1- Một bộ thu sử dụng photodiode p-i-n hoạt động tại bước sóng 1310

nm trung bình cứ 3 photon đến tạo ra 2 cặp điện tử - lỗ trống. Bộ thu

có băng tần nhiễu hiệu dụng là 60 MHz, điện trở tải của bộ thu là 2
kΩ, hệ số nhiễu khuếch đại của bộ thu là 3dB và nhiệt độ làm việc của
bộ thu là 250C. Công suất quang đến bộ thu là 1𝜇W. Xác định
a/ Hiệu suất lượng tử của photodiode
b/ Năng lượng vùng cấm cực đại có thể có của photodiode
c/ Giá trị SNR của bộ thu. Xác định giá trị SNR khi bộ thu hoạt động ở
giới hạn nhiễu nhiệt và giới hạn nhiễu lượng tử
d/ Giả thiết nhiễu nhiệt lớn hơn rất nhiều so với nhiễu nổ. Hãy xác định
công suất thu tối thiểu để đạt BER = 10-12. (giả thiết 𝑃0 = 0 và ID được
chọn tối ưu).
Giải:
a) 3 photon đến tạo ra 2 cặp điện tử - lỗ trống
ð Hiệu suất lượng tử: η=2/3=66,67%
b) Năng lượng vùng cấm cực đại có thể có của photodiode khi:
ℎ𝑐 6,625. 10"#$ . 3. 10%
𝐸! = 𝐸 = = "&
= 1,52. 10"& (𝐽)
𝜆 1310. 10
c) Hệ số đáp ứng

ð R=0,704
-6
ð Ip=R.Pin=0,704.10 (A)
- Nhiễu nổ:
σs2= 2q(Ip+Id)Δf = 2.1,6.10-19.(0,704. 10-6+0).60.106
= 1,35.10-17
- Nhiễu nhiệt:
σT2 = (4kBT / RL)FnΔf = [4.1,38.10-23.(25+273)/2.103].2.60.106
 =9,87.10-16
ð Giá trị SNR của bộ thu.
! !
'! .)"# ,,.,$! ./0,&' 1
𝑆𝑁𝑅 = = = 495,8
*$! +*%! 0,23.0,&() +&,%..0,&('

- SNR khi bộ thu hoạt động ở giới hạn nhiễu nhiệt:

#
𝑅# . 𝑃45 0,704# . (10"7 )#
𝑆𝑁𝑅 = = = 503
𝜎6# 9,87. 10"07
- SNR khi bộ thu hoạt động ở giới hạn nhiễu lượng tử
#
𝑅# . 𝑃45 0,704# . (10"7 )#
𝑆𝑁𝑅 = = = 36712,3
𝜎8# 1,35. 10"0.
d) Giả thiết nhiễu nhiệt lớn hơn rất nhiều so với nhiễu nổ

BER=10-12 => Q=7

Công suất tối thiểu:

𝑄. 𝜎6 𝑄<𝜎6# 7. <9,87. 10"07

𝑃9:; = = = = 3,12. 10". (𝑊)
𝑅 𝑅 0,704

2- Bộ thu sử dụng photodiode p-i-n hoạt động tại bước sóng 1310 nm có
hiệu suất lượng tử 65%, dòng tối 2 nA. Băng tần nhiễu hiệu dụng của
bộ thu là 100 MHz. Điện dung tiếp giáp của bộ thu là 6pF và hình ảnh
nhiễu của bộ khuếch đại là 3 dB. Bộ thu làm việc tại nhiệt độ 250C.
Giả sử công suất quang đến bộ thu tại bước sóng này là 400 nW.
a/ Xác định công suất tín hiệu điện, công suất nhiễu nổ và công suất nhiễu
nhiệt.
b/ Xác định SNR của bộ thu.
 c/ Xác định SNR của bộ thu trong giới hạn nhiễu nhiệt và giới hạn nhiễu
lượng tử
d/ Giả thiết bộ thu làm việc trong giới hạn nhiễu nhiệt. Hãy xác định
công suất thu tối thiểu để đạt BER = 10−9 (𝑃0= 0 và ID được chọn tối
ưu).
Giải:
a)

ð R=0,69
Ip=R.Pin=0,69.400.10 =2,75.10-7 (A)
-9

1 1
𝑅< = = = 265,26 (𝛺)
2𝜋∆𝑓𝐶 2𝜋. 100. 107 . 6. 10"0#
- Công suất tín hiệu điện:
1 1
𝑃=> = . 𝐼?# . 𝑅< = (2,75. 10"0. )# . 265,26 = 10"00 (𝑊 )
2 2
- Nhiễu nổ:
σs2= 2q(Ip+Id)Δf = 2.1,6.10-19.(2,75. 10-7+2.10-9).100.106
= 8,864.10-18
ð Công suất nhiễu nổ:
1 1
𝑃*$ = 𝜎8# 𝑅< = . 8,864. 10"0% . 265,26 = 1,18. 10"03 (𝑊)
2 2

- Nhiễu nhiệt:
σT2 = (4kBT / RL)FnΔf = [4.1,38.10-23.(25+273)/265,26].2.100.106
=1,24.10-14
ð Công suất nhiễu nhiệt:
1 1
𝑃*% = 𝜎6# 𝑅< = . 1,24. 10"0$ . 265,26 = 1,64. 10"0# (𝑊 )
2 2
 b) SRN bộ thu
! !
'! .)"# ,,7&! ./$,,.0,&*1
𝑆𝑁𝑅 = = = 6,1
*$! +*%! %,%7$.0,&(+ +0,#$.0,&(,

c) SNR của bộ thu trong giới hạn nhiễu nhiệt

#
𝑅# . 𝑃45 0,69# . (400.10"& )#
𝑆𝑁𝑅 = = = 6,1
𝜎6# 1,24. 10"0$
- SNR của bộ thu trong giới hạn nhiễu nổ:

#
𝑅# . 𝑃45 0,69# . (400.10"& )#
𝑆𝑁𝑅 = = = 8593,9
𝜎8# 8,864. 10"0%
d) BER = 10-9 => Q=6
Công suất tối thiểu:
𝑄. 𝜎6 𝑄<𝜎6# 6. <1,24. 10"0$
𝑃9:; = = = = 9,68. 10". (𝑊)
𝑅 𝑅 0,69
3- Bộ thu sử dụng photodiode PIN Si làm việc tại bước sóng 850 nm
có các tham số như sau:
- Hiệu suất lượng tử 90%, dòng tối 3 nA
- Hệ số nhiễu khếch đại của bộ thu là 3 dB và nhiệt độ làm việc của
bộ thu là 250C.
- Điện dung tiếp giáp là 6 pF
- Băng tần nhiễu hiệu dụng của bộ thu là 50 MHz.
Giả thiết công suất quang đến bộ thu tại bước sóng này là 400nW. Xác
định:
a. Xác định giá trị rms của dòng nhiễu nổ, dòng nhiễu nhiệt
b. Xác định năng lượng dải cấm dải cấm lớn nhất có thể của vật liệu được
sử dụng để chế tạo photodiode
c. Xác định SNR của bộ thu và SNR của bộ thu khi ở giới hạn nhiễu nổ
d. Xác định công suất thu tối thiểu yêu cầu để BER = 10-12. (giả thiết P0 =
0, ID được chọn tối ưu và bộ thu hoạt động trong giới hạn nhiễu nhiệt).
Giải:
- Đáp ứng bộ thu của PIN

ð R=0,617
ð Ip=R.Pin=0,617.400.10-9=2,468.10-7
- Điện trở tải của bộ thu quang:
0
RL= = 530,52 Ω
#@ABC

a) Nhiễu nổ:
σs2= 2q(Ip+Id)Δf = 2.1,6.10-19.(2,468. 10-7+3.10-9).50.106
= 4.10-18
ð Rms của nhiễu nổ:

𝜎8 = E𝜎8# = <4. 10"0% = 2. 10"& (𝐴)

- Nhiễu nhiệt:
#
4𝐾D 𝐹5 𝑇∆𝑓 4.1,38. 10"#2 . 2. (25 + 273). 50. 107
𝜎6 = =
𝑅< 530,52
= 3,1. 10"03
ð Rms của nhiễu nhiệt:

𝜎6 = E𝜎6# = <3,1. 10"03 = 5,57. 10"% (𝐴)

b) Năng lượng dải cấm dải cấm lớn nhất
Eg=hc/λ=(6,625.10-34.3.108)/(850.10-9)=2,34.10-19(J)
c) SNR của bộ thu
! !
'! .)"# ,,70.! ./$,,.0,&* 1
𝑆𝑁𝑅 = = = 19,6
*$! +*%! $.0,&(+ +2,0.0,&(-

- SNR của bộ thu khi ở giới hạn nhiễu nổ:

 #
𝑅# . 𝑃45 0,617# . (400.10"& )#
𝑆𝑁𝑅 = = = 15224
𝜎8# 4. 10"0%
d) Với BER = 10-12 => Q=7
Công suất tối thiểu:
𝑄. 𝜎6 𝑄<𝜎6# 6. <3,1. 10"03
𝑃9:; = = = = 6,32. 10". (𝑊)
𝑅 𝑅 0,617

4- Một bộ thu sử dụng photodiode p-i-n hoạt động tại bước sóng 1550
nm có hiệu suất lượng tử là 70%. Bộ thu có băng tần nhiễu hiệu
dụng là 100 MHz, điện dung tiếp giáp của bộ thu là 6 pF, hệ số
nhiễu khuếch đại của bộ thu là 3dB và nhiệt độ làm việc của bộ thu
là 200C. Công suất quang đến bộ thu là 1µW. Xác định :
a. Hệ số đáp ứng của bộ thu
b. Năng lượng vùng cấm cực đại có thể có của photodiode
c. Giá trị SNR của bộ thu, giá trị SNR khi bộ thu hoạt động ở giới hạn
nhiễu nhiệt và giới hạn nhiễu nổ
d. Công suất thu tối thiểu để đạt BER = 10-9 (giả thiết P0 = 0 và ID được
chọn tối ưu).
Giải:
a) Hệ số đáp ứng của bộ thu PIN

ð R=0,875 (A/W)
b) Năng lượng vùng cấm cực đại
Eg=hc/λ=1,28.10-19 (J)
c)
Ip=R.Pin=0,875.10-6
- Điện trở tải của bộ thu quang:
0
RL= = 265,26 Ω
#@ABC

- Nhiễu nổ:
σs2= 2q(Ip+Id)Δf = 2.1,6.10-19.(8,75. 10-7).100.106
= 2,8.10-17
- Nhiễu nhiệt:
#
4𝐾D 𝐹5 𝑇∆𝑓 4.1,38. 10"#2 . 2. (25 + 273). 100. 107
𝜎6 = =
𝑅< 265,26
= 1,24. 10"0$
ð SNR của bộ thu
! !
'! .)"# ,,%.3! ./0,&' 1
𝑆𝑁𝑅 = = = 61,6
*$! +*%! #,%.0,&() +0,#$.0,&(,
ð SNR khi bộ thu hoạt động ở giới hạn nhiễu nhiệt:
#
𝑅# . 𝑃45 0,875# . (10"7 )#
𝑆𝑁𝑅 = = = 61,7
𝜎6# 1,24. 10"0$
ð SNR khi bộ thu hoạt động ở giới hạn nhiễu nổ:
#
𝑅# . 𝑃45 0,875# . (10"7 )#
𝑆𝑁𝑅 = = = 27344
𝜎8# 2,8. 10"0.
d) Với BER = 10-9 => Q=6
Công suất tối thiểu:
𝑄. 𝜎6 𝑄<𝜎6# 6. <1,24. 10"0$
𝑃9:; = = = = 8,85. 10". (𝑊)
𝑅 𝑅 0,875
5- Một bộ thu quang số sử dụng APD làm việc tại bước sóng 1310 nm
có các tham số sau:
 - Độ rộng băng tần nhiễu hiệu dụng: 100MHz
- Hiệu suất lượng tử: 70%
- Hệ số nhiễu trội là Mx (x=0,3)
- Dòng tối 0,2 nA. Điện dụng tiếp giáp 6 pF
Biết công suất quang đi tới bộ thu là 50 nW.
a. Xác định tỷ số SNR của bộ thu trong khi bộ thu có hệ số nhân là 100.
b. Với hệ số nhân bằng 100, xác định công suất thu nhỏ nhất mà bộ thu có
thể đảm bảo BER = 10-12. (giả thiết P0 = 0 và ID được chọn tối ưu).
c. Xác định hệ số nhân tối ưu của bộ thu
d. Tỷ số SNR của bộ thu thay đổi như thế nào khi bộ thu có hệ số nhân tối
ưu
Giải:
a) Hệ số đáp ứng của bộ thu APD
RAPD = R .M = ηλM / 1,24 = 73,95
- Cường độ dòng quang điện là
Ip= Pin.RAPD = 3,7.10-6(W)
- Điện trở tải của bộ thu quang:
0
RL= = 265,26 Ω
#@ABC

- Nhiễu nổ
σs2 = 2qM2+x(Ip+Id)Δf
= 2qM2+0,3(Ip+Id)Δf.= 4,71.10-12 W
- Nhiễu nhiệt:
#
4𝐾D 𝐹5 𝑇∆𝑓 4.1,38. 10"#2 . 1.300.100. 107
𝜎6 = = = 6,24. 10"03
𝑅< 265,26
ð SNR của bộ thu
 ! !
'! .)"# .2,&3! ./3,.0,&* 1
𝑆𝑁𝑅 = = = 2,9
*$! +*%! $,.0.0,&(! +7,#$.0,&(-

b) M=100
Với BER = 10-12 => Q=7
Công suất tối thiểu:

=> 𝑃9:; = 9,6. 10"00 W

c) Hệ số nhân tối ưu của bộ thu

𝟒.𝟏,𝟑𝟖.𝟏𝟎&𝟐𝟑 .𝟑𝟎𝟎.𝟏
Mopt2,3 = =351,5 ;
𝟎,𝟑.𝟏,𝟔.𝟏𝟎&𝟏𝟗 .𝟐𝟔𝟓,𝟐𝟔.(𝟑,𝟕.𝟏𝟎&𝟔 +𝟎,𝟐.𝟏𝟎&𝟗 )

Mopt= 12,8