Elektronika

dla
Informatyków
 Tranzystory

• Tranzystor jest elementem półprzewodnikowym,

którego parametry są kontrolowane elektrycznie
• Tranzystory dzielą się na dwa rodzaje:
1. Tranzystory bipolarne, skrót BJT (ang. Bipolar
Junction Transistor)
2. Tranzystory unipolarne, skrót FET (ang. Field
Effect Transistor)
• W tranzystorach bipolarnych za przepływ prądu
odpowiadają zarówno ładunki ujemne (elektrony) jak i
dodatnie (dziury)
• W tranzystorach unipolarnych za prąd odpowiadają
tylko ładunki ujemne albo tylko dodatnie
2
 Tranzystory bipolarne
• Budowa tranzystora bipolarnego

E C E C
n p n p n p

B B

•Symbol tranzystora bipolarnego typu

NPN PNP
Kolektor Kolektor

Baza Baza

Emiter Emiter 3
• Tranzystory bipolarne
• Przekrój przez tranzystor NPN:

• Złącze p-n (EB) po lewej stronie jest spolaryzowane w

kierunku przewodzenia złącze (CB) po prawej jest
spolaryzowane mocno w kierunku zaporowym

elektrony

dziury
rekombinacja

4
Polaryzacja i struktura pasmowa złączy
Emiter Baza obszar
Kolektor
obszar
n zubożenia p zubożenia n

Pasmo przewodnictwa
Tranzystor NPN
niespolaryzowany

Przerwa zabroniona

Pasmo walencyjne

Emiter dyfuzja Baza unoszenie Kolektor

Tranzystor NPN
spolaryzowany jak
na poprzednim
slajdzie:
EB-przewodzenie
CB-zaporowo
5
 Zasada działania BJT
• Złącze emiter-baza jest polaryzowane w kierunku
przewodzenia, więc elektrony będą przemieszczały się z
emitera do bazy. Aby ten przepływ ułatwić, obszar emitera jest
mocno domieszkowany.
•Złącze kolektor-baza jest spolaryzowane zaporowo, więc
bardzo mało elektronów przepływa z kolektora do bazy
•Elektrony z emitera rekombinują z dziurami w bazie (wpadają
w te dziury). Jeśli jeden elektron rekombinował z dziurą jakiś
inny elektron musi wypłynąć z bazy przez elektrodę aby
zachować obojętność elektryczną. Jeśli odpływ elektronów
zostanie przerwany, baza szybko się naładuje ujemnie i
zatrzyma dopływ elektronów z emitera.
•Te elektrony, które nie rekombinowały docierają do kolektora i
przepływają przez jego obszar do elektrody. Aby elektrony nie
rekombinowały w bazie zbyt szybko, obszar bazy jest lekko
domieszkowany i jest wąski (krótki). 6
 Zasada działania BJT
• Region emitera jest lekko domieszkowany aby warstwa
zaporowa miedzy bazą a emiterem była jak najszersza. Szeroka
warstwa zaporowa powoduje skrócenie efektywnej długości bazy
• Przechodząc od nośników ładunku do prądów otrzymujemy:

Ie = Ic + Ib (1)

zwykle spełnione jest: Ib << Ie, Ic (2)

 Kluczowe jest, że prąd bazy steruje prądem kolektora oraz

to, że do sterowania dużym prądem kolektora wystarczy
znacznie mniejszy prąd bazy.

7
 Zasada działania BJT
• Zależności między prądami w tranzystorze są opisane dwoma
bezwymiarowymi parametrami: a i b

Ic = aIe (3)

• po podstawieniu do równania (1) otrzymujemy:

Ib = (1 – a)Ie (4)

• zawsze a < 1, przeważnie a  1, typowo a = 0,95 ÷ 0,995

(5)

• zawsze b >> 1, typowo b = 20 ÷ 200 8

 Zasada działania BJT
• Rodzina charakterystyk wyjściowych I-V
krzywa mocy totalnej Ptot
prąd Ib jest parametrem

Polaryzacja w układzie
wspólnego emitera

Ic

Ib
Vce
Vbe

region aktywny

region nasycenia region odcięcia (ang. cut off )

9
(ang. saturation)
 Tranzystor w układzie klucza

Vce

Vbe

10
 Tranzystor w układzie klucza
 obwód sterujący

11
 Tranzystor w układzie klucza
 obwód zasilania

AC+DC – nie ma obcinania

12
Obcinanie i odwracanie fazy
Uniwersalny układ polaryzacji

+
Vcc

13
Uniwersalny układ polaryzacji

Stosując twierdzenie Thevenin’a

dla obwodu bazy otrzymamy:
+
B
Vcc
(6)

(7)
A

14
Uniwersalny układ polaryzacji

Ic

Ib
Ie +
Vcc

NPK:
(8)

(9)

15
 (10)

(11)

(12)

(13)

● Wzory od (6) do (13) umożliwiają wyznaczenie punktu pracy

jeśli znane są:
wartości rezystorów R1 , R2 , Re Rc, wzmocnienie prądowe b,
napięcie zasilania Vcc, oraz przybliżona wartość napięcia Vbe.
16
 ● Jeśli chcemy aby tranzystor pracował w z góry wybranym
punkcie pracy i szukamy wartości rezystorów, to powyższe
wzory przekształcamy do następującej postaci:

(14)

(15)

● W pierwszym przybliżeniu zakładamy R1 = R2 = 10 kW

następnie z równania (14) wyznaczamy Re a następnie z (15)
wyznaczamy wartość rezystora Rc

17
Model wzmacniacza
● Zanim przejdziemy do szczegółowej analizy wzmacniaczy,
najpierw ustalimy jakie ogólne parametry wzmacniacza nas
interesują
● Model „czarne pudełko”

wzmacniacz

rezystancja obciążenia

impedancja wyjściowa

wzmocnienie napięciowe
impedancja wejściowa

18
Model wzmacniacza

● Wzmocnienie napięciowe aOL – wzmocnienie w stanie

jałowym (ang. open loop), czyli w warunkach rozwarcia na
wyjściu: RL =  aOL = Vout / Vin
● Wzmocnienie prądowe g = Iout / Iin
(16)
● Impedancja wejściowa Zin = Vin / Iin
(17)
● Impedancja wyjściowa Zout
(18)

Vout (R L = ∞)
Zout =
Iout (R L = 0) (19)

gdzie RL = 0 oznacza pracę na zwarcie na wyjściu wzmacniacza

19
 ● Małosygnałowe parametry tranzystora

Ib [mA] Ic [mA]

V1 + v
Rb
V1 Vcc
Rb
V1 - v Rc
Rb

Vce
V1-v V1+v Vcc

Rb B C

E
v = VA(sinwt) 
V1 20
 Małosygnałowy model złącza baza-emiter

● Krzywą Ib–Vbe rozwijamy w szereg Taylora

DC
wokół punktu pracy 𝑉be

(20)

● Ponieważ amplituda napięcia zmiennego jest mała względem

polaryzującego napięcia stałego wystarczy uwzględnić pierwszy
wyraz rozwinięcia:

(21)

21
● Definiujemy małosygnałową rezystancję baza-emiter rbe

(22)

● Otrzymujemy zależność dla małych amplitud prądu i napięcia

zmiennego:
(23)

● Małosygnałowa odpowiedź tranzystora może być modelowana

rezystorem jak na rysunku poniżej włączonym między bazą a
emiterem. Wartość tego rezystora jest dana przez (22)

22
● Złącze baza-emiter jest diodą więc prąd bazy możemy obliczyć:

(24)

● zatem pochodna:

(25)

● ponieważ w okolicy punktu pracy Vbe = 0.6 V:

(26)

● przyjmując temperaturę pokojową otrzymamy:

(27)
23
 Małosygnałowy model kolektor-emiter
● Ponieważ prąd kolektora jest funkcją zarówno prądu bazy jak i
napięcia kolektor-emiter Ic(Ib, Vce) należy wykonać podwójne
rozwinięcie w szereg Taylora wokół punktu pracy DC:

(28)

● Dodając składową zmienną AC o małej amplitudzie jak

poprzednio i pamiętając że Ic= bIb otrzymujemy:

(29)

● gdzie:

(30)
24
● Małosygnałowy model kolektor-emiter

25
● Małosygnałowy model całego tranzystora BJT

26
● Małosygnałowy model typu h

● Wprowadzony został parametr hre , który oznacza że złącze

baza-emiter nie jest niezależne, wpływ na to złącze ma napięcie
kolektor-emiter
Porównanie modeli
Parametr model małosygnałowy model h
Rezystancja wejściowa rbe hie
Rezystancja wyjściowa rout 1/hoe
Wzmocnienie prądowe b hfe
Współczynnik sprzężenia brak hre
27
napięciowego
Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera

28
● Rezystor RL reprezentuje obciążenie
● kondensatory sprzęgające C1 , C2 separują obwód zasilania
punktu pracy DC od wpływu układów podłączonych na wejściu
lub wyjściu
● Analizę małosygnałową AC wykonujemy w następujących
etapach:
1. Kondensatory sprzęgające traktujemy jako zwarcia, natomiast
obwód zasilający DC jako masę (ground)
2. Wstawiamy do układu model i upraszczamy obwód tak jak to
tylko możliwe. Pilnujemy aby elementy modelu były
umieszczone we właściwych miejscach obwodu.
3. Obliczamy a, g, Zin, wyrażając vin, vout, iin, iout w funkcji ib

29
● Po pierwszym etapie mamy:

● Następnie miejsce tranzystora wstawimy model małosygnałowy:

30
● Po wstawieniu w miejsce tranzystora jego
modelu małosygnałowego:

31
● Upraszczamy obwód:

32
● Wyznaczamy parametry małosygnałowe:

33
34
Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora
• Wyjście jest wzięte z emitera a rezystor w kolektorze
jest pominięty

35
Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora

36
Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora
• Wzmocnienie napięciowe a:

• Wzmocnienie prądowe g:

• Impedancja wejściowa Zin i wyjściowa Zout:

37
Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy
• Napięcie wejściowe jest podane na emiter, a wyjście
jest wzięte z kolektora
• Dodatkowy kondensator CB zwiera bazę do masy

38
Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy
• Kondensator CB zwiera bazę tranzystora do masy

39
Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy
• Wzmocnienie napięciowe a:

• Wzmocnienie prądowe g:

• Impedancja wejściowa Zin i wyjściowa Zout:

40
Porównanie wzmacniaczy BJT
• Strzałka oznacza granicę gdzie rbe jest małe a RB duże
• Rc||RL jest równoległym połączeniem Rc i RL
• RB = R1||R2
• R0 = RE||RL
Wspólny emiter Wspólny kolektor Wspólna baza

41
Porównanie wzmacniaczy BJT
• Wzmacniacz w układzie wspólnego emitera daje
umiarkowane lub duże wzmocnienie napięciowe i
prądowe oraz ma dużą impedancję wejściową
• Wzmacniacz w układzie wspólnego kolektora ma
wzmocnienie napięciowe około jedności
• Ma on średnie lub duże wzmocnienie prądowe, średnią
lub dużą impedancję wejściową oraz małą impedancję
wyjściową
• Dwie ostatnie właściwości pozwalają stosować ten
wzmacniacz jako bufor między źródłem o dużej
impedancji a obciążeniem o małej impedancji
• Jeśli takie źródło zostanie podłączone bezpośrednio, to
moc dostarczona do obciążenia będzie mała 42
Porównanie wzmacniaczy BJT
• Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy ma bardzo
duże wzmocnienie napięciowe, ponieważ b jest duże,
natomiast rbe jest małe
• Jego wzmocnienie prądowe jest zawsze mniejsze od
jedności, a impedancja wejściowa bardzo mała
• Wzmacniacz ten jest używany tylko wtedy gdy opłaca
się zastosować duże wzmocnienie prądowe kosztem
małej impedancji wejściowej

43
Pozostałe parametry wzmacniaczy
• W praktyce wzmocnienie jest zawsze funkcją
częstotliwości sygnału wejściowego
• Jeśli zastosujemy odpowiednio małą f, to impedancja
kondensatorów sprzęgających stanie się tak duża, że
spowoduje zmniejszenie wzmocnienia układu
• Wysoka częstotliwość również spowoduje zmniejszenie
wzmocnienia z powodu pojemności pasożytniczych
(rozproszonych) występujących w obwodzie
• Pomiędzy dwoma dowolnymi przewodnikami zawsze
istnieje pojemność, która jest tak mała, że zazwyczaj
może być pominięta
• Wraz ze wzrostem częstotliwości reaktancje pojemności
rozproszonych maleją powodując spadek wzmocnienia,
ponieważ prąd zaczyna płynąć tam gdzie nie powinien. 44
Pozostałe parametry wzmacniaczy
• Istnieje również pojemność rozproszenia w złączach
półprzewodnikowych
• Separacja ładunków, która występuje przy
przesunięciu poziomów energetycznych powoduje, że
złącze wygląda jak kondensator
• W wyniku pojemności rozproszenia sygnały o dużej
częstotliwości mają małą impedancję do masy, a to
powoduje zmniejszenie wzmocnienia.

45
Pozostałe parametry wzmacniaczy
• Odpowiedź częstotliwościowa wzmacniacza

poziom referencyjny
wzmocnienia

pasmo (ang. bandwidth)

górna częstotliwość
dolna częstotliwość
graniczna
graniczna

46
Pozostałe parametry wzmacniaczy
• W praktyce sygnał wzmocniony nie jest sygnałem
wejściowym pomnożonym przez pewną liczbę
• Zawsze występują zniekształcenia sygnału
• Zależność między prądem bazy a prądem kolektora nie
jest idealnie liniowa
• Nieliniowości wzrastają wraz ze wzrostem amplitudy
sygnału wejściowego
• Może dojść do obcinania sygnału na wyjściu w okolicach
minimum i maksimum, jeśli tranzystor wejdzie w obszar
nasycenia
• Ten rodzaj zniekształceń nazywa się: zniekształcenia
harmoniczne. Sygnał zniekształcony harmonicznie
zawiera częstotliwości, które są wielokrotnością
częstotliwości wejściowego idealnego sinusa 47
Pozostałe parametry wzmacniaczy
• Możemy modyfikować parametry wzmacniacza
poprzez dodanie sprzężenia zwrotnego
• Sprzężenie zwrotne realizuje się przez pobranie
części b sygnału vout z wyjścia i podanie go z
powrotem na wejście

• Zakładamy, że obwód w pudełku oznaczonym b ma

wystarczająco dużą impedancję po prawej stronie aby
nie zakłócać wyjściowego napięcia lub prądu
48
Pozostałe parametry wzmacniaczy
•
•
•

•
• Nowy obwód zawierający pętlę sprzężenia zwrotnego
może być traktowany jako nowy wzmacniacz o
zmodyfikowanym wzmocnieniu napięciowym i
rezystancji wyjściowej rout
•

• 49
Pozostałe parametry wzmacniaczy
• Stosując NPK dla obwodu wyjściowego mamy:

• Pętla wejściowa daje:

• Rezystancja wejściowa:

50
Pozostałe parametry wzmacniaczy
• Jeśli aβ = 1, to zmodyfikowane wzmocnienie a’ → ∞
• Nawet minimalne napięcie wejściowe będzie
wzmacniane aż do granic możliwości obwodu
• W przypadku kiedy aβ jest duże i ujemne mamy:

• Zmodyfikowane wzmocnienie napięciowe a’ zależy

teraz tylko od β a nie od oryginalnego wzmocnienia a
• Rezystancja wejściowa i wyjściowa są dane przez:

51
Pozostałe parametry wzmacniaczy
● Charakterystyki wzmacniacza ze sprzężeniem mają
wiele zalet ponieważ:
• Impedancja wejściowa jest duża i nie musimy martwić
się o to, że źródło napięcia będzie przeciążone
• Podobna zaleta występuje na wyjściu, ponieważ
impedancja wyjściowa jest mała
• Wzmocnienie napięciowe zależy tylko od jednego
parametru, od sprzężenia b

52