JFET, IGFET 2. Objasni ovisnost struje odvoda i širine kanala o naponu UGS kod N- kanalnog JFET-a Što je vrijednost negativnog napona UGS veća povećava se osiromašeno područje i kanal postaje uži pa se povećava njegov otpor i teče manja struja ID. Uz odvod D kanal je najuži jer je tu najveći napon zaporne polarizacije |UDG|>|UGS|. 3.Definiraj napon dodira. Napon UGS kod kojeg je širina kanala jednaka nuli naziva se napon dodira UP. 4.Nacrtajte izlazne karakteristike N-kanalnog JFET-a i na njima označite područja rada.
5.Objasnite područje zasićenja.
UDS≥UGS-UP Struja odvoda ID postaje stalna,a karakteristike horizontalni pravci. Struja ne ovisi više o UDS nego o UGS. Mala promjena UGS izaziva veliku promjenu ID. 6.Objasnite triodno područje. UDS<UGS-UP Pri malim naponima UDS uz stalan UGS struja raste gotovo linearno 7.Objasnite područje zapiranja. UGS≤UP Smanjenjem napona UGS smanjuje se ID. Kanal se zatvara ID=0 i tranzistor ne vodi struju. Unipolarni tranzistor se kao pojačalo koristi u području zasićenja, a kao sklopka u triodnom području i području zapiranja. 8.Koja je osnovna razlika u konstrukciji JFET-a i MOSFET-a. MOSFET ima izolirajući sloj upravljačke elektrode , a JFET povezani sloj upravljačke elektrode. 9.Objasnite postupak stvaranja kanala kod N-kanalnog MOSFET-a obogaćenog tipa. Između odvoda i uvoda u stanju ravnoteže ne postoji vodljivi kanal te struja ne može teći. Stvaranje kanala ovisi o naponu UGS. Napon UGS mijenja vodljivost induciranog N-kanala. 10.Definirajte napon praga kod N-kanalnog MOSFET-a obogaćenog tipa. Napon UGS kod kojeg nastane kanal naziva se napon praga UGS0. 11.Nacrtajte izlazne karakteristike N-kanalnog MOSFET-a obogaćenog tipa i na njima označite veličine napona UGS i područja rada tranzistora.
12.Grafički prikažite i napišite izraz za strminu gm.
13.Grafički prikažite i napišite izraz za dinamički otpor.
14.Napišite izraz za faktor naponskog pojačanja i Barhausenovu