1 Model zastępczy Ebers`a Moll`a dla prądu stałego składa sie z Diod i źródeł prądowych

2 Tranzystor w układzie wspólnej bazy ma wzmocnienie prądowe Trochę mniejsze od 1

Napięcie Uce na wyjściu tranzystora krzemowego w stanie nasycenia 0.2V
3
wynosi ok:
Parametr malosygnalowy, transkonduktancji – gm dla układu WB podaje Napięciem Ueb i prądem kolektora
4
zależność pomiędzy:
5 Opóźnienie w przełączaniu tranzystora powoduje ładunek: Nośników mniejszościowych w bazie
6 Parametr malosygnalowy h22 tranzystora to inaczej : Kondunktancja wyjściowa
Charakterystyki wyjściowe tranzystora w układzie wspólny emiter Ic=f(Uce) dla Ib=const
7
przedstawia zależność (OE):
Tranzystory polowe wykazują zależność prądu drenu od napięcia bramka- Kwadratowa
8
zrodlo :
9 Tranzystor JFET można wykozystac (oprócz wzmacniacza) jako : Regulowany rezystor
Tranzystor MOSFET z kanałem wzbogaconym typu N wymaga Uds>0 , Ugs>0
10
polaryzacji :
11 Rezystancja wejściowa tranzystora MOSFET jest: Większa niż JFET`a
Monolityczny bipolarny układ scalony ma budowę optymalna dla Tranzystora npn
12
efektywnej pracy:
Standardowe napięcie układów TTL=U zasilania, Ul w stanie niskim, Uh 5V,0.2V,3.5V
13
w stanie wysokim wynoszą:
14 Atomy Si I Ge w krysztale maja na powłoce walencyjnej : 8 elektronowa
15 Przewodnik samoistny to taki w którym: Nie ma domieszki
16 Warstwa zubożona powstaje ponieważ sa w niej wymiatane : Dziury i elektrony
17 Przepływ prądu w kierunku przewodzenia w złączu p-n jest wynikiem : Dyfuzji nośników większościowych
Zmiana napięcia z 9.58V na 9.62V na diodzie Si przewodzącej stały prąd Obniżenia temp. O 20*C
18
1mA mogła wystąpić pod wpływem:
Wlasciwie pracujaca diode waraktorowa: Jest spolaryzowana w kierunku
19 zaporowym i wykazuje pojemność
złączową
20 Model zastępczy diody słuszny dla małych sygnałów w. cz. składa się z : Rezystancji i pojemności
W ogniwie słonecznym siła elektromotoryczna [sem] będzie miała Ogniwo wykonane jest z GaAs i jest
21
najwyższą wartość gdy: silnie oświetlone
Hallotrony to przyrządy, w których sygnałem mierzonym na wyjściu Napięcie lub Pole magnetyczne (nie
22
nadajnika jest : wiem)
Układ inwerta COMS zbudowany jest z : 2 tranzystorow MOSFET z kanałem
23
wzbogaconym
24 W półprzewodniku typu N poziom Fermiego znajduje się : Bliżej dna pasma przewodzenia
Dziura w półprzewodniku to: Brak elektronu w wiązaniu
25
kowalencyjnym
Ruchliwość nośników ładunku to : Zmiana ich prędkości wynikowej pod
26
wpływem pola elektrycznego
Wzór Einsteina wiąże ze sobą : Ruchliwość z współczynnikiem
27
dyfuzji nośnika
28 Podstawowe zjawisko fotoelektryczne polega na: Rozerwaniu wiązania kowalencyjnego
Dioda Si przewodzi prąd stały 10mA, zmniejszanie spadku napięcia na Wzrostu temp o 10K
29
niej o 20mV jest skutkiem:
Jaki charakter ma zależność prądu od napiecai bramki w tranzystorze Kwadratowa
30
polowym złączowym FET:
Dla polaryzacji w kierunku zaporowym prąd diody pod wpływem spadku Zmniejszy się o 10%/*C
31
temp:
32 Częstotliwość graniczna tranzystora bipolarnego będzie największa: W układzie wspólnej bazy
Aby tranzystor p-n-p pracowal w stanie aktywnym jego zlacza powinny C-B zaporowo, E-B przewodzenie
33
być spolaryzowane :
34 Tranzystor w układzie wspolnego emitera ma wzmocnienie pradowe: 1
35 Prąd dyfuzji wystepuje : Tylko w poprzewodnikach
36 Prąd unoszenia wystepuje: W półprzewodnikach i przewodnikach
37 Dioda LED swieci w wyniku : Rekombinacji nośników prądu gdy
dioda jest spolaryzowana w kierunku
 przewodzenia
38 Transkondukcja Gm jest analogiczna do: H21
39 Co tworzy dipol w złączu p-n? Akceptory – i donory +
40 Najwieksza rezystancja wyjściowa : Układ OB.
Gdzie znajduje się poziom donorowy w energetycznym modelu Pod poziomem przewodnictwa
41
pasmowym:
Jak zalezy moc tranzystora w ukladzie CMOS od czestotliwosci pracy Liniowo rosnie z częstotliwością
42
układu :
Jakie konstrukcje sa najlatwiejsze do wykonanai w technologiach Npn
43
monolitycznych :
H21 Zwarciowy wspolczynnik
44
wzmocnienia pradowego
H12 Wspolczynnik napiecia oddzialywania
45
wstecznego
46 H11 Rezystancja wejscia
47 H22 Konduktancja wyjsciowa
Dla jakich polaryzacji aktywnie dziala tranzystor bipolowy: Emiter- Baza (kier przewodzenia ) ,
48
Baza-Kolektor (kier zaporowy )
Gdzie wystepuje najwieksza czestotliwosc graniczna w tranzystorze , w Tranzystor o wspolnej bazie (OB.)
49
jakiej konfiguracji:
Gdzie wystepuje poziom Fermiego w PP zdegenerowanym : W pasmie podstawowym lub
50
przewodzenia
Gdzie znajduje sie poziom Fermiego dal typu P: Bliżej wierzcholka pasma
51
podstawowego
52 Co stabilizuje diode Zenera: Napiecie
53 Przy zmianie pp z P na N zmienia się :: Liczba dziur
54 W pp typu N poziom Fermiego znajduje sie : Bliżej dna pasma przewodzenia
Czym charakteryzuje sie układ OC: Duza rezystancja na wejściu i mala na
55
wyjsciu
56 Pyt dot polaryzacji zaporowej Dryft nosnikow mniejszosciowych
W tranzystorze polowym zlaczonym JFET maksymalny prąd wystapi Zerowej polaryzacji bramki
57
przy:
Podczas powstawania obszaru zubozonego zlacza, zawarty w nim Polaryzacji w kierunku przewodzenia
58
elektryczny ładunek jest przyczyna powstawania: