Odgovori na pitanja iz drugog kolokvija iz Elektronike - L. Bartoli, J.

Kopi

1. Nacrtati simbol i ulazne IU-karakteristike za NPN tranzistor u spoju zajednike baze.

2. Definirati istosmjerni faktor strujnog pojaanja za spoj zajednike baze.

3. Kako su emiterski i kolektorski spoj polarizirani u normalnom aktivnom podruju rada? EMITER - propusno polariziran KOLEKTOR - nepropusno polariziran 4. Na izlaznim IU-karakteristikama NPN tranzistora u spoju zajednikog emitera grafiki prikazati utjecaj Earlyjevog efekta.

5. Definirati hi za bipolarni tranzistor u spoju zajednikog emitera.

6. Nacrtati Ebers-Mollov model bipolarnog tranzistora.

7. Nacrtati simbol za N-kanalni JFET i njegove izlazne karakteristike.

8. Na strujno naponskim karakteristikama N-kanalnog MOSFET-a oznaiti podruja rada.

(omsko ili triodno ; aktivno ili zasienje) 9. Na jednoj slici nacrtati prijenosne karakteristike N-kanalnog osiromaenog i obogaenog MOSFET-a.

osiromaeno

obogaeno

10. Nacrtati nadomjesni spoj JFET-a za niske frekvencije.

11. Nacrtati simbol fototranzistora s ekvivalentnom shemom.

12. to je stimulirana emisija svjetlosti? Stimulirana emisija - elektron na vioj ili pobuenoj razini energije moe biti i stimuliran na rekombinaciju pomou polja fotona odgovarajue valne duljine (i energije) hc/lambda=E2E1 13. Nacrtati simbol i IU-karakteristiku jednospojnog tranzistora.

14. Nacrtati poluvodiku strukturu triodnog tiristora i oznaiti izvode.

15. Nacrtati simbol i IU-karakteristiku triodnog tiristora.

16. Nacrtati simbol i ulazne karakteristike za NPN tranzistor u spoju zajednikog emitera.

17. Definirati istosmjerni faktor strujnog pojaanja za spoj zajednikog emitera.

18. Kako su emiterski i kolektorski spoj polarizirani u inverznom aktivnom podruju rada? EMITER - nepropusno polariziran KOLEKTOR - propusno polariziran

19. Nacrtati raspodjelu manjinskih nosilaca u bazi PNP tranzistora ako tranzistor radi u podruju zasienja.

20. Definirati ho za bipolarni tranzistor u spoju zajednikog emitera.

21. Nacrtati nadomjesni spoj NPN tranzistora u spoju zajednikog kolektora.

22. Nacrtati simbol za P-kanalni JFET i njegove prijenosne karakteristike.

23. Na strujno naponskim karakteristikama P-kanalnog MOSFET-a oznaiti podruja rada.

24. Na jednoj slici nacrtati prijenosne karakteristike P-kanalnog osiromaenog i obogaenog MOSFET-a.

25. Definirati sve dinamike parametre JFET-a.

26. Nacrtati tehnoloki presjek fototranzistora.

27. Koje su uobiajene izvedbe sunevih elija? - elije od polikristalinog silicija - elije od amorfnog silicija 28. Nacrtati strukturu diodnog tiristora.

29. Zato u diodnom tiristoru prevladavaju mehanizmi lavinske multiplikacije i suenja baze?

30. Nacrtati simbol i IU-karakteristiku TRIAC-a.

31. Nacrtati simbol i izlazne karakteristike za NPN tranzistor u spoju zajednikog emitera.

32. Definirati istosmjerni faktor strujnog pojaanja za spoj zajednikog emitera.

33. Kako su emiterski i kolektorski spoj polarizirani u podruju zasienja? EMITER - propusno polariziran KOLEKTOR - nepropusno polariziran 34. Na ulaznim IU-karakteristikama NPN tranzistora u spoju zajednikog emitera grafiki prikazati utjecaj Earlyjevog efekta.

I B (1 N ) I CS

UCE = 0 UCE > 0

IB, A 16 0 80 0

UCE = 0 ZAS

UCE > 0 NAP IB = konst.

0,4

0,8

UBE, V

(UBE, V; IB, pA)

35. Definirati hr za bipolarni tranzistor u spoju zajednikog emitera.

36. Nacrtati nadomjesni spoj NPN tranzistora u spoju zajednikog emitera.

37. Nacrtati simbol za N-kanalni obogaeni MOSFET i njegove izlazne karakteristike.

ID, mA IDzas
triodno podruje podruje zasienja

UGS = 5 V UGS = 4 V UGS = 3 V UGS = 2 V UGS = Utn = 1V UDS, V

UDSzas = UGS Utn

38. Skicirati presjek N-kanalnog JFETa i oznaiti podruje uvoda, odvoda, upravljake elektrode i kanala.

39. Pri kojem je naponu UGS kanal JFET-a potpuno otvoren, a pri kojem je potpuno zatvoren. Kanal N-kanalnog FET-a je najiri kada je napon UGS=0. Kanal N-kanalnog FET-a se prekida kada je napon UGS= -Up.

40. Definirati sve dinamike parametre MOSFET-a.

41. Nacrtati simbol i tehnoloki presjek LED diode.

42. Na koja se dva naina moe koristiti fotodioda? - fotodioda - suneva elija 43. Nacrtati nadomjesni sklop jednospojnog tranzistora.

44. Prikazati slikom dvotranzistorsku analogiju diodnog tiristora?

45. Nacrtati simbol i IU-karakteristiku DIAC-a.

46. Nacrtati simbol i izlazne karakteristike za NPN tranzistor u spoju zajednike baze.

47. Definirati istosmjerni faktor strujnog pojaanja za spoj zajednike baze.

I C I CB 0 ; IE

48. Kako su emiterski i kolektorski spoj polarizirani u podruju zapiranja? U podruju zapiranja oba PN spoja su polarizirana u nepropusnom smjeru, pa kroz tranzistor teku samo male struje.

49. Nacrtati raspodjelu manjinskih nosilaca u bazi PNP tranzistora ako tranzistor radi u podruju zapiranja.

50. Definirati hf za bipolarni tranzistor u spoju zajednikog emitera.

51. Nacrtati nadomjesni spoj NPN tranzistora u spoju zajednike baze.

52. Nacrtati simbol za P-kanalni obogaeni MOSFET i njegove prijenosne karakteristike.

53. Skicirati presjek N-kanalnog MOSFETa i oznaiti podruje uvoda, odvoda, upravljake elektrode i kanala.

54. Kako dolazi do induciranja povrinskog N-kanala na P-podlozi MOSFET-a. Inverzijom originalnog P-tipa pod djelovanjem vanjskog napona (uz povrinu P-tipa poluvodia poveava se koncentracija elektrona)(irina inverzijskog sloja ua od 1m). 55. Nacrtati nadomjesni spoj MOSFET-a za niske frekvencije. 56. Nacrtati simbol i nain polarizacije optoizolatora.

R1 IF U1 R2 IC U2

57. O emu ovisi djelotvornost suneve elije?

Maksimalna djelotvornost suneve elije:

maks

Pm Popt

I mU m o AWh

gdje je: o povrinska gustoa protoka fotona u poluvodiu kod monokromatske svjetlosti valne duljine , A povrina suneve elije, Wh srednja vrijednost energije fotona iz sunevog spektra.
58. Nacrtati IU-karakteristiku diodnog tiristora i objasniti zato je pogodan za izvedbu elektronike sklopke.

Simbol i I-U karakteristika diodnog tiristora

IA, A

Propusna polarizacija voenj e

Ih - (engl holding current) struja dranja Uh - (engl holding voltage) napon dranja

Ih IA(UPM0) Uh

podruje negativnog otpora UPM0 UAK, V

Upr probo j

Nepropusna polarizacija

blokiranje IA, A

59. Koji su mogui mehanizmi prelaska diodnog tiristora iz blokirajueg u stanje voenja? Prelazak iz stanja blokiranja u stanje voenja deava se pri naponu UPM0, a odvija se brzim prolaskom kroz podruje negativnog otpora. Kada kod tiristora u voenju napon UAK padne ispod vrijednosti Uh kroz tiristor prestaje tei struja i on se ponovo vraa u stanje blokiranja. Struja u 3.kvadrantu je ograniena na malu struju termiki generiranih parova elektronupljina u blizini podruja db1 i db3 . Ostaje mala sve do pojave lavinskog proboja Upr. 60. Nacrtati simbol i IU-karakteristiku diodnog tiristora. ---> 58!