Wyższa Szkoła Bankowa w Gdańsku

Podstawy elektroniki
Laboratorium
dla kierunku Grupa: INiS2_2.2
Ćwiczenie nr 5 Imię i nazwisko Vladyslav Nazarchuk
Data wykonywania ćwiczenia

Data odbioru sprawozdania Ocena:

Uwagi i podpis

Materiał teoretyczny do opracowania: Tranzystory bipolarny, unipolarny : budowa i zasada działania tranzystorów,
charakterystyki statyczne, parametry tranzystorów , układy pracy tranzystorów

1 Opisz swoimi słowami i zilustruj: zasadę działnia tranzytora bipolarnego i jego budowe

Zasada działania:
Transistor bipolarny działa na zasadzie modulacji prądu w złączu bazy przez napięcie podawane na
tym złączu. Jeśli na złączu bazy pojawi się dodatnie napięcie, to elektromagnetyczne pole
spowoduje, że większa liczba nośników ładunku zacznie przepływać przez złącze bazy do złącza
kolektora, co skutkuje wzrostem prądu przepływającego przez transistor. Natomiast gdy na złączu
bazy pojawi się ujemne napięcie, to prąd z złącza kolektora zostanie zablokowany. Tranzystor
bipolarny składa się z trzech warstw półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa: p-n-p lub n-p-n
(istnieją więc dwa rodzaje tranzystorów bipolarnych: pnp i npn). Poszczególne warstwy noszą nazwy:
emiter (oznaczony przez E) warstwa silnie domieszkowana;
baza (oznaczona przez B) warstwa cienka i słabo domieszkowana;
kolektor (oznaczony przez C).W ten sposób tworzą się dwa złącza p-n: baza-emiter (nazywane krótko
złączem emitera) oraz baza-kolektor (nazywane złączem kolektora).

obrazek

2 Opisz swoimi słowami i zaprojektuj zilustruj: zastoswoanie tranzytora bipolarnego i jego układy pracy

Transistor bipolarny znajduje zastosowanie w układach elektronicznych jako wzmacniacz sygnału lub
przełącznik. Jego właściwości pozwala na kontrolowanie dużych prądów, co jest szczególnie
przydatne w elektronice mocy. Transistor jest również często wykorzystywany w układach
cyfrowych, takich jak bramki logiczne, w celu przetwarzania sygnałów cyfrowych. Tranzystor
bipolarny może pracować w trzech układach pracy:
o wspólnej bazie (OB), o wspólnym emiterze (OE) oraz o wspólnym kolektorze (OC).

obrazek
3 Opisz swoimi słowami i zilustruj: podział tranzytorów bipolarnych

Transistory bipolarne można podzielić na kilka kategorii ze względu na ich budowę, właściwości i zastosowania,
np.:

Ze względu na rodzaj przewodnictwa:

n-p-n: w tym przypadku warstwa środkowa ma przewodnictwo pomiędzy dwoma warstwami n,
p-n-p: w tym przypadku warstwa środkowa ma przewodnictwo pomiędzy dwoma warstwami p.
Ze względu na moc:
małej mocy: przeznaczone do zastosowań niskonapięciowych, gdzie wymagana jest niska moc, Strona 1
 Transistory bipolarne można podzielić na kilka kategorii ze względu na ich budowę, właściwości i zastosowania,
np.:

Ze względu na rodzaj przewodnictwa:

n-p-n: w tym przypadku warstwa środkowa ma przewodnictwo pomiędzy dwoma warstwami n,
p-n-p: w tym przypadku warstwa środkowa ma przewodnictwo pomiędzy dwoma warstwami p.
Ze względu na moc:
małej mocy: przeznaczone do zastosowań niskonapięciowych, gdzie wymagana jest niska moc,
mocy pośredniej: przeznaczone do zastosowań w układach mocy,
dużej mocy: przeznaczone do zastosowań w energetyce, przemysłowych układach zasilania.
Ze względu na częstotliwość:
wysokoczęstotliwościowe: przeznaczone do zastosowań w układach radiowych i telewizyjnych, charakteryzują się
dużą szybkością działania,
niskoczęstotliwościowe: przeznaczone do zastosowań w układach audio, charakteryzują się niższą szybkością
działania.
Ze względu na sposób połączenia:
jednojonowe: złącza bazy, kolektora i emitera są połączone z jednym źródłem napięcia,
wielojonowe: złącza bazy, kolektora i emitera są połączone z różnymi źródłami napięcia.
Podział ten ma znaczenie przy doborze odpowiedniego transistora do konkretnego zastosowania.

obrazek

4 Opisz swoimi słowami i zilustruji wykopnacj obwód do sterowani moca żarówki 9v wykorzystujacą dzelnik prądowy i tranzystor do sterowania jej mocą

Obwód składa się z żarówki 9V, tranzystora i dzielnika prądowego. Żarówka jest połączona z tranzystorem, który
jest sterowany poprzez zmianę napięcia na punkcie pośrednim dzielnika prądowego, umożliwiając płynną
regulację jej mocy.

obrazek
link : https://tinyurl.com/2e6z7yaa

5 W celu pomiaru charakterystyk tranzystora bipolarnego należy skorzystać z układuprzedstawionego na rys. 1. Używając programu komputerowego podanego przezprowad

Strona 2
 Rys. 1. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego w układzie OE

obrazek
link : https://tinyurl.com/2ehcjxqa

6 Wyznaczyć rodzinę charakterystyk wyjściowych tranzystora I = f(U ) przy IB= const

UCE [V] 0,025 0,05 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
IC [mA] 0,015 0,114 0,774 2,393 2,498 2,5 2,5 2,5

0,7 0,8 0,9 1 5 10 15 20

2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5
Ib=25uA

UCE [V] 0,025 0,05 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
IC [mA] 0,031 0,23 1,549 4,786 4,995 5 5 5

0,7 0,8 0,9 1 5 10 15 20

5 5 5 5 5 5 5 5
Ib=50uA

UCE [V] 0,025 0,05 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
IC [mA] 0,046 0,345 2,232 7,179 7,493 7,5 7,5 7,5

0,7 0,8 0,9 1 5 10 15 20

7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5
Ib=75uA
UCE [V] 0,025 0,05 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
IC [mA] 0,061 0,459 3,097 9,572 9,991 10 10 10

0,7 0,8 0,9 1 5 10 15 20

10 10 10 10 10 10 10 10
Ib=100uA

I = f(U ) przy IB= const

12
10
8 Ib=25uA
6 Ib=50uA
4
Ib=75uA
2
Ib=100uA
0

Wykres rodziny charakterystyk

7 Wyznaczyć rodzinę charakterystyk zwrotnych tranzystora U = f(U ) przy IB= const.

UCE [V] 0,025 0,05 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
UBE [V] 0,524 0,548 0,59 0,618 0,619 0,619 0,619 0,619

Strona 3
 0,7 0,8 0,9 1 5 10 15 20
0,619 0,619 0,619 0,619 0,619 0,619 0,619 0,619
Ib=25uA

UCE [V] 0,025 0,05 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
UBE [V] 0,542 0,566 0,608 0,636 0,637 0,637 0,637 0,637

0,7 0,8 0,9 1 5 10 15 20

0,637 0,637 0,637 0,637 0,637 0,637 0,637 0,637
Ib=50uA

UCE [V] 0,025 0,05 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
UBE [V] 0,553 0,577 0,618 0,647 0,648 0,648 0,648 0,648

0,7 0,8 0,9 1 5 10 15 20

0,648 0,648 0,648 0,648 0,648 0,648 0,648 0,648
Ib=75uA
UCE [V] 0,025 0,05 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
UBE [V] 0,56 0,584 0,626 0,654 0,655 0,655 0,655 0,655

0,7 0,8 0,9 1 5 10 15 20

0,655 0,655 0,655 0,655 0,655 0,655 0,655 0,655
Ib=100uA

U = f(U ) przy IB= const

0,7

0,6

0,5

0,4 Ib=25uA
Ib=50uA
0,3
Ib=75uA
0,2
Ib=100uA
0,1

Wykres rodziny charakterystyk

8 Wyznaczyć rodzinę charakterystyk wejściowych tranzystora U = f(I ) przy UCE= const.

IB [µA] 0 1 5 10 20 30 40 50
UBE [V] 0,22 0,536 0,578 0,596 0,613 0,624 0,631 0,637

60 70 80 90 100
0,642 0,646 0,649 0,652 0,655
UCE = 5 [V]

Strona 4
 U = f(I ) przy UCE= const
0,7

0,6

0,5
Название оси
0,4

0,3

0,2

0,1

0
0 1 5 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

Wykres rodziny charakterystyk

9 Wyznaczyć rodzinę charakterystyk wejściowych tranzystora U = f(I ) przy UCE= const.

IB [µA] 0 1 5 10 20 30 40 50
IC [mA] 0 0,1 0,5 1 2 3 4 5

60 70 80 90 100
6 7 8 9 10
UCE = 5 [V]

IB [µA] 0 1 5 10 20 30 40 50
IC [mA] 0 0,1 0,5 1 2 3 4 5

60 70 80 90 100
6 7 8 9 10
UCE = 10 [V]

IB [µA] 0 1 5 10 20 30 40 50
IC [mA] 0 0,1 0,5 1 2 3 4 5

60 70 80 90 100
6 7 8 9 10

UCE = 15 [V]

UCE = 5 [V]
12
10
8
6
4
2
0
0 1 5 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

UCE = 10 [V]
12

10

0
0 1 5 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

Wykres rodziny charakterystyk

Strona 5
 UCE = 15 [V]
12

10

0
0 1 5 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

Wniosek z materiału:
Tranzystory bipolarny i unipolarny to podstawowe elementy elektroniczne stosowane w wielu
układach elektronicznych. Zasada działania tranzystora polega na sterowaniu przepływem prądu
poprzez zmianę napięcia na jego bazie, co pozwala na wzmacnianie sygnałów lub regulację mocy.
Charakterystyki statyczne i parametry tranzystorów pozwalają na dokładne określenie ich
właściwości i dobór odpowiedniego typu do konkretnych zastosowań. W zależności od konstrukcji
tranzystorów istnieją różne układy ich pracy, umożliwiające realizację różnych funkcji w układach
elektronicznych.

Strona 6
Strona 7
Strona 8
Strona 9
Strona 10
Strona 11
Strona 12
Strona 13
Strona 14
Strona 15
Strona 16
Strona 17
Strona 18
Strona 19
Strona 20
Strona 21
Strona 22
Strona 23
Strona 24
Strona 25
Strona 26
Strona 27
Strona 28
Strona 29
Strona 30
Strona 31
Strona 32