Slide G P 5 Chương

Đại học Bách khoa Hà Nội
Viện Vật lý kỹ thuật
BÀI GIẢNG VẬT LÝ ĐIỆN TỬ

Đỗ Đức Thọ
Email: tho.doduc@hust.edu.vn P. 211- C9

Tài liệu tham khảo
1. Phùng Hồ, Giáo trình Vật lý điện tử, NXB Khoa học và Kỹ thuật, Hà Nội
(2002)
2. Lương Duyên Bình, Vật lý đại cương, tập II, III, NXB Giáo dục Việt Nam
(2012)
3. Richard L. Liboff, Instrodutory Quantum Mechanics, Addison-Wesley
Publishing Company (1980)
4. Phùng Hồ, Phan Quốc Phô, Giáo trình Vật lý bán dẫn, NXB Khoa học và Kỹ
thuật, Hà Nội (2001)
5. P. Grivet, Electron Optics, 2nd English Edition, Pergamon Press Ltd. (1972)
6. Gerd Keiser, Optical Fiber Communications, 2nd Edition, McGraw-Hill, Inc
(1991)
7. Đỗ Ngọc Uấn, Giáo trình vật lý chất rắn đại cương, NXB Khoa học và Kỹ
thuật, Hà Nội (2003)
8. C. Kittel, Introduction to solid state physics, 8th edition, Wiley Publisher
(2004)
9. Phạm Thúc Tuyền, Cơ học lượng tử, Nhà xuất bản Đại học quốc gia (2007)
10. Nguyễn Hoài Nam, Hệ thống thông tin sợi quang, NXB Khoa học và Kỹ thuật,
Hà Nội (2002)
11. Richard S. Quimby, Photonics and lasers, John Wiley & SONS, Hoboken,
New Jersey (2006)
Electron (điện tử)
• Từ electron bắt nguồn từ tiếng Hy Lạp, nghĩa là
“hổ phách”
• Hạt sơ cấp
• Điện tích: -1,602.10-19 C
• Khối lượng: 9,1. 10-31 kg
• Spin: ½
• Được khám phá vào năm 1897 bởi Joseph John
Thomson tại PTN Cavendish, ĐH Cambrige.
• Người ta cho rằng: số electron để có thể bao trùm
vũ trụ là 10130, số electron hiện có là 1079.
Chương 1
Chuyển động của hạt tích điện trong
chân không
Nội dung:
1. Phương trình chuyển động trong điện trường và từ trường
2. Chuyển động của hạt tích điện trong điện trường đều
3. Chuyển động của hạt tích điện trong từ trường đều
4. Chuyển động dưới tác dụng đồng thời của điện và từ trường
5. Sự tương tự cơ quang
6. Chuyển động trong trường tĩnh điện không đều, thấu kính tĩnh điện
7. Chuyển động trong trường tĩnh điện không đều, thấu kính từ
8. Chuyển động với vận tốc gần bằng vận tốc ánh sáng
Một số thiết bị điện tử ứng dụng sự chuyển động của các hạt tích điện
dưới tác dụng của điện trường và từ trường
Analog Oscilloscope 2445B, Tektronix
JEOL JSM-7500F
Crookes tube
Thermal Ionization Mass Spectrometry

I. Phương trình chuyển động của hạt tích điện trong điện trường và
từ trường không đổi
Hạt tích điện có khối lượng m, điện tích +q,vận tốc trong
 điện trường
và từ trường sẽ chịu tác dụng của lực: v
    
F  qE  q  v  B  E q 
Fm

B
   
  d  mv     Fe v
F  ma   qE  q  v  B  F
dt
V2 B
 
2
v v , t2
 mv 
2
d V1  
 
 2   dWk  q v .E A
 v1 ,v2 , V1, V2 - Vận tốc và điện thế
dt dt
  v , t1
1 của hạt tại A và B.
Lấy tích phân dọc theo quỹ đạo AB trong khoảng thời gian từ t1 đến t2
B   B  UAB - Hiệu điện thế giữa
Wk 2  Wk 1  q  Ed s   q  Vd s  q V1  V2   qU AB
A A A và B
I. Phương trình chuyển động của hạt tích điện trong điện trường và
từ trường không đổi
Nhận xét:
 Sự biến đổi động năng của hạt gây ra bởi điện trường, từ trường tĩnh
chỉ làm thay đổi hướng chuyển động của hạt,
 Năng lượng toàn phần của hạt được bảo toàn,
 Khi điện tích chuyển động trong trường tĩnh điện thì sự thay đổi
động năng của hạt được xác định bởi hiệu điện thế U.
Nếu hạt là điện tử
m
v  6.105 U  
s
2q Nếu hạt là proton
Vận tốc của hạt: v U m
m v  1, 4.104 U  
s
II. Một số bài toán chuyển động của hạt tích điện trong điện trường
và từ trường
q
  
Phương trình chuyển động của hạt: d  v E
m  qE
dt
 
 
r t  t 0
 r
Với điều kiện ban đầu:   
0
 
v t  t0
 v 0
Vận tốc của hạt: 

Fe
  tq   q
v  v0   Edt v  v0  E  t  t0 
t m0 m
Tọa độ của hạt:

  t
r  r0   vdt    q  2
r  r0  v0  t  t0   E  t  t0 
t0
2m
và từ trường
Xét trường hợp: Chuyển động của chùm điện tử trong tụ điện phẳng là
hai bản lái tia của ống tia điện tử trong máy dao động ký điện tử.
Tụ điện có:
Điện trường giữa hai bản tụ:  Chiều dài l1
 Khoảng cách giữa hai bản tụ d
UK
E  Hiệu điện thế giữa hai bản tụ Uk
d
 Điện thế của cực gia tốc U0
và từ trường
  
Chọn hệ tọa độ: E   0,0, E  ; v0   v0 ,0,0  ; r0  0; t0 = 0
 e    e  2 
Nghiệm của bài toán có dạng: v   Et  v0 ; r   Et  v0t
m 2m
Dạng thành phần: 2e  2e
 v x
 v0
 U0  x  v0t  U0 .t
 m m

 vy  0  y0
 e e Uk  e e Uk 2
2
 zv   Et   t z   Et   t
 m m d  2m 2m d
 Uk 2
 z   x
Quỹ đạo của điện tử:  4dU0
 y0

và từ trường
Trong vùng tác dụng của điện trường:
 Quỹ đạo của điện tử là một đường parabol phẳng.
 Quỹ đạo của điện tử không phụ thuộc vào các đặc trưng của hạt ( khối lượng, điện
tích) với Uk , U0 cho trước  trường tĩnh điện không có khả năng phân tách các
hạt theo đặc trưng của chúng.
 Nếu thay đổi Uk và U0 cùng một số lần như nhau thì quỹ đạo của hạt không đổi.
2
Uk l1  l1  D z   e U k 2
U l
k 1
Độ lệch D: D  D1  D2     l2  1 1
t1
 
U0 2 d  2  2m d U0 4 d
l l1
t1  1 
v0 2e
U0
m
D l1  l1  vz  t1  Uk l1
Độ nhạy S: S     l2  D2  l2 tg =  l2
Uk 2dU0  2  vx  t1  U0 2 d
và từ trường
Sơ đồ nguyên lý hoạt động của máy dao động ký điện tử:

và từ trường

Phương trình chuyển động của hạt: d  v  
  m  q  v  B
 trường hợp: v0  B dt

Chọn hệ tọa độ sao cho: B   0, B,0  ; v 0   v0 ,0,0  ;
2e
v0  U0
m
l1 - chiều dài vùng tác dụng
của từ trường
l2 - khoảng cách từ cuối vùng tác dụng
của từ trường đến màn hình
x x2 eB e Bx2
Khi  nhỏ: z  x.   
2 R 2mv0 2mU0 2
và từ trường
Quỹ đạo của hạt trong từ trường tĩnh phụ thuộc vào các đặc trưng của
hạt ( vào tỷ số q/m)  từ trường tĩnh có khả năng phân tách chùm
điện tích theo các đặc trưng của hạt.
l12 eB e Bl12 l1eB e
D1    ; D2  l2 tg  l2  Bl1l2
2mv0 2mU0 2 mv0 2mU0
Độ lệch D: D  D1  D2  e l 
Bl1  1  l2 
2mU0  2 
Độ nhạy S: D e  l1 B
S  l1   l2 
I 2mU0  2 I
và từ trường
và từ trường
 
 trường hợp:  0 
o
v , B    90
  
v0  v0  v0
Chuyển động quay theo Chuyển động tịnh tiến

quỹ đạo tròn. song song với đường
sức từ. 
v0

Quỹ đạo của điện tích: đường có dạng lò v0
xo (đường đinh ốc) vấn lấy đường sức từ
Khi đường sức không song song

và từ trường
3. Chuyển động của hạt tích điện trong chân không dưới tác dụng đồng thời của
điện trường và từ trường đều
 
 trường hợp E || B
 
Chọn hệ tọa độ: E   0,0, E  ; B   0,0, B 

  v0 , zˆ   
Nếu   
r  t  0   r0
mv
 Chuyển động quay: R  0
qB
 Chuyển động tịnh tiến
với vận tốc:
qE Quỹ đạo của điện tích
vz  v0  t
m
và từ trường
3. Chuyển động của hạt tích điện trong chân không dưới tác dụng đồng thời của
điện trường và từ trường đều
 
 trường hợp: E  B

Chọn hệ tọa độ: E   E ,0,0  ;
 
B   0,0, B  ; v0   v0 x , v0 y ,0 
Dạng thành phần của pt. chuyển động:
d2 x q  -
  E  
yB  
dt 2 m  qB
 z 0 = 0; t 0 =0; x 0 =0; y 0 =0; v  0 
d2 y q  0
m
2
  xB  
dt m   m E qB 
2  x 
t   1  cos t   R0 1  cos t 
d z   qB B  m 
 0  
dt 2   y  t    E t  m E sin qB t   E t  R sin t
0
 B qB B m B
và từ trường
III. Sự tương tự quang cơ
Quang học Cơ học

Nguyên lý tác dụng cực tiểu ( nguyên lý Nguyên lý tác dụng cực tiểu: đối với hạt
Ferma): tia sáng lan truyền từ điểm A chuyển động trong trường thế ta có:
đến điểm B theo quỹ đạo nào mà có thời
gian lan truyền là cực tiểu
 B ds   B mv2 
 
A
B
  dt       
A v 
 nds   0
B

A
 
A
B
  Tdt    
A 2
dt   0

Trong trường tĩnh điện:   B


A

U ds  0
Quang học
các
chùm điện tử
Quang học các chùm điện tử Quang học các tia sáng
1. Trong vùng điện thế không đổi (U = 1. Trong môi trường đồng nhất ánh
const) hạt điện tích chuyển động thẳng sáng bao giờ cũng truyền thẳng
(vU) 2. Tia sáng bị khúc xạ khi đi qua mặt
2. Nếu chùm hạt tích điện phản xạ trên giới hạn giữa hai môi trường có chiết
bề mặt đẳng thế thì góc tới bằng góc suất n1 và n2 sao cho:
phản xạ sin  n2
3. Khi hạt điện tích chuyển động từ vùng 
có điện thế U1 sang vùng có điện thế sin  n1
U2 thì 3. Góc phản xạ bằng góc tới:  = ’
sin  U2

sin  U1
Điều kiện phản xạ toàn phần của một chùm tia điện tử:

Hướng một chùm điện tử có vận tốc v0  0
vào bề mặt kim loại có điện thế là Uc.
 Điều kiện để điện tử rơi lên
bề mặt kim loại: m v2  eU
0x c
2
m 2
Hay: v0 cos2   eUc eU0 1  sin2    eUc
2
 Điều kiện để điện tử phản xạ trở lại (tương tự như đ.k phản xạ
toàn phần trong quang học):
Uc
sin   1 
U0
Xác định quỹ đạo điện tích trong một trường thế tĩnh điện bất kỳ:
 Biểu diễn trường tĩnh điện bằng t. h rất nhiều mặt đẳng thế phân bố
sát nhau sao cho điện trường trong khoảng không gian giữa hai mặt
đẳng thế là không đổi và bằng:
Ui+Ui+1
U=
2
 Định luật khúc xạ qua mặt thứ i:

sin αi Ui+1+Ui

sin βi U +Ui
i-1
Quỹ đạo thật sự của hạt được thay thế gần đúng bằng một đường gãy
khúc gồm nhiều đoạn thẳng nối với nhau.
IV. Chuyển động trong trường tĩnh điện không đều, thấu kính tĩnh
điện
Cấu tạo của thấu kính tĩnh điện:
 Hai điện cực có hình dạng đối xứng trục U1 < U2;
 Các điện cực có thể là những hình trụ đồng trục hoặc có dạng
phẳng với lỗ tròn ở giữa (điaphram).
Khảo sát định tính: xét quỹ đạocủa điện tử khi qua thấu kính, đi từ miền U1 sang U2
 Lực tác  dụng lên điện tử: F  Fr  Fz
 Lực Fr có tác dụng hội tụ do có chiều hướng vào trục của thấu kính.
 Ở bên phải của tâm khe lực Fr có tác dụng phân kỳ nhưng tác dụng phân kỳ
không triệt tiêu hoàn toàn tác dụng hội tụ của phần bên trái  khi một chùm điện tử
song song với trục thấu kính vẫn cắt trục tại một điểm nào đó (tiêu điểm phải của
thấu kính). Tiêu cự phía trái và phía phải có thể khác nhau.
điện
Khảo sát định lượng:
 Lực hướng trục Fr  r  U(r) = U(-r)
 Hàm U(r) phải thỏa mãn phương trình Laplace:
2
 U 1 U  U 2
1   U  2U
2
  2 0 hay r  2 0
r r r z r r  r  z
 Khi chùm điện tử hẹp (r nhỏ) ta có:
n
U  r , z    Un  z  rn  U0  z   U1  z  r  U2  z  r2  ...
0
Do tính đối xứng trục nên chỉ còn lại số hạng có số mũ của r chẵn
U  r , z   U0  z   U2  z  r 2  U4  z  r 4  ...
 Từ điều kiện phương trình Laplace và đối xứng trục ta có:
r 2 ''
U  r , z   U0  z   U0  ...
4
U0  z  - điện thế trên trục của thấu kính, U0''  z  - đạo hàm bậc hai theo z trên trục
thấu kính.
điện
Các lực của điện trường tác dụng vào điện tử:
U
 Lực theo trục z (bỏ qua U0 ): "
Fz
 
mz  e  eU '
0
U er z
 Lực theo r: Fr  mr  e   U0"
r 2
1 2
Theo trục z vận tốc của điện tử (gần đúng): mz  eU0
2
Ta có hệ thức: r  z r  
2 " '
zr
dr d 2 r ' dr " d 2 r
Trong đó: r  ;  r 2;r  ; r  2
dt dt dz dz
Thay các giá trị: r, 
r , r' , r" , z, 
z vào hệ thức trên ta được:
Phương trình cơ bản U0' ' U0"

r " r r 0
của thấu kính tĩnh điện 2U0 4U0
điện
Thấu kính tĩnh điện mỏng: là thấu kính tĩnh điện mà vùng không gian

trong thấu kính có E  0 hẹp, trong vùng đó r không kịp thay đổi nhiều
Xác định tiêu cự của thấu kính:
Phương trình cơ bản của thấu kính được viết lại
' "
như sau: U U
U0 r " 0 r'  0 r  0
2 U0 4 U0
1 U0  z 
"
 
hay:  U0  z     r z
z  z  4 U0  z 
Lấy tích phân theo z từ S đến S1 ta có:
S1
r r 1 U0"  z 
U0  z 
z S
1
 U0  z 
z S

4 
S
U0  z 
r  z  dz (*)
điện
Do hàm số dưới dấu tích phân khác không (0) trong một vùng rất hẹp
r r0 r r0
và trong đó r thay đổi rất ít (r  r0 )   tg  ;  tg   
z S d z S d1 1
Thay các giá trị thu được vào (*) ta có:


r0 U0  S1  r0 U0  S  r0 U0"  z 

d1

d

4 

U0  z 
dz
Trong đó: U0  S1   U0  z  S1  ; U0  S   U0  z  S  ;

1 1 U0"  z 
 Khi d  , d1 = f2  
f2 4 U0  S1 



U0  z 
dz

1 1 U0"  z 
 Khi d1  , d = f1  
f1 4 U0  S   U  z

0
dz
điện
Nhận xét: - nếu U0"  0 thì f > 0  thấu kính hội tụ

"
- nếu U0  0 thì f < 0  thấu kính phân kỳ
f1 U0  S  U2
Tỷ lệ giữa hai tiêu cự:  
f2 U0  S1  U1
4U D UD
Trường hợp đơn giản nhất: f 
E2  E1
E2  U A  U D  / d2 ; E1  UD  UG  / d1
UA – điện thế anot, UG – điện thế lưới, UD – điện thế tại tâm của điapham (so với
catot), d1 – khoảng cách giữa lướivà điapham, d2 – khoảng cách điapham và anot,
 
E1 ; E2 – điện trường bên trái và bên phải của điapham.
điện
http://novarials.com/ProductsZnONWs.html
Wang, Z. L. (2004). Nanostructures of zinc oxide. Materials Today,

7(6), 26–33. https://doi.org/10.1016/S1369-7021(04)00286-X
V. Chuyển động trong từ trường tĩnh không đều, thấu kính từ
Cuộn dây ngắn được xem là thấu kính từ mỏng. Từ trường của nó
không đều nhưng có đối xứng trục.
  
B  Br  Bz

Điện tử có vận tốc ban đầu v0
hướng từ trái sang phải và
song song với trục:
2e
v0  U0
m
Khảo sát định lượng:
   
 Do tác dụng của Br  F  e  v0  Br 

 Lực F làm điện tử có xu hướng chuyển động quanh trục của cuộn
er
dây với vận tốc: v  Bz
2m e2 r 2
 Lực hướng trục: Fr  v Bz  Bz
2m
V. Chuyển động trong từ trường tĩnh không đều, thấu kính từ
Phương trình cơ bản
 của thấu kính tĩnh từ
 d 2r  
 m 2
  e  v B 2
d 2 r e Bz 0  z 
Từ hệ phương trình:  d t 2
 r 0
 1   r B    Bz  0 dz m 8U0
 r  r r
z
1 e  2
Xác định tiêu cự của thấu kính:   Bz 0  z dz
f 8U0 
Bz0 – thành phần Bz (theo trục z) của từ trường tại các điểm trên trục thấu kính
(r = 0).
Nhận xét: Do f luôn > 0 thấu kính luôn hội tụ
Ảnh của vật qua thấu kính sẽ bị quay đi một
góc:
1 e 
  B0 z  z dz
2 2mU0 
VI. Chuyển động với vận tốc gần bằng vận tốc ánh sáng
Trường hợp tương đối tính (khối lượng thay đổi theo vận tốc của vật)
Biểu thức của định luật II Newton (cổ điển) có dạng: 

 d  p  d m v  d   
m0 v 
F   
dt dt dt  1  v2 
 c 2 
Trong đó: m0 – khối lượng tĩnh của hạt;
m0
m – khối lượng của hạt khi chuyển động và: m  2 2
  m0
1 v c
Xác địnhv biểu thức
 tính động năng
 (Xét bài toán
 một chiều):
 
v v
 v
 
 mv  d s  d  mv   d  mv  v 
 s
d d

T  Fd s 
0

dt
0
0
dt 
0
 
v v
   2 


0
 dm.v+mdv  v 
m0
0
 dm.v +mdv.v 
m 2
(1)
Mặt khác: m  m2  0
m2 c2  m2 v2  m02 c2 (2)
1  v2 c2 1  v2 c2
Năng lượng toàn phần
Năng lượng nghỉ
Động năng của hạt: T  E  E0  mc2  m0 c2
2 2 2
Năng lượng toàn phần của hạt: E  E0   pc  
2
 m0 c    pc 
Khi hạt được gia tốc bởi một hiệu điện thế U:
m0 c2 2 1
T  E  E0   m0 c  qU v  c 1 2
2 2
1 v c  qU 
1 
 m c2 
 0 
m eU U
Đối với điện tử:  1  1 
m0 m0 c2 511.103
Nhận xét: khi gia tốc điện tử bởi hiệu điện thế U  511 kV m  2m0
2
Năng lượng tĩnh của điện tử: E0  m0 c2  9,1.1031.  3.108   0,511MeV
Biểu thức của định luật khúc xạ có dạng:
2m0 c2
U2 1 
sin  p2 qU2
 
sin  p1 2m0 c2
U1 1 
qU1
Chỉ số khúc xạ (trong quang học điện tử):
2m0 c2
n  U 1
qU
m0
Do n  U và n  q  quy luật đồng dạng không đúng nữa
Các hạt tương đối tính vẫn chuyển động bình thường như hạt cổ điển
trong từ trường. mv m0 v
R 
Bán kính cong của quỹ đạo của hạt điện tích: qB v2
qB 1  2
Máy cyclotron: dùng để gia tốc hạt c
Cấu tạo:
 Hai nửa của một hình trụ dẹt cách
điện với nhau bằng một khe hở nối với
nguồn điện cao tần,
 Hai điện cực này được đặt trong
chân không (cỡ 10-9 – 10-10 mm Hg) và
từ trường vuông góc với mặt đáy.
Nguyên tắc hoạt động: Hạt được gia tốc bởi điện trường có chu kỳ thay đổi
chiều bằng chu kỳ quay của điện tử. Quá trình này được lặp lại hạt sẽ được tăng tốc
và mở rộng bán kính.
Chương 2
Một số vấn đề của vật lý lượng tử
Nội dung:
I. Lưỡng tính sóng hạt của các hệ vi mô
II. Các tính chất của sóng De Broglie
III. Nguyên lý bất định Heisenberg
IV. Phương trình cơ bản của cơ học lượng tử
V. Toán tử trong cơ học lượng tử
VI. Một số bài toán đơn giản của cơ học lượng tử
Sơ lược lịch sử:
• Năm 1900, Max Planck đưa ra ý tưởng là năng lượng phát xạ bị lượng tử hóa để giải thích về
sự phụ thuộc của năng lượng phát xạ vào tần số của một vật đen.
• Năm 1905, Einstein giải thích hiệu ứng quang điện.
• Năm 1913, Bohr giải thích quang phổ vạch của nguyên tử hyđrô lại bằng giả thuyết lượng tử.
• Năm 1924 Louis de Broglie đưa ra lý thuyết của ông về sóng vật chất.
• Năm 1925, khi Heisenberg phát triển cơ học ma trận và Schrödinger sáng tạo ra cơ học
sóng và phương trình Schrödinger.
I. LƯỠNG TÍNH SÓNG HẠT CỦA CÁC HỆ VI MÔ
1. Lưỡng tính sóng hạt của bức xạ điện từ
a. Hiệu ứng quang điện:
Thí nghiệm: cho ánh sáng chiếu vào một bản kim loại đặt trong bình kín đã rút
hết không khí.
Ta có thể: thay đổi tần số , thay đổi hiệu
điện thế giữa cực phát và cực góp, thay đổi
vật liệu làm cực phát.
Kết quả quan sát:
1. t ∼10-9 s,
2. Khi ν, U không đổi: Iph ~ Ibx ,
3. Khi ν, Ibx không đổi tồn tại một giá trị Us (hiệu điện thế hãm) không phụ
thuộc vào Ibx ,
4. Đối với vật liệu làm cực phát cho trước: eUs = hv-W0 ,
5. Đối với vật liệu làm cực phát cho trước tồn tại tần số ngưỡng s sao cho khi
ánh sáng tới có  < s thì không xảy ra hiện tượng quang điện.
Thuyết lượng tử ánh sáng (Einstein):
 Bức xạ điện từ được tạo thành từ các photon (lượng tử);
hc
 Năng lượng của photon: E  hv  ;

 Mỗi photon sẽ tương tác hoàn toàn hoặc không tương tác với vật chất.
Thuyết lượng tử ánh sáng giải thích các kết quả quan sát được từ hiện tượng
quang điện:
 Động năng của điện tử khi bị bứt ra khỏi bề mặt kim loại: T  hv  W0
 Động năng cực đại của điện tử: Tmax  hv  
 = W0,min – công thoát của vật liệu.
 Tần số ngưỡng: T  0  hvs  W0,min  
Thuyết lượng tử ánh sáng giải thích được kết quả (3), (4), (5). Kết quả (1)
cũng giải thích được khi coi sự hấp thụ của photon là tức thời.
b. Hiệu ứng Compton
Trong phổ tán xạ của chùm tia X
có bước sóng  khi cho dọi vào các
chất như paraphin, graphit,... xuất
hiện vạch có bước sóng ’ > .
Thuyết sóng ánh sáng:

Bức xạ điện từ bị tán xạ trên một hạt
tích điện thì bức xạ tán xạ về khắp
mọi phương có cùng tần số như bức
xạ tới:    '
Thuyết lượng tử ánh sáng:

Tần số của bức xạ tán xạ phải
nhỏ hơn tần số của bức xạ tới và
phụ thuộc vào góc tán xạ:   '
Giải thích hiệu ứng Compton: Kết quả trên đây có thể tính được nếu xem
tán xạ giữa photon và điện tử là va chạm đàn hồi giữa hai hạt, một hạt đang
bay (photon) và một hạt đứng yên (điện tử).
Năng lượng Động lượng
Hạt Trước Sau Trước Sau
va chạm va chạm va chạm va chạm
hc hc h h
photon
i f i f
me,0 c 2 me v
electron me,0 c 2 v 2
0 v2
1 1 2
c2 c
h
c  - Bước sóng Compton
me,0 c
h
   '    1  cos   0
me,0 c e
Đối với điện tử:   0.0234 A
c
2. Lưỡng tính sóng hạt của vật chất
Giả thuyết De Broglie: Nếu bức xạ điện từ hoạt động lúc như một
sóng, lúc như một hạt thì các đối tượng vật chất khác, chẳng hạn như
electron, thường được xem như là hạt cũng có khi hoạt động như một sóng.
E h
Đối với photon : v 
h p
Dựa vào tính chất đối xứng của tự nhiên De Broglie đưa ra giả thuyết là
các bước sóng kết hợp với hạt phải thỏa mãn các hệ thức giống như các hệ
thức tương ứng của photon.
Tiên đề De Broglie: Mỗi hạt đều kết hợp với một sóng mà bước sóng được
xác định theo hệ thức:
h h
 
p mv
a. Định luật nhiễu xạ tia Rơnghen của Bragg
Thí nghiệm:
Chiếu chùm tia Rơnghen lên bề mặt tinh thể
 Mỗi mặt phẳng nguyên tử (mặt phẳng Bragg)
trong tinh thể đều phản xạ bức xạ tới giống
hệt một gương phản xạ ánh sáng.
 Nếu xét các tia phản xạ từ các mặt phẳng Bragg song song và cách đều
nhau một khoảng d thì các tia phản xạ đó có thể cho cực đại giao thoa.
Điều kiện để có cực đại giao thoa:
2d sin   n
b. Thí nghiệm nhiễu xạ điện tử (Davisson-Germer)
Thí nghiệm:
Chiếu chùm điện tử có năng lượng
54eV đập vào một đơn tinh thể Ni.
Kết quả: Hai nhà khoa học đã thu được
một bức tranh nhiễu xạ điện tử.
Lý thuyết (U = 54V):
h
   1,67 A0 Thực nghiệm ( =500):
p
0 500
2d sin   2.0,91sin(90  )    1,65 A0
2
c. Thí nghiệm G. P. Thomson
(a) (b)
Nhiễu xạ điện tử trên
tinh thể vàng (a) và Zinconium oxide (b)
II. CÁC TÍNH CHẤT CỦA SÓNG DE BROGLIE
1. Hàm sóng phẳng De Broglie
Hàm sóng: biểu diễn sự biến thiên của một đại lượng vật lý theo không gian và
thời gian.
 Sóng cơ: ly độ ( độ lệch) khỏi vị trí cân bằng của một phần tử vật chất.
 
 Sóng điện từ: vectơ cường độ điện trường E, vectơ cảm ứng từ B.

Biểu thức của hàm sóng có dạng: D  A cos t  kr  

D - Đại lượng vật lý biến đổi; A - Biên độ;  - tần số góc; k - Véctơ sóng;  - Bước sóng;
2
k  - Số sóng.

1. Hàm sóng phẳng De Broglie
 Sóng De Broglie: chuyển động của một vi hạt tự do (không chịu tác dụng
của ngoại lực) có thể được mô tả bằng một hàm sóng phẳng đơn sắc có dạng:

 i t  kr 
  r , t   Ae
2p
k 
E    
h
p

i 
  Et  pr 

  r , t   Ae 
Hàm sóng De Broglie được đặc trưng bởi năng lượng hạt E và vectơ động
lượng p của hạt.
2. Ý nghĩa xác suất của sóng De Broglie
a. Ý nghĩa xác suất của bức xạ điện từ
Giả sử có ảnh giao thoa qua hai khe nằm sát nhau của ánh sáng (bức xạ điện
từ).
Theo quan điểm sóng: I   0 cE 2
Theo quan điểm hạt: I  h N
I  h N   0 cE 2 N ~ E2
Theo quan điểm lượng tử: đại lượng dao động (điện trường) phải là một
hàm mà bình phương của nó cho ta thấy xác suất để tìm thấy photon tại một
điểm cho trước.
2. Ý nghĩa xác suất của sóng De Broglie
b. Ý nghĩa xác suất của sóng vật chất
Ý nghĩa xác suất dựa trên lưỡng tính sóng-hạt của ánh sáng được mở rộng
cho lưỡng tính sóng hạt của vật chất:
 Sóng kết hợp với điện tử cho phép giải thích đúng ảnh nhiễu xạ điện tử, thì
cũng chính sóng đó được biểu diễn bởi hàm sóng mà giá trị tuyệt đối bình
phương ||2 cho ta xác suất tìm thấy một điện tử tại một điểm cho trước.
Muốn kết hợp các cách biểu diễn sóng và hạt:

 Ta không thể cho rằng mỗi hạt cho trước phải được định xứ rõ ràng, phải có
quỹ đạo xác định.
 Ta chỉ được phép nói về xác suất tìm hạt tại một điểm xác định ở một thời
điểm đã cho.
3. Nhóm sóng. Sự lan truyền của sóng De Broglie
Vận tốc truyền sóng De Broglie (giả thiết theo phương x) được xác định như sau:
 tại thời điểm t, pha nào đó của sóng có giá trị α truyền đến điểm x
 tại thời điểm t+dt, pha đó truyền đến điểm x+x
  Et  px  E  t  dt   p  x  dx   const
dx E 
Edt  pdx  0 vf    vf - vận tốc pha của sóng
dt p k
Áp dụng tính toán trên đây cho sóng De Broglie ta có:

 E mc 2 c 2

vf      c
k k p mv v
Theo thuyết tương đối: vận tốc của hạt không thể lớn hơn vận tốc ánh sáng
 vận tốc pha của sóng De Broglie không có ý nghĩa vật lý trực tiếp, nó không
đặc trưng cho tốc độ truyền hạt, truyền năng lượng hay tín hiệu.
Để giải mô tả tính chất sóng cùng với tính chất hạt của hệ vi mô cơ học
lượng tử cho rằng: chuyển động của các hạt không phải ứng với các sóng đơn
sắc riêng biệt, mà là ứng với một tập hợp các sóng có tần số khác nhau.
Nhóm sóng (bó sóng): Tổ hợp các sóng đơn sắc có tần số gần nhau.
Hàm sóng của nhóm sóng có dạng:

i
 Et  px  sin  p  E 
  x, t   Be  B  0 ;   x  t
 2  p 
https://sites.google.com/site/puenggphysics/ho
me/unit-iv/uncertainty-principle
Vận tốc của nhóm sóng: là vận tốc chuyển động của toàn bộ nhóm sóng
Vận tốc của nhóm sóng được xác định từ điều kiện dịch chuyển một biên độ
xác định nào đó của nhóm sóng. Giả sử ta chọn một biên độ nào đó có trị số
không đổi sao cho: p  E 
   x  t   const
2  p 
Lập luận tương tự như khi tìm vận tốc pha, ta có: v g  dx  E
dt p
vg – vận tốc của nhóm sóng
Trong trường hợp hạt tự do: v g 

E


 c p 2  m2c2 v
p p
Như vậy vg của nhóm sóng đúng bằng vận tốc v của hạt chuyển động!
III. NGUYÊN LÝ BẤT ĐỊNH HEISENBERG
1. Hệ thức bất định về tọa độ và xung lượng của hạt
Xét hiện tượng nhiễu xạ của một chùm vi hạt qua một khe có chiều rộng b.
Sau khi qua khe: x
 hạt bị nhiễu xạ theo những 

phương khác nhau p b
1
 Mật độ chùm hạt nhiễu xạ trên  y
màn sẽ phụ thuộc vào góc nhiễu xạ 

 Hình chiếu của p lên trục x: 0 ≤ px ≤ psin các hạt có thể rơi vào cực đại
giữa hoặc cực đại phụ px được xác định với độ bất định nào đó
.
 Hình chiếu px được xác định với độ bất định nhỏ nhất (px nhỏ nhất) ứng với
trường hợp hạt rơi vào cực đại giữa nghĩa là: px  psin1
Vị trí của hạt trong khe: được xác định với độ bất định: x b
Điều kiện giao thoa bậc nhất: sin1   b

1. Hệ thức bất định về tọa độ và xung lượng của hạt
Như vậy: xp x  p x  p x  h
Lí luận tương tự ta có: yp y  h; z pz  h
Cơ học lượng tử chứng minh: xpx  
Hệ thức này chứng tỏ vị trí và động lượng của hạt không được xác định
đồng thời. Vị trí của hạt càng xác định thì động lượng của càng bất định và
ngược lại.
Ví dụ: trong nguyên tử, electron chuyển động trong phạm vi 10-10 m. Như
vậy: x = 10-10 m.
p x h 6,62.1034 6
Độ bất định về vận tốc bằng: v x    31 10
 7.10  m/s 
me me x 9.10 10
vx khá lớn  electron không có vận tốc xác định, nghĩa là electron không
chuyển động theo một quỹ đạo xác định trong nguyên tử  trong thế giới vi
mô, khái niệm quỹ đạo không có ý nghĩa.
2. Hệ thức bất định về năng lượng và thời gian
E  t  
Nếu năng lượng của hệ ở một trạng thái nào đó càng bất định thì thời gian
để hệ tồn tại ở trạng thái đó càng ngắn và ngược lại. Trạng thái có năng lượng
bất định là trạng thái không bền, trạng thái có năng lượng xác định là trạng thái
bền
3. Nguyên lý bổ sung
Các tính chất sóng và hạt bổ sung cho nhau theo ý nghĩa là cả hai mô hình
sóng, hạt đều cần thiết để ta hiểu được đầy đủ các tính chất của vật chất tuy vẫn
không thể quan sát được đồng thời các đặc trưng sóng và hạt.
IV. PHƯƠNG TRÌNH CƠ BẢN CỦA CƠ HỌC LƯỢNG TỬ.
PHƯƠNG TRÌNH SCHRÖDINGER
Phương trình Schrödinger: mô tả định lượng trạng thái chuyển động của các
đối tượng vi mô có lưỡng tính sóng-hạt là một phương trình:
 Thể hiện lưỡng tính sóng-hạt của đối tượng, giống như phương trình
Newton đối với các hệ vĩ mô hay phương trình Maxwell đối với sóng điện từ.
 Thỏa mãn đồng thời giả thiết De Broglie và sự phụ thuộc giữa E và  qua
hằng số Planck.
 2
i    U 
t 2m
2 2 2
Trong đó:   2  2  2 - Toán tử Laplace trong hệ tọa độ Oxyz;
x y z
 
U  r , t  - Thế năng của hệ;   r , t  - Hàm sóng mô tả trạng thái của hệ
 
Biết dạng cụ thể của U  r , t  , giải phương trình trên, ta tìm được   r , t  và
E,  xác định được trạng thái của vi hạt. Nói cách khác, phương trình
Schrödinger mô tả sự vận động của vi hạt.
Nếu U không phụ thuộc vào thời gian  năng lượng toàn phần của vi hạt sẽ
bảo toàn.
Trạng thái dừng: là trạng thái của hệ trong đó năng lượng có giá trị hoàn
toàn xác định, không đổi.
Ở trạng thái dừng, hàm sóng có thể được biểu diễn dưới dạng:
  x, y , z, t     x, y , z   t 
Thế dạng của hàm sóng này vào phương trình Schrödinger ở dạng tổng quát
ta có:
 E E
i  E  t   e
i t

  x, y , z, t     x, y , z  e
i t

t
 2
   U   E  Phương trình Schrödinger

2m
ở trạng thái dừng
Trong đó: E – năng lượng của vi hạt,


  r  – phần phụ thuộc tọa độ không gian của hàm sóng.
Tính chất của phương trình Schrödinger:
 Phương trình Schrödinger là tuyến tính: nếu 1, 2 là hai nghiệm bất kì thì
 = a 1 + b 2 cũng là một nghiệm với a, b là các hằng số tùy ý,
 Nghiệm tổng quát của là phương trình Schrödinger hàm phức.
Tính chất của hàm sóng:

 Hàm sóng  là hàm phức không có ý nghĩa vật lý trực tiếp,
 Đại lượng  xác định không phải mật độ một đại lượng vật lý nào như trong
lý thuyết cổ điển mà nó chỉ xác định mật độ xác suất đại lượng đó,
 Hàm sóng phải thỏa mãn điều kiện chuẩn hóa (xác suất tìm thấy hạt trong
toàn bộ không gian): 2
  dxdydz  1
x, y ,z
 Về mặt toán học hàm sóng phải thỏa mãn những điều kiện sau đây: đơn trị,
liên tục, hữu hạn.
V. TOÁN TỬ TRONG CƠ HỌC LƯỢNG TỬ
1. Khái niệm toán tử:
Toán tử: là sự biểu diễn tượng trưng một phép toán nào đó (đại số, vi phân,
tích phân,…) được tiến hành với một hàm số để nhận được hàm số khác và
được viết như sau: L̂  
Nếu L̂   thì hàm ,  được gọi là hàm riêng và trị riêng của toán tử
Tập hợp tất cả các trị riêng của toán tử L̂ hợp thành phổ của toán tử
Tính chất của toán tử:
Hai toán tử L̂ và M̂ gọi là bằng nhau khi: Lˆ   Mˆ    K

K – tập hợp các hàm sóng mô tả các trạng thái của một vi hệ
Ta có thể định nghĩa các phép tính đối với các toán tử:
 phép cộng:  Lˆ  Mˆ    Lˆ   Mˆ 
 phép nhân với một vô hướng: c  Lˆ     cLˆ  
 phép nhân hai toán tử: ˆ ˆ   Lˆ  Mˆ  
LM
 Lˆ  1   2   Lˆ 1  Mˆ  2
Một toán tử là tuyến tính nếu thỏa mãn các điều kiện:
 Lˆ  c   c  Lˆ  
Một toán tử tuyến tính được gọi là tự liên hợp (Hermit) nếu thỏa mãn điều kiện:
  * Lˆ dV   Lˆ *  * dV
V V
Tính chất của toán tử liên hợp:

 Trị riêng của toán tử là trị thực
 Các hàm riêng của toán tử liên hợp ứng với các giá trị khác nhau tạo thành
hệ hàm trực giao, tức là:   n *  m dV   nm
V
Hai toán tử giao hoán với nhau nếu: Lˆ  Mˆ   =Mˆ  Lˆ     Lˆ , Mˆ   0

Hai toán tử giao hoán với nhau  hai đại lượng liên quan đến các toán tử
có thể được đồng thời đo chính xác.
Giá trị trung bình của một đại lượng vật lý:
L    * Lˆ dV
V
2. Toán tử và các đại lượng vật lý
Trong cơ học lượng tử, mỗi đại lượng vật lý (đại lượng quan sát được) đặc
trưng cho vi hệ được thể hiện bằng một toán tử xác định.
Đại lượng quan sát được Toán tử tương ứng
Tọa độ x,y,z xˆ , yˆ , zˆ
Hình chiếu động pˆ x  i x , pˆ y  i y , pˆ z  i z
px, py, pz
lượng
Bình phương độ
lớn động lượng px2 + py2 + pz2 pˆ 2  pˆ x2  pˆ y2  pˆ z2 ; p̂ 2    2 
p2 pˆ 2 2
Động năng  
2m 2m 2m
p2 pˆ 2
Cơ năng U Hˆ   Uˆ (toán tử Hamilton)

2m 2m
a. Toán tử xung lượng
i  i
 
 Et  pr
Từ biểu thức:  r, t  Ae 

  Et  p x x  p y y  pz z 
   Ae 
 i 
 px  hay: i   px 
x  x
Người ta xem phương trình trên như một phương trình toán tử trong đó:

i  là toán tử thành phần xung lượng theo trục x.
x
 – px là trị riêng của pˆ x
pˆ x  i
x
 
Tương tự ta có: pˆ y  i pˆ z  i
y z
b. Toán tử tọa độ và các hàm tọa độ
Các toán tử tọa độ được định nghĩa là phép nhân bình thường với tọa độ đó
x̂  x ŷ  y ẑ  z
Các toán tử của bất kỳ hàm tọa độ nào cũng là phép nhân với chính hàm đó
Uˆ  x, y , z   U  x, y , z 
c. Toán tử năng lượng toàn phần, toán tử Hamiltonian

1  2
Tˆ 
2m
 pˆ x2  pˆ 2y  pˆ z2   
2m

 2
Hˆ  Tˆ  Uˆ Hˆ     U  x, y , z 
2m
Năng lượng toàn phần E của hệ là trị riêng của toán tử Hamiltonian!
d. Toán tử thành phần moment động lượng
  
Mˆ  rˆ  pˆ Mˆ x  yp  zp
ˆ ˆ z ˆˆ y   i  y
 z  z 
  y 
Mˆ y  zp  xp  i  z   x  
ˆˆ x ˆ ˆ z  
 x z 
  
Mˆ z  xp 
ˆˆy ˆˆxyp   i  x
 y  y 
 x 
Tính chất:
 Các toán tử thành phần moment động lượng không giao hoán với nhau:
 Mˆ i , Mˆ j   i ijk Mˆ k
 Nhưng lại giao hoán với toán tử bình phương moment động lượng:
 Mˆ i , Mˆ 2   0
e. Phương trình toán tử thành phần moment động lượng
   
Mˆ z   M z  i  x y   M z
 y x 
i
M

z
 c.e
Từ điều kiện đơn trị:    2      M z   m  0, 1, 2,...

m = 0, 1, 2,… – số lượng tử từ.
f. Phương trình toán tử bình phương moment động lượng
M̂ 2   M 2 
Trong hệ tọa độ cầu toán tử này có dạng: M̂ 2    2  ,, với:
1     1 2
 ,   sin   2
sin      sin   2
Toán tử này chỉ tác dụng lên phần góc  và    = (, ) bởi vậy ta có:
 2  ,   ,    M 2   ,  
Hàm (, ) chỉ thỏa mãn điều kiện đơn trị khi: M 2
 l  l  1  2
l = 0, 1, 2, … – số lượng tử quỹ đạo.

VI. MỘT SỐ BÀI TOÁN ĐƠN GiẢN CỦA CƠ HỌC LƯỢNG TỬ

1. Chuyển động của hạt tự do: U  r   0
Phương trình Schrödinger có dạng: Ĥ   r   E   r 

2   2mE
   r   E   r    2   0
2m 
1
Đặt: k  2mE

d 2  x  2
Xét bài toán một chiều theo phương x ta có: 2
 k   x  0
dx
Nghiệm của phương trình có dạng:   A1eikx  A2 e  ikx   A cos  kx   
Do:
E
k
1
2mE 2k 2
E
 2m
Phổ năng lượng của hạt tự do là liên tục!

2. Hạt trong hố thế năng
a. Hàng rào thế vô hạn
 x  0  x  a
U  x  
Thế năng của hố có dạng: 0 0 xa
U0 – chiều cao của hố,
2
a – bề rộng của hố
d  II 2 ikx  ikx
Bên trong hố: 2
 k  II
 0  II
 A1
e  A2
e
dx
Bên ngoài hố: I = III = 0
Áp dụng điều kiện biên (suy ra từ điều kiện liên tục của hàm sóng):
(0)= (a)= 0
 2 kn2  2 2 n 2
Ta có: En   2
Phổ năng lượng của hạt không liên tục!
2m 2ma
n  1,2,3,...
Biểu thức của hàm sóng ứng với các giá trị năng lượng cho phép:
 n 
 n  x   An sin  x
 a 
b. Hàng rào thế giới hạn: U=U0<, E<U0
Thế năng của hố có dạng: U 0 x  0 x  a

U  x  
0 0 xa
U0 – chiều cao của hố,

a – bề rộng của hố
Bên trong hố: Nghiệm tổng quát của phương trình vẫn có dạng:
 II  A1eikx  A2 e  ikx
Bên ngoài hố: Phương trình Schrödinger có dạng:
2 d 2 
 2
 U0  E
2m dx
kx  kx
Nghiệm tổng quát bên ngoài hố sẽ là:  I , III
 B1
e  B2
e
Ở ngoài bờ hố xác suất tìm thấy hạt khác không  biểu hiện tính chất
sóng của hạt không thể giải thích bằng vật lý cổ điển.
c. Hàng rào thế giới hạn: U=U0<, E>U0
Hạt là tự do, khắp mọi vùng hàm sóng có dạng hình sin, số sóng ở vùng II
khác số sóng ở vùng I và III
h h h h
I ,III   II  
p 2m  E  U 0  p 2mE
Phổ năng lượng của hạt là liên tục!
3. Hiệu ứng đường ngầm
Xét vùng có thế năng biến đổi như sau (hàng rào thế năng):
 0 x  0 x  a
U  x  
U 0 0 xa
Nghiệm 1D của phương trình Schrödinger ( E > 0 )
trong từng vùng sẽ là:
 I  A1eik x  B1e  ik x
1 1
 II  A2 e k x  B2 e  k x
2 2
 III  A3eik x  B3e  ik x
3 3
1 1 1
k1  2mE k2  2m U 0  E  k3  2mE  k1
  
Ứng dụng điều kiện biên vào các hàm sóng ta có mối liên hệ sau:
A3 2ik1k2 e  ik a
1
 2
A1  k1  k22  s h  k2 a   2ik1k2 ch  k2 a 
Hệ số truyền qua: là tỷ số giữa mật độ hạt đi qua hàng rào và mật độ hạt
đến hàng rào
2
A3 4k12 k22
D 2  2 2 2
A1  k1  k2  s h 2  k2 a   4k12 k22
Trong thực tiễn chỉ quan tâm đến trường hợp k2a >1 nên ta có thể viết:
1
k2  2m U 0  E 
1 ka 
sh  k2 a   e
2

2a
2 mU  E 
2 De 
0
k1  k2
 Độ truyền qua của hàng rào phụ thuộc mạnh vào bề rộng hàng rào,
 Hiệu ứng đường ngầm là hiệu ứng lượng tử.
x
2 2m 2
Đối với hàng rào thế bất kỳ: 
 x
U  x  Edx
1
D  C.e
4. Dao động tử điều hòa
Dao tử điều hòa : là vi hạt chuyển động theo phương x, trong trường thế:
kx 2
U  x 
2
Phương trình Schrödinger đối với dao tử này có dạng:
d 2  2m  kx 2 
2
 2 E   0
dx h  2 
Giải phương trình này ta được: 

En   n  1
2  n  0,1,2,3...
Giá trị năng lượng nhỏ nhất mà dao động tử điều hòa có thể nhận được:
1
E0  
2
E0 gọi là năng lượng điểm không, khác với

kết quả nhận được từ cơ học cổ điển
5. Quay tử rắn
Quay tử rắn: Hệ gồm hai hạt có khối lượng m1 và m2 được nối với nhau bằng
một thanh không trọng lượng, trong quá trình chuyển động khoảng cách giữa
hai hạt luôn cố định.
mm
Khối lượng rút gọn của quay tử: m  1 2
m1  m2
Phương trình Schrödinger có dạng:
2m M2 Mˆ2
  2 E   0; E   Hˆ 
 2J 2J
Ta chỉ quan tâm đến phổ năng lượng cho phép của moment động lượng
quay: M  mvR  mR 2   J 
J  mR 2 - Moment quán tính của quay tử tương đối với
trục vuông góc với đường nối hai hạt tại trọng tâm của hệ.
Phổ năng lượng

2
của quay tử: E l  l  1  B0 l  l  1
2J
Phổ năng lượng của quay tử cũng bị lượng tử hóa!
Chương 3
Phổ năng lượng của các hệ hạt lượng tử
Nội dung của chương:

I. Nguyên tử hyđrô và các ion đồng dạng
II. Hệ nhiều điện tử
III. Trạng thái điện tử của nguyên tử
IV. Phổ năng lượng của phân tử
V. Phổ năng lượng của điện tử trong tinh thể chất rắn
VI. Nguyên lý hoạt động của laser
Công thức Rydberg (thực nghiệm):
RH = 1,0967758.10-3 Å-1
Bước sóng của bức xạ do nguyên tử hyđrô phát ra đều được tìm thấy
từ công thức trên.
I. Bài toán về nguyên tử hyđrô và các ion đồng dạng
Bài toán tổng quát: xét tương tác của một hệ gồm hai điện tích -e và
+Ze. Lực tương tác giữa hai điện tích là lực Coulomb  điện tử chuyển
động trong trường thế:
Ze2
U r   
40 r Ze2
U r   
4 0 r
Phương trình Schrödinger trong trường hợp này có dạng:
 2 
2m Ze
   E  0 (1)
  40 r 
2

Cách giải phương trình (1): Do trường thế có tính đối xứng cầu
nên để đơn giản hóa bài toán ta chuyển sang hệ tọa độ cầu.
Ở hệ toạ độ này phương trình (1) có dạng:
1   2   1    
2 r  2  sin  
r r  r  r sin     
1   2m2 Ze
2

 2 2 
r sin     
2 2
 E    0 (2)
 4 0 
Sử dụng phương pháp tách biến số, đặt:   r , ,    R  r  .  ,  

1   2 R  2 mr 2  2 
r   E  Ze    (3)
R r  r  2  4  r 
 0 
1     1  2

 sin   2 2   (4)
 sin       sin  
Tiếp tục tách biến số bằng cách đặt   ,       .Y   ta có:
1 1     2 2
 sin     sin   ml
(5)
 sin     
1 2 Y 2
  ml
(6)
Y  2
  l  l  1
Phương trình (5) chỉ có nghiệm hữu hạn và liên tục khi:
ml  l
Nghiệm của phương trình (6):     Aeiml (7)
Nghiệm của phương trình (5): ml  0, 1, 2, 3,...
2l  1  l  ml  ! ml (8)
 l ,ml    Pl  cos  
2  l  ml  !
ml
m 2 m /2 d
Trong đó: P α (η)= (1− η ) [ P α (η)]
l l
m
dη l
1 dα 2 α 1
P α (η)= α
2 l! d η α [(η − 1) ] P α (cos θ)= cos θ
l!
P   - Đa thức Legendre
Một số hàm Legendre:
Thay   l  l  1 vào phương trình (3) và viết lại dưới dạng:
d  2 dR  2m  2 Ze2 r l  l  1 
r   2  Er    R  0 (9)
dr  dr    40 2m 
Kết quả khảo sát phương trình này cho thấy:
 E >0: phổ giá trị riêng E liên tục
 E <0: phổ giá trị riêng E nhận các giá trị xác định
Giải đầy đủ phương trình Schrödinger trong trường hợp này (E <0)
chúng ta sẽ có:
mZ 2 e4 1
En   2 (10)
 40  22 n2
n = 1,2,3,4,... số lượng tử chính, l = 0,1,2,3,..., n-1 số lượng tử quỹ đạo,

ml - số lượng tử từ,
Đối với nguyên tử 1

hyđrô:
En  13,58 2
 eV  (11)
n
Dạng cụ thể của hàm bán kính Rn(r) (E<0):

3
4  n  l 1!  Z  2 Zr
2rZ e naB L2l 1  2rZ 
 
Rn  r   3    nl   (12)
 a   na   na 
4

n nl !  

 
B  B  B
 
d  d 


Với: L  
  e 
  e
 
;  0
d  d 
2 10
Bán kính Bohr: aB  2
 0,529.10 m
me e
Các số lượng tử n, l, ml xác định hàm sóng nlml  xác định trạng
thái của điện tử trong nguyên tử.
Để tiện cho việc sử dụng, người ta ký hiệu các trạng thái điện tử
như sau:
n 1 2 3
l 0 0 1 0 1 2
ml 0 0 0, +1, -1 0 0, +1, -1 0, +1, -1, +2, -2
Trạng thái 1s 2s 2p 3s 3p 3d
Nghiệm tổng quát của bài toán có dạng:
nlm  r , ,    Rnl  r  .lm   .Ym  

l l l
(13)
 Xác suất tìm thấy điện tử ở trạng thái (n,l,ml ) trong phần tử thể tích
dV: 2 2
dW  r , ,    nlm  r , ,   dV  nlm  r ,  ,   r 2 sin  drd d 
l l
2 2 2
Rnl  r  r dr   ,   sin  d d
 Xác suất tìm thấy điện tử ở trạng thái (n,l,ml ) trong vùng được giới
hạn bởi hai mặt cầu có bán kính r và r+dr:
2  2  2
dW  r   Rnl  r  r dr  lm   sin  d  Ym   d 
2
l l
0 0
2
Rnl  r  r2 dr  P  r  dr
 Xác suất tìm thấy điện tử ở trạng thái (n,l,ml) trong góc khối
d =sindd theo phương (,):
1 2
dW  ,    lm   sin  d d
2 l
Một vài hàm Rnl

Mức năng lượng suy biến: Mức năng lượng Ei của hệ vi mô được gọi
là suy biến nếu ứng vớigiá trị năng lượng đó có nhiều hơn một hàm
trạng thái ij ; với j=1,2,…,g, đều là nghiệm của phương trình
Schrödinger: Hˆ ij  Ei ij
Trong đó: g (số các trạng thái) có cùng chung một giá trị năng
lượng Ei gọi là bậc suy biến hay lượng thống kê của mức năng lượng i.
Mức năng lượng không suy biến: Nếu ứng với một mức năng lượng
Ei chỉ tồn tại một trạng thái duy nhất được mô tả bằng hàm sóng i là
nghiệm của phương trình: Hˆ i  Ei i
Bậc suy biến của các mức năng lượng của n 1

g    2l  1  n2
điện tử trong nguyên tử hy đrô! i 0
II. Hệ nhiều điện tử. Nguyên lý loại trừ Pauli
1. Hệ nhiều điện tử:
Bài toán xác định hàm sóng nlm  r ,  ,   trở nên phức tạp hơn do hệ có
l
nhiều hạt tương tác lẫn nhau.

Hạt nhân: +Ze
Xét hệ gồm:
N điện tử
Hàm sóng của hệ có dạng:
   
    r1 , r2 , r3 ,..., rN     x1 , y1 , z1 , x2 , y2 , z2 ,..., xN , yN , zN 
là nghiệm của phương trình Schrödinger:

N
2m
 i   2 E U   0
i1 
2 2 2
   N
i  2  2  2 U  Ui xi , yi , zi   V  xi  x j , yi  y j , zi  z j 
xi yi zi i1 i j
Phương trình trên chỉ giải được bằng phương pháp gần đúng:
 Gần đúng đơn giản nhất (gần đúng bậc không): bỏ qua tương tác
giữa điện tử với nhau.
Phương trình Schrödinger:
2m
i i  xi , yi , zi   2 Ei Ui xi , yi , zi i xi , yi , zi   0

Hàm sóng:
      
    r1 , r2 , r3 ,..., rN   1  r1  2  r2  ... N  rN 
N
Năng lượng toàn phần của hệ là: E   Ei
i 1
 Gần đúng trường tự hợp: Thay thế thế năng tương tác giữa các điện
tử bằng một thế năng hiệu dụng Vi* thỏa mãn:
• Vi* gần bằng năng lượng tương tác của điện tử thứ i với (N-1)
điện tử còn lại
• Vi* chỉ phụ thuộc vào tọa độ của điện tử thứ i
Khi đó: N N
U  Ui  xi , yi , zi   Vi*xi , yi , zi   Ui Vi* 
i 1 i j i
Phương trình Schrödinger:
2m
 
i i  xi , yi , zi   2 Ei  Ui Vi  i xi , yi , zi   0

*
Giải hệ phương trình trên trở nên đơn giản. Vấn đề quan trọng là tìm
được Vi* thích hợp
2. Spin của điện tử
Thí nghiệm Stern và Gerlach (1921): cho chùm nguyên tử bạc (Ag)
với momen động lượng quỹ đạo bằng không đi qua từ trường không
đồng nhất.
Kết quả: chùm nguyên tử Ag bị
tách làm hai phần chứa cùng một
số nguyên tử dưới dạng hai vệt trên
màn chắn nằm phía trên và phía
dưới vệt bạc khi không có từ 

Momen từ spin của điện tử s:
trường  spin chỉ có thể định
 e 
hướng theo hai cách khác nhau s   ge M S ge = 2,002
2m
đối với từ trường ngoài.
 e
Hình chiếu của s lên trục z: sz     
 B
2m
2. Spin của điện tử
Momen spin: đại lượng đặc trưng cho chuyển động riêng quan hệ tới
sự vận động nội tại của electron.
Về mặt hình thái: momen spin đóng vai trò
như momen động lượng riêng.
Giá trị của momen spin: M s  s  s  1
http://cronodon.com/Atomic/quantum_angular_
momentum.html
1
s - Số lượng tử spin (gọi tắt là spin)
2
 
Hình chiếu của momen spin M s lên trục z tùy ý: M sz    ms 
2
1
ms   - Số lượng tử hình chiếu spin
2
3. Trạng thái và năng lượng của electron trong nguyên tử
   
Momen toàn phần j của e bằng: j  l  s

j  j  j  1
1
j  ls  l j – số lượng tử momen toàn phần
2
Nhận xét:
 Trạng thái lượng tử của một electron trong nguyên tử được xác định
bởi 4 số lượng tử: n, l, m, ms.
nlm m  r , ,    nlm  r , ,   .Sm  
l s l s
 =±1/2 – tọa độ spin
 Năng lượng toàn phần của electron trong nguyên tử hyđrô và các
ion đồng dạng phụ thuộc vào ba lượng tử: n, j.
mZ 2 e4 1   2 Z 2  1 3   2 e2 1
En   2 2 
1     
 40  2 n 
2
n  j 1 4n   hc 137
 2 
4. Nguyên lý không thể phân biệt các hạt cùng loại. Nguyên lý loại
trừ Pauli
Trong cơ học cổ điển: các hạt vĩ mô bao giờ cũng chuyển động theo
những quỹ đạo xác định  ta có thể theo dõi được sự chuyển động của
các hạt đó một cách chính xác và tại từng thời điểm ta có thể phân biệt
được hạt này với hạt kia.
Phát biểu nguyên lý: Hạt không có quỹ đạo chuyển động xác định do
đó về nguyên tắc ta không thể theo dõi chuyển động của chúng để qua
đó mà phân biệt được ( Quan điểm lượng tử).
Xét hệ gồm hai vi hạt: nếu ta đổi chỗ hai hạt này cho nhau thì trạng
thái của hệ không thay đổi.
(1, 2) – hàm sóng trước hoán vị, (2, 1) – hàm sóng sau hoán vị,
 1, 2  – mật độ xác suất tìm thấy một hạt tại tọa độ r1 , một hạt khác tại tọa độ r2 .
2
2  
  2,1 – mật độ xác suất tìm thấy một hạt tại tọa độ r2, một hạt khác tại tọa độ r1 .
Theo nguyên lý không thể phân biệt các hạt cùng loại:
2 2
 1, 2     2,1  1, 2     2,1
Như vậy kết quả của sự hoán vị dẫn đến hai khả năng:
 Hàm sóng của hệ là hàm đối xứng:  1, 2     2,1
 Hàm sóng của hệ là hàm phản đối xứng:  1, 2     2,1
Hàm sóng đặc trưng cho điện tử phải là phản đối xứng!
https://web.phys.ksu.edu/vqm/tutorials/interpretingwavefunctions/probabilities.html
Nguyên lý Pauli (1925): Trong nguyên tử không thể có hai điện tử

cùng ở vào một trạng thái được đặc trưng bởi 4 số lượng tử: n, l, m, ms.
5. Cấu hình điện tử của nguyên tử
 số điện tử có cùng chung ba số lượng tử n, l, m là 2 (ms = - ½ và
ms = - ½)
 số điện tử có cùng chung hai số lượng tử n, l là 2(2l+1). Các điện
tử này được gọi là các điện tử tương đương và chúng hợp thành phân
lớp
 số điện tử có chung số lượng tử n tối đa là 2n2. Các điện tử này hợp
thành một lớp
Đặc điểm các trạng thái:
Tên lớp K L M N
Số lượng tử n 1 2 3 4
Số lượng tử l 0 0 1 0 1 2 0 1 2 3
Tên phân lớp 1s 2s 2p 3s 3p 3d 4s 4p 4d 4f
Số điện tử tối đa trong phân lớp 2 2 6 2 6 10 2 6 10 14
Số điện tử tối đa trong lớp 2 8 18 32
Thứ tự các mức năng lượng trong nguyên tử:
 Các electron trong nguyên tử chiếm các mức năng lượng từ thấp
đến cao.
 Thực nghiệm và lí thuyết đã xác định được thứ tự của các lớp và
phân lớp theo theo thứ tự sau:
1s 2s 2p 3s 3p 4s 3d 4p 5s…
Khi điện tích hạt nhân tăng có sự

chèn mức năng lượng nên mức năng
lượng 4s thấp hơn 3d.
Sơ đồ các mức năng lượng trong nguyên

tử (quy tắc Madelug).
III.Trạng thái điện tử của nguyên tử
Mẫu véctơ nguyên tử: Trạng thái của điện tử của nguyên tử
được xác định không chỉ bằng độ lớn của các véc tơ mômen động
lượng quỹ đạo và spin mà còn bằng sự tương hỗ giữa chúng.
 
l - véctơ mômen động lượng quỹ đạo của điện tử: l  l  l  1
 
s - véctơ mômen động lượng spin của điện tử: s  s  s  1
 
j - véctơ mômen động lượng toàn phần của điện tử: j  j  j  1

Các véc tơ mômen động lượng quỹ đạo l và mômen động lượng

spin s có thể định hướng tương hỗ với nhau bằng nhiều cách. Chúng ta
có thể sắp xếp sự tương tác giữa các mômen đó theo trình tự sau đây:
N   
   
N N N
 li  L L   L  L  1 L   li ,  li  1,  li  2,...
i 1 1 1 1
 N  1; S  1
 2
N
    N  2; S  0;1
 si  S S   S  S  1
i 1 
 N  3; S  3 2 ; 1 2
    
J  L  S J   J  J  1  ...
J  L  S , L  S  1, L  S  2,..., L  S
Tương tác trên là tương tác spin-quỹ đạo L-S.

Nếu L > S  số giá trị của j có thể là: 2S+1= (độ bội của trạng thái
của nguyên tử).
Trạng thái điện tử của nguyên tử (số hạng quang phổ):  LJ

Trong các phân lớp điện tử đã điền đầy, các điện tử được sắp xếp
sao cho mômen động lượng quỹ đạo, mômen động lượng spin của
chúng triệt tiêu lẫn nhau  L, S, J đều bằng không!  ta bỏ qua các
lớp điện tử đã điền đầy.
1. Trạng thái điện tử của nguyên tử hyđrô

Ở trạng thái cơ bản do nguyên tử hyđrô chỉ có 1 điện tử : L= l = 0;
S = s = 1/2; J = j = 1/2  2S1/2
Các nguyên tố có điện tử hóa trị là 1 điện tử ns1 (như các kim loại
kiềm) có cấu hình tương tự.
2. Phổ năng lượng của nguyên tử He, para-He và orto-He
Các điểm đặc biệt đáng chú ý:
 Gồm những dãy vạch kiểu như đối với kim loại kiềm, tuy nhiên
mỗi dãy vạch như vậy gồm 2 phiên bản khác nhau về độ nét:
phiên bản nét và phiên bản mờ.
 Trong phiên bản mờ mỗi vạch phổ thực chất là ba vạch rất gần
nhau.
Từ dạng quang phổ kép  người ta nghĩ rằng He là hỗn hợp của
hai nguyên tố para-He (phổ nét) và orto-He (phổ mờ). Tuy nhiên, theo
thực tế và lý thuyết giả thiết trên là không đúng.
3. Phổ năng lượng của các nguyên tố nhóm II
Phổ năng lượng gồm hai hệ mức năng lượng: singulet và triplet
4. Trạng thái điện tử của nguyên tử carbon (C)
Cấu hình điện tử: 1s2 2s2 2p2
Nguyên tử C có 6 trạng thái điện tử: 3P2 ; 3P1 ; 3P0 ; 1D2 ; 1S0 ; 1P1 ;
4. Quy tắc Hund
a) Trạng thái cơ bản của nguyên tử là trạng thái ứng với độ bội
lớn nhất.
b) Nếu hai trạng thái có cùng độ bội thì trạng thái nào có số
lượng tử L lớn hơn sẽ bền vững hơn.
c) Nếu hai trạng thái có chung độ bội và cùng số lượng tử L thì
trạng thái bền vững hơn được xác định theo tiêu chuẩn sau:
 Số lượng tử J nhỏ nhất nếu phân lớp được điền đầy chưa quá một
nửa số điện tử tối đa.
 Số lượng tử J lớn nhất nếu phân lớp được điền đầy quá một nửa số
điện tử tối đa.
5. Chuyển mức năng lượng, quy tắc chọn lọc
Quá trình chuyển dời từ mức năng lượng thấp đến mức năng lượng
cao phải kèm theo quá trình nguyên tử hấp thụ năng lượng và ngược lại
quá trình chuyển từ mức năng lượng cao xuống mức năng lượng thấp
hơn phải kèm theo quá trình giải phóng năng lượng.
Nếu năng lượng được hấp thụ hay giải phóng dưới dạng bức xạ thì
bức xạ phải tuân theo quy luật tần số:
  Em  En
Quy tắc chọn lọc: được suy ra từ các định luật bảo toàn mômen động
lượng
L  Lm  Ln  1 S  Sm  Sn  0 J  Jm  Jn  0, 1
Đứng về mặt cơ học: phân tử có thể xem như một tập hợp hai loại hạt
có khối lượng rất khác nhau, là hạt nhân có khối lượng M và điện tử có
khối lượng m << M.
Trong phân tử luôn tồn tại 3 dạng chuyển động và tương ứng 3 loại
trạng thái năng lượng:
 chuyển động của các hạt điện tử  các trạng thái năng lượng
điện tử
 dao động của các hạt nhân
quanh vị trí cân bằng 
các trạng thái năng lượng dao động
 chuyển động quay của cả phân tử
như một khối thống nhất 
các trạng thái năng lượng quay
Phương trình miêu tả trạng thái  2 n N
2 
chuyển động của phân tử:  i    j  U    E
 2m i 1 i 1 2M j 
2 2 2
e 1 e Z j Zk e Zj
U         
8 0 i , j i ri  rj 8 0 j ,k  j Rj  Rk 8 0 i, j ri  Rj
Khoảng cách giữa Khoảng cách giữa Khoảng cách giữa

hai điện tử i và j hai hạt nhân j và k điện tử i và hạt nhân j
Hàm sóng của phân tử mô tả trạng thái chuyển động của cả hệ:
  e d q
Hàm sóng mô tả
trạng thái của điện tử
Hàm sóng mô tả trạng
trong nguyên tử Hàm sóng mô tả
thái chuyển động quay
trạng thái dao động của
của phân tử
phân tử
1. Trạng thái năng lượng dao động
Khi lệch khỏi vị trí cân bằng Re ứng với trạng thái năng lượng cực tiểu
các nguyên tử thực hiên dao động. Nếu biên độ dao dộng tương đối nhỏ
hàm thế năng sẽ có dạng: 1 2
U  R  K  R  Re 
2
Giải phương trình Schrödinger với hàm thế năng này ta được:
k  1
Ed    n  
m  2
Khi biên độ tăng lên tính đàn hồi sẽ mất đi, khi đó hàm thế năng có
dạng:
 
2

  R R 
U  R  Re   De 1 e e
2
Ed    n 1 2   n 1 2
De – thế năng phân ly của phân tử,
 << 1- thông số phi điều hòa
2. Trạng thái năng lượng quay
Mẫu quay tử rắn áp dụng ở đây không chính xác vì khi phân tử thực
hiện dao động quay nó luôn chịu một lực li tâm  khoảng cách giữa
hai hạt nhân nguyên tử sẽ thay đổi
Phổ năng lượng quay của phân tử hai nguyên tử (quay tử không rắn):
2 2
Eq  B0l  l 1  Dl  l 1
Với: D << B0
3. Quang phổ của phân tử 2

l  l 1
 1
Năng lượng toàn phần của hệ phân tử: E  Ee    n   
 2 2J
Do ∆Eq << ∆Ed << ∆Ee nên phổ năng lượng của phân tử có dạng dải,
nghĩa là gồm một hệ các dải phổ cấu thành.
Quang phổ của phân tử bao gồm:
 dải chuyển động quay - ứng

với chuyển mức giữa các mức
năng lượng quay với quy tắc chọn
lọc:
l  1
Tần số ứng với chuyển mức này:
2
Eq 
   l  2 l 1  l  l 1    l 1  1  l 1
 2J  J
Phổ chuyển động quay gồm các vạch cách đều nhau với ∆ = 1,
1  1013 s-1
Ví dụ: phân tử HCl có J = 2,71. 10-40 gcm2  khoảng cách giữa hai
nguyên tử R=1,29 A0
 dải dao động và quay – nhận được do những chuyển mức xảy ra
giữa hai mức năng lượng dao động với cùng một cấu hình điện tử. Mỗi
một mức năng lượng dao động bị phân thành một loạt các phân mức
chuyển động quay đặc trưng bởi các số lượng tử l’ và l”
 1  1  2 2
  Ed  Eq  d  n'   d  n"   l ' l '1  l " l "1
 2  2  2J 2J
Áp dụng quy tắc chọn lọc của dao động: ∆n = 1, của chuyển động
quay: ∆l = 1   = d  1k ; k =1,2,3,...
 dải điện tử - dao động nhận được do những chuyển mức xảy ra
giữa hai mức năng lượng ứng với hai cấu hình điện tử khác nhau của
phân tử kèm theo sự thay đổi cả ba thành phần năng lượng Ee , Ed , Eq.
Ee  Ed  Eq Ee  Ed Eq Eq

    0 
   
0 – xác định vị trí của dải phổ
Dải phổ điện tử - dao động: là tập hợp các vạch phổ với tần số khác
nhau theo các giá trị ∆Eq khác nhau.
Trong trường hợp này quy luật chọn lọc: ∆l = 0, 1. Ta có thể nói phổ
này gồm có ba nhánh ứng với ∆l = 0, ∆l = 1, ∆l = -1.
Tinh thể: là vật rắn mà trong đó các nguyên tử sắp xếp theo một trật tự
tuần hoàn nhất định.
Mạng lý tưởng: là tập hợp những điểm gọi là nút mạng mà vị trí được
    
đặc trưng bởi vec tơ mạng n : n  n1a1  n2a2  n3a3
  
n1 , n2 , n3  Z; a1, a2 , a3 là các vectơ cơ sở
Các véc tơ cơ sở tạo

thành một hình hộp gọi là
ô nguyên thủy, chỉ chứa
các nút mạng ở đỉnh. Nếu
tại mỗi nút mạng ta gắn
vào một nhóm nguyên tử,
gọi là gốc của mạng thì ta
có mạng tinh thể lý tưởng.
Tinh thể thực là hữu hạn và thường có những sai lệch khỏi tính tuần
hoàn, gọi là các sai hỏng.
Sự hình thành các mức năng lượng:
Số trạng thái Số trạng thái Số trạng thái Số trạng thái Số trạng thái
sẵn có sẵn có sẵn có sẵn có sẵn có
Mức
2p 6 12 12 60 6N
2s 2 4 4 10 2N
1s 2 4 4 2N
10
Một nguyên Hai nguyên tử Hai nguyên tử Năm nguyên tử có N nguyên tử có
tử cô lập không tương tác có tương tác tương tác tương tác
1. Hàm sóng điện tử trong trường tuần hoàn
Trong tinh thể, do sự sắp xếp của các nguyên tử có tính chất tuần hoàn

được đặc trưng bởi các vectơ mạng n  thế năng của điện tử cũng là
một hàm tuần hoàn:   
U  r   U  r  n
  
Định lý Bloch: Trong trường thế tuần hoàn U  r   U  r  n hàm sóng
của điện tử thỏa mãn phương trình Schrödinger có dạng:
  ikr
k  r   k  r  e
   
Trong đó:   r  là hàm tuần hoàn:   r     r  n
k k k
2. Phương trình Schrödinger của tinh thể
      
  
Hàm sóng:    r1, r2 ,..., R1, R2 ,...   ri , R r


i - Tọa độ của các điện tử;
Phương trình Schrödinger: Ĥ  E R- Tọa độ của các hạt nhân.
 

Vˆ  Vˆ ri , Ri 
Hˆ  Tê  Tˆz  Uê Uˆ z  Uêz  Vˆ 2
ˆ 1 z z
  e 1 ˆ
Uz      U
2  40 E  R 2 
ˆ ˆ  2

Tz  T      2
   2m  ˆ 1 e 1 ˆ
Ue      Uij
ˆ ˆ  2
 2 i,i j 40 ri  rj 2 i j
Te  Ti    i 
i i  2m  2
ˆ e 1 ˆ
Uez      Ui
Để giải cần chuyển hệ này thành: i, 40 ri  R 2 i,
Hệ các hạt không tương tác với nhau.
a. Phép gần đúng đoạn nhiệt (Born – Oppenheimer)
Giả thiết:
 Không có sự trao đổi năng lượng (đoạn nhiệt) giữa hệ điện tử và hệ
hạt nhân;
 Hạt nhân đứng yên do có quán tính rất lớn so với điện tử.
Bằng phép gần đúng này người ta đã tách được phương trình
Schrödinger cho hệ điện tử: Hˆ ee  Eee
b. Phép gần đúng một điện tử

Giả thiết: có thể tìm được một trường tự hợp i  ri  sao cho:

 i  ri  có thể thay thế tác dụng của tất cả các điện tử lên điện tử
thứ i mà ta đang xét; 
 i  ri  chỉ phụ thuộc vào tọa độ ri của điện tử đang xét.
ĐÃ NÓI Ở PHẦN TRƯỚC
3. Phương pháp gần đúng liên kết yếu
 Lấy hàm sóng bậc không (hàm sóng phẳng), trạng thái xuất phát
ban đầu, là hàm sóng của điện tử tự do.
 Sử dụng phương pháp nhiễu loạn để tính được năng lượng gần
đúng bậc nhất của điện tử.
Kết quả (tóm tắt):
 E giống năng lượng của điện tử tự do.
 Phổ năng lượng của điện tử bị 
gián đoạn tại các giá trị vectơ sóng k
thỏa mãn điều 
kiện phản xạ Bragg:
2
kb  b
 Năng lượng
 là hàm
 tuần hoàn:

 
E k  2b  E k 
Phổ năng lượng của điện tử trong
tinh thể bao gồm các vùng cho phép
xen kẽ các vùng cấm.
4. Phương pháp gần đúng liên kết mạnh
Nội dung: chọn trạng thái bậc không, trạng thái xuất phát, là hàm sóng
của điện tử trong nguyên tử cô lậpa ứng với mức năng lượng Ea.
Hàm sóng bậc không của điện tử trong tinh thể khi đó có dạng:
  
0  r   cma  r  m

m
Theo định lý Bloch ta xác định được cm và hàm sóng khi ấy có dạng:
 
ikm      
0  r   e a  r  m U  r   Va  r  n W  r 
 
m n
Trường thế do sự tương tác giữa các
Tổng trường thế của tất cả các
nguyên tử với nhau được xem như
nguyên tử cô lập
thành phần nhiễu loạn
 2     
P.t. Schrödinger có dạng:  2m   Va  r  n W  r    r   E r 

 n 

ikp
Năng lượng gần đúng (bậc 1): E  Ea 
c
 
p e A p

ikp ikp
p e Sp e 
p
Sp
*   
Sp     r  a  r  p dV - Độ che phủ của hai hàm sóng thuộc hai nguyên tử
a

nằm cách nhau một khoảng cách p .
 *       
A p   a  r  Va  r  n W  r   a  r  p dV - năng lượng trao đổi
n p 
  
do hai hàm sóng   r  và   r  p của hai nguyên tử nằm cách nhau một
a a

khoảng bằng p che phủ nhau.
*   
c   a  r U  r  a  r  dV - Thế năng trung bình của điện tử lấy trong một
phạm vi một nguyên tử.
Để đơn giản chúng ta giả thiết rằng: các hàm sóng điện tử hoàn toàn
không che phủ ngay cả khi nằm cạnh nhau, nghĩa là:

 Sp  0 khi p  0;
*    
 Sp   a  r  a  r  dV  1 ikp
E  Ea  c  e A p.

p
Ứng dụng cho mạng lập phương đơn giản:
Giả thiết:
 Mỗi nút mạng có một nguyên tử;

 A p  A( p);
 Chỉ tính năng lượng trao đổi với nguyên tử
gần nhất. Như vậy:

p   a,0,0 ,  a,0,0 ,  0,a,0 ,  0, a,0 ,  0,0, a ,  0,0, a


Kết quả: E  Ea  c  2A cos kxa  cos kya  cos kz a  E k
 Mức năng lượng Ea trong nguyên tử cô lập bị dịch đi một khoảng là
c.
 Mức năng lượng Ea tách thành một vùng năng lượng cho phép có bề
rộng: E  Emax  Emin .
 Trong nguyên tử cô lập có nhiều mức năng lượng cho phép, khi vào
trong tinh thể mỗi mức tách ra thành một vùng cho phép nằm xen kẽ
các vùng không cho phép gọi là vùng cấm.
 Trong giới hạn vùng năng lượng cho phép, năng lượng là hàm tuần

hoàn, chẵn của k :
 
  
E k  E k
5. Điều kiện biên tuần hoàn của hàm sóng
Trong mẫu tinh thể hình hộp có cạnh là Lx , Ly, Lz (Li) với điều kiện
biên:
 2 n1
kx 
 x, y, z    x  Lx , y, z    Lx
 
 x, y, z    x, y  Ly , z  2 n2
 ky 
 x, y, z   x, y, z  Lz    Ly
 2 n3
Ni kz 
ni  0, 1, 2, 3,...,  Lz
2 Lx Ly Lz
Nx NyNz = N – số nguyên tử trong mẫu tinh thể. Nx  ; Ny  ; Nz 
a a a
Ví dụ: trong trường hợp mạng lập phương đơn giản, mỗi nút mạng có
một nguyên tử, thì chỉ có N giá trị k gián đoạn đặc trưng cho N trạng
thái độc lập  nếu ta lấy một giá trị ngoài các giá trị ni trên thì ta lại
được một hàm sóng trùng với hàm sóng đã có.
3
2 2
kx  ; ky  ; kz 
2
Vk  kxkykz 
 2 
Lx Ly Lz V

Vk - thể tích của một phần tử trong không gian k.

 Mỗi thể tích Vk trong không gian k ứng với một trạng thái của
điện tử  trong mỗi vùng năng lượng cho phép có N ( bằng số
nguyên tử) mức năng lượng gián đoạn cho phép.
 N rất lớn, bề rộng vùng năng lượng cho phép rất nhỏ (vài eV) 
khoảng cách năng lượng giữa các mức rất nhỏ  ta có thể coi phổ
năng lượng trong vùng năng lượng cho phép là liên tục.
• Mỗi vùng năng lượng cho phép chỉ có N mức năng lượng cho phép,
trên mỗi mức chỉ có thể có hai điện tử có hai spin ngược nhau,
nên nó chứa 2N điện tử.
6. Phổ năng lượng điện tử khi có từ trường ngoài tác dụng. Các
hiện tượng cộng hưởng từ
  
Cảm ứng từ B có thể được biểu diễn qua vec tơ thế: B  rotA
  
Động lượng tổng quát hóa của điện tử: P  p  eA  
Từ đây ta có:  
p  m v
 2 2
ˆ ˆ ˆ
H  T U 
 p  eA 
U  r  
i eA 
U  r 

m 2m
 i eA2 
Phương trình Schrödinger: ˆ
H    
U  r    E
 2m 
 
Năng lượng của điện tử trong mỗi vùng cho phép:
2k 2  1 eB
E  E0  *  c  n   c  * ; n  0,1,2,...
2m  2 m
2k 2  1
Phổ của điện tử trong vùng dẫn: E  Ec  *  c  n  
2m  2
Mức năng lượng thấp nhất trong vùng dẫn khi có từ trường nằm cao
hơn Ec một lượng  / 2.  từ trường làm đã làm cho phổ năng lượng
của điện tử trong vùng dẫn thay đổi.
Hiện tượng cộng hưởng từ: hiện tượng tăng cường quá trình hấp thụ
sóng điện từ ở một tần số nào đó khi đặt tinh thể vào trong từ trường.
a. Hiện tượng cộng hưởng cyclotron: khi chiếu vào tinh thể đặt trong
từ trường một bức xạ (sóng điện từ) có năng lượng photon bằng
khoảng cách giữa các mức Landau thì bức xạ sẽ bị hấp thụ và gây ra
chuyển mức Landau.
Giải thích: Khi tần số của dao động điện tử bằng tần số cyclotron thì
có hiện tượng cộng hưởng, điện tử được tăng tốc và bán kính quỹ đạo
tăng lên. Số lượng tử hóa năng lượng photon bị hấp thụ nói lên rằng
quỹ đạo chuyển động tròn của điện tử nhận những giá trị gián đoạn.
b. Hiện tượng cộng hưởng từ điện tử (cộng hưởng từ spin): điện tử
chuyển sang trạng thái có spin ngược lại khi nhận được một năng
lượng thích hợp đặt tinh thể vào trong từ trường.
2B B  
he  E  2B B e  B B
h
Tính toán chính xác đưa đến công thức:

B B
e  ge  eB
h
e – hệ số từ-cơ; ge – factor tách mức Landé (g- factor của điện tử)
Cộng hưởng từ điện tử chỉ có thể xảy ra đối với các điện tử không kết
đôi, nó cũng là phương pháp hữu hiệu để nghiên cứu cấu trúc vật liệu.
c. Hiện tượng cộng hưởng từ hạt nhân và ứng dụng
Hiện tượng cộng hưởng từ hạt nhân: trong từ trường ngoài hạt nhân
bị tách thành các phân mức và có thể xảy ra chuyển mức giữa các phân
mức khi hấp thụ sóng điện từ.
Tần số cộng hưởng:
eB
  g   B
2M
 – hệ số từ-cơ của hạt nhân; g – factor tách mức Landé (g- factor của
hạt nhân), M – khối lượng của hạt nhân
B  0,505038.1026 J / T - magneton Bohr của proton

1
Ví dụ: hạt nhân H
1
Khi có từ trường, mức năng lượng

bị tách thành hai phân mức :
 spin hướng xuống - năng lượng cao hơn - có thêm năng lượng BB
 spin hướng lên - năng lượng thấp hơn - giảm đi năng lượng -BB
 khoảng cách giữa hai trạng thái: 2BB
Hiện tượng hấp thụ cộng hưởng: khi tần số  của bức xạ điện từ thích
hợp với khoảng cách giữa hai phân mức: h =∆E=2BB thì photon của
bức xạ điện từ sẽ bị hấp thụ và gây ra chuyển mức từ trạng thái thấp
lên trạng thái cao.
1
Đối với hydrô H tần số cộng hưởng  = 42,58 Mhz khi B = 1T
1
1. Mô hình hai mức năng lượng
Xét hệ:
 Gồm các nguyên tử cùng loại và
không tương tác với nhau
 Hệ có hai trạng thái năng lượng E1,
E2 với E1 < E2 và nồng độ các hạt
tương ứng với các mức năng lượng
tương ứng là N1, N2
 Hệ tương tác với bức xạ điện từ có
mật độ phổ năng lượng ()
I  
   
v
Trong hệ vật chất với những điều kiện trên đây có thể xảy ra những
chuyển mức lượng tử sau đây:
a. Chuyển mức hấp thụ: là chuyển mức từ trạng thái E1 lên trạng
thái E2 khi nguyên tử hấp thụ một photon có năng lượng hv12 = E2 - E1
E2 , N2
Số nguyên tử N1 do chuyển mức hấp thụ giảm xuống:
dN1ab   B12 N1 12  dt
B12 - hệ số xác suất chuyển mức hấp thụ E1 , N1
b. Chuyển mức phát xạ tự phát: là quá trình nguyên tử ở trạng thái

năng lượng cao E2 hoàn toàn ngẫu nhiên chuyển xuống trạng thái thấp
hơn E1 và phát ra một photon có tần số bằng v12 E2 , N2
dN2sp   A21 N2 dt
A21 - hệ số xác suất chuyển mức phát xạ tự phát E1 , N1
c. Chuyển mức phát xạ cưỡng bức: là chuyển mức của các nguyên
tử ở trạng thái E2 xuống trạng thái E1 dưới tác dụng của photon của
trường bức xạ bên ngoài có năng lượng hv12 làm phát xạ ra photon có
tần số, pha dao động, mặt phân cực và hướng chuyển động giống hệt
photon tới E2 , N2
dN2st   B21 N2 12  dt
B21 - hệ số xác suất chuyển mức phát xạ cưỡng bức

E1 , N1
 12  - mật độ phổ năng lượng của bức xạ
Do hệ chỉ có hai mức năng lượng nên số nguyên tử ở trạng thái E1 tăng
lên bao nhiêu lần thì số nguyên tử ở trạng thái E2 giảm bấy nhiêu lần và
ngược lại, vì vậy ta có:
dN1   N1 B12 12  dt  N2  A21  B21 12  dt
dN2  N1 B12 12  dt  N2  A21  B21 12  dt

d. Điều kiện cân bằng: trong điều kiện cân bằng nhiệt động với môi
trường bên ngoài mật độ các trạng thái năng lượng là không đổi theo
thời gian, tức là: dN1
0
dt N2 B12 12 

dN2 N1 A21  B21 12 
0
dt
Mặt khác, trong điều kiện cân bằng nhiệt động, theo phân bố
E
1 i
Bolztmann ta có: Ni  Ngi e kT gi – bậc suy biến của trạng thái năng lượng Ei

z z – hằng số chuẩn hóa, N – tổng số hạt

N2 g2 E kT E g2  hkT
1 2 12
 e  e
N1 g1 g1
Kết hợp hai biểu thức vừa nhận ta có: A21
 12  
B12 12  g2  hkT
12
g1 h
12
 e B12 e kT  B21
A21  B21 12  g1 g2
e. Các hệ số Einstein:
 Khi T   thì (12)   
g1 A21 1
B12  B21  12   h12
g2 g1
B12 e kT
1
g2
 Mặt khác mật độ phổ năng lượng của bức xạ có thể được xác định
8 n3 3 h 1
bằng công thức Plank:  12   h
c3 e kT  1 12
 So sánh hai công thức trên ta có:

A21 8 n3 3 h 3 3
 g1
8  n  B12 h
g1 c3
A21 
B12 g2 c3
g2
Nhờ những mối liên hệ giữa A21, B21, B12 (hệ số Einstein) ta có thể xác
định được hai hệ số nếu biết hệ số thứ ba
f. Xác định hệ số xác suất chuyển mức phát xạ tự phát:
Hệ số A21 có thể xác định bằng thực nghiệm
Giả sử ta có thể kích thích các hạt từ trạng thái E1 lên trạng thái E2 mà
không tạo điều kiện để xảy ra bức xạ cưỡng bức thì các hạt ở trạng thái
E2 trở về trạng thái E1 hầu như chỉ qua chuyển mức phát xạ tự phát, khi
đó ta có:
dN2   N2 A21dt N2  t   N2  0  e A t
21
Thời gian trung bình hạt tồn tại trong trạng thái E2:
1  1
2   tdN2 
N2  0  t 0 A21
Kết luận: Thời gian sống trong trạng thái kích thích là đại lượng
nghịch đảo của xác suất chuyển mức phát xạ tự phát.
Cường độ bức xạ tự phát: I  A21 N2 h12 ta có thể xác định2 từ
t
công thức: 
I t   I  0 e 2
g. Định luật hấp thụ Buger - Lamber:
Xét bài toán một chiều: cho một chùm sáng đơn sắc có tần số 12 trong
một môi trường cấu tạo từ các nguyên tử có hai trạng thái năng lượng
E1 và E2 sao cho: h12 = E2 - E1
Khi chùm sáng đi qua lớp vật chất có bề

dày dx thì cường độ của nó giảm đi một lượng:
dI  I dx
Giải phương trình này ta được:
I  x   I  0  e x
Định luật hấp thụ Buger- Lamber:

Sự thay đổi cường độ chùm sáng khi đi qua lớp vật chất có bề dày dx:
dI   B12 N1 12  h12  B21 N2 12  h12  dx
g1 I I .n
Thay: B21  B12  12    ta có:
g2 v c
I .n  g1 
dI  B12 h12  N1  N2  dx
c  g2 
So sánh với công thức trong định luật Buger-Lamber ta nhận được:
 g1  h12 .n
  B12  N1  N2 
 g2  c
h12 .n
Nếu g1 = g2    B12  N1  N2 
c
h. Quá trình hấp thụ dương và hấp thụ âm
Theo công thức của  vừa tìm được thì  > 0 do E2 > E1  N2 < N1.
Bức xạ sẽ suy giảm dần khi lan truyền trong môi trường vật chất, đó là
hấp thụ dương. Ngược lại nếu bằng cách nào đó ta làm cho nồng độ N2
> N1   < 0 nghĩa là trường bức xạ sẽ được khuếch đại khi lan truyền
trong môi trường vật chất có N2 > N1.
Môi trường kích hoạt (môi trường nghịch đảo mật độ, môi trường
nhiệt độ âm): là môi trường mà trong đó nồng độ hạt ở trạng thái ứng
với năng lượng cao hơn lại lớn hơn nồng độ hạt ở trạng thái ứng với
năng lượng thấp hơn.
Khi  < 0 ta gọi g   là hệ số khuếch đại  hấp thụ âm chính là

quá trình khuếch đại.
2. Nguyên lý hoạt động của laser
LASER (Light Amplification by Stimulated Emission Radiation):
khuếch đại ánh sáng bằng phát xạ bức xạ cưỡng bức.
Khi ánh sáng đi qua môi trường nghịch đảo mật độ thì cường độ ánh
sáng tăng:
Ix  I  0  e x
Quá trình khuếch đại này gọi là quá trình hấp thụ âm
Tiền đề của quá trình khuếch đại:

 quá trình bơm để tạo ra và duy trì môi trường đảo mật độ;
 tạo ra điều kiện để phát xạ cưỡng bức áp đảo phát xạ tự phát.
a. Quá trình bơm: duy trì trạng thái nghịch đảo mật độ
 Bơm quang học: kích thích hệ bằng bức xạ điện từ nói chung như
viba, hồng ngoại, ánh sáng, tia tử ngoại,...
Trong hệ hai mức năng lượng: bằng phương pháp bơm quang học ta
không thể đạt được môi trường đảo mật độ.
Hiệu ứng bão hòa: là trường hợp ∆N = N1 - N2 = 0. Hiệu ứng bão hòa
càng dễ đạt được khi thời gian sống của trạng thái ứng với E2 càng lớn
Trạng thái bão hòa: là trạng thái của hệ khi N1 = N2. Trong trạng thái
này hệ không hấp thụ cũng không phát xạ. Hiệu ứng bão hòa này đóng
vai trò quan trọng trong việc tạo ra môi trường nghịch đảo bằng mô
hình ba mức, bốn mức năng lượng.
Trong hệ nguyên tử có 3 mức năng lượng:
E3> E2 > E1; 2 , 3 – thời gian sống ở
trạng thái 2 và 3
Ta có thể dùng bơm quang học có bước
sóng h  E3  E1 để thiết lập sự đảo mật
độ giữa hai mức E2 và E1
 Bơm điện: người ta dùng hiện tượng phóng điện để gây nên một
trạng thái kích thích của hệ nguyên tử. Điện tử trong plasma phóng điện
sẽ kích thích các nguyên tử từ trạng thái cơ bản lên trạng thái kích
thích, khi quay trở về trạng thái thấp hơn sẽ phát xạ ra photon. Bơm
điện cũng được dùng trong laser bán dẫn bằng cách đặt điện áp vào
mẫu để phun hạt vào mẫu tạo ra môi trường đảo mật độ.
b. Buồng cộng hưởng Fabry – Perot: là hệ hai gương phẳng đặt
song song trong đó có một gương phản xạ toàn phần và một gương bán
phản xạ.

Điều kiện cộng hưởng: Lm
2
c
Hiệu tần số cộng hưởng:  B 
2L
c. Laser hồng ngọc
 Hồng ngọc là tinh thể Al2O3 + 0,065%Cr2O3.
 Ion trong tinh thể Cr3+ có sơ đồ năng lượng 3 mức thích hợp cho
bơm quang học.
 Mức E1 suy biến bậc 4. Mức E2 gồm 2
mức, mỗi mức suy biến bậc 2, sự tách
mức này rất nhỏ. Mức E3 gồm 3 mức
Nhưng do nồng độ Cr2O3 khá lớn 
các nguyên tử Cr ở khá gần nhau và tương
tácvới nhau  hai dải năng lượng ứng
với ánh sáng xanh da trời và xanh lá cây. Hai vùng này có thời gian
sống rất ngắn.
 Bơm quang học: dùng đèn phóng điện xeon. Các ion Cr3+ hấp thụ
photon chuyển mức từ E1 lên E3 và nhanh chóng chuyển xuống mức E2
 trạng thái đảo mật độ giữa E1 và E2.
 Buồng cộng hưởng Fabry – Perot: hai gương phẳng bố trí ngoài hay
được tạo nên ở hai đáy của thanh hồng ngọc, l  7,6 cm.
d. Laser He - Ne
 laser là bức xạ nhận được do chuyển
mức 24S  210P.
 trạng thái nghịch đảo mật độ giữa hai
mức trên nhận được do:
 sự phóng điện trong chất khí: các nguyên tử He bị kích thích
lên mức chuẩn bền 23S1 và va chạm với nguyên tử Ne, kích thích
nguyên tử Ne lên trạng thái 24S.
 trạng thái 210P có thời gian sống rất nhỏ  số nguyên tử ở
trạng thái này giảm rất nhanh.
 hai gương phản xạ toàn phần và bán phản xạ ở hai đầu ống đóng vai
trò của buồng cộng hưởng Fabry – Perot.
e. Tính chất đặc trưng của tia laser:

 Tính đơn sắc: phổ của laser gồm các vạch rất thanh. Độ rộng của
các vạch này phụ thuộc vào phẩm chất của buồng cộng hưởng.
 Tính đồng bộ (kết hợp): hai tia tách ra từ một nguồn laser vẫn có
thể giao thoa với nhau khi quang lộ lên tới vài km.
 Công suất phổ năng lượng cao: ví dụ, laser liên tục phát một năng
thông 100 W/cm2 , trong dải tần đó năng thông của mặt trời là (102)
W/km2 nhỏ hơn 1014 lần.
 Tính định hướng của chùm tia: góc mở của chùm laser  phát ra
từ mặt gương có đường kính D và bước sóng  là:   1, 22  D
Chương 4:
Một số vấn đề của vật lý bán dẫn

Điện tử trong tinh thể bán dẫn
Cấu trúc vùng năng lượng của chất bán dẫn
Nồng độ điện tử và lỗ trống trong điều kiện cân bằng
Nồng độ hạt dẫn không cân bằng
Độ dẫn điện của chất bán dẫn
Các hiện tượng phát xạ điện tử
Các hiệu ứng tiếp xúc
Bán dẫn không đồng nhất, chuyển tiếp p – n
Cấu trúc vùng năng
lượng
Phân loại theo bề rộng

vùng cấm
I. ĐIỆN TỬ TRONG TINH THỂ BÁN DẪN
1. Sự thay đổi mức năng lượng trong điện trường ngoài
Hai mức quan trọng nhất:
Ec  đáy vùng dẫn: Ec Bề rộng vùng cấm:
 đỉnh vùng hóa trị: Ev Eg = Ec - Ev
Eg = Ec - Ev Xét sự thay đổi của các mức năng lượng
khi có điện trường ngoài tác dụng (bằng cơ
Ev học cổ điển). Ta có:

dp  
 Fa  V Nhân vô hướng với v :
  dt 
 dp p dp d  p  d 
2
dV dr dV
v      E0  p     
dt m dt dt  2m  dt dr dt dt
Điều đó có nghĩa: E0  p   V  r   H  p , r   const
 - Thế năng của điện tử trong trường ngoài
V r 
Nhận xét: Chuyển động của điện tử ở trong trường ngoài bao giờ cũng
xảy ra sao cho năng lượng toàn phần gồm năng lượng của điện tử trong
tinh thể và thế năng của điện tử trong trường ngoài, là một hằng số.
Các mức năng lượng của điện tử dưới tác dụng V
của trường ngoài sẽ thay đổi theo dáng điệu của
V(x)
thế năng điện tử trong trường đó.
Ví dụ: x
Ec = Ec +V(x) = Ec (x);
A B
Ev = Ev +V(x) = Ev (x)
D
C F
Trong tinh thể lý tưởng: Điện tử có tọa độ tại A Eg
Ec(x)
Ev(x)
chỉ có thể dao động trong khoảng AB.
x
Trong tinh thể thực: Điện tử luôn va chạm với
các ion, tạp chất, khuyết tật  đ/t dịch chuyển
được dọc theo điện trường trong tinh thể.
Hiệu ứng đường ngầm (Chất b.dẫn; đ.trường ~ 106V/m): Điện tử từ

điểm C có thể dịch chuyển đến điểm F.
Chất bán dẫn:

 ở nhiệt độ thấp trên vùng dẫn (vùng trống thấp nhất) hoàn toàn
không có điện tử, còn trong vùng hóa trị (vùng điền đầy trên cùng)
thì tất cả các mức năng lượng cho phép trong vùng đều điền đầy điện
tử.
 Khi nhiệt độ mẫu tăng lên  xuất hiện các điện tử tự do trong
vùng dẫn và trạng thái trống trong vùng hóa trị  chất bán dẫn có
thể dẫn điện được.
 Hành vi của điện tử ở lân cận cực tiểu vùng dẫn và cực đại vùng
hóa trị là quan trọng hơn cả.
2. Chuyển động của điện tử trong tinh thể bán dẫn
a. Sự phụ thuộc năng lượng vào véctơ sóng tại đáy vùng dẫn và đỉnh vùng
hóa trị

Tại lân cận đáy vùng dẫn: Giả sử năng lượng E  k  trong vùng dẫn có
 
cực tiểu tại giá trị véc tơ sóng k0 . Phân tích thành chuỗi Taylor E  k :
  1 2 E
E  k   E  k0     ki  k0i   k j  k0 j   ...
2 ki k j
ij
Giới hạn chuỗi này đến số hạng bậc hai (gần đúng parabol) ta có:
  2 1 1 1  2
k  2
E
E  k   E  k0     ki  k0 i   k j  k0 j   ... Với:  2 
2 mij
ij mij  ki k j pi p j
mij - là thành phần ij của tenxơ nghịch đảo khối lượng hiệu dụng:
 mxx1 mxy1 mxz1 

 
mij1   myx1 myy1 myz1 
 mzx1 mzy1 mzz1 
Sau khi đưa ten xơ này về dạng đường chéo ta được:
2
    kx  k0 x    ky  k0 y  2  kz  k0 z 
2 2 2 2
E  k   E  k0    
2m1 2m2 2m2
2mi 
ai  2  E  E  k0  
2
 2
 kx  k0 x    kx  k0 y    kx  k0 z   1
2 2
a12 a22 a32 k0  0

 2
1 E 2
Nếu: E  k   E  k  E  k   E  k0    k  k0 
2
1  E 2
2 k 2 E k   2
k
 2 k
Khi: m1  m2  m3  m* E  k   1  k
2 2
2
2 m *  E
Mặt đẳng năng có m *
 2
Khối lượng hiệu dụng: k 2

dạng một mặt cầu 
Tổng quát (gần đúng parabol): Mặt đẳng năng trong không gian k là
mặt elip. Ở lân cận điểm cực tiểu năng lượng m*  0, ngược lại ở lân cận
điểm cực đại năng lượng m*  0 .
b. Chuyển động của điện tử trong tinh thể dưới tác dụng của trường
ngoài. Khái niệm lỗ trống
 Xét hành vi của điện tử gần  lân cận điểm cực tiểu năng lượng
 E (theo định luật Newton):
dưới tác dụng của điện trường
 *
  eE
F  m a  eE a *
m
 Xét hành vi của điện tử gần cực đại năng lượng dưới tác dụng
của điện trường E: 2
   
    eE  eE
F  m* a  eE  2 a a  *
 E k 2 m *
m
Kết luận: 
 ở lân cận cực tiểu năng lượng (trong không gian k ) điện tử xử
sự như một hạt có khối lượng dương m* và có điện tích âm –e.
 ở lân cận cực đại năng lượng (trong không gian k ) điện tử xử
sự như một hạt có khối lượng dương m* và có điện tích dương e.
Chuyển động của điện tử liên kết tại lân cận điểm cực đại năng
lượng có thể thay thế bằng chuyển động của một hạt mang điện tích
dương, +e, có khối lượng m* . Hạt đó được gọi là lỗ trống.
II.CẤU TRÚC VÙNG NĂNG LƯỢNG
Cấu trúc
 vùng năng lượng: sự phụ thuộc năng lượng E vào véctơ
sóng k . Sự phụ thuộc đó còn gọi là phổ năng lượng hay quy luật tán
sắc.

Vùng Brillouin thứ nhất: vùng trong không gian k có dạng một khối
đa diện
 (tùy thuộc vào loại tinh thể) mà trong đó chứa tất cả những giá
trị k  kx , ky , kz  đặc trưng cho tất cả các trạng thái cho phép của điện tử.
Ví dụ: Si
III.NỒNG ĐỘ ĐIỆN TỬ VÀ LỖ TRỐNG (đk cân bằng)
Nồng độ điện tử trong vùng dẫn được tính theo công thức:
Emax
n0   2 f0 g  E  dE
Ec
g(E) - Mật độ trạng thái trong vùng dẫn

Ec , Emax - Năng lượng cực tiểu và cực đại của vùng dẫn.
1
f0  fFD  E  Ef
e kT
1
Hàm phân bố Fermi-Dirac là
xác suất điền đầy trạng thái có
mức năng lượng E trong đó Ef là
mức năng lượng Fermi.
Mật độ trạng thái trong vùng dẫn
ky Mặt đẳng năng lân cận cực tiểu ở tâm
E+dE vùng Brillouin có dạng một mặt cầu:
dVk 1 2 k 2 4 3
E  E V k
 k
2 m*
c 3
E
dVk  4 k 2 dk (1)
dSE 0 k Mặt khác:
x
k
m* 2m*  E  Ec 
kdk  2 dE (2) k (3)
 2
3
k 
 2 
(4)
V
Từ (1), (4) 
3
dVk dVk *
 2m  2
dSE   3 V  g  E  dE g  E   2  2  E  Ec
Vk  2    
3
* Ec  E f Ec  E f
 2 m kT  2  
Nồng độ điện tử trong vùng dẫn: n0  2  2  e kT
 Nc e kT
 h 
3
*
 2 m kT  2 - Mật độ trạng thái hiệu dụng của vùng dẫn
Nc  2  2 
 h 
3
*
Nồng độ lỗ trống trong vùng  2 m kT  2  E kT E
p
f

vE E f v
p0  2  2  e  N v
e kT
hóa trị:  h 
3
*
 2 m kT  2- Mật độ trạng thái hiệu dụng của vùng hóa trị
p
Nv  2  2 
 h 
Ec  Ev Eg
 
Đối với bán dẫn không suy biến luôn có: n0 p0  Nc Nv e kT
 Nc Nv e kT
1. Bán dẫn riêng (bán dẫn tinh khiết)
Trong bán dẫn tinh khiết ta luôn có:
Eg

n0  p0  ni  Nc Nv e 2 kT
* *
Nếu Nc = Nv ( m  mp ) ta có:
Ec  Ev
Ef 
2
Nếu Nc ≠ Nv ta có:
Ec  Ev kT  Nv 
Ef   ln  
2 2  Nc 
2. Bán dẫn chứa một loại tạp chất đono
a) Khi bán dẫn nằm trong vùng nhiệt độ ion hóa:
 
 EcEf /kT




n0  Nd  Nce 



Nd – nồng độ nguyên tử đono
Nếu bán dẫn không suy biến ta có:
ni2 ni2 Nc Nv E /kT

p0    e g
n0 Nd Nd c
Nd
Mức Fermi: Ef  Ec  kT ln
Nc
2. Bán dẫn chứa một loại tạp chất đono
b) Khi bán dẫn nằm trong vùng nhiệt độ thấp hơn nhiệt độ ion hóa:
Ed
Nc N 
d 2kT
n0  e
2
Với ∆Ed = Ec – Ed
Ec  Ed kT Nd
Mức Fermi: Ef   ln
2 2 2Nc
c) Khi bán dẫn nằm trong vùng nhiệt độ cao hơn nhiệt độ ion hóa:
Bán dẫn xử sự như một bán dẫn riêng
Eg /2kT Ec  Ev kT Nv
n0  p0  ni  Nc Nve Ef   ln
2 2 Nc
3. Bán dẫn chứa một loại tạp chất axepto
a) Khi bán dẫn nằm trong vùng nhiệt độ ion hóa:
 Ef Ev /kT

p0  Na  Nve  
Nếu bán dẫn không suy biến ta có:
ni2 ni2 Nc Nv Eg /kT

n0    e
p0 Na Na
Na
Mức Fermi: Ef  Ev  kT ln
Nv
3. Bán dẫn chứa một loại tạp chất axepto
b) Khi bán dẫn nằm trong vùng nhiệt độ thấp:
Nv N Ea
p0  e a 2kT Với ∆Ea = Ea – Ev
2
Ev  Ea kT Na
Ef   ln
2 2 2Nv
c) Khi bán dẫn nằm trong vùng nhiệt độ cao hơn nhiệt độ ion hóa:
Bán dẫn xử sự như một bán dẫn riêng

4. Bán dẫn bù trừ, chứa hai loại tạp chất
a) Bù trừ toàn phần: Nd = Na Ec Nc
Nđ
Eđ
 Tất cả các tạp chất trở thành ion Nd và Na
Na
Ea
 Giống bán dẫn riêng về mặt nồng độ hạt dẫn Nv
Ev
 Độ linh động hạt dẫn nhỏ hơn do chứa ion âm và ion dương nên sự
tán xạ trên các ion tăng
b) Bù trừ một phần, ví dụ Nd > Na Nd'  Nd  Na

 Bán dẫn xử sự như bán dẫn chứa tạp chất loại n '
N
n0  Nd'  Nd  Na Ef  Ec  kT ln d
Nc
Nd  Na
Trong vùng nhiệt độ thấp: n0  NceE /kT
d
Nd  Na
2Na Ef  Ed  kT ln
2Na
Trong vùng nhiệt độ cao bán dẫn trở thành bán dẫn riêng
4. Bán dẫn suy biến
Quy ước: có thể quy ước bán dẫn sẽ suy biến bắt đầu từ khi mức
Fermi nằm trong vùng cho phép
 đối với bán dẫn loại n:
* 23
8  2m  32
2
 3  h 23
n0   2  Ef  Ec  Ef  Ec    *
n
3 h   8  2m
 đối với bán dẫn loại p:
* 32 23 2
8  2m  32  3  h 23
p0   2 
3 h 
p
E E 
v f
Ef  Ev   
 8  2mp
*
p
IV. NỒNG ĐỘ HẠT DẪN KHÔNG CÂN BẰNG
Trong chất bán dẫn luôn xảy ra hai quá trình ngược nhau:
 quá trình phát sinh hạt dẫn: là quá trình trong đó điện tử từ vùng
hóa trị nhận được năng lượng chuyển lên vùng dẫn làm phát sinh một
điện tử tự do và một lỗ trống
 quá trình tái hợp: là quá trình điện tử trên vùng dẫn chuyển xuống
một trạng thái trống ở trong vùng hóa trị
 EcE*fn /kT
Nồng độ điện tử không cân bằng: n  n0  n  Nce  
 E*fpEv /kT

Nồng độ lỗ trống không cân bằng:
p  n0  p  Nve  
 n,  p - Nồng độ điện tử , lỗ trống dư

E *fn  E *fp - Các chuẩn mức Fermi của điện tử và lỗ trống
Khi E *fn  E *fp  E f thì bán dẫn là cân bằng

Quá trình phát sinh và tái hợp được đặc trưng bởi các đại lượng sau:
 tốc độ phát sinh: bằng số cặp điện tử và lỗ trống sinh ra trong một
đơn vị thời gian, một đơn vị thể tích
 tốc độ tái hợp: bằng số cặp điện tử và lỗ trống tái hợp ra trong một
đơn vị thời gian, một đơn vị thể tích
Quá trình tái hợp xẩy ra theo nhiều cơ chế khác nhau:
 tái hợp trực tiếp: điện tử trên vùng dẫn tái hợp trực tiếp lỗ trống
dưới vùng hóa trị
 tái hợp qua tâm: tái hợp gián tiếp qua sự môi giới của một tâm bắt
(một mức năng lượng trong vùng cấm)
Trong trường hợp:  n   p  n0 , p0 ta có thể giả thiết tốc độ tái hợp R

tỷ lệ với  n hoặc  p :
n p
Rn  Rp   n , p thời gian sống của điện tử và lỗ trống
n p
Phương trình liên tục trong trường hợp một chiều đối với điện tử:
n 1 Jn
  Gn  Rn
t q x
Gn - tốc độ phát sinh điện tử

Rn - tốc độ tái hợp điện tử
Jn - mật độ dòng điện tử
Trường hợp tổng quát: mật độ dòng điện tử gồm hai thành phần:
 dòng cuốn: chuyển động của điện tử dưới tác dụng của điện trường
J En  en nn E
 dòng khuếch tán: do chuyển động khuếch tán gây nên từ vùng có
nồng độ lớn đến vùng có nồng độ nhỏ J Dn  en Dn
dn
dx
Tương tự như trên chúng ta có thể viết phương trình liên tục và các biểu
thức mật độ dòng điện cho lỗ trống.
 kT   kT 
Dn    n; Dp    p - hệ số khuếch tán của điện tử, lỗ trống.
 en   ep 
Đô dài khuếch tán: là quãng đường mà hạt dẫn khuếch tán đi được
trong thời gian sống của nó LDn  Dnn LDp  Dp p
V. ĐỘ DẪN ĐIỆN CỦA CHẤT BÁN DẪN
Trong chất bán dẫn có sự tham gia dẫn điện của hai loại hạt khác
nhau là điện tử và lỗ trống.
Theo thuyết điện tử kim loại: Khi có điện trường tác dụng các hạt dẫn
tham gia hai chuyển động:
 chuyển động nhiệt hỗn loạn;
 chuyển động cuốn theo phương điện trường.
Tính gần đúng:
en E ep E
vdn  adn dn  *  dn  n E vdp  adp dp  *  dp   p E
m mp
Vdn, Vdp - vận tốc cuốn trung bình của điện tử, lỗ trống,
adn, adp – gia tốc cuốn trung bình của điện tử, lỗ trống,
dn, dp – thời gian chuyển động tự do trung bình của điện tử, lỗ trống.
V. ĐỘ DẪN ĐIỆN CỦA CHẤT BÁN DẪN
Chuyển động có hướng của điện tử gây nên dòng có mật độ:
J  Jn  Jp  ennvdn  ep pvdp  ennnE+epppE= E
e2n e2n
Theo kết quả tính toán:   en nn  ep p p   n  p  *  * p
m mp
en en
n  * - độ linh động của điện tử; n  * - độ linh động của lỗ trống;
m m e
n - thời gian hồi phục của điện tử; n  *n - thời gian hồi phục của lỗ trống;
m
Bán dẫn đono (n >> p): Bán dẫn axepto (p >> n):
2
e n e2n
 * n  * p
m mp
VI. Các hiện tượng phát xạ điện tử
Hiện tượng phát xạ điện tử: hiện tượng điện tử bứt ra khỏi mẫu
Hiện tượng phát xạ điện tử được chia làm nhiều loại:

 nhiệt phát xạ điện tử
 quang phát xạ điện tử
 phát xạ điện tử thứ cấp
 phát xạ điện tử do bắn phá bằng ion
 phát xạ điện tử nóng
Hiện tượng tự phát xạ: đây là các hiện tượng phát xạ điện tử do hiệu
ứng đường ngầm hoặc do kết hợp với quá trình kích thích bằng nhiệt,
quang với hiệu ứng đường ngầm
Hiện tượng nhiệt phát xạ điện tử:
Ở nhiệt độ không tuyệt đối điện tử sẽ sắp xếp vào các mức năng
lượng Ec đến EF . Tất cả các điện tử đều có năng lượng toàn phần âm,
không thể thoát ra ngoài mẫu. Khi nhiệt độ tăng lên cao có thể có
những điện tử có năng lượng E > 0 và có thể thoát ra ngoài.
Mật độ dòng nhiệt phát xạ điện tử:

 
2 kT
JT  AT e
* 2
4 mek - Hệ số Richardson
A
h3
E=0
n 
Công thoát của chất bán dẫn:    
 Ec
Ef - Được xác định bởi tính chất của mạng tinh thể, là
công thoát thực sự, ái lực hóa học
 - Phụ thuộc vào tạp chất và nhiệt độ

Ev
EgkT Nv
 Đối với bán dẫn riêng: i     ln
2 2 Nc
 Đối với bán dẫn loại n (trong vùng ion hóa tạp     kT ln Nd
n
chất ): Nc
Na
 Đối với bán dẫnloại p : p    Eg  kT ln
Nc
VII.Các hiệu ứng tiếp xúc
1. Hiệu thế tiếp xúc ngoài: hiệu thế tiếp xúc ngoài xuất hiện giữa hai
kim loại tiếp xúc với nhau hoặc trao đổi điện tử với nhau bằng hiệu ứng
nhiệt phát xạ điện tử
1
M 2 M1 Uk   2 1 
eU e
2 1 k
Ef2 Ef1 E*f 2 E*f 1

Hiệu thế tiếp xúc
Công thoát của
Ec2 Ec*2
eUi kim loại 1
Ec1 Ec*1 Công thoát của
kim loại 2
2. Hiệu thế tiếp xúc trong giữa hai kim loại: hiệu điện thế tiếp xúc
gây ra bởi sự khác nhau các mức năng lượng đáy vùng dẫn của hai kim
loại nằm trong trạng thái cân bằng
23
1 h  3   n22 3 n12 3 
2
Ui   Ec2  Ef 2    Ec1  Ef 1       *  * 

e 2e  8   m2 m1 
3. Hiệu ứng trường. Sự uốn cong vùng năng lượng của bán dẫn
trong điện trường
V  x  Vs .e x/ L
d
Dưới tác dụng của điện trường mức năng lượng bị uốn cong, độ uốn
cong trên bề mặt là lớn nhất Vs . Điện trường chỉ thấm vào trong chất
bán dẫn đến một độ sâu đặc trưng Ld ( khoảng chắn Debye) phụ thuộc
vào nồng độ hạt dẫn cơ bản 0kT
Ld 
n0e2
1
4. Tiếp xúc kim loại - bán dẫn loại n : Uk   M S 
e
a. Tiếp xúc kim loại - bán dẫn loại n (S < M ): xuất hiện trên lớp
tiếp xúc một điện trường hướng từ bán dẫn sang kim loại, thế năng của
bán dẫn hạ thấp từ mặt phân cách đi sâu vào. Nồng độ điện tử trong lớp
giáp ranh phía bán dẫn giảm xuống. Trong lớp giáp ranh phía bán dẫn
tạo thành lớp nghèo hạt dẫn cơ bản. Tiếp xúc này là tiếp xúc đóng.
20Uk 20  S M 
Ws  
en0 e2n0
b. Tiếp xúc kim loại- bán dẫn loại n (S > M ): xuất hiện trên lớp
tiếp xúc một điện trường hướng từ kim loại sang bán dẫn, thế năng của
bán dẫn tăng. Nồng độ điện tử trong lớp giáp ranh phía bán dẫn tăng
lên. Lớp giáp ranh phía bán dẫn tạo thành lớp giàu hạt dẫn cơ bản.
5. Tiếp xúc kim loại - bán dẫn loại p:
a. Tiếp xúc kim loại- bán dẫn loại p (S > M ): kim loại tích điện
dương, bán dẫn tích điện âm, điện trường tiếp xúc hướng từ kim loại
sang bán dẫn, thế năng điện tử trong bán dẫn tăng lên, trên lớp ranh
giới phía bán dẫn hình thành lớp nghèo hạt dẫn cơ bản. Tiếp xúc là tiếp
xúc đóng.
b. Tiếp xúc kim loại- bán dẫn loại p (S < M ): kim loại tích điện
âm, bán dẫn tích điện dương, điện trường tiếp xúc hướng từ bán dẫn
sang kim loại , thế năng điện tử trong bán dẫn giảm xuống, trên lớp
ranh giới phía bán dẫn hình thành lớp giàu hạt dẫn cơ bản, lỗ trống.
Tiếp xúc là tiếp xúc mở.
Các tiếp xúc mở có có đặc tuyến V – A loại ômic (dòng điện phụ
thuộc gần như tuyến tính vào điện áp), các tiếp xúc đóng có có tính
chất chỉnh lưu ( đặc tuyến V-A không tuyến tính).
6. Đặc tuyến V – A của các tiếp xúc đóng kim loại - bán dẫn:
Thuyết điốt:  Bề dày lớp nghèo WS mỏng, WS<l - quãng đường chuyển động tự
do trung bình của điện tử hay của lỗ trống;
 Dòng điện qua ranh giới tiếp xúc là dòng nhiệt phát xạ điện tử.
Trong điều kiện cân bằng, U = 0: Jsmo = Jmso
Khi U  0, dòng từ bán dẫn sang kim loại: Jsm  AT2eeU K U  kT
Dòng điện tổng cộng từ kim loại sang bán dẫn:

J  Jms  Jsm  Jms  AT2eeU U  kT
K
Đặc tuyến V- A lý tưởng

2  eUK kT
Do: Jms  Jmso  Jsmo  AT e
J  JS  eeU kT 1 Đặc tuyến V-A thực tế
Với: Js  AT2eeU K kT
U – thiên áp ngoài.
Thuyết điốt này không giải thích được một số kết quả thực nghiệm quan trọng:
 theo lý thuyết hệ số chỉnh lưu cao hơn 10 lần kết quả thực nghiệm
 theo lý thuyết mật độ dòng điện qua tiếp xúc phụ thuộc vào kim loại trong tiếp xúc,
thực nghiệm cho thấy mật độ dòng ít phụ thuộc vào vật liệu kim loại
VIII.Bán dẫn không đồng nhất, chuyển tiếp p –n
1. Lớp chuyển tiếp p- n:
Xét một chuyển tiếp lý tưởng với sự
phân bố tạp chất Nd và Na có tính chất
đột biến như sau:
Nd khi x  0  0 khi x  0
Nd  x   Na  x  
 0 khi x  0 Na khi x  0
Chuyển tiếp p – n như thế

gọi là chuyển tiếp đột biến,
là một mô hình lý tưởng chỉ
tồn tại trong thực tế một
cách gần đúng.
2. Sự phân bố điện tích trong chuyển tiếp p –n đột biến: qua ranh
giới có dòng khuếch tán điện tử từ phần n sang phần p và ngược lại có
dòng khuếch tán lỗ trống từ phần p sang phần n.
Vùng kém dẫn hay vùng nghèo : là vùng điện tích địa phưong có nồng
độ hạt dẫn rất nhỏ, có điện trở suất gần bằng bán dẫn riêng ở giáp ranh
chuyển tiếp khi cân bằng.
Mật độ điện tích trong vùng kém dẫn:
2 V  x
 n 
Khi x  0   x  e  Nd  e  V  x  0
 i kT
 Nd 
2 V  x
 n  
Khi x  0   x  e  Na  e  V  x  0
 i kT
 Na 
Trong trường hợp nồng độ tạp chất Nd và Na lớn ta có thể viết:
  x  eNd ;   x  eNa
3. Điện trường trong lớp chuyển tiếp p – n: điện trường cũng chỉ
thâm nhập vào hai phần p và n trong vùng giáp ranh mà thôi.
Giả sử bề dày lớp điện tích địa phương trong phần n là Wn trong phần p
là Wp ta có :
1 dV  x eNd
Khi Wn  x  0 Ei   Wn  x  0
e dx 0
1 dV  x eNa
Khi 0  x  Wp Ei 
e dx

0
 x Wp   0
Từ điều kiện liên tục của điện trường ta có :

eNd eNa
Wn  Wp
0 0
NdWn  NaWp
4. Sơ đồ vùng năng lượng trong chuyển tiếp p – n: khi chuyển tiếp p
– n nằm trong trạng thái cân bằng mức Fermi của hai phần phải bằng
nhau, nhưng các vùng năng lượng bị uốn cong.
e
Uk 
2
 NW d n
2
 NaWp2 
0
eUk  p n
5. Phân bố nồng độ hạt dẫn trong lớp chuyển tiếp p – n
nn pp
eUk  kT ln  kT ln
np pn
pn – nồng độ lỗ trống bên phần n

n p - nồng độ lỗ trống bên phần p
Nhận xét: Khi hai phần bán dẫn càng pha tạp nhiều thì Uk càng lớn.
 eUk 
pn  Wn   pp exp   
 kT 
 eUk 
pp Wp   nn exp   
 kT 
6. Tính chỉnh lưu của chuyển tiếp p – n:
Để đơn giản hóa bài toán ta giả thiết:
 lớp chuyển tiếp mỏng LD > W = (Wn + Wp ), có nghĩa là hạt dẫn đi
qua vùng điện tích địa phương không bị tái hợp, LD là độ dài khuếch tán
của hạt dẫn
 hai phần p – n của chuyển tiếp pha tạp mạnh pp  p0  pi ; nn  n0  nn
 không có hiện tượng tái hợp bề mặt
 điện áp đặt vào chuyển tiếp chỉ gây sụt thế trên lớp kém dẫn của
chuyển tiếp, các tiếp xúc kim loại với hai phần p, n của chuyển tiếp có
tính ômic và không ảnh hưởng đến tính chất của chuyển tiếp
Nếu chúng ta đặt vào chuyển tiếp p – n một điện áp U theo chiều
thuận ( cực - của nguồn nối với phần n, cực + của nguồn nối với phần
p ), hàng rào thế năng trên chuyển tiếp giảm xuống một lượng eU, dòng
điện qua chuyển tiếp trong trường hợp này là dòng khuếch tán các hạt
dẫn cơ bản nên mật độ dòng lớn.
Nếu đặt vào chuyển tiếp p – n một điện áp U theo chiều ngược ( cực -
của nguồn nối với phần p, cực + của nguồn nối với phần n )  hàng
rào thế năng được nâng cao lên, hầu như chỉ có hạt dẫn không cơ bản
chuyển động cuốn qua biên giới và gây nên dòng ngược.
Tính chỉnh lưu: dòng ngược rất nhỏ so với dòng thuận.
Tìm đặc trưng V-A (bài toán một chiều) :
dp
Thành phần dòng điện do lỗ trống gây nên Jp : Jp  ep pp E  ep Dp ,
dx
Trong phần p Trong phần n
Nồng độ lỗ trống p0  pp   p, p  x  pn   p
dp
Dòng Jp  ep pp E; x  Wp Jp  ep Dp ; x  Wn
dx
Dp – hệ số khuếch tán của lỗ trống trong phần n
Phương trình liên tục (trong chế độ dừng ) trong phần n (x < -Wn ):
1 dJp  p p , p – thời gian sống và nồng độ dư của lỗ trống
 0
ep dx  p
Giải phương trình trên với điều kiện biên: Jp |xW  Jp |xW ta có:
p n
ep Dp pn   eU    x Wn 
Jp   exp  1 exp 
Lp   kT    Lp  
ep Dp pn   eU  
Tại x = -Wn ta có: Jp |xW   exp  1
n
Lp   kT  
Tiến hành tương tự ta tính được mật độ dòng điện tử tại (x = Wp ):
en Dn np   eU  
Jn |xW  exp   1
p
Ln   kT  
Mật độ dòng điện chạy qua chuyển tiếp:
J  Jp  Wn   Jn  Wn   Jp  Wn   Jn Wp 
 Dnnp Dn np    eU  
Thay các giá trị vào ta có : J  ep    exp  1
 Ln Ln    kT  
 Dnnp Dnnp 
Đặt: Js  ep   
 nL Ln 
  eU  
Ta nhận được: J  Js exp   1
  kT  
Đặc trưng V- A của

chuyển tiếp p - n
7. Bề dày của lớp chuyển tiếp p – n:
20  Na  Nd Uk
W  Wn Wp 
eNa Nd
Trong trường hợp có điện áp ngoài đặt vào  bề dày lớp điện tích địa
phương:
20  Na  Nd 
W U   Uk U 
eNa Nd
8. Chuyển tiếp dị chất:
Chuyển tiếp p – n dị chất: là chuyển tiếp p – n được cấu tạo từ hai loại
tinh thể khác nhau, ví dụ: Ge loại n và GaAs loại p
Chuyển tiếp dị chất có nhiều tính
chất quan trọng được ứng dụng đặc
biệt trong các linh kiện quang điện tử
 ∆Eg1  ∆Eg1
 ∆Ec = Ec2 – Ec1 ; ∆Ev = Ev2 – Ev1
 eUk = Vb1 + Vb2 ; ∆Ec = 1 – 2
Bề dày lớp điện tích địa phương:
1/2
 2Na 212  eUk  eU  
W1   
 eNd1  1Nd1  2 Na 2  
1/2
 2Nd112  eUk  eU  
W2   
 a 2  1 d1 2 a 2  
eN  N   N
Điện áp rơi trên hai phần của chuyển tiếp U1 và U2:

Vb1  eU1 Na 22

Vb2  eU2 Nd11
Trong đó: U = U1+U2:

Chương 5
Những cơ sở vật lý của quá trình

truyền và xử lý tín hiệu quang
Sóng điện từ
Sự lan truyền của ánh sáng trong linh kiện dẫn sóng quang
Sợi quang
Nguyên lý điều biến quang
Những nguyên lý cơ bản của linh kiện phát quang bán dẫn
Những nguyên lý cơ bản của linh kiện thu quang
I. Sóng điện từ
Định nghĩa: Sóng điện từ là trường điện từ biến thiên truyền đi trong
không gian.
1. Hệ phương trình Maxwell

1. D  

2. B  0

  B
3.  E  
t

   D
4.  H  j 
t
Trong môi trường đồng nhất và đẳng hướng, ta có:

     
D  0 E; B  0 H ; j   E
2. Phương trình sóng đối với trường điện từ
Trong môi trường đồng nhất, trung hòa ( = 0) và không dẫn
 
điện  j  0 :   D
 3.   H 
1. D  0 t
 
2. B  0   B
4.   E  
t
Lấy rot hai vế phương trình (3) của hệ trên: 
  D
  H 
     B     t
     E            B 
 t  t

      E2
  E   E   0    H   0 0 2

 t t
 D  0 
 E2
   E 2
E  0 0 2 E  2 2
t 1 c t
0 0  2
c

  2 H
Tính toán tương tự, ta cũng nhận được: H  2 2
c t
Các phương trình trên đã chỉ ra sự tồn tại của sóng điện từ và vận tốc
pha của sóng: v  c
   n - Chiết suất của môi trường
Trong chân không:     1 n 1
3. Sóng điện từ phẳng đơn sắc

Sóng điện từ phẳng, đơn sắc là sóng điện từ có những đặc tính sau đây:
 các mặt sóng là những mặt phẳng song song;
 
 các vectơ E , H có phương không thay đổi và trị số của chúng là
hàm sin của thời gian t.
Tính chất:
 
 Hai vectơ E , H luôn vuông góc với nhau;
  
 Ba vectơ E , H , v theo thứ tự hợp thành tam diện thuận ba mặt
vuông;
   
 E và H luôn luôn dao động cùng pha: 0 E  0 B
II. Sự lan truyền của ánh sáng trong linh kiện dẫn sóng quang
1. Hệ sợi quang - mạch quang tích hợp và những đặc điểm
QUANG HỌC TÍCH HỢP: là phương pháp truyền và xử lý tín hiệu
bằng tia sáng.
Đặc điểm:
 dây điện bằng kim loại được thay thế bằng sợi quang hay linh kiện
dẫn sóng quang;
 mạch điện tích hợp được thay thế bằng mạch quang tích hợp.
Hệ thống truyền dẫn tín hiệu điện
Kênh
Phần điện Phần điện
Điều biến truyền Giải điều
tử tử
dẫn
Nguồn tín Tín hiệu thu

hiệu
Hệ thống truyền dẫn quang
Biến đổi
Sợi Biến đổi
Phần điện Phần điện
tử
điện- quang quang-
tử
quang điện
(SQ)
a. So sánh sợi quang với các phương pháp truyền dẫn khác
Ưu điểm Nhược điểm

 Tránh được sự giao thoa của  Không truyền tải được năng
sóng điện từ lượng điện
 Tránh được sự chập mạch hay
nối đất
 An toàn trong truyền tin
 Tổn hao nhỏ
 Dải thông rộng
 Kích thước nhỏ, trọng lượng
nhẹ
 Vật liệu rẻ, dồi dào
b. So sánh mạch quang tích hợp và mạch điện tích hợp

Ưu điểm Nhược điểm
 Tăng độ rộng của dải thông  Cần đầu tư đổi mới công nghệ
 Mở rộng sự phức hợp phân tần cao tốn kém
(frequency division
multiplexing)
 Khớp nối ít tổn hao
 Mở rộng chuyển mạch đa cực
 Kích thước nhỏ, trọng lượng
nhẹ, công suất tiêu thụ ít
 Tiết kiệm trong sản xuất
 Độ lặp cao
2. Kiểu truyền sóng (mode) trong các linh kiện dẫn sóng quang
Mode quang học:
- Cách thức phân bố theo không gian của năng lượng quang trong một
hay nhiều chiều tọa độ.
- Về toán học: điện trường thỏa mãn phương trình sóng Maxwell với
những điều kiện biên.
Xét mô hình linh kiện dẫn sóng bản phẳng: Giả sử ánh sáng lan truyền
theo trục z. Phương trình sóng Maxwell có dạng:
2 
 
 2  2
n r   E r ,t 
 E  r , t   2 1
 c t 2
 
n2  r   
Thế dạng nghiệm trong trường hợp

 
sóng đơn sắc:E  r, t   E  r  eit vào (1) ta có:
  2 2 
 
 E  r   k n  r  E  r   0  2
2
  
Giả thuyết sóng lan truyền theo trục z và có dạng: E  r   E  x, y  e i z
Khi thay vào phương trình (2) ta sẽ nhận được:  - gọi là hệ số lan truyền
 

2
 E  x, y   E  x, y 
2 2
2 2 
2
 2
 k n  r     E  x, y   0
2
x y
2 E  x , y 
vùng 1:   k 2 n12   2  E  x, y   0
Vì linh kiện dẫn sóng x
là vô hạn theo nên: 2 E  x , y 
vùng 2:   k 2 n22   2  E  x, y   0  *
x
2 E  x , y 
vùng 3:   k 2 n32   2  E  x, y   0
x
Trường hợp sóng điện ngang TE:
 A exp(qx) 0x
Nghiệm trong 3 vùng: E y (x)  Bcos(hx)  Csin(hx)] d g  x  0
 D exp[p(x  d )]    x  d g
 g
Điều kiện biên: E y (x),   E y (x)  x liên tục tại các điểm: x = 0, x = -dg
 
c 'exp(qx) 0x

E y (x)  c '[cos(hx)  (q / h) sin(hx)]  d g  x  0

c '[cos(hd g )  (q / h) sin(hd g )]exp[p(x  d g )]    x  d g
Thế biểu thức này vào pt. * ta được:
q  (2  n12 k 2 )1/2 ; p  (2  n 32 k 2 )1/2 **
h  (k 2 n 22 2 )1/2 ; k  / c
Xác định hệ số lan truyền : Dựa trên đk biên tại x = - dg
qp
tan(hd g )  Giải bằng phương pháp đồ thị
h(1  qp / h 2 )
 mode (a) không có ý nghĩa vật lý;

 mode (b) và (c) là sóng được dẫn
truyền;
 mode (d) giảm theo exp khi ra ngoài
nhưng tồn tại theo hàm sin trong đế
gọi là bức xạ đế;
 mode (e) là mode không dẫn truyền
theo được trong linh kiện dẫn song.
3. Phương thức truyền sóng trong linh kiện dẫn sóng quang theo
mô hình quang học tia (ray-optics)
Phương pháp quang học-tia: sự lan truyền ánh sáng theo trục z được
xem như tạo nên bởi sự lan truyền các sóng bản phẳng theo đường zig-
zag trong mặt phẳng x-y do sự phản xạ toàn phần từ các mặt phân cách
tạo nên linh kiện dẫn sóng.
Góc phản xạ tạo bởi các đường zig-zag khác nhau đối với từng
mode, cho nên thành phần z của vận tốc pha của chúng khác nhau.
a. Sơ đồ tia trong linh kiện dẫn sóng bản phẳng ba lớp
Nghiệm trong vùng 2 (mode TE):
E  x, y   sin  hx   
h,  - phụ thuộc vào cấu trúc linh kiện dẫn sóng.
2 2 2 2
Thay bt. Trên vào pt. (*) vùng 2 ta có:   h  k n2
, h, kn2- là các hệ số lan truyền.
Sự liên quan giữa các hệ số lan truyền.
Các mode khác nhau trong mô hình

quang học tia.
sin 1 n2 sin 2 n3
 ; 
sin 2 n1 sin 3 n2
Mode truyền dẫn (guided mode); 3  arcsin  n3 n2 

Mode đế (substrate mode); 2  arcsin  n1 n2 
Mode bức xạ (radiation mode)
2  arcsin  n1 n2 
Điều kiện xác định các mode có thể truyền dẫn: 
3  arcsin  n3 n2 
Các kết quả nghiên cứu bằng quang hình và quang lý phù hợp với
nhau.
b. Bản chất gián đoạn của hệ số lan truyền 
Kết quả nghiên cứu pt. truyền sóng Maxwell: chỉ có một số giá trị m gián đoạn
(được phép) trong khoảng: kn3≤  ≤ kn2 cho những mode được dẫn truyền.
Xét theo quan điểm quang học-tia:
Mặt sóng bản phẳng bị chặn, có sự chồng chất giữa sóng tới và sóng phản xạ. Độ
lệch pha tổng cộng giữa hai điểm A và B bằng một số nguyên lần 2 (điều kiện giao
thoa).
2 2n2 dg
.  23  21  2m
0 cos m
2
k ; dg – bề dày của linh kiện dẫn sóng, 23, 21 – các góc lệch pha khi phản xạ
0 toàn phần, m =1,2,3…. Đối với m cho trước
2 12
Đối với sóng TE: tg  23
  n2
2
sin 2
2  n 3 n2 cos 2 có thể tính được n1,
2 12
n2, n3, dg, m. Như vậy
tg21   n sin 2
2
2
2
n 
1
n2 cos 2 ta nhận được một số
 giới hạn các giá trị m
Thế vào pt. mô tả diều kiện giao thoa, ta có: m   m (các mode được phép
2 khác nhau), m> c
4. Cấu trúc linh kiện dẫn sóng quang trong mạch quang tích hợp
a. Linh kiện dẫn sóng dạng kênh
 Tiết diện ngang hình chữ nhật

 Lõi có chiết suất n2 được bao quanh bởi
một vật liệu có chiết suất n1 (n1 < n2 )
b. Linh kiện dẫn sóng có dạng dải phủ
Được tạo thành bằng cách phủ

một dải vật liệu có chiết suất n3 lên
phía trên một lớp dẫn sóng bản phẳng
(chiết suất n2), nằm trên đế (chiết suất
n1); n3 < n2 < n1
III. Sợi quang
1. Tính chất, phân loại và công nghệ chế tạo
a. Tính chất cần thiết của sợi quang:
 Độ tổn hao thấp
 Phải có tính chất cơ học thích hợp
 Phải có tính lão hóa thấp
b. Cấu tạo và phân loại:
 Cấu tạo: gồm hai phần lõi và vỏ.
Phần lõi có chiết suất n1, phần vỏ có chiết suất không đổi n2 (n2 <n1)
 Phân loại:
 Theo phân bố chiết suất quang học: sợi quang giật cấp và sợi quang liên tục
 Kích thước của lõi: sợi quang giật cấp đơn mode và sợi quang giật cấp đa mode.
Sợi quang liên tục thường dẫn truyền nhiều mode  sợi quang liên tục đa mode
III. Sợi quang
Độ chênh chiết suất tuyệt đối: n = n1 – n2
n1  n2 Đối với sợi quang đa
Mức độ thay đổi chiết suất:   ;
(fractional refractive-index change) n1 mode: ∆= 0,02, đơn
mode: ∆= 0,005.
12 Khẩu độ số đặc trưng cho sự ghép
Khẩu độ số: NA  sin i ,max   n12  n22 
nối hiệu quả giữa nguồn laser và sợi
quang
Xác định khẩu độ số: ir
NA  sin i ,max  n1 sin r ,max 

 n1 cos c  n1 1  sin2 c 
2 2 12
n1 1   n2 n1    n  n
2
1 2
III. Sợi quang
c. Công nghệ chế tạo sợi quang: gồm hai giai đoạn:
 Giai đoạn chế tạo phôi (preform):
 Phương pháp lắng đọng hóa học từ pha hơi (Chemical Vapour
Deposition- CVD)
 Phương pháp lắng đọng theo trục từ pha hơi (Vapour Axial
Deposition-VAD)
 Giai đoạn kéo sợi:
 Từ các thỏi phôi có phân bố chiết suất xác định người ta kéo ra
các sợi quang có phân bố chiết suất theo thiết kế trước.
 Các thỏi phôi được đặt trong các lò nung để nâng cao nhiệt độ,
phôi đặt thẳng đứng, ở đầu cuối của phôi đạt nhiệt độ nóng chảy
và từ đó kéo ra sợi quang gồm lõi và vỏ.
 Sợi quang được kéo xuống phía dưới được bọc lớp bảo vệ
polymer.
III. Sợi quang
2. Các mode dẫn truyền trong sợi quang giật cấp
Để một mode sóng dẫn truyền được trong sợi quang giật cấp cần thỏa mãn các
điều kiện sau đây:
n2
 Điều kiện phản xạ toàn phần: sin  
n1
 Điều kiện giao thoa: Độ lệch pha tổng cộng giữa hai điểm A và B
phải bằng một số nguyên lần 2 : 2 . 2nd1  2  2m
0 cos m
2n1  d 0 
m  1, 2,3,... cos m 
m    
 - góc dịch pha khi phản xạ
 0
2n1 d
cos m  
m 0
III. Sợi quang
3. Sự hạn chế dải thông do tán sắc giữa các mode trong sợi quang
giật cấp đa mode
Các mode có hướng lan
truyền khác nhau  m khác
nhau  quang lộ sẽ khác
nhau  khoảng thời gian cần
thiết để các mode đi qua một
chiều dài sợi quang như nhau
sẽ khác nhau.
Xét hai mode: một mode đi theo trục sợi quang (mode trục), mode thứ hai lan
truyền với góc m bằng góc phản xạ toàn phần (mode tới)
Thời gian lan truyền từ tiết diện A đến tiết diện B:

AB ABn1
 mode trục: min
t  
v c
AB AB n1
 mode tới hạn: tmax  
vsin  sin c c
III. Sợi quang
Độ giãn xung sáng: có thể được gọi hiệu thời gian lan truyền của hai
mode trục và mode tới từ tiết diện A tới tiết diện B
AB.n1  1   n1 
t  tmax  tmin    1  tmin   1
c  sin c   n2 
Hiện tượng tán sắc giữa các mode: xung sáng bị giãn ra do thời gian mà
các mode truyền qua cùng một chiều dài sợi quang là khác nhau.
Sự giãn các xung sáng  giới hạn độ rộng dải thông của sợi quang.
Độ giãn xung sáng biểu diễn qua chiều dài sợi quang L và thời gian lan
truyền của mode trục qua chiều dài L:
 n1  n2  L.n1
t  tmin     n1  n2 
 n2  c.n2
1 c.n2 1
Độ rộng dải thông cực đại B: B   
4t 4 L.n1 n1  n2
Ví dụ: L=1km; ∆ = 0,01; n1 = 1,5  B = 5Mbit/s.

III. Sợi quang
4. Sợi quang liên tục đa mode
Sợi quang liên tục đa mode: sợi quang trong đó chiết suất của lõi n1 thay
đổi liên tục sang chiết suất của vỏ n2.
Trong sợi quang liên tục đa

mode:
quy luật thay đổi chiết suất của
lõi đến vỏ tạo ra điều kiện để
những mode sóng có quang lộ
dài sẽ chuyển động cao hơn
những mode có quang lộ ngắn
 ∆t giảm.
Quy luật chiết suất thay đổi theo bán kính có dạng parabol  giảm ∆t
đến tối thiểu.
III. Sợi quang
5. Sợi quang giật cấp đơn mode d – đường kính lõi
A. Điều kiện đơn mode 0 – bước sóng ánh sáng trong lõi
2 d 2 12 n1, n2 – chiết suất của lõi và vỏ
Tần số chuẩn hóa : V 
0
n
2
1
n
2 
Điều kiện đơn mode: V  2, 405
2 d 2 2 1 2
Bước sóng cắt (cut-off wavelength): c 
2, 405
 n1  n2  Nếu 0 < c
ta có đa mode
B. Cấu tạo
2 12 d
Nếu lấy n1 =1,53; ∆= 0,002   n1  n2   0,08   6
2
0
Thế hệ sợi quang hoạt động ở bước sóng 0 = 0,8 m không thích hợp
do:
 có sự tán sắc do nguồn sáng LED có độ rộng phổ lớn;
 sự tổn hao lớn;
 kích thước lõi nhỏ (4 m) khó chế tạo.
Ngày nay sợi quang hoạt động ở bước sóng 0 = 1,3 m hay 1,5 m.
III. Sợi quang
6. Hiện tượng tán sắc trong sợi quang giật cấp đơn mode: Do
nguồn sáng có độ rộng phổ nhất định (chromatic dispersion), khác
không. Sự tồn tại độ rộng phổ nguồn  hai loại tán sắc:
 Tán sắc do linh kiện dẫn sóng
2n1 d
Góc truyền được phép xác định bởi công thức: cos  m

m 0
 Tán sắc do vật liệu gây nên
Nếu trong nguồn sáng có một tập hợp các bước sóng: 1, 2, 3,...thì
mỗi bước sóng có một giá trị m (waveguide chromatic dispersion)
Trong sợi quang thực tế, n1 = n1()  sự giãn xung sáng (material
chromatic dispersion)
III. Sợi quang
7. Tổn hao trong sợi quang: có thể chia thành 2 loại:
a. Tổn hao do cơ cấu

 Do uốn cong sợi quang (microbending losses)
 Do khớp nối (coupling losses)
 Do hàn nối (splicing losses)
b. Tổn hao do vật liệu
 Hấp thụ bức xạ hồng ngoại: hấp thụ do các chuyển mức của
điện tử, hấp thụ do tạp chất, hấp thụ do kích thích các mức dao
động của liên kết Si-O. Trong sợi quang các gốc OH có vai trò quan
trọng hơn cả đối với sợi quang trong dải hồng ngoại
III. Sợi quang
Tán xạ gây tổn hao trong sợi quang:

 Tán xạ tuyến tính:
o Tán xạ trên các bất hoàn hảo của
sợi quang như giữa các mặt biên giữa
lõi và vỏ có độ gồ ghề.
o Tán xạ trên các bất đồng nhất
trong vật liệu sợi quang (tán xạ
Rayleigh). Đây là loại tán xạ quan trọng nhất.
 Tán xạ phi tuyến: là các quá trình nhiều photon có sự thay đổi năng
lượng.
IV. Nguyên lý điều biến quang
Điều biến quang: là sự điều biến sóng mang ( bức xạ của điôt phát
quang-LED hoặc laser điôt phát vào sợi quang) để các thông tin được
đưa vào các sóng mang đó có thể truyền được đi xa
Có hai phương pháp điều biến:

 điều biến trực tiếp: dùng xung điện của tín hiệu cần truyền cho tác động
trực tiếp vào mạch điện làm việc của điôt phát quang hoặc laser, qua đó điều
biến ánh sáng mà chúng phát ra
 điều biến ngoài: bức xạ nguồn phát ra chưa được điều biến, trước khi
truyền vào sợi quang, được đi qua một hệ điều biến
Có ba cách điều biến quang:

o điều biên (còn gọi là khóa dịch biên – Amplitude shift keyed-ASK)
 tín hiệu có dạng: E  t   A  t  cos t    ; A  t   0,1
o điều pha (còn gọi là khóa dịch pha – Phase shift keyed-PSK)
 tín hiệu có dạng:E  t   A cos t     t ;   t   0,  
o điều tần (còn gọi là khóa dịch tần– Frequency shift keyed-FSK)
 tín hiệu có dạng: E  t   A cos     t    ; tần số sẽ tăng lên
hoặc giảm xuống  ứng với giá trị „0”, „1” trong một chu kỳ bít
Các phương pháp điều biến khác nhau đòi hỏi các phương pháp giải
điều (demodulation) thích hợp
Có thể chia điều biến ra làm hai loại theo cơ chế vật lý và phương pháp
thực hiện:
 điều biến điện quang
 điều biến cơ quang
1. Điều biến điện quang:
 Hiện tượng điện quang: là sự phụ thuộc của chiết suất của vật liệu vào
điện trường đặt trong tinh thể
 Các cơ cấu linh kiện điều biến điện quang:
a. Linh kiện điều biến dẫn sóng
b. Linh kiện điều biến nhiễu xạ
2d sin   
ng
ba
I  sin2  B.U 
I0
2. Điều biến cơ-quang:
 Hiệu ứng cơ-quang: là sự phụ thuộc của chiết suất của vật liệu vào sự
biến dạng của tinh thể:
n  n6 p2107 Pa / 2  va3 A
n - chiết suất của vật liệu chưa biến dạng, p - một phần tử của tenxơ quang-đàn
hồi, Pa - công suất toàn phần của sóng âm (W),  - mật độ vật liệu, va - vận
tốc sóng âm, A – tiết diện ngang mà sóng đi qua.
 Các cơ cấu linh kiện điều biến cơ-quang: một hệ cách tử tương tự như ở
hiện tượng điện quang có thể tạo nên nhờ sóng âm bằng hiệu ứng cơ-
quang. Các linh kiện điều biến cơ-quang thường ứng dụng sóng đàn hồi
 cấu trúc cách tử được gây nên ở trong trạng thái chuyển động so với tia
sáng. Sự chuyển động này không gây hiệu ứng đáng kể vì tần số âm nhỏ
hơn tần số ánh sáng rất nhiều.
z
Linh kiện điều biến cơ quang Bragg:
y
 ánh sáng lan truyền theo trục z
 sóng âm lan truyền theo trục y
 chiều dày linh kiện l >> 

 góc tới của tia sáng: sin   Br
2
Thông thường người ta thu nhiễu xạ bậc 0 ở lối ra.
I0  I 2   
Độ sâu điều biến:  sin  
I0  2 
 – độ dịch pha của sóng ánh sáng khi có tác dụng của sóng âm.
V. Những nguyên lý cơ bản của các linh kiện phát quang bán
dẫn
Trong hệ sợi quang- mạch quang tích hợp, linh kiện quan trọng bậc
nhất là linh kiện phát quang (LED, laser bán dẫn).
1. Đặc điểm cấu trúc vùng năng lượng của chất bán dẫn
Đặc điểm thứ nhất:
2 k 2
Gần vùng dẫn - đối với điện tử: E  k   Ec  *
2m 2 2
k
Gần vùng hóa trị - đối với lỗ trống: E  k   Ec  *
2mp 
Đặc điểm thứ hai: Cực tiểu vùng dẫn có thể nằm ở một điểm k   0,0,0 

hoặc có thể nằm ở một điểm k  0. 
Cực đại vùng hóa trị thông thường nằm ở điểm có vectơ sóng k   0,0,0 
Bán dẫn vùng cấm thẳng: là bán dẫn có cực tiểu vùng dẫn và cực đại
vùng hóa trị ở cùng tại một điểm trong không gian k
Bán dẫn vùng cấm xiên: là bán dẫn có cực tiểu vùng dẫn và cực đại

vùng hóa trị tại hai điểm khác nhau trong không gian k
dẫn
2. Chuyển mức năng lượng, quá trình hấp thụ
Các dạng chuyển mức năng lượng:

Ánh sáng
 giữa các mức tạp chất với vùng dẫn
 giữa vùng hóa trị và các mức tạp chất

Chất bán dẫn
 Giữa các phân vùng trong vùng dẫn hay
vùng hóa trị
 quan trọng nhất là chuyển mức vùng –
vùng (chuyển mức cơ bản)

dẫn
Chuyển mức cơ bản có thể xảy ra theo hai cơ chế khác nhau:
 chuyển mức thẳng: là chuyển mức mà trong đó xung lượng, hay
vectơ sóng của điện tử gần như không thay đổi và không có sự tham gia
của phonon, dao động mạng tinh thể
    
k1  qphot  k2  k1 ~ k2
E1  h phot  E2
 
E1, E2 – năng lượng của điện tử ở trạng thái đầu và trạng thái cuối, k1 , k2 – vectơ

q
sóng của điện tử ở trạng thái đầu và cuối, phon – vectơ sóng của phonon
Eg
Tần số ngưỡng hấp thụ cơ bản:  0  h
dẫn
 chuyển mức xiên: là chuyển mức mà trong đó xung lượng hay vectơ
sóng của của điện tử phải thay đổi đáng kể và bắt buộc phải có sự
tham gia của phonon, dao động mạng tinh thể
      
k1  qphot  qphon  k2  k1  qphon  k2
E1  h phot  phon  E2
Eg phon
Tần số ngưỡng hấp thụ cơ bản:  0  
h 2
dẫn
3. Tái hợp bức xạ tự phát. Điốt phát quang (LED)
 tái hợp bức xạ tự phát: là sự chuyển mức của các điện tử ở lân cận
cực tiểu vùng dẫn xuống một trạng thái trống trong vùng hóa trị và
bức xạ ra một photon
Chuyển mức tái hợp bức xạ cũng có thể

xảy ra theo cơ chế chuyển mức thẳng
và cơ chế chuyển mức xiên
dẫn
LED:
dẫn
LASER BÁN DẪN:
Ưu điểm:
 kích thước nhỏ;
 dễ dàng điều biến ánh sáng phát
ra bằng cách điều biến thiên áp nuôi
điôt laser.
Tái hợp bức xạ kích thích: một cặp điện tử lỗ trống bị kích thích tái hợp
bởi một photon sinh ra trong quá trình bức xạ tự phát và phát ra một
photon mới, photon này giống hệt photon kích thích đã gây nên quá trình
tái hợp bức xạ đó về năng lượng, tần số, hướng, pha và mặt phân cực.
Điều kiện để tái hợp bức xạ kích thích được tăng cường và chiếm ưu thế:
 Tạo được trạng thái nghịch đảo mật độ;
 Mật độ photon cao.
dẫn
Cấu tạo:
 chuyển tiếp p-n có dạng hình hộp, chiều rộng l 0,3mm, chiều cao a
 0,1mm, bề dày lớp chuyển tiếp d  2m;
 hai mặt bên phẳng, song song, được phủ kim loại bằng phương pháp
bốc bay kl. trong chân không hai mặt phản xạ của buồng cộng hưởng
Fabry-Perot.
Các mode cộng hưởng:
 Điều kiện chiều dài: L  m  2
m =1,2,3…;  = o/ nr – bước sóng
của ánh sáng trong môi trường; nr – chiết
suất của vật liệu;
 Các mode tồn tại trong buồng
cộng hưởng phải là bức xạ kích
thích.
VI. Những nguyên lý cơ bản của linh kiện thu quang
Linh kiện thu quang (photodetector): là những linh kiện bán dẫn có thể
chuyển đổi tín hiệu quang thành tín hiệu điện.
Nguyên lý hoạt động: có thể chia làm 3 khâu
Cho dòng điện tác
Vận chuyển hạt
Phát sinh hạt dụng vào mạch ngoài
dẫn và khuếch đại
dẫn tới gây ra tín hiệu điện ở
dòng hạt dẫn
lối ra
Ứng dụng: được sử dụng rất nhiều lĩnh vực: cảm biến hồng ngoại, các
bộ thu trong thông tin quang,...
Ưu điểm:
 Độ nhạy cao
 Thời gian đáp ứng ngắn
 Mức nhiễu thấp
 Gọn nhẹ
 Nguồn nuôi (dòng, điện áp) nhỏ
 Tiện dụng
VI. Những nguyên lý cơ bản của các linh kiện phát quang bán
dẫn
1. Linh kiện quang dẫn hay quang trở
Cấu tạo: gồm một phiến bán dẫn hai đầu có hai điện cực kim loại tiếp
xúc omic.
Khi chiếu ánh sáng lên bề mặt mẫu 

Trong mẫu phát sinh các điện tử và lỗ
trống  độ dẫn của mẫu tăng.
Nguyên lý hoạt động: số hạt dẫn  n  t  trong một đơn vị thể tích giảm
do tái hợp:
t  n0 – Số hạt dẫn phát sinh tại thời điểm t = 0;
 n  t    n0 exp   
    – Thời gian sống của hạt dẫn.
Tốc độ tái hợp:

 n d n

 dt
dẫn
Giả thiết:
 Diện tích bề mặt mẫu: A = WL;
 Thông lượng photon dọi xuống toàn bộ diện tích bề mặt mẫu là đồng đều;
 Popt – công suất ánh sáng tới, hv – là năng lượng của photon. Tổng số photon đến bề
mặt trong một đơn vị thời gian là: Popt / hv;
 D – bề dày mẫu bán dẫn là,  – hệ số hấp thụ ánh sáng, 1/  – độ sâu thâm nhập của
ánh sáng,  –hiệu suất lượng tử;
 E – cường độ điện trường, vd – vận tốc cuốn của hạt dẫn.
Trong trạng thái dừng: do tốc độ phát sinh bằng tốc độ tái hợp, ta có
(với D> 1/  ):
 n  . Popt / h   . Popt / h 
G  n  
 WLD WLD
Dòng quang dẫn chạy qua hai cực:
 Popt  n E
I p   EWD   en nE WD   e nvd WD  e   L
 Popt   h  
Nếu ký hiệu dòng sơ cấp: I ph  e  
 h  I p n E 
g  
g – hệ số khuếch đại; tr =L/vd – thời gian chuyển vận. I ph L tr
dẫn
2. Photođiôt
Một photođiôt đơn giản là một chuyển tiếp p-n mắc thiên áp ngược.
Hiệu suất lượng tử: là số cặp điện tử- lỗ trống phát sinh trên một photon
tới: 1 Ip – dòng quang phát sinh do hấp
I P
 p   opt 
Hệ số hấp thụ  chi       thụ một công suất quang Popt ở bước
phối chủ yếu.  e   h  sóng , ứng với năng lượng photon
hv.
Phụ thuộc rất Tốc độ đáp ứng phụ thuộc vào các yếu tố sau:
mạnh vào cấu  Sự khuếch tán hạt dẫn
trúc và vật liệu  Thời gian sống của hạt dẫn trong lớp nghèo
chế tạo.  Điện dung của lớp nghèo
dẫn
a. Photođiôt P.I.N: là loại thông dụng nhất, gồm có 3 lớp chính:
 n+ pha tạp loại n với nồng độ cao
 i lớp bán dẫn riêng có bề dày tối ưu để có hiệu suất lượng tử và tốc độ đáp ứng
thích hợp
 p+ lớp pha tạp loại p với nồng độ cao
dẫn
b. Photođiôt kim loại-bán dẫn: là một tiếp xúc kim loại-bán dẫn mắc theo
chiều ngược. Photođiôt loại này chủ yếu dùng trong vùng ánh sáng khả kiến
và tử ngoại. Trong vùng này  thường lớn   10 cm   Vùng photon
4 1
chủ yếu bị hấp thụ chỉ dày khoảng 1 m.
c. Photođiôt dị chất: là
một photođiôt gồm
một đế bán dẫn có
vùng cấm rộng ∆Eg1
được phủ bằng
phương pháp nuôi
ghép (epitaxy) một
lớp bán dẫn vùng
cấm hẹp ∆Eg2 < ∆Eg1.
Tín hiệu quang được
chiếu từ phía đế.
dẫn
d. Photođiôt thác lũ: gồm các chuyển tiếp p – n đột biến cấu tạo bởi
các lớp n+ - p – - p+
Photođiôt thác lũ làm việc ở chế độ phân cực ngược lớn đủ để gây ra
hiện tượng ion hóa va chạm (hiệu ứng thác lũ)

Slide G P 5 Chương

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Slide G P 5 Chương

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Đại học Bách khoa Hà Nội

Viện Vật lý kỹ thuật

BÀI GIẢNG VẬT LÝ ĐIỆN TỬ

Email: tho.doduc@hust.edu.vn P. 211- C9

Analog Oscilloscope 2445B, Tektronix

Thermal Ionization Mass Spectrometry

Vận tốc của hạt: 

Tọa độ của hạt:

Sơ đồ nguyên lý hoạt động của máy dao động ký điện tử:

Chuyển động quay theo Chuyển động tịnh tiến

Khi đường sức không song song

Quang học Cơ học

Trong trường tĩnh điện:   B

 Định luật khúc xạ qua mặt thứ i:

Phương trình cơ bản U0' ' U0"

Thay các giá trị thu được vào (*) ta có:

Nhận xét: - nếu U0"  0 thì f > 0  thấu kính hội tụ

Wang, Z. L. (2004). Nanostructures of zinc oxide. Materials Today,

Một số vấn đề của vật lý lượng tử

Thuyết sóng ánh sáng:

Thuyết lượng tử ánh sáng:

Điều kiện để có cực đại giao thoa:

Muốn kết hợp các cách biểu diễn sóng và hạt:

Áp dụng tính toán trên đây cho sóng De Broglie ta có:

vg – vận tốc của nhóm sóng

Trong trường hợp hạt tự do: v g 

Sau khi qua khe: x

 hạt bị nhiễu xạ theo những 

 Mật độ chùm hạt nhiễu xạ trên  y

màn sẽ phụ thuộc vào góc nhiễu xạ 

Điều kiện giao thoa bậc nhất: sin1   b

Như vậy: xp x  p x  p x  h

Lí luận tương tự ta có: yp y  h; z pz  h

Cơ học lượng tử chứng minh: xpx  

   U   E  Phương trình Schrödinger

Trong đó: E – năng lượng của vi hạt,

Tính chất của hàm sóng:

Tính chất của toán tử:

Hai toán tử L̂ và M̂ gọi là bằng nhau khi: Lˆ   Mˆ    K

Tính chất của toán tử liên hợp:

Hai toán tử giao hoán với nhau nếu: Lˆ  Mˆ   =Mˆ  Lˆ     Lˆ , Mˆ   0

Đại lượng quan sát được Toán tử tương ứng

Cơ năng U Hˆ   Uˆ (toán tử Hamilton)

c. Toán tử năng lượng toàn phần, toán tử Hamiltonian

Từ điều kiện đơn trị:    2      M z   m  0, 1, 2,...

l = 0, 1, 2, … – số lượng tử quỹ đạo.

Phương trình Schrödinger có dạng: Ĥ   r   E   r 

Phổ năng lượng của hạt tự do là liên tục!

Thế năng của hố có dạng: U 0 x  0 x  a

U0 – chiều cao của hố,

Giải phương trình này ta được: 

E0 gọi là năng lượng điểm không, khác với

Phổ năng lượng

Nội dung của chương:

Phương trình Schrödinger trong trường hợp này có dạng:

Sử dụng phương pháp tách biến số, đặt:   r , ,    R  r  .  ,  

Tiếp tục tách biến số bằng cách đặt   ,       .Y   ta có:

Nghiệm của phương trình (6):     Aeiml (7)

Nghiệm của phương trình (5): ml  0, 1, 2, 3,...

n = 1,2,3,4,... số lượng tử chính, l = 0,1,2,3,..., n-1 số lượng tử quỹ đạo,

Đối với nguyên tử 1

Dạng cụ thể của hàm bán kính Rn(r) (E<0):

Nghiệm tổng quát của bài toán có dạng:

Khi E fn  E fp  E f thì bán dẫn là cân bằng

Ef2 Ef1 Ef 2 Ef 1