Tranzystor polowy cd.

Tranzystor polowy
Elektrody (końcówki) tranzystorów polowych to:

➢ Źródło (Source), oznaczone literą S, jest elektrodą, z której wypływają

nośniki ładunku do kanału.
➢ Dren (Drain), oznaczony literą D, jest elektrodą, do której wpływają
(„ściekają”) z kanału nośniki ładunku. Prąd drenu – ID, napięcie dren-źródło –
UDS.
➢ Bramka (Gate), oznaczona literą G, jest elektrodą sterującą przepływem
ładunków w kanale. Napięcie bramka–źródło – UGS. Prąd bramki (stały)
praktycznie nie płynie (=0)

Obowiązuje reguła:
Źródło i dren tranzystora polowego powinny być spolaryzowane napięciem UDS w
taki sposób, aby umożliwić przepływ nośników większościowych przez kanał w
kierunku od źródła do drenu.
• W tranzystorze z kanałem typu „p” od źródła do drenu przepływają dziury,
• W tranzystorze z kanałem typu „n” od źródła do drenu przepływają elektrony.
Typy tranzystorów polowych
Istnieją dwa rodzaje tranzystorów polowych: tranzystor polowy złączowy (JFET) i
tranzystor polowy z izolowaną bramką (IGFET), który jest szerzej znany jako MOSFET.
FET - tranzystor polowy (Field Effect Transistor)
JFET - tranzystor polowy złączowy (Junction Field Effect Transistor)
PNFET - tranzystor polowy ze złączem p-n
MESFET - tranzystor polowy ze złączem Schottky’ego
(MEtal Semiconductor Field Effect Transistor)
IGFET - tranzystor polowy z izolowaną bramką (Insulated Gate Field
Effect Transistor)
MISFET - tranzystor polowy z izolowaną bramką (Metal Insulator
Semiconductor Field Effect Transistor)
MOSFET - tranzystor polowy z izolowaną bramką, izolatorem jest
dwutlenek krzemu (Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor)
TFT - tranzystor cienkowarstwowy (Thin Film Transistor)
Tranzystory polowe złączowe JFET
Symbole i podstawową konstrukcję obu tranzystorów JFET przedstawia
rysunek poniżej:

Tranzystor polowy potrafi przewodzić

prąd tak samo dobrze w obu kierunkach.

Natężenie prądu przepływającego przez

kanał, między drenem a źródłem, jest
sterowane przez napięcie przyłożone do
zacisku bramki.

W N-kanałowym JFET napięcie bramki jest

ujemne, natomiast dla JFET z kanałem P,
napięcie bramki jest dodatnie względem
źródła.
Charakterystyki wyjściowe UDS= f(ID) typowego tranzystora JFET z
kanałem typu N

Napięcie UGS, podłączone do bramki, kontroluje prąd płynący

pomiędzy drenem a źródłem. UGS to napięcie pomiędzy bramką a
źródłem, podczas gdy UDS to napięcie pomiędzy drenem a
źródłem.
Ponieważ tranzystor JFET jest urządzeniem sterowanym napięciowo,
jakikolwiek prąd nie wpływa do bramki! Prąd źródła IS, wypływający z
tranzystora, jest dokładnie taki sam, jak prąd drenu ID, który do niego
wpływa, więc ID = IS.
Charakterystyki wyjściowe zawierają cztery obszary pracy tranzystora
JFET.
Są to:
➢Obszar omowy (ohmic) – kiedy napięcie UDS jest małe, prąd
drenu ID zależy od niego proporcjonalnie. Zmieniając UGS,
można zmieniać rezystancję kanału, przez co JFET zachowuje
się jak sterowany napięciowo rezystor.
➢Obszar odcięcia (pinch-off) – zwany również obszarem
zatkania – napięcie UGS jest na tyle ujemne, że kanał zostaje
zatkany i nie płynie przez niego prąd. Tranzystor zachowuje się
jak przerwa, reprezentując sobą bardzo wysoką rezystancję.
➢Obszar nasycenia (saturation) – zwany również obszarem
aktywnym – JFET staje się dobrym przewodnikiem, kontrolowanym
przez napięcie UGS. Napięcie dren-źródło (UDS) ma mały wpływ na prąd
drenu lub żaden.
➢Obszar przebicia (break-down) – napięcie pomiędzy drenem a
źródłem (UDS) staje się na tyle wysokie, że przebija rezystywny kanał
tranzystora JFET i prąd płynie przez niego w sposób niekontrolowany.

Charakterystyki dla tranzystora

P-kanałowego są takie same, jak
te, z tą różnicą, że prąd
drenu ID spada przy zwiększającym
się (dodatnim) napięciu bramka-
źródło UGS.
Tranzystor polowy jest urządzeniem o trzech wyprowadzeniach.
W związku z tym, może zostać włączony do układu na trzy różne
sposoby.

W konfiguracji wspólnego źródła,

wejście jest przyłożone do bramki, a
wyjście pobierane z drenu, patrz na
schemat.
Jest to dobrze rozpowszechniony tryb
działania tranzystora polowego z powodu
wysokiej impedancji wejściowej.
Wzmocnienia napięciowe są mniejsze niż
w przypadku tranzystorów bipolarnych.
Zastosowanie

Układ wspólnego źródła tranzystora FET jest głównie

stosowany we wzmacniaczach audio oraz w
przedwzmacniaczach i stopniach wejściowych o wysokiej
impedancji wejściowej.
Sygnał wyjściowy jest obrócony o 180o względem wejściowego.
Układ wspólnej bramki

- wejście jest przyłożone do źródła a wyjście

pobierane z drenu, rys. obok.
-bramka jest podłączona wprost do masy.

Wysoka impedancja wejściowa, która była

zaletą poprzedniej konfiguracji, tutaj jest
utracona, ponieważ układ wspólnej bramki
ma niską impedancję wejściową oraz
relatywnie wysoką impedancję wyjściową.
Zastosowanie

Konfiguracja wspólnej bramki tranzystora FET jest używana

w układach wielkiej częstotliwości oraz w obwodach
dopasowujących impedancję, gdzie niska impedancja
wejściowa musi zostać dopasowana do wysokiej impedancji
wyjściowej. Wejście i wyjście są „w fazie”.
W układzie wspólnego drenu
wejście znajduje się na bramce, a sygnał
wyjściowy jest pobierany ze źródła.

Układ ten często nazywa się „wtórnikiem

źródłowym”, ponieważ
ma bardzo wysoką impedancję wejściową,
niską impedancję wyjściową oraz wzmocnienie
zbliżone do jedności.

Z tego powodu, często używa się go w

buforach wejściowych. Wyjście jest „w fazie” z
wejściem.

Ten rodzaj podłączenia nazywa się wspólnym drenem, ponieważ na zacisku

drenu nie występuje jakikolwiek sygnał. Napięcie +VDD zapewnia jedynie
polaryzację oraz zasilanie tranzystora.
Wzmacniacz z tranzystorem JFET

Podobnie jak tranzystor bipolarny, JFET również można

zaprząc do pracy w roli jednostopniowego wzmacniacza
sygnału.
Jego przewagą nad układem zawierającym tranzystor
bipolarny jest znacznie wyższa impedancja wejściowa,
zależna głównie od rezystorów polaryzujących R1 i R2.
Polaryzacja wzmacniacza z tranzystorem JFET
Powyższy wzmacniacz w układzie
wspólnego źródła pracuje,
spolaryzowany dzielnikiem z
rezystorów R1 i R2.
Napięcie na zaciskach rezystora RS jest
ustawiane na ¼ napięcia UDD.
Ponieważ prąd bramki jest zerowy
IG = 0 można ustalić odpowiedni punkt
pracy dobierając rezystory R1 i R2.
Sterowanie prądem drenu ujemnym
napięciem bramki czyni tranzystor
polowy złączowy użytecznym jako
klucz.

Ważne aby potencjał bramki nigdy nie był dodatni dla tranzystora N-kanałowego ,
ponieważ prąd z kanału popłynąłby do bramki co mogłoby zniszczyć tranzystor.
Zasada działania tranzystora P-kanałowego jest taka sama jak dla N-kanałowego, z tą
różnicą, że napięcie polaryzujące oraz kierunek prądu drenu muszą być odwrócone.