Ćwiczenie 2

Badanie tranzystorów bipolarnych

Cel ćwiczenia: Celem ćwiczenia jest poznanie własności statycznych tranzystorów
bipolarnych w konfiguracji OE. Zapoznanie się z metodyką i aparaturą do
pomiaru podstawowych parametrów tranzystora.

Zestaw przyrządów:
1. Zasilacz stabilizowany 2 szt.
2. Woltomierz napięcia stałego cyfrowy (o jak największym Rv) 2 szt.
3. Miliamperomierz prądu stałego 2 szt.
4. Rezystor dekadowy 2 szt.
5. Rezystor stały 2 szt.
6. Płytka z tranzystorem w układzie OE 1szt.

Przebieg ćwiczenia:

I. Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora n-p-n w układzie OE.

Uwaga!
1. W przypadku tranzystora p-n-p należy zmienić polaryzację tranzystora (kierunek
napięcia podawanego z zasilacza Z1 i Z2) oraz kierunki włączenia mierników.
2. mA2, μA1 to mierniki magnetoelektryczne; V1, V2 to woltomierze cyfrowe o b. dużej
rezystancji wewnętrznej Ry>>Rwy tranzystora Rwy=10kΩ÷10MΩ)
3. Podczas pomiarów nie należy przekroczyć dopuszczalnych parametrów, napięć i mocy
podanych w katalogu dla danego typu tranzystora badanego. Zwróć również uwagę, aby
w trakcie pomiarów tranzystor nie nagrzał się- szczególnie w przypadku pomiarów
Ic=F(UCE), gdyż możne to być przyczynom dużych błędów pomiarów.

1. Wyznaczyć kolejno, metodą punkt po punkcie, następujące charakterystyki:

a. Wejściową IB= f(UBE) przy UCE= const.

b. Przejściowa IC= f(IB) przy UCE= const.
c. Zwrotna UBE= f(UCE) przy IB= const.
d. Wyjściowa IC= f(UCE) przy IB= const.
 IB UCE
0,1 0,2 0,3 0,4 0,6 0,8 1 2 3 4 6 8 10
A V
IC mA
UBE V
IC mA
UBE V
IC mA
UBE V
IC mA
UBE V
IC mA
UBE V

2. Wykreślić wyznaczone w p. 1 charakterystyki tranzystora.

3. Na podstawie pomiarów oszacuj parametry różniczkowe tranzystora, korzystając z ich

definicji. Należy pamiętać, że parametry te obowiązują dla pracy aktywnej tranzystora (biorąc
np. ∆UCE przy obliczaniu parametru h22E należy pominąć napięcia UCE< 0,4 V)

4. Korzystając z charakterystyk wyjściowych tranzystora wyznaczyć:

dla punktu pracy F oraz G

między punktami B i C oraz O i P
 Zastanów się, czy i w jaki sposób zmienia się βdc, βac przy zmianie punktu pracy tranzystora

5. W polu charakterystyk wyjściowych tranzystora wyznacz obszar pracy aktywnej

badanego tranzystora; zaznaczając obszar zatkania, nasycenia oraz w oparciu o dane
katalogowe ICMAX i UCEMAX, a także wykreślając krzywą mocy admisyjnej tranzystora.