ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.

HỒ CHÍ MINH
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA

BÁO CÁO
THÍ NGHIỆM VẬT LÍ BÁN DẪN
GV: Nhan Hồng Kỵ

Lớp L13 – Nhóm 4:

1. Nguyễn Nam Phú - 2011830
2. Võ Minh Trọng - 2012300
3. Lại Nguyễn Duy - 2010999

_______________________
TP.Hồ Chí Minh tháng 9 năm 2021
 BÀI TN 1
KHẢO SÁT LINH KIỆN R-L-C

MỤC TIÊU:

 Nắm được cách sử dụng kit thí nghiệm, dụng cụ đo.

 Nắm được đặc tính các linh kiện điện trở, tụ điện, cuộn cảm
 Thiết lập được mạch đo đơn giản cho tụ điện, cuộn cảm

CHUẨN BỊ:
 Chuẩn bị PreLab và nộp cho giáo viên trước khi vào lớp

THÍ NGHIỆM 1
Mục tiêu

Đọc và kiểm chứng giá trị điện trở.

Yêu cầu

Đọc giá trị của các điện trở R1, R2, R3, R4 theo vòng màu, sau đó kiểm chứng giá trị thực của R1, R2,
R3, R4, R6, R7 bằng VOM.

Đo giá trị của biến trở VR5

Các kết quả điền vào bảng 1

R1 R2 R3 R4 R6 R7 VR5

Đọc 22.101 10.102 200.101 10.100 10.102 15.102 1Ω~10k

Ω

Đo 224 987 1980 9.9 999 1490 1.2Ω~9.8

kΩ

Sai số 4 13 20 0.1 1 10 0.2Ω~20

0Ω

Kiểm tra

Xác định sai số giữa kết quả đọc và đo. Sai số này có đúng với vòng màu sai số của điện trở hay
không

THÍ NGHIỆM 2

Mục tiêu

Khảo sát mạch R-C, từ đó suy ra giá trị tụ điện

Yêu cầu

Kết nối máy phát sóng và oscilloscope như sau:

Kiểm tra
Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 1Khz, biên độ 2Vp-p. Quan sát kênh 1 dao động ký để
có dạng sóng chính xác.

Quan sát điện áp trên tụ C1 trên dao động ký.

Biên độ điện áp trên tụ C1 là bao nhiêu?

90 1.84
- Biên độ điện áp trên tụ C1: =45 =0.92 (v)
2 2

Từ đó, giá trị C1 bằng bao nhiêu? Trình bày cách tính.

U UC 1 0,92 1 1
I= = ⇔ = ⇒ ZC ≈ 2316,9 Ω⇒ C= = ≈ 68,9nF
√R +Z
2 2
C
ZC √ 98 7
2
+ Z C
2 Z C Z C 2 πf 2316,9.2 π .1000

Giá trị in trên C1 là bao nhiêu? Từ đó suy ra sai số giữa giá trị lý thuyết và giá trị thực

Giá trị in trên C1 là 100nF. Vậy sai số giữa giá trị lý thuyết và giá trị thực là ΔC =|100−68,9| ≈31,1

Vẽ lại dạng sóng ngõ vào và trên tụ C1. Hai sóng này có tương quan về phase như thế nào? Giải
thích.
- Nhận xét: Sóng ngõ ra trên tụ C1 trễ phase hơn sóng ngõ vào. Khi có dòng xoay chiều đi vào tụ
điện, dòng điện sẽ bắt đầu tích điện cho tụ điện và nhờ lượng điện tích đã nạp tụ điện mới bắt đầu
tăng điện áp lên. Điện áp không tăng cùng lúc với cường độ dòng điện mà nó cần thời gian để
phân bố điện tích và tạo nên điện áp trong tụ. Do đó, đối với tụ điện thì điện áp trễ pha hơn cường
độ dòng điện.

Khi tăng/giảm tần số tín hiệu vào thì biên độ trên tụ thay đổi như thế nào? Giải thích

- Khi tăng tần số tín hiệu vào thì biên độ trên tụ giảm, và khi giảm tần số tín hiệu vào thì biên độ
trên tụ tăng.

- Giải thích: tần số dòng điện càng lớn thì trở kháng của tụ càng nhỏ, cường độ dòng điện hiệu
dụng trong mạch càng lớn và ngược lại. Với dòng điện một chiều, tụ điện có trở kháng dương vô
cùng. Đặc tính này được ứng dụng trong các mạch truyền tín hiệu.

Chuyển tín hiệu Vin thành xung vuông tần số 1Khz, biên độ 2V. Vẽ dạng sóng Vin và dạng sóng trên
tụ điện. Giải thích

- Giải thích: do nguyên lý hoạt động tích và phóng điện của tụ.
THÍ NGHIỆM 3

Mục tiêu

Lặp lại thí nghiệm 3 để đo giá trị tụ C6.

Yêu cầu

Kết nối R2 với tụ C6.

Kiểm tra

Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 1Khz, biên độ 2Vp-p. Quan sát kênh 1 dao động ký để
có dạng sóng chính xác.

Quan sát điện áp trên tụ C6 trên dao động ký.

Biên độ điện áp trên tụ C6 là bao nhiêu?

90
- Biên độ điện áp trên tụ C6: =45 mV
2

Từ đó, giá trị C6 bằng bao nhiêu? Trình bày cách tính.
 U UC 2 0,045 1 1
I= = ⇔ = ⇒ Z C ≈ 34.75 Ω⇒ C= = ≈ 4,58 μF
√R +Z
2 2
C
ZC √ 100 0
2
+ Z C
2 Z C Z C 2 πf 34,75.2 π .1000

Đọc giá trị in trên tụ C6. Giá trị và điện áp tối đa theo lý thuyết của C6 là bao nhiêu?

- Giá trị in trên tụ C6 là 5 μF .

THÍ NGHIỆM 4

Mục tiêu

Khảo sát mạch R-L, từ đó suy ra giá trị cuộn cảm

Yêu cầu

Kết nối máy phát sóng như sau. Dùng kênh 1 của oscilloscope đo dạng sóng Vin, kênh 2 đo dạng
sóng trên L5

Kiểm tra

Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 5~10Mhz, biên độ 2Vp-p. Quan sát kênh 1 dao động
ký để có dạng sóng chính xác.

Quan sát điện áp trên cuộn dây L5 trên dao động ký.

Biên độ điện áp trên cuộn dây L5 là bao nhiêu?

 840
- Biên độ điện áp trên cuộn dây: =420 mV
2

Từ đó, giá trị L5 bằng bao nhiêu? Trình bày cách tính.

U UL 1 0,420 ZL 463 −5
= ⇔ = ⇒ Z L ≈ 463 Ω⇒ L= = ≈ 1.473 .10 H
√R +Z
2 2
L
Z L √ 100 0 + Z L
2 2 ZL 2 πf 2 π .5 .1 0 6

Vẽ lại dạng sóng ngõ vào và trên L5. Hai sóng này có tương quan về phase như thế nào? Giải thích

- Nhận xét: Sóng ngõ ra ở L5 có pha sớm hơn sóng ngõ vào. Khi có dòng điện đi qua cuộn dây thì
cuộn dây cũng đồng thời tạo từ trường chạy trong lòng cuộn dây. Dựa trên nguyên lý cảm ứng
điện từ, khi từ trường tăng dần theo dòng điện thì trong cuộn dây cũng sinh ra dòng điện cảm ứng
để chống lại sự tăng dần đó. Khi dòng điện giảm, từ trường giảm thì cũng có một dòng điện cảm
ứng sinh ra để chống lại sự giảm đó. Vì vậy trong cuộn dây, dòng điện trễ pha hơn so với điện áp.

Khi tăng/giảm tần số tín hiệu vào thì biên độ trên L5 thay đổi như thế nào? Giải thích

- Khi tăng/giảm tần số tín hiệu vào thì biên độ trên L5 cũng tăng/giảm tương ứng.

U¿ UL U R
( )
2
R
Giải thích: ta có U ¿ =√ U + U và I = =
2 2
- 2 2
= ⇒ U ¿ =U L 1+ 2
R L Z ZL R ZL
 Khi ZL tăng thì UL cũng tăng và ngược lại, khi ZL giảm thì UL cũng giảm do Uin và R là cố định.
Mà ZL tỉ lệ thuận với f nên khi tăng/giảm tần số tín hiệu vào thì biên độ trên L5 cũng tăng/giảm
tương ứng.

BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER

MỤC TIÊU:

 Nắm được cách sử dụng kit thí nghiệm, dụng cụ đo.

 Nắm được đặc tính các linh kiện diode chỉnh lưu, LED phát quang và diode zener
 Thiết lập được mạch ổn áp đơn giản

CHUẨN BỊ:
 Chuẩn bị bài prelab
 Xem lại cách sử dụng các dụng cụ đo VOM, oscilloscope, máy phát sóng
 THÍ NGHIỆM 1
Mục tiêu

Khảo sát đặc tính diode trong miền thuận.

Yêu cầu

Kết nối nguồn điện thay đổi 0-20V vào diode D1, dùng VOM ở chế độ đo mA kết nối D1 và R1.
Dùng 1 VOM ở chế độ đo điện áp đo điện áp vào Vin, một VOM khác đo điện áp 2 đầu diode. Nếu
như thiếu VOM thì có thể dùng 1 VOM đo điện áp Vin rồi sau đó đo điện áp trên diode.

Kiểm tra

Chỉnh điện áp Vin về vị trí nhỏ nhất rồi bật nguồn.

Tăng dần Vin và ghi các giá trị đo được vào bảng sau

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

Id (mA) 1,41 3,37 5,35 7,33 9,31 11,31 13,30 15,30 17,29
Vd (V) 0,593 0,636 0,657 0,672 0,684 0,693 0,7 0,0706 0,712

Vẽ đặc tuyến thuận của diode

Xác định điện áp ngưỡng của diode

Điện áp ngưỡng của diode là 0,36 V.

Lặp lại thí nghiệm cho Led D2.

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

Id (mA) 0,28 2,19 4,14 6,12 8,1 10,08 12,07 14,06 16,04

Vd2 (V) 1,711 1,802 1,838 1,864 1,884 1,903 1,918 1,932 1,945

Điện áp ngưỡng của D2: 1,4 V.

Lặp lại thí nghiệm cho Led D3.

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

Id (mA) 0 1,56 3,44 5,36 7,30 9,24 11,11 13,15 15,14

 Vd2 (V) 1,992 2,433 2,550 2,630 2,693 2,741 2,783 2,819 2,853

Điện áp ngưỡng của D3: 2,02 V.

THÍ NGHIỆM 2

Mục tiêu

Khảo sát đặc tính diode trong miền ngược.

Yêu cầu

Dùng VOM đo giá trị điện trở R2.

Kết nối nguồn điện thay đổi 0-20V vào diode D8 và điện trở R2 như hình vẽ,. Dùng 1 VOM ở chế độ
đo điện áp đo điện áp trên R2 (VR2), một VOM khác đo điện áp 2 đầu diode Vd.

Kiểm tra

Giá trị R2 là: 21,20 KΩ

Chỉnh điện áp Vin về vị trí nhỏ nhất rồi bật nguồn.

Tăng dần Vin, quan sát Vd và ghi các giá trị đo được vào bảng sau
 Vd (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

VR2 (V) 1,875 3,750 5,585 7,850 9,81 11,78 13,74 15,70 17,66

Id (µA) 1,264 2,514 3,759 5,458 6,816 8,16 9,509 10,88 12,25

Nhận xét về điện trở của diode trong miền ngược:

Trong miền ngược diode có điện trở rất lớn

Dòng điện ngược bão hòa Is bằng bao nhiêu: 4,48.10-21. ( với n = 1,76869)

Dùng dòng điện ngược bão hòa đã có, kiểm chứng lại dòng điện thuận theo lý thuyết của diode D1
với bảng đo đã thực hiện ở trên, coi nhiệt độ phòng là 30oC.

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

Id (mA) 0,28 2,19 4,14 6,12 8,1 10,08 12,07 14,06 16,04

Vd (V) 1,711 1,802 1,838 1,864 1,884 1,903 1,918 1,932 1,945

Id(theory) 2,86.10- 2,23.10- 5,06.10- 9,1.10-3 0,01 0,02 0,03 0,04 0,06
3 3 3

THÍ NGHIỆM 3

Mục tiêu

Khảo sát các mạch chỉnh lưu bán kỳ.

Yêu cầu
 Kết nối máy phát sóng vào D1 và R1 như sau. Chỉnh máy phát sóng chọn ngõ ra là sine, tần số 1Khz,
biên độ 4Vp-p.

Dùng kênh 1 của dao động ký đo dạng sóng ngõ vào, kênh 2 đo dạng sóng hai đầu R1.

Kiểm tra

Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 1Khz, biên độ 4Vp-p. Quan sát kênh 1 dao động ký để
có dạng sóng chính xác.

Vẽ dạng sóng ngõ vào và dạng sóng ngõ ra trên R1.

Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là bao nhiêu? Giải thích

Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là 1,4V.

Nguyên nhân cho việc sóng ngõ ra thấp hơn hơn sóng ngõ vào là do ở diode phải có sụt áp giữa anode
và cathode lớn hơn điện áp ngưỡng của diode thì diode mới dẫn, với V out ≈ V ¿ −V ON

Nối ngõ ra vào tụ C1. Vẽ lại dạng sóng ngõ ra và giải thích sự khác nhau so với khi không có tụ C1.
 Dạng sóng ngõ ra khi nối tụ vào tải phẳng hơn khi không có tụ, nguyên nhân là do khi có tụ điện thì tụ
điện được nạp khi điện áp tăng và khi điện áp giảm thì tụ điện xả để duy trì điện áp qua tải được ổn định.
Nhờ tác dụng lọc của tụ mà dạng sóng ở ngõ ra phẳng hơn
THÍ NGHIỆM 4

Mục tiêu

Khảo sát các mạch chỉnh lưu toàn kỳ.

Yêu cầu
 Kết nối máy phát sóng vào D1 và R1 như sau. Chỉnh máy phát sóng chọn ngõ ra là sine, tần số 1Khz,
biên độ 4Vp-p.

Dùng kênh 2 đo dạng sóng hai đầu R1, lưu ý tháo probe kênh 1 ra khỏi mạch.

Kiểm tra

Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 1Khz, biên độ 4Vp-p. Quan sát kênh 1 dao động ký để
có dạng sóng chính xác.

Vẽ dạng sóng ngõ vào và dạng sóng ngõ ra trên R1.Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là bao nhiêu? Giải

thích

Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là 1,4V.

Nguyên nhân sóng ngõ ra có giá trị đỉnh thấp hơn sóng ngõ vào và thấp hơn giá trị đỉnh của sóng ngõ
ra trong trường hợp chỉnh lưu bán kì là do trong mỗi bán kì, giữa hai đầu chỉnh lưu cầu đều phải có
sụt áp lớn hơn hai lần điện áp ngưỡng của mỗi diode thì diode mới dẫn, cho nên V out ≈ V ¿ −2V ON .
 Nối ngõ ra vào tụ C1. Vẽ lại dạng sóng ngõ ra và giải thích sự khác nhau so với khi không có tụ C1.

Dạng sóng ngõ ra khi nối tụ vào tải phẳng hơn khi không có tụ, nguyên nhân là do khi có tụ điện thì tụ
điện được nạp khi điện áp tăng và khi điện áp giảm thì tụ điện xả để duy trì điện áp qua tải được ổn định.
Nhờ tác dụng lọc của tụ mà dạng sóng ở ngõ ra phẳng hơn

THÍ NGHIỆM 5

Mục tiêu

Khảo sát diode zener.

Yêu cầu

Dùng VOM đo giá trị của R3 và R4.

R3= 550 Ω R4= 324Ω

Kết nối nguồn điện 0-20V vào mạch, chỉnh điện áp về 0V. Dùng VOM ở chế độ đo mA kết nối R3 và
D9. Dùng 2 VOM đo điện áp vào và điện áp ra.
Kiểm tra

Tăng dần điện áp vào, ghi nhận điện áp trên Zener và dòng điện qua Zener như bảng sau

Vi (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

Vdz 1,937 3,826 4,848 4,886 4,904 4,915 4,926 4,941 4,949

Iz 0,15 0,16 1,81 5,39 9,01 12,63 16,36 19,89 23,51

Vẽ đặc tuyến của Zener và xác định Vz. Tính công suất R3 khi Id = IR3 = 20mA. Xác định dòng ổn
áp tối thiểu
 Dòng ổn áp tối thiểu Izmin = 1,81 mA

−3 2
Công suất R3 là P R =I R . R 3=( 20.1 0 ) .550=0,22(W )
2
3 3

Chỉnh Vin sao cho Id = IR3 = 5 mA. Sau đó kết nối tải R4 song song với Zener. Quan sát Volt kế và
Miliampe kế khi có tải và giải thích sự thay đổi đó.

Khi ID=5 mA thì số chỉ của Volt kế là 4,926V

Sau khi kết nối tải R4, số chỉ của Miliampe là 9mA song song với Zener thì số chỉ của volt kế sẽ là 2,9 V.

Quan sát : Số chỉ trên Miliampe kế tăng nhưng số chỉ trên Volt kế lại không khá nhiều.

Nguyên nhân là do với điều kiện của thí nghiệm này, diode zener đã đạt trạng thái ổn áp do dòng điện đã
đạt giá trị ổn áp tối thiểu nên điện áp giữa hai đầu diode zener ổn định ở mức điện áp áp. Đối với
Miliampe kế thì Miliampe kế lúc này đang hiển thị cường độ dòng điện trong cả mạch, tức là là tổng của
cả dòng điện qua diode zener và tải nên lúc này Miliampe kế hiển thị giá trị lớn hơn ban đầu khi chỉ có
dòng điện qua diode zener

Giảm Vin cho đến khi mạch không còn ổn áp. So sánh với giá trị Vin theo lý thuyết

Vin= 14 V .

Vin theo lý thuyết để mất ổn áp:

Xét mạch ta có : V ¿ =V R + V z =I R R3 +V z trong đó I R =I Z + I R và V R =V Z (với điều kiện là Zener ổn

3 3 3 3 4

áp, VZ không đổi )

 (
Suy ra: V ¿ = I z +
VZ
)
R +V
R4 3 z

Vì Vin là hàm đồng biến với IZ và các thành phần còn lại là không đổi nên với điều kiện là diode zener ổn
áp là ngay khi đạt giá trị điện áp VZ nên điện áp Vin nhỏ nhất để diode zener vẫn ổn áp theo lý thuyết :

(
V ¿ = I zmin +
VZ
R4 ) ( −3
R 3+ V z = 1,81. 10 + )
4,9
324
550+ 4,9=14,2134 (V )

(
V ¿ = I zmin +
VZ
) ( −3
R + V = 1,81. 10 +
R4 3 z
4,9
324 )
550+ 4,9=14,2134 BÀI TN 3
KHẢO SÁT BJT
MỤC TIÊU:
 Nắm được cách sử dụng kit thí nghiệm, dụng cụ đo.
 Nắm được đặc tính các linh kiện BJT loại npn, pnp
 Khảo sát mạch khuếch đại, mạch đóng/ngắt dùng BJT

CHUẨN BỊ:
 Chuẩn bị bài prelab
 Xem lại cách sử dụng các công cụ đo VOM, DVM và Oscilloscope (dao động ký - dđk)
THÍ NGHIỆM 1

Mục tiêu

Đo và kiểm tra BJT.

Yêu cầu

Dùng VOM đo và kiểm tra BJT ở module 1 và 2, phần BJT

Kiểm tra
 Đưa VOM về chế độ đo diode. Đo điện áp giữa các chân của BJT trong khối I và II và ghi nhận vào
bảng sau

Transistor Q1

Điểm đo P1-P2 P2-P1 P1-P3 P3-P1 P2-P3 P3-P1

Giá trị 0,653 0 0,656 0 0 0

Transistor Q2:

Điểm đo P1-P2 P2-P1 P1-P3 P3-P1 P2-P3 P3-P1

Giá trị 0,729 0 0 0 0 1,464

Xác định xem transistor loại gì và các chân P1-P2-P3 là chân gì, BJT còn tốt hay không. Giải thích.

P1 P2 P3 Loại BJT Chất lượng

Q1 Base Collector Emitter N-P-N Tốt

Q2 Collector Base Emitter P-N-P Tốt

- Giải thích: P2-P3 và P3-P2 đều không có giá trị  P2 và P3 là C và E.

THÍ NGHIỆM 2

Mục tiêu

Khảo sát các miền hoạt động tắt/khuếch đại/bão hòa của BJT npn

Chuẩn bị

Đọc xem điện trở R1 có giá trị là bao nhiêu và kiểm chứng lại bằng VOM.

R1 = 1000 Ω (giá trị đọc)

R1 = 990 Ω (giá trị đo)

Chỉnh nguồn điện về 12V và kết nối mạch như Hình 2. Một VOM đo dòng điện Ib ở tầm uA, một
VOM đo dòng Ic ở tầm mA, và 1 VOM đo điện áp Vce.

Vặn biến trở VR3 về mức nhỏ nhất.

 TP 7
TP 3 0 TP 3 1 TP 2 9

1
1

1
R1
1K

D1
LED
TP 1 1
1

TP 8 TP 9 R2 TP 1 2 TP 1 3
VR 3
10K 1 1 1 1

50K

TP 1 0
C6 C8 1 Q3
10uF /50V 0.1u/50V C 1815
1

TP 1 4 TP 2 8

1
TP 3 2 TP 1 5 TP 2 7

Hình 1: Sơ đồ phần III

Hình 2: Layout thực tế trên module thí nghiệm

Tiến hành
 Bật nguồn. Chỉnh biến trở để thay đổi dòng điện Ib, quan sát giá trị Ic và Vce và điền vào bảng sau:

Ib 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA

Ic (mA) 3,3 4,94 6,52 8,02 9,09 9,18 9,2 9,22 9,23

Vce (V) 4,18 2,9 1,66 0,161 0,120 0,156 0,163 0,168 0,172

Với Ib trong khoảng nào thì transistor dẫn khuếch đại? Khi đó hfe là bao nhiêu?

- Với Ib trong khoảng 10 ~ 25uA thì transistor dẫn khuếch đại với hfe khoảng 316

Khi dùng transistor làm nhiệm vụ đóng/ngắt, ta đưa transistor vào chế độ nào? Vì sao?

- Khi làm nhiệm vụ đóng/ngắt, ta đưa transistor vào chế độ ngắt. Vì khi không có dòng điện thích hợp
vào Base thì transistor ngắt và không cho dòng điện đi qua. Khi có dòng điện thích hợp đi vào Base
thì transistor chuyển sang chế độ bão hoà và cho dòng điện đi qua.

THÍ NGHIỆM 3

Mục tiêu

Khảo sát các miền hoạt động tắt/khuếch đại/bão hòa của BJT pnp

Chuẩn bị

Đọc xem điện trở R2 có giá trị là bao nhiêu và kiểm chứng lại bằng VOM..

Chỉnh nguồn điện về 12V và kết nối mạch như Hình 4. Một VOM đo dòng điện Ib ở tầm uA, một
VOM đo dòng Ic ở tầm mA, và 1 VOM đo điện áp Vce.
 TP 1 7
TP 1 6

1
TP 1 8

1
1

Q4
TP 2 1 TP 2 2
1
TP 2 3

1
2N 3906 1
TP 2 4
TP 1 9 TP 2 0 R4 1
VR 5
10K 1 1

D2
50K
LED

C7 C1
10uF /50V 0.1u/50V
R6
1K
1

1
TP 2 5 TP 2 6

Hình 3 Sơ đồ khối BJT pnp

Hình 4 Sơ đồ kết nối trên module thí nghiệm phần BJT pnp

Vặn biến trở VR3 về mức lớn nhất.

Tiến hành
 Bật nguồn. Chỉnh biến trở để thay đổi dòng điện Ib, quan sát giá trị Ic và Vce và điền vào bảng sau:

Ib 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA

Ic (mA) 2,46 3,83 4,71 5,71 6,62 7,44 8,22 8,89 9,16

Vce (V) 4,897 3,966 3,121 2,353 1,66 1,026 0,1407 0,0303 0,1189

Với Ib trong khoảng nào thì transistor dẫn khuếch đại? Khi đó hfe là bao nhiêu?

- Với Ib trong khoảng 10 ~ 25uA thì transistor dẫn khuếch đại với hfe khoảng 228,5.

Nếu thay vì đặt tải (điện trở+led) ở cực C, ta đặt ờ cực E như hình sau. Khi đó BJT có bão hòa được
không? Vì sao? (Câu hỏi này trả lời khi nộp báo cáo, không cần trả lời lúc tiến hành thí nghiệm)

VC C

D1
LE D
BJT sẽ không hoặc rất khó bão hoà vì theo sơ đồ nối như trên. Vì để
transitor pnp có bão hoà thì điện áp tại cục B phải đủ thấp hơn cực E,
R1
220 theo sơ đồ như hình ta có điện áp tại B tương đương hoặc lớn hơn điện
Q1
áp tại cực C, mà điện áp chênh lệch giữa cực E và cực C lại thấp hơn
R2 điện áp chênh lệch giữa cực B và E trong chế độ bão hoà.
10K

THÍ NGHIỆM 4

Mục tiêu

Khảo sát đặc tuyến vào của BJT npn.

Chuẩn bị

Chỉnh nguồn biến đổi 0-5V về nhỏ nhất (0V).

Chỉnh biến trở VR2 về vị trí nhỏ nhất.

Kết nối nguồn điện 5V vào mạch cấp nguồn dòng, nguồn điện thay đổi 0-5V vào hai cực C-E của Q2.
Các VOM kết nối như hình vẽ.
 Hình 5 Kết nối mạch đo đặc tuyến vào của BJT
Tiến hành

Bật nguồn. Chỉnh điện áp VCE cố định là 2V, chỉnh biến trở R2 để thay đổi dòng I B và ghi vào bảng
sau. Trong quá trình thí nghiệm lưu ý giữ VCE cố định là 2V.

IB (mA) 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA

VBE (V) 0,432 0.483 0,502 0,535 0,580 0,625 0,632 0,636 0,663

Chỉnh điện áp VCE cố định là 4V, chỉnh biến trở R2 để thay đổi dòng I B và ghi vào bảng sau. Trong
quá trình thí nghiệm lưu ý giữ VCE cố định là 4V.

IB (uA) 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA

VBE (V) 0,273 0,432 0,503 0,544 0,566 0,583 0,607 0,628 0,648

Vẽ đặc tuyến vào IB-VBE ứng với hai trường hợp VCE=2V và VCE=4V. Nhận xét.
- Nhận xét: Đối với trường hợp VCE =2V, VBE tăng chậm khi IB nằm trong khoảng 10-15uA và 25-35uA,
các khoảng còn lại VBE tăng nhanh, với trường hợp V CE =4V, khi IB trong khoảng 10-20uA, VBE tăng
chậm, khi IB trong khoảng 20-50uA, VBE tăng nhanh.
THÍ NGHIỆM 5

Mục tiêu

Khảo sát đặc tuyến ngõ ra của BJT npn.

Chuẩn bị

Chỉnh nguồn biến đổi 0-20V về nhỏ nhất (0V).

Chỉnh biến trở VR2 về vị trí nhỏ nhất.

Kết nối nguồn điện 5V vào mạch cấp nguồn dòng, nguồn điện thay đổi 0-20V vào mạch. Các VOM
kết nối như hình vẽ.

Tiến hành

Bật nguồn. Chỉnh dòng điện I B cố định là 20uA, thay đổi Vin để có được các giá trị V CE theo bảng sau.
Điền các giá trị tương ứng của dòng IC.

VCE 0.1V 0.2V 0.3V 0.5V 0.7V 1V 1.5V 2V 2.5V

Ic (mA) 1.62 5.28 5.84 6.10 6.13 6.16 6.19 6.24 6.25

Lặp lại thí nghiệm với IB= 25uA và IB=30uA

VCE 0.1V 0.2V 0.3V 0.5V 0.7V 1V 1.5V 2V 2.5V

Ic (mA) 2.23 6.08 7.21 7.42 7.48 7.53 7.57 7.61 7.66

VCE 0.1V 0.2V 0.3V 0.5V 0.7V 1V 1.5V 2V 2.5V

 Ic (mA) 2.55 7.42 8.59 8.86 9.01 9.09 9.13 9.16 9.22

Vẽ đặc tuyến ngõ ra IC-VCE ứng với 3 trường hợp trên.

Nhận xét tương quan giữa 3 đặc tuyến. Ước tính điện áp Early.

Tương quan giữa ba đặc tuyến: Nếu IC=f(VCE) thì IC (IB=30µA)>IC(IB=25µA)> IC(IB=20µA). Dựa
vào đồ thị VCE∈[0;0,3] là miền bão hoà. Chọn đường IB=20µA, lấy gần đúng
d I C 6.10−5.84 I CQ
= = =1.3
d V CE 0.5−0.3 VA

THÍ NGHIỆM 6

Mục tiêu

Khảo sát mạch khuếch đại ghép E chung.

Chuẩn bị

Đọc và dùng VOM xác định lại giá trị các điện trở

Điện trở R9 R10 R11 R12 R13

 Giá trị 9,78 kΩ 9,87 kΩ 9,84 kΩ 9,87 kΩ 9,86 kΩ

Kết nối mạch như Hình 7. Nguồn cấp Vin là 12V

Chỉnh nguồn tín hiệu Vs có biên độ 1V, tần số 1Khz. Sau đó giảm biên độ Vs về 0V.

Dùng 1 VOM đo điện áp giữa cực C và E của Q3.

Dùng kênh 1 dao động ký đo dạng sóng Vs, kênh 2 đo dạng sóng tại cực C của Q3.
TP 1 6

1
R 12
1K
47K
VR 8
TP 1 7
1
1

TP 1 8 TP 2 3
1 TP 2 4
TP 2 6

TP 2 1
1

R9
C5 TP 2 5

1
120K
1
TP 2 2 R 11 C4 TP 2 0 TP 1 9
1

1 1 1 Q3
C 1815 10uF R 13
R 10 10K
10K 10uF
10K
1

TP 2 7 TP 2 8 TP 2 9

Hình 6: Sơ đồ mạch khuếch đại E chung

Hình 7: Sơ đồ kết nối mạch khuếch đại E chung

Tiến hành

Bật nguồn. Chỉnh biến trở VR8 để VCE = 6V.

Tăng dần biên độ Vs. Xác định biên độ tối đa của Vs để ngõ ra không bị méo dạng (max swing). Nếu
dạng sóng ngõ ra bị méo dạng ở 1 đầu hình sine, chỉnh biến trở R8 để thay đổi phân cực sao cho đạt

max swing. Vẽ dạng sóng vs và vce trên cùng hệ tọa độ.

Xác định độ lợi của mạch khuếch đại ở max-swing. Kiểm chứng lại so với lý thuyết.

- Độ lợi của mạch khuếch đại ở max-swing: hfe =

Tắt nguồn, đo giá trị VR8 tại max swing và kiểm chứng lại so với lý thuyết

- Giá trị VR8: 34,56 kΩ

Kết nối tải R13 vào mạch. Chuyển kênh 2 của dao động ký sang đo dạng sóng ngõ ra trên R3. Nhận
xét.
 Chỉnh lại Vs sao cho đạt max swing trong trường hợp có tải R13. Xác định độ lợi và Vs tại Max
Swing. Kiểm chứng lại so với lý thuyết

V out 5,95
- Độ lợi tại max-swing: hfe¿ ln =ln ≈ 2,323
V¿ 0,583

( I z+
VZ
)R +V z
R4 3