10-1 MEMÓRIAELEMEK

10. MEMÓRIAELEMEK

10.1. Bevezetés
A számítógépes rendszereknek, de általában a digitális rendszereknek is az egyik
kulcsfontosságú eleme a memóriák. Nem véletlen, hogy a digitális integrált áramkörök
integráltsági fokát is a félvezető memóriák kapacitásának fejlődésével szokták jellemezni. Ez
természetesen egyúttal a gyártástechnológia fejlődését is jellemzi.
A memória jellegű eszközök két csoportja között éles határvonalat kell húzni. E "demarkációs
vonal" egyik oldalán a tömegmemória jellegű eszközök állnak, melyeket perifériáknak,
háttér-tárolóknak szoktak nevezni. Jellemzőjük többnyire mágneses (mágneslemez,
mágnesszalag, mágneskazetta, stb. ). vagy optikai (CD ROM, magneto-optikai tárolók) elven
történő adattárolás. Ez igen nagy tömegű (eszközönként jelenleg 100 Mbyte – 100 Gbyte
nagyságrendű) adat tárolását jelenti, ugyanakkor az adatok elérhetősége a digitális integrált
áramkörök (és így a félvezető memóriák) általános működési sebességéhez,
ütemfrekvenciájához (100 MHz – néhány GHz) képest több nagyságrenddel kisebb. Ezen
perifériák általában soros elérésűek, vagyis az információk elérhetőségi ideje függ az érzékelő
olvasó eszköz (fej) pillanatnyi pozíciójától. Ha az egymás után elérendő adatok sorban
egymás után helyezkednek el, akkor az adatokat az egyszeri pozicionálás után (elérési idő 1-
100 ms) már viszonylag gyorsan be tudja olvasni (átviteli sebesség: 100 kbit/s-1Mbit-s) az

elektronika. Részletesebben a "demarkációs" vonal másik felén levő, de igen népes csoportról
szeretnénk most beszélni, melyeket memóriáknak nevezünk. A memóriák ma félvezető
memóriákat jelentenek. A memóriákon ma gyakorlatilag csak félvezető (szilícium alapú)
memóriákat értünk.
Az 10.1.ábra mutatja a memóriák hagyományos osztályozását, mely mára már több
szempontból is idejét múlt. A véletlen elérésű memóriák mellett a helytől függő elérésű

Memóriák

Véletlen elérés ű Helyt ől függő elérésű

memóriák memóriák

Nem törl ődő Írható-olvasható Töltéscsatolt Buborék

(NV) (R/W) memóriák memóriák
memóriák memóriák

Elavult kategória

10.1. ábra
10-2 MEMÓRIAELEMEK

memóriák gyakorlatilag elavultak, „kihaltak”. A memóriák tárgyalása végén mégis röviden

összefoglaljuk az utóbbi kategóriába sorolható két memóriatípus (buborékmemória és
töltéscsatolt (CCD) memóriákat.

A véletlen elérésű memóriák (random access memories) további osztályozását ugyancsak az

10.1. ábrán láthatjuk. Itt is két kategóriát szoktunk megkülönböztetni: az írható-olvasható
(Read-Write, röviden R/W) és a nem-törlődő (non volatile: NV) kategóriát. Előbbit még
régen, kicsit szerencsétlen módon (és azóta elterjedten) RAM-oknak nevezzük. Azért nem
szerencsés ez az elnevezés, mert a rövidítés a „Random Access Memories” –ból ered, vagyis
a „véletlen hozzáférésű memória”-nak a rövidítése. Ez az elnevezés ugyan igaz, de már jó
ideje igaz a másik félvezető memória kategóriára is, így helyesebb az írható-olvasható
elnevezés. Mégis, az általános elterjedtség miatt, amikor rövidítve RAM-okat fogunk írni, úgy
az írható-olvasható (R/W) memóriát fog jelenteni.

Ugyanakkor a másik - a nem törlődő – kategória is sok változáson ment keresztül. Korábban
őket csak olvasható memóriának (Read Only Memories: ROM) nevezték, mivel az
információt régebben csak speciális módon (gyárilag, vagy a chipet eltávolítva) lehetett benne
létrehozni és általában ezután nem lehetett módosítani, csak olvasni. Így jogos volt a csak
olvasható memória elnevezés. Az utóbbi két évtizedekben kialakult alfajoknál azonban már
az információ egyszerűbb módon történő módosítása is lehetővé vált, így a kategória régebbi
elnevezése idejét múlt. Hogy miért nem hívjuk akkor őket is írható-olvasható (R/W)
memóriáknak? Nos, azért, mert az írás nem ugyanolyan módon (módszerrel, feszültségszinttel
és sebességgel) és sebességgel történik, mint az olvasás, hanem attól lényegesen összetettebb
módon.

A nem törlődő (nem felejtő, NV) tulajdonságról most röviden csak annyit adunk
magyarázatképpen, hogy a chipben a tápfeszültség eltávolításakor megőrződik az információ,
vagyis, ha a tápfeszültség visszatér, az előző információ is visszatér, megőrződik További
információt a memóriák tulajdonságai kapcsán adunk majd.

Az egyes csoportok vizsgálata előtt fontos néhány általános kérdést megtárgyalni. Ezek azok
a tulajdonságok, paraméterek, amelyek egy memóriaelem ismertetése során szóba
kerülhetnek.

10.2. Általános kérdések

A memóriaelemek blokkvázlata a 10.2. ábrán látható. Ahogy az ábrán is láthatjuk, a

memóriák információkat tárolnak. Ezeket a tárolandó információkat a címvezetékeken
keresztül azonosítjuk. A vezérlő információk, mint kísérő információk mondják meg, hogy
éppen mi történjék, és hogy esetleges több ilyen memóriablokk közül melyik legyen
kiválasztva. Az adatvezetékeken keresztül tudjuk a tárolni kívánt információt bevinni ill.
kiolvasni. Írható - olvasható memóriáknál gyakran - tristate megoldással - közösítik a kimenő
és bejövő adatvezetékeket.
10-3 MEMÓRIAELEMEK

adat ki
memória
cím
mátrix
adat be

vezérlés

10.2. ábra

10.2.1. Kapacitás
Memóriák kapacitása azt jelenti, hogy milyen tárolóképességű az illető eszköz, vagyis mennyi
információ tárolására képes. A legelemibb tárolandó egység a bit. A félvezető memóriák
kapacitását a mai elemsűrűség mellett általában 210 egységenként, kilobitenként adjuk meg.
így pl. 32 kbit = 32*210 bit.

A fontosabb félvezető memória-típusok kapacitásának fejlődését a 10.3. ábra mutatja

bitszám / chip
8
10
DRAM / EPROM
SRAM / EEPROM
7 FLASH
10

6
10

5
10

4
10
1980 1982 1984 1986 1988 1990 1992 1994 1996

évek

10.3. ábra

10.2.2. Szervezés
A szervezés fogalma azt jelenti, hogy egy megcímzéssel ( adatazonosítással) egyszerre
mennyi adatot tudunk elérni. A memóriák szervezése leggyakrabban bitszervezésű és byte-
szervezésű. Byte esetében ez a számítógépek szervezéséhez kíván alkalmazkodni,
10-4 MEMÓRIAELEMEK

amelyeknél az egyszerre elérni kívánt információmennyiség byte vagy annak többszöröse (16
bit * 2 byte, 32 bit * 4 byte, stb).

10.2.3. Hozzáférési (elérési -) idő ( access time)

A memóriák technológiától és architektúrától determinált - véletlen - hozzáférési idővel
rendelkeznek. A gyártók megadják hozzájuk azokat a paramétereket, amelyek a többi
rendszerelemhez való illesztésükhöz szükségeltetnek. Ezen paraméterek közül az egyik
legfontosabb, hogy mennyi idő alatt áll elő a kiválasztott információ a kimeneten az azonosító
megadásától (címzés) és a vezérlés megfelelővé válásától számítva. Ezt a paramétert
nevezzük hozzáférési időnek. Félvezető memóriáknál szokásos értéke 1-100 ns.
A nem véletlen hozzáférésű (ld. később) memóriáknál az információhoz való hozzáférést két
paraméterrel jellemezhetjük: az első információ-egység elérési idejétől (általában egy
adategyüttest kívánunk beolvasni vagy tárolni) , majd az adat bevitelét jellemző átviteli
sebességtől, amely a további információegységek hozzáférési idejét jellemzik ezután.

10.2.4. Törlődő vagy nem törlődő

Igen fontos tulajdonság memóriáknál az, hogy a tápfeszültség megszűntével elveszik-e az
információ vagy sem. Ennek megfelelően kitüntetett szerepe van a nem törlődő (non-volatile)
memóriáknak. Ilyenek a később ismertetendő ROM jellegű elemek. Látszik, hogy e kérdés a
fent bemutatott perifériáknál elő sem került, hiszen azok a mágneses elvből adódóan
természetesen nem törlődő kategóriába tartoztak.

10.2.5. Csak olvasható vagy írható-olvasható memóriák

Bár e kérdés már átvezet a csoportosítás kérdéséhez, mégis fontos így, összefoglalóan is
néhány szóval megemlíteni. A csak olvasható memóriáknál az egyszer valamilyen speciális
módon létrehozott információ azután már csak olvasható, míg az írható - olvasható
memóriáknál tetszőleges időpillanatban működésük közben (t.i. éppen ez a funkciójuk) új
információt vihetünk be az eszközbe.

10.2.6. Memória frissítés

E kérdés RAM memóriáknál jön elő. A bitsűrűség növelése érdekében minél egyszerűbb
tárolási elvre törekedtek, így kerültek előtérbe a dinamikus RAM memóriák. Ezeknél az
eszközöknél a töltéstárolás elvén kondenzátorok tárolják az információt. A tárolási elv
sajátosságából eredően szivárgó áram folyhat (kisülés ill. feltöltődés) , ezért a tárolt
információt meg kell erősíteni időnként. Ezt nevezzük frissítésnek.

10.2.7. Helyfüggő vagy adatfüggő-e az elérés

Láttuk, hogy a mágneses elven megvalósult információ-tárolásnál az elérési idő függött attól,
hogy éppen melyik információs egységhez kívántunk hozzáférni. Ez a soros jellegű
hozzáféréseknél minden esetben így van. Más a helyzet azonban az ún. véletlen hozzáférésű
memóriáknál, ahol az információ-elérés ideje független ettől.

10.2.8. Technológia ill. áramköri logika

A két félvezető-technika a bipoláris és a MOS korábban jelentős versenyt futott a memóriák
területén. A memóriaelemeknél a két elsődleges kérdés a kapacitás és szinte ezzel
egyenértékű a sebesség. Bipoláris elemekek a nagyobb áramok és így gyorsabb kapcsolási
sebesség és nagyobb disszipáció jellemzi, míg a MOS eszközöket a kis áramok és nagyobb
villamos kapacitások valamint kisebb disszipáció jellemzi. Ez a bipoláris eszközöknél gyors
10-5 MEMÓRIAELEMEK

de kis integráltságú elem létrehozását teszi lehetővé, míg MOS eszközöknél nagy
elemsűrűséget és kisebb sebességet eredményez. Mivel a kapacitás általában a fontosabb
tényező, és bipoláris elemeknél a disszipáció nem szorítható megfelelő korlátok alá, ezért a
MOS elemeket helyezték kerültek előtérbe. A technológiai fejlesztésnél ezt követően a
sebességi kérdésekre koncentráltak, és így a MOS elemek sebességi paramétere sokat javult.
Az a jellemző, hogy ahol igen fontos a nagyon gyors működés, csak ott használnak bipoláris
memóriákat, egyébként szinte csak a MOS memóriák vannak alkalmazásban. Ezek korábban
többnyire
n-MOS ma inkább CMOS kapcsolástechnikát jelent.

Térjünk rá ezután az egyes memória típusokra!

10.3. Memória típusok

10.3.1. Véletlen elérésű (random access) memóriák

Az elnevezés onnan származik, hogy a memóriák ezen típusánál az egyes információs elemek
elérési ideje - függetlenül attól, hogy éppen melyik információs elemről van szó - egyforma.
A korszerű félvezető memóriák egytől mindegyike ebbe a kategóriába tartozik.
A véletlen elérésű memóriák két csoportra oszlanak:
(üzemszerűen) csak olvasható (read-only memory),
írható-olvasható (read-write memory).
Előbbibe az információ speciális (az üzemszerű működéstől eltérő) módon került bevitelre, és
ezután normál módon (szokásos jellegű és paraméterű villamos jelek) kezelhetők, olvashatók
ki belőle ezen információk. Az írható-olvasható memóriák , ellentétben a csak olvasható
memóriákkal, szokványos módon kezelhetők mind írás, mind olvasás szempontjából.

A. Csak olvasható memóriák

A csak olvasható memóriák - ahogyan az a nevükből is kiderül - kizárólag olvashatók.

a. ROM-ok
A ROM-ok e típusánál a gyárilag speciális eszközökkel bevitt adatok többé már nem
módosíthatók. Ezek az eszközök más szóhasználattal a maszkprogramozott ROM-ok.
A ROM-nak ott van létjogosultsága, ahol már kipróbált, letesztelt adatok tárolására van
szükség, és a berendezés, amelybe bekerül, nagy sorozatban készül. Olcsó eszköz, mégis ma
már inkább fejlettebb típusokkal helyettesítik.

A ROM eszközöknél az információ tényleges kialakítása úgy történik, hogy a gyártás során
a MOS tranzisztor vezérlőelektródája alatt vékonyabb ill. vastagabb szigetelőréteget hoznak
létre, így vagy van tranzisztor (1) vagy nincs (0). Ezt illusztrálja a 10.4. ábra.

b. PROM
A technológiák fejlődésével ezután az egyszer programozható ROM (PROM,
P: programmable = programozható) került piacra. Ezen eszköznél az információt speciális
berendezéssel és módszerrel a felhasználó maga írhatja be (égetheti be), ezután azonban ezen
eszközt is csak olvasni lehet. Amennyiben akár egyetlen bit is hibás, úgy a PROM kidobásra
10-6 MEMÓRIAELEMEK

kerül. Értelemszerűen a ROM minden előnyével rendelkezik, hátránya nélkül. Alkalmazását

az EPROM-ok háttérbe szorították.

c. EPROM
A csak olvasható eszközök következő, talán jelenleg is még leginkább elterjedt típusa a
törölhető - programozható ROM (EPROM: E: erasable = törölhető). Az EPROM-nál is
speciális módon lehet létrehozni az információt majd az olvasás a szokványos módon
történhet. Amennyiben a későbbiekben az adatok megváltoztatására van szükség, úgy ez két
lépcsőben történhet: először ismét csak speciális, de egyszerű módon törölni lehet az eszközt,
majd újra programozzuk. Ez a ROM-tól és PROM-tól eltérő működési elv alapján lehetséges.
Az ilyen ún. FAMOS eszközök (Floating gate Avalanche injection MOS: lebegő
vezérlőelektródás és lavinaeffektusos MOS) felépítését mutatja a 10.4 ábra.

elsõ poliszilicium réteg második poliszilicium

(lebegõ elektróda) réteg
UG
vezérlõelektróda-
oxidréteg
(325 A)
vastagoxid
UD
G

S D
N+
p típusú hordozó

10.4. ábra

A tárolóelemek tulajdonképpen MOS tranzisztorok, de a vezérlő elektródájuk két egymáshoz

közel elhelyezkedő részből áll. A szokásos vezérlőelektróda alatt egy SiO2- rétegbe ágyazott
második elektróda helyezkedik el, amely így villamosan nincs a külvilággal összekötve: kvázi
lebeg. Az S elektródát 0 V-ra kötik. Ha alaphelyzetben (vagy törlést követően) választjuk ki
az eszközt (vezéreljük a vezérlőelektródát) az nem lesz hatással az S és D elektróda közötti
kapcsolatra, áramvezetés nem jön létre S és D között. Amikor azonban az illető bitet
programozzuk, az azt jelenti, hogy a lebegő vezérlőelektródába speciális módon
programozással (= “beégetés” nagyobb feszültséggel) injektálunk elektronokat. Ha ekkor
választjuk ki e cellát (pozitív feszültséget adunk a vezérlő elektródára), úgy a lebegő
elektróda a tranzisztor S és D elektródája között elektronokban gazdag áramvezető csatorna
létrejöttét eredményezi, és a kiválasztott cella S-D elektródája között kisimpedanciás
kapcsolat jön létre. Emiatt kiválasztáskor 0 értéket kapunk. Az 1 értékre beállítani kívánt
tranzisztorokat nem égetjük be, így azoknál nem halmozódnak fel a lebegő elektródán
elektronok, stb. A negatív töltés eltávolítása a lebegő elektródáról ultraibolya fénnyel
történhet (= törlés), időigénye a sugár-intenzitástól függően 10-30 perc.
A lebegő elektródán felhalmozott elektronok törlés nélkül a szigetelő szilicium-oxid réteg
miatt megmaradnak (a lassú szivárgás 10-30% - 10 évben adható meg. Mivel ultraibolya fény
a törlést eredményezi, nem célszerű ezeket az EPROM-okat ilyen sugárzásnak nem törlés
céljából kitenni (pl. napfény, stb. ). Az ultraibolya sugárzás szokásos hullámhossza 2537 A,
intenzitása 6-10 Ws/cm .
10-7 MEMÓRIAELEMEK

Egy chip programozási időigénye - kapacitástól és programozási technikától függően - 10 s -

1-2 min. Ezt a nagyobb kapacitású elemeknél az ún. Quick Programming Algorythm és
Intelligent Programming Algorythm segítségével tudják tartani. Ezek lényege röviden az,
hogy nem a korábbi típusoknál használt 20 ms/byte programozási idővel dolgoznak, hanem
ennél lényegesen rövidebb impulzust (1ms ill. 1 µs hosszúságút) használnak, és annyiszor
égetik be az illető byte-ot, amíg az információ benne meg nem marad. Ezután a biztonság
kedvéért még újabb „ráprogramozási” ciklusokkal fejezik be a műveletet. A gyakorlatban a
byte-ok 90-95%-ának néhány égetési ciklus elégséges a stabilizálódáshoz.

Az ilyen elven működő memóriák 1971-ben jelentek meg először (az Intel hozta piacra) és
azóta is ugyanezen megoldásra építve működnek. A korábbi p-MOS elemeket azóta azonban
n-MOS és CMOS elemek váltották fel.
Az EPROM-ok kapacitása az 1 Mbitet (128*8 bit) is eléri, általában byte szervezésűek.
Elérési idejük 100-200 ns. Áruk igen kedvező, fajlagos költségük a dinamikus RAM-okénál is
kisebb.

d. EAROM, EEPROM, E2PROM

A közelmúltban nagy erőfeszítéseket tettek annak érdekében, hogy a csak olvasható elemek
programozását és törlését is egyszerűbbé tegyék: ne kelljen eltávolítani az eszközt a helyéről,
ill. villamos jelekkel lehessen minden műveletet elvégezni. Ennek az erőfeszítésnek az
eredményeképpen jöttek létre az EAROM-ok (EAROM: Electrically Alterable ROM-ok =
elektromosan változtatható tartalmú csak olvasható memóriák) és az EEPROM-ok (E2PROM
= Electrically Erasable PROM - elektromosan törölhető programozható csak olvasható
memóriák). Előbbi lehetőséget biztosít arra, hogy néhány elemének tartalmát szelektíven
megváltoztathassuk, anélkül, hogy a teljes chipet törölni kelljen. így a változtatás idejére nem
kell a tokot eltávolítani ( ellentétben az EPROM-okkal).
Ugyanakkor a törlés - átírás ideje relatíve hosszú (néhány ms-tól 30 percig is eltarthat).
Emellett az utóbbi eszközök nem nyújtanak tokonként megfelelő bitsűrűséget, és az egyes
fejlesztők gyártmányai csak ritkán kompatibilisek egymással.
A ROM jellegű eszközök sorában az első alternatívát ezen E2PROM-ok jelentettek. Az
E2PROM felépítése a 10.5.a. ábrán látható.
Ez hasonlít az EPROM felépítésére, de eltér tőle abban, hogy az ott megismert lebegő
elektróda negatív töltése az ún Fowler-Nordheim effektus (tunneling = alagúthatás)
segítségével eltávolítható. Gyakran alkalmaznak egy külön kiválasztó tranzisztort is (10.5.b.
ábra) a bienkénti műveletek lehetővé tevéséhez. Így a cella méret tovább növekszik.

Az E2PROM-ok kategóriájukban a legkisebb kapacitásúak és fajlagos (bitre vetített)

költségük a véletlen elérésű memóriák közül a legmagasabb.
10-8 MEMÓRIAELEMEK

második poliszilicium
réteg
UG
UD “alagút”
elsõ poliszilicium réteg oxidréteg
(lebegõ elektróda) 325q

vastagoxid G

S D
N+
p- típusú hordozó

10.5.a. ábra

Vezérlő elektróda Lebegő elektróda

Poliszilicium Kiválasztó tranzisztor

SiO2 Kiválasztó
Drain / vezeték
Source Poliszilicium Source Poliszilicium Drain
Szó vezeték

Csatorna-oxid
(SiO2) Szubsztrát
Bit vezeték
10.5.b. ábra

e. Flash memória
Az utóbbi évek legnagyobb áttörésének lehetőségét a flash memóriák hozták. E memóriák
egyesítik a RAM-ok írható-olvashatóságát a ROM-ok nem törlődő tulajdonságával. A flash
memóriák az EPROM-nál (ld. 10.4. ábra) és az E2PROM-nál (ld. 10.5. ábra) látotthoz
hasonlóan épülnek fel, de az EPROM-étól eltérően a lebegő elektróda alatti oxidréteg
vékonyabb (100-120 nm), így a programozás és a törlés is e vékony alagúton keresztül
történik. A programozást az EPROM-nál (10.6.a. ábra) , a törlést az E2PROM-nál (8.6.b.
ábra) alkalmazott módon oldják meg.
10-9 MEMÓRIAELEMEK

UG=Upp

vezérlõ (kiválasztó) elektróda

lebegõ elektróda
UD ≤ Upp

SOURCE n+ n+ DRAIN

p típusú
kiürített réteg
hordozó

10.6.a. ábra
A programozáskor az erősen adalékolt (és 0 potenciálra kapcsolt) S elektródából a
vezérlőelektódára kapcsolt pozitív feszültség hatására (a D-re a vezérlőelektródánál kisebb
pozitív feszültséget kapcsolunk) lépnek át az elektronok a lebegő elektródába, míg törléskor
az S elektródára kapcsolt pozitív feszültség hatására (földelt vezérlőelektróda és nyitva
hagyott D elektróda mellett) hagyják el az elektronok a lebegő elektródát és lépnek át az S
elektródára. Mindezt az teszi lehetővé, hogy a lebegő elektróda alatti SiO2 réteg az EPROM-
énál jóval vékonyabb.

vezérlõ (kiválasztó) elektróda

US = Upp

lebegõ elektróda

SOURCE n+ n+ DRAIN

kiürített réteg
p típusú

hordozó

10.6.b. ábra
10-10 MEMÓRIAELEMEK

A flash memóriák kapacitása hozzávetőlegesen az EPROM-éval azonos. A törlés az egész

chipre egyszerre történik, ideje 1 s alatti. A byte-onkénti programozás ideje 10 µs, egy teljes
chipre vonatkozóan 1s-nél kisebb. A memória elérési ideje 100 ns körüli. Költsége magasabb
mint az EPROM-é. Hátránya az írható-olvasható memóriákhoz képest, hogy lassabb és több
tápfeszültségre van szükség az átprogramozás idejére. Nem kell ugyan eltávolítani a helyéről
a chipet a programozás idejére, de a tápfeszültségnél nagyobb programozási feszültségre
(általában 11-12 V) szükség van. Ugyanakkor viszont a memória nem törlődő!

A három jelenleg is használt ROM-jellegű eszköz összehasonlítását a 10.1 táblázat mutatja.

Itt az egyes kategórián belül a jelentősebb gyártók termékeit mutatjuk be. A
szabványosításnak az EEPROM-oknál és főként a flash memóriánál még csak a csírái
fedezhetők fel.
A ROM jellegű eszközök értelemszerűen tápfeszültség kimaradásakor nem vesztik el
információikat: a tápfeszültség újra megjelenésével az információ is újra rendelkezésre áll.

A 10.5. táblázat a különböző memóriatípusok 1-1 egyedének lényegesebb adatait mutatja be.

B. Írható - olvasható memóriák

A fogalomról már korábban beszéltünk. A RAM memóriáknak kétféle típusa van: statikus és
dinamikus RAM-ok.

a. Statikus RAM-ok
A statikus RAM-okban az információ tárolása flip-flopok segítségével történik, vagyis nem
szükséges frissíteni az egyszer már beírt adatokat. Tápfeszültség mellett és változtatás nélkül
elvileg végtelenül hosszú ideig megőrzik az információt. Két ilyen cella látható a 10.7.a. és b.
ábrán. Az a. ábra a 4-tranzisztoros (4T) cellát mutat, míg a b. ábrán a 6-tranzisztoros cella
látható (nMOS kapcsolástechnikával). Előbbi a nagyobb elemsűrűség, míg utóbbi a kisebb
disszipáció esetén alkalmazott kapcsolás. A cellákhoz egy kiválasztó vezérlő vezeték és egy
oszlop vezeték (kimenet) csatlakozik.
10-11 MEMÓRIAELEMEK

Gyártó Sűrűség Elérési idő Fogyasztás Törlési ill. programozási Minimális Táp-
ciklus idő törlési feszültség
egység
[ns] [mA] [V]
FLASH Intel 1M bit 120 30 100000 1s / chip Teljes chip 5, 12
memória 10 us / byte
Seeq Techn. 1 M bit 200/250 30 1000 12 s / chip Szektor, chip 5, 12
525 us / byte
Texas Inst. 256k bit 170 15 1000 15 ms / chip Teljes chip 5
15 ms / chip
Toshiba 256 kbit 170 30 100 100 ms / chip Teljes chip 5, 12.75
200 us / byte

EEPROM Simtek 256 kbit 120 80 100000 10 ms / chip byte 5

Corp.
160 us - byte
Xicor Inc. 1 Mbit 200 50 100000 5 ms / lap byte 5
5 ms / lap

EPROM Microchip 256 kbit 55 55 max. 100 20 min max. Teljes chip 5, 12
T.

Texas Instr. 1 Mbit 170 50 max. 100 20 min max. Teljes chip 5, 12

10.5. táblázat
10-12 MEMÓRIAELEMEK

A flip-flopok működését ismertnek tételezzük fel, ezért az áramkörök működésének részletes

magyarázatától eltekintünk. Annyit említünk csak, hogy az oszlop (bit-) vezetékek
kétirányúak, de egy időben csak egy irányban haladhat rajta információ. Írásnál a kiválasztó
tranzisztorokhoz, míg olvasásnál azok felől halad az információ. A kapuzó (kiválasztó
tranzisztorok teremtenek kapcsolatot az információt tároló (flip-flopok) és a vezérlés között.

vízszintes (szó) kiválasztó vezeték (WL)

UT

Kapuzó Kapuzó
tranzisztor tranzisztor

Oszlop (bit-) Oszlop (bit-)

vezeték (BL) vezeték ( BL)

10.7. a. ábra

A statikus RAM-ok mindig kb. egy nagyságrenddel kisebb elemsűrűségűek, jelenleg 64 kbit a
jellemző kapacitás, 4 vagy 8 bites szervezésben

vízszintes (szó) kiválasztó vezeték (WL)

UT

Kapuzó Kapuzó
tranzisztor tranzisztor

Oszlop (bit-) Oszlop (bit-)

vezeték (BL) vezeték ( BL)

10.7.b. ábra
Technológia szempontjából már a CMOS kapcsolástechnika, logika a a domináns, hozzáférési
idejük 1-10 ns.

b. Dinamikus RAM-ok
Az írható olvasható (R/W) memóriák dinamikus kategóriáját röviden DRAM-oknak (DRAM:
Dynamic RAM) hívjuk.
Ellentétben a statikus RAM-okkal, a dinamikus RAM-ok kapacitív elven tárolják az adatokat.
Ebből adódó előny a nagyobb elemsűrűség (kapacitás), hátrány pedig az, hogy az információt
időről időre frissíteni kell.
A nagy elemsűrűség nagy memóriakapacitás-igény esetén (pl. számítástechnikai
alkalmazások) helyezi előtérbe őket.
10-13 MEMÓRIAELEMEK

A dinamikus RAM-okban is mátrix struktúrában tároljuk az adatokat. Ez azt jelenti, hogy

sorok és oszlopok kereszteződésében foglalnak helyet az adattároló cellák.
Ezt mutatja a 10.8. ábra.
Cím Adat
busz busz

CAS

Oszlop-cím-
tároló (latch)

Oszlop-cím-
dekódoló

Sor- Sor-
cím- cím-
tároló dekó
(latch) doló
RAS

Érzékelő és
frissítési erősítő

10.8 ábra

Elsősorban a kivezetési lábszám csökkentése miatt a memóriacímek két lépésben kerülnek

megadásra. Első lépésben a sorcím, majd második lépésben az oszlopcím kerül a memóriához
kiküldésre. Mind a sorcím mind pedig az oszlopcím tárolásra kerül a memóriában. Előbbi
„bekapuzását” (rögzítését) a sorcím kapuzójel ( RAS : Row Address Strobe), utóbbiét az

Korábban egy bit tárolásához több tranzisztorra volt szükség.

A memóriacellák általában sorokra és oszlopokra oszlanak, mátrixszerű az elemek
elrendezése. Ennek megfelelően van egy sor- és egy oszlopkiválasztó jel. Dinamikus
memóriáknál a frissítési feladatokat megfelelő kapcsolási megoldással szervezéssel egy sor
vagy egy oszlop megcímzésére redukálták, ekkor az összes, abban a vonalban lévő elem
felfrissül.
10-14 MEMÓRIAELEMEK

Az egytranzisztoros DRAM cella ugyan egyszerűbb és kisebb méretű, mint a korábbi

háromtranzisztoros, de a kiegészítő, vezérlő áramkörökből több kell. A mátrix elrendezés
miatt azonban egy n x n méretű mátrixnál n darab szókijelölő áramkört, n darab író-és n
darab olvasó erősítőt kell használni. Összességében mégis lényegesen kevesebb tranzisztorra
van
szükség.
A korszerű DRAM-oknál egy bit tárolását egy tranzisztor segítségével végezzük. A tárolást
magát egy, a tranzisztorhoz integrált és társított kapacitás végzi. Az egy-cellás DRAM
sematikus rajzát a 10.9.a. ábra mutatja.
Frissítési
buffer Oszlop (bit)
kiválasztó vonal
Frissítés
Y Sor kiválasztó vonal
X

Olvasás Kimeneti buffer/

Érzékelő erősítő
DKI T: kiválasztó
tranzisztor
R/W

DBE C: tároló
kapacitás
Írás Bemeneti
buffer

10.9.a. ábra

A jobb oldali, szaggatott vonallal jelzett területen a ténylegese tárolást végző kapacitás és az
őt közvetlenül vezérlő tranzisztort találjuk, míg az ábra jobb felén a vezérlő-érzékelő-erősítő
és kiválasztó elemeket látjuk.
A működést különböző esetekre az alábbi ábrasor (10.9.b – 10.9.d. ábrák) mutatja be.
Az egyes jelekhez odaírtuk a szükséges bemeneti ill. kialakuló kimeneti értékeket, így
könnyen nyomon követhető a működés.
Az ábrák jelöléseinek magyarázata:
• C: tároló kapacitás. E kondenzátorban történik az adatok tárolása
• T: kiválasztó tranzisztor. Összekötetést teremt az adatot tároló kapacitás és a memórián
belüli adatvezeték (bitvezeték) között.
• Frissítés (refresh): az információ frissítése során e jel aktív (itt logikai 1) szintjével (és
mellette a R/ W = 1 szintje melle) történik meg a frissítés.
• X: ez a sor (szó) kiválasztó jel. Aktív (itt logikai 1) szintje eredményezi a memóriamátrix
érintett sorának (sorában levő kiválasztó tranzisztoroknak) a kiválasztását. Vezérli a
„Frissítési buffer” jelű eszközt: logikai 1 szintje kiválasztja, 0 szintje (alaphelyzet) tiltja
10-15 MEMÓRIAELEMEK

azt. Az egy sorban található összes cella bitjét szónak is szokták hívni, így e vezeték a szó
vezeték nevet is viseli.
• DKI: az adat kimeneti vonala. Gyakran közösítve van a chipen kívűl(re) az adat bemeneti
vonallal.
• DBE: az adat bemeneti vonala. Gyakran közösítve van a chipen kívűl(re) az adat kimeneti
vonallal.
• R/ W : Olvasó / Író vezérlő vezeték. Logikai 1 szintje esetén olvasó, logikai 0 szintje
esetén író funkciója van kiválasztva és az aktív. Vezérli mind a „Kimeneti buffer /
Érzékelő erősítő” jelű, mind pedig a „Bemeneti buffer” jelű eszközt. Ez utóbbi eszköz
bemenetén a jel negálásra kerül (ld. karika), mely által a két eszköz ellentétesen kerül
vezérlésre: írásnál R/ W = 0 , míg olvasásnál R/ W = 1 .
• Y: oszlop (bit) kiválasztó vezeték. Adott soron belül e vezetékkel kerül kiválasztásra az
érintett oszlop cellája. Mivel az adott soron (szavon) belül ez határozza meg a konkrét
bitet, így bitvezetéknek is nevezik az oszlopvezetéket.

Frissítési
buffer Oszlop (bit)
kiválasztó vonal
Frissítés
0
Y Sor kiválasztó vonal
X

Olvasás, Kimeneti buffer/

Érzékelő erősítő
DKI T: kiválasztó
tranzisztor
R/W
0
+
DBE 1 C: tároló
1 - kapacitás
Írás, Bemeneti
buffer

10.9.b. ábra
logikai 1 írása a cellába (adott sor-oszlop kiválasztva)
10-16 MEMÓRIAELEMEK

Frissítési
buffer Oszlop (bit)
kiválasztó vonal
Frissítés
0
Y Sor kiválasztó vonal
X

Olvasás Kimeneti buffer/

Érzékelő erősítő
DKI T: kiválasztó
0
tranzisztor
R/W
1 +
DBE 0 C: tároló
- kapacitás
Írás Bemeneti
buffer

10.9.c. ábra
logikai 0 olvasása a cellából (adott sor-oszlop kiválasztva)

Frissítési
buffer Oszlop (bit)
kiválasztó vonal
Frissítés
0
Y Sor kiválasztó vonal
X

Olvasás Kimeneti buffer/

Érzékelő erősítő
DKI T: kiválasztó
1
tranzisztor
R/W
1 +
DBE 1 C: tároló
- kapacitás
Írás Bemeneti
buffer

10.9.d. ábra
adatfrissítés (a cellában logikai 1) teljes sorban
10-17 MEMÓRIAELEMEK

A memóriák és a processzorok teljesítményének, sebességének fejlődési üteme az utóbbi 20-

25 évben sajnos jelentős mértékben eltért. Ezt mutatja a 10.10. ábra.

CPU – Memória teljesítmény olló nyílása

Relatív
teljesítmény

évek

Forrás: Elsevier science 2003

10.10. ábra

A DRAM memóriák - technológiai fejlődésük mellett - szervezésükben, vezérlésükben is

fejlődtek az évtizedek során. Ezt mutatjuk be a következőkben az olvasási ciklusok
példájánkeresztül.
Az eredeti DRAM-megoldást a 10.11.a. ábra mutatja.

RAS

CAS

Cím Sor Oszlop Sor Oszlop

DKI Érvényes adat ki Érvényes adat ki

tRAC Tciklus tRAC

Tciklus

10.11.a. ábra
10-18 MEMÓRIAELEMEK

A sorok és oszlopok címének megadása egymást követi (ld. 10.8. ábra) , a sorcím
érvényességét a RAS jel, míg az oszlopcím érvényességét a CAS aktívvá válása jel jelzi és
e jelek szolgálnak kapuzó-jelként is. Az olvasás során a RAS jel aktívvá válásához képest
fog adott időzítéssel (tRAC) előállni az adat a RAM kimenetén. A RAS jel inaktívvá válását
követően, ugyancsak adott időzítéssel válik érvénytelenné az adat a RAM kimenetén. Ezt
követően még adott ideig inaktív a memória (jelek regenerálódása, megnyugvása, stb.). A
teljes olvasási ciklust a tciklus jelöli. Az eredeti DRAM-nál minden egyes adatszó (ez
szervezéstől függően lehet bit, byte, vagy nagyobb adategység) olvasásához 1 teljes ciklusra
van szükség, vagyis ahány adatszót kívánunk olvasni, annyiszor tciklus időt vesz igénybe az
olvasási folyamat.
Mivel a számítógépeknél gyakori a több egymás utáni címen elhelyezkedő memóriaszó
egymás utáni gyors beolvasási igénye (burst -löketes olvasás), így mi is 4 szó ilyen burst
üzemben történő beolvasási idejét vizsgáljuk majd.
Tekintsük először a fejlődés elvi megoldásait, majd utána végzünk egy kis számítást.
A 10.11.a. ábrán látható eredeti RAM megoldásnál 4 szó olvasásához 4 teljes ciklusra van
szükség.
A későbbiekben rájöttek arra, hogy az ilyen burst olvasás esetén az egymást követő adatok
többségében azonos sorban, de eltérő oszlopban helyezkednek el. Így megspórolható a sor
megadása a 2., 3. És 4. ciklusokban, ha gondoskodunk a sorcím megőrzéséről. A
memóriáknál szokták – a könyvekkel való hasonlatot figyelembe véve - az egyes sorokat
lapoknak tekinteni, így mondhatjuk, hogy a 4 egymást követő adat többnyire azonos lapon
helyezkedik el. Vagyis (általában) elégséges a sorcímet egyszer kiküldeni, majd az 1. Adat
oszlopcímét (teljes ciklus), de az ezt követő ciklusokban már csak a soron belüli
kiválasztással foglalkozva az oszlopcímeket kell kiküldeni. Ez az ú.n. FPM DRAM-ok (FPM:
Fast Page Mode - gyors lap módú) megoldása és ez látható a 10.11.b. ábrán.

RAS

CAS

Cím Sor Oszlop Oszlop Oszlop Oszlop

Érvényes adat ki Érvényes adat ki

DKI Érvényes adat ki Érvényes adat ki

tRAC TCAC1 TCAC2 TCAC3

10.11.b. ábra

Látható és érthető a gyorsulás. Felhívjuk a figyelmet azonban arra, hogy az első ciklus azonos
(és azonos hosszúságú) a hagyományos (eredeti) DRAM-ok diagramján látottal, vagyis
nyereség csak a 2., 3. és 4. Ciklusban adódik.

További fejlemény volt az ún. EDO DRAM (EDO: Extended Data Out – nyújtott adat-
kinttartás) megalkotása. Ezeket időnként HPM DRAM-nak is nevezik (HPM: Hyper Page
Mode – hiper lapmódusú). Ennél a megoldásnál azt használjuk ki, hogy a kimenet
regenerálódása, jelmegnyugvás miatt szükséges holtidő kiküszöbölhető. Ha a kimeneten
elhelyezünk egy tárolót, akkor a kimeneten mindig (ill. hosszabban) lehet érvényes adat. Így
10-19 MEMÓRIAELEMEK

az adatok regenerálódására, váltásra rövidebb idő elégséges, hiszen az adatot a tároló

továbbra is megőrzi. Így a 2., 3. És 4. Ciklust tovább rövidíthetjük, gyorsíthatjuk. Az EDO
RAM-ok elvi működése a 10.11.c. ábrán látható

RAS

CAS

Cím Sor Oszlop Oszlop Oszlop Oszlop

DKI Érvényes adat ki Érvényes adat ki Érvényes adat ki Érvényes adat ki

tRAC TCAC1 TCAC2 TCAC3

10.11.c. ábra

A következő lépés annak felismerése volt, hogy az egymás utáni adatok nemcsak egy lapon
(egy sorban) helyezkednek el (általában), hanem egymást is követik. Vagyis ha rendelkezésre
áll az első adat címe, a másodiknak még az oszlopcímére se kell várni, hiszen az eggyel több,
mint az előző: inkrementálással megállapítható. Ha beépítünk a memória vezérlésébe egy
számlálót, úgy a 2., 3. és 4. Adat címzése nagyon gyorsan lehetséges az 1. Adat címének
megkapását követően. Ezzel egyidejűleg két újabb újítás is beépítésre került a következő
generációba. Az eddigi memóriák aszinkron módon működtek az adatot kérő egységhez
10.11.d. ábra

CLK

RAS

CAS

Cím Sor Oszlop

Érvényes Érvényes Érvényes Érvényes

DKI adat ki adat ki adat ki adat ki
tRAC TAC1 TAC3
TAC2

(pl. processzor) képest. Ez most megváltozott, a memória működését szinkronizálták az

adatot kérő egységhez. Ugyankkor arra is rájöttek, hogyha egymás utáni címeken levő
adatokra van szükség, ez gyorsabban szolgáltatható úgy, ha két részre osztjuk a memóriát. Pl.
a páratlan címeken levő adatszavak az egyik, míg a párosak a másik memóriablokkban
10-20 MEMÓRIAELEMEK

kapnak helyet. Ilyenkor tudniillik a címek ismeretében párhuzamosan indítható el a két

blokkban az adathozzáférési folyamat. Ezáltal még gyorsabban áll elő összességében az adat.
Ezen dinamikus RAM memóriákat Szinkron DRAM-oknak (SDRAM) nevezzük és
működésük sematikusan a 10.11.d. ábrán látható.

Az elvi tárgyalás után végezzünk egy kis számítást.

Tételezzünk ehhez (a könnyebb számítás miatt egy korábbi, lassabb processzort is
feltételezünk) fel 66MHz-es processzor órajelet és 60 ns elérési idejű DRAM memóriát.
Ugyancsak tételezzük fel (tipikus adatok ezen memóriatípusoknál), hogy az FPM DRAM-
oknál 35 ns, az EDO DRAM-oknál 25 ns, míg az SDRAM-oknál 10 ns a 2., 3. és 4. ciklus
ciklusideje.
Nézzük meg, hogy az említett 4-szavas burst olvasás során az előbbi 4 DRAM típusnak
mennyi időre és hány processzor-ciklusra van szüksége e folyamat során.
Ezt a 10.1. és 10.2. táblázat mutatja.

DRAM típus tcyclus1 tciklus2 tciklus3 tciklus4 Átlag [ns]

[ns] [ns] [ns] [ns]
DRAM 60 60 60 60 60,00
FPM DRAM 60 35 35 35 41,25
HPM DRAM (EDO) 60 25 25 25 33,75
SDRAM 60 10 10 10 22,50

10.1. táblázat

Az említett 66MHz-es órajellel számolva (ez 15,15 ns periódusidőt jelent),a szükséges

processzorciklusok száma a 10.1. táblázatban látható. A táblázat utolsó sorában azt láthatjuk,
hogyha a memória helyett a 2. Szintű cache memóriához fordulna a processzor (itt megtalálná
az adatot), ez az adatelérés mennyi órajel-ütemből állna.

DRAM típus Órajel-ütem Órajel-ütem Órajel-ütem Órajel-ütem

szám szám szám szám
DRAM 5 5 5 5
FPM DRAM 5 3 3 3
HPM DRAM (EDO) 5 2 2 2
SDRAM 5 1 1 1
L2 cache 2 1 1 1
10.2. táblázat

Látható, hogy milyen gyorsulást sikerült elérni technológiai javulás nélkül is.
Megjegyzendő, hogy az elmondott gyorsulás csak a löket (burst) módban történő memória-
hozzáférésre igaz. Amennyiben a hozzáférés (olvasás) egyes szavanként történik, úgy nincs
nyereség, hiszen végig kell várni a DRAM teljes olvasási ciklusa meghatározta időt!
A hagyományos DRAM, FPM DRAM, EDO DRAM esetében jellemzően a chip elérési
idejével jellemezték a memória-chip sebességét (110ns Ö 50 ns), míg az SDRAM-oknál a
szinkron frekvenciával is. Ez utóbbi 66 MHz-ről 100 MHz-re majd 133 MHz-re emelkedett.
A 166MHz-es memóriamodulok is megjelentek, de magas áruk miatt nem terjedtek el.
A fejlődés nem állt meg az SDRAM-oknál. A következő lépés annak továbbgondolása volt,
hogy külön lehet választani a memóriában magát az adattároló blokkot a közvetlen
vezérléssel és a busz ki / beviteli (I/O) egységet. Ezzel a függetlenítéssel eltérő sebességgel
tudjuk vezérelni e két egységet. Ugyanis az általános vezérlő- és meghajtó áramkörök
10-21 MEMÓRIAELEMEK

lényegesen gyorsabban működnek, mint maguk a tároló-elemek. Egy másik gondolat is

bevonult a gyakorlatba, méghozzá az, hogy ha a memóriablokk több, egymástól függetlenül
vezérelhető blokkból áll, úgy párhuzamosan tudunk keresni adatot a különböző blokkokban
Ez pedig löket-típusú hozzáférésnél kézenfekvő, hiszen az első cím megadásával a többi
elérni kívánt adat címe is azonosításra kerül. Ezt az elvet használja ki az ú.n. DDR SDRAM
(DDR: Double Data Rate: dupla adat ütemű), melynél egy időben 2 adatelérés történik és a
memória I/O egysége a megtalált adatokat egy alap-órajel ütemen belül bocsátja ki: az órajel
fel és lefutó élére is szolgáltat adatot. Ezt mutatja a 10.12. a. és b. ábrája. Az a. ábra a
korábban ismertetett SDRAM-nál mutatja be az egyes ütemeket, frekvenciákat, míg a b. ábra
a DDR SDRAM (röviden DDR) memóriánál teszi mindezt. Mindegyik ábra azt feltételezi,
hogy a külső adatút 8-byte-os (64-bites). Ez természetesen nem egy lapkát (chip-et) jelent,
hanem többet, hiszen szervezésük általában kisebb bitszámmal történik. A chipek egy ú.n.
memóriamodulon (élcsatlakozós memória-kártya) helyezkednek el (ld. részletesebben
később)

Memória adattároló 64 bit 64 bit

tömb I/O egység
+
közvetlen memória
vezérlés

memóriamodul

Alapfrekvencia: Órafrekvencia: Adatfrekvencia:

f f f
10.12. a. ábra

Memória adattároló 64 bit

tömb 64 bit I/O egység
+ +
közvetlen memória 64 bit
vezérlés = 128 bit

memóriamodul

Alapfrekvencia: Órafrekvencia: Adatfrekvencia:

f f 2*f

10.12. b. ábra

Az SDRAM-ok és a DDR memóriák összehasonlítását mutatja a 10.3. táblázat. Látható, hogy

míg a korábbi SDRAM-nodulokat (csak) az órafrekvenciájukkal jelölték, addig a DDR
memóriákat a sávszélességükkel is.
Memória I/O egység)
10-22 MEMÓRIAELEMEK

Alternatív óra- óra- Adatütem Sávszélesség

Megnevezés megnevezés Típus Frekvenciája frekvenciája frekvenciája Mbyte/s
MHz MHz MHz
PC-66 - SDRAM 66 66 66 528
PC-100 - SDRAM 100 100 100 800
PC-133 - SDRAM 133 133 133 1064
PC-166 - SDRAM 166 166 166 1328
PC 1600 DDR-200 DDR DRAM 100 100 200 1600
PC 2100 DDR-266 DDR DRAM 133 133 266 2100
PC 2700 DDR-333 DDR DRAM 166 166 333 2700
PC 3200 DDR-400 DDR DRAM 200 200 400 3200
10.3. táblázat
A fejlesztések továbbra is ezt az utat járta, vagyis szétválasztva a memóriamodulon található
két egységet megpróbálták tovább növelni a memória-mátrix adathozzáférési
párhuzamosságát növelni, megduplázni. Ekkor azonban már az I/O egység belső működési
frekvenciáját is kétszerezni kellett. Ezt mutatja a 10.13. ábra. A létrehozott memóriát
DDR-II-nek (helyenként DDR2-nek) nevezik.

4 * 64 bit = 256 bit

Memória adattároló 64 bit
tömb I/O egység
+
közvetlen memória
vezérlés

memóriamodul

Alapfrekvencia: Órafrekvencia: Adatfrekvencia:

f 2*f 4*f

10.13. ábra

A DDR II memóriák egyes elemeit (a DDR sorozat tagjaival együtt) a 10.4. táblázat mutatja
be.

Memória I/O egység)

Alternatív óra- óra- Adatütem Sávszélesség
Megnevezés megnevezés Típus frekvenciája frekvenciája frekvenciája Mbyte/s
MHz MHz MHz
PC 1600 DDR-200 DDR DRAM 100 100 200 1600
PC 2100 DDR-266 DDR DRAM 133 133 266 2100
PC 2700 DDR-333 DDR DRAM 166 166 333 2700
PC 3200 DDR-400 DDR DRAM 200 200 400 3200
PC2 3200 DDR II-400 DDR DRAM 100 200 400 3200
PC2-4200 DDR II-533 DDR DRAM 133 266 533 4200
PC2 5400 DDR II-667 DDR DRAM 166 333 666 5400
PC2 6400 DDR II-800 DDR DRAM 200 400 800 6400
10.4. táblázat
10-23 MEMÓRIAELEMEK

A DDR és DDR II memóriákat összehasonlítva érdekes megfigyelést tehetünk. A DDR-400

és a DDR II-400 azonos sávszélességet mutat. Ugyankkor azonban a DDR-400 belső
memória-egységének órajele 200 MHz, míg a DDR II-400-é csak 100 MHz. Ez azt
eredményezi, hogy DDR-II jel-késleltetési ideje a kisebb órafrekvencia miatt nagyobb lesz,
vagyis érdemesebb használni a DDR-400-at! Előnye persze előbbinek az lehet, hogy kisebb
sebességi igényt támaszt a chip-ekkel szemben és kevesebb hőt termel.

A DDR II-nél nem állt meg a fejlődés, megjelennek a piacon a DDR III (DDR3) modulok. E
modulnál a memóriablokk párhuzamosítása 8-szorosra nő. Ezt mutatja a 10.14. ábra.

8 * 64 bit = 512 bit

Memória adattároló 64 bit

tömb I/O egység
+
közvetlen memória
vezérlés

memóriamodul

Alapfrekvencia: Órafrekvencia: Adatfrekvencia:

f 4*f 8*f

10.14. ábra

Az I/O egység a memóriablokk frekvenciájának a négyszeresén dolgozik, míg a külső busz

órajelének továbbra is mind a felfutó, mind pedig a lefutó élén történik adatkibocsátás.

A dinamikus RAM-ok nagy bitsűrűsége jelenleg 1-4 Mbit-es chipeket jelent, bites
szervezésben. Gyors hozzáférésűek (50-100 ns). A dinamikus RAM-oknál is a CMOS logika
dominál.
Ha a dinamikus RAM-chipbe integráljuk a frissítő elektronikát is, kvázistatikus RAM-ot
kapunk.

Még szólnunk kell a memóriamodulokról is, mivel ilyen megvalósításban találkozhatunk a

dinamikus memóriákkal személyi számítógépekben (PC). A 15. ábra egy áttekintő képet ad a
különféle modulokról.

A memóriamodulok csaknem az első ú.n. IBM kompatíbilis személyi számítógépeknél

(IBM PC) megjelentek. Először az alaplapra integrált (integrált áramkörként beültetett DIP –
Dual In Package: kétsoros tokozású) memória bővítése céljából, majd a teljes DRAM
memória ilyen módon került megvalósítására.
Minden memóriamodul egy integrált áramköri kártya, melyre több integrált DRAM memória
áramkör (memória IC) és – újabban - ezek közvetlen vezérlése / illesztése helyezkedik el. A
modulok csatlakoztatása eleinte (ú.n. 286-os PC-kben) még tűs csatlakozású megoldást
használtak, ezek a SIPP (Single in line Pin Package: egysorú tűs tokozás – 16. ábra), majd
10-24 MEMÓRIAELEMEK

megjelentek az élcsatlakozós modulok. A SIPP modulok (DRAM és FPM DRAM-hoz)

8-bites hozzáférésűek (8 adatbit) és 30 kivezetéssel rendelkeztek.
Az élcsatlakozós modulok első típusait SIMM
moduloknak nevezték (SIMM: single inline
memory module – egysoros memória modul),
mely 32-bites szervezésűvé vált (32 adatbit) és
72 kivezetéssel rendelkezett, ld. 17. ábra.
Figyeljük meg, hogy az élcsatlakozón bevágás
helyezkedik el. Ugyanilyen kiugrás található a
memóriamodult fogadó csatlakozósoron is,
biztosítva a megfelelő pozíciójú és
orientáltságú csatlakozást. A memória IC-k
egy oldalon beültetve helyezkednek el a
kártyán, a csatlakozó kétoldalas. Ezt követően
jelentek meg a 64-bites szervezésű (64 adatbit)
és 168 kivezetéses
DIMM (dual inline memory module –
kétsoros memória modul) modulok, ld. 18.-19.
ábra. A memória IC-k a kártya két oldalán
helyezkednek el, és a 168 (SDRAM), 184
(DDR SDRAM) ill. 240 (DDR II SDRAM)
kivezetés az élcsatlakozó két oldalán kerültek
kihozatalra.
Itt már két bevágás található a modulon, mert
nemcsak a megfelelő pozicionálást és
orientáltságot, hanem a több generáció eltérő DRAM-modulok forrás:http://wikipedia.org
villamos jellemzői miatt ez gátolja meg, hogy 15. ábra
eltérő villamos specifikációjú (elsősorban
eltérő tápfeszültség) modul kerüljön adott specifikációjú fogadó részbe.
Mindegyik modul tartalmazhat csak
adatbiteket vagy az adatátvitel biztonságát
segítő kiegészítő, paritásbite(ke)t is.
Ilyenkor minden 8 adatbithez 1 paritásbit
tartozik.
A 10.5. táblázat mutatja a SIMM modulok,
a 10.6. táblázat pedig a DIMM modulok
jellemzőit.

8-bites, 32 kivezetéses SIPP (FPM) DRAM modulok

16. ábra

SIMM (FPM, EDO) modulok:

Kivezetések száma Adatbitek száma
Paritás-bit nélküli kivitel Paritás-bites kivitel
30 8 9
72 32 36
10.4. táblázat
10-25 MEMÓRIAELEMEK

32 Mbyte 72-kivezetéses SIMM (EDO DRAM) forrás: www.southland.com

17. ábra

128 Mbyte 168-kivezetéses DIMM modul (SDRAM) forrás: http://service.dell.com

18. ábra

184- ill. 240-kivezetéses DIMM modul (DDR ill. DDR II SDRAM) forrás: www.valueram.com
10.19. ábra
10-26 MEMÓRIAELEMEK

DIMM (SDRAM, DDR, DDRII) modulok:

Kivezetések Adatbitek száma
Típus száma Paritás-bit Paritás-bites ECC-bittel
Nélküli kivitel kivitel kiegészítve
SDRAM 168 64 72 80
DDR 184 64 72 80
DDR II 240 64 72 80
10.4. táblázat

Az ECC az Error Check Code (hiba ellenőrző kód) rövidítése és az ECC-bitek további
hibaellenőrzést segítenek elő. Az ECC-bitek száma és az adatbit-számok közötti összefüggést
a 10.5. táblázat mutatja.

Adatbitek száma ECC-bitek száma

8 5
16 6
32 7
64 8
10.5. táblázat

A notebook jellegű gépekbe ú.n. kisméretű (Small Outline – SO) tokozású modulok
készülnek.

10.3.2. Soros hozzáférésű eszközök

A háttértároló eszközök mellett ide sorolhatók a RAM és ROM jellegű eszközök mindinkább
előtérbe jutása miatt egyre kisebb jelentőséggel bíró mágneses buborékmemóriák és a
töltéscsatolt memóriák (CCD memória).

A. Mágneses buborékmemóriák
A mágneses buborékmemóriák mágneses domének tárolása elvén valósul meg a memória
funkció. Igen nagy mennyiségű információt képes tárolni az ilyen eszköz (Mbyte
nagyságrendű), de mivel mágneses elven tárol a vezérlése nem illeszkedik az egyéb digitális
technikai logikákhoz. Emellett a soros hozzáférés miatt az elérési idő helyfüggő és hosszú (10
ms nagyságrendű).
Az információ tárolás általában hurkokban történik. A főhurokban annyi hely van ahány
mellékhurok van, és általában itt helyezkednek el az író és olvasó kapuk, amelyek
segítségével ezen funkciók megvalósíthatók. Egy ilyen általános elrendezést mutat be a
10.20. ábra (minor loops = mellékhurok, major loop = főhurok, bubbles = buborékok,erase =
törlés, generate = generáló). Az egyes funkciók (törlés, generálás, léptetés, stb.) két, egymásra
merőleges mágneses térrel történik.
10-27 MEMÓRIAELEMEK

Mellékhurkok Fõhurok

buborékok

Buborék
írás/olvas
ás

Törlés
Buborék
generálá
s
10.20. ábra

B. Töltéscsatolt eszközök
A töltéscsatolt eszközök (CCD) hasonlóak a mágneses buborék memóriákhoz, csak itt nem
mágneses domének, hanem potenciálvölgybe kényszerített töltések (10.21. ábra) tárolják az

0 0 +V 0 0
E1 E2 E3 E4 E5
Elektródák aluminium
SiO2

p-típusú szilicium

Potenciális-energia völgy
CCD memóriák elve, struktúrája
10.21. ábra

adatokat. Az információ továbbítása shift regiszter léptetésének elvén (10.22. ábra)történik,

tehát soros a hozzáférés.
10-28 MEMÓRIAELEMEK

Φ3
Φ2
Φ1
Elektródák 1 2 3 4 5 6 7 8 9

A töltés
mozgása

Φ1=+V +V
Φ2= 0
Φ1= 0 0
Φ1=+V +V
Φ2=+V
Φ1= 0 0
Φ1=+V/2
Φ2= +V
+V/2 +V
Φ1= 0 0
Φ1=0 +V
Φ2= +V
0
Φ1= 0

A töltés mozgatása a CCD csatornában

10.22. ábra
A léptetés megfelelő feszültség jelalakkal történik (10.23. ábra). Mivel a soros hozzáférésű
eszközök ezen típusa egyre kisebb jelentőséggel bírnak, így részletesebb tárgyalásuk nem
indokolt.
T
Shift Shift Shift Shift
+V
Φ1
0

+V
Φ2
0

+V
Φ3 0

t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7 t8 t9 t10 t

A háromfázisú vezérlés a CCD memóriához

10.23. ábra
10-29 MEMÓRIAELEMEK

10.4. Memóriák belső szerkezete és interface-e

A memóriák belül általában mátrix elrendezésűek. A mátrix egyik elemét úgy érhetjük el,
hogy a megfelelő sort és oszlopot kiválasztjuk. Ez 2 dekóderrel lehetséges (ez a kétszintű
dekódolás). Egy 16 kbites RAM cellákat is kiemelő blokkvázlatát a 10.24. ábra mutatja. A
cellákban a jelölés 1. száma a sorokat, a második száma az oszlopokat jelenti. A sor-dekóder
a 7 bemenőjelet (A0-A6 címvezetékek) dekódolja 128 vezetékre, vagyis egy adott bemeneti
sorcímből 1-et választ ki. Ekkor az adott sor minden cellája rákapuzza kimenetének ponált és
negált értékét is a függőleges oszlopvezetékekre. Azt, hogy végül is az író/olvasó erősítők
felé mi kerül kivitelre, az oszlop-dekóder választja ki. Itt a 128 oszlopból a 7 oszlopcím (A7-
A13 címvezetékek) alapján az oszlopdekóder választ ki 1-et. A kiválasztott dekóder kimenet
az oszlopvezetékek alján látható MOS tranzisztorok közül csak a kiválasztott oszlop 2
tranzisztorát kapcsolja be, így a kiválasztott sor és kiválasztott oszlop cellájának jele kerül
íráskor az író-, olvasáskor az olvasó-erősítőkre.
memória
cellák
X0
A0
0-0 0-1 0 - 127
A1 X1

A2 7 Ö 128
1-0 1-1 1 - 127
A3 dekóder
A4 (sor)
A5
X127
A6

127 - 0 127 - 1 127 - 127

író/olvasó
erősítőhöz
(0 bit)
író/olvasó
Y0 Y1 Y127erősítőhöz
7 Ö 128 (1 bit)
dekóder
(oszlop)

A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13

16 kbites (128*128) cella

10.24. ábra

A 10.25. ábra mutatja be RAM-memóriáknál az írást és olvasást vezérlő jelek és a

memóriával történő műveletvégzések kapcsolatát.
10-30 MEMÓRIAELEMEK

CS R/W vagy WE DIN DOUT Mode

1 X* X Nagyimpedanciás Nincs kiválasztva

0 0 0 0 0 írása

0 0 1 1 1 írása

0 1 X DOUT Olvasás

X*: don't care

RAM vezérlés igazságtáblázata

10.25. ábra

A 10.25. ábra jeleinek magyarázata:

CS : chip kiválasztó jel, aktív 0 szintű,
R / W vagy WE : írást kapuzó jel, aktív 0 szintű,
DIN: adat bemeneti jel,
DOUT: adat kimeneti jel,
Mode: az üzemmód
A RAM-ok be és kimenetét a chipen kívülre történő kivezetés előtt gyakran összekötik, így
ekkor csak - közös - D adatvezetéket találunk.
A dinamikus RAM-oknál elsősorban a kisebb számú kivezetések miatt a sor- és
oszlopcímzést ugyanazon vezetékeken időben egymás után (időmultiplex módon) végzik. Ezt
mutatja a 10.26. ábra.
RAS
DIN

A0/A7 1

A1/A8 2
Sor Sor
3
A2/A9 latch dekóder
A3/A10
A4/A11 (7 Ö 128)
A5/A12 128 x 128-as
128
A6/A13 (16.384)
1 DOUT
memória mátrix
2
Oszlop Oszlop
3
latch dekóder

(7 Ö 128)

128

CAS
CS R/W
16kbites DRAM egyszerűsített (frisítő áramköri részt
nem tartalmazó) blokk diagramja

10.26. ábra
10-31 MEMÓRIAELEMEK

A címbuszra először a sorcímek, majd később az oszlopcímek kerülnek. A sorok (Row) és

oszlopok (Column) között –ahogy korábban már említettük - a RAS (Row Address Strobe:
sorcím kapuzójel) és CAS (Column Address Strobe: oszlop kapuzójel) jel tesz különbséget.
Ezt mutatja a 10.27. ábra.

Frissítés vezérlő
Frissítő számláló TC és időzítő inicializálás
S

A0/A7 MUX 1

A1/A8 2
Sor Sor
3 128 x 128-as
A2/A9 latch dekóder
A3/A10 (16.384)
A4/A11 (7 Ö 128)
memória mátrix
A5/A12
128
A6/A13
1 2 3 128
1
2
2 Be / kimeneti
Oszlop Oszlop 3
buffer
3
latch dekóder
és
DOUT
(7 Ö 128)
érzékelő erősítők
128
128

CAS
CS R/W DIN
RAS
16kbites DRAM egyszerűsített (frisítő áramköri is
tartalmazó) blokk diagramja

10.27. ábra

A dinamikus RAM-oknál fentieken túl frissítési feladatot kell végezni. Ez külön vezérlő
áramkört igényel. Említettük, hogy esetenként e vezérlő áramkört beleintegrálják a chipbe,
ekkor kvázi-statikus RAM-ot kapunk. A frissítő áramkörrel kiegészített RAM chipet a 10.27.
ábra mutatja. A dinamikus memória frissítéséhez elég a sorok címzését szekvenciálisan
elvégezni. Ezt mutatja a 10.28. ábra.

Az eddigiekben RAM chipről beszélünk. Mivel azonban a ROM jellegű chipeknél – a

szervezés vonatkozásában - nagy hasonlóságot találunk a RAM-okkal, ezért előbbiek belső
szervezését és vezérlőjeleit külön nem részletezzük.
10-32 MEMÓRIAELEMEK

RAS

CAS
Sorcímek a
frissítő n n+1 n+2 n+3 n+4 n+5
számlálótól
az n+1-ik sor
frissítése

A DRAM frissítési művelet egy része

10.28. ábra

Annyit említünk csak meg, hogy a ROM jellegű eszközöknél:

− nincs adatbemenet, csak kimenet (DOUT)
− nincs írás vezérlőjel,
− egyszerre (egy hozzáféréssel) általában 8 bit érhető el,
− a címzés nem multiplexelve történik, tehát annyi címvezeték van, ahány byte
kapacitású a ROM jellegű eszköz,
− nincs szükség adatfrissítésre, mint a dinamikus RAM-oknál.