Câu 1: Tính hàng rào thế của chuyển tiếp p-n tại 300 K.

Biết rằng 𝑁𝑎 = 1  1019 cm-3 và 𝑁𝑑 =

1  1015 cm-3. Giả sử, chuyển tiếp chế tạo trên tinh thể Si với nồng độ hạt tải thuần 𝑛𝑖 =
1  1010 cm-3. Hãy tính độ biến thiên của 𝑉𝑏𝑖 khi 𝑁𝑎 giảm xuống 1  1016 cm-3. Biết 𝑘𝐵 =
1.38  10−23 J/K và 𝑒 = 1.6  10−19 C.
Câu 2: Tính độ rộng vùng điện tích không gian tại 300 K khi chuyển tiếp p-n được phân cực
ngược tại điện áp, 𝑉𝑅 = 5 V. Biết rằng chuyển tiếp p-n được chế tạo trên đơn tinh thể Si với
nồng độ hạt tải thuần 𝑛𝑖 = 1.5  1010 cm-3, có 𝑁𝑎 = 1  1017 cm-3 và 𝑁𝑑 = 1  1016 cm-3.
Hằng số điện môi của Si, ɛ = 11.7, độ điện thẩm chân không ɛ0 = 8.85  10−14 𝐹/𝑐𝑚. Và
𝑒 = 1.6  10−19 C.
Câu 3: Tính nồng độ hạt tải thiểu số lỗ trống tại biên vùng điện tích không gian của chuyển tiếp
p-n lí tưởng với điện áp phân cực thuận 0.06 V. Ta giả sử chuyển tiếp p-n làm từ vật liệu Si, và
tại nhiệt độ phòng T = 300 K bán dẫn có nồng độ hạt tải thuần là 𝑛𝑖 = 1.5 × 1010 cm-3. Nồng
độ pha tạp tại bán dẫn n là 𝑁𝑑 = 1 × 1016 cm-3.
Câu 4: Tính mật độ dòng bão hòa ngược trong chuyển tiếp p-n lí tưởng, sử dụng đế Si tại nhiệt
độ T = 300 K. Giả thiết chuyển tiếp p-n có những thông số sau
𝑁𝑎 = 𝑁𝑑 = 1016 cm-3 𝑛𝑖 = 1.5 × 1010 cm-3
𝐷𝑛 = 25 cm2/s τ𝑝0 = τ𝑛0 = 5 × 10−7 s
𝐷𝑝 = 10 cm2/s