You are on page 1of 38

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

VIỆN VẬT LÝ KỸ THUẬT


---------------ooo--------------

VẬT LÝ ĐẠI CƯƠNG II


PH1120
PGS.TS. Nguyễn Thị Thanh Hà
Mail: ha.nguyenthithanh1@hust.edu.vn

Hà nội, 2021
VẬT LÝ ĐẠI CƯƠNG II
PH1120
NỘI DUNG CHƯƠNG TRÌNH

Chương 1: Điện trường tĩnh


Chương 6: Vật liệu từ
Chương 2: Vật dẫn
Chương 7: Trường điện từ
Chương 3: Điện môi
Chương 8: Dao động điện từ
Chương 4: Từ trường
Chương 9: Sóng điện từ
Chương 5: Cảm ứng điện từ
PHẦN 2: ĐIỆN HỌC
Chương I: ĐIỆN TRƯỜNG TĨNH

Mở đầu
1.1. Định luật Coulomb
1.2. Điện trường
1.3. Định lý Gauss- Ostrogradski
1.4. Điện thế- Hiệu điện thế
1.5. Hệ thức liên hệ giữa cường độ điện trường và điện thế

3
MỞ ĐẦU
Điện tích điểm
 Vật mang điện tích có kích thước rất nhỏ so với
khoảng cách nghiên cứu nó.
Phân loại  Điện tích dương:
 Điện tích âm:

+ +
Cùng dấu: đẩy nhau Khác dấu: hút nhau
4
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
MỞ ĐẦU
Bảo toàn điện tích
 Điện tích không tự sinh ra hay mất đi mà chỉ dịch chuyển bên
trong một vật hoặc từ vật này sang vật khác
Phân loại vật liệu
 Vật liệu dẫn điện: Chứa các hạt điện có thể chuyển động tự do
trong toàn bộ thể tích vật (kim loại)
 Vật liệu cách điện – điện môi: Điện tích định xứ tại những
miền nào đó, không thể di chuyển tự do trong vật liệu (cao su,
chất dẻo, gỗ, giấy, không khí khô …)

 Vật liệu bán dẫn: Điện tích cũng định xứ cố định tại những
miền nào đó, nhưng có thể di chuyển tự do trong vật liệu dưới
tác động của nhiệt độ, ánh sáng hoặc điện trường ngoài
(silicon, germanium…). 5
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
CHƯƠNG I: ĐIỆN TRƯỜNG TĨNH
1.1. Định luật Coulomb
1. Lực tương tác giữa 2 điện tích điểm
Lực tương tác tĩnh điện giữa 2 điện
tích q1, q2 đặt trong chân không có:
+ Phương nằm trên đường thẳng
nối 2 điện tích
+ Chiều phụ thuộc vào dấu 2 điện
tích
+ Độ lớn tỉ lệ thuận tích số q1, q2 và
tỉ lệ nghịch với bình phương khoảng
cách giữa chúng.
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.1. Định luật Coulomb
1. Lực tương tác giữa 2 điện tích điểm

Trong chân không Trong môi trường điện môi

q1q2 q1q2
F k (1.1) F k (1.2)
r 2
r 2

 
q1q2 r
Tổng quát: F k 2 (1.3)
r  r
1 Nm 2 C2
k  9.10
9
 0  8,86.10
12
Với: 4 0 C2 N .m2
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
CHƯƠNG I: ĐIỆN TRƯỜNG TĨNH
1.2. Điện trường

1.2.1 Khái niệm điện trường

- Là một dạng vật chất đặc biệt tồn tại xung quanh
mỗi điện tích, đóng vai trò nhân tố trung gian
truyền lực tương tác điện từ điện tích này sang
điện tích khác F i

FiFi q0
- Đặc điểm của điện trường: tác dụng lực điện lên
điện tích khi đặt vào trong điện
qq
0 0trường.r
r
dq

dqdq 8
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.2. Điện trường
1.2.2. Vector cường độ điện trường
Đặt điện tích thử q0 trong điện trường tại M

 Lực tác dụng lên q0 là: F

 Xét tỉ số: F M
q0 q0 •
 Cường độ điện trường tại M

 F
E  (1.4)
q0
*) Định nghĩa: Cường độ điện trường tại một điểm là đại
lượng vật lý đặc trưng cho điện trường về phương diện
tác dụng lực, có độ lớn bằng độ lớn của lực điện trường
tác dụng lên một đơn vị điện tích dương đặt tại điểm đó.
9
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.2.2. Vector cường độ điện trường
Vector cường độ điện trường gây ra bởi điện tích điểm
Xét điện tích q0 đặt tại M trong điện trường của Q
Lực Coulomb

 
1 Qq 0 r
F  . 2
4 0 r r

 
 F 1 Q r
E  (1.5)
q0 4 0 r 2 r

10
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.2.2. Vector cường độ điện trường
Vector cường độ điện trường gây ra bởi điện tích điểm

+ Điểm đặt: Tại M


+ Phương: đường thẳng nối Q với điểm M
+ Chiều: ra xa Q nếu Q >0
hướng vào Q nếu Q <0
+ Độ lớn: 1 Q Q
E  9.10 9

4 0 r 2
 .r 2
Q >0 r M
• Đơn vị: V/m

Q <0
• r M 11
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.2. Điện trường

1.2.3. Nguyên lý chồng chất điện trường q1  q0 F2
F1

*) Lực điện do hệ điện tích q1, q2,….qn 


F3
tác dụng lên q0:
    n 
F F1  F2  ...  Fn   Fi (1.6)
i 1
q2 q3
*) Lực điện do vật tích điện Q tác
dụng lên điện tích điểm q0:
 Fi
 Chia nhỏ Q thành các điện tích vô cùng
nhỏ dq, coi là điện tích điểm  Fi q0
q0
 Xác định lực tổng hợp của các dq lênq0 q0.
 
F   dF (1.7) r
dq
 V
dqdq 12
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT

1.2. Điện trường F

1.2.3. Nguyên lý chồng chất điện trường 


 E 
  F2 
E1
P
F1
*) Xét q1, q2 tác dụng lực F1 , F2 lên q0 (đặt tại P): E2

  
q0 
  
 r2
r1
F F1 F2
F  F1  F2   
q0 q0 q0 q1
q2

 Điện trường tổng hợp gây bởi q1 và q2 tại P:


  
E E1  E2 (1.8)
 Điện trường gây bởi n điện tích điểm tại vị trí bất kỳ:
     n 
E E1  E2  E3  .....  En   Ei (1.9)
i 1 13
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.2. Điện trường

1.2.3. Nguyên lý chồng chất điện trường

 Điện trường gây bởi n điện tích điểm tại vị trí bất kỳ:

     n 
E E1  E2  E3  .....  En   Ei (1.9)
i 1

Phát biểu: Véc tơ cường độ điện trường gây ra bởi một


hệ điện tích điểm tại một điểm bằng tổng các véc tơ
cường độ điện trường gây ra bởi từng điện tích điểm
của hệ tại điểm đó.

14
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.2.3. Nguyên lý chồng chất điện trường
Trường hợp đặc biệt:
Điện trường gây bởi vật mang điện có
điện tích phân bố liên tục:
dEi
* Chia vật thành vô số các phần tử vô cùng
nhỏ mang điện tích dq  điện tích điểm. P

* Điện trường gây bởi dq tại 1 điểm cách dq r

đoạn r:
 9.10 dq r
9 
dq
dE  (1.10 )
 r2 r
 EP
 Điện trường tổng hợp gây bởi toàn bộ
vật mang điện tại 1 điểm trong không gian P
của điện trường:
  9.10 9  r
dq r
E   dE   (1.11)
toàn bô vât
 toàn bô vât
r 2
r dq

15
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.2. Điện trường
1.2.3. Nguyên lý chồng chất điện trường
Chú ý:
+ Dây tích điện có độ dài l
Điện tích của vi phân độ dài: dq = dl
(: mật độ điện dài = điện tích/đơn vị độ dài)

+ Mặt tích điện có diện tích S

Điện tích của vi phân diện tích: dq = dS


(: mật độ điện mặt = điện tích/đơn vị diện tích)

+ Vật tích điện có thể tích V


Điện tích của vi phân thể tích: dq = dV
( : mật độ điện khối = điện tích/đơn vị thể tích)
16
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.2. Điện trường
1.2.4. Mômen lưỡng cực điện
a. Lưỡng cực điện
0
Định nghĩa: Là một hệ hai điện tích điểm có 
độ lớn bằng nhau nhưng trái dấu +q (q>0) -q d q
và –q, cách nhau một khoảng d rất nhỏ so 
pe
với khoảng cách từ lưỡng cực điện tới các
điểm đang khảo sát trong điện trường
 
Véc tơ mô men lưỡng cực điện: pe  qd (1.12 )
+ Ý nghĩa: Đặc trưng cho tính chất điện của lưỡng cực

17
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.2.4. Mômen lưỡng cực điện

vĐiện trường gây bởi lưỡng cực điện


 Tại điểm nằm trên đường trung trực (r >> d) 
 E2
   1 q
EM  E1  E2 với: E1  E 2  4 2 EM  M

0 r1 
E1
hay EM = E1.cos + E2.cos = 2E1.cos
r1 r r2
1 qd
 EM 
4  0 r13


0
 1 pe 
EM   (1.13) d
4 0 r 3 -q q
18
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.2.4. Mômen lưỡng cực điện

v Điện trường gây bởi lưỡng cực điện

 Tại điểm nằm trên trục lưỡng cực (r >> d)


r
0 
EM

q M
-q d

 
1 2 pe
EM  (1.14)
4 0 r 3

19
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.2.4. Mômen lưỡng cực điện
v Điện trường gây bởi dây dẫn thẳng vô hạn tích điện đều
Dây dài vô hạn tích điện với mật độ điện tích dài .
 Chia dây thành các phần tử độ dài dl vô cùng nhỏ, có điện tích:
x
dQ  dx
dx dQ
r
 Điện trường tại P gây bởi dQ: x

    P
O 
R y
dE dE x  dE y dE

>0

 Điện trường tại P gây bởi Q:


1 dQ R
E  E y   dEy   dE. cos  
4 x 2
 R 2 1
dây dây 0
(x2  R ) 2 2
20
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT

R dx
E
40  3

( x2  R )2 2

 / 2
 
E  (cos )d
40R  / 2 E (1.15)
20 R
+ Phương: vuông góc với dây dẫn
>0
+ Chiều: ra xa dây nếu  >0
hướng vào dây nếu  <0 H

+ Độ lớn:  r
E M
2 0 R 21
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.2.4. Mômen lưỡng cực điện
v Điện trường gây bởi vòng dây tròn tích điện đều
dQ = dl  Dây tròn:
R
r bán kính R, mật độ
Q
O  P dEx điện tích dài  , điện
h  x
tích Q.
dEy dE
Q>0

 Chia dây thành các phần tử độ dài dl vô cùng nhỏ, có điện tích dQ = dl
  
 Điện trường tại P gây bởi dQ: dE  dE x  dE y với dEx = dE.cos
2R
 Điện trường tại P gây bởi Q: E  E x   dQ 1  h
vòng tròn
4 0 r 2
cos  
4 0 r 3  dl
0
1 Q
1 Qh 1 Qh h << R: E 
E  4 0 R 3 (1.16)
4 0 r 3 4 0 h 2  R 2  3/ 2 
h>> R: E 
Q 1
4 0 h 2 22
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.2.4. Mômen lưỡng cực điện
v Điện trường gây bởi mặt đĩa tích điện đều
 Đĩa: bán kính R, điện tích Q, mật độ điện tích :
 Xét hình vành khăn có diện tích ds, dR’
độ rộng dR’ mang điện tích dQ:
dQ  ds   2R ' dR ' r
R’
dQ dEx
 Điện trường gây bởi Q: O x
R
2x R' R’dR '
E  E x   dE x   x 

R
4 0 2
R '2 3 / 2
 0 Q
Q>0
 
  1 
 1 
2 0  R 2 
 1  2 
 x 

 Nếu R   (mặt phẳng vô hạn)  E  (1.17)
2 0 23
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.2. Điện trường
1.2.5. Đường sức điện trường
Khái niệm: là đường cong mà tiếp
tuyến tại mỗi điểm của nó trùng N
với phương của véc tơ cường độ M
điện trường tại điểm đó. Chiều
đường sức điện trường là chiều
véc tơ cường độ điện trường.

• Điện phổ: tập


hợp các đường
sức điện trường

24
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.3. Định lý Ostrogratxki – Gauss ( Định lý O – G)
1.3.1 Điện cảm- Điện thông
Điện cảm
v Nhận thấy E 
 Phổ đường sức của điện trường gián đoạn khi qua
mặt phân cách hai môi trường
Định nghĩa: Véc tơ cảm ứng điện (điện cảm)
 
D   0 E (1 . 18 )
v Véc tơ cảm ứng điện gây ra bởi một điện tích điểm
1 q
D
4 r 2

v Phổ đường sức của véc tơ cảm ứng điện là liên tục khi
qua mặt phân cách hai môi trường
25
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.3. Định lý Ostrogratxki – Gauss ( Định lý O – G)
1.3.1 Điện cảm- Điện thông
Điện thông
a. Khái niệm: Thông lượng véc tơ cảm ứng điện 
D
(điện thông) gửi qua một thiết diện nào đó có trị số
tỉ lệ với số đường sức cắt vuông góc thiết diện đó.
b. Biểu thức: S0
v Điện trường đều, tiết diện phẳng S  S0,
vuông góc với đường cảm ứng điện
e = D.S0 (1.19) 
n 
 
v Điện trường đều, tiết diện (S) bất kỳ, D
(S0)
tạo với S0 góc , có S0 = S.cos (S)

e = D.S0 = D.S.cos (1.20)

, )
26
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.3. Định lý Ostrogratxki – Gauss ( Định lý O – G)
1.3.1 Điện cảm- Điện thông
Điện thông

n 
v Điện trường bất kỳ, mặt (S) bất kỳ, D
dS
Xét phần từ diện tích dS có vecto
 
de = D.dS.cos  de  D. dS
(S)
Điện thông toàn phần gửi qua mặt S
 
e   D. dS   D dS cos (1.21)
S S

v Ý nghĩa: Điện thông là đại lượng đặc trưng cho lượng


điện trường đi qua một diện tích bề mặt
27
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.3. Định lý Ostrogratxki – Gauss ( Định lý O – G)
1.3.2. Định lý O - G
Phát biểu: Thông lượng cảm ứng điện gửi qua một
mặt kín bất kỳ bằng tổng đại số các điện tích nằm

trong mặt kín đó.
 
e   D.dS   qk (1.22) (Dạng tích phân)
S k


divD   (1.23) (Dạng vi phân)

28
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.3. Định lý Ostrogratxki – Gauss ( Định lý O – G)
1.3.2. Định lý O - G
Mặt Gauss
Ứng dụng
Q   

a . Quả cầu rỗng (bán kính 
R  r P
R) tích điện đều trên bề mặt 
O 

 
v Điểm P bên ngoài, cách O khoảng r.  

• Dựng mặt Gauss bao quanh, bán kính r > R.


• Do tính đối xứng véc tơ cảm ứng điện tại mọi điểm
trên mặt Gauss
+ Có độ lớn như nhau,
+ Có phương pháp tuyến.
29
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.3. Định lý Ostrogratxki – Gauss ( Định lý O – G)
1.3.2. Định lý O - G Mặt Gauss

Q   
• Thông lượng cảm ứng 

R
điện qua mặt Gauss 
 r
P
O 

 
 
 
Φe   D.dS  D.dSD dSD.4.r2
1Q
• Định lý O-G: Φe  Q D.4.r QD 2
2

4 r
 Cường độ điện trường bên ngoài quả cầu:
D 1 Q
E 
0 40 r 2
30
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.3. Định lý Ostrogratxki – Gauss ( Định lý O – G)

v Điểm P’ bên trong, Mặt Gauss

cách O khoảng r’. 


 


• Dựng mặt Gauss bên R  r
 P
trong mặt cầu mang r’ O 

điện, bán kính r’ < R. P’
 
 
• Do bên trong quả cầu ko có
điện tích nên: QGauss = 0 E 1 Q
E ( R) 
4 0 R 2
• Tương tự áp dụng định lý O –G : 1 Q
E (r ) 
4 0 r 2
D.4 .r'2  0  D  0  E = 0
• Trên bề mặt: r = R, có:
D 1 Q
E   r
 0 4  0 R2 E=0
31
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.3. Định lý Ostrogratxki – Gauss ( Định lý O – G)
b. Qủa cầu đặc (bán kính R) tích điện đều trong toàn bộ thể tích.
Mật độ điện tích khối của quả cầu:
Q Mặt Gauss
Q Q R
ρ 
V khôi 4
câu R 3
3
v Đ i ể m P b ê n t r o n g, c á c h O r O
khoảng r. P

• Dựng mặt Gauss, bán kính r < R.


• Điện tích quả cầu Gauss: 4 3 r3
Q'  VmatcâuGauss   r  Q 3
• Thông lượng cảm ứng điện qua mặt Gauss
3 R
 
Φe   D.dS  D.dSD dS D.4 .r 2 D.4.r2  Q' D  1 Q'  1 Qr
4 r2 4 R3
• Định lý O-G: Φe  Q'
D 1 Qr
 Cường độ điện trường bên trong quả cầu: E 
 0 4 0 R 3 32
1.3. Định lý Ostrogratxki – Gauss ( Định lý O – G)
b. Qủa cầu đặc (bán kính R) tích điện đều trong toàn bộ thể tích.
Mặt Gauss
v Điểm P’ bên ngoài, cách O
khoảng r’. Q
R
 Dựng mặt Gauss bao
r’
quanh, bán kính r’ > R. O P’
 Tương tự có:
1 Q
D.4 .r' 2  Q  D 
4 r' 2 E
1 Q
E
4 0 R 2
 Cường độ điện trường bên ngoài quả cầu: 1 Q
1 Qr E
D 1
Q E 4 0 r 2
E  4 0 R 3
 0 4 0 r' 2
1Q
 Trên bề mặt: r = R: E
40 R2 O R 33
r
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.3. Định lý Ostrogratxki – Gauss ( Định lý O – G)
c. Mặt phẳng vô hạn tích điện đều có mật độ điện tích mặt 


D

n
M S
h
S
v Vẽ mặt trụ kín (mặt Gauss): h
+ Các đường sinh vuông góc mặt
phẳng, hai đáy song song mặt phẳng,

b ằ n g  S , c á c h đ ề u m ặ t p h ẳ n g Mặt Gauss D
khoảng h.
+ M thuộc một trong 2 đáy.
* Thông lượng cảm ứng điện qua mặt Gauss
     
Φ e   DdS   DdS   DdS
mattru 2 đáy xquanh 34
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.3. Định lý Ostrogratxki – Gauss ( Định lý O – G)

c. Mặt phẳng vô hạn tích điện đều



D

 dS
D
M S
Φe   DdS  D  dS  2DS  h
2 đáy 2 đáy dS S
* Áp dụng định lý O-G: h
 e= Q = S

1 Q 1 S  
D   Mặt Gauss D
2 S 2 S 2
D 
E  (: mật độ điện tích mặt)
0 20
35
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.3. Định lý Ostrogratxki – Gauss ( Định lý O – G)
d. Mặt trụ (bán kính R) vô hạn tích điện đều, mật độ  ( )
Mặt Gauss
R 
D
(S)
M

v Vẽ mặt trụ kín bán kính r (mặt Gauss):


+ Có trục trùng với trục của trụ mang điện, hai đáy vuông
góc với trục của trụ mang điện, có chiều cao l.
+ M thuộc mặt xung quanh của trụ.

* Thông lượng cảm ứng điện qua mặt Gauss


     
Φe  
mattru
DdS   DdS 
2 đáy
 DdS
xquanh

36
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT
1.3. Định lý Ostrogratxki – Gauss ( Định lý O – G)
d. Mặt trụ (bán kính R) dài vô hạn tích điện đều,
mật độ  ( ) Mặt Gauss
R 
D
(S)
M
Φe   DdS  D  dS  D 2rl
xquanh xquanh

* Áp dụng định lý O-G:


 e= Q = l = 2Rl

Q  R (:mật độ điện tích mặt,


 D    mật độ điện tích dài)
2rl 2r r

D Q  R
 E   
 0 2 0 r 2 0 r  0 r
ü Bên trong lòng trụ rỗng tích
 Khi R rất nhỏ: 
E điện, điện trường bằng 0,
2 0 r D = 0; E = 0 37
1.3. Định lý Ostrogratxki – Gauss ( Định lý O – G)
• Hai mặt phẳng vô hạn song song tích điện bằng
nhau, trái dấu (+ và –)
+ >0 - <0
ü Không gian giữa 2 mặt phẳng:

 Áp dụng nguyên lý chồng chất điện trường


    
D  D1  D 2 ; D1  D2

 Độ lớn:  
D   E
2 2
D  
E  E
 0  0  0

ü Không gian bên ngoài 2 mặt phẳng:


x
E=0 E=0 E=0
38
GV: Nguyễn Thị Thanh Hà- Viện VLKT

You might also like