You are on page 1of 62

Рачунари и периферије

2. Меморије

др Зоран Бањац
zoran.banjac@viser.edu.rs

Висока школа електротехнике и рачунарства


струковних студија - Београд
Mеморија
‰ Меморија, прецизније системска меморија
је место на ком се налазе програми који се
извршавају и подаци који се обрађују.

‰ Постоји више врста меморија које користи


РС али се под појмом „меморија" се
најчешће подразумева системска меморија.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 2


Улога меморије
‰ Перформансе
o Количина системске меморије је један од најбитнијих
фактора који утиче на укупна својства рачунара.

‰ Подршка софтверу
o Новији програми захтевају већу меморију од старих.

‰ Поузданост и стабилност
o Непоуздан рад меморије може изазвати озбиљне проблеме
у раду РС.
o Битан је избор одговарајућег типа меморије

‰ Проширење
o Постоји више типова меморије, паметан избор може
омогућити њено проширење и употребу на новијим
системима.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 3


Meморија
‰ Неопходна за рад РС рачунара

‰ Системска меморија је DRAM типа,


o обајшњени су и други типови меморије који се
користе код РС.

‰ Основна подела меморије


o ROM – Read Only Memory
o RAM – Random Access Memory

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 4


ROM – Read Only Memory
‰ Једном уписани подаци се не могу мењати
(брисати, поново уписивати), могу само да се
читају.
o Упис у току производње чипа.

‰ Напајање није неопходно за чување садржаја


(nonvolatile storage)

‰ Подаци потребни за стартовање рачунара су


уписани у меморију која не захтева напајање за
чување садржаја (ROM, Flash).
o Произвођач матичне плоче дефинише њен садржај

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 5


ROM: садржај код РС
‰ Служи за чување програма системског нивоа
неопходних за правилно функционисање
рачунара

‰ Најчешће је то BIOS

‰ Стартни програм
o након укључења процесор одавде чита прве
инструкције.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 6


BIOS
‰ BIOS: Basic Input/Оutput System
o Управљачки софтвер који се извршава приликом
подизања рачунара.
o Скуп програма које позива ОС или нека
апликација за обављање операција које су
хардверског нивоа.

‰ Основне функције BIOS-а


o Booting
o Провера конфигурације (тест исправности)
o Обезбеђује интерфејс између хардвера и софтвера
(ОС, драјвера, аплик. софтвера,...).

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 7


Booting
‰ Идентификација и иницијлизација основних
компоненти хардвера.
‰ CPU може да изврши кôд који се налази у
оперативној меморији типа: ROM или RAM.
‰ ОС, апликативни програми и подаци се
смештају у тзв. сталне меморије као што су:
hard disk, CD, DVD, USB flash...

‰ Приликом довођења напајања на рачунар:


o могуће прочитати једино податке који се
налазе у делу системске меморије типа ROM .

o RAМ захтева напајање за чување података


па те податке у овом тренутку нема.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 8


Booting наставак

o Основни скуп инструкција за учитавање BIOS у


RAM се налази на фиксној локацији која се
назива jump address у BIOS ROM чипу.

o Ова локација је стандардна, CPU почиње


извршавање инструкција од ове локације.

o Осим главног BIOS програма, постојe и BIOS


програми и за периферије (видео картице,
хард диск,...)

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 9


Провера хардвера
‰ BIOS покреће тестирање
o POST (Power-On Self-Test)
o Упоређују се подаци записани у CMOS мем. са
стварним стањем система.
‰ Основни подаци о хардверу су смештени у
CMOS меморији.
o Commplementary Metal Oxide Seamiconductor
o Корисник може да мења податке.
o Неопходно напајање за чување садржаја.
o Потрошња изузетно мала ~1µА.
o Напајање литијумском батеријом .

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 10


Интерфејс: I/O операције
‰ Комуникација периферије са остатком
система је заснована на управљаћким
програмима који се називају драјвери
(device driver).
‰ Аликативни програми ( MS Word, нпр.)
користе различите I/O операције и при
томе се ослањају на ОС.
‰ ОС треба да ради са различитим РС
конфигурацијама,
o Неопходно је да постоји BIOS за интерфејс са
храдвером.
o различите матичне плоче – различит BIOS.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 11


„Подизање” РС
‰ Довођење напајања на РС.
‰ Провера да ли су генерисани захтевани
напонски нивои
o Извор за напајање поставља сигнал Power Good –
PG (Power OK – PWR OK) .
‰ Чипсет након регистровања PG сигнала
генерише SYSTEM RESET .
o не дозвољава покретање CPU пре стабилисања
изл. напона.
‰ Процесор након постављања SYSTEM RESET
сигнала приступа BIOS boot програму
o учитава га.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 12


„Подизање” РС наставак
‰ На основу учитаног дела BIOSа, извршава се POST
o У случају фаталне грешке зауставља се подизање
рачунара.
o могућа је индикација преко системског звучника.

‰ Главни BIOS учитава BIOS видео картице у RAM.


o Информације о видео картици се приказују на
монитору.

‰ Учитавају се BIOS рутине осталих периферија


o хард диск,
o CD, ...

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 13


„Подизање” РС наставак
‰ Проверава се усклађеност података у CMOS
меморији и стварно стање.

‰ PnP уређаји се детектују и конфигуришу.

‰ Приказује се сумарни подаци о систему.

‰ CMOS садржи податке о локацији ОС (hard


disk, CD,...) ⇒ учитава се резидентни део ОС.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 14


BIOS: Физичка реализација
‰ ROM
‰ PROM
‰ EPROM
‰ EEPROM (E2PROM)
‰ FLASH

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 15


BIOS: ROM

‰ ROM:
o Трајно записани подаци који се не могу да
се мењају.
o Подаци се уписују у току производње чипа –
firmware
o Овај начин је употребљаван код старијих
верзија РС

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 16


BIOS: PROM
‰ PROM - Programabile ROM
o ROM чип без унесених података (сви подаци „1"),
коjи има могућност да се једампут програмира.
ОТР - One Time Programmable
o За програмирање се користи PROM програматор,
могуће уписати било који садржај
(напон приликом уписа 12V, читање 5V).
o Програмирање се не обавља на матичној плочи.
o Приликом програмирања се на захтеваним
локацијама „1" трајно мењају у „0".
o Процес уписа података је неповратан.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 17


BIOS: EPROM

‰ EPROM – Еrasable PROM


o Варијанта РROM-а који има могућност
да његови подаци буду обрисани и
поново испрограмирани.
o Има мали „прозор” на горњој површини чипа
који може да пропусти УВ зраке на унутрашњост
чипа.
o УВ зраци изазивају реакцију тако да све „0"
постану "1" (брисање EPROM-a)
o За брисањеје неопходан посебан уређај и
„скидање" EPROM-a сa матичне плоче.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 18


BIOS: ЕEPROM (Е2PROM)
‰ ЕEPROM – Electonically Еrasable PROM
o Електрични сигнал на одоговарајућем пину чипа
доводи до брисања података (наредба).
o Није неопходно скидање са матичне плоче.
o Може да се више пута репрограмирати (105).
o Садржај може да се мења уз одговарајући софтвер
који је део е-документације матичне плоче (Web).

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 19


BIOS: Flash RAM
‰ У основи Flash RAM је сличан са EEPROM.
o Разликује се распореду меморијских елемената.
o Дозвољава да се у његову меморију уписује само
по блоковима, што повећава густину записа.
‰ Просторна густина је један од главних фактора
који одређују цену меморијских модула.
o FLASH је постао један од најјефтинијх
меморијских модула.
‰ Користи се код савремених РС конфигурација
o Процес репрограмирања се назива flashing па се
ова врста чипа често назива flash (BIOS).

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 20


BIOS: Flash RAM наставак
‰ Програми за репрограмирање BIOSa садрже
рутине за проверу постојеће верзије BIOSa и
чипсета како би се спречиле могуће грешке.
‰ Процес репрограмирања не сме да се прекине
(напајање, блокирање РС...).
‰ Верзија која се инсталира мора да буде
одговарајућа.
‰ Да би се покренуо процес репрограмирања
BIOSa потребно је покренути РС, то није могуће
са нарушеним садржајем BIOSa!

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 21


BIOS: Flash RAM наставак

‰ Неки вируси користе могућност


репрограмирања BIOSa да би уништили или
изменили његов садржај.
‰ Mогућа је ненамерна употреба софтверa за
репрограмирање BIOSa...
‰ Неки произвођачи:
o постављају flasing security jumper на матичну
плочу (положај за дозволу програмирања)
o Више BIOSa исте садржине тако да у случају
оштећења једног од њих, други преузима
контролу (Dual/Quad BIOS System).
o Emergency boot program (~4KB) на CD (поставити
jumper)

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 22


RAM меморија

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 23


RAM меморија
‰ Могуће је и читање и упис података.
‰ Напајање неопходно за чување садржаја
(volatile storage)
o и за читање и за упис података.
o нестаком напајања губи се садржај.
‰ Random access: Сваком бајту може се
директно приступити независно од
локације претходног приступа.
o Исто време приступа независно од локације.
o Ранији типови меморија овог типа су имали
секвенцијални приступ.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 24


RAM подела
‰ Према начину израде:
o Статички RAM (Static RAM )- SRAM
o Динамички RAM (Dinamic RAM )- DRAM

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 25


Статички RAM: SRAM
‰ Меморијски елементи су засновани на
бистабилним flip-flop елементима.
o Ови елементи могу да имају 2 логичка стања
(логичку „0" и „1") која представљају по један
бит информације.
o Интеграцијом више основних елемента добија се
меморијски чип.
‰ Висок степен интеграције: Свака ћелија се
састоји од 6 MOSFET транзистора по биту, у
одговарајућој вези.
o 4 транзистора служе за чување садржаја, док
додатна 2 служе за контролу приступа садржају
(читање/писање).

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 26


Статички RAM: SRAM наставак
‰ SRAM ћелија има 3 различита стања:
o Standby- коло је у стању мировања.
o Reading – читање података из ћелије.
o Writing – упис података у ћелију.

‰ Након уписа, вредност (на излазу flip-flopа)


остаје непромењена све до промене на улазу.
o Отуда назив статички
‰ Капацитет SRAM модула са m адресних и n
линија података је 2m x n бита
‰ SRAM може да се реализује као синхрона или
асинхрона меморија.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 27


SRAM ћелија

‰ Састоје се од бистабилних
кола која могу да имају
два стања („0", „1").
‰ Свако коло чува по један бит.
Интеграцијом се добија чип
већег капацитета (МВ ).
‰ Користе се за реализацију
L1 и L2 (L3)cash меморије
у РС.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 28


SRAM
‰ Скупљи али знатно бржи и мањи потрошач
енергије у односу на остале типове RAM
меморије.
o Потрошња зависи од радне фреквенције и брзине
приступа.

‰ Налази примену на местима где су пресудни


брзина и мала потрошња.
‰ Због сложене унутрашње структуре има мању
густину паковања (веће димензије) по јединици
меморије у односу на на остале типове RAM
меморије.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 29


Кеш меморија
‰ Кеш (cache) је врста брзе меморије која се
користи за смањење просечног времена
приступа главној меморији.
‰ Може да буде уграђена у само језгро процесора
или у посебан чип (у близини CPU).
o Може да буде интегрисана у чип процесора али да
не представља саставни део процесора.
‰ У кеш меморији се чувају подаци и инструкције
за које се очекује да ће се више пута користити
у току извршавања програма.
o Потребан је добар алгоритам који да управља
овим поступком.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 30


Кеш меморија наставак

‰ Предност: CPU не мора да користи магистралу


матичне плоче за приступ подацима.
o Бржи извршавање дела инструкција и брижи
приступ подацима који се често користе.
‰ Intel процесори подржавају level 1 (L1), level 2
(L2) и level 3 (L3) кеш меморије.
o То су три групе екстремно брзих меморија
‰ Када процесор треба да приступи подацима из
главне меморије, прво провери да ли постоји
копија у cash меморији

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 31


Кеш меморија наставак
‰ Сва три типа кеш меморија (L1, L2 и L3)
чувају податке које је претходно користила
CPU.
‰ Када су CPU потребни подаци, прво се
проверава садржај бржег кеша — L1.
‰ Ако их ту нема проверава се следећа
најбржа меморија — L2.
‰ Ако их ни ту нема проверава се следећа
најбржа меморија — L3.
‰ Тек у следећем покушају се обраћа далеко
споријем RAM-у.
РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 32
Multicore CPU: организација кеша
ARM11 MPCore

AMD Opteron
Intel Core Duo

Intel Core i7
РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 33
DRAM
‰ Динамичка меморија случајног приступа.
‰ Меморијски елементи засновани на употреби једног
транзистора и једног кондензатора.
‰ Кондензатори временом губе наелектрисање ⇒
неопходно периодично обнављање уписаних
података
‰ Обнављање се обавља на ~ms, процес се назива
освежавање (refreshing)
o Отуда назив динамички
o Освежавање успорава рад

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 34


Ћелије DRAMa
‰ DRAM је обично уређена у
облику кавдратне матрице.
‰ Поједностављени пример:
4х4 ћелије
o Савремени DRAM има много
веће димензије матрице
o За читање/писање потребно је
у два корака дефинисати врсту
и колону у којој се налази
жељена ћелија.
o Неопходна интерна или
екстерна логика која прати
време освежавања ћелија.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 35


DRAM : SRAM
‰ SRAM ‰ DRAM
o скупља за производњу o јефтинија за производњу
o може се спаковати мање o може се спаковати више
меморијских ћелија по меморијских ћелија по
јединици површине јединици површине
o Бржа је – процес o и до 10 пута спорија
уписивања и читања
података траје краће o већа потрошња
o мања потрошња

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 36


Примена
‰ У РС рачунарима се користе и DRAM и SRAM
меморије.
‰ DRAM се користи као главна радна меморија
o Разлог: цена и димензије.
o У њу се учитавају програми које РС треба да
извршава и подаци који треба да се обрађују
o Време приступа подацима је знатно дуже од
времена које је процесору потребно за обраду ⇒
успорење рада рачунара

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 37


Меморијски контролер
‰ Део система који контролише меморију –
memory controller
‰ Генерише сигнале неопходне за за читање и
упис у меморију.
‰ Преставља интерфејс између меморије и
главних делова система
‰ Део је чипсета

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 38


Приступ меморији и време приступа

‰ Приступ меморији (memory access): читање


и писање података
‰ Меморијски контролер генерише
одговарајуће сигнале да би дефинисао
локацију у меморији (адресу мем. ћелије) и
o поставља податке на data bus (читање)
o прихвата податке са data bus (упис)
‰ Размена података може бити са процесором
или са периферијом.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 39


Адресирање меморијског чипа
‰ пример 16Мb чип, 4Мx4bita
(4x1024x1024 адреса са по 4 бита)
222 aдреса ⇒ 22 бита за адрсирање
‰ 22 адреснe линија за једнозначно адресирање
‰ У пракси, меморија је престављена као матрица са
редовима и колонама.
‰ користи се упола мање адресних линија (11), у
првом кораку се сматрају адресом реда, а у
наредном адресом колоне

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 40


‰ Последица: спорији приступ меморији него
да се одједном адресира локација
‰ Разлог: цена
o Смањење броја пинова на DRAM чипу
o Смањење броја бафера и других кола
‰ РС има више меморијских чипова
‰ Они се групишу у модуле и банке
‰ Меморијски контролер управља њиховoм
селекцијом

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 41


Поједностављени алгоритам читања
из DRAM-a
‰ на address buss се поставља адреса са које се чита
податак
‰ мем. контролер (МС) декодује адресу и одређује из
ког чипа се податак чита
‰ поставља се адреса реда
‰ након "довољно" времена МС сигнализира да је
адреса реда валидна
‰ МС поставља адресу колоне
‰ након "довољно" .... да је адреса колоне валидна
‰ На излазне пинове меморије (data) се поставља
тражени податак

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 42


Асинхрони DRAM
‰ Аsynchronous DRAM, коришћен код старијих
РС
‰ Меморија није синхронизована са
системским тактом
‰ Може да функционише са споријом
системском магистралом (до 66МHz).

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 43


Синхрони DRAM
‰ Ѕynchronous DRAM – ЅDRAM (1996 год.)
o не треба мешати са скраћеницом ЅRAM
‰ Меморија је синхронизована са системским
тактом
‰ Најједноставнији начин је да се дизајнира
тактовано електронско коло које обавља
један пренос у оквиру једног такта.
o За двоструко већу брзину треба удвостручити такт,
али постоје технолошка ограничења.
‰ Типично време приступа ~ns

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 44


Паковања меморије
‰ Dual in Line (DIP): први чипови су тако названи
јер су паковани у стандардна интегрална кола
тог типа
‰ 8 до 9 чипова је постављано директно на
матичну плочу. 8 чипова за осам бита и девети
за паритет.
‰ Стандардни капацитет 256Kb по чипу односно
256КВ укупно

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 45


Single Inline Memory Module (SIMM)
‰ DIP чипови су заузимали много места на
матичној плочи, постављени су на посебну
штампану плочицу са ивичним конектором и
били лако заменљиви.
‰ Први SIMM су имали по 9 DIP чипова
‰ Реализовани су са 30 и 72 пинским ивичним
конектором
‰ Мем. чипови су 32битски, Пентијум процесори
имају 64битску магистралу ⇒ неопходно
поставити паран број SIMM.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 46


SIMM

‰ SIMM су реализовани као FPM и EDO модули.


‰ Fast Page Mode – FPM DRAM
o Док стандардни DRAM захтева засебно слање реда
и колоне приликом адресирања, FPM једном шаље
адресу реда за приступ више суседних локација
(подржан за bus до 66MHz)
‰ Extended Data Out – EDO DRAM
o користи pipelining, преклапање, нови циклус
приступа започиње пре него што је претходни
завршен

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 47


Dual Inline Memory Module (DIMM)

‰ Дуж конектора постоји два реда контакта.


‰ Укупан број контакта на ивичном модулу 168
‰ Користи се код SDRAM технологије
‰ модули су 64битски, довољно је поставити
један модул на плочу Пентијум рачунара.
‰ Постоје једнострани и двострани модули
o капацитет 32MB до 256 MB

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 48


‰ Постоје два удубљења дуж ивичног
конектора
o Спречава погрешно постављање
o Означава технолошку генерацију модула
‰ SPD – Serial Presence Detect
o Флеш меморија у коју произвођач уписује
податке о карактеристикама модула
o Подаци се користе у Сетап програму за
аутоматско подешавање параметара који
одговарају овом типу меморије .

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 49


DIM SDRAM меморијски модул

SPD чип

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 50


DDR SDRAM
‰ Double Data Rate Synchronous DRAM
‰ Уведена 2002 године као замена за SDRAM.
‰ Обични DRAM модули обављају једну а DDR по две
операције током једног такта
o Користе и узлазну и силазну ивицу такта
o Двострука брзина се корсити само за податке (не и за
адресне и контролне сигнале).
o Теоријски могућ дупло бржи рад
‰ DIMM паковања за DDR SDRAM имају 184 пина.
‰ Једно удубљење на конектору
o правилна оријентација приликом постављања

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 51


DDR SDRAM наставак

‰ Напајање DDR SDRAM je +2.5V


o Утиче на смањење потрошње.
o Потребан посебан регулатор напона на матичној
плочи.
o Класичан SDRAM има напајање 3.3V
‰ Капацитет 64MB до 1GB

SPD чип

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 52


Постављање меморијског
модула

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 53


DDR SDRAM наставак
‰ Ради повећања брзине приступа користи се
двоканални приступ меморији
o Меморијски контролер има два канала којима
може истовремено да приступи у два блока
меморије
o Већи пропусни опсег
o Неопходно постављање модула у паровима
(2, 4, 6 или 8)
o Меморијски модули у једном пару морају имати
исте карактеристике

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 54


DDR SDRAM наставак
‰ Не постоји разлика у архитектури између DDR
SDRAM дизајнираног за рад на различитим
фреквенцијама такта.
o РС-1600 је пројектован за рад на 100 MHz, а РС 2100 за рад
на 133MHz.
‰ Ознака дефинише такт на ком је гарантовано да ће
меморијски модул поуздано радити
o DDR SDRAM може да ради и на нижем и на вишем такту
(одоговрност корисника) од оног за који је предвиђен.

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 55


Карактеристике DDR
(брзина такта маг.) ×2 (двострука брзина) × 64 (број пренетих бита) / 8

Име и Такт Време Такт Назив Макс.


Тип Меморије циклуса Магис. Модула Брзина
Преноса

DDR– 100 MHz 10 ns 100 MHz PC–1600 1600 MB/s


200

DDR– 133 MHz 7. 5 ns 133 MHz PC–2100 2133 MB/s


266

DDR– 166 MHz 6 ns 166 MHz PC–2700 2667 MB/s


333

DDR– 200 MHz 5 ns 200 MHz PC–3200 3200 MB/s


400

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 56


DDR2 SDRAM
‰ Потиснуо DDR
‰ Уведене модификације ради повећања максималне
фреквенције на којој може да ради.
‰ Напон напајања 1.8V
o Добија се посебним регулатором на матичној плочи
‰ DDR и DDR2 модули нису међусобно компатибилни
‰ Разлика је у архитектури али је принцип рада исти
o Омогућена већа стабилност сигнала ⇒ већи радни такт
(400 MHz и виши)
‰ Потрошња ел. Енергије мања до 30%

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 57


512MB DDR2 modul sa 240–pinоva
‰ Ефикасније користи магистралу података
o Двоструко брже
‰ Неопходно паковање мем. чипова на скупља
BGA паковања.
‰ DIMM паковање DDR2 SDRAM има 240
пинова, један зарез
‰ Алтернатива је Rambus XDR DRAM
o Сличних карактеристика, али због цене није
нашао масовну промену

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 58


Карактеристике DDR2

Име и Тип Такт Време Такт Назив Макс.


Меморије циклуса Магис. Модула Брзина
Преноса
DDR2–400 100 MHz 10 ns 200 MHz PC2–3200 3200 MB/s

DDR2–533 133 MHz 7. 5 ns 266 MHz PC2–4200 4264 MB/s

DDR2–667 166 MHz 6 ns 333 MHz PC2–5300 5336 MB/s

DDR2–800 200 MHz 5 ns 400 MHz PC2–6400 6400 MB/s

DDR2–1066 266 MHz 3. 75 ns 533 MHz PC2–8500 8500 MB/s

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 59


DDR3 SDRAM
‰ Користи магистралу података на 4 пута већој
брзини.
‰ Меморијски модули до 16GB
‰ Потрошња мања и до 30% мања у односу на DDR2
‰ Напон напајања 1.5V
‰ Нису компатибилни са DDR2
‰ DIMM паковање DDR3 SDRAM има 240 пинова
(исто као), један зарез (различита локација у односу
на DDR2)

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 60


Карактеристике DDR3

Име и Такт Време Такт Назив Макс.


Тип Меморије Циклуса Магистрале Модула Брзина
Преноса

DDR3– 100 MHz 10 ns 400 MHz PC3–6400 6400 MB/s


800

DDR3– 133 MHz 7. 5 ns 533 MHz PC3–8500 8533 MB/s


1066

DDR3– 166 MHz 6 ns 667 MHz PC3–10600 10667 MB/s


1333

DDR3– 200 MHz 5 ns 800 MHz PC3–12800 12800 MB/s


1600

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 61


‰ Хвала на пажњи, питања...

РП 10/11 02_Меморије Зоран Бањац 62

You might also like