villamos paraméter azonban általában
egymástól függetlenül nem módosítható, az egyik javítása gyakran a másik rovására megy
(erre példát a későbbiekben is látni fogunk), ezért értékük többnyire kompromisszum
eredménye. A logaritmikus léptékű Pd – tpd síkon elhelyezve az áramkörcsaládokat (ezeket ld.
később), az azonos SPP értékű vonalak mutatják az egyforma jóságú áramköröket (5. ábra).
„Ekvipotenciális” vonalak:
lg(tpd) azonos SPP-értékű pontok
MOS (1-1 vonal mutatja az
eszközök „egyformán jó” eszközöket)
tarto-
mánya
Bipoláris
eszközök tartománya
SPP  t  P  [ns  mW  pJ] lg(Pd)

pd d
5. ábra
10
.2. Integrált logikai áramkörrendszerek
A logikai összefüggések konkrét áramköri megvalósításával különböző logikák jöttek létre.

Kezdetben főként a bipoláris logikák voltak jelen, de a technológiák fejlődésével előtérbe
kerültek a MOS elemek is.
.2.1. Bipoláris logikák
A. A TTL áramköri elemcsaládok

A TTL elemek 1965-ben jelentek meg és hosszú ideig egyeduralkodók voltak a digitális
technika területén. Ma is több továbbfejlesztett változata (pl. LS TTL) elterjedt katalógus-
áramköri elem.
A következőkben kissé részletesebben mutatjuk be a TTL alapáramkör működési elvét.
Az alapelem működését úgy érthetjük meg legkönnyebben, ha az ismert egyszerűsített
tranzisztor-modell szerint a tranzisztor BE és BC átmenetét diódával helyettesítjük (6.a. és
6.b. ábra). A D1, D2 és R1 ismert módon logikai ÉS funkciót valósítanak meg, T2 és R2 pedig -
ugyancsak ismert módon - inverterként funkcionál. DS dióda a T2 tranzisztor BE
+UT
R1 R2
Y = A B
D1
A T2
DS
B
D2
6.a. ábra
diódájának nyitófeszültségét tolja el, kétszerezi meg. A két szakasz így együtt NAND kapu
szerepét látja el. A 6.b. ábrán a diódák helyett a tényleges tranzisztorokat tüntettük fel.
+U T
R1 R2
A T2
B T1
6.b. ábra
A T1 tranzisztor több-emitteres, vagyis így alakítható ki több bemenet. A több-emitteres
tranzisztor bipoláris technológiában könnyen megvalósítható.
11
7.a. ábra
SiO2 E B C
n+ p
p+ n p+
eltemetett réteg
p típusú hordozó
npn bipoláris
tranzisztor
Ha a 7.a. ábrát tekintjük, mindössze a p réteget szélesebbé kell nyújtanunk, és abba több n+
zsebet kell kialakítani kivezetéssel együtt.
SiO2 E1 E2 E3 B C
n+ n+ n+ p
p+ n p+
Eltemetett réteg
p típusú hordozó
több-emitteres npn
bipoláris tranzisztor
7. b. ábra
12
A gyakorlatban használt teljes NAND kapu a 8.a. ábrán látható. Felismerhetők az 7. ábrán
megismert NAND kapu elemei: T1, R1 ,T2 és R1 (R3-mal kiegészítve), míg T3, D, T4 és R4
pedig egy ellenütemű erősítős kimeneteti fokozatot alkot.
+UT
130  R4
4 k R1 1,6 k R2
T4
A T2 D
B T1 Y
T3
1 k R3
8.a. ábra
A működés kimerítőbb tárgyalásától eltekintünk, de a 8. és 9. ábrán - részletes magyarázat

nélkül - bemutatjuk a transzfer karakterisztikát és annak a bemenet (pl. A)
feszültségszintjétől függő négy szakaszát - a másik bemenetet “1” szintűnek tételeztük fel.
Uki V
5
4 I. (T1, T4 vezet, T2, T3 lezárt)

II. (T1, T2,T4 vezet, T3 lezárt)
3
III. (T1, T2, T3, T4 vezet)
IV. (T1, T2, T3 vezet, T4 lezárt)

1
Ube V
0
0 1 23 4 5
9. ábra
Az Texas Instruments cég SN74.. sorozatának (normál TTL) rendszerében a szintek a
következőképpen specifikáltak, garantáltak (10.a. ábra):
13
+UT T1 és T4 nyitott
130  R4
4 k R1 1,6 k R2 és T3 zárt
T4
A T2 D U  U U U 
Y ki T BE4 D
T1
B  U - 2 U
T3 T BE
Ube=0....+0,7V 1 k Uki
R3
UGND=0V
+UT
T 1, T2 és T4 nyitott
130  R4
4 k R1 1,6 k R2 T3 zárt
T4
U =U -I R  U U 
D ki T C2 2 BE4 D
A T2 Y R
 U  2  (U  U
B T1
)  2 U
T3 T R be BE2 BE
Uki 3
Ube=0,7...+1,4V 1 k
R3
UGND=0V
+UT
130  R4
4 k R1 1,6 k R2
T4
T1, T2, T3 és T4 nyitott

A D
T2 Y
B T1
T3
Ube  +1,4V 1 k Uki
R3
UGND=0V
14
+UCC
130  R4
4 k R1 1,6 k R2
T4
A T2
T1 D Y
B
T3 U =U
ki CE3s
Ube  1,4...+5V 1 k Uki
R3
UGND=0V
8.b. ábra
T1, T2, T3 nyitott

T4 zárt
15
logikai 0 szint (L) logikai 1 szint (H)

bemenet 0 - 0,8 V 2,0 - 5 V
kimenet 0 - 0,4 V 2,4 - 5 V
10.a. ábra
Az SN 74.. sorozat elemei szabvány terhelhetősége ill. terhelése (9.b. ábra):
logikai 0 szint (L) logikai 1 szint (H)

bemenet -1,6 mA 40 A
kimenet 16 mA 400 A
10.b. ábra
Eszerint a kimenet szabványos terhelhetősége (fan-out) ezen áramkörcsaládon belül mind

logikai 1 szinten (400µA /40µA= 10), mind logikai 0 szinten (16mA / 1,6mA = 10) N = 10.
Az áramkörcsaládra jellemző jelterjedési idő:
tpd0= 7..8 ns
tpd1=11..13 ns,
így az átlagos jelterjedési idő: tpd= 10 ns.

A jelterjedési idő a terhelő kapacitás növekedésével természetesen növekszik.
TTL áramköröknél a szabadon hagyott bemeneteket értelemszerűen H szintként érzékeli az

áramkör, és ez a parazita kapacitás miatt ilyenkor csekély mértékben csökkentheti az
átkapcsolási sebességet. Legcélszerűbb a fel nem használt bemeneteket logikai 1 szintre
kötni: például ellenálláson keresztül a tápfeszültségre (+5V-ra).
Az SN74.. kapuáramkörök tápáram-felvétele statikus esetben (nyugalomban) a kimenet 1
állapotában 3 mA, 0 állapotában 1 mA, vagyis az átlagos disszipáció 10 mW. A jósági
tényező így 100 pJ. Átkapcsolás közben jelentős tápáram-tranziens léphet fel (01 ill. 10
váltásnál).
Egy továbbfejlesztett TTL sorozatnál a kapuáramkörök fogyasztásának csökkentése
érdekében az áramkörökben szereplő ellenállásértékeket nagyobbra választották (adott
tápfeszültség, nagyobb ellenállás kisebb áram = kisebb disszipáció). Ez a sorozat a 74L..
(L: Low-power) . Így a kapunkénti disszipáció 1 mW-ra csökken, ugyanakkor a jelterjedési
idő 30 ns-re nőtt (jósági tényező: 30 pJ).
A sebesség növelésének egyik útja az, hogy nagyobb áramokkal dolgozunk, így a terhelő
kapacitások feltöltése ill. a telítésbe vitt tranzisztorok onnan való kihozatala gyorsabban
történik. Az áramok növelése az alkalmazott ellenállások csökkentése útján valósítható meg.
Az így létrehozott 74H.. sorozat elemi kapujának jelterjedési ideje
6 ns-ra csökkent, ugyanakkor azonban a disszipáció 22,5 mW-ra nőtt.
A sebességnövelés másik útja közönséges bipoláris tranzisztor helyett telítésgátolt bipoláris
tranzisztor alkalmazása. Az ilyen megoldású ún. Schottky-tranzisztoros (74S..) sorozatnál az
elemi kapu átlagos jelterjedési ideje 5 ns-ra csökken, a kapunkénti fogyasztás ugyanakkor
19 mW.
A Low Power (kis-fogyasztású) Schottky 74LS.. sorozat az 74L.. és 74S.. sorozat előnyeit
16
kívánja egyesíteni, így a 74..-hez képest kisebb fogyasztás, de a 74L..-hoz képest nagyobb
sebesség hozható létre. E család 9,5 ns-os jelterjedést és 2 mW-os kapunkénti fogyasztást
eredményezett.
Az igen gyors 74F.. (F: Fast) sorozat 1980-ban jelent meg, de magas költsége miatt nem
terjedt el. Jelterjedési ideje 2,5-3 ns, kapunkénti disszipációja 4 mW.
A továbbfejlesztett Schottky (Advanced Schottky, 74AS..) és kis-fogyasztású
továbbfejlesztett (Advanced Low-power Schottky, 74ALS..) az elterjedtebbek. Előbbit 1,7 ns
és 8 mW, utóbbit pedig 4 ns és 1,2 mW jellemzi.
Az egyes sorozatok jelszint és fan-out vonatkozásban nem teljesen kompatibilisek egymással.
A jelszintek definiálásában kicsi az eltérés, a fan-out fogalma pedig az egyes áramkör
családokon belül értelmezett. Így pl. az LS TTL-nél megadott 20-as érték standard TTL
terhelések esetén csak n=5-öt jelent. Ennek megfelelően különböző típusok összekapcsolása
esetén megfontolt tervezésre van szükség.
Az említett továbbfejlesztett áramkörök paramétereit az 1. táblázat foglalja össze.
Ha sok tranzisztor és így sok kapu kap helyet egy adott térfogatban ez már jelentős
hőtermelést okoz. Ezért szükségszerű a fajlagos (kapunkénti) disszipációt a lehető legkisebbre
szorítani. A bipoláris technológiai logikák kivétel nélkül ilyen gondokkal küzdenek.
Tételezzünk fel csak egy VLSI áramkört, amely - mai viszonyok között sem túl nagy számot
jelentő - 100 ezer  több tízmillió tranzisztort tartalmaz. Ez még az utoljára említett ALS
sorozat technológiáját is használva 1000 vagy 10000 W nagyságrendű disszipációt jelentene.
Ekkora disszipáció egy integrált chipben nem valósítható meg. Ezért a bipoláris áramkörök
elsősorban az SSI - LSI kategóriákban játszanak nagy szerepet. Ez a témakörünk
szempontjából azt jelenti, hogy mikroszámítógépeknél főleg kiegészítő, illesztő, meghajtó,
stb. funkciókat látnak el a nagyobb bonyolultságú MOS integrált áramkörök mellett.
TTL áramkörök esetén még egy fontos kérdésről kell szólni, ez a kimenetek típusai. A
leginkább használatos kimeneti típus a már megismert ellenütemű, ún. totem-pole kimenet.
Emellett létezik és fontos szerepet kap a nyitott kollektoros kimenet is. Ennek megértéséhez
tekintsük a 11.ábrát. A kimeneti tranzisztor szabadon hagyott kollektora módot ad arra, hogy
több közösített ilyen kimenet összeköttetésével ún. huzalozott ÉS kapcsolatot alakítsunk ki.
Ezáltal nem kell külön ÉS kaput használni a fokozat után.
A harmadik fontos kimenet az ún tri-state kimenet. A tri-state háromállapotú kimenetet jelent,

vagyis a megszokott H és L mellett egy harmadik, ún. nagyimpedanciás állapot is
kialakítható. Ha az alap-inverternél lehetővé tennénk, hogy a kimeneti tranzisztorokat ne csak
ellenütemben, hanem egymástól függetlenül is vezérelhessük, úgy létrehozható olyan
kimeneti állapot, melynél mindkét kimeneti tranzisztor ki van kapcsolva. Ekkor a kimenet
mintegy lekapcsolódnak a következő fokozat bemenetéről. Vagyis ilyenkor nagyimpedanciás
kapcsolat jön létre az elem és a környezete között. Ez olyan kapcsolástechnikában igen
kedvező, ahol több kimenetet kell egy vonalra kötni, de természeten egy időben csak egy
aktív (pl. számítógépek adat-, cím- és vezérlővezetékei: buszok)
17
Tulajdonság TTL Család Dimenzió

Eset Jellemző Jelölés 74 74S 74F 74LS 74AS 74ALS
Jelterje tpd 10 3 3 9 1.7 4 ns
dési idő Pd 10 19 4 2 8 1.2 mW
Disszip
Pd tpd szorzat (SPP) PDP 100 57 12 18 13.6 4.8 pJ
áció
Magas VH 3.4 3.4 3.4 3.4 3.4 3.4 V
Feszültség-
Komparálási VC 1.4 1.25 1.4 1.1 1.4 1.4 V
szintek
Alacsony VL 0.2 0.35 0.3 0.35 0.35 0.35 V
Magas kimenet VOHmin 2.4 2.7 2.7 2.7 (VCC-2) (VCC-2) V
Logikai
feszült- bemenet VIHmin 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 V
ség Alacsony kimenet VOLmax 0.4 0.4 0.5 0.5 0.5 0.5 V
Worst szintek bemenet VIHmax 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 V
case
Bemeneti magas IIHmax 40 50 20 20 20 20 A
áram alacsony IILmax -1.6 -1.6 -2 -0.6 -0.4 -0.5 mA
Kimeneti magas IOHmax -400 -1 -1 -0.4 -2 -0.4 A
áram alacsony IOLmax 16 20 20 8 20 8 mA
Fan out N 10 10/20 20 20 40/100 20/80
1. táblázat
18
+UT
R1 R2 Rt
B T2
T1
A T3
R3
Y
+UT
R1 R2
D T2
T1
C T3
R3
11. ábra
A Texas Instruments cég SN sorozatú digitális integrált áramkörei több hőmérséklet-

tartományú kivitelben készülnek:
SN74... sorozat (normál, kommersz, ipari kivitel) 0 - +70oC
SN54... sorozat (kiterjesztett ipari kivitel) -25oC - + 85oC
o
SN84... sorozat (katonai kivitel) -55 C - + 125oC
Az SN-t követő 2 szám után 2 vagy 3 számjegy következik, amely a funkciónak megfelelő
típust jelöli (pl. 4 db 2 bemenetű ÉS kapu normál ipari kivitelben: SN7400, 2 db újraindítható
monostabil elem katonai kivitelben: SN84123, stb.). Amennyiben valamelyik tovbbfejlesztett
elemcsaládról van szó, úgy az SN és az azt követő 2 számjegy után valamint a típust jelölő 2
vagy 3 számjegy elé kerül az áramkörcsalád jele (pl. LS: SN74LS00, stb.).
B. Egyéb bipoláris logikák

Az egyéb bipoláris logikák közül az ECL logikát érdemes megemlíteni.
Az ECL (Emitter Coupled Logic: emitter csatolt logika) a TTL logikákhoz képest abban a
fontos tényben tér el, hogy itt a tranzisztorok nincsenek telítésbe vezérelve : vagy lineáris
tartományban működnek vagy ki vannak kapcsolva. Ebből adódóan gyors működésűek,
ugyanakkor a fogyasztásuk igen nagy - vagyis kevéssé integrálhatók. A logikai 1 és 0 szint
kis távolsága miatt zavarvédettségük kicsi. Azokban az alkalmazásokban ahol létfontosságú
volt az igen nagy sebesség (és csak másodlagos a nagyobb térfogat és nagyobb disszipáció),
19
pl. a korábbi számítógépek sok esetében, ott ECL áramköröket alkalmaztak.

Ezen alkalmazások ma már eléggé háttérbe szorultak a jobban integrálható technológiák
(MOS) és a számítógép-architektúrák gyors fejlődése (többprocesszoros rendszerek, pipeline
architektúrák, Harvard struktúra, stb.) miatt.
.2.2. MOS áramköri logikák

A. n-MOS és p-MOS áramkörök
A MOSFET (Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor : fémoxid félvezető
térvezérlésű tranzisztor) működésének tárgyalása nem ezen anyag témája, annak ismeretét
feltételezzük.
Az n-csatornás MOS tranzisztoroknál az elektronok, a p-csatornásoknál a lyukak az aktív
töltéshordozók. Mivel az elektronok mozgékonysága háromszorosa a lyukakénak, ezért az
n-csatornás típus lényegesen gyorsabb integrált áramkört eredményez. A digitális integrált
áramköri MOS logikáknál a kezdetben p-csatornás tranzisztorokat tartalmazó chipeket később
teljes mértékben kiszorították az n-csatornás tranzisztorokat tartalmazó chipek (most még
nem beszélünk a CMOS elemekről, ahol mindkét típus együtt kap helyet).
A 12.a. és b. ábra a kétféle (növekményes és kiürítéses) n-csatornás MOS tranzisztor
bemeneti és kimeneti karakterisztikáját mutatja. Uküszöb jelöli azt az UGS feszültséget, mely
alatt (ID)
ID ID
UGS
UGS
Uküszöb UT UDS
Növekményes terhelésű nMOS tranzisztor be- és kimeneti jelleggörbéi
12.a. ábra
ID ID
UGS=0
UGS
UGS
Uelzáródási UT UDS
Kiürítéses terhelésű nMOS tranzisztor be- és kimeneti jelleggörbéi
20
12.b. ábra
áram nem folyik (áramvezető csatorna nincs). Kiürítéses üzemmódú tranzisztor esetén
áramvezetés UGS=0 esetén is folyik, az áram folyását negatív UGS feszültséggel lehet
megszüntetni (áramvezető csatorna elzárása - Uelzáródási). A kimeneti karakterisztika mindkét
esetben UGS-sel van paraméterezve.
B. Passzív terhelésű MOS áramkörök

MOS tranzisztoroknál az alapelemet képező inverterben - a bipolárisnál látottól eltérően a
vezérlő (meghajtó=driver) tranzisztor és terhelés egyaránt aktív elem, tranzisztor (13. ábra).
+UDD +UDD
MOS
tranzisztor
Y=A Y=A
A bipoláris A n típusú
tranzisztor növekményes
13. ábra
A terhelő tranzisztor kapcsolásától és típusától függően megkülönböztetünk passzív terhelésű

és aktív terhelésű invertert. Előző esetben a terhelő tranzisztor vezérlőelektródája nem kap
vezérlést, vagy a tranzisztor egy másik (pl. Drain) elektródájára van kötve vagy pedig egy
tápfeszültségre. Így ő nemlineáris ellenállásként, nemlineáris kétpólusként viselkedik
A másik esetben - és erről később lesz szó - aktív terhelésű az inverter, ekkor a terhelő
tranzisztor is kap vezérlést (és ekkor a fenti tranzisztor p-tíusú). Mivel a terhelő tranzisztor is
vezérelhető (aktívan vesz részt a működésben), ezért ezt a megoldást aktív terhelésű
inverternek nevezzük.
A továbbiakban először a passzív terhelésű invertereket ismerjük meg.
A terhelő tranzisztor és a tápfeszültségek használati módjától függően 3 inverter-típus létezik:

telítéses, trióda típusú és kiürítéses terhelésű inverter. Ezek kapcsolását a 14.a., b. és c. ábrák,
míg jelleggörbéit sorban a 15a.a., b. és c. ábrák mutatják.
+U ++UT +U +U
T T T
n típusú n típusú n típusú

növekményes növekményes kiürítéses
Y=A Y=A
Y=A
A A
A n típusú n típusú n típusú
növekményes növekményes növekményes
a. b c.
14. ábra
21
Terhelés Meghajtó Uki Transzfer

10>N>1 N=1
ID karakterisztika
ID UT
UDSl=UGSl
N=1
VGSd
N=10 N=10
UGSl
UDSl Ube
VDSd
Uküszöb UDD
Telítéses inverter
15.a. ábra
Terhelés Meghajtó Transzfer

N=1 Uki
ID karakterisztika
ID UT
N=1
UGSd
UGSl N=10
N=10
UDSd Ube
UDSl
UT
Trióda típusú inverter

15.b. ábra
Terhelés Meghajtó Transzfer

Uki
ID
ID karakterisztika
UGSl
UGSl=0 UGSd
UDSd Ube
UT UDSl UT
Kiürítéses terhelésű inverter
15.c. ábra
22
VDD
β W W  1
L L
βD
N 
 βL
VGG 16.e. ábra
WL
βL  1 16.d. ábra
16.b. ábra LL
FA
WD
A βD  1
LD
W  1
GND L
16.b. ábra
Vezérlő-
Fém kontaktus Aktív terület elektróda
területe
Fémezés Poliszilicium
16.a. ábra
16.c. ábra
23
Telítéses (14.a. ábra) és trióda (14.b. ábra) típusú inverter (az elnevezések azt mutatják, hogy
a meghajtó (vezérlő) tranzisztor mely tartományban üzemel) esetén a két tranzisztor azonos
vezetési típusú, míg a kiürítéses terhelésű inverternél a terhelés kiürítéses típusú.
Telítéses inverternél a terhelés vezérlő elektródáját a D elektródára (UGS=UDS), trióda típusú
inverternél pedig a tápfeszültségnél nagyobb potenciálú pontra kötjük. Kiürítéses terhelésű
inverternél a terhelőtranzisztor ugyancsak kétpólusnak van kötve, de ekkor a
vezérlőelektródát a Drain elektródához kötjük, mely UGS=0 feltételt jelent.
A 15. ábrán bemutatott görbeseregben először a terhelő tranzisztor munkagörbéjének
szerkesztését mutatjuk be a fent leírt összefüggések (UGSl=UDSl, UGSl=0 , stb). közül az
aktuálisat felhasználva. (Az index utolsó betűje itt a terhelésre - l: load = terhelés - utal.)
Így például a telítéses inverternél adott UDSl-hez megkeressük az ezzel egyező UGSl=UDSl
paraméterű görbét a görbeseregből, majd ezen UDSl értékű függőleges vonallal metsszük a
kiválasztott IDl - UDSl görbét. Az így kapott pontokat összekötve megkapjuk a munkagörbét.
Ezután ezt be kell rajzolnunk a vezérlő tranzisztor IDd - UDSd (az index utolsó, kis d betűje a
meghajtó - drive = meghajtó - tranzisztorra utal) jelleggörbéjébe. Mivel UDSd.+ UDSl = +UT
(UDSd = +UT - UDSl ), így ennek megfelelően függőlegesen tükrözve, és a
tápfeszültségből levonva jelenik meg a meghajtó tranzisztor jelleggörbéjében a terhelő
tranzisztor által képviselt munkagörbe. Ezután szerkeszthető meg az átviteli (transzfer)
karakterisztika.
A gyártástechnológiánál láttuk, hogy a vezérlőelektróda területe a vezérlőelektróda anyaga
(pl. poliszilicium) és az aktív terület metszéke (16. a. ábra). A vezérlőelektróda területe
szélességének és hosszának hányadosát definiálhatjuk mind a meghajtó, mind a terhelő
tranzisztorra (16.e. ábra)
W W
β d  d és β l  l
Ld Ll
β
Ezek hányadosára az N   d jelölés használatos. Ha geometriailag egyforma a meghajtó és
βl
vezérlő tranzisztor, akkor βd = βl és N=1 áll fenn. A gyártás egyszerű, mert egyforma
geometriájú tranzisztorokat kell készíteni és helyfoglalásuk a szeleten is jó emiatt. Ilyenkor a
15.a. ábra meredekebb, kék színű görbéje adódik a terhelőtranzisztor munkagörbéjénél és a
vezérlő tranzisztor jelleggörbéjénél. A transzfer karakterisztika ekkor igen előnytelen: az
átváltás meredeksége nehezen definiálható és kicsi, a logikai 1 szint kisebb mint a
tápfeszültség (ennek oka a küszöbfeszültség mértéke), a logikai 0 szint igen magas, stb. Ha az
inverter tranzisztorainak geometriáját úgy változtatjuk meg, hogy a meghajtó tranzisztor
széles és rövid, míg a terhelő tranzisztor keskeny és hosszú (16.b., c. és d. ábra), akkor N>1
alakítható ki. Ekkor javul az átviteli karakterisztika. N=10 esetén például a lila görbéket
nyerhetjük, melyeknél az átviteli karakterisztika elfogadható, de nem ideális (logikai szintek
még mindig nem egyeznek meg a tápfeszültséggel). Nem rajzoltuk fel, de magyarázat nélkül
fogadjuk el, hogy néhány más paraméter változatlanul rossz marad még, így például a le és
felfutási idők a jelkésleltetésnél igen aszimmetrikusak lesznek. Ugyanakkor a kapcsolás
előnye egyszerűsége és így olcsósága.
A trióda típusú inverternél (14.b. és 15.b. ábrák) a terhelőtranzisztor vezérlőelektródáját az
+UT tápfeszültségnél egy nagyobb értékű feszültségre (++UT)kötjük. Ezzel érhető el, hogy
az Uküszöb az origóba kerül. A geometriára elmondottak itt is érvényesek, és ennek
megfelelően alakul ki a terhelőtranzisztor kék ill. lila munkagörbéje, és az átviteli
24
karakterisztika görbéi (N=1 és N=10 esetére). Az átviteli karakterisztika jobb (pl. a logikai
1 szint megegyezik a - kisebbik - tápfeszültséggel), mint a telítéses típusé, de a fel és lefutás
aszimmetriájára ott elmondottak még itt sem ideálisak.
E megoldásnál kettő (sőt a gyakorlatban egy harmadik) tápfeszültséget használnak, mely
drágábbá teszi e változatot az előzőhöz képest.
Végül a harmadik inverter a kiürítéses terhelésű inverter (14.c. és 15.c. ábrák). A terhelő
tranzisztor munkagörbéjét az UGS=0 feltétel szabja meg és alakítja ki. Ezt berajzolva a
meghajtó tranzisztor jelleggörbéjébe kapható a transzfer karakterisztika. Ez közel van az
ideálishoz, és például a le és felfutási idők is csaknem egyformává váltak. Ugyancsak előny,
hogy ismét csak egy tápfeszültségről üzemeltethető az áramkör. Hátránya a bonyolultabb
technológia, hiszen a kiürítéses tranzisztorhoz ionimplantációval létre kell hozni az csatornát
fenntartó réteget (küszöbfeszültség eltolása).
A MOS kapcsolástechnika egyszerű, hiszen a meghajtó tranzisztorok határozzák meg a

funkciót és viszonylag bonyolultabb funkció esetén is elégséges egy terhelő tranzisztor.
Egy n-MOS elemekből megvalósított NAND és egy NOR kapu a 17. a. ill. b. ábrán látható.
Működésük megértése egyszerű.
+UT
Y= A + B + C
A B C
17.a. ábra
+U T
Y=A*B*C
17.b. ábra
25
A MOS kapcsolástechnika fontos előnye a tri-state elemek kényelmes kialakítási lehetősége.

Ezt a 18. ábra alapján könnyen mi is beláthatjuk.
+U T
A*
18. ábra
A kimeneti két tranzisztort nem ellenütemben, hanem külön-külön vezéreljük, s így mindkettő
kikapcsolásakor (E=1) a kimenet a következő fokozatokról le van választva (nagy impedancia
jelenik meg - a kikapcsolt MOS tranzisztorok miatt - a kimeneti pont és bármelyik
tápfeszültség között). E=0 esetén pedig A*=A.
A MOS áramkörök bemenő ellenállása igen nagy (gyakorlatilag végtelen nagy), mivel a
bemenetet (Gate) szigetelő réteg választja el a további részektől.
A MOS elemek sebessége általában kisebb mint a bipoláris elemeké. Ennek elsősorban az az
oka, hogy nagyobb impedanciákkal és (így) kisebb áramokkal dolgoznak mint a bipoláris
eszközök. A szórt és terhelő kapacitások nagyobb értékűek és átkapcsoláskor a kis áramok
csak lassabban tudják e kapacitásokat kisütni ill. feltölteni, ezért kisebb működési sebességet
tesznek lehetővé. A nagy bemeneti impedancia elhanyagolható bemenő áramot is jelent (pl.
nA nagyságrend), így a dc fan-out fogalma egyenáramú szempontból a gyakorlatban nem
értelmezhető: vagyis a terhelhetőség egyenáramú szempontból nem korlátozott. Ugyanakkor
az említett kapacitív okok miatt sok terhelő bemenet jelentős sebességcsökkenést
eredményezhet, vagyis az ac fan-out a meghatározó.
C. Komplementer MOS (CMOS) áramköri logikák

A p- és n-típusú MOS áramköröknél a terhelő tranzisztor vezéreletlen elemként funkcionált.
Ha a két tranzisztor közül mindig csak egy lenne bekapcsolva, akkor statikus esetben nem
folyik áram a tápfeszültség és a 0V között. Ez pl. úgy oldható meg, hogyha mindkét elemet
vezéreltté tesszük. Így kapjuk a CMOS logikát, ahol a két tranzisztor ellentétes típusú: az alsó
n-, a felső p típusú (19., 20. ábrák).
A közösített vezérlőjel éppen megfelelően működteti a kapcsolást, hiszen amely logikai

jelszint az alsó n-típusú tranzisztort éppen bekapcsolja (1 szint), az a felső,
p-típusút kikapcsolja és fordítva. Statikus esetben tehát nincs áramvezetés. (Átkapcsoláskor
ugyanakkor egymásba-vezetés lehet, vagyis a két tranzisztor átmenetileg egyszerre lesz
nyitva, ami kvázi rövidzárat jelent a 0 V és a tápfeszültség között. A CMOS áramkör
26
disszipációja tehát attól fog függeni, hogy az elemeket milyen gyakran kapcsoljuk át, így a
dinamikus disszipáció a meghatározó).
A A
+uT
D G S SiO2 D G S
p+ p+ n+ n+
n típusú Si-hordozó p típusú zseb
p MOS n MOS
19 ábra
+UT
p típusú
Y=A
A n típusú
20 ábra
A működéshez ugyanakkor csak egy tápfeszültség szükséges. A CMOS logika igen nagy
előnye még a nagy zavarérzéketlenség. A komparálási szint ugyanis kb. a tápfeszültség
felénél van, a logikai 0 és 1 szintek pedig jó közelítéssel a 0 V ill. tápfeszültség. (A TTL és
CMOS áramkörök transzfer karakterisztikáját a 21. ábra hasonlítja össze).
Az ideális karakterisztikát jól közelíti a bufferelt CMOS áramkör. Ez esetben a kimenettel

kapcsolódó kapukat nagyobb meghajtóképességűre tervezik.
A tápfeszültség emellett széles határok között választható: pl. 3V - 15V. Ráadásul az áramkör
rendelkezik a MOS logikák általános kedvező tulajdonságával, hogy a bemeneti impedancia
igen nagy (többszáz Mohm), így a fan-out-ot csak a kapacitív megfontolások korlátozzák (40-
50-es érték még reális lehet).
Megjegyzendő azonban, hogy a TTL áramkörökhöz képest a CMOS elemek is lassúbbak.
A CMOS logika két alapkapuja a 22. ábrán látható. Érdekes megfigyelni azt az - egyébként
logikus tulajdonságot, hogy a vezérlő tranzisztorok éppen ellentétes módon vannak bekötve,
mint a terhelő tranzisztorok (soros - párhuzamos).
27
uki [V]
5 ideális
karakterisztika
4
valóságos
CMOS
3 (bufferelés
nélkül)
2
TTL
1
ube [V]
1 2 3 4 5
21. ábra
+U T +UT
A B
Y=A*B
Y=A+B
A B
NAND kapu NOR kapu

22. ábra
A MOS logikához képest a CMOS logikában ugyanaz a funkció több tranzisztorból
(gyakorlatilag csaknem kétszer annyiból) valósítható meg, integrálhatósága kisebb.
Ugyanakkor a felsorolt számos előny e hátrányt jelentősen háttérbe szorítja, így a nyolcvanas
évek közepétől a CMOS technika került előtérbe. Ez különösen igaz a nagy integráltságú
(LSI, VLSI, ULSI) chipeknél.
A korábban ismertetett TTL áramkörcsaládhoz hasonlóan a CMOS elemekből is kialakult

áramkörcsalád, ilyen pl. Philips gyártotta HEF40.., 45.. vagy RCA vagy Motorola gyártotta
CD4... ill. MC1.... , 74C.., stb. sorozatok. Ezek a családok a TTL áramkörökhöz hasonlóan
főként SSI és MSI funkciók megvalósítására törekedtek.
28
A 23. a., b.és c. ábra egy ábrában mutatja a TTL és CMOS elemcsaládokat, megjelölve a
korszerűnek tekintett (today and tomorrow) és elavult (yesterday) típusokat.
23.a. ábra (Forrás: Philips Logic)
23.b. ábra (Forrás: Fairchild

29
23.c. ábra (Forrás: Texas Instriuments, 2003)

Az ábrákon azt láthatjuk, hogy az egyes gyártóknál az adott logikai áramkörcsaládok
életgörbéjük mely szakaszában vannak:
Introduction: bevezetés Decline: hanyatlás
Growth: növekedés Obsolesescence: elavultság
Maturity: érettség
Az ábrák rövidítéseihez néhány jelmagyarázat (a többit a 2. táblázat 2. oszlopa tartalmazza):
 LV: Low Voltage (csökkentett tápfeszültségű kivitel)
 H: High Speed (nagysebességű kivitel)
 A: Advanced (továbbfejlesztett)
 C: CMOS
 T: TTL ill Technology (technológia)
A közelmúlt áramköreinél az egyik fontos tendencia - a disszipáció és jelterjedési idő
csökkentése mellett - a korábban kvázi-szabványként meghonosodott +5V-os tápfeszültség
csökkentése.
Az ábrán helyet kaptak az ú.n. BiCMOS áramkörök is, melyek a bipoláris és CMOS
áramkörök kombinációi: az áramkör egyes részeit (melyeknél a nagyobb sebesség fontos)
bipoláris, míg más részeit (ahol nagyszámú tranzisztor kell) CMOS logikával készítették.
Összetettebb áramköröknél így készült az Intel cég Pentium MMX és Pentium II
mikroprocesszora is. A 2. táblázat néhány mai bipoláris, BiCMOS és CMOS logika
paramétereinek összehasonlítását mutatja, míg a 3. táblázat a disszipáció és jelterjedési idő
valamint jósági tényező szempontjából hasonlít össze néhány korábbi és jelenlegi áramkör-
családot.
30
Jelterjedési idő Disszipáció „Jósági”

Áramkör (átlag) (elemi kapura tényező
család vonatkoztatva)
tpd [ns] Pd [mW] Pd*tpd [pJ]
74xx 10 10 100
74LSxx 9.5 2 19
74ASxx 1.5 2 13
74ALSxx 4 1.2 5
74Fxx 3 6 18
74HCxx 8 0.003 2410–3
74HCTxx 14 0.003 4210–3
74ACxx 5 0.010 5010–3
74ACTxx 5 0.010 5010–3
74AHCxx 5.5 0.003 1610–3
74AHCTxx 5 0.003 1410–3
10xxx 2 25 50
10Hxxx 1 25 25
3. táblázat
.3. Katalógus és felhasználás-specifikus áramkörök

Az eddigiekben több áramköri logikával ismerkedhettünk meg. A TTL integrált áramkörök
(3.1. alfejezet) egyértelműen a katalógus áramkörök közé sorolhatók. Ez azt jelenti, hogy az
egyes áramkör-típusok megjelennek az adott katalógusban, választhatunk köztük és
megrendelhetjük a készterméket a gyártó (vagy másodgyártó) cégtől, jelen esetben a TEXAS
INSTRUMENTS-től. Ezeket az áramköröket akkor érdemes gyártani, ha viszonylag olcsón
sokat (ez százezres, de inkább milliós nagyságrendű küszöbszámot jelent) el lehet adni
belőlük. Ehhez elsősorban univerzális és így többnyire viszonylag egyszerű funkciókat ellátó
áramkörök jöhetnek csak szóba. Így nem véletlen, hogy a katalógus-áramkörök csaknem
kizárólag SSI és MSI elemekre korlátozódnak. Nem kizárt természetesen, hogy akadnak
olyan funkciók, amelyek nagyobb integráltságot igényelnek, és elég sok helyen használhatók
( pl. bizonyos számlálók ), a jellemző azonban nem ez. A technológiák azonban fejlődésük
során elértek egy olyan szintre, ahol nagy és igen nagy bonyolultságú elemek is viszonylag
könnyen és jó kihozatallal állíthatók elő (LSI, VLSI, ULSI). Ha katalógus-áramkört kívánunk
ilyen bonyolultságú elemből készíteni, úgy az ezt kihasználó alkalmazást is meg kellett
találni. Természetesen maguktól adódtak olyan fel használások, amelyek vártak már erre a
technológiai lépcsőre: pl. számítógép hardver (mikroprocesszorok, perifériacsatoló, -illesztő
intelligens integrált áramkörök). Ugyanakkor - mint említettük - az esetek nagy részében nem
ez a jellemző. Az igény arra, hogy a felhasználó (mármint általában elektronikus eszközöket
tervező-gyártó cég) maga definiálja lehetőleg optimális felépítésű áramkörét már csaknem
kezdettől fogva megvolt. Ugyanakkor a technikai problémák mellett gazdasági tényezők is
hátráltatták azt, hogy a felhasználók konkrétabb beleszólást kapjanak adott áramköri tervük
fizikai megvalósításába. Az egyetlen lehetőség volt katalógus-áramkörökből felépíteni és
megvalósítani az összetettebb funkciót. Természetesen az is közrejátszott, hogy a
félvezetőgyártók sem rendelkeztek olyan kapacitásokkal, hogy a katalógus-áramkörök mellett
egyedi igényeket is ki tudtak volna - gazdaságosan - elégíteni.
31
Család Megjelenés Megnevezés Tápfeszültség Kompatibilit Bemeneti áram Meghajtóképesség Tápáram Sebesség
éve ás
VCC= Bemenet Kimenet IIL / IIH IOL / IOH ICC tPD
VIL / VIH VOL / VOH [ns]
BiCMOS
ABT Advanced BiCMOS Technology 5 TTL TTL -5μA / 5μA 64mA/-32mA 30mA 3,6
LVT (8) Low-Voltage BiCMOS Technology 3,3 TTL, CMOS TTL, CMOS -5μA / 1μA 64mA/-32mA 5mA 3,5
LVT(116) Low-Voltage BiCMOS Technology 3,3 TTL, CMOS TTL, CMOS -5μA / 1μA 64mA/-32mA 5mA 3,5
CMOS
VCX(16) Low Voltage CMOS 1,65/2,5/3,3 TTL, CMOS TTL, CMOS -5μA / 5μA 24mA/-24mA 20μA 2,5/3,2
LCX(8) Low Voltage CMOS 2,5/3,3 TTL, CMOS TTL, CMOS -5μA / 5μA 24mA/-24mA 10μA 6,5
LCX(16) Low Voltage CMOS 2,5/3,3 TTL, CMOS TTL, CMOS -5μA / 5μA 24mA/-24mA 20μA 4,5
LVX(8) Low Voltage CMOS 3,3 TTL, CMOS TTL, CMOS -1μA / 1μA 4mA/-4mA 40μA 12
AC 1985 Advanced CMOS Logic 3,3/5V CMOS TTL, CMOS -1μA / 1μA 24mA/-24mA 80μA 7,5
ACQ Advanced CMOS Logic 3,3/5V CMOS TTL, CMOS -1μA / 1μA 24mA/-24mA 80μA 6,5
ACT 1985 Advanced CMOS Logic 5V TTL, CMOS TTL, CMOS -1μA / 1μA 24mA/-24mA 80μA 10
ACTQ Advanced CMOS Logic 5V TTL, CMOS TTL, CMOS -1μA / 1μA 24mA/-24mA 80μA 7
AHC Advanced High-Speed CMOS 5V CMOS TTL, CMOS 8mA/-8mA 40μA 5,2
VHC Very High Speed CMOS 3,3/5V CMOS TTL, CMOS -1μA / 1μA 8mA/-8mA 80μA 8,5
VHCT Very High Speed CMOS 5V TTL, CMOS TTL, CMOS -1μA / 1μA 8mA/-8mA 40μA 9,5
HC 1982 High-Speed CMOS Logic 2/4,5/6V CMOS TTL, CMOS -1μA / 1μA 6mA/-6mA 40μA 25
HCT 1982 High-Speed CMOS Logic 5V TTL, CMOS TTL, CMOS -1μA / 1μA 6mA/-6mA 80μA 25
74C 1970 CMOS 15.márc CMOS TTL, CMOS -1μA / 1μA 12mA/-14mA 80μA 70
CD4000 1970 CMOS 15.márc CMOS TTL, CMOS 10pA 8mA/-1,25mA 300μA 40
HS High Speed 2/3/4,5/6V CMOS TTL, CMOS -1μA / 1μA 2,6mA/-2,6mA 3μA 21
HST High Speed 4,5/5/5,5V TTL, CMOS TTL, CMOS -1μA / 1μA 2mA/-2mA 10μA 30
UHS High Speed 1,65/2,5/3,3/5V CMOS TTL, CMOS -10μA / 10μA 32mA/-32mA 10μA 4,5
FS 4-5,5V TTL TTL n.a. n.a. 3μA 0,25
BIPOLAR
FASTr Fast Logic 5V TTL TTL -150μA/5μA 64mA/-15mA 75mA 3,9
FAST 1979 Fast Logic 5V TTL TTL -1,6mA/5μA 64mA/-15mA 90mA 6,5
AS 1980 Advanced Shottky logic 5V TTL TTL -1mA/20μA 64mA/-15mA 90mA 6,2
ALS 1980 Advanced Low Power Shottky logic 5V TTL TTL 0,1mA/20μA 24mA/-15mA 27mA 10
LS 1976 Low Power Schottky Logic 5V TTL TTL -200μA/20μA 24mA/-15mA 54mA 18
S Shottky Logic 5V TTL TTL -400μA/50μA 64mA/-15mA 120mA 9
TTL 1965 Transistor Transistor Logic 5V TTL TTL -1,6mA/40μA 40mA/-250μA 41mA 30
ECL
300 Emitter Coupled Logic -5,7 - -4,2V TTL TTL 0,5μA/240μA -1,8 V-on 50Ω -65mA 1,55
SERIES
32
2. táblázat (Forrás: Fairchild és Texas Instruments)
33
A nyolcvanas évek elejétől-közepétől jött el az az időszak, amikor minden tényező (műszaki

és gazdasági) megérett arra, hogy a felhasználók közelebb kerülhessenek a gyártókhoz. Így
esetenként LSI vagy VLSI kategóriájú terveiket (melyek funkcióinak megvalósítása addig
általában egy egész nyomtatott áramköri kártyát vagy több ilyent töltöttek volna meg) egy
vagy néhány áramkörrel (IC-vel) részben vagy teljesen optimalizálva vitelezhették ki
késztermékeikbe (műszerek és egyéb elektronikai készülékek, berendezések).
Az ilyen áramköröket felhasználás specifikus áramkörnek (Application Specific IC, ASIC ill.
custom design) nevezzük (18. ábra).
A sorozatszám többnyire nem éri el az említett 105-106 nagyságrendet.
A. Egyedi áramkörök
Ha a sorozatszám mégis eléri a fenti küszöböt, úgy természetesen érdemes megrendelni a
félvezetőgyártótól az adott integrált áramkör gyártását adott példányban. Az elkészült példány
egy darabra vetített költsége nem lesz magas, hiszen a darabszám a katalógus-áramkörök
darabszámával vetekszik, utóbbi gyártása pedig gazdaságos. Ekkor az áramkört a definiálási
fázistól kezdve ugyanúgy minden lépést a funkciókhoz optimálisan választva tudják
legyártani az egyedi igények szerint. Ez a legköltségesebb és leghosszabb időt igénybevevő
módszer, de a késztermék paramétereit tekintve a legjobb. Mivel teljesen a felhasználó
definiálhatja az áramkör és a megvalósítás minden részletét, így ezt teljesen egyedi
áramkörnek (full custom) nevezzük.
B. Előgyártott áramkörök
Ha azonban a darabszám egy vagy két nagyságrenddel a küszöb alatt van (ezres, tízezres
darabszám), úgy szóba sem jöhet a full custom megoldás. E kategóriában - és igazából ez volt
a nagy lépés, hiszen igen nagy darabszám esetén a gyártóknak addig is megérte full custom
IC-t gyártani - a félvezetőgyártók részben egyedi termékkel (semi custom) siettek a
felhasználók segítségükre. Ezek egyik csoportjánál (előgyártott) ez azt jelenti, hogy a chipen -
valamilyen (pl. MOS) gyártástechnológiával és logikában (pl. CMOS) - előre elkészítenek
elemeket (pl. tranzisztorokat). A felhasználó áramköri tervének megfelelően ezután csak
tranzisztorokat kell megfelelően összekötni. Az összekötés a gyakorlatban az IC-gyártási
technológiában a fémezési eljárást jelenti: meg kell tervezni majd ki is kell vitelezni az
összeköttetést és végül le kell zárni (be kell tokozni) az IC-t. Az alapelemként tranzisztorokat
tartalmazó előgyártott IC-t device array-nek nevezzük. Természetesen készítenek olyan
félkész chipet is, ahol összetettebb elemek képezik az alapelemet (pl. kapuk az alapelemek -
gate array, uncommitted logic array=ULA -, vagy cellákat tartalmaz a chip, melyekben
kapuk, flip-flopok, stb. is megtalálhatók - cell array).E megoldás - mint minden
„öszvérmegoldás” (hiszen e megoldás kompromisszum eredménye) előnyökkel és
hátrányokkal is rendelkezik a full custom megoldáshoz képest. Számos más előny (lásd
később) mellett egy hallatlanul nagy előnye azonban a megoldásnak, hogy a felhasználói
igényekhez jóval közelebbi kivitelt eredményez, mint a „merev” katalógus-áramkörökkel
történő megoldás.
Így alakult ki végül is a katalógus áramkörök mellett újfajta elemek kínálata, melyek vagy
teljesen a felhasználó igényeire optimalizáltak, egyediek (full custom) vagy közelítik azokat,
részben egyediek (semi custom).
34
C. Előtervezett áramkörök
A teljesen egyedi és az előgyártott (custom produced) semi custom áramkörök között
helyezkedik el az ún. előretervezett (előtervezett, cellakönyvtáras, standard cell, library
custom) semi custom áramkör-típus. Ez azt jelenti, hogy a szokásos (standard) áramköri
részfunkciók optimális előre megtervezésre kerültek és egy könyvtárban ezen elemek a
tervezéshez rendelkezésre állnak. A feladat ezután „csak” az, hogy ezen modulokból össze
kell rakni a kívánt funkciót megvalósító áramkört (tervezés), majd le kell gyártani azt. Mivel
itt nem áll rendelkezésre egy félkész termék, így a megoldás valamivel hosszabb időt vesz
igénybe, mint az előgyártott megvalósítás. Ugyanakkor jobban közelíti az optimális
megoldást.
Természetesen a full customénál gyorsabban nyerhetünk kész áramkört, de csak közelíteni
fogja a megoldás optimumát az ily módon kapott chip.
A digitális áramköri kategóriákat a 4. táblázat mutatja be, míg összehasonlításukat a

5. táblázat végzi el.
Egyedi Előtervezett Előgyártott PROM Katalógus

ák. + NYÁK
(full custom) (library (custom +kiegészítő
custom) produced) elemek
Ár kedvező 104-105 felett 104-105 felett 103-105 felett mindig 103 alatt
Átfutási idő 6 hónap 3 hónap 3 hónap azonnal 1 hét- 3 hónap
Tervezés drága, lassú olcsó, gyors olcsó, gyors nincs olcsó, gyors
Kivitel (1 db) drága drága közepes olcsó olcsó (?)
Bonyolultság igen nagy nagy nagy kicsi ?
Másolhatósá nehéz nehéz könnyű könnyű könnyű
g
5. táblázat
35
FŐ KATEGÓRIÁK KATEGÓRIÁK ALKATEGÓRIÁK GYÁRTÁSI JELLEMZŐK KATEGÓRIA ELEMEK
Standard funkciójú IC-k Bipoláris
(General Purpose Logic MOS (nMOS, CMOS)
= GPL) Vegyes (pl. BiCMOS)
Katalógus- Szoftver-programozható
áramkörök eszközök
(Sotfware Program-
mable Logic - SPL)
(pl. mikroprocesszor)
Digitális Hardverben programoz- PLA-k

integrált ható eszközök FPLA-k
áramkörök (Hardware Program- PAL-k
mable Logic - HPL, FPAL-k, stb.
PLD-k, stb.)
Eszköz mátrix
(Device-array)
Felhasználás- Részben egyedi Előgyártott Egységes előgyártás kapu-mátrix

specifikus integrált (Semi custom) (előregyártott) (Custom preproduced) (Gate-array)
áramkörök
Cella-mátrix
(Cell-matrix)
Előtervezett Custom Design Circuits Standard cell

(Cellakönyvtáras,
library custom)
Teljesen egyedi Egyedileg tervezett és Teljesen egyedi
(Full Custom) gyártott (Full Custom)
4. táblázat
36
.4. Programozható kombinációs áramkörök
Mint tudjuk a diszjunktív kanonikus alak szorzatok (mintermek) összege (logikai VAGY)
kapcsolata. Így például a F  A  B  C  A  B  C függvényt a 24. ábra mutatja
A
A B  C
B
C
A B  C  A B  C
A
B
A B  C
C
24. ábra
Ennek első szintjén logikai ÉS kapcsolat, második szintjén VAGY kapuk vannak. A két kapu
diódás megfelelőjét a 25.a. és b. ábra mutatja.
+UT A
D1
R
B
D2
D1 KI = A+B+C
KI = ABC C
A D3
D2
B R
D3
C
25.a. ábra 25.b. ábra
A diszjunktív kanonikus alak diódás áramkörökkel történő megvalósítását a 26. ábra mutatja
(az ábrán a negálást felső vessző jelöli, míg az ellenállás jelképi jelölésében az angolszászt
alkalmaztuk. A kimenetet (F helyett T jelöli) A megvalósítás felső részében az ÉS funkciót
egy ÉS-mátrix, míg az alsó rész VAGY-mátrixa a második szint VAGY kapcsolatát valósítja
meg.
Az ábra alapján is látható, hogy a diszjunktív kanonikus alakú függvény diódás ÉS és VAGY
mátrix segítségével létrehozható. Ezen felismerés vezetett az ú.n. programozható logikai
mátrix megalkotásához, melyben ÉS és VAGY mátrixot hoznak létre, de az egyes elemek
37
bekötésének definiálását (vagyis, hogy részt vesz-e az összefüggésben) a felhasználóra

bízzák.
+UT
A B  C A B  C
F= A  B  C + A  B  C
26. ábra
Tekintsük így a 27. ábrát! Itt egy 16 elemű (16 változós) ÉS mátrix (max. 16-változós
minterm) és egy 48 elemes (48 bemenetű) VAGY-mátrix látható. Az ÉS-mátrixnál minden
bemeneti változónál - 1-1 inverter segítségével - lehetőségünk van a változó ponált és negált
módozatát is kiválasztani a mintermek összefüggéséhez. Ráadásként 3 külöböző VAGY
függvényt tudunk kialakítani és ezek mindegyike 1-1 KIZÁRÓ VAGY kapu segítségével
külön-külön majd 1 közös engedélyező jel (Kimenetek engedélyezése) segítségével egyszerre
is letiltható ill. engedélyezhető. A felhasználó beavatkozási lehetősége a diódákkal sorba
iktatott biztosítékokkal (fuse) valósul meg: ahol nem kívánunk kapcsolatot, ott a biztosítékot
kiiktatjuk (ez a gyakorlatban az érintett vezetékre adott áramimpulzussal történhet).
A valóságban ú.n. inverz biztosítékokat (antifuse) használnak, melyeknél az áramimpulzus
két vezetőréteg közti szigetelést iktat ki (28. ábra). Így aktivizálásukkal rövidzárat tudunk
létrehozni: így ott kell beavatkoznunk, ahol összeköttetést akarunk a mátrixban létrehozni.
A fenti módon, két programozható mátrix-szal rendelkező megoldást PLA-nak (PLA:
Programmable Logic Array=Programozható logikai mátrix) nevezzük. Amrennyiben a
VAGY mátrix előre rögzített kapcsolatokat definiál, és így csak az ÉS mátrix programozására
van lehetőségünk, úgy PAL-ról beszélünk.
38
+UT
0.
1.
15.
0. 1. 47.
minterm minterm minterm
0.
2.
7.
Kimenetek
engedélyezése
/ tiltása
27. ábra
39
+UT
poliszilicium
SiO2
dielektrikum
28. ábra
A PLA-knak és PAL-nak programozi lehetőségek száma szempontjából is több változata van,

csakúgy mint a ROM memóriáknál. Így vannak típusok, melyeket csak egyszer
programozhatunk (és így ha hibásra sikeredett, el kell dobnunk) ill. vannak, melyeket
többször is programozhatunk (ezen belül a programozás - törlés -újraprogramozás elvétől
függően többféle megoldás létezik).
Megjegyzendő, hogy a programozhatóságnál nem álltak meg a kombinációs hálózatok

szintjén, a gyakorlatban olyan áramköröket is gyártanak és használnak, melyekben
összetettebb áramkörök, ezeken belül sorrendi hálózatok is helyet kapnak, így valóban egy
Lsi kategóriájú áramkört kapunk.

Digitalis Elektronika

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Digitalis Elektronika

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Dr.

Glöckner György: Digitálistechnika, digitális elektronika

E fejezetben a mikroszámítógépek integrált áramköri elemeinek villamos tulajdonságaival,

.1. Statikus és dinamikus villamos jellemzők

.1.1. Logikai szintek, pozitív és negatív logika

Régebben a digitális áramkörök alapelemei a relék voltak, és így az információt hordozó

Összefüggés Pozitív logika Negatív logika

Amennyiben az alacsonyabb logikai feszültségszinthez (L) rendeljük hozzá a logikai 0-t, és a

A digitális áramkörök az 1960-as évek közepétől már integrált áramkörös megvalósításúak

Ezen egyvonalas rajzot a definiált feszültségértékekkel a vonal két végpontján található a

Ahogy az ábrán is próbáltuk jelezni, mind az H, mind a L szinten a bemenet és a kimenet

.1.2. Zavarok, zavarvédettség, átviteli (transzfer) karakterisztika

Elektronikus áramköröknél gyakori behatásként jelentkezhetnek zavarok, melyek a

paramétereinek nagyságrendjébe esnek. Ennek megfelelően definiálható a statikus és

Fontos fogalom az átviteli ( transzfer) karakterisztika, mely a kimenő feszültség ábrázolása a

.1.3. Meghajtóképesség (Fan-out)

Az integrált áramkörök általában egy összetettebb kapcsolás részelemei. Az egyik elem

A fan-out fogalma fenti értelmezésben (dc fan-out) elsősorban egyenáramú tulajdonságot

Hogy hogyan befolyásolhatja a kapacitív terhelés a sebesség (jelterjedés - ld. következő

logikai 1. logikai uki

3.a. ábra 3.b. ábra

Összességében Ct=Ct1+Ct2+..+Ctn összefüggést kapunk. Tételezzük fel, hogy egy áramkör

.1.4. Jelterjedési idő (propagation delay)

Az áramkörök működésükhöz a tápfeszültségből áramot vesznek fel, így rajtuk teljesítmény

Nem egyforma az áramkörök adott állapotbeli (adott bemenetek és ennek megfelelően

.1.6. 1.6. Jósági tényező

SPP  t  P  [ns  mW  pJ] lg(Pd)

.2. Integrált logikai áramkörrendszerek

A logikai összefüggések konkrét áramköri megvalósításával különböző logikák jöttek létre.

.2.1. Bipoláris logikák

A. A TTL áramköri elemcsaládok

A működés kimerítőbb tárgyalásától eltekintünk, de a 8. és 9. ábrán - részletes magyarázat

4 I. (T1, T4 vezet, T2, T3 lezárt)

III. (T1, T2, T3, T4 vezet)

IV. (T1, T2, T3 vezet, T4 lezárt)

T1, T2, T3 és T4 nyitott

T1, T2, T3 nyitott

logikai 0 szint (L) logikai 1 szint (H)

Az SN 74.. sorozat elemei szabvány terhelhetősége ill. terhelése (9.b. ábra):

logikai 0 szint (L) logikai 1 szint (H)

Eszerint a kimenet szabványos terhelhetősége (fan-out) ezen áramkörcsaládon belül mind

így az átlagos jelterjedési idő: tpd= 10 ns.

TTL áramköröknél a szabadon hagyott bemeneteket értelemszerűen H szintként érzékeli az

A harmadik fontos kimenet az ún tri-state kimenet. A tri-state háromállapotú kimenetet jelent,

Tulajdonság TTL Család Dimenzió

A Texas Instruments cég SN sorozatú digitális integrált áramkörei több hőmérséklet-

B. Egyéb bipoláris logikák

pl. a korábbi számítógépek sok esetében, ott ECL áramköröket alkalmaztak.

.2.2. MOS áramköri logikák

B. Passzív terhelésű MOS áramkörök

A terhelő tranzisztor kapcsolásától és típusától függően megkülönböztetünk passzív terhelésű

A terhelő tranzisztor és a tápfeszültségek használati módjától függően 3 inverter-típus létezik:

n típusú n típusú n típusú

Terhelés Meghajtó Uki Transzfer

Terhelés Meghajtó Transzfer

Trióda típusú inverter

Terhelés Meghajtó Transzfer

A MOS kapcsolástechnika egyszerű, hiszen a meghajtó tranzisztorok határozzák meg a

A MOS kapcsolástechnika fontos előnye a tri-state elemek kényelmes kialakítási lehetősége.

C. Komplementer MOS (CMOS) áramköri logikák

A közösített vezérlőjel éppen megfelelően működteti a kapcsolást, hiszen amely logikai

n típusú Si-hordozó p típusú zseb

Az ideális karakterisztikát jól közelíti a bufferelt CMOS áramkör. Ez esetben a kimenettel