BÀI TN 1

KHẢO SÁT LINH KIỆN R-L-C

MỤC TIÊU:

 Nắm được cách sử dụng kit thí nghiệm, dụng cụ đo.

 Nắm được đặc tính các linh kiện điện trở, tụ điện, cuộn cảm
 Thiết lập được mạch đo đơn giản cho tụ điện, cuộn cảm

CHUẨN BỊ:
 Chuẩn bị PreLab và nộp cho giáo viên trước khi vào lớp

THÍ NGHIỆM 1

Mục tiêu

Đọc và kiểm chứng giá trị điện trở.

Yêu cầu

Đọc giá trị của các điện trở R1, R2, R3, R4 theo vòng màu, sau đó kiểm chứng giá trị thực
của R1, R2, R3, R4, R6, R7 bằng VOM.

Đo giá trị của biến trở VR5

Các kết quả điền vào bảng 1

R1 R2 R3 R4 R6 R7 VR5

Đọc 220
1000 2000 10± 5 % _ _ _
± 10 % ± 1%

Đo 221.2 988 1959 10.5 1002 1492 5Ω~11.3

kΩ

Sai số 1.2 12 41 0.5 _ _ _

(đơn vị Ω)

Kiểm tra

Xác định sai số giữa kết quả đọc và đo. Sai số này có đúng với vòng màu sai số của điện
trở hay không

-> Sai số khi đo có giống sai số ở vòng màu

THÍ NGHIỆM 2

Mục tiêu

Khảo sát mạch R-C, từ đó suy ra giá trị tụ điện

Yêu cầu

Kết nối máy phát sóng và oscilloscope như sau:

Kiểm tra

Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 1Khz, biên độ 2Vp-p. Quan sát kênh 1 dao
động ký để có dạng sóng chính xác.

Quan sát điện áp trên tụ C1 trên dao động ký.

Biên độ điện áp trên tụ C1 là bao nhiêu?

1.74
- Biên độ điện áp trên tụ C1: =¿0.87 (v)
2

Từ đó, giá trị C1 bằng bao nhiêu? Trình bày cách tính.

U UC 1 0 ,87 1 1
I= = ⇔ = ⇒ Z C ≈ 1743,35 Ω ⇒ C= = ≈ 91,29 n
√R +Z
2 2
C
ZC √ 98 8 +Z C ZC
2 2 Z C 2 πf 1743,35 .2 π .1000

Giá trị in trên C1 là bao nhiêu? Từ đó suy ra sai số giữa giá trị lý thuyết và giá trị thực

Giá trị in trên C1 là 100nF. Vậy sai số giữa giá trị lý thuyết và giá trị thực là
ΔC =|100 nF − 91,29 nF|≈ 8.71 nF

Vẽ lại dạng sóng ngõ vào và trên tụ C1. Hai sóng này có tương quan về phase như thế
nào? Giải thích.
1V
0,87V

Vc

Vin

- Nhận xét: Sóng ngõ ra trên tụ C1 trễ pha hơn sóng ngõ vào. Khi có dòng xoay chiều
đi vào tụ điện, dòng điện sẽ bắt đầu tích điện cho tụ điện và nhờ lượng điện tích đã
nạp tụ điện mới bắt đầu tăng điện áp lên. Điện áp không tăng cùng lúc với cường độ
dòng điện mà nó cần thời gian để phân bố điện tích và tạo nên điện áp trong tụ. Do
đó, đối với tụ điện thì điện áp trễ pha hơn cường độ dòng điện.

Khi tăng/giảm tần số tín hiệu vào thì biên độ trên tụ thay đổi như thế nào? Giải thích

- Khi tăng tần số tín hiệu vào thì biên độ trên tụ giảm, và khi giảm tần số tín hiệu vào
thì biên độ trên tụ tăng.

- Giải thích: tần số dòng điện càng lớn thì trở kháng của tụ càng nhỏ, cường độ dòng
điện hiệu dụng trong mạch càng lớn và ngược lại. Với dòng điện một chiều, tụ điện
có trở kháng dương vô cùng.

Chuyển tín hiệu Vin thành xung vuông tần số 1Khz, biên độ 2V. Vẽ dạng sóng Vin và
dạng sóng trên tụ điện. Giải thích

- Giải thích: do nguyên lý hoạt động tích và phóng điện của tụ.
 Vin
Vc

THÍ NGHIỆM 3

Mục tiêu

Lặp lại thí nghiệm 3 để đo giá trị tụ C6.

Yêu cầu

Kết nối R2 với tụ C6.

Kiểm tra

Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 100hz, biên độ 2Vp-p. Quan sát kênh 1 dao
động ký để có dạng sóng chính xác.

Quan sát điện áp trên tụ C6 trên dao động ký.

Biên độ điện áp trên tụ C6 là bao nhiêu?

400
- Biên độ điện áp trên tụ C6: =¿ 200mV
2

Từ đó, giá trị C6 bằng bao nhiêu? Trình bày cách tính.

U UC 1 0 ,2 1 1
I= = ⇔ = ⇒ Z C ≈ 34.75 Ω⇒ C= = ≈ 7,892 μF
√R +Z
2 2
C
ZC √ 98 8 +Z C Z C
2 2 ZC 2 πf 34,75.2 π .1000

Đọc giá trị in trên tụ C6. Giá trị và điện áp tối đa theo lý thuyết của C6 là bao nhiêu?
 - Giá trị in trên tụ C6 là 5 μF .

THÍ NGHIỆM 4

Mục tiêu

Khảo sát mạch R-L, từ đó suy ra giá trị cuộn cảm

Yêu cầu

Kết nối máy phát sóng như sau. Dùng kênh 1 của oscilloscope đo dạng sóng Vin, kênh 2
đo dạng sóng trên L5

Kiểm tra

Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 1Mhz, biên độ 2Vp-p. Quan sát kênh 1 dao
động ký để có dạng sóng chính xác.

Quan sát điện áp trên cuộn dây L5 trên dao động ký.

Biên độ điện áp trên cuộn dây L5 là bao nhiêu?

1,16
- Biên độ điện áp trên cuộn dây: =¿0.58V
2

Từ đó, giá trị L5 bằng bao nhiêu? Trình bày cách tính.

U UL 1 0 ,58 Z L 703.45
= ⇔ = ⇒ Z ≈ 703.45 Ω⇒ L= = ≈ 1.12 .1 0−4 H
√R +Z Z L √ 988 + Z L L
2 2
L
2 2 ZL 2 πf 2 π .10 6
 Vẽ lại dạng sóng ngõ vào và trên L5. Hai sóng này có tương quan về phase như thế nào?
Giải thích

1V Vin

VL
0,58V

- Nhận xét: Sóng ngõ ra ở L5 có pha sớm hơn sóng ngõ vào. Khi có dòng điện đi qua
cuộn dây thì cuộn dây cũng đồng thời tạo từ trường chạy trong lòng cuộn dây. Dựa
trên nguyên lý cảm ứng điện từ, khi từ trường tăng dần theo dòng điện thì trong cuộn
dây cũng sinh ra dòng điện cảm ứng để chống lại sự tăng dần đó. Khi dòng điện giảm,
từ trường giảm thì cũng có một dòng điện cảm ứng sinh ra để chống lại sự giảm đó.
Vì vậy trong cuộn dây, dòng điện trễ pha hơn so với điện áp.

Khi tăng/giảm tần số tín hiệu vào thì biên độ trên L5 thay đổi như thế nào? Giải thích

- Khi tăng/giảm tần số tín hiệu vào thì biên độ trên L5 cũng tăng/giảm tương ứng.

- Giải thích: ta có U ¿ =√ U + U và I =
2
R
2
L
U¿ UL U R
= =
Z ZL R
2 2 R2
⇒ U ¿ =U L 1+ 2
ZL ( )
Khi ZL tăng thì UL cũng tăng và ngược lại, khi ZL giảm thì UL cũng giảm do Uin và R
là cố định. Mà ZL tỉ lệ thuận với f nên khi tăng/giảm tần số tín hiệu vào thì biên độ
trên L5 cũng tăng/giảm tương ứng.

BÀI TN 2
 KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER

MỤC TIÊU:

 Nắm được cách sử dụng kit thí nghiệm, dụng cụ đo.

 Nắm được đặc tính các linh kiện diode chỉnh lưu, LED phát quang và diode zener
 Thiết lập được mạch ổn áp đơn giản

CHUẨN BỊ:
 Chuẩn bị bài prelab
 Xem lại cách sử dụng các dụng cụ đo VOM, oscilloscope, máy phát sóng

THÍ NGHIỆM 1
Mục tiêu

Khảo sát đặc tính diode trong miền thuận.

Yêu cầu

Kết nối nguồn điện thay đổi 0-20V vào diode D1, dùng VOM ở chế độ đo mA kết nối D1
và R1. Dùng 1 VOM ở chế độ đo điện áp đo điện áp vào Vin, một VOM khác đo điện áp
2 đầu diode. Nếu như thiếu VOM thì có thể dùng 1 VOM đo điện áp Vin rồi sau đó đo
điện áp trên diode.

Kiểm tra

Chỉnh điện áp Vin về vị trí nhỏ nhất rồi bật nguồn.

Tăng dần Vin và ghi các giá trị đo được vào bảng sau

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

Id (mA) 1,35 3,36 5,34 7,32 9,31 11,31 13,18 15,21 17,31

Vd (V) 0,598 0,64 0,661 0,677 0,688 0,697 0,703 0,710 0,715

Vẽ đặc tuyến thuận của diode

 Id (mA)

Vd (V)

Xác định điện áp ngưỡng của diode

Điện áp ngưỡng của diode là 0,74 V.

Lặp lại thí nghiệm cho Led D2.

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

Id (mA) 0,29 2,19 4,14 6,13 8,1 10,03 12,07 14,06 16,05

Vd2 (V) 1,712 1,806 1,848 1,878 1,903 1,924 1,943 1,960 1,976

Điện áp ngưỡng của D2: 2 V.

Lặp lại thí nghiệm cho Led D3.

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

Id (mA) 0,002 1,34 3,25 5,18 7,12 9,07 11,03 12,93 14,95

Vd2 (V) 2 2,654 2,748 2,82 2,883 2,937 2,985 3,029 3,07
 Điện áp ngưỡng của D3: 3,25 V.

THÍ NGHIỆM 2

Mục tiêu

Khảo sát đặc tính diode trong miền ngược.

Yêu cầu

Dùng VOM đo giá trị điện trở R2.

Kết nối nguồn điện thay đổi 0-20V vào diode D8 và điện trở R2 như hình vẽ,. Dùng 1
VOM ở chế độ đo điện áp đo điện áp trên R2 (VR2), một VOM khác đo điện áp 2 đầu
diode Vd.

Kiểm tra

Giá trị R2 là: 150 KΩ

Nhắc lại công thức liên hệ ID IS VD

VD
I D =I S .(exp( )− 1)
nVT

Chỉnh điện áp Vin về vị trí nhỏ nhất rồi bật nguồn.

Tăng dần Vin, quan sát Vd và ghi các giá trị đo được vào bảng sau
 Vd (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

VR2 0,0273 0,0543 0,0897 0,1193 0,1491 0,1788 0,2084 0,2381 0,2678
(V)

Id (µA) 0,182 0,362 0,598 0,795 0,994 1,192 1,389 1,587 1,785

Nhận xét về điện trở của diode trong miền ngược:

Trong miền ngược diode có điện trở rất lớn

Dòng điện ngược bão hòa Is bằng bao nhiêu: -1,056.10-6. ( với n = 1,7)

Dùng dòng điện ngược bão hòa đã có, kiểm chứng lại dòng điện thuận theo lý thuyết của
diode D1 với bảng đo đã thực hiện ở trên, coi nhiệt độ phòng là 30oC.

Gợi ý: Chép lại bảng số liệu đo được ở miền thuận của diode D ở thí nghiệm 1 vào 2 hàng
ID (mA) và VD (V). Hàng ID(theory) được tính theo công thức lý thuyết dựa vào Is đã tính
phía trên và hàng VD (V). Sau đó so sánh ID(theory) và ID (mA) (thực tế đo ở bài 1)

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

Id (mA) 1,35 3,36 5,34 7,32 9,31 11,31 13,18 15,21 17,31

Vd (V) 0,598 0,64 0,661 0,677 0,688 0,697 0,703 0,710 0,715

Id(theory) 1,36 3,66 6,00 8,74 11,33 13,99 16,12 19,01 21,38

-> Nhận xét: Gía trị Id theory lớn hơn so với giá trị đo ở thực tế

THÍ NGHIỆM 3

Mục tiêu

Khảo sát các mạch chỉnh lưu bán kỳ.

Yêu cầu
 Kết nối máy phát sóng vào D1 và R1 như sau. Chỉnh máy phát sóng chọn ngõ ra là sine,
tần số 1Khz, biên độ 4Vp-p.

Dùng kênh 1 của dao động ký đo dạng sóng ngõ vào, kênh 2 đo dạng sóng hai đầu R1.

Kiểm tra

Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 1Khz, biên độ 4Vp-p. Quan sát kênh 1 dao
động ký để có dạng sóng chính xác.

Vẽ dạng sóng ngõ vào và dạng sóng ngõ ra trên R1.

2V Vin

Vo
0,72V

Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là bao nhiêu? Giải thích

Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là 0.72V. Tương ứng với 1.44 Vpp

Nguyên nhân cho việc sóng ngõ ra thấp hơn hơn sóng ngõ vào là do ở diode phải có sụt
áp giữa anode và cathode lớn hơn điện áp ngưỡng của diode thì diode mới dẫn, với
V out ≈ V ¿ −V ON

Nối ngõ ra vào tụ C1. Vẽ lại dạng sóng ngõ ra và giải thích sự khác nhau so với khi
không có tụ C1.
 Vin

Vo

Dạng sóng ngõ ra khi nối tụ vào tải phẳng hơn khi không có tụ, nguyên nhân là do khi có tụ
điện thì tụ điện được nạp khi điện áp tăng và khi điện áp giảm thì tụ điện xả để duy trì điện áp
qua tải được ổn định. Nhờ tác dụng lọc của tụ mà dạng sóng ở ngõ ra phẳng hơn
THÍ NGHIỆM 4

Mục tiêu

Khảo sát các mạch chỉnh lưu toàn kỳ.

Yêu cầu

Kết nối máy phát sóng vào D1 và R1 như sau. Chỉnh máy phát sóng chọn ngõ ra là sine,
tần số 1Khz, biên độ 4Vp-p.
 Dùng kênh 2 đo dạng sóng hai đầu R1, lưu ý tháo probe kênh 1 ra khỏi mạch.

Kiểm tra

Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 1Khz, biên độ 4Vp-p. Quan sát kênh 1 dao
động ký để có dạng sóng chính xác.

Vẽ dạng sóng ngõ vào và dạng sóng ngõ ra trên R1.Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là bao
nhiêu? Giải thích

Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là 992m Vpp

Nguyên nhân sóng ngõ ra có giá trị đỉnh thấp hơn sóng ngõ vào và thấp hơn giá trị đỉnh
của sóng ngõ ra trong trường hợp chỉnh lưu bán kì là do trong mỗi bán kì, giữa hai đầu
chỉnh lưu cầu đều phải có sụt áp lớn hơn hai lần điện áp ngưỡng của mỗi diode thì diode
mới dẫn, cho nên V out ≈ V ¿ −2 V ON .
VR1
Nối ngõ ra vào tụ C1. Vẽ lại dạng sóng ngõ ra và giải thích sự khác nhau so với khi
không có tụ C1.
 Vo

Vin

Dạng sóng ngõ ra khi nối tụ vào tải phẳng hơn khi không có tụ, nguyên nhân là do khi có tụ
điện thì tụ điện được nạp khi điện áp tăng và khi điện áp giảm thì tụ điện xả để duy trì điện áp
qua tải được ổn định. Nhờ tác dụng lọc của tụ mà dạng sóng ở ngõ ra phẳng hơn

THÍ NGHIỆM 5

Mục tiêu

Khảo sát diode zener.

Yêu cầu
 Dùng VOM đo giá trị của R3 và R4.

R3= 549,5 Ω R4= 324,4Ω

Kết nối nguồn điện 0-20V vào mạch, chỉnh điện áp về 0V. Dùng VOM ở chế độ đo mA
kết nối R3 và D9. Dùng 2 VOM đo điện áp vào và điện áp ra.

Kiểm tra

Tăng dần điện áp vào, ghi nhận điện áp trên Zener và dòng điện qua Zener như bảng sau

Vi 2 4 6 8 10 12 14 16 18
(V)

Vdz 2,012 4,01 5,218 5,244 5,256 5,265 5,274 5,283 5,289

Iz 0 0,01 1,44 5,01 8,62 12,22 15,83 19,43 23,05

Vẽ đặc tuyến của Zener và xác định Vz.

Tính công suất R3 khi Id = IR3 = 20mA. Xác định dòng ổn áp tối thiểu

Dòng ổn áp tối thiểu Izmin = 1,45 mA

 −3 2
Công suất R3 là P R =I R . R 3=( 20.1 0 ) . 549,5=0,22(W )
2
3 3

Chỉnh Vin sao cho Id = IR3 = 5 mA. Sau đó kết nối tải R4 song song với Zener. Quan sát
Volt kế và Miliampe kế khi có tải và giải thích sự thay đổi đó.

Quan sát sự thay đổi của Volt kế và Miliampe kế khi có tải và không có tải, giải thích sự
thay đối đó
Sau khi kết nối tải R4, số chỉ của Miliampe là 9,09mA , song song với Zener thì số chỉ của
volt kế sẽ là 2,97 V.

Quan sát : Số chỉ trên Miliampe kế tăng nhưng số chỉ trên Volt kế lại giảm.

Nguyên nhân: với thí nghiệm này, diode zener đã đạt trạng thái ổn áp do dòng điện đã đạt giá
trị ổn áp tối thiểu nên điện áp giữa hai đầu diode zener ổn định. Miliampe kế lúc này thể hiện
dòng điện tổng của mạch, tức là là tổng của cả dòng điện qua diode zener và tải nên Miliampe
kế hiển thị giá trị lớn hơn ban đầu khi chỉ có dòng điện qua diode zener

Giảm Vin cho đến khi mạch không còn ổn áp. Mạch không còn ổn áp khi nào?

V DZ < V Z

Ghi nhận lại giá trị Vin khi mạch không còn ổn áp.

Vin = 13,8V

Tính Vin theo lý thuyết để mất ổn áp, biết VZ = 5.6V.

V ¿ =V R + V z =I R R3 +V z trong đó I R =I Z + I R và V R =V Z (với điều kiện là Zener ổn áp,

3 3 3 3 4

VZ không đổi )
 (
Suy ra: V ¿ = I z +
VZ
R +V
R4 3 z )
(
V ¿ = I zmin +
VZ
R4 ) ( −3
R 3+ V z = 1 , 45 . 10 +
5,6
324 , 4 )
5 49,5+5,6=15,8826 ¿ )

So sánh hai giá trị Vin theo lý thuyết và thực tế.

V ¿tℎực tế < V ¿lý tℎuyết

MỤC TIÊU:

 Nắm được cách sử dụng kit thí nghiệm, dụng cụ đo.

  Nắm được đặc tính các linh kiện diode chỉnh lưu, LED phát quang và diode zener
 Thiết lập được mạch ổn áp đơn giản

CHUẨN BỊ:
 Chuẩn bị bài prelab
 Xem lại cách sử dụng các dụng cụ đo VOM, oscilloscope, máy phát sóng

THÍ NGHIỆM 1

Mục tiêu
 Khảo sát mạch xén phân cực âm dùng diode

Yêu cầu

Kết nối mạch như hình vẽ. Trong đó nguồn V DC là nguồn DC có điện áp 1V. Nguồn xoay
chiều Vsine là sóng sine biên độ ban đầu là 2Vp-p, tần số 1kHz, mức offset là 0V. Các bộ
nguồn trên chưa được bật cho đến khi được GVHD xem qua.

Kiểm tra

Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch thí nghiệm trên, trên sơ đồ nguyên lý cần ký hiệu đầy đủ
tên linh kiện, thông số của chúng.
 Sinh viên tiến hành lắp mạch điện thí nghiệm. Sau khi lắp xong mạch thí nghiệm, sinh
viên nhờ GVHD xác nhận rồi mới tiến hành thí nghiệm

Thay đổi biên độ của nguồn xoay chiều V sine từ 2Vp-p đến 10Vp-p. Trong quá trình thay
đổi đó, quan sát dạng sóng thu được trên cả hai kênh của dao động ký, mô tả lại hiện
tượng thu được.

-Khi tăng dần Vs thì dạng sóng Vo suất hiện khoảng bị xén càng rõ

Ghi chú: cả hai kênh đều phải quan sát ở chế độ DC trong bài thí nghiệm này trở về sau.

- Theo sơ đồ trên, kênh 1 đo điện áp giữa 2 đầu nguồn xoay chiều, nên khi thay đổi
biên độ của nguồn, biên độ của sóng trên kênh 1 cũng thay đổi theo
- Còn ở kênh 2, đo điện áp ngõ ra, ở bán kỳ dương, đều bị xén ở giá trị V = 1 + V on. Ở
bán kỳ âm, dạng sóng ra như dạng sóng ở kênh 1.

Giữ biên độ của nguồn xoay chiều Vsine là 10Vp-p, thay đổi giá trị điện áp của nguồn
DC từ 1VDC đến 3VDC, quan sát hiện tượng thu được.

- Ở kênh 2, khi thay đổi nguồn DC, mức xén ở các dạng sóng lần lượt bị thay đổi theo.
- Độ giới hạn của sóng ngõ ra được tăng dần lên

Điều chỉnh nguồn Vsine có biên độ 10Vp-p, nguồn DC có điện áp 1V, vẽ lại dạng sóng
thu được trên dao động ký.
 CH1

CH2

Giải thích vì sau ta thu được đồ thị như vậy.

- Trong mạch xén này, khi điện áp tín hiệu đầu vào là dương và đạt độ lớn > V on + Vdc,
diode phân cực thuận, điều này làm cho nó hoạt động như một công tắc đóng. Do đó,
dạng sóng đầu ra ở kênh 2 bị giới hạn lại, còn ở các phần còn lại, dạng sóng ngõ ra
giống với dạng sóng ngõ vào do diode bị phân cực ngược và hoạt động như một công
tắc mở.
THÍ NGHIỆM 2

Mục tiêu

Khảo sát mạch xén phân cực dương dùng diode

Yêu cầu

Kết nối mạch như hình vẽ. Trong đó nguồn V DC là nguồn DC có điện áp 1V. Nguồn xoay
chiều Vsine là sóng sine biên độ ban đầu là 2Vp-p, tần số 1kHz, mức offset là 0V. Các bộ
nguồn trên chưa được bật cho đến khi được GVHD xem qua.
Kiểm tra

Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch thí nghiệm trên, trên sơ đồ nguyên lý cần ký hiệu đầy đủ
tên linh kiện, thông số của chúng.

Sinh viên tiến hành lắp mạch điện thí nghiệm. Sau khi lắp xong mạch thí nghiệm, sinh
viên nhờ GVHD xác nhận rồi mới tiến hành thí nghiệm.

Xác nhận của GVHD:

Thay đổi biên độ của nguồn xoay chiều V sine từ 2Vp-p đến 10Vp-p. Trong quá trình thay
đổi đó, quan sát dạng sóng thu được trên cả hai kênh của dao động ký, mô tả lại hiện
tượng thu được.

- Kênh 1: Tương tự dạng sóng ở thí nghiệm 1, khi thay đổi dần biên độ của nguồn,
dạng sóng trên kênh 1 cũng thay đổi theo và có biên độ tương ứng với nguồn xoay
chiều Vsine.
- Kênh 2: Ngược lại với thí nghiệm 1, nếu ở thí nghiệm 1, khi thay đổi V sine , dạng sóng
cũng bị giới hạn lại, nhưng lúc này bị giới hạn ở bán kì âm và mỗi lần thay đổi, dạng
sóng tương tự như Kênh 1 và mức xén không thay đổi.
Giữ biên độ của nguồn xoay chiều Vsine là 10Vp-p, thay đổi giá trị điện áp của nguồn
DC từ 1VDC đến 3VDC, quan sát hiện tượng thu được.

- Tương tự thí nghiệm 1, độ giới hạn của tín hiệu sóng ngõ ở kênh 2 cũng bị thay đổi,
nhưng ở bán kỳ âm nên độ giới hạn giảm dần.

Điều chỉnh nguồn Vsine có biên độ 10Vp-p, nguồn DC có điện áp 1V, vẽ lại dạng sóng
thu được trên dao động ký.

CH2

CH1

Giải thích vì sau ta thu được đồ thị như vậy.

- Ở bán kỳ dương, diode phân cực ngược nên dạng sóng ngõ ra tương tự dạng sóng ngõ
vào.
- Ở bán kỳ âm, diode sẽ phân cực thuận khi điện áp ngõ vào > V on + Vdc. Khi đó điện
áp ngõ ra đúng bằng Von + Vdc. Nên dạng sóng ngõ ra là đường thẳng.
THÍ NGHIỆM 3

Mục tiêu

Khảo sát mạch xén phân cực dương dùng diode, có tải.

Yêu cầu

Kết nối mạch như hình vẽ. Trong đó nguồn V DC là nguồn DC có điện áp 1V. Nguồn xoay
chiều Vsine là sóng sine biên độ 8Vp-p, tần số 1kHz, mức offset là 0V. Các bộ nguồn trên
chưa được bật cho đến khi được GVHD xem qua.
Kiểm tra

Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch thí nghiệm trên, trên sơ đồ nguyên lý cần ký hiệu đầy đủ
tên linh kiện, thông số của chúng.

Sinh viên tiến hành lắp mạch điện thí nghiệm. Sau khi lắp xong mạch thí nghiệm, sinh
viên nhờ GVHD xác nhận rồi mới tiến hành thí nghiệm.

Xác nhận của GVHD:

Điều chỉnh nguồn Vsine có biên độ 10Vp-p, nguồn DC có điện áp 1V, vẽ lại dạng sóng thu
được trên dao động ký.
 CH1

CH2

So sánh hình dạng đồ thị trên với đồ thị thu được tại thí nghiệm 2, mô tả lại các điểm
giống và khác nhau giữa hai đồ thị, giải thích.

- Giống nhau: Mức xén của cả hai đồ thị vẫn là -V on - Vdc.

- Khác nhau: CH2 bị xén ở cả 2 đầu
Do khi mắc thêm tải R1 // với ( DC nt Diode ) nên VR1 = Von+ Vdc , cả 2 bán kì đều xén
ở cùng mức -Von-Vdc
THÍ NGHIỆM 4

Mục tiêu

Khảo sát mạch xén phân cực dương dùng diode, có thêm điện trở trên diode.

Yêu cầu

Kết nối mạch như hình vẽ. Trong đó nguồn V DC là nguồn DC có điện áp 1V. Nguồn xoay
chiều Vsine là sóng sine biên độ là 8Vp-p, tần số 1kHz, mức offset là 0V. Các bộ nguồn
trên chưa được bật cho đến khi được GVHD xem qua.
Kiểm tra

Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch thí nghiệm trên, trên sơ đồ nguyên lý cần ký hiệu đầy đủ
tên linh kiện, thông số của chúng.

Sinh viên tiến hành lắp mạch điện thí nghiệm. Sau khi lắp xong mạch thí nghiệm, sinh
viên nhờ GVHD xác nhận rồi mới tiến hành thí nghiệm.

Xác nhận của GVHD:

Điều chỉnh nguồn Vsine có biên độ 10Vp-p, nguồn DC có điện áp 1V, vẽ lại dạng sóng thu
được trên dao động ký.

CH1

CH2

So sánh hình dạng đồ thị trên với đồ thị thu được tại thí nghiệm 2, mô tả lại các điểm
khác nhau giữa hai đồ thị và giải thích.

- Giống : Đồ thị của cả hai thí nghiệm đều bị giới hạn ở bán kì âm do diode được phân
cực thuận ở bán kỳ âm của nguồn Vsine.
- Khác : Độ giới hạn và “kiểu” giới hạn. Ở TN2, mức giới hạn là V on + Vdc cố định, còn
ở TN này mức giới hạn của nó là một dạng sóng có đỉnh âm cao hơn đỉnh âm của
dạng sóng ngõ vào.
- Giải thích: Do ở TN4, sự xuất hiện của con trở nối tiếp với nguồn DC làm cho có sự
rơi áp trên con trở này. Ở bán kỳ âm, khi diode phân cực thuận, theo định luật
Kirchhoff, ta có được phương trình sau:
- −V ¿ + I . R1 +V DC +V on + I . R3 =0 ⟺ V out =V ¿ − I . R 3

- Do đó, ở thời điểm con diode chưa được phân cực thuận tức V in < Vdc+Von+I.R1, dạng
sóng của CH2 tương tự dạng sóng trên CH1, từ lúc con diode được phân cực thuận,
dạng sóng trên CH2 sẽ theo biểu thức Vout ở trên.
MỤC TIÊU:
 Nắm được cách sử dụng kit thí nghiệm, dụng cụ đo.

 Nắm được đặc tính các linh kiện BJT loại npn, pnp

 Khảo sát mạch khuếch đại, mạch đóng/ngắt dùng BJT

CHUẨN BỊ:
 Chuẩn bị bài prelab

 Xem lại cách sử dụng các công cụ đo VOM, DVM và Oscilloscope (dao động ký - dđk)
THÍ NGHIỆM 1

Mục tiêu

Đo và kiểm tra BJT.

Yêu cầu

Dùng VOM đo và kiểm tra BJT ở module 1 và 2, phần BJT

Kiểm tra

Đưa VOM về chế độ đo diode. Đo điện áp giữa các chân của BJT trong khối I và II và ghi
nhận vào bảng sau

Transistor Q1

Điểm đo P1-P2 P2-P1 P1-P3 P3-P1 P2-P3 P3-P1

Giá trị 0.668 0 0.671 0 0 0

Transistor Q2:

Điểm đo P1-P2 P2-P1 P1-P3 P3-P1 P2-P3 P3-P2

Giá trị 0.662 0 0 0 0 0.672

Xác định xem transistor loại gì và các chân P1-P2-P3 là chân gì, BJT còn tốt hay không.
Giải thích.
 P1 P2 P3 Loại BJT Chất lượng

Q1 Base N-P-N Tốt

Q2 Base P-N-P Tốt

-Khi kiểm tra Q1 thì khi để dây đỏ đặt ở P1, dây đen đặt ở P2 và P3 tức 2 cặp là P1-P2 và P1-P3
ta đều đo được 2 giá trị dương khoảng 0,6 điều này chứng tỏ P1 là cực Base cực C, E là 2 chân
còn lại, đồng thời dây đỏ của loại NPN được đặt vào Base do đó ta xác định Q1 thuộc loại NPN

-Tương tự như Q1, nhưng Q2 có khác biệt đó là khi đặt dây đen vào P2, dây đỏ vào P1 và P3 thì
đc 2 cặp P1-P2 và P3-P2 đều có giá trị dương ~0.6 điều này chứng tỏ P2 là Base và dây đen đặt ở
Base thuộc loại PNP, xác định đc Q2 thuộc loại PNP

THÍ NGHIỆM 2

Mục tiêu

Khảo sát các miền hoạt động tắt/khuếch đại/bão hòa của BJT npn

Chuẩn bị

Đọc xem điện trở R1 có giá trị là bao nhiêu và kiểm chứng lại bằng VOM.

R1=………1000Ω± 5 % Ω ………(giá trị đọc)

R1=………0.993KΩ…….(giá trị đo)

Chỉnh nguồn điện về 12V và kết nối mạch như Hình 2. Một VOM đo dòng điện Ib ở tầm
uA, một VOM đo dòng Ic ở tầm mA, và 1 VOM đo điện áp Vce.

Vặn biến trở VR3 về mức nhỏ nhất.

 TP 7
TP 3 0 TP 3 1 TP 2 9

1
1

1
R1
1K

D1
LED
TP 1 1
1

TP 8 TP 9 R2 TP 1 2 TP 1 3
VR 3
10K 1 1 1 1

50K

TP 1 0
C6 C8 1 Q3
10uF /50V 0.1u/50V C 1815
1

TP 1 4 TP 2 8
1

1
TP 3 2 TP 1 5 TP 2 7

Hình 1: Sơ đồ phần III

Hình 2: Layout thực tế trên module thí nghiệm

Tiến hành

Ib 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA

Ic 3,21mA 4,81mA 6,40mA 7,83mA 9,03mA 9,16mA 9,18mA 9,21mA 9,22mA

Vce 6,27V 4,62V 3,004V 1,554V 328,6mV 206,5V 173,5mV 158mV 149,1mV

Bật nguồn. Chỉnh biến trở để thay đổi dòng điện Ib, quan sát giá trị Ic và Vce và điền vào
bảng sau:

Với Ib trong khoảng nào thì transistor dẫn khuếch đại? Khi đó hfe là bao nhiêu?

Với Ib trong khoảng 10uA tới 25uA thì transistor dẫn khuếch đại.

Khi đó hfe =273

Khi dùng transistor làm nhiệm vụ đóng/ngắt, ta đưa transistor vào chế độ nào? Vì sao?

Chúng ta vận hành Transistor BJT trong chế độ bão hoà để nó làm nhiệm vụ đóng mạch

Và vận hành trong chế độ cắt để làm nhiệm vụ ngắt mạch

Do ở chế độ cắt, cả hai lớp tiếp giáp của transistor BJT (cực phát với cực gốc và cực góp
với cực gốc) đều được phân cực nghịch. Nói cách khác, nếu chúng ta giả sử hai lớp tiếp
giáp p-n là hai diode tiếp giáp p-n, thì cả hai diode đều được phân cực nghịch ở chế độ
cắt. Chúng ta biết rằng trong điều kiện phân cực nghịch, không có dòng điện nào chạy
qua thiết bị. Do đó, không có dòng điện nào chạy qua transistor. Do đó, transistor lưỡng
cực ở trạng thái tắt và làm việc giống như một công tắc mở.

Ở chế độ bão hòa, cả hai lớp tiếp giáp của transistor BJT (cực phát với cực gốc và cực góp với
cực gốc) đều được phân cực thuận. Nói cách khác, nếu chúng ta giả sử hai lớp tiếp giáp p-n là
hai diode tiếp giáp p-n, thì cả hai diode đều được phân cực thuận ở chế độ bão hòa. Chúng ta
biết rằng trong điều kiện phân cực thuận, dòng điện chạy qua thiết bị. Do đó, dòng điện chạy
qua transistor lưỡng cực.
THÍ NGHIỆM 3

Mục tiêu

Khảo sát các miền hoạt động tắt/khuếch đại/bão hòa của BJT pnp

Chuẩn bị

Đọc xem điện trở R2 có giá trị là bao nhiêu và kiểm chứng lại bằng VOM..

Chỉnh nguồn điện về 12V và kết nối mạch như Hình 4. Một VOM đo dòng điện Ib ở tầm
uA, một VOM đo dòng Ic ở tầm mA, và 1 VOM đo điện áp Vce.

TP 1 7
TP 1 6

1
TP 1 8

1
1

Q4
TP 2 1 TP 2 2
1
TP 2 3

1
2N 3906 1
TP 2 4
TP 1 9 TP 2 0 R4 1
VR 5
10K 1 1

D2
50K
LE D

C7 C1
10uF /50V 0.1u/50V
R6
1K
1

TP 2 5 TP 2 6

Hình 3 Sơ đồ khối BJT pnp

 Hình 4 Sơ đồ kết nối trên module thí nghiệm phần BJT pnp

Vặn biến trở VR3 về mức lớn nhất.

Tiến hành

Bật nguồn. Chỉnh biến trở để thay đổi dòng điện Ib, quan sát giá trị Ic và Vce và điền vào
bảng sau:

Ib 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA

Ic 2,33mA 3,33mA 4,37mA 5,29mA 6,14mA 6,99mA 7,71mA 8,4mA 8,98mA

Vce 7.23V 6.2V 5.126V 4.197V 3.35V 2.504V 1.788V 1.103V 537.3mV

Với Ib trong khoảng nào thì transistor dẫn khuếch đại? Khi đó hfe là bao nhiêu?

Với Ib trong khoảng 10uA-50uA thì transistor dẫn khuếch đại với hfe = 205

Nếu thay vì đặt tải (điện trở+led) ở cực C, ta đặt ờ cực E như hình sau. Khi đó BJT có bão
hòa được không? Vì sao? (Câu hỏi này trả lời khi nộp báo cáo, không cần trả lời lúc
tiến hành thí nghiệm.
 VC C

BJT sẽ không hoặc rất khó bão hoà vì theo sơ đồ nối như trên. Vì để transitor
D1
PNP có bão hoà thì điện áp tại cục B phải đủ thấp hơn cực E, theo sơ đồ như LED

hình ta có điện áp tại B tương đương hoặc lớn hơn điện áp tại cực C, mà điện áp
chênh lệch giữa cực E và cực C lại thấp hơn điện áp chênh lệch giữa cực B và E R1
220

trong chế độ bão hoà. Q1

R2
10K

THÍ NGHIỆM 4

Mục tiêu

Khảo sát đặc tuyến vào của BJT npn.

Chuẩn bị

Chỉnh nguồn biến đổi 0-5V về nhỏ nhất (0V).

Chỉnh biến trở VR2 về vị trí nhỏ nhất.

Kết nối nguồn điện 5V vào mạch cấp nguồn dòng, nguồn điện thay đổi 0-5V vào hai cực
C-E của Q2. Các VOM kết nối như hình vẽ.
 Hình 5 Kết nối mạch đo đặc tuyến vào của BJT

Tiến hành

Bật nguồn. Chỉnh điện áp VCE cố định là 2V, chỉnh biến trở R2 để thay đổi dòng I B và ghi
vào bảng sau. Trong quá trình thí nghiệm lưu ý giữ VCE cố định là 2V.

IB 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA

VBE 532.4m 545.2m 554.2m 560.9m 566.8m 0.572 0.576 0.58 0.584
V V V V V V V V V

Chỉnh điện áp VCE cố định là 4V, chỉnh biến trở R2 để thay đổi dòng I B và ghi vào bảng
sau. Trong quá trình thí nghiệm lưu ý giữ VCE cố định là 4V.

IB 10uA 15uA 20uA 25uA 30uA 35uA 40uA 45uA 50uA

VBE 487mV 516.7mV 557.2mV 576.1mV 0.588V 0.6mV 0.615mV 0.632mV 0.650mV

Vẽ đặc tuyến vào IB-VBE ứng với hai trường hợp VCE=2V và VCE=4V.
 IB (10-5A)

V-BE (mV)

IB (10-5A)

V-BE (mV)

Nhận xét đặc tuyến đã vẽ.

-> V-CE = 2V thì V-BE tăng nhanh khi Ib nằm trong khoảng 0-10uA và tăng chậm khoảng
10-50uA

-> V-CE = 4V thì V-BE tăng nhanh khi Ib khoảng 10-20uA và tăng chậm khoảng 20-50uA
 THÍ NGHIỆM 5

Mục tiêu

Khảo sát đặc tuyến ngõ ra của BJT npn.

Chuẩn bị

Chỉnh nguồn biến đổi 0-20V về nhỏ nhất (0V).

Chỉnh biến trở VR2 về vị trí nhỏ nhất.

Kết nối nguồn điện 5V vào mạch cấp nguồn dòng, nguồn điện thay đổi 0-20V vào mạch.
Các VOM kết nối như hình vẽ.

Tiến hành

Bật nguồn. Chỉnh dòng điện IB cố định là 20uA, thay đổi Vin để có được các giá trị VCE
theo bảng sau. Điền các giá trị tương ứng của dòng IC.

VCE 0.1V 0.2V 0.3V 0.5V 0.7V 1V 1.5V 2V 2.5V

Ic 1.83mV 5.36mV 5.84mV 5.97mV 6.0mV 6.02mV 6.06mV 6.09mV 6.12mV

Lặp lại thí nghiệm với IB= 25uA.

VCE 0.1V 0.2V 0.3V 0.5V 0.7V 1V 1.5V 2V 2.5V

Ic 2.25mV 6.12mV 7.24mV 7.40mV 7.47mV 7.52mV 7.55mV 7.63mV 7.68mV

Lặp lại thí nghiệm với IB=30uA

VCE 0.1V 0.2V 0.3V 0.5V 0.7V 1V 1.5V 2V 2.5V

Ic 2.54mV 7.45mV 8.62mV 8.89mV 9.03mV 9.1mV 9.12mV 9.18mV 9.22mV

Vẽ đặc tuyến ngõ ra IC-VCE ứng với 3 trường hợp trên.

IB=30mA

IB=25mA

IB=20mA

Nhận xét tương quan giữa 3 đặc tuyến. Ước tính điện áp Early.

Ba đặc tuyến: Ic (Ib= 30uA ) > Ic (Ib=25uA) > Ic (Ib=20uA)

Dựa vào đồ thị V-CE ∈ [ 0 ; 0,3 ] là miền bão hòa , chọn đường Ib = 20 μ A lấy gần đúng
d I C 5,97− 5,84 I CQ
= = =0,65
d V CE 0,2 VA

THÍ NGHIỆM 6

Mục tiêu

Khảo sát mạch khuếch đại ghép E chung.

Chuẩn bị

Đọc và dùng VOM xác định lại giá trị các điện trở

Điện trở R9 R10 R11 R12 R13

 Giá trị 9.83kΩ 9.89kΩ 9.88kΩ 9.86kΩ 9.86kΩ

Kết nối mạch như Hình 7. Nguồn cấp Vin là 12V

Chỉnh nguồn tín hiệu Vs có biên độ 1V, tần số 1Khz. Sau đó giảm biên độ Vs về 0V.

Dùng 1 VOM đo điện áp giữa cực C và E của Q3.

Dùng kênh 1 dao động ký đo dạng sóng Vs, kênh 2 đo dạng sóng tại cực C của Q3.

TP 1 6

1
R 12
1K
47K
VR 8
TP 1 7
1

1
TP 1 8 TP 2 3
1 TP 2 4
TP 2 6

TP 2 1
1

R9
C5 TP 2 5

1
120K
1
TP 2 2 R 11 C4 TP 2 0 TP 1 9
1

1 1 1 Q3
C 1815 10uF R 13
R 10 10K
10K 10uF
10K
1

1
TP 2 7 TP 2 8 TP 2 9

Hình 6: Sơ đồ mạch khuếch đại E chung

Hình 7: Sơ đồ kết nối mạch khuếch đại E chung

Tiến hành

Bật nguồn. Chỉnh biến trở VR8 để VCE = 6V.

Tăng dần biên độ Vs. Xác định biên độ tối đa của Vs để ngõ ra không bị méo dạng (max
swing). Nếu dạng sóng ngõ ra bị méo dạng ở 1 đầu hình sine, chỉnh biến trở R8 để thay

đổi phân cực sao cho đạt max swing. Vẽ dạng sóng vs và vce trên cùng hệ tọa độ.
 Vs

Vce

Xác định biên độ Vs: 230mV ( ứng với 460mV-Vpp) và biên độ Vce: 5V- ứng với 10Vpp
 Xác định độ lợi của mạch khuếch đại ở max-swing. Kiểm chứng lại so với lý thuyết.

v out 5
Độ lợi của mạch khuếch đại ở max-swing: hfe= ln =ln =3.079
v¿ 0.230

Tắt nguồn, đo giá trị VR8 tại max swing và kiểm chứng lại so với lý thuyết

Giá trị VR8: 36,78 kΩ

Kết nối tải R13 vào mạch. Chuyển kênh 2 của dao động ký sang đo dạng sóng ngõ ra trên
R3. Nhận xét.

- Biên độ đầu ra kênh 2 giảm, độ khuếch đại giảm

Chỉnh lại Vs sao cho đạt max swing trong trường hợp có tải R13. Xác định độ lợi và Vs
tại Max Swing. Kiểm chứng lại so với lý thuyết

v out 4,72
Độ lợi của mạch khuếch đại ở max-swing: hfe= ln =ln =2.9892
v¿ 0.246