CHƯƠNG V

CHẾ TẠO MÀNG MỎNG BẰNG PHƯƠNG

PHÁP VẬT LÝ (PVD)

• PVD- Lắng đọng vật lý từ pha hơi

• Phương pháp tạo nguồn hơi – vật lý

• Lắng đọng - đưa các phân tử từ nguồn tới đế

1
 Nội dung

II.1. Phương pháp bốc bay

II.2. Phương pháp phún xạ catôt

2
 II.1 Phương pháp bốc bay

1. Vật lý và hóa học của quá trình bay hơi

2. Độ đồng đều của màng và tạp bẩn
3. Phương pháp bốc bay nhiệt
4. Phương pháp bốc bay bằng chùm điện tử

3
II.1.1 Vật lý và hóa học của quá trình bay
hơi

1. Tốc độ bay hơi

2. Áp suất hơi của các nguyên tố
3. Bốc bay hợp chất và hợp kim

4
1. Tốc độ bay hơi
Tốc độ bay hơi phân tử: Số phân tử bay hơi từ một đơn vị diện
tích trong một đơn vị thời gian
- Phụ thuộc vào sự chênh lệch giữa áp suất hơi cân bằng Pe ở
nhiệt độ T và áp suất khí Ph bên trên bề mặt nguồn bay hơi
(0<αe <1; Pe – torr)

- Tốc độ cực đại (khi αe =1)

- Tốc độ bay hơi khối lượng:

5
1. Tốc độ bay hơi
- Tốc độ bay hơi khối lượng:

- Tốc độ bay hơi khối lượng (Áp suất bay hơi đơn vị là Pa):

Có thể chứng minh công thức này từ công thức gốc:

6
2. Áp suất hơi
- Áp suất hơi tăng mạnh khi nhiệt độ đế tăng (với I là một hằng sô hiệu chỉnh):

- Với Al: log10 P ( torr ) = − 15993 + 12.409 − 0.999 log T − 3.52 10−6 T
T

- Vật liệu bốc bay từ pha lỏng (Al, Au, …) có Pe <10-3 torr ở nhiệt độ nóng chảy
- Vật liệu bốc bay từ pha rắn – thăng hoa (Ti, Cr, Mo…) có Pe>10-3 torr ở nhiệt
độ thấp bơn nhiệt độ nóng chảy

7
2. Áp suất hơi
- Áp suất hơi của một số nguyên tố kim loại (trong khoảng từ 10-10 đến 102
Pa) được mô tả bằng phương trình:

[P] = Pa; [T] = K;

A, B, C, D là các hằng số có thể tra từ bảng trong tài liệu tham khảo:
Chú ý: Ở pha rắn và pha lỏng, các hệ số A, B, C, D sẽ khác nhau
(phương trình chỉ đúng trong dải nhiệt độ nhất định);
Sai số của phương trình 5% hoặc nhỏ hơn;

1. David R. Lide, Handbook of Chemistry and Physics, 84th edition, Page 805, CRC Press
2. Tài liệu gốc: Alcock, C. B., Itkin, V. P., and Horrigan, M. K., Canadian Metallurgical Quarterly, 23, 309, 1984. 8
3. Bay hơi hợp chất, hợp kim
-Hợp kim được ứng dụng rộng rãi ở trong các công nghệ, liên kết nguyên tử
trong hợp kim yếu hơn liên kết nguyên tử trong các chất: các thành phần bay
hơi độc lập ở dạng nguyên tử
- Định luật Raoult: Áp suất hơi của chất thành phần trong dung dịch hợp kim
nóng chảy tỉ lệ với áp suất hơi của chính đơn chất đó theo tỉ lệ mol của nó
trong hợp kim nóng chảy
Xét hợp kim A-B: áp suất riêng phần của A trong AB ở T (pA) ≠ áp suất
riêng phần của đơn chất A ở T (pA(0))

A: hệ số hoạt tính, XA: tỉ lệ mol

Tỉ số mật độ dòng

9
II.1.2 Độ đồng đều của màng và tạp bẩn

1. Bố trí không gian hình học

2. Độ đồng đều và bề dầy màng
3. Độ đồng đều khi phủ bậc
4. Độ sạch của màng

10
Bố trí không gian hình học
Chất lượng màng: nguồn bốc bay, định hướng và vị trí đế, tương
quan hình học giữa đế và nguồn bốc bay

Nguồn điểm: khối lượng lắng đọng trên 1 đơn vị điện tích tỉ lệ
với định hướng hình học của đế và khoảng cách nguồn-đế; đặt
đế tiếp tuyến mặt cầu  màng độ dày đồng đều

11
Sự đồng đều bề dày màng
Nguồn điểm
Chiều dày điểm thuộc màng
Chiều dày lớn nhất d0 khi l=0
Tỉ số chênh lệch

Nguồn bề mặt

12
Bố trí không gian để có độ đồng đều cao nhất

-Quay đế
- Tuy nhiên do góc bay hơi không đồng
đều nên đa phần thu được các màng
không có bề dầy đồng nhất;

13
Sự đồng đều về độ phủ bậc (Conformal Coverage)

• Khi phủ các cấu trúc bậc;

• Liên quan đến các tiếp xúc bán dẫn
hay các cấu trúc phủ kim loại;
• Sự khác biệt giữa bề mặt và mặt
cạnh;
• Màng không liên tục ➔ nguồn sai
hỏng chính trong các linh kiện;
• Hình 3.10: Mô phỏng và thực
nghiệm .(Trái) Nguồn đối xứng;
(Phải) Nguồn bất đối xứng;
• Khắc phục: Nâng nhiệt của đế để
thúc đẩy quá trình khuếch tán;
Quay để tạo phân bố đối xứng;

14
Độ sạch của màng
Nguồn gốc nhiễm bẩn:
- Vật liệu ban đầu
- Vật liệu nguồn nung
- Áp suất khí dư
Tốc độ bay hơi của nguyên tử vật liệu (U – tốc độ tạo màng cm/s)

Tốc độ nguyên tử/ phân tử khí dư tới bề mặt

Nồng độ tạp

15
Độ sạch của màng
Nồng độ tạp (tỉ số giữa tốc độ phân tử khí tới đế với tốc độ
chất bốc bay tới đế)

Tạp chất chủ yếu là Oxi và Nitơ;

Làm giảm phẩm chất (tính chất điện, quang) của màng;
16
II.1.3 Phương pháp bốc bay trong chân
không

1. Bốc bay nhiệt

2. Bốc bay bằng chùm điện tử
3. Bốc bay bằng laser xung

17
Bốc bay nhiệt
Các thiết bị tạo nhiệt
- Các loại nồi và thuyền đốt trực tiếp, gián tiếp,
xung, liên tục
- Phương pháp đốt nóng bằng hiệu ứng Jun-
Lenxơ;
- Tốc độ lắng đọng có thể từ 1A/s đến 1000A/s;
- Chân không càng cao, nhiệt độ làm việc cần
thiết càng giảm;

18
Các loại nồi và thuyền đốt trực tiếp
(hiệu ứng Jun-Lenxơ)
- Vật liệu dễ bay hơi: sử dụng dây
đốt: W
- Vật liệu bay hơi kém, bột: Dùng
thuyền Ta, W, Mo
- Chén (nồi): (Al2O3, BN, graphite,
WC, làm nóng gián tiếp bằng sợi
hay tấm W) để bốc bay các hợp
chất với Ta, W, Mo
BN: 1800oC
TiB2: 2940oC
- Khi bốc bay, vật liệu nguồn và
thuyền dễ tạo hợp kim, làm
giảm hiệu suất truyền nhiệt;
- Gọi chung là thuyền;
19
Thuyền xoắn (Mo, W, Ta)
• Tăng diện tích tiếp xúc giữa nguồn nhiệt
và vật liệu bốc bay – xoắn 2 dây tạo
http://www.oxford-
rãnh; vacuum.com/background/thin_film/evaporation.htm

➔Phân tán vật liệu nguồn trên toàn bộ

thuyền;
Phủ điện hóa vật liệu gốc lên thuyền;
Đặt toàn bộ thuyền vào chén để vật liệu
gốc có thể tiếp xúc với tất cả các vòng
xoắn;
- Bốc bay kim loại quý;
➔Xoắn thành giỏ để tăng diện tích bốc
bay;
Chân không yêu cầu cao hơn; http://www.testbourne.com/vacuum-
evaporation-sources-baskets-and-heaters

20
http://www.rdmathis.com/ 21
Thuyền lá (W, Mo, Ta)
• Tăng diện tích tiếp xúc giữa nguồn nhiệt
và vật liệu bốc bay – thuyền lá;
➔Phân tán vật liệu nguồn trên toàn bộ
thuyền; http://www.oxford-
vacuum.com/background/thin_film/evaporation.htm
• Lá kim loại dát mỏng ở giữa – tăng điện
trở;
- Bốc bay kim loại quý;
➔Dùng thuyền có hố nhỏ ở giữa để tăng
độ tập trung của nhiệt;
- Phủ một lớp ô xít để tránh hiện tượng
phản ứng hóa học;
- Dòng lớn (100-300A), điện thế nhỏ nên
cần tiếp xúc tốt; http://www.lesker.com/newweb/evaporation_
sources/evaporation_technicalnotes_1.cfm?pg
id=0
22
http://www.rdmathis.com/ 23
Vật lý và kỹ thuật màng mỏng – Nguyễn Năng Định

24
Cốc nung
- Bốc bay khối lượng nhỏ
(<10g) thì dùng thuyền. Nếu
bốc bay khối lượng lớn
(>10g) thì dùng chén bốc
bay;
- Yêu cầu: bền nhiệt, trơ với
vật liệu bốc bay. Không hòa
tan vào vật liệu, cũng không
cho vật liệu hòa tan vào;

Vật liệu tạo cốc: Kim loại, ôxít, graphit

- Kim loại: dễ gia công. Mo dùng để bốc kim loại Cu, Ag, Au
- Cần che chắn nhiệt do kim loại phản xạ nhiệt tốt;
25
 Ôxít
- Khó nóng chảy;
- Độ ổn định nhiệt
động học cao;
- Độ dẫn nhiệt cao;

- Khó gia công;

- Chế tạo ở các nhà
máy chuyên dụng;
- Độ xốp thấp;
- Độ tinh khiết cao;

26
Cốc ôxit

Cốc ôxít nhôm

http://www.ceramic.vip/product-detail/alumina-crucible/
http://www.rdmathis.com/ 27
Cốc graphit

- Tính chất cơ giống với oxit;

- Gia công khó, chịu được nhiệt độ cao;
- Độ dẫn điện tốt nên có thể sử dụng trực tiếp làm nguồn đốt;
- Dễ phân hủy các bon nên thường dùng tạo màng với vật liệu là
hợp chất của các bon.
http://www.lesker.com/newweb/evaporation_sources/thermal_crucibles.cfm?pgid=6
28
Các loại nồi và thuyền, chén sử dụng

29
Vật liệu thăng hoa

• Không cần tiếp xúc trực

tiếp giữa nguồn nhiệt và
vật liệu bốc bay;
• Dùng bức xạ nhiệt;

30
Nhược điểm nguồn điện trở nung

• Dễ nhiễm bẩn
• Tạo hợp kim vật liệu bốc bay với vật liệu thuyền
• Không bốc bay được vật liệu có nhiệt độ nóng chảy cao
• Tốc độ bay hơi thấp, công suất bay hơi nhỏ
• Lượng vật liệu bay hơi ít

Bốc bay bằng chùm tia điện tử: EBEAM

31
 E-BEAM

• Súng điện tử sử dụng anốt là vật liệu bốc bay;

• Súng điện tử với anốt độc lập;
• Súng điện tử có chùm tia quĩ đạo cong;

32
Súng điện tử sử dụng anốt là vật liệu bốc
bay
- Chùm điện tử từ catot sang anot
làm nóng chảy anot;
- Kim loại nóng chảy tạo giọt treo ➔
bay hơi;
- Đế là tấm che ở catot;
- Yêu cầu: Kim loại bốc bay có sức
căng bề mặt lớn, dễ bay hơi; Điều
khiển công suất chùm điện tử để
không tạo giọt rơi xuống;
- Nhược điểm: Hơi KL tạo hợp chất
với catot làm ăn mòn catot; Khó
điều khiển tốc độ dịch chuyển của
catot cho phù hợp với tốc độ bay
hơi; cần bộ bảo vệ catot;
33
Súng điện tử là anốt độc lập

- Cấu hình giống như ống phát tia X – dây Vonfram;

- Điện cực có tác dụng hội tụ chùm tia điện tử;
- V>10kV; Chân không không cao;
- Chùm điện tử bị hãm trên đường đi ➔ Phát xạ tia X ➔ Cần
phải che chắn tia X;

34
Bốc bay bằng chùm tia điên tử quĩ đạo cong
- Bốc bay được mọi loại vật liệu
- Catốt nung phát xạ điện tử và
điện tử được tăng tốc qua điện
áp từ 4- 20KV
- Vật liệu bốc bay đặt ở trên
chén nung ở trên anốt (nối đất).
Anốt được làm nguội bằng
nước để vật liệu chỉ nóng chảy ở
bề mặt, không tạo hợp kim với
thuyền
- Chùm tia điện tử được tiêu tụ
nhờ từ trường.
- Góc quĩ đạo của e : 270o;
- Hội tụ chùm electron để tạo ra
được nhiệt độ cao;
35
Bốc bay bằng chùm tia điên tử
-Bốc bay 1018 nguyên tử/cm2s;
1. Mật độ công suất cần thiết để làm thăng hoa ΔHS (eV) là:

2. Động năng của các nguyên tử khi bay hơi với nhiệt độ TS là
(3/2kTS), nên mật độ năng lượng cần thiết:

3. Năng lượng nhiệt mất do bức xạ là:

Với ε là hệ số bức xạ nhiệt ở TS và T0 = 293K,

4. Năng lượng mất đi do truyền nhiệt tới bề dày l vào phía trong
cốc vật liệu có công suất PC (k hệ số truyền nhiệt):

36
Bốc bay bằng chùm tia điên tử
- Bốc bay 1018 nguyên tử Au/cm2s;
- Au: TS = 1670 K, ΔHS = 3.5 eV; l = 1cm; k = 3.1 W/cm.K; ε = 0.4;
PS = 0.56 W/cm 2
PK = 0.034 W/cm 2
PT = 17.6 W/cm 2
PC = 4.3 kW/cm 2

Ta thấy, nhiệt chủ yếu thất thoát do dãn nhiệt;

37
38
Ưu điểm của phương pháp EBEAM
• Môi trường chế tạo mẫu sạch nhờ có chân không cao
• Hợp thức hóa học và độ tinh khiết của màng so với vật liệu
gốc được đảm bảo do chùm tia điện tử cấp nhiệt trực tiếp cho
vật liệu gốc và các phần tử bay hơi xảy ra tức thì dước tác
dụng nhanh của nhiệt
• Bốc bay được hầu hết các vật liệu khó nóng chảy vì chùm tia
điện tử hội tụ có năng lượng lớn
• Dễ điều chỉnh áp suất, thành phần khí và nhiệt độ và dễ theo
dõi quá trình lắng đọng
• Có thể sử dụng rất ít vật liệu gốc (<10mg) nên với các vật liệu
quý hiếm đắt tiền và cần tiến hành nhiều thực nghiệm là rất
tối ưu

39
Bốc bay bằng laser xung
• Đây là phương pháp bốc bay gián đoạn, chùm tia laze công suất lớn
bắn lên bia (vật liệu cần bốc bay) thì pha hơi vật liệu được hình thành
và bốc bay một nhỏ trên bề mặt bia – các đốm sáng

• Laze thông dụng: laze excimer KrF:

-  =248 nm
- Độ dài xung: 25 ns
- Vùng diện tích chiếu rọi lên bia: 0,1 cm2
- Tần số lặp lại: 50Hz
- Công suất laser: 30 W => Mật độ công suất?
- Mật độ công suất: 2,4x108 W/cm2

• Ưu điểm: vật liệu làm bia đa dạng, tạo màng có hợp thức và cấu trúc
giống vật liệu gốc; tạo được các màng siêu cứng như TiN, BN; phủ lên
cả các chi tiết tinh vi và bề mặt có cấu trúc phức tạp

40
II.3 Phương pháp phún xạ catốt

http://lnf-wiki.eecs.umich.edu/wiki/Sputter_deposition

• Phương pháp phún xạ: dùng iôn bắn phá bia vật liệu (nối với
cực âm – catốt), truyền cho phân tử vật liệu một động lượng
làm nó bay lên và lắng đọng lên đế đặt ở điện cực dương –
anốt;
• Tương tác giữa iôn và bia vật liệu làm bay ra các nguyên tử,
ion thứ cấp - va chạm đàn hồi và sự truyền động năng; 41
II.3 Phương pháp phún xạ catốt
Tạo chân Tạo plasma Tạo màng
không • Đưa khí trơ • Iôn trong plasma
• Chân không vào, chân tới bắn phá bia
cao không giảm; vật liệu
• 10-6 Torr • Đặt điện áp • Các nguyên tử
lớn để gây ra trong bia va
phóng điện chạm với nhau;
trong khí • Các nguyên tử
kém; thoát ra khỏi bia
• Tạo plasma và lắng đọng lên
(iôn + đế;
electron);

42
 II.3 Phương pháp phún xạ catốt

1. Tạo plasma
2. Tương tác giữa ion và bia
3. Các yếu tố ảnh hưởng tới tốc độ
lắng đọng
4. Phương pháp phún xạ

43
Qúa trình phóng điện hồ quang

• Normal glow discharge

• Abnormal glow discharge
44
Tương tác giữa iôn và bia vật liệu

Phún xạ là tương tác giữa ion với bề mặt vật liệu gây ra một loạt
các va chạm dẫn tới sự bắn ra của các nguyên tử.
45
Hiệu suất phún xạ

• Hiệu suất phún xạ =

số nguyên tử phát
ra/số iôn tới;

http://www.oxford-
vacuum.com/background/thin_film/sputtering.htm
• Phụ thuộc vào 4 yếu tố:
1. Số nguyên tử trong bia dịch chuyển tới bề mặt sau va chạm
đầu tiên;
2. Số lớp nguyên tử chứa các nguyên tử tham gia vào quá trình
phún xạ;
3. Mật độ nguyên tử trên một đơn vị diện tích;
4. Tiết diện va chạm; 46
Số nguyên tử trong lòng bia dịch chuyển tới
bề mặt trong một va chạm

Et : năng lượng tới hạn để dịch chuyển 1 nguyên tử bia;

E : năng lượng trung bình của nguyên tử bia;
E1: Động năng của ion tới
E2: Động năng truyền cho các nguyên tử bia;
M1: Khối lượng ion tới
M2 : Khối lượng nguyên tử bia;

47
Số lớp nguyên tử bề mặt chứa các nguyên tử
tham gia vào quá trình phún xạ

Eb : năng lượng liên kết bề mặt của nguyên tử bia;

E : năng lượng trung bình của nguyên tử bia;

Số lớp nguyên tử trung bình tham gia vào quá trình phún xạ: 1 +
N1/2

Mật độ nguyên tử trên một đơn vị diện tích:

nA
48
Tiết diện va chạm

a : bán kính tiết diện hiệu dụng;

aB: Bán kính Bohr của nguyên tử bia;
Z1: Số nguyên tử của ion tới;
Z2: Số nguyên tử của ion phún xạ;

49
Hiệu suất phún xạ

Et : năng lượng tới hạn để dịch chuyển 1 nguyên tử bia;

Eb : năng lượng liên kết bề mặt của nguyên tử bia;
E*: Năng lượng trung bình của năng lượng nguyên tử bia với Et

Bài toán thực tế cho các công thức:

Sn (E) có xu hướng độc lập với năng

lượng ion, S = const khi E lớn 50
51
Các yếu tố ảnh hưởng lên tốc độ lắng đọng
màng

• Dòng và thế
• Áp suất
• Nhiệt độ đế

52
Dòng và thế
• Dòng có ảnh hưởng
chủ lớn tới tốc độ
lắng đọng;
• Điện thế có ảnh
hưởng nhỏ tới tốc độ
lắng đọng (hình bên)
• Công suất không đổi: Bề dày của màng Tantan sau khi phún xạ 1h.
Với U>1500V, vai trò của hiệu điện thế là
tăng dòng, giảm thế; không đáng kể. (Số liệu thực nghiệm Ref. 1)
• Cách tăng dòng: giảm áp suất; tăng phát xạ
điện tử; dùng từ trường; tăng diện tích bia;
giảm khoảng cách bia-đế;
53
Áp suất

• Áp suất tăng ➔ Mật độ dòng tăng ➔ Tốc độ lắng đọng

tăng (dòng tăng nhanh hơn tốc độ lắng đọng);
• Mật độ dòng và tốc độ lắng đọng không còn tăng theo
áp suất khi áp suất vượt quá giá trị 1,3x10-1Torr;
• Dùng khí Argon, tốc độ lắng đọng tối ưu khi chân
không ở mức 5-6x10-2Torr.

54
• Ảnh hưởng của áp suất tới dòng iôn;
• Dòng khuếch tán ngược;
55
Áp suất và nhiệt độ
• Nhiêt độ ảnh hưởng phức tạp tới tốc độ lắng đọng. Phần
lớn các vật liệu cho tốc độ lắng đọng lớn khi nhiệt độ đế
thấp (trừ SiO2, AsGa, Ge).

Vai trò của nhiệt độ đế tới tốc độ lắng đọng là không rõ rệt.
56
Phún xạ hợp kim
• Phún xạ cho màng hợp kim có hợp phần giống với
bia – tốt hơn so với phương pháp bốc bay;
• Do sự khác biệt về áp suất hơi là lớn hơn nhiều so
với hiệu suất phún xạ;
• Do độ khuếch tán đồng nhất của thể lỏng và thể khí
quyết định chính trong phương pháp bốc bay nhiệt;
trong khi đó, tác nhân khuếch tán rắn mới là yếu tố
duy trì ổn định hợp phần bề mặt;
• Phương pháp phún xạ ngày càng phổ biến;

57
Phún xạ hợp kim
• Tỉ số giữa dòng phân tử hợp phần A và B;

• Tỉ số hợp phần mới của bề mặt bia;

• Dòng phân tử;

• Quá trình phát triển đến giới hạn tỉ số nguyên tử A và B

trong plasma đúng bằng CA /CB; 58
Nhiệt độ của đế
• Các phân tử mang động năng lớn và đến đế làm đế nóng lên;
• Nhiệt truyền cho đế = Năng lượng nhiệt nhận từ chùm phân tử -
Năng lượng nhiệt truyền cho bộ giữ đế hay năng lượng bức xạ
ra;
• Phương trình cân bằng nhiệt:

• Nhiệt truyền cho đế tỉ lệ với khối lượng riêng ρ, nhiệt dung riêng
c, và bề dầy hiệu dụng d, và tốc độ tăng nhiệt dT/dt;
• L = năng lượng nhiệt thất thoát;
• P = năng lượng nhiệt nhân từ chùm phân tử tới;
• P~ năng lượng hóa rắn của phân tử ΔHC (eV)
• Động năng trung bình của ion tới Ek (eV/atom)
• Năng lượng nhiệt do ánh sáng Plasma gây bởi va chạm các hạt
và electron EP (eV/atom)
59
Nhiệt độ của đế
• Phún xạ magnetron với năng lượng 1 keV
• Tốc độ lắng đọng: 𝑑ሶ (A/min)
• Thể tích nguyên tử: 𝛺 [cm3/nguyên tử]
• Thời gian lắng đọng: t [s];
• Năng lượng nhiệt đế nhận được:

• ρ: khối lượng riêng của vật liệu đế (g/cm3); c: nhiệt dung riêng
của vật liệu đế (J/g.oc); d: bề dầy đế (cm);
• Thời gian phún xạ ngắn thì bỏ qua được năng lượng bức xạ
nhiệt;

60
Nhiệt độ của đế
• Nếu thời gian phún xạ dài, khi đạt tới cân bằng nhiệt thì tính tới
bức xạ nhiệt từ đế. Thời gian làm nóng đế từ nhiệt độ T0 (đây
cũng là nhiệt độ của thành buồng làm việc) đến nhiệt độ T:
𝑳 = 𝟐𝝈𝜺 𝑻𝟒 − 𝑻𝟒𝟎
1  −1  −1  1   +  T  −  T0  
t=  tan T − tan T0 + ln     (3-37)
2 1
  
2   +  T0  −  T  
2  3 2 

=
( 2 T
0
4
+ P)
and  = 2
 cd  cd
➔ Nâng cao độ linh động của các nguyên tử và độ phủ bậc;
• Tốc độ lắng đọng đối với hầu hết các vật liệu: 200 µm/min, năng
lượng tới đế 250 mW/cm2. Nhiệt độ có thể tăng tới 200 oC và
gây ảnh hưởng không tốt với các đế yêu cầu làm việc ở nhiệt độ
thấp;

61
Phương pháp phún xạ catốt
Tạo chân Tạo plasma Tạo màng
không • Đưa khí trơ • Iôn trong plasma
• Chân không vào, chân tới bắn phá bia
cao không giảm; vật liệu
• 10-6 Torr • Đặt điện áp • Các nguyên tử
lớn để gây ra trong bia va
phóng điện chạm với nhau;
trong khí • Các nguyên tử
kém; thoát ra khỏi bia
• Tạo plasma và lắng đọng lên
(iôn + đế;
electron);

62
63
Các phương pháp phún xạ

• Phún xạ DC
• Phún xạ RF
• Phún xạ Magneton
• Phún xạ hoạt tính (Reactive Sputtering)

64
Phương pháp phún xạ catốt RF

• Phún xạ màng mỏng điện môi;

• Tần số trên 50 kHz – phún xạ 1 cực;
• Tần số qui định: 13,56 MHz
• Tự phân cực (nối với tụ điện phân cực âm)

65
Tụ chặn – Tụ tự phân cực
• Thời gian nạp trong quá trình bắn phá điện tử phải
lớn hơn rất nhiều so với một chu ky cao tần ➔ Quá
trình tự phân thế tăng nhanh;
• Thời gian phóng trong quá trình bắn phá ion cần lớn
hơn chu kỳ cao tần. Điều này để hạn chế quá trình
trung hòa điện tích trên catot;
• Phần lớn điện thế cao tần rơi trên lớp vỏ plasma
vùng catot hơn là trên tụ chặn. Nếu không điện áp
trên catot sẽ không đủ lớn.
➔ Thực tế C = 100 – 1000 pF

66
Phân áp khi có tụ phân cực

• Vc : Điện áp rơi trên vùng điện

cực được nối với tụ phân cực
• Vd : Điện áp rơi trên điện cực
còn lại – không nối với tụ
phân cực
• Ac : Diện tích vùng điện cực
nối với tụ phân cực
• Ad : Diện tích vùng điện cực
không nối tụ phân cực
67
Lớp vỏ Plasma

• Bề dày lớp vỏ plasma

𝑗𝑅𝐹
𝐿𝑅𝐹 = +
𝑞𝑛 𝜔

68
Tạo các màng khác nhau

• Màng đơn chất (kim loại, bán dẫn)

• Màng hợp kim
• Màng hợp chất chứa ôxy: đặc biệt là hợp chất
của nhiều loại ôxít khác nhau.

69
Một số vật liệu bia và ứng dụng

70
Một số vật liệu bia và ứng dụng (tiếp)

71
Một số vật liệu bia và ứng dụng (tiếp)

72