Professional Documents
Culture Documents
MUHAMMET BİLGİN
(522310007)
ElektrikEğitimiAnabilim Dalı
ElektrikEğitimiProgramı
DANIŞMAN
Doç.Dr.Şafak SAĞLAM
EŞ-DANIŞMAN
İSTANBUL, 2013
TEŞEKKÜR
Öncelikle bana bu konuda bir tez çalışması yapma olanağı sağlayan ve her zaman
destek olan tez danışmanım, değerli hocam sayın Doç.Dr. Şafak SAĞLAM’a vebu tez
çalışmasına sağladığı destekten dolayı Marmara Üniversitesi, Bilimsel Araştırma
Projeleri Birimi’ne teşekkür ederim.Ayrıca çalışmanın başlangıcından sonuna kadar
desteğini hiç eksik etmeyen sayın Yrd.Doç.Dr. Bayram KILIÇ hocama ve çok değerli
arkadaşım Seçil ADA’ya teşekkürlerimi sunarım.
i
İÇİNDEKİLER
SAYFA
TEŞEKKÜR ..................................................................................................................... i
İÇİNDEKİLER ............................................................................................................... ii
ÖZET .............................................................................................................................. vi
SEMBOLLER ................................................................................................................. x
1. GİRİŞ ....................................................................................................................... 1
ii
1.5.2. Fotovoltaik pillerin yapısı ve çalışma prensibi ......................................... 14
iii
1.7.2.4. Fill faktörü kayıpları.......................................................................... 31
iv
3. BULGULAR VE TARTIŞMA ............................................................................ 51
4. SONUÇLAR .......................................................................................................... 79
KAYNAKLAR .............................................................................................................. 81
ÖZGEÇMİŞ
v
ÖZET
vi
panel yüzey sıcaklık değerlerinin düşük olduğu mart ve nisan aylarında en yüksek
değerlere ulaşmıştır.
vii
ABSTRACT
The method through which the solar energy is transformed to electrical energy is called
as photovoltaic energy transformation. Generating electricity through photovoltaic
energy transformation method occurs completely with the help of the specific features
of semiconductor materials. The most used semiconductor materials in manufacturing
photovoltaic devices are silicium and silicium alloys. Photovoltaic device producers
gives the values called standard testing conditions, which are 1000 W/m2 radiant
intensity and 25⁰C working temperature, in their catalogues prepared to present for the
consumers. These processes are made routinely in developed laboratories in which
medium parameters can be kept under control. But for consumers, these values are not
enough for system planning. The most significant ones of the parameters affecting the
output from the photovoltaic devices are radiant intensity and panel temperature.
Measuring current-voltage value under working conditions and different radiant
intensities of photovoltaic cells is extremely important for reflecting system
performance. Because power outputs and efficiency of photovoltaic devices according
to current-voltage values are depended on radiant intensity and working temperature. In
this thesis, it is intended to analyze empirically the effect of panel surface temperature
on efficiency of photovoltaic panel. Obtained every two minutes through the
measurement devices used to analyze surface temperature effect, the values of panel
surface temperature, solar radiation, current and voltage generated by the panel are
recorded in computer. Through the data obtained in 8 months, the value of DC energy
panel generated monthly and the values of solar energy which is calculated depending
on solar radiation were determined, and with the ratio of these values, the efficiency of
the panel was calculated. In panel, maximum DC energy was generated in april, and the
minimum DC energy was generated in December. For panel surface temperature effect,
power values, which would be generated by panel, were calculated using conversion
coefficient of current, voltage and power values in temperature which are given in the
panel’s characteristic features and were compared with the values we obtained from the
experiment. According to comparison results obtained, panel efficiency reached to the
viii
highest values in March and April when the panel surface temperature values were low
but solar radiation value was high.
ix
SEMBOLLER
AC :Alternatif akım.(A)
D :Yayılmış ışınım.
DC :Doğru akım.(A)
FF :Fill faktörü.
ID :Diyot akımı.(A)
Pm :Çıkış gücü.(W)
x
Rs :Seri direnç.(Ω)
T :Sıcaklık.(0C)
δ : Deklinasyonaçısı.
θz :Zenith açısı.
xi
KISALTMALAR
AM :Hava Kütlesi(AirMass,)
PV :Fotovoltaik Pil
xii
ŞEKİL LİSTESİ
SAYFA
Şekil 1.1 Atmosfere Gelen ve Yerkabuğuna Değişik Şekillerde Ulaşan Güneş Işıması . 4
Şekil 1.5 Atmosfer Dışına ve Yeryüzüne Gelen Güneş Işınımının Spektral Dağılımı. ... 7
Şekil 1.10 Türkiye’de Farklı PV Paneller İçin Elde Edilecek Enerji Miktarları ............ 12
Şekil 1.14 Kare, Yarı Kare ve Daire Şeklindeki Tek Kristal Silisyum Hücreler ........... 17
Şekil 1.15 (a)Yansıma Önleyici Tabakasız Çok Kristal Silisyum Hücre, (b) Yansıma
Önleyici Tabakalı Çok Kristal Silisyum Hücre, (c) Yansıma Önleyici Tabakalı ve
Elektrik Yolları Eklenmiş Çok Kristal Silisyum Hücre ................................................. 18
xiii
Şekil 1.18 Kadmiyum Tellürid Fotovoltaik Pil .............................................................. 20
Şekil 1.30 Kuzey Yarım Kürede Güneş Pozisyonunun Yıllık Değişimi ....................... 38
Şekil 1.34 25,6kWp Fotovoltaik Güç Sistemi, Muğla Üniversitesi, Türk Evi Öğrenci
Kafeteryası ...................................................................................................................... 41
xiv
Şekil 1.35 10kWp Şebeke Bağlantılı Fotovoltaik Güç Sistemi, Meksika ...................... 41
Şekil 1.3620 MW Fotovoltaik Güç Sistemi, Almaraz Güneş Tarlası, İspanya .............. 42
Şekil 1.39 Şebekeden Bağımsız Bir Fotovoltaik Sistem Uygulama Örneği .................. 44
Şekil 3.1 18 Nisan 2013 Günü İçin Güç Zaman Grafiği. ............................................... 51
Şekil 3.2 Fotovoltaik Panel Yüzeyine Gelen Toplam Güneş Enerjisi. .......................... 53
Şekil 3.4 13 Ağustos 2012 – 30 Nisan 2013 Tarihleri Arasındaki Toplam Enerji
Değerleri. ........................................................................................................................ 55
xv
Şekil 3.8 Nisan Ayında Günlük Üretilen Enerji Değişimi. ............................................ 58
xvi
TABLO LİSTESİ
SAYFA
Tablo 1.2 Türkiye'nin Yıllık Toplam Güneş Enerjisi Potansiyelinin Bölgelere Göre
Dağılımı .......................................................................................................................... 10
Tablo 3.1 Fotovoltaik Panel Yüzeyine Gelen Toplam Güneş Enerjisi Değerleri. ......... 54
Tablo 3.3 Nisan Ayında Fotovoltaik Panelde Üretilen Enerji Değerleri. ...................... 59
Tablo 3.4 Ocak Ayında Fotovoltaik Panelde Üretilen Enerji Değerleri. ....................... 62
Tablo 3.5 Panel Yüzey Sıcaklığı Değerlerine Göre Hesaplanan ve Ölçülen Datalar. ... 65
Tablo 3.6 Panel Yüzey Sıcaklığı Değerlerine Göre Ölçülen Veriler. ............................ 67
Tablo 3.7 18 Nisan 2013 Tarihine Ait Ölçülen ve Hesaplanan Datalar ........................ 68
Tablo 3.8 18 Nisan 2013 Tarihine Ait Ölçülen ve Hesaplanan Datalar ........................ 69
Tablo 3.9 23 Nisan 2013 Tarihine Ait Ölçülen ve Hesaplanan Datalar ........................ 69
Tablo 3.10 23 Nisan 2013 Tarihine Ait Ölçülen ve Hesaplanan Datalar ...................... 69
xvii
Tablo 3.12 %90 Güneş Radyasyonunda Üretilen Güçlerin Karşılaştırılması................ 71
xviii
1. GİRİŞ
Fotovoltaik paneller standart test koşulları (IEC 60904-3) olan 250C sıcaklık, 1000W/m2
güneş radyasyonu 1,5 AM(AirMass, hava kütlesi) değerlerinde test edilerek çalışma
parametreleri belirlenmekte ve bu standartlarda panelden alınan güç maksimum
olmaktadır[1]. Bu veriler gerçek çalışma koşullarında panelden yüksek verimin
alınabilmesi için yeterli olmamaktadır. Panelden yüksek verim alabilmek için panel
yüzeyinde oluşan sıcaklığın panel çıkış gücü üzerindeki etkisinin bilinmesi
gerekmektedir. Çünkü panel yüzey sıcaklığı dış ortamda panel çıkış gücü üzerinde en
önemli değişkendir. Gerçek çalışma koşullarında güneş radyasyon değeri ve panelin
yüzey sıcaklığı standart değerlerden çok farklı değerler alarak panel çıkış gücünü
önemli ölçüde değiştirmektedir. Gerçek çalışma ortamında panel yüzey sıcaklığının
çıkış gücünü nasıl etkilediği bilindiği takdirde panel yüzey sıcaklığına bağlı güç
kaybının önüne geçmek mümkün olabilecektir.
Çalışmanın amacı panel yüzey sıcaklığı ile panel çıkış gücünün değişimini deneyden
alınan verileri kullanarak irdelemek ve aralarındaki ilişkiyi belirlemektir. Buna bağlı
olarak gerçek çalışma şartlarında panel yüzey sıcaklığından kaynaklanan güç
değişimlerini ortaya koyarak sıcaklığın panel çıkış gücü üzerinde ne denli önemli bir
değişken olduğunu gözlemlemektir.
Fotovoltaik Panellerin Verimine Panel Yüzey Sıcaklığı Etkisi konusunda çok fazla bir
akademik yayına rastlanamamaktadır. Bu alanda yapılmış yayınlar arasında öne çıkan
Yusuf Işıker, Bülent Yeşilata ve Hüsamettin Bulut tarafından 2006 yılında
gerçekleştirilen Fotovoltaik Panel Gücüne Etki Eden Çalışma Parametrelerinin
Araştırılması isimli makaledir[2].
1
Ölçümlerde, cihazın 8 kanalı kullanılarak, çevre sıcaklığı ile panel üzerindeki sıcaklık
değerleri ölçülmüştür[2].
İsmail H. ALTAŞ tarafından 1998 yılında yayınlanan Fotovoltaik Güneş Pilleri Yapısal
Özellikleri ve Karakteristikleri isimli çalışmada yük altında sıcaklık ve ışık şiddetine
göre çıkış gerilim ve akımlarının nasıl değiştiği incelenmiştir[3].
2
V. B. Omubo-Pepple, C. Israel-Cookey, G. I. Alaminokuma yayınladıkları (2009)
makalede güneş enerjisinin elektrik enerjisine dönüştürülmesi sırasında fotovoltaik
panellerde sıcaklık, güneş ışık şiddeti ve bağıl nem’in etkilerini incelemişlerdir. Bu
çalışmada ortam sıcaklığının panel verimi üzerinde direkt etkisinin olmadığını ancak
panel sıcaklığının ve bağıl nemin panel veriminin etkilediğini belirtmişlerdir[7].
3
gibi yaklaşık olarak gelen enerjinin %30’luk bir kısmı yansıyarak uzaya geri
dönmekte, %20’lik bir kısmı ise atmosfer tarafından soğurulmaktadır. Geri kalan
%50’lik kısmı yeryüzünde soğurulmaktadır[13]. Dünya atmosferinin dışında güneş
enerjisinin şiddeti sabit ve 1370W/m2 değerindedir, ancak yeryüzünde0-1100
W/m2değerleri arasında değişim gösterir[15].
Güneş ışığının yoğunluğu veya birim alana gelen güneş gücü miktarı ışınım
(irradianceyadaradiantflux) olarak ifade edilir ve birimi W/m2’dir[15].
Astronomik birimde güneş sabiti, Gsc, atmosfer dışında birim alana dikey olarak gelen
güneş ışınlarının tüm dalga boylarını içeren birim zamandaki toplam güneş ışınım
enerjisidir. Amerikan Ulusal Havacılık ve Uzay Araştırmaları Merkezi (NASA) güneş
sabiti değerini yaptıkları bir çok ölçümden sonra Gsc = 1353 W/m2 almıştır. Bu değer
NASA tarafından 1971 yılında kullanılmaya başlanmıştır. Dünya ışınım merkezi
(WRC) güneş sabiti değerini Gsc= 1367 W/m2 olarak kabul etmektedir ve ışınım
hesaplamalarında güneş sabiti değeri olarak bu değer kullanılmaktadır[17].
Dünya üzerine dağılan güneş ışınımı, güneşe olan uzaklık ve ışınların geliş açısına bağlı
olarak farklılık göstermektedir. Bir noktadaki güneş ışınımı, yerin coğrafi konumuna,
dünyanın yıllık devinimi esnasında güneş ile arasındaki açının ve mesafenin değişimine
4
ve günlük atmosfer olaylarına göre değişim göstermektedir. Farklı atmosfer olaylarının
güneş ışınımına etkisi Şekil 1.2’de verilmiştir[18].
Güneşten yeryüzüne gelen ışınım şiddeti, gün içinde geliş açısına bağlı olarak değişir.
Bu şiddet, öğle vaktinde o gün içerisindeki en yüksek değerine ulaşır. Bunun sebebi,
güneş ışınlarının atmosfer içinde izlediği yolun öğle vaktinde en az olmasıdır.
5
Şekil 1.3 Güneşten Gelen Enerjinin Yıl İçindeki Değişimi[19].
Güneş ışınları yeryüzüne ulaşmadan önce atmosferde bulunan moleküller nedeniyle bir
kısmının saçılarak yön değiştirmesi ve bir kısmının da soğurulması ile enerjilerini belli
oranda kaybederler. Saçılan ışınıma yayılmış (diffuse) ışınım, D, adı verilir.
Bu ışınımın bir kısmı uzaya doğru geri yansıtılır bir kısmı da yeryüzüne ulaşır.
Yeryüzüne güneşten çizilen bir doğru boyunca yön değiştirmeden gelen ışınımlara
doğrudan (direct) ışınım, B, adı verilir. Bir yüzey üzerine gelen güneş ışınlarının bir
kısmı yüzey tarafından soğurulur, bir kısmı yansıtılır ve bir kısmı da geçirilir. Gelen
ışının kaynağı güneş olduğu zaman yeryüzünden yansıyan ışınlara genel adıyla albedo
ismi verilir ve ρ ile tanımlanır. ρ belirli bir yüzey üzerinden yansıyan ışınımın, yüzey
üzerine düşen toplam ışınım oranı olarak tanımlanır. Fotovoltaik uygulamalar için
albedo önemli bir rol oynamakta ve yüzeyin cinsine bağlı olarak 0,2 ile 0,8 arasında
farklı değerler almaktadır. Eğimli bir yüzey üzerindeki toplam (global), G, güneş
ışınımı Şekil 1.4’te gösterildiği gibi doğrudan, yayılmış ve yansıyan ışınların toplamıdır
[20].
6
Şekil 1.4 Global Güneş Işınım Bileşenleri[21].
Güneş tayfı (Şekil 1.6), mutlak hava kütlesi, yoğuşabilir su içeriği, bulanıklık, bulutlar,
atmosferdeki partiküllerin dağılımı, partiküllerin cinsi ve yerden yansıma gibi
faktörlerden etkilenir[22].
7
Şekil 1.6 Elektromanyetik Tayf[22].
Işıma yani radyasyon ölçümleri genel anlamda radyometre denen ışın ölçerlerle yapılır.
Mekanik olarak çalışan ışın ölçerlere aktinometre veya kayıt edicili manasına,
aktinograf; elektronik olarak çalışanına ise piranometre veya pirhelyometre isimleri
verilir. Mekanik aktinograflar cal/cm2-dakika cinsinden enerji ölçümü yaparken,
elektronik radyometreler W/m2 cinsinden güneş ışınım şiddetini birim alana gelen
ışınım gücü olarak ölçerler. Yine Dünya Meteoroloji Teşkilatı (DMT)’nin tavsiyesi
doğrultusunda en az 120W/m2 ışınım gücünün ölçülebildiği an, güneşlenme
gerçekleşmiş sonucuna varılır ve bu şiddetin görüldüğü zaman aralığı sayılarak günlük
güneşlenme süresi dakika veya saat olarak ifade edilir. Piranometre her ne kadar toplam
güneş ışımasını ölçüyor olsa da, doğrudan güneş ışımasını sürekli engelleyecek bir
çember ile çevrilen piranometreler sadece yayınık ışımayı ölçerler. Ülkemizde
güneşlenme süresi ve güneş ışıması ölçüm ve rasatları 1936 yılında yapılmaya
başlanmıştır[23].Meteoroloji istasyonlarında düzenli olarak yapılan güneş ışınımı,
güneşlenme süresi ve bulut kapalılığı gözlem ve ölçümleri yapılmaktadır. Bu rasatlarla
birlikte geçmişte gözlemi ve ölçümü yapılan bulanıklık (turbidity) verisi rasatlarını,
DMT yeterli doğrulukta bulmadığı için, daha doğru bir yöntem veya ölçüm tekniği
geliştirilene kadar durdurmuştur[24].
Ülkemiz, coğrafi konumu nedeniyle sahip olduğu güneş enerjisi potansiyeli açısından
birçok ülkeye göre şanslı durumdadır. Devlet Meteoroloji İşleri Genel Müdürlüğün ’de
8
(DMİ) mevcut bulunan 1966-1982 yıllarında ölçülen güneşlenme süresi ve ışınım
şiddeti verilerinden yararlanarak, Elektrik İşleri Etüd İdaresi Genel Müdürlüğü (EİE)
tarafından yapılan çalışmaya göre; Türkiye'nin ortalama yıllık toplam güneşlenme
süresi 2.640 saat (günlük toplam 7.2 saat), ortalama toplam ışınım şiddeti 1.311
kWh/m2-yıl (günlük toplam 3.6 kWh/m2) olduğu tespit edilmiştir[25]. Türkiye, 110 gün
gibi yüksek bir güneş enerjisi potansiyeline sahiptir ve gerekli yatırımların yapılması
halinde Türkiye yılda birim metre karesinden ortalama olarak 1.100 kWh’lik güneş
enerjisi üretebilir[26].Aylara göre Türkiye güneş enerji potansiyeli ve güneşlenme
süresi değerleri ise Tablo 1.1' de verilmiştir[25].
9
değerlerinin daha sağlıklı olarak ölçülmesi amacıyla enerji amaçlı güneş enerjisi
ölçümleri almaktadırlar.
Tablo 1.2 Türkiye'nin Yıllık Toplam Güneş Enerjisi Potansiyelinin Bölgelere Göre
Dağılımı[25].
10
Şekil 1.7 Türkiye Güneş Işınım Haritası[25].
11
Şekil 1.9 Türkiye Aylık Ortalama Güneşlenme Süreleri[25].
Şekil 1.10 Türkiye’de Farklı PV Paneller İçin Elde Edilecek Enerji Miktarları[25].
Fotovoltaik piller, fotovoltaik ilkeye dayalı olarak çalışırlar, yani üzerlerine ışık düştüğü
zaman uçlarında elektrik gerilimi oluşur. Pilin verdiği elektrik enerjisinin kaynağı,
yüzeyine gelen güneş enerjisidir[15].
12
Güneş enerjisi, fotovoltaik pilin yapısına bağlı olarak %5 - %30 arasında bir verimle
elektrik enerjisine çevrilebilir[15].
Güç çıkışını artırmak amacıyla çok sayıda fotovoltaik pil birbirine paralel ya da seri
bağlanarak bir yüzey üzerine monte edilir, bu yapıya fotovoltaik pil modülü ya da
fotovoltaik modül adı verilir. Güç talebine bağlı olarak modüller birbirlerine seri ya da
paralel bağlanarak bir kaç Watt' tan Mega Watt'lara kadar sistem oluşturulur[15].
Işığın elektrik enerjisine dönüşmesine izin veren fiziksel olay, fotovoltaik etkisi (ışıl
gerilim etkisi), 1839’da Fransız fizikçi Alexandre Edmond Becquerel tarafından
keşfedildi[29]. 1839 yılında Becquerel, elektrolit içerisine daldırılmış elektrotlar
arasındaki gerilimin, elektrolit üzerine düşen ışığa bağımlı olduğunu gözlemleyerek
Fotovoltaik olayını bulmuştur[30].
Modern fotovoltaik hücre teknolojisini ilk olarak, 1941 yılında RussellOhl geliştirmiş
ve bu keşfi %6 verime sahip silikon fotovoltaik hücrelerin duyurulması takip
etmiştir[32]. Modern fotovoltaik hücrelerin uygulama alanı bulması ilk olarak 1958
13
yılında güneşten elektrik enerjisi sağlayan ilk uydu olan Vanguard 1 uydusuyla
gerçekleşmiştir[33].
2004 yılı eylül ayında ise Türkiye Büyük Millet Meclisi yeni bir yenilenebilir enerji
yasasını çıkarmıştır. Bu yasa gelecek 5 yıllık dönemde 4–5 MW'lık bir yenilenebilir
enerji kurulumunu desteklemektedir[35]. Türkiye’de günümüzde ise güneş enerjisi
araştırma ve geliştirme konularında EİE'nin yanında Tübitak Marmara Araştırma
Merkezi ve üniversiteler (Ege Üniversitesi Güneş Enerjisi Araştırma Enstitüsü, Muğla
Üniversitesi, ODTÜ, Kocaeli Üniversitesi, Fırat Üniversitesi) çalışmalar
yapmaktadır[35].
14
maddelerinin kontrollü olarak eklenmesiyle yapılır. Elde edilen yarı-iletkenin n ya da p
tipi olması katkı maddesine bağlıdır. En yaygın fotovoltaik pil maddesi olarak
kullanılan silisyumdan n tipi silisyum elde etmek için silisyum eriyiğine periyodik
cetvelin 5. grubundan bir element, örneğin fosfor eklenir. Silisyum'un dış yörüngesinde
4, fosforun dış yörüngesinde 5 elektron olduğu için, fosforun fazla olan tek elektronu
kristal yapıya bir elektron verir. Bu nedenle V. grup elementlerine "verici" ya da "n tipi"
katkı maddesi denir.
P tipi silisyum elde etmek için ise, eriyiğe 3. gruptan bir element (alüminyum, indiyum,
bor gibi) eklenir. Bu elementlerin son yörüngesinde 3 elektron olduğu için kristalde bir
elektron eksikliği oluşur, bu elektron yokluğuna delik ya da boşluk denir ve pozitif yük
taşıdığı varsayılır. Bu tür maddelere de "p tipi" ya da "alıcı" katkı maddeleri denir.
15
Yarıiletken eklemin fotovoltaik pil olarak çalışması için eklem bölgesinde fotovoltaik
dönüşümün sağlanması gerekir. Bu dönüşüm iki aşamada olur, ilk olarak, eklem
bölgesine ışık düşürülerek elektron-delik çiftleri oluşturulur, ikinci olarak ise, bunlar
bölgedeki elektrik alan yardımıyla birbirlerinden ayrılır.
Yarıiletkenler, bir yasak enerji aralığı tarafından ayrılan iki enerji bandından oluşur. Bu
bandlar valans bandı ve iletkenlik bandı adını alırlar. Bu yasak enerji aralığına eşit veya
daha büyük enerjili bir foton, yarıiletken tarafından soğurulduğu zaman, enerjisini
valans banddaki bir elektrona vererek, elektronun iletkenlik bandına çıkmasını sağlar.
Böylece, elektron-delik çifti oluşur. Bu olay, pn eklem fotovoltaik pilin ara yüzeyinde
meydana gelmiş ise elektron-delik çiftleri buradaki elektrik alan tarafından
birbirlerinden ayrılır. Bu şekilde fotovoltaik pil, elektronları n bölgesine, delikleri de p
bölgesine iten bir pompa gibi çalışır. Birbirlerinden ayrılan elektron-delik çiftleri,
fotovoltaik pilin uçlarında yararlı bir güç çıkışı oluştururlar. Bu süreç yeniden bir
fotonun pil yüzeyine çarpmasıyla aynı şekilde devam eder. Yarıiletkenin iç kısımlarında
da, gelen fotonlar tarafından elektron-delik çiftleri oluşturulmaktadır. Fakat gerekli
elektrik alan olmadığı için tekrar birleşerek kaybolmaktadırlar[37].
Fotovoltaik teknolojileri, her biri ayrı kristal yapıya sahip atomlara göre
sınıflandırılabilir. Bube tarafından, bu kristallerin boyutlarına göre bir soyağacı
tanımlanmıştır. Geçmişte soy olarak polikristal ifadesi tanımlanmasına rağmen daha
özel ifadelerle pil çeşitleri;
16
Silikon teknolojisinin baskın olduğu Tek Kristalli Piller
Çok kristalli yapıya sahip, oldukça büyük alanlar üzerine her birinin boyutları
1mm’den 10 cm’ye değişen, tek kristal silikon hücrelerin konulmasıyla elde
edilen çok kristalli hücreler,
Kalınlıkları 1 μm ile 1mm arasında boyutlara sahip birçok taneden oluşan
[Kadmium Tellür (CdTe) hücreler, Bakır indiyum diseleneid (CuInSe2)]
Polikristal yapılı hücreler.
Mikro kristal yapılı hücreler ile tane büyüklüğü 1 μm’den daha küçük tanelerin
birleşmesiyle kristal bölgeye sahip olmayan Amorf-Silikon yapılı
hücrelerdir[46].
Önce büyütülüp daha sonra 200 mikron kalınlıkta ince tabakalar halinde dilimlenen tek
kristal silisyum bloklardan üretilen fotovoltaik hücrelerden laboratuvar şartlarında %24,
ticari modüllerde ise %15' in üzerinde verim elde edilmektedir[41]. Bu hücre türü daire,
kare ve yarı-kare formunda; 100x100mm, 125x125mm ve yarıçapı 100, 125 veya 150
mm boyutlarında ve 0,3 mm kalınlığında üretilmektedir.
Şekil 1.14 Kare, Yarı Kare ve Daire Şeklindeki Tek Kristal Silisyum Hücreler[38].
Çok kristalli silikonlar, tek kristal silikonların küçük taneciklerinden oluşmaktadır. Çok
kristalli silikonlardan değişik yollarla direkt fotovoltaik pil levhaları yapılmaktadır. Tek
kristalli silikonların üretimine benzeyen bu piller eriyen çok kristalli silikonların
kontrollü şekilde küp şeklindeki kalıplara dökülüp soğumasından sonra kare şeklinde
kesilmesi ile oluşur. Çok kristalli fotovoltaik pillerin üretimi tek kristallilere göre daha
17
kolay ve daha ucuzdur. Fakat çok kristalli silikonların verimi daha düşüktür. Çok
kristalli pillerin verimlilikleri laboratuvar üretimlerinde %18, ticari modüllerde
%13~14 civarındadır[28]. Kare şeklinde; 100x100mm, 125x125mm ve 150x150mm
boyutlarında ve 0,3 mm kalınlığında üretilmektedirler[38].
Şekil 1.15 (a)Yansıma Önleyici Tabakasız Çok Kristal Silisyum Hücre, (b) Yansıma
Önleyici Tabakalı Çok Kristal Silisyum Hücre, (c) Yansıma Önleyici Tabakalı ve
Elektrik Yolları Eklenmiş Çok Kristal Silisyum Hücre[38].
İnce film hücreler, yarı iletken malzemelerin; cam, paslanmaz çelik ya da plastikten
yapılmış geniş yüzeyler üzerine ince film tabakası şeklinde kaplanması ile elde edilen
hücrelerdir[39]. İnce film fotovoltaik malzeme genellikle çok kristalli
malzemelerdir[45]. Kristal silisyum hücrelerden farklı olarak hücreler yekpare halinde
olur ve hücreler arası bağlantı modül üzerindeki ince oluklarla sağlanır bu oluklar
hücrelere şeffaflık kazandırabilir. Yarı geçirgenlik hücreler arası boşluk arttırılarak
arttırılabilir[38].
18
Şekil 1.16 İnce Film Fotovoltaik Pil[41].
Kristal yapı özelliği göstermeyen bu silisyum hücrelerden elde edilen verim %10
dolayında, ticari modüllerde ise %5-8 mertebesindedir[38]. Amorf-Silisyum
malzemesini kristalli-silisyumdan ayıran özellik, silisyum atomlarının malzeme içindeki
düzenlerinin, birinci derece komşu atomların ötesinde gelişigüzel olmasıdır. Malzeme
içindeki yapı taşlarının gelişigüzel dizilişi amorf silisyumun elektriksel iletim kalitesini
düşürse de, yarı iletken içerisine %5-10 oranında hidrojen katılarak fotovoltaik çevrime
uygun düzeyde tutulabilirler[40]. Maksimum 0,79x2,44m boyutlarında
üretilmektedirler[38]. Amorf silikon hücrelerini üretmek diğer kristal silikonlara göre
oldukça ucuzdur[28].
19
1.5.3.5. Kadmiyum tellür ince film fotovoltaik piller
Güneş enerjisinin elektrik enerjisine dönüşümünü en uygun şekilde sağlaması gibi bazı
avantajlı özellikleri bir arada topladığı için, kadmiyum tellürid, ince film teknolojisi için
en ideal malzemedir. Laboratuvar koşullarında verimi %16’nın üzerindedir[42].
Periyodik tablonun ikinci grubunda bulunan Kadmiyum elementi ile altıncı grubunda
bulunan Tellür elementinin bir araya gelmesiyle oluşan (II-VI birleşik yarı-iletkeni
kadmiyum tellür) CdTe’nin, oda sıcaklığında yasak enerji aralığı Eg=1,5 eV değeri ile
güneş spektrumundan maksimum dönüşümü elde etmek için gerekli olan değere
oldukça yakındır. Yüksek soğurma katsayısı yanında, ince film büyütme teknolojisinin
birçoğu ile kolayca üretime olanak tanıması, geniş yüzey alanlı fotovoltaik pil
üretiminde CdTe birleşik yarı iletkeninin öne çıkmasını sağlamıştır[40].
İlk bakır indiyum diselenid hücreler 1974 yılında Bell Laboratuarlarında bir grup
tarafından sunuldu. Bakır indiyum diselenidin fotovoltaik materyal olarak seçilmesinin
sebebi, çok yüksek optik soğurma katsayısı ve hazırlanma maliyetinin düşük
olmasıdır[43].
Bu hücreler şu anda en verimli ince film teknolojisidir. Seri üretimle birlikte, maliyeti
kristal silikon hücrelerden çok daha az olmaktadır. Ticari modül verimlilikleri %7,5 ile
%9 arasındadır[45].
20
Şekil 1.19 Bakır İndiyum Diselenid Fotovoltaik Pil[43].
Fotovoltaik pil lineer olmayan bir yapıdadır. Eşdeğer devresi Şekil 1.20’de
gösterilmiştir[47].
Şekil 2.1’da görülen fotovoltaik modül elektriksel eşdeğer devresindeki, çıkış bağlantı
akımı I ,ışığın ürettiği IL akımı, çok küçük I D diyot akımı ve paralel sızıntı I SH akım
21
toplamına eşittir. Seri direnç Rs çıkış akımına karşı gösterilen iç direnci gösterir ve
karelik (1 inç kare=6,45x10-4 m2) tipik bir hücrede ise, R =0,05 - 0,10 ohm ve
s
R =200-300 ohm arasındadır. fotovoltaik dönüşüm verimi R ‘deki değişikliklere
SH S
duyarlı fakat R ’deki değişimlere duyarlı değildir. R üzerindeki küçük bir artış,
SH S
Elektriksel eşdeğer devrede, harici yüke ulaşan akım, üretilen I L akımına eşittir. Yük
akımı sıfıra eşit iken ( I=0 ) (1.1) denkleminde verilen fotovoltaik hücrenin açık devre
gerilimi ( Voc ) elde edilir.
Diyot akımı klasik diyot akım ifadesi ile aşağıda verildiği gibidir:
Q*Voc
Id =ID -1 (1.2)
A*K*T
Q*Voc
1 V
I=I L -I D e A*K*T - oc
R SH (1.3)
22
Q* V+I*R
I=IL -ID exp
SH -1 - V+I*RSH
A*K*T RSH (1.4)
V+I*RSH
(1.4) denkleminde son parametre olan sızıntı akım RSH ise gerçek uygulamalarda
Öncelikle, fotovoltaik hücrenin kısa devre akımı ve açık devre gerilimi ölçülür. Ayarlı
yükün direnci minimumdan maksimuma kadar değiştirilerek yükün çalıştığı akım ve
gerilim noktaları belirlenir. Kısa devre akımı ve açık devre gerilimi arasında bulunan
23
çalışma noktalarının birleştirilmesiyle fotovoltaik hücrenin akım-gerilim karakteristiği
oluşturulur. Fotovoltaik hücrenin maksimum gücü, akım gerilim karakteristiğinden
hesaplanabilir. Akım-gerilim karakteristik eğrisi altında kalan en büyük dikdörtgenin
alanı maksimum güce eşittir. Şekil 1.22’defotovoltaik hücrenin akım-gerilim
karakteristiği ve maksimum güç noktası görülmektedir[46].
Fotovoltaik hücrenin maksimum gücü, üzerine gelen güneş ışığı şiddeti ile orantılı
olarak değişir. Işık şiddeti azaldıkça hücrenin ürettiği gerilim ve hücreden çekilen akım
azalmaktadır. Burada kısa devre akımındaki azalma, açık devre gerilimindeki
azalmadan daha fazladır. Fotovoltaik hücrelerden en iyi verimi elde edebilmek için,
hücreler güneş ışığından maksimum faydalanabilecek şekilde yerleştirilmelidir. Şekil
1.23’te ışık şiddeti azalan hücrelerin akım ve gerilimindeki azalma ile maksimum güç
noktalarındaki (MGN) değişme görülmektedir[45].
24
Şekil 1.23 Fotovoltaik Hücrenin Farklı Işık Şiddetlerindeki Akım-Gerilim
Karakteristiği[49].
Ortam sıcaklığının artması ise kısa devre akımını çok az artırarak açık devre gerilimini
azaltmaktadır. Açık devre gerilimindeki değişme, kısa devre akımındaki değişmeye
göre daha fazladır. Şekil 1.24’de fotovoltaik hücrenin ortam sıcaklığına bağlı olarak
akım-gerilim karakteristiği ile maksimum güç noktalarındaki değişme
görülmektedir[49].
25
Fotovoltaik hücrelerden maksimum güç, ışık şiddeti yüksek ve sıcaklığı az olan
ortamlarda elde edilir[49].
c. Ara yüzey kayıpları: Fotovoltaik pili meydana getiren yarıiletken tabakalar arasındaki
yüzeylerde, hacim kayıplarına ek olarak ortaya çıkan kayıplardır.
Fotovoltaik pilin verimi zamanla azalır. Bu ise tanımlanan hacim veya ara yüzey
özelliklerindeki değişimlerden kaynaklanmaktadır[51].
26
1.7.1. Işıksal kayıplar
Fotovoltaik pillerde üretilen akım değeri, üretilen azınlık yük taşıyıcıları ve soğurulan
foton sayısı ile belirlenir. Işıksal kayıplar, yansıma kayıpları ve dış soğurulma kayıpları
olarak iki kısımda incelenebilir[51].
Dış soğurulma kayıplarını azaltmak için yasak enerji aralığında tuzak seviyeleri
oluşturulur. Bundan başka, fotovoltaik pil yapımında hetero eklem yapılar ve daha
gelişmişi, yasak enerji aralığı farklı materyallerle çok katlı tabakalar oluşturulur[47,48].
Fotovoltaik pilin üst yüzeyinde yer alan saydam kaplamadan yansıma, ilk yansıma
kaybını oluşturur[51].
Pilin üst yüzeyinde meydana gelen yansıma kayıpları, bu yüzey üzerinde desenler
oluşturulması ve yüzeyin yansıma önleyici kaplama ile kaplanması gibi teknolojik
yöntemlerle en aza indirilmektedir. %3-%4 düzeyine kadar düşürülebilen üst yüzey
yansıma kayıpları, tamamen ortadan kaldırılamamaktadır[55,56].
27
Fotovoltaik pilde yansıma önleyici kaplama ile yarıiletken tabakanın ışıksal sabitleri
arasındaki farklılıklara bağlı olarak, yarıiletken tabakalardan bir miktar yansıma
beklenebilir. Fotovoltaik pilin bu kısmındaki yansımalar, yansıma önleyici kaplama ile
yarıiletken tabakaların uygun işlemlerden geçirilmesi ve ışık tuzaklaması ile %5 ’in
altına düşürülebilir[51].
Fotovoltaik pildeki omik kontağa, soğurucu-üretici yoluyla bir miktar ışığın sızması
beklenebilir. İdeal bir durumda, bu ışık tekrar soğurucu-üreticiye yararlı bir şekilde
soğurulmak üzere yansıtılabilir. Omik kontaktaki yansıma kayıpları, %2’yi
geçmemelidir. İyi tasarlanmış bir fotovoltaik pilde, bu üç bölgede meydana gelen
toplam ışıksal yansıma kayıpları %18 ’e kadar çıkabilir. Bu oran uygun işlemlerle %5 ’e
kadar düşürülebilir[51].
28
1.7.2.1. Akım kayıpları
Bir fotovoltaik pilde üretilen azınlık yük taşıyıcılarının kaybı; hacim içinde yeniden
birleşme, yüzeyde yeniden birleşme ve kristal sınırlarının iç yüzeyler gibi davranması
gibi birçok yolla gerçekleşebilir[51].
Fotovoltaik pilin hacmi içinde meydana gelen yeniden birleşme kayıpları, fotonlarla
uyarılan yük taşıyıcılarının sonlu ömürlerinden kaynaklanır[51].
p-n eklemli bir fotovoltaik pilde güneş ışığıyla uyarmalar sonucu oluşan elektron-delik
çiftleri, difüzyon mesafesi sonunda yeniden birleşerek yok olurlar. Dolayısıyla, pilden
elde edilmek istenen akıma katkıda bulunamazlar[58]. Bu nedenle ortaya çıkan akım
kayıplarını, en aza indirmek için fotovoltaik pilin ışıksal ve elektriksel gereksinimleri
arasında bir uyum sağlanmalıdır.
Akım kayıplarını azaltmak için fotonlar fotovoltaik pilin p-n eklemine yakın bölgelerine
düşürülerek, elektron-delik çiftleri eklem yakınlarında oluşturulabilir. Bundan başka
pilin toplayıcı metal kafes aralığı, difüzyon mesafesinden daha dar tutularak elektron-
delik çiftlerinin yeniden birleşmesi engellenebilir[53,58]
Yüzey yeniden birleşmesi, Işınımla üretilen ve yüzeye doğru yayılan yük taşıyıcıları;
yüzey etkilerini önleyici özel önlemler alınmadığı ya da taşıyıcıların yüzeye ulaşmaları
engellenmediği zaman; yüzeyde yeniden birleşerek, akıma katkıda bulunamadan yok
olurlar. Yüzeyde bir oksit tabakanın oluşturulması, yüzey koşullarının etkisini ve
bundan kaynaklanan taşıyıcı kaybını azaltır. Yüzey yakınlarına uygulanan homojen
olmayan bir katkılama işlemi; bir iç elektrik alan oluşumuna yol açarak, azınlık yük
taşıyıcılarının yüzeyden uzaklaştırılmasını sağlar. Böylece yüzeyde yeniden birleşme
sonucu oluşan akım kayıpları azaltılmış olur. Bu kayıplar en iyileştirilmiş durumdaki
fotovoltaik pillerde %0 ile %5 arasında değişir[51].
Bir fotovoltaik pilin kristal sınırları iç yüzeyler gibi davranabildiğinden, serbest bir
yüzey ölçüsünde azınlık yük taşıyıcılarının kaybına sebep olabilirler. Kristal sınırlarında
pürüzler çok daha etkin olduğundan, yapılacak bir katkılama işlemi azınlık yük
29
taşıyıcılarını kristal sınırlarından uzaklaştıracak ve bu bölgelerde oluşan akım
kayıplarını azaltacaktır[51].
Seri direncin çok büyük değerleri ile şönt direncinin çok küçük değerleri, sırasıyla kısa
devre akımı I SC ve açık devre gerilimini VOC değerlerini azaltır. Seri direncin yüksek
olması ve şönt direncinin de düşük olması, fill faktörünü azaltarak verimin düşmesine
sebep olur[55].
Fotovoltaik pillerin seri dirençten kaynaklanan verim kayıpları, aygıt boyunca akımı
toplamak için p-tipi ve n-tipi bölgelerinin üzerine kaplanan metal kontaklardan
kaynaklanan kayıplardır. Özellikle ışığın düştüğü yüzey üzerinde, kontak yüzey alanı
küçük tutulmalıdır. Bu durumda oluşan akım için yol uzunluğu ve buna bağlı olarak
fotovoltaik pilin seri direnci artar. Bundan başka, bir fotovoltaik pilin karakterizasyonu
sırasında akım ölçmek için kullanılan bağlantı kabloları veya iletkenler, fotovoltaik pil
için seri direnç oluştururlar. Yüksek güçler elde etmek için güneş pilleri arasında
bağlantı kurulması, seri direnç kayıplarını arttıracak bir etki oluşturabilir. Bu sebeple
30
piller arasındaki bağlantıların iyi iletkenlerle yapılması ve olabildiğince kısa tutulması
gerekir[54].
Bir fotovoltaik pilde seri dirençten ve şönt direncinden kaynaklanan verim kayıpları
%10 değerine kadar ulaşabilmektedir[51]. Bu kayıplar, pil teknolojisindeki gelişmelerle
azaltılmaktadır. İdeal bir fotovoltaik pilde seri direnç sıfır, şönt direnci sonsuz ( ∞ )
olmalıdır.
Fill faktörü (FF), açık devre gerilimi ile kısa devre akımı çarpımının ( Voc * I sc ), pilden
Pm
FF=
Voc *I sc
(1.5)
bağıntısı ile bulunur[50]. Fill faktörüne doluluk faktörü de denir ve ideal bir fotovoltaik
hücrede fill faktörü 1’e eşittir. Seri direncinçok büyük değerleri ile şönt direncinin çok
küçük değerleri sırasıyla, kısa devre akımı ( I SC ) ve açık devre gerilimini ( VOC )
değerlerini azaltır. Seri direncin büyük, şönt direncinin küçük olması; fill faktörünü
azaltarak verimin düşmesine sebep olur. Yasak bant aralığı arttıkça, fill faktörü ideal
değeri olan 1 ’e yaklaşmaktadır. Fill faktörü açısından, maksimum verim elde etmek
için fotovoltaik pil yapımında olabildiğince büyük yasak bant aralığına sahip
yarıiletkenler kullanılmalıdır.
Başka bir açıdan bakıldığında, kullanılan yarıiletkenin yasak bant aralığı arttıkça,
fotovoltaik pil tarafından soğurulan foton sayısı azalır. Bu yüzden, fotovoltaik pilde elde
edilen akım değerinin yüksek olması için kullanılan yarıiletkenin yasak bant aralığı
küçük olmalıdır. Bu şekilde, kullanılacak yarıiletkenin yasak bant aralığı için en uygun
değeri bulma gereği ortaya çıkar. Bunun için ideal verimin yasak bant aralığı ile
değişimine bakılır. Bir fotovoltaik pilin en yüksek verime sahip olabilmesi için,
yapımında kullanılan yarıiletkenin 1.4 eV ile 1.6 eV değerinde yasak bant aralığına
sahip olması gerekir[54].
31
1.7.2.5. Arayüzey kayıpları
Heteroeklem yapısına sahip bir fotovoltaik pilde; p-n ekleminin iki yanında bulunan
materyallerin örgü uyumsuzluğu, ara yüzey konum yoğunluğunun artmasına yol açar.
Ara yüzey konum yoğunluğunun artması; yük taşıyıcılarının ara yüzeyde yeniden
birleşerek, yok olma hızını arttırır. Bu ise fotovoltaik pilde verim kaybının artmasına
neden olur[51].
Bir fotovoltaik pilden sağlanan maksimum gücün, pil üzerine gelen maksimum güce
oranına fotovoltaik pilin verimi denir ve η simgesi ile gösterilir[59]. Fotovoltaik pilin
maksimum güç çıkışı Pm ve optik giriş gücü (atmosfer dışında birim alana düşen güneş
Pm
η=
Pin (1.6)
bağıntısı verilir[56].
32
1.8.1. Fotovoltaik pilin verim hesabı
Fotovoltaik pillerin verimini belirleyen üç parametre vardır. Bunlar açık devre voltajı
( VOC ), kısa devre akımı ( I SC ) ve fill faktörüdür( FF )[53].
1. Açık Devre Voltajı ( VOC ): Pilden geçen akımın sıfır olması durumunda, pil
2. Kısa Devre Akımı ( I SC ): Fotovoltaik pilin uçları arasına uygulanan gerilim sıfır
olduğunda, aydınlatma altında pilden geçen akımdır. Seri direnç etkilerinin ihmal
edildiği ideal durumda; ışıkla oluşan akıma eşit olup, ışıma şiddetine bağlıdır[43]. Bu
akım devre direncinin, pilin dış devresine bağlanmış yük direncinden ( RL ) büyük
3. Fill Faktörü ( FF ): Bir fotovoltaik pilin maksimum çıkış gücünü, açık devre voltajı
ve kısa devre akımına bağlı olarak tanımlamak için kullanılan bir parametredir. Fill
faktörüne doluluk faktörü de denir ve FF ifadesiyle gösterilir[59]. Fotovoltaik pilin iç
seri direncinden kaynaklanan bir niceliktir. Seri direnç arttıkça fill faktörü azalır[55].
Fill faktörü; pilin maksimum çıkış gücünün, açık devre voltajı ile kısa devre akımı
çarpımına oranına eşittir[53,59]. Buna göre fill faktörü,
Vm *I m
FF=
Voc *Isc (1.7)
Fill faktörünün değeri, fotovoltaik pilin idealliğinin bir ölçüsüdür. İdeal bir fotovoltaik
pilde fill faktörü 1 ’e eşittir. Bu yüzden herhangi bir fotovoltaik pilde fill faktörünün 1’e
yakın olması istenir. Fill faktörünün yüksek olması, fotovoltaik pilin veriminin yüksek
olduğunu gösterir. Fill faktörünün büyük olması için seri direncin ( R ), diyodun ideal
S
yasak enerji aralığının ( Eg ) ve şönt direncinin büyük olması gerekir ( R )[53]. Bir
SH
33
fotovoltaik pilin açık devre voltajı ( Voc ), kısa devre akımı ( I SC ), fill faktörü( FF ) ve
P V *I
η= m = m m
Pin Pin (1.8)
Veya
η=
Voc *Isc *FF*100(%)
Pin (1.9)
Fotovoltaik pillerin çalışma sıcaklığı, çeşitli kullanım alanlarına göre geniş bir aralıkta
değişim gösterir. Bu yüzden sıcaklığın fotovoltaik pilin verimi üzerine etkisinin
bilinmesi gerekir. Fotovoltaik pilin kısa devre akımı sıcaklığa pek fazla bağlı değildir.
Sıcaklığın artmasıyla, kısa devre akımında az bir artma eğilimi gözlenir. Bunun nedeni,
sıcaklık artmasıyla yarıiletken yasak bant aralığının azalması ve bunun sonucunda
ışınım soğurulmasında çoğalmanın meydana gelmesidir[55].
Sıcaklıktaki değişim, daha çok açık devre voltajını etkilediği için fotovoltaik pilin çıkış
gücü ve verimi sıcaklık arttıkça azalır[56].
Fotovoltaik pil üzerine gelen ışınların bir kısmı, yarıiletken içine giremeden üst yüzey
tarafından yansıtılır. Fotovoltaik pilin üst yüzeyine gelen ışınları yansıtma miktarı,
yapıldığı yarıiletken maddenin cinsine bağlı olarak değişir. Yansıtma miktarının ölçüsü
34
olan yansıma katsayısı, ortamların kırıcılık indislerine ve yok olma katsayısına bağlı
olarak değişir[56].
Fotovoltaik pilin üst yüzeyine gelen fotonların yansıması, pilin veriminde azalmaya
sebep olur. Bu azalma miktarı, yansıma miktarıyla doğru orantılıdır. Fotovoltaik pil
yüzeyine gelen ışınların yansımasını azaltmak için kullanılan yaklaşımlardan biri, özel
yapılı yüzeyler oluşturmaktır. Bu yaklaşım altında, fotovoltaik pil yapımında yüzeyi
desenli silisyum dilimleri kullanılmaktadır. Bu yapıya ek olarak yansıma önleyici
kaplama da kullanılarak, fotovoltaik pildeki yansıma kayıpları en aza
indirilebilir[55,56]. Tek katlı veya çok katlı kaplama ile yansıma oranı, %3-%4
değerlerine düşürülebilmektedir[55]. Ne var ki bu kayıplar tamamen ortadan
kaldırılamaz[51].
Yarıiletken fotovoltaik pile gelen fotonlar yüzeye çarpınca; gelen ışığın bir kısmı yüzey
tarafından yansıtılırken, ışığın geri kalan kısmı yarıiletken tarafından soğurulur veya
malzemeden geçer[56]. Işık pil yüzeyinin normali ile bir açı yaparak geldiğinde, bir
kısmı yüzey tarafından yansıtılır. Yansıtma katsayısı, ortamların kırıcılık indislerine ve
yok olma katsayısına bağlı olarak, değişim gösterir.
Fotovoltaik pil üzerine gelen ışığın bir kısmının yutulması ve yansıtılmasından sonra,
bir kısmı da şiddeti zayıflayarak fotovoltaik pilden geçer[56].
Sabit fotovoltaik panel sisteminden maksimum çıkış elde etmek ve panelin maksimum
seviyede güneşlenebilmesi için, fotovoltaik panelin, yeterli çıkışı verecek şekilde
düzlem ile zenit θ Z veya azimut açısına sahip β eğim açısında sabitlenmesi gerekir.
Şekil 1.27’de sabit bir fotovoltaik panelin optimum montajı gösterilmektedir.
35
Şekil 1.27 Sabit Bir Fotovoltaik Panelin Optimum Montajı[57].
36
-900 900
Zenit açısı ( θ Z -solar zenitangle): Güneşin doğrultusu ile dikey eksen arasındaki açı
miktarıdır. Yatay düzlemde, güneşin doğuşu ve batışı sırasında zenit açısı900ve öğle
saatinde ise zenit açısı 00dir. Güneş öğle saatinde havada en yüksek noktada bulunur.
Zenit açısı denklem 1.10’dan hesaplanır.
θZ =cosδ*cos*cosω+sinδ*sin (1.10)
Ekinoks tarihlerinde, yani gece ile gündüz zaman dilimi eşit olduğunda (şekil 2.36.b)
(21 Mart ilkbahar ekinoksu, 23 Eylül sonbahar ekinoksu) deklinasyon açısının değeri,
Güneş ışığı ekvatora paralel olduğu için sıfırdır. Yaz gündönümünde (22 Haziran),
deklinasyon açısının değeri 23.450(Yengeç Dönencesi) ve kış gündönümünde
(22Aralık) ise -23.450 (Oğlak Dönencesi) değerine sahiptir.
37
360*(284+n)
δ0 =23,45*sin (1.11)
365
burada n, yılın gününü temsil eder ve 1 Ocak başlangıç olarak n = 1 kabul edilir. Yılın
günleri veya her ayın ortalamasını veren günler olarak alınmıştır[57].
A
ortadeğer=2* (1.12)
π
Yarım dalga için A=23.450 genlik değerine göre, bu sinüzoidalin ortalama değeri
denklem 1.12’den hesaplanır. 21 Mart - 23 Eylül arasında deklinasyon açısının
ortalama değeri 14.930olur. Benzer Şekilde, 23 Eylül - 21 Mart arasında da bu açı
değeri -14.930olur. Buradan, fotovoltaik panel sisteminin eğim açısı, en iyi ortalama
yaz performansı için ( -15) ve en iyi kış performansı için de ( +15) olmalıdır.
0
0
Optimum ilkbahar veya sonbahar performans için, fotovoltaik panelin yaklaşık olarak
(0,9* )0 açısında monte edilmesi gerekmektedir[57,62].Güneşin deklinasyon açısına
göre kuzey yarım küredeki yıllık pozisyonu Şekil 1.30’da, güneş ışınlarının fotovoltaik
panele mevsimsel olarak geliş açılarının değişimi Şekil 1.31’de görülmektedir.
38
Şekil 1.31 Güneş Işınlarının Mevsimsel Değişimi.
39
şeklindedir. Bu sistemlerde örneğin bir konutun elektrik gereksinimi karşılanırken,
üretilen fazla enerji elektrik şebekesine verilir, yeterli enerjinin üretilmediği durumlarda
ise şebekeden enerji alınır. Böyle bir sistemde enerji depolaması yapmaya gerek yoktur,
yalnızca üretilen DC elektriğin, AC elektriğe çevrilmesi ve şebeke uyumlu olması
yeterlidir[37].
2008 yılı Ocak ayında kurulan 40 kWp kurulu güce sahip Türkiye’deki en büyük bina
entegre şebeke bağlantılı fotovoltaik güç sistemi uygulaması Muğla Üniversitesi
Rektörlük Hizmet binasında devreye alınmıştır. Muğla Üniversitesi, yerleşkesinde
bulunan 110 kWp kurulu fotovoltaik sistem gücü ile, Türkiye’deki en büyük
Fotovoltaik Park olma özelliği taşımaktadır. Merkez yerleşkede tükettiği elektrik
enerjisinin %4’ ünü fotovoltaik sistemlerden üretmektedir[43].
40
Binaya entegre fotovoltaik güç sistemi uygulaması olarak Muğla Üniversitesi
Yerleşkesi içerisinde bulunan “Türk Evi” öğrenci kafeteryasının Çatı yüzeyinin
290m2’lik bölümü 2003 yılında fotovoltaik modüllerle kaplanmıştır. 25,6 kWp kurulu
güce sahip olan binaya entegre şebeke bağlantılı fotovoltaik güç sistemi ile yıllık toplam
35.000 kWh’in üzerinde elektrik enerjisi üretilerek şebekeye aktarılmaktadır. 2007 yılı
sonunda, sistemin kurulumundan itibaren yaklaşık 5 yılda üretmiş olduğu toplam
elektrik enerjisi 150.000 kWh değerinin üzerindedir[43]. Şekil 1.34’da25,6 kWp kurulu
güce sahip “Türk Evi” öğrenci kafeteryası görülmektedir.
Şekil 1.34 25,6kWp Fotovoltaik Güç Sistemi, Muğla Üniversitesi, Türk Evi Öğrenci
Kafeteryası[43].
Şekil 1.35’de Meksika’da bir evin enerji ihtiyacını karşılamak için kurulan 10 kWp
gücünde şebeke bağlantılı fotovoltaik güç sistemi görülmektedir.
41
Şekil 1.36 20 MW Fotovoltaik Güç Sistemi, Almaraz Güneş Tarlası, İspanya[60].
Şebekeden bağımsız sistemlerde yeterli sayıda fotovoltaik modül, enerji kaynağı olarak
kullanılır. Güneşin yetersiz olduğu zamanlarda ya da özellikle gece süresince
kullanılmak üzere genellikle sistemde akümülatör bulundurulur. Fotovoltaik modüller
gün boyunca elektrik enerjisi üreterek bunu akümülatörde depolar, yüke gerekli olan
enerji akümülatörden alınır. Akünün aşırı şarj ve deşarj olarak zarar görmesini
engellemek için kullanılan denetim birimi ise akünün durumuna göre, ya fotovoltaik
modüllerden gelen akımı ya da yükün çektiği akımı keser. Şebeke uyumlu alternatif
akım elektriğinin gerekli olduğu uygulamalarda, sisteme bir invertör eklenerek
akümülatördeki DC gerilim, 220 V, 50 Hz.lik sinüs dalgasına dönüştürülür. Benzer
şekilde, uygulamanın şekline göre çeşitli destek elektronik devreler sisteme katılabilir.
Bazı sistemlerde, fotovoltaik modüllerin maksimum güç noktasında çalışmasını
sağlayan maksimum güç noktası izleyici cihazda bulunur. Aşağıda şebekeden bağımsız
bir fotovoltaik sistemin şeması verilmektedir[37].
42
Şekil 1.37 Şebekeden Bağımsız Bir Fotovoltaik Sistemin Şeması[37].
43
Şekil 1.38’de su pompalama sistemi için kurulan 0,64 kWp fotovoltaik güç sistemi
görülmektedir.
44
2. MATERYAL VE YÖNTEM
Bu çalışmada iki veya daha fazla değişken arasındaki ilişkinin varlığı ve derecesi
belirlenmeye çalışılmıştır. Değişkenler sıcaklık ve güneş radyasyonudur.
Sistemde, karakteristik özellikleri Tablo 2.1’de verilen 40 W tepe gücüne sahip bir adet
Sunrice SRM40Dmodel fotovoltaik panel kullanılmıştır. Marmara Üniversitesi Teknik
Eğitim Fakültesi binasının çatısına bölgenin enlem açısına (Göztepe için, β=40°) eşit
olan yıllık optimum eğim açısı ile sabit olarak yerleştirilen fotovoltaik panelin
görünümü Şekil 2.1’deverilmiştir.
45
Tablo 2.1 Fotovoltaik Panelin Teknik Özellikleri
Güç 40 W
Hücre Sayısı 32 Pcs
Kısa devre Akımı 2,75 A
Açık Devre Gerilimi 19,48 V
Maksimum Akım 2,53 A
Maksimum Gerilim 15,84 V
Açık Devre Geriliminin Sıcaklıkla değişimi -0,34(%/°C)
Kısa devre Akımının Sıcaklıkla değişimi 0,05(%/°C)
Gücün Sıcaklıkla değişimi -0,45(%/°C)
Deney setinden gerekli verileri elde edebilmek için kullanılan ölçüm cihazları aşağıda
açıklanmıştır.
46
Tablo 2.2 Güç Analizörünün Teknik Özellikleri
2.2.2. Multimetre
Panel yüzeyine gelen güneş ışınımını ölçmek için kullanılan KIMO CR100 Transmitter
Solarimetr tarafından ölçülen güneş ışınımı bilgisi 4-20mA aralığında çıkış üretmekte
ve bu üretilen mA cinsinden güneş ışınım değerini W/m2 cinsinden güneş radyasyonu
değeri olarak kaydedebilmek için karakteristik özellikleri Tablo 2.3’de verilen UNI-T
UT 804 Bench type digital multimetre kullanılmış ve güneş ışınım verileri
W/m2cinsinden kaydedilmiştir. Cihazın görünümü Şekil 2.3’deverilmiştir.
47
2.2.3. Solarimetre
Güneş ışınımı ölçümleri karakteristik özellikleri Tablo 2.4’de verilen KIMO CR100
Transmitter solarimetre ile gerçekleştirilmiştir. Ölçüm için sensör fotovoltaik panel ile
aynı eğime sahip bir düzlemde yerleştirilmiş ve panele gelen güneş ışınım değeri
ölçülmüştür. Cihazın görünümü Şekil 2.4’de verilmiştir.
2.2.4. Termometre
48
Şekil 2.5 TES 1307 Termometre
Fotovoltaik panel tarafından üretilen akım ve gerilim değerlerini kayıt edebilmek için
panel çıkışına taş dirençlerden oluşan yük grubu bağlanmıştır. Bu dirençler üzerinde
oluşacak ısının uzaklaştırılması için alüminyum soğutucular kullanılmıştır. Kullanılan
dirençler Şekil 2.6’da görülmektedir.
49
2.4. Diğer bileşenler
Deney setini oluşabilecek bir enerji kesintisi karşısında veri kaybına uğramasını
önlemek için UPSON MP1 1KVA kesintisiz güç kaynağı üzerinden sisteme
bağlanmıştır. Cihaz Şekil 2.7’de görülmektedir.
50
3. BULGULAR VE TARTIŞMA
Çalışma kapsamında elde edilen bulgular farklı panel yüzey sıcaklığı değerlerinde
panelden üretilen güçlerin analiz edilmesi ile gerçekleştirilecektir.
Çalışmada gerçekleştirilen fotovoltaik sistem için akım, gerilim, panel yüzey sıcaklığı
ve güneş radyasyonu değerleri ölçülmüştür. Sistemden 2 dakika ara ile alınan veriler
bilgisayar ortamına kaydedilmiştir. Bu bölümde ölçülen değerler ile ilgili olarak
çizdirilen eğriler verilmiş ve sistemin çalışmasının değerlendirmesi yapılmıştır.
13 Ağustos 2012 – 30 Nisan 2013 tarihleri arasında fotovoltaik panelin akım- gerilim
eğrilerinden hareketle maksimum güç değerleri kullanılarak panelden üretilebilecek DC
enerji değerleri hesaplanmıştır. Ayrıca panel yüzeyine gelen güneş enerjisi değerleri de
aynı günler için hesaplanarak panelin gün içerisindeki, güneş enerjisini elektrik
enerjisine çevrim verimi hesaplanmıştır.
DC enerji değerleri fotovoltaik panelin güç değerlerinin zaman aralığı dikkate alınarak
hesaplanmıştır. 18 Nisan 2013 günü güç değerlerinin zamana göre değişimi Şekil 3.1’de
verilmiştir.
Güç-Zaman Grafiği
45
40
35
Güç (Watt)
30
25
20
15
10
5
0
06:53:29
12:05:29
07:19:29
07:45:29
08:11:29
08:37:29
09:03:29
09:29:29
09:55:29
10:21:29
10:47:29
11:13:29
11:39:29
12:31:29
12:57:29
13:23:29
13:49:29
14:15:29
14:41:29
15:07:29
15:33:29
15:59:29
16:25:29
16:51:29
17:17:29
17:43:29
18:09:29
18:35:29
19:01:29
19:27:29
51
Şekil 3.1’de verilen güç - zaman değişiminden panelde üretilen güç denklem (3.1)
yardımıyla hesaplanmıştır.
∆E=P*∆t (3.1)
Örnek hesaplama:
∆t zaman farkı (2dk.) fotovoltaik panelin ∆t süresince ölçülmüş t1’de ölçülen güç
değerinde çalıştığı dikkate alınmıştır. 18/04/2013 günü saat 12:15 ile 12:17 arasında
panelde üretilen DC enerji hesabı;
t1=12:15
Bunun yanı sıra gelen güneş radyasyon değerleri de KIMO CR 100 Solarimetre ile
ölçülmüş ve bu ölçülen değerler panel alanı (0,304m2) ve zaman farkı ile çarpılarak
denklem (3.2)’deki gibi gelen güneş enerjisi değerleri hesaplanmış ve bu hesaplardan
aylık toplam gelen güneş enerjisi değerleri elde edilmiştir.
EGüneş=GGüneş*A*∆t (3.2)
t1=12:15
t2=12:17
A=0,304m2 GGüneş=%98,47
EGüneş=%98,47*0,304*0,033=12,84Wh
52
Panelde üretilen günlük toplam DC enerji değerlerinin, günlük toplam hesaplanan güneş
enerjisine oranından panel verimi hesaplanmıştır. Panelde üretilen toplam DC enerji
değerlerine sıcaklık değişimleri dahil edilerek günlük ve aylık olarak hesaplamalar
yapılmıştır.
Elde edilen ölçümlerden yola çıkarak hesaplanan fotovoltaik panel yüzeyine gelen
güneş enerjisinin 13 Ağustos 2012 – 30 Nisan 2013 tarihleri arasındaki değişimi Şekil
3.2’de verilmiştir. Aylık toplam güneş enerjisi 46.219,51Wh ile en yüksek Nisan ayında
ve 14.949,01Wh değeri ile en düşük Aralık ayında hesaplanmıştır.
Ancak Aralık ayında deney setinde yaşanan sorunlardan dolayı toplamda 5 gün veri
alınamamıştır. Bu yüzden grafiklerde Aralık ayı yerine buna en yakın sonuçların olduğu
Ocak ayı verileri kullanılmıştır.
Fotovoltaik panel yüzeyine gelen güneş enerjisi değerleri Tablo 3.1’de verilmiştir.
50000
Panele gelen güneş enerjisi(Wh)
45000
40000
35000
30000
25000
20000
15000
10000
5000
0
53
Tablo 3.1 Fotovoltaik Panel Yüzeyine Gelen Toplam Güneş Enerjisi Değerleri.
Fotovoltaik panel
Aylar yüzeyine gelen toplam
güneş enerjisi(Wh)
Ağustos(9 Günlük) 16.469,68
Eylül 25.499,15
Ekim 23.691,59
Kasım 23.668,00
Aralık 14.949,01
Ocak 19.224,32
Şubat 20.526,68
Mart 34.780,34
Nisan 46.219,51
Elde edilen ölçümlerden yola çıkarak fotovoltaik panel tarafından üretilen DC enerjinin
13 Ağustos 2012 – 30 Nisan 2013 tarihleri arasındaki değişimi Şekil 3.3’de verilmiştir.
Aylık üretilen toplam DC enerjinin en yüksek değeri 3.773,92Wh ile Nisan ayında,
1.258,84Wh değeri ile en düşük Ocak ayında kaydedilmiştir. Fotovoltaik panelde
üretilen DC enerji değerleri Tablo 3.2’de verilmiştir.
2500
2000
1500
1000
500
0
Ağustos(9 Eylül Ekim Kasım Aralık Ocak Şubat Mart Nisan
Günlük)
54
Tablo 3.2 Fotovoltaik Panelde Üretilen DC Enerji Değerleri.
Fotovoltaik panel
Aylar tarafından üretilen
enerji (Wh)
Ağustos(9 Günlük) 1.640,13
Eylül 2.414,13
Ekim 1.940,44
Kasım 1.822,64
Aralık 953,66
Ocak 1.258,84
Şubat 1.319,35
Mart 2.574,17
Nisan 3.773,92
250000
200000
Enerji(Wh)
150000
100000
50000
0
Üretilen Toplam Hesaplanan Toplam
Enerji Enerji
Şekil 3.413 Ağustos 2012 – 30 Nisan 2013 Tarihleri Arasındaki Toplam Enerji
Değerleri.
55
Fotovoltaik panelden elde edilen veriler neticesinde aylar bazında verimler Şekil 3.5’de
görülmektedir. Ortalama aylık panel verimi %4,59 ile %9,92 arasında değişmektedir.
Maksimum panel verimi %9,92değeri ile ağustos ayında, minimum panel verimi
%4,59ile ocak ayında gerçekleşmiştir.
Ancak Ağustos ayında sadece 9 gün veri alındığı için Nisan ayı verim değerleri dikkate
alınmıştır.
10
8
Verim(%)
Panel veriminin maksimum olduğu nisan ayında panelden alınan günlük verim 2Nisan
2013 tarihinde%9,91değeri ile en yüksek,16 Nisan 2013 tarihinde %1,01değeri ile en
düşük değerdedir. Nisan ayı günlük verim değerleri Şekil 3.6’da verilmiştir.
56
Nisan ayı günlük verim
12
10
8
Verim(%)
Panel veriminin minimum olduğu ocak ayında panelden alınan günlük verim 25 Ocak
2013 tarihinde %8,96değeri ile en yüksek, 11Ocak2013 tarihinde %0,30değeri ile en
düşük değerdedir. Ocak ayı günlük verim değerleri Şekil 3.7’de verilmiştir.
10
9
8
Verim(%)
7
6
5
4
3
2
1
0
13 Ağustos 2012 – 30 Nisan 2013 tarihleri arasında fotovoltaik panelin ürettiği aylık en
yüksek DC enerji değeri 3.773,92Wh olarak Nisan ayında hesaplanmıştır.
57
Nisan ayı için fotovoltaik panelde üretilen günlük enerji değerleri en yüksek 23 Nisan
2013 tarihinde 224,07Wh, en düşük 16 Nisan 2013 tarihinde 1,89Wh olarak
hesaplanmıştır.
Nisan ayı boyunca günlük üretilen DC enerji değerleri Şekil 3.8’de, panel yüzeyine
gelen güneş enerjisi ile üretilen DC enerji verilerinin kıyaslaması Şekil 3.9’da
verilmiştir.
250
200
Enerji(Wh)
150
100
50
3000
Günlük Üretilen Günlük Hesaplanan
2500 Enerji Enerji
2000
Enerji(Wh)
1500
1000
500
58
Şekil 3.9’a göre Nisan ayında fotovoltaik panelde üretilen enerji değerleri Tablo 3.3’de
verilmiştir. Fotovoltaik panelde üretilen enerji değerleri 1,89Wh - 224,07Wh aralığında
gerçekleşmiş ve en yüksek enerji değerine 224,07Wh ile 23 Nisan 2013 tarihinde
ulaşmıştır. Bu tarihte fotovoltaik panelin ortalama verimi % 11,132 olarak
hesaplanmıştır. Üretilen enerjinin 60,14Wh’ın altına düştüğü tarihlerde oluşan düşük
enerji üretim değerleri gün içi bulutlu hava dolayısıyla gölgelenme etkilerinden
kaynaklanmaktadır. Bu tarihlere ait ölçülen güneş radyasyonu değerleri Şekil 3.10’da
verilmiştir.
59
Güneş radyasyonu(%W/m2) Nisan ayı güneş radyasyonu değerleri
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
13 Ağustos 2012 – 30 Nisan 2013 tarihleri arasında fotovoltaik panelin ürettiği aylık en
düşük DC enerji değeri 1.258,84Wh olarak Ocak ayında hesaplanmıştır.
Ocak ayı için fotovoltaik panelde üretilen günlük enerji değerleri en yüksek 14 Ocak
2013tarihinde 112,47Wh, en düşük 11Ocak 2013 tarihinde 0,268Wh olarak
hesaplanmıştır.
Ocak ayı boyunca günlük üretilen DC enerji değerleri Şekil 3.11’de, panel yüzeyine
gelen güneş enerjisi ile üretilen DC enerji verilerinin kıyaslaması Şekil 3.12’de
verilmiştir.
60
Ocak Ayında Günlük ÜretilenEnerji
120
100
Enerji(Wh)
80
60
40
20
1600
Günlük Üretilen Günlük Hesaplanan
1400 Enerji Enerji
1200
1000
800
600
400
200
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
Şekil 3.12’ye göre Ocak ayında fotovoltaik panelde üretilen enerji değerleri Tablo
3.4’de verilmiştir. Fotovoltaik panelde üretilen enerji değerleri 0,268Wh - 112,47Wh
aralığında gerçekleşmiş ve en yüksek enerji değerine 112,47Wh ile 14 Ocak 2013
tarihinde ulaşmıştır. Bu gün için fotovoltaik panelin ortalama verimi %8,23 olarak
gerçekleşmiştir.
61
Günlük ve aylık toplam üretilen enerji değerlerinin göstermektedir ki bu ayda olumsuz
hava koşulları modül üzerinde etken olmuştur. Üretilen enerjinin 29,87Wh altına
düştüğü tarihlerde oluşan düşük enerji üretimi değerleri gün içi çok bulutlu hava
dolayısıyla gölgelenme etkilerinden kaynaklanabilmektedir. Bu tarihlere ait ölçülen
güneş radyasyonu değerleri Şekil 3.13’de verilmiştir.
62
Ocak ayı güneş radyasyonu değerleri
90
Güneş radyasyonu(%W/m2)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Sıcaklığın panel verimine etkisini daha iyi anlayabilmek için güç bileşenlerinin
sıcaklığa bağlı değerlerini aşağıda verilen formülleri kullanarak tespit edip, bulunan bu
değerler ile ölçülen değerler arasındaki bağıntı ortaya konulmuştur. Panel çıkış gücünün
panel yüzey sıcaklığına bağlı değeri denklem (3.3), Açık devre geriliminin panel yüzey
sıcaklığına bağlı değeri denklem (3.4) ve Kısa devre akımının panel yüzey sıcaklığına
bağlı değeri denklem (3.5) kullanılarak hesaplanmış ve bulunan değerler Tablo 3.5’de
verilmiştir. Denklemlerde kullanılan γpm, βVoc ve αIsc katsayıları üretici firma
tarafından belirlenen güç, gerilim ve akım değerlerinin sıcaklık ile değişimini veren
değerler olup sırasıyla -0,34(%/°C), -0,45(%/°C), 0,05(%/°C) olarak verilmiştir.
63
Voc=Açık devre gerilimi
64
Tablo 3.5 Panel Yüzey Sıcaklığı Değerlerine Göre Hesaplanan ve Ölçülen Datalar.
65
13 Ağustos 2012 – 30 Nisan 2013 tarihleri arasında panel yüzey sıcaklığı -40C - 450C
aralığında değişen değerler almıştır. Tablo 3.5’de panel yüzey sıcaklık değerine bağlı
olarak hesaplanan veriler ile hesaplana sıcaklık değerinde panelden alınan güç değerleri
verilmiştir. Veriler dikkatle incelendiğinde panel yüzey sıcaklığı standart ölçüm
sıcaklığı olan 250C olduğunda panelden ölçülen kısa devre akımı, açık devre gerilimi ve
çıkış gücü değerleri panelin standart test koşullarındaki değerlerine eşit olmaktadır.
Panel yüzey sıcaklığının 250C nin altına düştüğü değerlerde açık devre gerilimi
artmakta, kısa devre akımı azalmaktadır. -40C ölçülen açık devre gerilimi değeri
250C’de ölçülen değerden 1,099 oranında daha büyük iken -40C ölçülen kısa devre
akımı değeri 250C’de ölçülen değerden 0,986 oranında daha küçüktür. Gerilimdeki artış
oranına göre akımdaki azalma miktarının küçük olması nedeniyle panel çıkış gücü
artmaktadır. Benzer şekilde panel yüzey sıcaklığının 250C’nin üzerine çıktığı değerlerde
açık devre gerilimi azalmakta, kısa devre akımı artmaktadır. 450C ölçülen açık devre
gerilim değeri 250C’de ölçülen değerden 0,932 oranında daha küçük iken 450C ölçülen
kısa devre akımı değeri 250C’de ölçülen değerden 1,0098 oranında daha büyüktür. Kısa
devre akımındaki artışın açık devre geriliminde meydana getirdiği azalma panel çıkış
gücünü azaltmaktadır. Panel çıkış gücü -0,34(%/0C)’lik sıcaklıkla değişim katsayısına
sahip olduğu için, sıcaklıktaki her 10C’lik artışta % 0,34 daha az güç üretmektedir. Aynı
şekilde açık devre geriliminin sıcaklıkla değişim katsayısı -0,45(%/0C) olduğu için,
sıcaklıktaki her 10C’lik artışta % 0,45 daha az gerilim üretmektedir. Benzer şekilde kısa
devre akımının sıcaklıkla değişim katsayısı 0,05(%/0C) olduğu için, sıcaklıktaki her
10C’lik artışta % 0,05 daha fazla akım üretmektedir. Tablo 3.5’den çıkarılacak sonuç her
10C’lik sıcaklık artışında panelden üretilen gerilim değeri azalmakta, akım değeri ise
artmaktadır. Gerilimdeki azalmanın fazla olması nedeniyle panel çıkış gücü ve
dolayısıyla da panel verimi azalmaktadır. Fotovoltaik paneller 250C’nin altındaki
sıcaklıklarda yüksek verim ile çalışabilmektedir.
66
Tablo 3.6 Panel Yüzey Sıcaklığı Değerlerine Göre Ölçülen Veriler.
67
Tablo 3.5’de hesaplanan güç verilerinin deneyden aldığımız güç verileriyle kıyaslaması
yapılmış, ölçtüğümüz güç değerlerine ait detaylı veriler Tablo 3.6’da verilmiştir.
Aynı sıcaklık değerlerinde ölçülen güç verileri 250C’nin üstündeki sıcaklıklarda güneş
radyasyon değerinin %50’nin üzerinde olduğu öğle saatlerinde kaydedilmiştir.
Hesaplanan güç değeri ile panelden alınan güç değerleri arasında oluşan farkın nedeni
hesaplanan değerlerde meteorolojik koşulların etkileri dikkate alınmadığından akım
veya gerilimdeki değişmeye göre panelin çıkış gücü değişmektedir. Çıkış gücü üzerinde
sıcaklık dışında bir parametrenin etkisi söz konusu değildir. Oysaki deneyden alınan
verilerde panel yüzey sıcaklığının yanında, güneş radyasyonu, nem, panel yüzeyinin
tozlanarak gölgelenme etkisinin oluşması gibi birçok parametre etkili olmaktadır.
Hesaplanan verilerde panel yüzey sıcaklığının 250C’nin altına inerek çıkış gücünün
arttığı sıcaklık değerlerinde, deneyden aldığımız güç değerleri farklılık göstermektedir.
Çünkü sıcaklık değerinin özellikle 150C’nin altına düştüğü günlerin kış aylarına denk
gelmesi nedeniyle güneş radyasyon değerleri bazı saatlerde %50’nin üzerinde bir değere
ulaşmış olsa bile genel olarak %20’nin altındaki değerlerde seyretmekte yoğun bulutlu,
yağmurlu ve kar yağışlı günlerin panel üzerinde oluşturduğu olumsuz etkiler nedeniyle
çıkış gücü hesaplanan değerden farklı olmaktadır.
Nisan ayı fotovoltaik panelden en yüksek verimin alındığı aydır. Nisan ayında anlık
verimin yüksek olduğu bazı veriler seçilmiş ve Tablo 3.5’de hesaplanan veriler ile
mukayesesi yapılmıştır. 18 Nisan 2013, 23Nisan2013 ve 28Nisan2013 tarihlerinde
güneş radyasyon değerinin maksimum olduğu öğle saatlerinde panelden alınan veriler
tablolar halinde verilmiştir.
Panel Güneş
Yüzey Radyasyo
Tarih Saat Gerilim(V) Akım(A) Güç(Watt) Verim(%)
Sıcaklığı nu
(0C) (%W/m2)
18.04.2013 12:17:29 15,60 2,53 39,46 23,20 96,11 10,35
Hesaplanan Değerler 19,61 2,74 40,36 23,00 100
68
Tablo 3.818 Nisan 2013 Tarihine Ait Ölçülen ve Hesaplanan Datalar(2).
Panel
Yüzey Güneş
Tarih Saat Gerilim(V) Akım(A) Güç(Watt) Verim(%)
Sıcaklığı Radyasyonu(%W/m2)
(0C)
18.04.2013 12:19:29 15,05 2,49 38,59 23,80 90,30 10,78
Hesaplanan Değerler 19,54 2,74 40,18 24.00 100
Tablo 3.923Nisan2013 Tarihine Ait Ölçülen ve Hesaplanan Datalar(1).
Panel
Yüzey Güneş
Tarih Saat Gerilim(V) Akım(A) Güç(Watt) Verim(%)
Sıcaklığı Radyasyonu(%W/m2)
(0C)
23.04.2013 13:15:29 14,50 2,35 34,07 31,60 81,06 10,60
Hesaplanan Değerler 19,01 2,75 38,74 32,00 100
Tablo 3.1023Nisan2013 Tarihine Ait Ölçülen ve Hesaplanan Datalar(2).
Panel
Yüzey Güneş
Tarih Saat Gerilim(V) Akım(A) Güç(Watt) Verim(%)
Sıcaklığı Radyasyonu(%W/m2)
(0C)
23.04.2013 13:23:29 14,60 2,38 34,74 33,80 80,88 10,83
Hesaplanan Değerler 18,88 2,76 38,38 34,00 100
Tablo 3.1128 Nisan 2013tarihine Ait Ölçülen ve Hesaplanan Datalar.
Panel
Güneş
Yüzey
Tarih Saat Gerilim(V) Akım(A) Güç(Watt) Radyasyonu Verim(%)
Sıcaklığı
(%W/m2)
(0C)
28.04.2013 14:50:37 13,60 2,19 29,78 37,50 78,83 9,53
Hesaplanan Değerler 18,61 2,76 37,66 38,00 100
Panel yüzey sıcaklık değerinin yaklaşık eşit (23,20 - 23,00 )0C olduğu 18 Nisan 2013
tarihine ait ölçülen veriler için güneş radyasyonu değeri 961.1W/m2, hesaplanan veriler
için 1000W/m2değerindedir.
Panel yüzey sıcaklıkları eşit kabul edildiği durumda panelden alınan veriler ile
hesaplanan veriler arasında fark olmasının sebebi diğer dış faktörler sıfır kabul
edildiğinde, ölçüm yapılan güneş radyasyonu değerinin hesap için kullanılan güneş
radyasyonu değerinden farklı olmasından kaynaklanmaktadır.
Tablo 3.7’ ye göre 1000W/m2 güneş radyasyonu değerinde hesap edilen akım değeri ile
961.1W/m2 güneş radyasyonu değerinde ölçülen akım değerleri arasında 0,21A, gerilim
değerleri arasında 4,01V, güç değerleri arasında 0,89W fark bulunmaktadır.
Tablo 3.8’e göre panel yüzey sıcaklık değerinin yaklaşık eşit (23,80 - 24,00 )0C olduğu
18 Nisan 2013tarihine ait ölçülen veriler için güneş radyasyonu değeri 903 W/m2,
69
hesaplanan veriler için 1000W/m2değerindedir. Güneş radyasyonu değerlerindeki
%9,7’lik fark nedeniyle hesaplanan ve ölçülen değerler arasında, akım değerlerinde
0,25A, gerilim değerlerinde 4,49V, güç değerlerinde 1,58W fark bulunmaktadır.
Tablo 3.9’a göre panel yüzey sıcaklık değerinin yaklaşık eşit (31,60 - 32,00 )0C olduğu
23 Nisan 2013 tarihine ait ölçülen veriler için güneş radyasyonu değeri 810,6W/m2,
hesaplanan veriler için 1000 W/m2değerindedir. Güneş radyasyonu
değerlerindeki%18,94’lük fark nedeniyle hesaplanan ve ölçülen değerler arasında, akım
değerlerinde 0,40A, gerilim değerlerinde 4,51V, güç değerlerinde 4,66W fark
bulunmaktadır.
Tablo 3.10’a göre panel yüzey sıcaklık değerinin yaklaşık eşit (33,80 - 34,00 )0C olduğu
23 Nisan 2013 tarihine ait ölçülen veriler için güneş radyasyonu değeri 808,8W/m2,
hesaplanan veriler için 1000 W/m2değerindedir. Güneş radyasyonu değerlerindeki
%19,12’lik fark nedeniyle hesaplanan ve ölçülen değerler arasında, akım değerlerinde
0,38A, gerilim değerlerinde 4,28V, güç değerlerinde 4,06W fark bulunmaktadır.
Tablo 3.11’e göre panel yüzey sıcaklık değerinin yaklaşık eşit (37,50 - 38,00 )0C olduğu
28 Nisan 2013 tarihine ait ölçülen veriler için güneş radyasyonu değeri 788,3W/m2,
hesaplanan veriler için 1000 W/m2değerindedir. Güneş radyasyonu değerlerindeki
%21,17’lik fark nedeniyle hesaplanan ve ölçülen değerler arasında, akım değerlerinde
0,57A, gerilim değerlerinde 5,01V, güç değerlerinde 7,87W fark bulunmaktadır.
Nisan ayı için yukarıda tablolar halinde verilen günlerde panel yüzey sıcaklığına bağlı
olarak fotovoltaik panelden alınan verilerin hesaplanan Akım, Gerilim ve Güç değerleri
ile karşılaştırmaları yapılmıştır. Elde edilen sonuçlara göre güney yönünde
konumlandırılmış olan panelin yüzeyine gelen güneş radyasyonu değerinin artışına
bağlı olarak akım değeri artmakta, güneş radyasyon değerinin artışına paralel olarak
panel yüzey sıcaklığının da artmasıyla gerilim değeri azalmaktadır. Gerilim değerindeki
azalmanın fazla olması nedeniyle panelin çıkış gücü düşmekte ve bu durum verim
kaybına neden olmaktadır.
70
Panel yüzey sıcaklık değerinin düşük olduğu(23,200C) 18 Nisan 2013tarihinde panelden
üretilen güç, panel yüzey sıcaklık değerinin yüksek olduğu(33,800C - 37,500C) 23 Nisan
2013ve 28 Nisan 2013tarihlerinde üretilen güç değerlerinden sırasıyla %13,59 ve
%32,52 oranında fazladır. Buradan açıkça görülmektedir ki panel yüzey sıcaklığında
meydana gelen artış panel çıkış gücünü ve güce bağlı olarak ta verimi düşürmektedir.
Fotovoltaik panellerin verimine panel yüzey sıcaklığı etkisinin incelenmesi için kurulan
deney düzeneğinden kayıt cihazları yardımıyla her 2 dakikada bir olmak üzere günlük
veriler toplanmıştır. Bu veriler 24 saat boyunca kayıt altına alınmıştır. Elde edilen
veriler günlük Excel dosyaları olarak bilgisayar ortamına kayıt edilmiştir.
Sistemin faaliyete geçtiği 13 Ağustos 2012 tarihinden 30 Nisan 2013 tarihine kadar
yapılan kayıtlar arasından seçilen bazı günlük değerler sırasıyla aşağıda
değerlendirilmiştir.
Panel yüzey sıcaklığı değerinin 250C’nin üzerinde olduğu mart ve eylül aylarında
hesaplanan deklinasyon açısına göre güneşin fotovoltaik panel üzerinde aynı
pozisyonda olması ve bu aylarda güneş ışınımının ölçüm yapılan diğer aylara göre daha
dik açı ile panel yüzeyine gelmesi nedeniyle mart ve eylül aylarında, alınan veriler ile
hesaplanan değerler birbirilerine daha yakın sonuçlar vermektedir.
71
Aynı sıcaklık değerleri için yapılan hesaplamalarda 35,50C de 38,48W ve 28,50C de
39,18W değerleri bulunmuştur. Buradaki güç artışıda 0,69W olarak hesaplanmıştır.
72
Aynı sıcaklık değerleri için yapılan hesaplamalarda 39,700C de 37,30W ve 36,200C de
38,02W değerleri bulunmuştur. Buradaki güç artışı da 1,72Wolarak hesaplanmıştır.
Aynı sıcaklık değerleri için yapılan hesaplamalarda 370C de 37,84W ve 260C de 39,82W
değerleri bulunmuştur. Buradaki güç artışı da 1,98W olarak hesaplanmıştır.
73
yüzey sıcaklık değeri 37,100C de 29,56W güç alınırken 30,800C de 32,43W güç
alınabilmiştir. Yüzey sıcaklığındaki 6,30C fark sonucunda 2,86W güç artışı görülmüştür.
Aynı sıcaklık değerleri için yapılan hesaplamalarda 370C de 37,84W ve 320C de 38,74W
değerleri bulunmuştur. Buradaki güç artışı da 0,9W olarak hesaplanmıştır.
74
Tablo 3.21’e göre sonuçlar analiz edildiğinde 27 Eylül 2012 ve 30 Mart 2013
tarihlerinde güneş radyasyonu değerleri yaklaşık eşit(%44,82 - %44,05) iken panel
yüzey sıcaklık değeri 37,000C de 21,31W güç alınırken 35,200C de 27,85W güç
alınabilmiştir. Yüzey sıcaklığındaki 1,80C fark sonucunda 6,53W güç artışı görülmüştür.
Kurulan deney setinden 2dakika ara ile alınan veriler bilgisayar ortamında excel dosyası
olarak kaydedilmiştir. Veri kaydı alınan süre boyunca panel yüzeyine gelen güneş
enerjisi değerleri ve panel tarafından üretilebilecek DC enerji değerleri hesaplanmış ve
tablolar halinde verilmiştir. Alınan güneş radyasyonu değerlerinden hesaplanan panel
yüzeyine gelen güneş enerjisi verileri ve panelde üretilen DC enerji değerleri ayrıca
grafik olarak da verilmiştir. Panel yüzeyine gelen güneş enerjisi değeri nisan ayında en
yüksek, ocak ayında en düşük değerdedir çünkü ocak ayında ölçülen güneş radyasyonu
değeri %60(600W/m2) altında değerler almıştır. Panelde üretilen DC enerji değerleri
içinde en yüksek enerji değeri nisan ayında en düşük enerji değeri ocak ayında
ölçülmüştür. 13 Ağustos - 30 Nisan tarihleri arasında üretilen DC enerji 1500Wh
üzerinde değerler alırken Aralık, Ocak ve Şubat aylarında çok bulutlu, yağmurlu ve kar
yağışlı günlerin olması nedeniyle 1500Wh değerinin altında veriler ölçülmüştür.
Fotovoltaik panelden üretilen toplam DC enerji değerinin, panel yüzeyine gelen toplam
75
güneş enerjisine oranından panel verimi hesaplanmıştır. Aylık ortalama panel verimi
%4,59 ile en düşük ocak ayında %9,91 ile en yüksek nisan ayında elde edilmiştir.
Hesaplanan verim değerleri grafik olarak verilmiştir. Panel veriminin maksimum
olduğu nisan ayında günlük hesaplanan verim değerleri %1,01 ile %9,91aralığında
değişen değerler almış ve günlük hesaplanan verimler grafik olarak verilmiştir.
Panel veriminin minimum olduğu ocak ayı içinde günlük hesaplanan verim değerleri
%0,30 ile %8,96aralığında değişen değerler almış ve günlük hesaplanan verim değerleri
grafik olarak verilmiştir.
76
ve aynı sıcaklık değerinde deneyden aldığımız veriler ile kıyaslanmıştır. Termometre
tarafından ölçülen panel yüzey sıcaklık değeri -40C ile +450C aralığındaki her sıcaklık
değeri için hesaplanan akım, gerilim ve güç değerleri ile aynı sıcaklık değerinde
panelden alınan güç değerleri tablo halinde verilmiştir.
Panel yüzey sıcaklığı 250C, güneş radyasyon değeri %98(980W/m2) değerinde panelde
ölçülen güç değerleri ile hesaplanan değerler panel özelliklerinde verilen değerlere
eşittir.
Panel yüzey sıcaklığı 250C’nin altına düştüğü sıcaklık değerlerinde açık devre gerilimi
artmakta kısa devre akımı azalmaktadır. Gerilimdeki artışa oranla akımdaki azalma
miktarı küçük değerlerde olduğu için panel çıkış gücü artmaktadır.
Panel yüzey sıcaklığı 250C’nin üzerine çıktığı değerlerde açık devre gerilimi azalmakta
kısa devre akımı artmaktadır. Kısa devre akımındaki artışın açık devre geriliminde
meydana getirdiği azalma panel çıkış gücünü azaltmaktadır.
Nisan ayında verim değerlerinin yüksek olduğu bazı veriler ele alınmış ve hesaplaması
yapılan datalar ile mukayese edilmiştir. Panel yüzey sıcaklıkları eşit kabul edilen
verilerde panelden alınan veriler ile hesaplanan veriler arasında oluşan fark güneş
radyasyon değerlerinin farklı değerlerde olmasından ileri gelmektedir.
Panel yüzey sıcaklığı değerinin 250C’nin üzerinde olduğu mart ve eylül aylarında
hesaplanan deklinasyon açısına göre güneşin fotovoltaik panel üzerinde aynı
77
pozisyonda olması ve bu aylarda güneş ışınımının ölçüm yapılan diğer aylara göre daha
dik açı ile panel yüzeyine gelmesi nedeniyle mart ve eylül aylarında, alınan veriler
karşılaştırılmış ve aynı sıcaklık değerinde hesaplanması yapılan datalar ile
kıyaslanmıştır.
Yapılan karşılaştırmalara göre aynı güneş radyasyonu değerine sahip mart ayında
ölçülen panel yüzey sıcaklığı eylül ayında ölçülen yüzey sıcaklığından daha düşük
değerdedir. Panel yüzey sıcaklığının etkisiyle sıcaklık değeri yüksek olan eylül ayında
üretilen güç miktarı, yüzey sıcaklık değeri daha düşük olan mart ayında üretilen güç
miktarına göre daha düşük değerlerdedir.
78
4. SONUÇLAR
Fotovoltaik panelden üretilen toplam DC enerji ile panel yüzeyine gelen güneş
radyasyonu değerine göre hesaplanan toplam güneş enerjisi değerleri mart ve nisan
aylarında diğer ölçüm yapılan aylara göre daha yüksek olduğu belirlenmiştir.
Panelden üretilen güç değerlerine göre panelden en yüksek verim nisan ayında en düşük
verim ocak ayında alınmıştır.
Panel çıkış gücünün yüzey sıcaklığı ile değişimleri akım, gerilim ve güç değerlerinin
sıcaklıkla değişim katsayıları kullanılarak hesaplanmış ve hesaplama sonucunda elde
edilen sonuçlar ile deneyden alınan veriler kıyaslanmıştır.
Aynı panel yüzey sıcaklığında hesaplanan sonuçlar ile deneyden alınan veriler arasında
oluşan fark güneş radyasyon değerinin değişiminden kaynaklanmaktadır. Güneş
radyasyonundan kaynaklanan bu fark değer panelden üretilen gerilim değerinde
azalmaya neden olmaktadır. Gerilim değerinde meydana gelen azalma sonucunda panel
çıkış gücü azalmaktadır.
Deklinasyon açısı değerine göre güneşin panel üzerindeki konumu mart (00-23.450) ve
eylül (23.450-00) aylarında aynı pozisyonda olduğu için güneş ışınları mart ve eylül
ayında ölçüm yapılan diğer aylara göre daha dik açı ile panel yüzeyine gelmektedir. Bu
nedenle bu aylarda alınan panel verileri karşılaştırılmıştır. Mart ve eylül aylarında aynı
güneş radyasyonu değerinde alınan sonuçlara göre panel yüzey sıcaklığının yüksek
79
olduğu eylül ayında üretilen güç mart ayında üretilen güç değerinden daha düşük
olduğu tespit edilmiştir.
Fotovoltaik paneller standart test koşulları sayılan 250C sıcaklık, 1000W/m2 güneş
radyasyonu 1,5 AM ortamında test edilmektedir. Bu ortam verilerine göre panellerin
verimleri hesaplanmaktadır. Panelin yüzeyine güneş ışınımı düştüğünde elektrik üretimi
başlar, ancak standart test koşulları dışındaki çalışma ortamında güneşten gelen
enerjinin bir kısmı elektrik enerjisine dönüşürken bir kısmı da ısı enerjisine
dönüşmektedir. Bu olay panel yüzeyinin ısınmasına neden olmaktadır. Panel yüzeyinin
ısınması ile kısa devre akım değeri artarken açık devre gerilim değeri düşer.
Gerilimdeki düşüşün fazla olması nedeniyle çıkış gücünde de düşüş olur ve bu verim
kaybına neden olur. Bu sonuçlar ışığında, fotovoltaik panelden elde edilen çıkış
gücünün, artan hücre sıcaklığıyla dikkate değer biçimde azaldığı görülmektedir. Bu
yüzden gerçek işletme koşullarında fotovoltaik panelin soğutma sistemleriyle birlikte
kullanılması verim artışını sağlayacaktır.
80
KAYNAKLAR
81
[11] Duffie, J.A.,Beckman, W.A., (1991), Solar Engineering of Thermal Processes, Second
Edition, John Wiley&Sons,Newyork.
[12] Ültanır, M.Ö., (1996), 21yy. Eşiğinde Güneş Enerjisi. Bilim ve Teknik,(340),50-55.
[13] Oktik, Ş.,Tozlu, C., Eke, R., Eltez, M., Cetin, A.,(2005). Güneş Enerjisi ve Muğla
Üniversitesi Temiz Enerji Kaynakları Araştırma Geliştirme Merkezi Uygulamaları. 24.
Enerji Verimliliği Haftası Etkinlikleri, 17-18 Şubat 2005 Ankara.
[14] Boyle G.,(1996). Renewable Energy, Powerfor a Sustainable Future, 1sted.,The Open
University Pres, New York.
[15] Yenilenebilir Enerji Genel Müdürlüğü,
http://www.eie.gov.tr/eie-web/turkce/YEK/gunes/gunes.html,12.11.2012.
[16] Dunlop,J.,(2003). Study guide for photovoltaic system installers and sample
examination questions. NABCEP, ABD.
[17] Iqbal M.,(1983). An introduction to Solar Radiation, 5596615, xviii, Academic Press,
United States.
[18] Beyoğlu, M.F.,(2001) Balıkesir İlinde Çift Eksenli Güneş Takip Sistemi İle Sabit
Eksenli PV Sistemin Verimlerinin Karşılaştırılması. Yüksek Lisans Tezi, Balıkesir
Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Balıkesir,Türkiye,13.
[19] Batman, M. A.(2001) Elektrik Üretimi İçin Güneş Pillerinin Kullanımında Verimi
Arttırıcı Yeni Bir Yöntem. Yüksek Lisans Tezi, İstanbul Teknik Üniversitesi Fen
Bilimleri Enstitüsü, İstanbul, Türkiye ,8-9.
[20] Rüther R.,Klesis G., 1996. Advantages of thin Film Solar Modules in Facade, Sound
Barrier and Roof-Mounted PV sytems, Eurosun’96.
[21] Ertaş,E.(2011) PV Sistemlerin Teorik ve Dizayn Parametrelerinin Optimizasyonu.
Yüksek Lisans Tezi, Yıldız Teknik Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, İstanbul,
Türkiye, 3.
[22] Myers, D.R.,Emery, K.E.,(2002). Terrestrial solar spectral modeling tools and
applications for photovoltaic devices, 29th IEEE PV Specialists Conference, New
Orleans, Louisiana.
[23] Anonim. 1983. Türkiye güneş enerjisi potansiyeli - zamansal ve alansal dağılımı.
DMİ, (Eiei.Gd. 83-29), 83 s., Ankara.
82
[24] Alnaser, W.E.,Eliagoubi, B., Al-Kalak, A., Trabelsi, H., Al-Maalej, M., El-Sayed,
H.M., Alloush, M.,(2004). First solar radiation atlas for the Arab world. Renewable
Energy 29, 2004 Isa Town.
[25] Yenilenebilir Enerji Genel Müdürlüğü,
http://www.yegm.gov.tr/MyCalculator/Default.aspx, 12.11.2012.
[26] Varınca, K.B., Gönüllü, M.T.,(2006). Türkiye’de Güneş enerjisi potansiyeli ve
Potansiyelin Kullanım Derecesi, Yönetimi ve Yaygınlığı Üzerine bir Araştırma. I.
Ulusal Güneş ve Hidrojen Enerjisi Kongresi, 21-23 Haziran 2006 Eskişehir.
[27] Dünya Enerji Konseyi Türk Milli Komitesi(2009): Türkiye Enerji Raporu 2009. 1301-
6318, ANKARA. (www.dektmk.org.tr/upresimler/enerji_raporu_2009.pdf.).
[28] Boyle, G.,(2004) Renewableenergy: Powerfor a sustainable future,1sted., Oxford
University Pres, New York.
[29] Stark, T.,Lutz, H.-P., Schneider, H., Schneider, S., (2005). Architektonische
Integration von Photovoltaik-Anlagen. PfitzerDruckGmbH, Renningen.
[http://www.wm.badenwuerttemberg.de/fm/1106/Architektonische%20Integration%20P
V_Anlagen.pdf].
[30] Özgöçmen, A., (2007) Güneş Pilleri Kullanarak Elektrik Üretimi. Yüksek Lisans Tezi,
Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara, Türkiye,10.
[31] Archer, M.D., Hill, R., (2001). Clean electricity from photovoltaics(Series on Photo
conversion of Solar Energy, Volume 1), Imperial College Press, London.
[32] Chapin D. M., Fuller C.S., Pearson, G.O. 1954. A new silicon p-n junction photocell
for converting solar radiation into electrical power. J. Appl. Phys. 25 : 676-677.
[33] Spectrolab, (2006). Boeing Spectrolab terrestrial solar cell surpasses 40 percent
efficiency, St. Louis, MO, 6 Aralık 2006.
[34] US Department of Energyhttp://www1.eere.energy.gov/solar/pdfs/solar_timeline.pdf ,
12.11.2012.
[35] Güçlü, S.(2009)Dumlupınar Üniversitesi Merkez Kampüs Çevre Aydınlatma Elektrik
Enerjisinin; Güneş Enerjisi İle Sağlanması. Yüksek Lisans Tezi, Dumlupınar
Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Kütahya, Türkiye, 12.
[36] Yenilenebilir Enerji Genel Müdürlüğü,
http://www.eie.gov.tr/eie-web/turkce/YEK/gunes/gunes pv.html,13.11.2012.
83
[37] Yenilenebilir Enerji Genel Müdürlüğü,
http://www.eie.gov.tr/eie-web/turkce/YEK/gunes/pvilke.html, 13.11.2012.
[38] The German Solar Enegy Society,2005. Planning and Installing Photovoltaic
Systems: A Guide For Insallers, Architects and Engineers, UK and USA. s. 1-5..
[39] Korkmaz, A.,(2001)Güneş Enerjisinden Direk Elektrik Üretimi. Yüksek Lisans Tezi,
Yıldız Teknik Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü,İstanbul,Türkiye,66.
[40] Keçel, S.,(2007)Türkiye’nin Değişik Bölgelerinde Evsel Elektrik İhtiyacının Güneş
Panelleri ile Karşılanmasına Yönelik Model Geliştirilmesi. Yüksek Lisans Tezi, Gazi
Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara, Türkiye,35-39.
[41] Çolak, Ş.Ç.,(2010)Fotovoltaik Paneller Yardımı ile Güneş Enerjisinden Elektrik
Enerjisi Üretiminin Maliyet Analizi ve Gelecekteki Projeksiyonu. Yüksek Lisans Tezi,
Yıldız Teknik Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, İstanbul, Türkiye,24-29.
[42] Goetzberger, A.,Hoffmann, V. U., (2005). Photovoltaic Solar Energy Generation,
0342-4111, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, Germany.
[43] Çalıkoğlu S., (2010) Şebeke Bağlantılı Fotovoltaik Güç Sistemleri İle Elektrik
Üretimi. Yüksek Lisans Tezi, Kocaeli Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Kocaeli,
Türkiye, 106s.
[44] Messenger, R.A.,Ventre, J.,(2005). Photovoltaic Systems Engineering, 0-8493-1793-
2, Second Edition, CRC Press LLC, Boca Raton London New York Washington, D.C.
[45] Şen,H.,(2010).Temiz Dünya Rehberi-Güneş Enerjisi, 1.Baskı, Temiz Dünya Ekoloji
Derneği,İstanbul.
[46] Gilbert, M. M., (2004). Renewable and Efficient Electric Power Systems, John
Wiley&SonsInc., USA.
[47] Katan, R.E., Agelidis V.G., Nayar C.V., (1996). Performans Analysis of A Solar
Water Pumping System. IEEE, 1, 81-87.
[48] Patel M.R., (1999). Wind and Solar Power Systems, CRC Press LLC, United States of
America.
[49] Xiao, W.,Dunford, W. G., Palmer, P. R., Capel, A., (2007). Regulation of Photovoltaic
Voltage. IEEE, 54, (3), 1365-1374.
[50] Imhoff, J.,Rodrigues, F.G., Pinheiro, J.R., Hey, H.L., (1992). A Stand Alone
Photovoltaic System Based On Dc-Dc Convertors In A Multi String Configuration.
Power Electronics And Control Research Group, 1-10.
84
[51] Çetinkaya, H.B., (2001) Güneş Enerjisinden Elektrik Elde Edilmesi. Yüksek Lisans
Tezi, Kocaeli Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Kocaeli, Türkiye, 154s.
[52] Küpeli, A.Ö., (2005) Güneş pilleri ve verimleri. Yüksek Lisans Tezi, Osmangazi
Üniversitesi Fen bilimleri Enstitüsü, Eskişehir, Türkiye, 99-110.
[53] Köse, S., (1986) Yarıiletken Güneş Pilleri ve Verimlilikleri. Yüksek Lisans Tezi,
Anadolu Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Eskişehir, Türkiye, 78s.
[54] Tercan, M.B., (2000) Güneş Pili Karakterizasyon Yöntemleri. Yüksek Lisans Tezi,
Hacettepe Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara, Türkiye, 129s.
[55] Engin R., (1995) Güneş Pilleri, Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Fakültesi Fizik
Bölümü Yayınları No:3, 151s.
[56] Demirci, F.,(1996) Fotovoltaik Güneş Pillerinin Çalışmasını Etkileyen Dış Faktörlerin
İncelenmesi. Yüksek Lisans Tezi, Sakarya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü,
Sakarya, Türkiye, 58s.
[57] Grozdev, M., (2010) Alternatif Enerji Kaynakları: Güneş Enerjisi ve Güneş Pilleri.
Yüksek Lisans Tezi, İstanbul Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, İstanbul, Türkiye,
31-39.
[58] Yüksel, Ö. F., (1990) p-n Eklem Güneş Pillerinin Verim Parametreleri ve Bunları
Ölçme Yöntemi. Yüksek Lisan Tezi, Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü,
İstanbul, Türkiye, 65s.
[59] Çabuk, S., (1992) İnce Film SNO2/CuO2 Güneş Pilleri. Yüksek Lisans Tezi,
Çukurova Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Adana,Türkiye, 46s.
[60] International Energy Agency, “Photovoltaic Power Systems Programme, Annual
Report 2008”, IEA, 77, 84, 94, 95, 103, 105, (2008).
[61] Şenpınar A.,(2006) Bağımsız Güneş Pili Sistemlerinin Bilgisayar ile Kontrolü.
Doktora Tezi, Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Elazığ, Türkiye, 36-41.
[62] Gökdağ, M., (2011) Karabük ve Civarı için Güneş Enerjisi Ölçümleri ve Spektrum
Analizleri için Sistem ve Yöntem Tasarımı. Yüksek Lisans Tezi, Karabük Üniversitesi
Fen Bilimleri Enstitüsü, Karabük, Türkiye, 9s.
85
ÖZGEÇMİŞ
E-Posta :muhbilgin@gmail.com
Öğrenim Durumu
İş Deneyimi