HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƢU CHÍNH VIỄN THÔNG

--------------------

Nguyễn Trung Hiếu

Nguyễn Đức Việt

BÀI GIẢNG
ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT
(Dành cho sinh viên chuyên ngành Điện-Điện tử)

Hà Nội, 6-2010
 LỜI NÓI ĐẦU

Điện tử công suất là lĩnh vực kỹ thuật hiện đại, nghiên cứu ứng dụng các linh kiện bán
dẫn công suất làm việc ở chế độ chuyển mạch vào quá trình biến đổi điện năng. Hiểu về điện
tử công suất sẽ hỗ trợ cho chúng ta khả năng phân tích, thiết kế các mạch điện-điện tử với độ
chính xác cao, hoạt động ổn định.
Cuốn bài giảng Điện tử công suất này đƣợc biên soạn phục vụ cho chƣơng trình đào
tạo hệ đại học chuyên ngành Điện-Điện tử của Học viện Công nghệ Bƣu chính Viễn thông.
Tài liệu này giúp cho sinh viên các kiến thức cơ bản về điện tử công suất, các linh kiện
điện tử, các mạch biến đổi điện-điện tử từ đó làm tiền đề cho sinh viên hiểu, biết phân tích và
thiết kế các mạch điện tử công suất.
Nội dung bài giảng gồm 7 chƣơng:
Chƣơng 1: Các khái niệm cơ bản
Chƣơng 2: Các linh kiện bán dẫn
Chƣơng 3: Chỉnh lƣu và lọc điện
Chƣơng 4: Bộ biến đổi điện áp một chiều
Chƣơng 5: Nghịch lƣu và biến tần
Chƣơng 6: Ổn áp nguồn
Chƣơng 7: Các ứng dụng của các bộ biến đổi công suất
Do hạn chế về mặt thời gian cũng nhƣ kiến thức nên không thể tránh khỏi những thiếu
sót trong lần biên soạn đầu tiên này, chúng tôi xin chân thành cảm ơn và mong đợi ý kiến
đóng góp của bạn đọc gửi về theo địa chỉ: Bộ môn Kỹ thuật điện tử, Khoa Kỹ thuật điện tử 1,
Học viện Công nghệ Bƣu chính Viễn thông.

-1-
 MỤC LỤC
LỜI NÓI ĐẦU ....................................................................................................................... - 1 -
THUẬT NGỮ VIẾT TẮT .......................................................................................................... v
CHƢƠNG 1: CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN ............................................................................... 1
1.1. TRỊ TRUNG BÌNH CỦA DÕNG ĐIỆN, ĐIỆN ÁP, CÔNG SUẤT .............................. 1
1.2. TRỊ HIỆU DỤNG CỦA DÕNG ĐIỆN, ĐIỆN ÁP ......................................................... 2
1.3. HỆ SỐ CÔNG SUẤT ...................................................................................................... 3
1.3.1. Một số khái niệm ...................................................................................................... 3
1.3.2. Công suất tín hiệu ..................................................................................................... 4
1.3.2. Cách nâng cao hệ số công suất ................................................................................. 4
1.4. ĐỘ MÉO DẠNG TÍN HIỆU ........................................................................................... 5
1.5. HIỆN TƢỢNG NHIỄU VÀ BIỆN PHÁP KHẮC PHỤC ............................................... 6
CHƢƠNG 2: CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN ............................................................................. 8
2.1. ĐẶC TÍNH CƠ BẢN CỦA CÁC PHẦN TỬ BÁN DẪN CÔNG SUẤT ...................... 8
2.2. DIODE ............................................................................................................................. 8
2.3. TRANSISTOR................................................................................................................. 9
2.3.1. BJT công suất ........................................................................................................... 9
2.3.2. MOSFET công suất ................................................................................................ 13
2.4. THYRISTOR ................................................................................................................. 15
2.5. TRIAC ........................................................................................................................... 21
2.6. GTO, IGCT, MCT ......................................................................................................... 22
2.6.1. GTO (Gate Turn Off Thyristor) ............................................................................. 22
2.6.2. IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) ..................................................... 24
2.6.3. MCT (Mos Controlled Thyristor) ........................................................................... 26
2.6.4. Một số linh kiện khác ............................................................................................. 28
2.7. SO SÁNH KHẢ NĂNG HỌAT ĐỘNG CỦA CÁC LINH KIỆN................................ 28
2.78. TỔN HAO CÔNG SUẤT TRÊN CÁC PHẦN TỬ BÁN DẪN CÔNG SUẤT.......... 29
2.9. VẤN ĐỀ LÀM MÁT VAN BÁN DẪN ........................................................................ 29
CHƢƠNG 3: CHỈNH LƢU VÀ LỌC ĐIỆN ........................................................................... 30
3.1. GIỚI THIỆU CHUNG................................................................................................... 30
3.1.1. Khái niệm ............................................................................................................... 30
3.1.2. Cách mắc các van bán dẫn...................................................................................... 31
3.2. CÁC DẠNG MẠCH CHỈNH LƢU CƠ BẢN .............................................................. 33
3.2.1. Chỉnh lƣu một pha không điều khiển ..................................................................... 33
3.2.2. Chỉnh lƣu ba pha không điều khiển ........................................................................ 41
3.2.3. Chỉnh lƣu một pha có điều khiển............................................................................ 45
3.2.4. Chỉnh lƣu ba pha có điều khiển .............................................................................. 49
3.3. CHỈNH LƢU BỘI ÁP ................................................................................................... 56
3.4.1. Chỉnh lƣu bội áp nửa sóng ...................................................................................... 56
3.4.2. Sơ đồ chỉnh lƣu bội áp một pha toàn sóng ............................................................. 57
3.4. GHÉP NỐI TIẾP VÀ SONG SONG CÁC BỘ CHỈNH LƢU ...................................... 58
3.4.1. Bộ chỉnh lƣu cầu 2 pha nối tiếp .............................................................................. 58
3.4.2. Bộ chỉnh lƣu cầu 2 pha song song .......................................................................... 59
3.5. BỘ LỌC ......................................................................................................................... 60
3.5.1. Bộ lọc san bằng ...................................................................................................... 60

ii
 3.5.2. Các loại bộ lọc san bằng ......................................................................................... 61
CHƢƠNG 4: BỘ BIẾN ĐỔI ĐIỆN ÁP MỘT CHIỀU ............................................................ 64
4.1. GIỚI THIỆU CHUNG................................................................................................... 64
4.2. BỘ BIẾN ĐỔI ÁP MỘT CHIỀU LOẠI FORWARD .................................................. 64
4.2.1. Bộ biến đổi làm việc một phần tƣ mặt phẳng tải .................................................... 65
4.2.2. Bộ biến đổi làm việc hai phần tƣ mặt phẳng tải I và II .......................................... 69
4.2.3. Bộ biến đổi làm việc bốn phần tƣ mặt phẳng tải .................................................... 71
4.2.4. Bộ biến đổi làm việc tại hai phần tƣ I và IV........................................................... 73
4.2.5. Sóng hài áp dòng trên tải RLE ............................................................................... 74
4.2.6. Ghép song song các bộ biến đổi ............................................................................. 75
4.3. BỘ BIẾN ĐỔI ÁP MỘT CHIỀU LOẠI FLYBACK .................................................... 76
4.4. MẠCH TẮT SCR .......................................................................................................... 77
4.4.1. Ví dụ mạch tắt SCR ................................................................................................ 78
4.4.2. Sơ đồ chuyển mạch cứng các SCR ......................................................................... 78
4.4.3. Sơ đồ chuyển mạch mềm các SCR ......................................................................... 81
4.5. ỨNG DỤNG .................................................................................................................. 84
4.5.1. Nguyên lý điều khiển bộ biến đổi........................................................................... 84
4.5.2. Điều khiển động cơ một chiều ................................................................................ 85
4.5.3. Các bộ nguồn một chiều - cấp điện hay ổn áp xung ............................................... 86
4.5.4. Nghịch lƣu .............................................................................................................. 87
TÓM TẮT............................................................................................................................. 87
CHƢƠNG 5: NGHỊCH LƢU VÀ BIẾN TẦN ........................................................................ 88
5.1. GIỚI THIỆU CHUNG................................................................................................... 88
5.1. PHÂN LOẠI NGHỊCH LƢU ........................................................................................ 88
5.1.1. Nghịch lƣu song song và nối tiếp ........................................................................... 88
5.1.2. Nghịch lƣu nguồn dòng và nguồn áp...................................................................... 90
5.3. NGHỊCH LƢU NGUỒN DÕNG .................................................................................. 91
5.3.1. Sơ đồ một pha ......................................................................................................... 91
5.3.2. Sơ đồ 3 pha ............................................................................................................. 94
5.4. NGHỊCH LƢU NGUỒN ÁP ......................................................................................... 95
5.4.1. Sơ đồ một pha ......................................................................................................... 95
5.4.2. Sơ đồ ba pha ........................................................................................................... 96
5.4.3. Nghịch lƣu đa bậc ................................................................................................... 98
5.4.4. Tính toán gần đúng nghịch lƣu nguồn áp ............................................................. 101
5.5. ĐIỀU KHIỂN ÁP RA VÀ HẠN CHẾ SÓNG HÀI .................................................... 101
5.5.1. Phân tích sóng hài điện áp .................................................................................... 101
5.5.2. Điều khiển áp ra.................................................................................................... 102
5.5.3. Hạn chế sóng hài đầu ra........................................................................................ 105
5.6. MẠCH ĐIỀU KHIỂN NGHỊCH LƢU ....................................................................... 105
5.6.1. Mạch tạo logic ba pha........................................................................................... 105
5.6.2. Mạch tạo áp chuẩn hình sin dùng ROM và DAC (biến đổi số tƣơng tự) ............. 106
5.6.3. Mạch điều khiển nghịch lƣu dung chƣơng trình ROM ........................................ 107
6.7. BIẾN TẦN ................................................................................................................... 108
5.8. ỨNG DỤNG ................................................................................................................ 110
5.8.1. Các bộ nguồn tần số cao ....................................................................................... 110
5.8.2. Bộ nguồn xung sử dụng nghịch lƣu...................................................................... 111
5.8.3. Bộ nguồn xoay chiều không gián đoạn UPS (bộ lƣu điện) .................................. 111

iii
CHƢƠNG 6: ỔN ÁP NGUỒN .............................................................................................. 113
6.1. GIỚI THIỆU CHUNG................................................................................................. 113
6.2. CÁC THÔNG SỐ ĐẶC TRƢNG ............................................................................... 113
6.3. ỔN ÁP NGUỒN SỬ DỤNG PHẦN TỬ HIỆU CHỈNH ............................................ 114
6.3.1. Sơ đồ khối chung .................................................................................................. 114
6.3..2. Bộ ổn định điện áp với hiệu chỉnh nối tiếp, không khuếch đại so sánh .............. 115
6.3.3. Bộ ổn định điện áp với hiệu chỉnh nối tiếp có khuếch đại so sánh ...................... 116
6.3.4. Bộ ổn áp với hiệu chỉnh nối tiếp, dùng IC KĐTT làm bộ khuếch đại so sánh ..... 117
6.3.5. Các mạch bảo vệ hạn chế dòng, áp....................................................................... 119
6.4. BỘ ỔN ĐỊNH ĐIỆN ÁP DÙNG VI MẠCH TÍCH HỢP 3 CHÂN ............................ 121
6.4.1. Giới thiệu chung về vi mạch tích hợp 3 chân ....................................................... 121
6.4.2. Các mạch ổn định điện áp dùng vi mạch tích hợp 3 chân .................................... 124
6.4.3. Các mạch nâng cao điện áp ra và dòng ra ............................................................ 125
6.5. NGUỒN ỔN ÁP ĐỐI XỨNG ..................................................................................... 126
6.6. MẠCH ỔN DÕNG ...................................................................................................... 127
6.6.1. Mạch ổn dòng dùng transistor .............................................................................. 127
6.6.2. Mạch ổn dòng dùng IC ổn định 3 chân ................................................................ 128
CHƢƠNG 7: CÁC ỨNG DỤNG CỦA CÁC BỘ BIẾN ĐỔI CÔNG SUẤT....................... 130
7.1. HỆ TRUYỀN ĐỘNG ĐỘNG CƠ DC – BỘ CHỈNH LƢU ........................................ 130
7.2. TRUYỀN TẢI ĐIỆN MỘT CHIỀU (HVDC) ............................................................. 130
7.2.1. Giới thiệu .............................................................................................................. 130
7.2.2. Nguyên lý của hệ thống HVDC............................................................................ 130
7.2.3. Cấu tạo của hệ thống HVDC ................................................................................ 130
7.2.4. Ƣu nhƣợc điểm và ứng dụng ................................................................................ 131
7.3. BỘ KHỞI ĐỘNG MỀM.............................................................................................. 133
7.4. BỘ BIẾN TẦN CÔNG NGHIỆP ................................................................................ 133
7.5. NGUỒN LIÊN TỤC (UPS) ......................................................................................... 133
7.5.1. Giới thiệu chung về UPS ...................................................................................... 133
7.5.2. Ứng dụng của UPS trong thực tế .......................................................................... 134
TÀI LIỆU THAM KHẢO ...................................................................................................... 136

iv
 THUẬT NGỮ VIẾT TẮT

AC Alternating Current

BBĐ Bộ biến đổi

DAC Digital Analog Converter

DC Direct Current

ETO Emitter Turn Off Thyristor

GTO Gate Turn Off Thyristor

HVDC High Voltage Direct Current

IGCT Integrated Gate Commutated Thyristor

KĐTT Khuếch đại thuật toán

MCT Mos Controlled Thyristor

MTO Mos Turn Off Thyristor

NL Nghịch lƣu

ROM Read Only Memory

SCR Controlled Rectifier

TRIAC Triode Alternative Current

UPS Uninterrupted Power Supply

v
 CHƢƠNG 1: CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN
Giới thiệu chung
- Tên môn học: Điện tử công suất (Power Electronics)
- Điện tử công suất là một bộ phận của điện tử ứng dụng hay điện tử công nghiệp.
- Thành phần chính cần nghiên cứu là các bộ biến đổi trong hình 1.1. Phân loại bộ biến
đổi theo mục đích ta có: Chỉnh lƣu (AC  DC), nghịch lƣu (DC  AC), Biến đổi điện áp DC
(DC  DC), Biến đổi điện áp AC, biến tần (AC  AC).

Mạch điện tử
Nguồn Tải
công suất

Điều khiển
Bộ biến đổi

Hình 1.1:
Bộ biến đổi = Mạch điện tử công suất + Bộ điều khiển.
Mạch ĐTCS giới hạn ở các sơ đồ sử dụng linh kiện điện tử làm việc ở chế độ đóng ngắt,
là các bán dẫn điện tử dùng cho biến đổi năng lƣợng điện.
Bộ điều khiển = Mạch điều khiển vòng kín (nếu có) + Mạch phát xung.
Ví dụ bán dẫn điện tử: Diode, transistor, SCR,…
*) Nội dung khảo sát mạch điện tử công suất:
- Đầu vào khảo sát: Mạch ĐTCS + tín hiệu điều khiển bán dẫn điện tử + đặc tính tải.
- Đầu ra: Hoạt động của mạch u(t), i(t) các phần tử => các đặc trƣng dòng, áp, công
suất.
Dƣới đây ta đi tìm hiểu một số khái niệm cơ bản.

1.1. TRỊ TRUNG BÌNH CỦA DÕNG ĐIỆN, ĐIỆN ÁP, CÔNG SUẤT
Gọi i(t) là hàm biến thiên tuần hoàn theo thời gian với chu kỳ Tp. Trị trung bình của đại
lƣợng i, viết tắt là I0 đƣợc xác định theo hệ thức:
t0 Tp
1
I0 
Tp 
t0
i (t ).dt (1.1)

Với t0 là thời điểm đầu của chu kỳ đƣợc lấy tích phân.
Ta có điện áp trung bình U0, dòng điện trung bình I0 tính theo công thức tính (1.1).

Ví dụ 1.1: Trị trung bình của dòng điện

1
 Xét quá trình dòng điện trên hình vẽ H0.1 , trị trung bình dòng điện cho bởi hệ thức:
0.5 0.3
1 1
0.5 0 0.5 0
Id  i(t ).dt  10.dt  6 [ A]

I(A)
10

0 0,3 0,5 t(ms)

Hình 1.1
Trong nhiều trƣờng hợp, thực hiện tích phân theo hàm biến thời gian phức tạp hơn thực
hiện tích phân theo biến góc X với X cho bởi hệ thức:

X=.t với  là tần số góc.

Khi ấy, trị trung bình đại lƣợng theo góc X tính theo hệ thức:
t0 Tp X0  X p
1 1
Id 
Tp t0
 i (t ).dt 
Xp 
X0
i ( X ).dX (1.2)

Với X0 = .t0; Xp = .Tp; X = .t; dX = d(.t)

Ví dụ 1.2: Trị trung bình của điện áp

Tính trị trung bình điện áp chỉnh lƣu của bộ chỉnh lƣu cầu 1 pha không điều khiển. Hàm
điện áp chỉnh lƣu có dạng u = Um.|sin(.t)|; với Um= 220 2 [V];  = 314[rad/s].

Giải:
Dễ dàng thấy rằng, chu kỳ của dạng áp trên là Tp = 0.01[s]. Đặt X=314.t;

Xp = 314 x 0,01= [rad].

X0  X p 
1 1
Ta có: U d   u  X  .dX   220 2 s inX.dX  198 [V]
Xp X0
 0

1.2. TRỊ HIỆU DỤNG CỦA DÕNG ĐIỆN, ĐIỆN ÁP

Gọi i(t) là hàm biến thiên tuần hoàn theo thời gian với chu kỳ Tp. Trị hiệu dụng của đại
lƣợng i, viết tắt là IR đƣợc xác định theo hệ thức:
t0  T p
1
IR   i(t ) .dt
2
(1.1)
Tp t0

Với t0 là thời điểm đầu của chu kỳ đƣợc lấy tích phân.
Ta có điện áp hiệu dụng UR, dòng điện trung bình IR tính theo công thức tính (1.3).
Ví dụ 1.3:

2
 a) Tính trị hiệu dụng của điện u  U m .sin(314t )  220 2.sin(314t ) (V ) ?

b) Xác định trị trung bình và hiệu dụng của các điện áp u1 và u2 sau:

u ; u0  u ; u0
u1   ; u2  
0 ; u0 u ; u0

Hƣớng dẫn:
a) Chu kỳ của điện áp u là 2p [rad]. Trị hiệu dụng điện áp cho bởi hệ thức:
t T 2
1 0 P 2 1
U RMS  .  u .dt  .  (U m .sin X ) 2 .dX
TP t0 2 0

Lấy tích phân ta thu đƣợc kết quả:

Um
U RMS   220 (V )
2

1 U 220 2
U1 AV  
2 0
U m .sin x.dx  m 
 
 99 (V )

b)

1 Um 2 2

U 2 AV  U .sin x.dx   220  198 (V )
 
m
0

  
1 1  1  cos 2 x  1 1 sin 2 x 
U1rms  
2 0
(U m .sin x) 2 .dx  U . 
 0
2
.dx  U .

 x
 2 4 0


1  220
U1rms    155,56 V
 2 2

  
1 2  1  cos 2 x  21 sin 2 x 
  (U m .sin x) .dx  U .  .dx  U .  x
2
U 2 rms  
0  0 2   2 4 0

2
U 2 rms  U .  U  220 V
 2

1.3. HỆ SỐ CÔNG SUẤT

1.3.1. Một số khái niệm
- Công suất tác dụng P: biểu thị năng lƣợng sử dụng trong một đơn vị thời gian.

3
 1
T T
P v(t ).i(t ).dt

- Công suất biểu kiến S: tính bằng tích số giá trị hiệu dụng dòng và áp, biểu thị
năng lƣợng sử dụng trong một đơn vị thời gian nếu xem tải là thuần trở.

S  VR .I R

- Hệ số công suất  hay PF (Power Factor) đối với một tải đƣợc định nghĩa bằng tỉ số giữa
công suất tiêu thụ P và công suất biểu kiến S mà nguồn cấp cho tải đó.

P
  PF 
S

Trong trƣờng hợp tín hiệu xoay chiều hình sin, ta có: PF  cos  với  là góc lệch giữa
dòng điện và điện áp trong mạch.

1.3.2. Công suất tín hiệu

Có nhiều công thức tính công suất trong mạch điện tử công suất, phụ thuộc vào mục
đích sử dụng.
+ Công suất của tín hiệu một chiều (P0 hay PDC)

P0  V0 .I 0 ; V0 và I0 là điện áp trung bình và dòng điện trung bình.

+ Công suất của tín hiệu xoay chiều (hình sin):

1
P1  V1.I1.cos 1 ; V1, I1 là biên độ điện áp và dòng điện; 1là góc lệch pha giữa
2
dòng điện và điện áp.
+ Công suất toàn phần ở đầu ra, gồm thành phần một chiều và sóng hài bậc cao.

1
0  Vn .I n .cos n
T T
P v (t ).i (t ).dt  P 
n1

Ở các bộ biến đổi đầu ra áp một chiều, thì V0, I0, PDC là các thành phần mong muốn,
sóng hài bậc cao (các thành phần hình sin) là không mong muốn, chỉ tạo ra các tác dụng phụ.

1.3.2. Cách nâng cao hệ số công suất

Các bộ biến đổi công suất là những thiết bị có tính phi tuyến. Giả sử nguồn điện áp cung
cấp có dạng sin và dòng điện qua nó có dạng tuần hoàn không sin. Dựa vào phân tích Fourier
áp dụng cho dòng điện i, ta có thể tách dòng điện thành các thành phần sóng hài cơ bản I(1)
cùng tần số với nguồn áp và các sóng hài bậc cao I(2), I(3),... Dễ dàng thấy rằng, sóng điện áp
nguồn và sóng hài cơ bản của dòng điện tạo nên công suất tiêu thụ của tải:

P = P1 = m.U.I(1).cos1 với 1 là góc lệch pha giữa điện áp và dòng điện sóng hài cơ
bản.
Các sóng hài còn lại (bậc cao) tạo nên công suất ảo.

4
 Ta có:

S 2  (mU
. .I ) 2  m 2 .U 2 .( I (1)
2
 I (2)
2
 I (3)
2
 ...)
 
S 2  m2 .U 2 .I (1)
2
 m 2 .U 2 . I (2j )  m 2 .U 2 .I (1)
2
.cos 2 1 m 2 .U 2 .I (1)
2
.sin 2 1  m 2 .U 2 . I (2j )
j 2 j 2

S  P Q  D
2 2
1
2 2

Với

. .I (1) .cos 1 : Công suất tiêu thụ của tải.

P  mU

. .I (1) .sin 1 : công suất phản kháng (công suất ảo do sóng hài cơ bản của dòng
Q1  mU
điện tạo nên).

D  m2 .U 2 . I (2j ) : công suất biến dạng (công suất ảo do các sóng hài bậc cao của
j 2

dòng điện tạo nên).

P P
Từ đó ta suy ra hệ số công suất:   PF  
S P  Q12  D 2
2

Muốn tăng hệ số công suất, ta có thể:

 Giảm Q1 (công suất ảo của sóng hài cơ bản) bằng cách thực hiện bù công suất phản
kháng. Các biện pháp thực hiện nhƣ bù bằng tụ điện, bù bằng máy điện đồng bộ kích
từ dƣ hoặc dùng thiết bị hiện đại bù bán dẫn (SVC - Static Var Compensator);

 Giảm D (công suất ảo của các sóng hài bậc cao): Tuỳ theo phạm vi hoạt động của
dãy tần số của sóng hài bậc cao đƣợc bù, ta phân biệt các biện pháp sau đây:

 Lọc sóng hài: áp dụng cho các sóng hài bậc cao lớn hơn sóng hài cơ bản đến giá
trị khoảng kHz. Có thể sử dụng các mạch lọc cộng hƣởng LC. Ví dụ dùng mạch
lọc LC cộng hƣởng với bậc 5, 7, 11..mắc song song với nguồn cần lọc.

 Khử nhiễu: đề cập trong mục 1.5.

Ngoài ra, có thể biểu diễn hệ số công suất theo hệ thức sau:

I (1)
  PF   cos 1
I
1.4. ĐỘ MÉO DẠNG TÍN HIỆU
a) Sóng hài bậc cao
 
v(t )  V0    An sin nt  Bn cos nt   V0   vn
n1 n1

2 2
Với vn  Vn sin nt  n  , An   v(t ).sin nt.dt , Bn   v(t ).cos  nt.dt ,
T T T T

5
  An  1  2
Vn  An2  Bn2 , n  tg 1  , VR  V02   Vn
 Bn  2 n1

trong đó:
V0 : trị số trung bình ( thành phần một chiều ) của v(t)

 : tần số góc của v(t), chu kỳ T  2 / 

vn: sóng hài bậc n - có tần số n.

An , Bn : các thành phần sin, cos của sóng hài bậc n

Vn ,  n : biên độ và lệch pha của sóng hài bậc n

VR : Trị hiệu dụng của v(t).

b) Hệ số hình dạng ( form factor ): tỉ số giữa giá trị hữu dụng và giá trị hiệu dụng.
+ Đối với bộ biến đổi có đầu ra một chiều:

V0
KFDC 
VR

Với V0 : điện áp trung bình đầu ra; VR : điện áp hiệu dụng đầu ra.

+ Đối với bộ biến đổi có đầu ra xoay chiều:

V1
KFAC  ;
VR

Với V1 : điện áp hiệu dụng sóng hài bậc 1 (cơ bản) đầu ra; VR : điện áp hiệu dụng đầu ra.

c) Độ biến dạng (THD – Total harmonic distortion)

VR2  V02
+ Đầu ra điện áp một chiều: THD 
V0

VR2  V12
+ Đầu ra điện áp xoay chiều: THD 
V1

1.5. HIỆN TƢỢNG NHIỄU VÀ BIỆN PHÁP KHẮC PHỤC

Nhiễu là nguyên nhân làm cho mạch chạy không ổn định, cung nhƣ làm giảm hiệu năng
của các mạch điện tử nói chung và mạch điện tử công suất nói riêng. Hiện tƣợng nhiễu có một
số nguyên nhân sau:
- Do môi trƣờng bên ngoài tác động. Ảnh hƣởng từ các nguồn nhiễu tự nhiên hoặc do
các hệ thống điện tử đặt gần đó.
- Do bản thân mạch gây ra. Các sóng tần số cao này phát sinh từ các mạch điều khiển
phát sóng với tần số cao hoặc do quá trình đóng ngắt các linh kiện công suất, các

6
 sóng hoạt động trong các mạch điện có khả năng phát sóng điện từ lan truyền vào
môi trƣờng và tạo nên tác dụng gây nhiễu cho các thiết bị xung quanh, thậm chí gây
nhiễu cho chính bản thân mạch điều khiển các thiết bị công suất.
Biện pháp khắc phục: dùng tụ, dùng mạch lọc, dùng bọc kim dây dẫn hoặc dùng lƣới
chống nhiễu cho thiết bị.

7
 CHƢƠNG 2: CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN

2.1. ĐẶC TÍNH CƠ BẢN CỦA CÁC PHẦN TỬ BÁN DẪN CÔNG SUẤT
Bán dẫn: là chất mà trong nhiệt độ bình thƣờng nó có độ dẫn điện giữa chất dẫn điện và
chất cách điện. Hiện nay, bán dẫn thƣờng dùng là Silic, Silic tinh khiết có cấu trúc tinh thể rất
bền vững. Ở nhiệt độ thấp, nó không có các điện tích tự do. Vì thế, Silic tinh khiết hoạt động
nhƣ chất cách điện.
Hỗn hợp Silic với các nguyên tố khác có ảnh hƣởng rất lớn đến độ dẫn điện của Silic.
Một hỗn hợp của Silic chứa thừa điện tích tự do và các điện tích này trở thành hạt dẫn điện,
hỗn hợp này tạo thành chất bán dẫn loại N. Một số hỗn hợp của Silic thiếu điện tử- chúng có
lỗ hổng. Các lỗ hổng tạo thành thành phần dẫn điện chủ yếu. Hỗn hợp loại này tạo thành bán
dẫn loại P với độ dẫn điện loại P.
Lớp tiếp xúc PN: là vùng trong bán dẫn mà vùng dẫn điện loại P đƣợc chuyển thành
loại N.
Đặc tính V-A: biểu diễn quan hệ giữa dòng điện đi qua hai cực của linh kiện và điện áp
đặt giữa các cực đó. Các giá trị điện áp và dòng điện này đƣợc hiểu là giá trị áp và dòng một
chiều không đổi.
- Dẫn điện hay bảo hoà (ON): sụt áp qua kênh dẫn điện rất bé, dòng phụ thuộc vào tải.

- Khóa (OFF): dòng qua nó rất bé ( 0), kênh dẫn điện nhƣ hở mạch.
Các linh kiện chính: Diode, transistor, thyristor (SCR), Triac, GTO, IGCT, MCT,..

2.2. DIODE

Hình 2.1: Diode

Mô tả và chức năng, đặc tính V-A, tính chất động

Sinh viên tham khảo trong tài liệu Cấu kiện điện tử.

Khả năng chịu tải:

Điện áp định mức: đƣợc xác định bởi điện thế nghịch cực đại URRM. Đó là điện áp
nghịch lớn nhất có thể lập lại tuần hoàn trên diode.

8
 Khi thiết kế mạch bảo vệ chống lại quá áp nghịch ngẫu nhiên, ta định mức theo điện
thế nghịch không thể lập lại uRSM. Khi diode làm việc, thì không cho phép xuất hiện áp lớn
hơn uRSM.
Dòng điện định mức: diode khi hoạt động phát sinh tổn hao. Tổn hao chủ yếu do dòng
thuận gây ra. Tổn hao do dòng nghịch gây ra không đáng kể và công suất tổn hao do quá
trình ngắt sẽ có độ lớn đáng kể khi tần số đóng ngắt lớn hơn khoảng 400Hz. Công suất tổn
hao tổng không đƣợc phép làm nóng mạch diode lên quá nhiệt độ cực đại VjM, nếu không lớp
PN sẽ bị phá hỏng . Vì thế diode đƣợc làm mát và khả năng chịu dòng của nó bị giới hạn bởi
trị trung bình cực đại của dòng thuận iF(AV)M. Đối với từng loại diode và điều kiện làm mát,
các nhà sản xuất thƣờng đƣa ra các đặc tính IFAVM = f (Tamb) (Tamb là nhiệt độ môi trƣờng).
Đối với những đặc tính khác nhau này, thông số đƣợc chọn là hình dạng của dòng qua diode.
Giá trị IFAV ứng với nhiệt độ Tamb và điều kiện làm mát cho trƣớc và ứng với dạng nửa sóng
sin của dòng (50Hz) đƣợc gọi là dòng đặc trƣng của diode. Khả năng chịu dòng của diode
hiện nay khoảng vài ngàn ampere.
Khả năng chịu quá dòng: đƣợc cho ở dạng đồ thị quá dòng IFSM = f(t), ứng với một
giá trị dòng vƣợt quá mức bình thƣờng, đồ thị cho biết khoảng thời gian mà diode có khả
năng chịu đƣợc mà không bị hỏng. Giá trị quá dòng cho phép đƣợc gọi là dòng thuận cực đại
không thể lặp lại đƣợc IFSM. Ƣùng với nhiệt độ ban đầu cho trƣớc của bản bán dẫn và trị của
áp nghịch, giá trị IFSM cho biết độ lớn của dòng thuận chịu đƣợc trong thời gian xác định.
Một thông số khác ảnh hƣởng lên khả năng quá dòng là năng lƣợng tiêu hao , xác định
bằng tích phân theo thời gian của hàm IF bình phƣơng. Lƣợng năng lƣợng này tỉ lệ với năng
lƣợng mà bản bán dẫn có khả năng hấp thụ dƣới dạng nhiệt trong thời gian qui định (khoảng
10ms) mà không bị hỏng. Từ đặc tính IFSM(t) và I .dt , ta có thể thiết kế mạch bảo vệ quá
2
F

dòng cho diode.

Ghép nối tiếp và song song các diode đƣợc thực hiện khi khả năng chịu áp và dòng của
các diode không đáp ứng đƣợc nhu cầu đặt ra. Khi ghép nối tiếp, ta cần đảm bảo tính phân
bố điện thế đều trên các diode.

Các diode đặc biệt:

1. Schottky diode: độ sụt áp theo chiều thuận thấp (khoảng 0,3V). Do đó, nó đƣợc sử
dụng cho các mạch điện áp thấp. Điện áp ngƣợc chịu đƣợc khoảng 50- 100V
2. Diode phục hồi nhanh: đƣợc áp dụng trong các mạch hoạt động tần số cao. Khả năng
chịu áp đến vài ngàn volt và dòng vài trăm amper, thời gian phục hồi trr khoảng vài µs.
3. Diode tần số công nghiệp: các diode tần số công nghiệp đƣợc chế tạo để đạt độ sụt
áp thấp khi dẫn điện. Hệ quả, thời gian trr tăng lên. Khả năng chịu áp của chúng khoảng vài
kilovolt và dòng điện vài kiloamper.

2.3. TRANSISTOR
2.3.1. BJT công suất
(Tham khảo tài liệu Cấu kiện điện tử)

9
 Khả năng chịu tải
Định mức điện áp: phụ thuộc vào điện áp đánh thủng các lớp bán dẫn và xác định bởi
giá trị uCEOM -giá trị điện thế cực đại đặt lên lớp collector-emitter khi iB = 0 và giá trị cực đại
uEBOM - điện thế lớp emitter-base khi iC = 0. Các giá trị này là những trị tức thời. Ta cần phân
biệt chúng trong trƣờng hợp tải dạng một chiều không đổi theo thời gian và các tải xung, mặc
dầu thông thƣờng trong cả hai trƣờng hợp các điện áp đƣợc thiết lập giống nhau.
Định mức dòng điện: giá trị cực đại của dòng collector iCM, dòng emitter iEM và dòng
kích iBM. Đó là các giá trị cực đại tức thời của transistor khi đóng trong trạng thái bão hòa.
Khi thiết lập chúng, ta xét đến ảnh hƣởng của các mối tiếp xúc, dây dẫn tới điện cực và các
giá trị hFEsat, uCEsat.
Công suất tổn hao: công suất tổn hao tạo nên trong hoạt động của transistor không
0
đƣợc phép làm nóng bán dẫn vƣợt quá giá trị nhiệt độ cho phép TjM (TjM =150 C). Vì thế, cần
làm mát transistor và toàn bộ công suất tổn hao phải nhỏ hơn PtotM. Công suất tổn hao chủ
yếu do công suất tổn hao trên collector, PC= UCE.ICE tạo ra (các thành phần khác của Ptot
thƣờng bỏ qua ). Giá trị PtotM phụ thuộc vào phƣơng pháp làm mát và đƣợc cho dƣới dạng
hàm số Ptot =f(Tamb) (Tamb là nhiệt độ môi trƣờng ), thông số là UCE. Công suất tổn hao hình
thành khi transistor dẫn bão hòa, ngay cả khi IC = ICM, rất nhỏ so với giá trị PtotM. Công suất
tổn hao khi transistor ngắt thƣờng không đáng kể. Trong chế độ xung, khi tần số đóng ngắt
cao và vƣợt quá giá trị chẳng hạn 2000 Hz thì công suất tổn hao trung bình do đóng ngắt có
thể đạt giá trị đáng kể và làm cho công suất tổn hao tổng có thể vƣợt hơn PtotM.

Mạch kích Transistor BJT

Để tăng tần số đóng ngắt của transistor công suất, cần giảm thời gian ton, toff. Để giảm
ton ta có thể đƣa xung dòng kích IB với đỉnh khá lớn đầu giai đoạn kích. Sau khi transistor
dẫn, có thể giảm dòng kích IB đến giá trị dòng bão hòa.

Điều khiển kích đóng

Gai dòng điện kích có thể đạt đƣợc bằng mạch (hình 2.2). Khi xung điện áp UB đƣa vào,
dòng điện qua cổng B bị giới hạn bởi điện trở R1.

Hình 2.2:

Sau thời gian quá độ, dòng IB có giá trị:

10
 Tụ C1 đƣợc nạp đến độ lớn

Hằng số thời gian nạp tụ:

Nếu nhƣ ta cho điện áp UB về 0, lớp BE bị phân cực ngƣợc và tụ C1 phóng qua R2.
Hằng số thời gian xả tụ là t2 = R2.C1. Để đủ thời gian nạp và xả tụ, độ rộng xung phải thỏa
mãn :

t1 ≥ 5. 1

t2 ≥ 5. 2

Do đó, tần số đóng ngắt lớn nhất

Điều kiện kích ngắt:

Nếu điện áp UB giảm xuống giá trị âm U2 < 0, điện áp ngƣợc đặt lên BE bằng tổng điện
áp UB và UC.
Gai dòng IB xuất hiện, sau khi tụ C1 xả hết, điện áp trên BE xác lập bằng U2. Nếu cần
thiết lập quá trình kích đóng và kích ngắt riêng biệt, ta có thể sử dụng mạch sau (hình 2.3):

Hình 2.3:
Diode D1 bảo vệ mạch cổng của transistor trong thời gian kích ngắt

Mạch cách ly tín hiệu điều khiển và mạch kích

Các mạch phát ra tín hiệu để điều khiển mạch công suất dùng bán dẫn thƣờng yêu cầu
cách ly về điện. Điều này có thể thực hiện bằng optron hoặc bằng biến áp xung.

11
 Biến áp xung: gồm một cuộn sơ cấp và có thể nhiều cuộn thứ cấp. Với nhiều cuộn dây
phía thứ cấp, ta có thể kích đóng nhiều transistor mắc nối tiếp hoặc song song. Sơ đồ nguyên
lý mạch cách ly tín hiệu điều khiển dùng biến áp xung đƣợc vẽ trên hình 2.4.
Biến áp xung cần có cảm kháng tản nhỏ và đáp ứng nhanh. Trong trƣờng hợp xung
điều khiển có cạnh tác động kéo dài hoặc tần số xung điều khiển thấp, biến áp xung sớm đạt
trạng thái bão hòa và ngõ ra của nó không thỏa mãn yêu cầu điều khiển.

Hình 2.4:
Optron: gồm nguồn phát tia hồng ngoại dùng diode (ILED) và mạch thu dùng
phototransistor. Tín hiệu xung điều khiển đƣợc đƣa vào LED và ngõ ra đƣợc dẫn từ
phototransistor (hình 2.5).

Hình 2.5:
Thời gian ton của phototransistor khoảng 2-5µs, toff = 300ns.
Mạch dùng optron đòi hỏi phải tạo nguồn riêng cho nó. Do đó, mạch phức tạp và tốn
kém hơn.

Mạch bảo vệ BJT

Dạng mạch bảo vệ BJT tiêu biểu đƣợc vẽ trên hình hình 2.6.
Tác dụng của mạch nhằm bảo vệ transistor trƣớc các hiện tƣợng tăng quá nhanh của
du di
điện áp và dòng điện  qua transistor.
dt dt

12
 du
Mạch RC có tác dụng hạn chế độ dốc giữa hai cực CE. Cuộn kháng LS thực hiện
dt
di
giảm sự tăng nhanh dòng qua BJT.
dt

Hình 2.6:

2.3.2. MOSFET công suất

Loại transistor có khả năng đóng ngắt nhanh và tổn hao do đóng ngắt thấp đƣợc gọi là
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) với cổng điều khiển bằng
điện trƣờng (điện áp).
(Tham khảo thêm tài liệu Cấu kiện điện tử)

Hình 2.7:
MOSFET ở trạng thái ngắt khi điện áp cổng thấp hơn giá trị UGS.
Để MOSFET ở trạng thái đóng, đòi hỏi điện áp cổng tác dụng liên tục. Dòng điện đi vào
mạch cổng điều khiển không đáng kể trừ khi mạch ở trạng thái quá độ, đóng hoặc ngắt dòng.
Lúc đó xuất hiện dòng phóng và nạp điện cho tụ của mạch cổng. Thời gian đóng ngắt rất nhỏ,
khoảng vài ns đến hàng trăm ns phụ thuộc vào linh kiện. Điện trở trong của MOSFET khi dẫn
điện Ron thay đổi phụ thuộc vào khả năng chịu áp của linh kiện. Do đó, các linh kiện
MOSFET thƣờng có định mức áp thấp tƣơng ứng với trở kháng trong nhỏ và tổn hao ít.

13
 Tuy nhiên, do tốc độ đóng ngắt nhanh, tổn hao phát sinh thấp. Do đó, với định mức áp
từ 300V- 400V MOSFET tỏ ra ƣu điểm so với BJT ở tần số vài chục kHz.
MOSFET có thể sử dụng đến mức điện áp 1000V, dòng điện vài chục amper và với
mức điện áp vài trăm volt với dòng cho phép đến khoảng 100A. Điện áp điều khiển tối đa
20V (2V,5V,10V.. tùy theo loại), mặc dù thông thƣờng có thể dùng áp đến 5V để điều khiển
đƣợc nó.
Các linh kiện MOSFET có thể đấu song song để mở rộng công suất.

Mạch kích MOSFET

Để giảm thời gian kích đóng ton của MOSFET ta có thể sử dụng dạng mạch (hình 2.8a)
Khi tác dụng điện áp uG, dòng điện tích điện ban đầu cho tụ mạch cổng G:

Sau đó điện áp xác lập trên cổng là

RS là điện trở trong của mạch kích.

Hình 2.8:
Sơ đồ mạch kích đƣợc cải thiện trên hình 2.8b sử dụng cấu trúc totem-pole gồm 2
transistor NPN và PNP. Khi điện áp kích U1 ở mức cao, Q1 dẫn và Q2 khóa làm MOSFET
dẫn. Khi tin hiệu U1 thấp, Q1 ngắt, Q2 dẫn làm các điện tích trên mạch cổng đƣợc phóng
thích và MOSFET trở nên ngắt điện. Tín hiệu U1 có thể lấy từ mạch collector mở (open-
collector TTL) và totem-pole đóng vai trò mạch đệm (buffer).
Tƣơng tự nhƣ BJT, mạch kích cổng G của MOSFET có thể đƣợc cách ly với mạch tạo
tín hiệu điều khiển thông qua biến áp xung, optron hoặc cáp quang (H1.14a,b).

Mạch bảo vệ MOSFET

14
 Cấu tạo khác biệt của MOSFET so với BJT làm cho linh kiện hoạt động tốt mà
không cần bảo vệ nhiều nhƣ BJT. Tuy nhiên, ta có thể sử dụng mạch RC nhỏ mắc
song song với ngõ ra của linh kiện để hạn chế tác dụng các gai điện áp và các xung
nhiễu dao động xuất hiện khi linh kiện đóng.

Hình 2.9:

2.4. THYRISTOR

Hình 2.10:
Mô tả và chức năng
Thyristor gồm 3 lớp PN và mắc vào mạch ngoài gồm 3 cổng: điện cực anode A,
cathode C và cổng điều khiển G. Về mặt lý thuyết tồn tại cấu trúc thyristor: PNPN và NPNP,
trong thực tế ngƣời ta chỉ phát triển và sử dụng loại PNPN. Sơ đồ thay thế thyristor bằng
mạch transistor đƣợc vẽ ở hình 2.10. Giả sử anode của thyristor chịu tác dụng của điện áp
dƣơng so với cathode (uAK > 0). Khi đƣa vào mạch G, K của cathode (tƣơng ứng với mạch

15
base- emitor của tranristor NPN) xung dòng IG, transistor NPN sẽ đóng. Dòng điện dẫn tiếp
tục qua mạch emitor -base của transistor PNP và đóng nó. Các transistor sẽ tiếp tục đóng ngay
cả khi dòng iG bị ngắt. Dòng qua collector của một transistor cũng chính là dòng đi qua base
của transistor thứ hai và ngƣợc lại. Các transistor vì vậy cùng nhau duy trì ở trạng thái đóng.

Các tính chất và trạng thái cơ bản

Nếu transistor bị ngắt, thì anode có thể chịu đƣợc điện áp dƣơng so với cathode - trạng
thái khóa;
hoặc điện áp âm so với cathode - trạng thái nghịch.
Hiện tƣợng đóng SCR tức chuyển từ trạng thái khóa sang trạng thái dẫn điện có thể
thực hiện nếu thỏa mãn cả hai điều kiện sau:
1/- Thyristor ở trạng thái khóa.
2/-có xung dòng điện kích iG > 0 đủ lớn.
Hiện tƣợng ngắt SCR: quá trình chuyển từ trạng thái dẫn điện sang không dẫn điện
(tức trạng thái nghịch hoặc trạng thái khóa). Quá trình này gồm hai giai đoạn:
1/- Giai đoạn làm dòng thuận bị triệt tiêu: thực hiện bằng cách thay đổi điện trở hoặc
điện áp giữa anode và cathode.
2/- Giai đoạn khôi phục khả năng khóa của thyristor. Sau khi dòng thuận bị triệt tiêu,
cần có một thời gian - thời gian ngắt, để chuyển thyristor vào trạng thái khóa.

Đặc tính V-A

Đặc tính V-A ngõ ra: quan hệ giữa điện áp và dòng điện đi qua hai cực anode, cathode
(xem hình 2.11). Đặc tính ngõ vào quan hệ giữa điện áp và dòng cổng G (cổng điều khiển).
Đặc tính V-A ngõ ra gồm 3 nhánh:

Hình 2.11:
- Nhánh thuận (1): thyristor ở trạng thái dẫn điện. Độ sụt áp giữa anode –cathode nhỏ
không đáng kể.
- Nhánh nghịch (3): ứng với trạng thái nghịch tƣơng tự nhƣ diode.

16
 - Nhánh khóa (2): ứng với trạng thái khóa. Nếu dòng iG = 0 thì dạng nhánh khóa tƣơng
tự nhƣ nhánh nghịch. Thay vì điện trở rR thì ở đây là điện trở rD (differential block resistance).
Tƣơng tự ta có điện áp đóng uBO thay vì uBR. Khi điện áp đạt đến giá trị uBO, thyristor không
bị phá hỏng mà sẽ bị đóng (chuyển từ trạng thái khóa sang trạng thái dẫn điện). Khi iG thay
đổi, tùy thuộc vào độ lớn của iG mà giá trị của điện thế khóa thay đổi theo (điện thế khóa
giảm khi iG tăng). Hiện tƣợng thyristor dẫn điện do tác dụng điện áp vƣợt quá uBO (iG=0) là sự
cố gây ra do quá điện áp xuất hiện trên lƣới.
Thông thƣờng, ta đóng thyristor bằng xung dòng qua mạch G, K. Điện trở thuận rT và
điện áp thuận uTO đƣợc định nghĩa tƣơng tự nhƣ trƣờng hợp của diode. Khác với diode, các
nhánh thuận của thyristor không bắt đầu từ góc zero của hệ trục mà từ giá trị IH – (holding
current) dòng duy trì ở trạng thái dẫn. Nếu giá trị dòng giảm nhỏ hơn iH thì thyristor trở về
trạng thái khóa. Ngay sau khi đóng thyristor, trƣớc khi dòng cổng i G tắt, đòi hỏi dòng thuận
phải đạt đến hoặc vƣợt hơn giá trị dòng chốt iL, iL > iH (L: Latching).

Hình 2.12 Hình 2.13

Để đóng thyristor, khoảng đầu xung dòng kích phải có trị đủ lớn. Dạng xung dòng
thƣờng sử dụng cho cổng có dạng nhƣ hình 2.12. Do tính chất của lớp nghịch không tốt nên
không đƣợc phép để xuất hiện trên nó điện thế âm dù chỉ rất nhỏ. Khi thyristor ở trạng thái
nghịch việc kích vào cổng G sẽ làm tăng dòng nghịch một cách vô ích. Các xung điều khiển
thƣờng đƣợc truyền đến thyristor nhờ các biến áp xung. Nhiệm vụ của nó là tách mạch công
suất khỏi nguồn tạo xung kích. Khi sử dụng các biến áp xung, cần phải giải quyết vấn đề làm
tắt nhanh dòng từ hóa khi xung bị ngắt (nếu không thì dòng từ không ngừng tăng lên sau mỗi
lần đƣa xung vào) và vấn đề bảo vệ lớp cổng của thyristor trƣớc điện áp nghịch. Để giải quyết
vấn đề trên ta có thể sử dụng dạng mạch ở hình 2.16.

Các tính chất động

Tác dụng điện áp khóa uV (hoặc uD): về bản chất đó là tác dụng điện áp nghịch lên lớp
bán dẫn (xem hình 2.13). Lúc đó, nó họat động nhƣ một tụ điện, điện dung của nó phụ thuộc
vào độ lớn điện áp đặt vào:

d (C.uV ) dC du
iC   uV .  C. V
dt dt dt

17
 duV
Theo phƣơng trình trên, dòng iC đạt giá trị lớn khi đủ lớn (giả sử rằng C không
dt
đổi). Bởi vì một phần đƣờng dẫn của iC trùng với đƣờng dẫn của dòng kích cổng nên có tác
dụng nhƣ đóng kích và làm đóng thyristor ngoài ý muốn. Vì thế ngƣời ta giới hạn độ dốc của
 du 
uV đến giá trị: Sucrit   V 
 dt max

Việc đóng thyristor không xảy ra ngay khi xung dòng i G vào cổng. Thoạt tiên dòng dẫn
iV đi qua một phần nhỏ của tiết diện của thyristor ở chỗ nối với cổng G. Sau đó, điện tích dẫn
tăng dần lên của tiết diện phiến bán dẫn, điện áp khóa giảm dần. Đối với các thyristor, thông
thƣờng thời gian đóng điện tgt ở trong khoảng 3  10µs. Khi dòng iV tăng nhanh quá, chỉ có
một phần nhỏ tiết diện chung quanh mạch cổng G dẫn điện và dẫn đến quá tải, có thể làm tăng
nhiệt độ lên đến giá trị làm hỏng linh kiện.

 di 
Vì thế độ tăng của dòng iV bị giới hạn đến giá trị Sicrit   V 
 dt max

Ngắt thyristor (xem hình 2.13): giai đoạn đầu diễn ra tƣơng tự nhƣ khi ngắt diode .
Thời gian phục hồi tính nghịch trr, điện tích chuyển mạch Qr (lớn hơn đối với thyristor).
Sau khi phục hồi điện trở nghịch của các lớp J1 và J3 (xem hình 2.13), quá trình ngắt vẫn chƣa
chấm dứt, cần có thêm một thời gian nữa để khôi phục khả năng khóa - tức là khôi phục điện
trở nghịch của lớp J2. Vì vậy, ta định nghĩa thêm tq là thời gian ngắt tối thiểu cần thiết mà
SCR cần duy trì áp ngƣợc để khôi phục khả năng khóa, nó bắt đầu khi dòng điện thuận trở về
zero cho đến khi điện áp khóa tác dụng trở lại mà không làm SCR đóng lại (Ig = 0). Nếu ta tác
dụng điện áp khóa lên sớm.

Hình 2.14:

18
 Hơn khoảng thời gian tq này, SCR có thể đóng ngắt ngoài ý muốn dẫu chƣa có xung
kích đƣa vào cổng kích. Thời gian ngắt phụ thuộc vào các điều kiện lúc ngắt nhƣ nhiệt độ chất
bán dẫn, dòng bị ngắt, tốc độ giảm dòng và điện áp nghịch. Các thyristor thƣờng có t q trong
khoảng từ vài µs đến hàng trăm µs.
Các hệ quả: công suất tổn hao do đóng ngắt quá điện áp do quá trình chuyển đổi mạch,
các giới hạn Sucrit , Sicrit . Quá điện áp do quá trình chuyển mạch có thể đƣợc giới hạn bằng
diV
mạch RC. Cuộn cảm kháng bảo vệ kết hợp với mạch RC (song song với SCR) để giới
dt
duV
hạn độ dốc .
dt
Khả năng mang tải
Khả năng chịu áp, dòng và khả năng quá tải đƣợc xem xét tƣơng tự nhƣ diode. Điện thế
nghịch cực đại có thể lặp lại uRRM và điện thế khóa uDRM thƣờng bằng nhau và cho biết các giá
trị điện áp lớn nhất tức thời cho phép xuất hiện trên thyristor bởi vì điện thế cực đại không lặp
lại của thyristor thƣờng không đƣợc biết. Khả năng chịu áp của thyristor đạt đến hàng chục
kV, thông thƣờng ở mức 5-7 kV, dòng điện trung bình đạt đến khoảng 5.000A. Độ sụt áp khi
dẫn điện nằm trong khoảng 1,5-3V. Phần lớn các thyristor đƣợc làm mát bằng không khí.

Các thyristor đặc biệt:

Thyristor cao áp: có điện áp lặp lại lớn nhất khoảng vài nghìn volt. Các thông số đặc
trƣng tính chất động của nó không có lợi (Qr, tq,Sucrit, Sicrit).
Thyristor nhanh: các thông số cải tiến tính chất động đƣợc tốt hơn nhƣ tq nhỏ, Sucrit và
Sicrit lớn. Khả năng chịu áp và dòng của nó thấp hơn.
Thyristor GATT: bản chất giống nhƣ thyristor đáp ứng nhanh. Bằng các tác dụng điện
áp ngƣợc lên mạch cổng, thời gian tq có thể giảm xuống còn phân nửa so với thyristor nhanh.
Fotothyristor: Có thể cho đóng bình thƣờng bằng xung kích vào cổng G, hoặc bằng tia
sáng lên vị trí nhất định của vỏ chứa thyristor.
Fotothyristor cách ly nguồn xung kích và mạch công suất, các dạng của nó đƣợc vẽ trên
hình 2.15. Trong đó phƣơng án ở hình a/- sử dụng dạng vi mạch giúp tận dụng nguồn tia sáng
kích thích, phƣơng án b/- và c/- bảo đảm cách ly tốt giữa nguồn xung kích và mạch công suất,
do đó hạn chế nhiều tác dụng của sóng nhiễu, dạng c/- chỉ cần công suất kích của nguồn sáng
không đáng kể.

19
 Hình 2.15:

Mạch kích thyristor

Trong các bộ biến đổi công suất dùng thyristor, thyristor và mạch tạo xung kích vào
cổng điều khiển của nó cần cách điện. Tƣơng tự nhƣ các mạch kích cho transistor, ta có thể sử
dụng biến áp xung hoặc optron, xem hình 2.16

(a) Hình 2.16: (b)

Mạch kích dùng biến áp xung đƣợc vẽ trên hình 2.16a. Sau khi tác dụng áp lên mạch
cổng B của transistor Q1. Transistor Q1 dẫn bão hòa làm điện áp Vcc xuất hiện trên cuộn sơ
cấp của biến áp xung và từ đó xung điện áp cảm ứng xuất hiện phía thứ cấp biến áp. Xung tác
dụng lên cổng G của thyristor. Khi khóa xung kích cho transistor Q1 bị ngắt dòng qua cuộn sơ
cấp biến áp xung duy trì qua mạch cuộn sơ cấp và diode Dm.

20
 Việc đƣa xung kích dài vào cổng G làm tăng thêm tổn hao mạch cổng, do đó có thể thay
thế nó bằng chuỗi xung. Muốn vậy, xung điều khiển kết hợp với tín hiệu ra của bộ phát xung
vuông qua mạch cổng logic AND trƣớc khi đƣa vào cổng B của transistor Q1 (xem hình
2.16b)
Mạch bảo vệ thyristor: thông thƣờng, mạch RC mắc song song với thyristor (hình 2.16)
có thể sử dụng để bảo vệ nó chống quá điện áp. Mạch có thể kết hợp với cuộn kháng bảo vệ
di
mắc nối tiếp với thyristor chống sự tăng nhanh dòng điện qua linh kiện V .
dt
2.5. TRIAC
Triac là linh kiện có thể dẫn dòng điện theo cả hai chiều. Vì vậy định nghĩa dòng thuận
và dòng ngƣợc không có ý nghĩa, tƣơng tự cho khái niệm điện áp ngƣợc. Việc kích dẫn triac
thực hiện nhờ xung dòng điện đƣa vào cổng điều khiển G. Điều kiện để triac đóng điện là
đƣa xung dòng kích vào cổng điều khiển trong điều kiện tồn tại điện áp trên linh kiện khác 0.
Giống nhƣ thyristor, không thể điều khiển ngắt dòng qua triac. Triac sẽ ngắt theo qui
luật đã đƣợc giải thích đối với thyristor.

Mô tả và chức năng
Việc đóng triac theo cả hai chiều đƣợc thực hiện nhờ 1 cổng duy nhất G và xung dòng
kích vào cổng G có chiều bất kỳ. Bởi vì triac dẫn điện cả hai chiều nến chỉ có hai trạng thái,
trạng thái dẫn và khóa. Mặc dù vậy có thể định nghĩa triac có chiều thuận và chiều nghịch.

Đặc tính V-A

Đặc tính V-A của triac tƣơng tự nhƣ thyristor. Do khả năng dẫn điện theo cả hai chiều,
đặc tính triac có dạng đối xứng qua tâm tọa độ. Cần nói thêm về trƣờng hợp đặc tính cổng
điều khiển. Việc kích đóng triac có thể chia ra làm các trƣờng hợp:

Hình 2.17:
uV > 0: a/- uG > 0 , iG > 0
b/- uG < 0 , iG < 0
uVR > 0: c/- uG > 0 , iG > 0
d/- uG < 0 , iG < 0

21
 Mặc dù có thể tạo dòng kích có dấu tùy ý, nhƣng thực tế sẽ là thuận lợi hơn khi dòng
kích dƣơng cho trƣờng hợp dòng qua triac dƣơng và dòng kích âm khi dòng qua triac âm.

Các tính chất động

Việc đóng (xem thyrisror): thời gian đóng tgt , nhanh nhất ở trƣờng hợp a, chậm nhất ở
trƣờng hợp c. Tốc độ tăng của dòng dẫn bị giới hạn bởi:

 di   di 
Sicrit   V    VR 
 dt max  dt max

Việc ngắt (xem thyristor): thời gian ngắt đƣợc tính từ lúc giảm dòng dẫn theo một
hƣớng về 0 đến khi có thể đặt điện áp khóa cùng chiều đó lên triac. Nếu ta ngắt dòng dẫn của
triac trong một chiều nào đó, điện thế khóa ở chiều ngƣợc lại tăng lên ở cuối quá trình chuyển
mạch với tốc độ lớn có thể gây ra việc đóng ngoài ý muốn. Vì thế, tốc độ tăng của điện thế
khóa khi chuyển mạch bị giới hạn bởi giá trị:

 du   du 
Sucrit   V    VR 
 dt max  dt max

Các giá trị Sucrit thƣờng nhỏ hơn 20V/µs. Tốc độ giới hạn của điện thế khóa Sucrit đối
với triac điện ở trạng thái không dẫn điện có giá trị cao hơn - khoảng vài trăm V/µs.

Khả năng chịu tải

Định mức điện áp: Xác định theo điện áp khóa cực đại có thể lặp lại, nó bằng nhau cho
cả hai hƣớng uDRM = uRRM. Điện áp cực đại không lặp lại không đƣợc biết.
Định mức dòng điện: Xác định theo giá trị hiệu dụng lớn nhất của dòng dẫn iVM.
Thƣờng đƣợc định nghĩa cho dòng hình sin đối với nhiệt độ cho trƣớc và tốc độ làm mát cho
trƣớc.

2.6. GTO, IGCT, MCT

2.6.1. GTO (Gate Turn Off Thyristor)

Hình 2.18:

22
 GTO có cấu tạo gồm bốn lớp pnpn tƣơng tự với thyristor thông thƣờng (SCR)- hình
2.18a, với các tính năng tƣơng tự của thyristor với điểm khác biệt là có thể điều khiển ngắt
dòng điện qua nó. Mạch tƣơng đƣơng GTO đƣợc vẽ trên hình 2.18b có cấu trúc tƣơng tự
mạch mô tả SCR nhƣng có thêm cổng kích ngắt mắc song song cổng kích đóng. Ký hiệu linh
kiện GTO vẽ trên hình 2.18c.
GTO đƣợc kích đóng bằng xung dòng điện tƣơng tự nhƣ khi kích đóng thyristor thông
thƣờng. Dòng điện kích đóng đƣợc tăng đến giá trị IGM và sau đó giảm xuống đến giá trị IG.
Điểm khác biệt so với yêu cầu xung kích đóng SCR là dòng kích iG phải tiếp tục duy trì trong
suốt thời gian GTO dẫn điện.
Mạch bảo vệ
Linh kiện GTO cần phải có mạch bảo vệ. Quá trình ngắt GTO đòi hỏi sử dụng xung
dòng kích đủ rộng. Điều này dẫn đến thời gian ngắt dài, khả năng di/dt và dv/dt của GTO
thấp. Vì thế, cần phải giới hạn các trị số hoạt động không vƣợt quá giá trị an toàn trong quá
trình ngắt GTO. Hình 2.19a là mạch bảo vệ GTO trong quá trình ngắt. Tụ điện C dùng để bảo
vệ GTO trong quá trình kích ngắt phải có giá trị điện dung lớn hơn giá trị qui định của nhà sản
xuất, đạt đến độ lớn khoảng vài µF. Ngoài ra, GTO đòi hỏi mạch bảo vệ chống hiện tƣợng
tăng nhanh dòng điện khi đóng.
Diode của mạch bảo vệ phải có khả năng chịu gai dòng lớn bởi vì trong quá trình sẽ
xuất hiện dòng có biên độ lớn qua diode và tụ điện. Điện trở mạch bảo vệ có trị số nhỏ và
đảm bảo tụ xả điện hoàn toàn trong khoảng thời gian đóng ngắn nhất của GTO khi vận hành.
Khi GTO đóng, năng lƣợng tích trữ trên tụ sẽ phải tiêu tán hết trên điện trở này. Vì thế, giá trị
định mức công suất của điện trở khá cao.
Mỗi GTO có một giá trị dòng đƣợc điều khiển cực đại mà nếu vƣợt quá thì không thể
ngắt nó bằng xung dòng ngƣợc ở cổng Gate. Nếu trong quá trình vận hành bộ biến đổi công
suất sử dụng GTO nhƣ linh kiện đóng ngắt, sự cố có thể xảy ra (ví dụ nhƣ ngắn mạch) gây
nên hiện tƣợng quá dòng, hệ thống bảo vệ phải đƣợc thiết kế để nhận biết sự cố và ngắt GTO
để bảo vệ linh kiện. Nếu nhƣ giá trị dòng qua GTO khi sự cố xảy ra thấp hơn trị số dòng cực
đại thì có thể ngắt GTO bằng xung dòng cổng âm điều khiển với biên độ thích hợp. Nhƣng
nếu giá trị dòng sự cố vƣợt quá giá trị bảo vệ bằng xung dòng âm, cần sử dụng mạch “bảo vệ
kiểu đòn bẩy“ (gồm khóa công suất mắc song song với linh kiện GTO). Nguyên lý hoạt động
của mạch bảo vệ là tạo ngắn mạch nguồn cấp điện cho GTO bằng cách kích đóng một SCR
mắc song song với linh kiện GTO. Dòng ngắn mạch làm chảy cầu chì và cắt linh kiện GTO
khỏi nguồn. Điều đó đƣợc minh họa trên hình 2.18b.
Trong những năm gần đây, GTO trở thành linh kiện đóng ngắt đƣơc sử dụng rộng rãi
cho các mạch công suất lớn: một GTO loại “nối tắt anode” có giá trị định mức áp khoảng
4500V và định mức dòng 6000A. Các giá trị tƣơng ứng của loại GTO cho phép dẫn dòng
ngƣợc là 4500V và 3000A (Mitsubishi 1998). Điện áp đặt trên GTO khi dẫn điện thƣờng cao
hơn SCR (2-3V). Tốc độ đóng ngắt từ vài µs đến 25µs. Tần số đóng ngắt khoảng 100Hz đến
10kHz.

23
 (a) Hình 2.19: (b)

Linh kiện công suất sẽ có chất lƣợng cao nếu cho độ sụt áp thấp khi dẫn điện (nhƣ
thyristor), yêu cầu mạch điều khiển đơn giản và khả năng ngắt dòng nhanh (nhƣ IGBT). Hiện
nay, một số linh kiện nhƣ vậy đã xuất hiện trên thị trƣờng và chúng có khả năng thay thế dần
GTO. Chúng có thể xem là những dạng cải tiến của GTO, chế tạo theo nguyên lý khối tích
hợp (Power Electronics Building Block- PEBB) nhằm giảm bớt các yêu cầu về mạch kích và
làm tăng khả năng ngắt nhanh. Các linh kiện này gồm MTO (MOS Turn-Off Thyristor), ETO
(Emitter Turn-Off Thyristor) và IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor).

2.6.2. IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor)

Cấu tạo và chức năng
Việc cải tiến công nghệ chế tạo GTO thyristor đã phát minh ra công nghệ IGCT.
GCT (Gate Commutated Thyristor) là một dạng phát triển của GTO với khả năng kéo
xung dòng điện lớn bằng dòng định mức dẫn qua cathode về mạch cổng trong 1s để đảm
bảo ngắt nhanh dòng điện. Cấu trúc của GCT và mạch tƣơng đƣơng của nó giống nhƣ của
GTO.
IGCT là linh kiện gồm GCT và có thêm một số phần tử hỗ trợ, bao gồm cả board mạch
điều khiển và có thể gồm cả diode ngƣợc.
Để kích đóng GCT, xung dòng điện đƣợc đƣa vào cổng kích làm đóng GCT tƣơng tự
nhƣ trƣờng hợp GTO.
Để kích ngắt GCT, tiếp xúc PN base-emitter đƣợc phân cực ngƣợc bằng cách cung
cấp điện áp nguồn ngƣợc chiều. Điều này làm triệt tiêu dòng điện qua cathode vì toàn bộ
dòng điện đi qua cathode sẽ đƣợc đẩy sang mạch cổng với tốc độ rất nhanh và biến GCT trở
thành một transistor pnp.
Để có thể tạo dòng điện qua mạch cổng tăng nhanh và đủ lớn, GCT (IGCT) đƣợc chế
tạo đặc biệt để giảm cảm kháng mạch cổng (mạch vòng cổng điều khiển – cathode) đến giá
trị nhỏ nhất.
Vấn đề mấu chốt của GCT là tạo khả năng tăng nhanh dòng điện qua cổng. Điều này
đạt đƣợc bằng ống dẫn điện đồng trục qua mạch cổng- cathode và công nghệ mạch điều
24
khiển nhiều lớp (multilayer). Chúng cho phép dòng cổng tăng với tốc độ 4kA/s khi điện thế
cổng- cathode ở mức 20V. Trong thời gian 1s, transistor npn của GTO bị ngắt hoàn toàn và
cực cổng của transistor pnp còn lại bị mở làm GCT bị ngắt. Do việc ngắt thực hiện bằng
xung dòng rất ngắn nên công suất tổn hao mạch cổng đƣợc giảm đến mức tối thiểu. Công
suất tiêu thụ của GCT giảm đi khoảng 5 lần so với trƣờng hợp GTO.
Lớp p phía anode đƣợc làm mỏng và làm giàu hạt mang điện chút ít để cho phép khử
các hạt mang điện phía anode nhanh hơn trong thời gian ngắt. IGCT có thể tích hợp diode
ngƣợc bằng tiếp xúc n+n-p đƣợc vẽ bên phải của hình 2.20. Diode ngƣợc cần thiết trong cấu
tạo của các bộ nghịch lƣu áp.

Hình 2.20:
Quá trình ngắt dòng điện của GCT bởi tác dụng xung dòng kích cổng đƣợc vẽ minh
họa trên hình 2.22. Để có thể so sánh với quá trình ngắt dòng của GTO, đồ thị của dòng cổng
đƣợc vẽ cho hai trƣờng hợp.

Khả năng chịu tải

Ƣu điểm chính của IGCT thể hiện ở các mặt sau:-khả năng chịu áp khóa cao đến 6kV
( dự kiến sẽ tăng lên đến 10kV) với độ tin cậy cao; tổn hao thấp khi dẫn điện bởi có khả năng
dẫn nhƣ thyristor; khả năng giới hạn dòng ngắn mạch sử dụng mạch bảo vệ chứa cuộn kháng
hạn chế di/dt (turn on snubber) và giá thành thấp do tận dụng công nghệ silicon với mức
tích hợp năng lƣợng cao.

Hình 2.21:

25
 Hình 2.22:
Các thiết bị sử dụng IGCT có công suất thay đổi trong khoảng 0,3 đến 5MW cho các
ứng dụng truyền động điện nói chung, đến 5MW cho thiết bị ổn định điện áp (Dynamic
Voltage Restorer), nguồn dự phòng (Dynamic UPS) và máy cắt, đến 20MW đối với các
truyền động đặc biệt, 25MW đối với mạch siêu dẫn từ SMES (Supermagnetic Energy
Storage) và 100MW cho thiết bị truyền tải điện (interties).

2.6.3. MCT (Mos Controlled Thyristor)

Cấu tạo và chức năng
MCT có cấu tạo kết hợp công nghệ của thyristor với ƣu điểm tổn hao dẫn điện thấp và
khả năng chịu áp cao vàø của MOSFET với khả năng đóng ngắt nhanh.
Hình 2.23 mô tả cấu trúc cắt ngang của một MCT, trong đó MOSFET đƣợc tích hợp
trong cấu trúc của SCR để thực hiện điều khiển quá trình đóng và ngắt linh kiện này. MCT
đƣợc điều khiển qua cổng MOS. Trong công nghiệp thƣờng xuất hiện các MCT loại p. Ký
hiệu và đặc tính của MCT đƣợc mô tả trên hình 2.24.

Hình 2.23:

26
 Hình 2.24:
Để kích dẫn MCT, xung điện áp âm đƣợc đƣa vào giữa cổng gate- anode. Điều này
dẫn đến việc đóng On- FET (p-FET) (trong khi đó cổng “off-FET” (n-FET) vẫn bị khóa) và
kích thích lớp cổng đệm -emitter của transistor npn Q1. Transistor Q1 và Q2 sau đó chuyển
sang trạng thái dẫn điện.
Để ngắt MCT, điện áp cổng gate – anode chuyển sang giá trị dƣơng. Điều này làm Off-
FET Q4 dẫn điện và làm nối tắt mạch emitter – lớp đệm của transistor Q2. Transistor Q2 vì
thế bị tắt làm MCT bị ngắt.
MCT đạt độ sụt áp thấp khi dẫn điện (nhƣ GTO) và thấp hơn cả IGBT. Phƣơng pháp
điều khiển dùng xung điện áp (nhƣ MOSFET, IGBT). Mạch lái đơn giản hơn so với GTO vì
không đòi hỏi xung dòng điện âm kích cổng. Tốc độ đóng ngắt của MCT nhanh hơn so với
GTO. Vì thế, MCT đang dần trở thành linh kiện điều khiển ngắt lý tƣởng cho các tải có yêu
cầu độ sụt áp thấp, tổn hao thấp và đóng ngắt nhanh. Khả năng dòng điện của MCT nhỏ hơn
so với GTO.

Khả năng chịu tải

MCT đƣợc áp dụng cho các trƣờng hợp yêu cầu điện trở và độ tự cảm nhỏ với khả
năng chịu đƣợc gai dòng điện lớn và di/dt cao. MCT có khả năng chịu đƣợc độ tăng dòng
điện 1.400kA/s và giá trị dòng đỉnh 14kA, tính qui đổi trên diện tích là 40kA/cm2 đối với
xung dòng điện. Các MCT đƣợc chế tạo ở dạng tích hợp ví dụ gồm 4 đến 6 linh kiện
(ThinPak).
MCT đƣợc sử dụng làm thiết bị phóng nạp điện cho máy bay, xe ô tô, tàu thủy, nguồn
cung cấp, ti vi. MCT cũng đƣợc sử dụng làm công tắc chuyển mạch mềm (Soft switching)
trong các mạch dao động cộng hƣởng (Auxiliary Resonant Commutated Pole). Khả năng
chịu di/dt cao và gai dòng lớn còn mở ra hƣớng phát triển dùng MCT chế tạo các máy cắt
với ƣu điểm gọn nhẹ, giá thành hạ và đáp ứng nhanh so với các máy cắt bán dẫn hiện tại.
MCT dạng tích hợp (ThinPak) còn đƣợc sử dụng trong các hệ truyền động máy kéo trong
giao thông vận tải.

27
2.6.4. Một số linh kiện khác
2.6.4.1. MTO (Mos Turn Off Thyristor)
Linh kiện MTO thyristor đƣợc phát triển bởi hãng SPCO (Silicon Power Coperation)
trên cơ sở công nghệ GTO và MOSFET. Chúng khắc phục các nhƣợc điểm của GTO liên
quan đến công suất mạch kích, mạch bảo vệ và các hạn chế của tham số dv/dt. Không giống
nhƣ IGBT tích hợp cấu trúc MOS phủ lên toàn bộ tiết diện bán dẫn, MTO đặt MOS FET
trên phiến silicon.

Khả năng chịu tải:

MTO thích hợp sử dụng cho các truyền động công suất lớn, điện áp cao (>3kV cho đến
10kV), dòng điện lớn hơn 4000A, độ sụt áp thấp (thấp hơn so với IGBT) và cho công suất tải
trong phạm vi 1MVA đến 20MVA do khả năng điều khiển đơn giản và chịu đƣợc áp khóa
lớn. MTO có thể sử dụng cho các thiết bị điều khiển công suất trong hệ thống điện (FACTS
Controller) làm việc trên nguyên lý điều chế độ rộng xung PWM. Các nguồn điện dự phòng
công suất lớn (UPS) cũng là một hƣớng áp dụng của MTO. Khả năng điều khiển cắt nhanh
và dễ dàng của MTO làm cho nó có thể ứng dụng thuận lợi làm các thiết bị cắt dòng điện dc
và dòng điện ac.

2.6.4.2. ETO (Emitter Turn Off Thyristor)

Giống nhƣ MTO, ETO đƣợc phát triển trên cơ sở kết hợp các công nghệ của GTO và
MOSFET. ETO đƣợc phát minh bởi Trung tâm điện tử công suất Virginia (Virginia Power
Electronics Center) hợp tác với hãng SPCO.

2.7. SO SÁNH KHẢ NĂNG HỌAT ĐỘNG CỦA CÁC LINH KIỆN
Khả năng họat động của các linh kiện bán dẫn công suất đƣợc so sánh theo hai khía
cạnh công suất mang tải và tốc độ đóng ngắt.
Linh kiện GTO công suất lớn đƣợc sản xuất với khả năng chịu đƣợc điện áp/dòng điện
từ 2,5-6kV/1-6kA. GTO còn đƣợc chế tạo chứa diode ngƣợc với tổn hao thấp, khả năng chịu
điện áp/ dòng điện của nó đạt đến 4,5kV/3kA.
Linh kiện GCT đƣơc chế tạo gần đây có khả năng chịu đƣợc điện áp/dòng điện
6kV/6kA với khả năng chuyển mạch gần nhƣ toàn bộ dòng điện sang mạch cổng khi kích
ngắt. Cảm kháng mạch cổng giảm đến 1/100 so với loại GTO thông thƣờng, cho phép tốc độ
tăng dòng điện cổng khi kích ngắt đến diGQ/dt = 6.000A/s. Thời gian lƣu trữ ts giảm còn
khoảng 1/10 so với của GTO. Các tính chất cho phép GCT rất thuận tiện khi mắc song song
hoặc nối tiếp và khả năng điều khiển đóng ngắt công suất lớn ngay cả không sử dụng mạch
bảo vệ.
Các diode cho nhu cầu thông thƣờng đƣơc chế tạo với khả năng chịu đƣợc điện áp
thay đổi từ 500V đến 4kV và dòng điện từ 60A đến 3,5kA. Đối với nhu cầu đóng ngắt nhanh
khả năng dòng đạt đến 800-1.700A và điện áp 2.800-6.000V,

28
 Các thyristor cho nhu cầu thông thƣờng đƣơc chế tạo với khả năng chịu đƣợc điện áp
thay đổi từ 400V đến 12kV và dòng điện từ 1000A đến 5kA. Đối với nhu cầu đóng ngắt
nhanh, khả năng dòng đạt đến 800-1.500A và điện áp 1.200-2.500V,
Các linh kiện IGBT dạng modul đƣợc chế tạo với khả năng chịu đƣợc điện áp/ dòng
điện 1,7-3,3kV/400-1.200A. Khả năng chịu điện áp cao của IGBT (HVIGB module) gần
đây đã đạt đến 6kV. Các linh kiện chế tạo dạng modul tạo thuận lợi cho việc lắp đặt, kết nối
mạch và làm giảm kích thƣớc, trọng lƣợng của hệ thống công suất.

2.78. TỔN HAO CÔNG SUẤT TRÊN CÁC PHẦN TỬ BÁN DẪN CÔNG SUẤT
Đã nghiên cứu khi xét các linh kiện.

2.9. VẤN ĐỀ LÀM MÁT VAN BÁN DẪN

Khi chọn van ta phải chú ý đến điều kiện làm mát cho van vì khi hoạt động, van toả
nhiệt rất lớn nên điều kiện làm mát cho van sẽ ảnh hƣởng đến hiệu quả cũng nhƣ tuổi thọ của
van. Nếu van hoạt động trong điều kiện đƣợc làm mát bằng không khí nhờ cánh tản nhiệt thì
van có thể làm việc tốt với 25% dòng định mức. Nếu van làm việc trong điều kiện làm mát
bằng quạt gió cƣỡng bức thì van có thể chịu đƣợc đến 30  60% dòng định mức. Nếu làm mát
bằng nƣớc thì van có thể chịu đƣợc đến 80% dòng định mức.
Ngoài ra khi sử dụng cần luôn phải chú ý đến việc bảo vệ quá dòng, áp cho van bán dẫn.

29
 CHƢƠNG 3: CHỈNH LƢU VÀ LỌC ĐIỆN

3.1. GIỚI THIỆU CHUNG

3.1.1. Khái niệm
Một bộ chỉnh lƣu (hay còn gọi là bộ nắn điện) là một mạch điện để biến đổi điện áp,
dòng điện xoay chiều thành điện áp và dòng điện một chiều.
Bộ chỉnh lƣu (Rectifier) cũng còn đƣợc gọi là bộ biến đổi dòng xoay chiều thành dòng
một chiều (AC - to -DC Convertor), với ký hiệu

AC
~  DC

Các thiết bị điện tử - viễn thông đƣợc nuôi trực tiếp bằng dòng một chiều. Động cơ điện
một chiều, thiết bị nạp cho accu, thiết bị mạ điện.v.v... đều sử dụng dòng một chiều. Trong
khi các nguồn một chiều hiện có nhƣ: máy phát một chiều, accu, pin mặt trời thì rất đắt và
công suất của chúng rất hạn chế, còn nguồn xoay chiều thì lại phổ biến nhất, thuận lợi nhất,
công suất có thể coi là "vô tận" mà lại rẻ nhất, đó là nguồn điện lƣới có tần số 50 Hz hoặc 60
Hz. Để sử dụng đƣợc nguồn điện lƣới cung cấp cho các thiết bị tiêu thụ điện một chiều, ta
phải sử dụng các bộ chỉnh lƣu.
Ngày nay, để thực hiện việc chỉnh lƣu, ngƣời ta dùng các linh kiện bán dẫn silic là
diode, thyristor SCR và thyristor GTO (thyristor tắt bằng cổng).
Trong các bộ chỉnh lƣu, các diode còn đƣợc gọi là các van không điều khiển, các
thyristor còn đƣợc gọi là các van có điều khiển.
Các van bán dẫn có ƣu điểm là:

 Điện áp rơi trên van thấp (sụt áp thuận), do đó hiệu suất cao.

 Nhiệt độ khi làm việc thấp.

 Thể tích và trọng lƣợng nhỏ.

 Làm việc đƣợc tức thời (không có thời gian trễ).

Tuy nhiên chúng có các nhƣợc điểm:

 Chịu nhiệt độ thấp < 1500C.

 Chịu quá dòng, quá áp kém.

 Các thông số phụ thuộc nhiệt độ.

Khi đƣa sản phẩm ra thị trƣờng, nhà sản xuất có kèm theo các thông số kỹ thuật của linh
kiện:

30
 - Dòng điện định mức: Iđm (A).

- Sụt áp thuận:  U (V).

- Điện áp ngƣợc lớn nhất cho phép: Ung max (V).
- Dòng điện ngƣợc lớn nhất Ing max (mA).
Với các thyristor ngoài các thông số trên còn thêm:
- Điện áp điều khiển UG (V).
- Dòng điện điều khiển IGK (mA).
- Dòng duy trì Idt (mA).

3.1.2. Cách mắc các van bán dẫn

1) Cách mắc nối tiếp
Cách mắc nối tiếp các van bán dẫn đƣợc sử dụng khi điện áp ngƣợc cho phép lớn nhất
của van nhỏ hơn điện áp ngƣợc lớn nhất của bộ chỉnh lƣu đặt lên van theo tính toán, nghĩa là:
Ung max < Ung max tính toán

Ung max tính toán = 2 2 UV  3U0

Trong đó: - UV~ là điện áp hiệu dụng đặt vào bộ chỉnh lƣu.
- U0 là điện áp một chiều sau chỉnh lƣu.
Số van cần thiết để mắc nối tiếp đƣợc tính bằng:
Ung max tÝnh to¸n
nnt  1,1  1, 2  (3.1)
Ung max

Hệ số 1,1  1,2 là hệ số dự phòng.

Khi dùng cách mắc nối tiếp các van thì phải dùng các van có cùng các thông số kỹ thuật
và phải mắc song song với mỗi van một điện trở phân áp rpa hoặc một tụ phân áp Cpa nhƣ
Hình 3.1, để san bằng điện áp ngƣợc cho các van.

rpa rpa rpa Cpa Cpa Cpa

D1 D2 Dn

Hình 3.1: Cách mắc các van bán dẫn

rpa và Cpa đƣợc chọn dựa vào các điều kiện:
rpa < Rngược van

31
 1
XC pa   Rng­îc van
2 fC pa
Ung max
Rng­îc van 
I ng max

Hiện nay đã sản xuất đƣợc các diôt silic chịu đƣợc điện áp ngƣợc tới 1600V, nên các bộ
chỉnh lƣu từ điện áp lƣới không phải dùng cách mắc nối tiếp các van nắn.

2) Cách mắc song song

Cách mắc song song các van bán dẫn đƣợc thực hiện khi dòng định mức của van nhỏ
hơn dòng trung bình qua van theo tính toán.
I®m  Itb tÝnh to¸n

I0
Trong đó: Itb tÝnh to¸n  ;
m
I0 là dòng một chiều qua tải.
m là số xung dòng chính lƣu qua tải trong một chu kỳ điện lƣới, m phụ
thuộc vào sơ đồ chỉnh lƣu.
Số van cần thiết để mắc song song:

Itb tÝnh to¸n

nss  1,1  1, 2  (3.2)
I®m

Khi dùng cách mắc song song phải sử dụng các van có các thông số kỹ thuật giống nhau
và phải mắc nối tiếp với mỗi van một điện trở phân dòng rpd nhƣ Hình 3.2, để hiệu chỉnh dòng

D1 rpd

D2 rpd

Dn rpd

đồng đều giữa các van.

Hình 3.2: Cách mắc song song các van nắn
rpd chọn theo điều kiện: rpd > rv.

U
rv: điện trở thuận của van, đƣợc tính bằng: rv 
I ®m

Ngày nay đã sản xuất đƣợc các van bán dẫn có Iđm = 1600A, nên việc mắc song song
các van trong 1 bộ chỉnh lƣu là không cần thiết, khi cần dòng tải lớn ngƣời ta thực hiện mắc
song song nhiều bộ chỉnh lƣu.

32
3.2. CÁC DẠNG MẠCH CHỈNH LƢU CƠ BẢN
3.2.1. Chỉnh lƣu một pha không điều khiển
Chỉnh lƣu một pha không điều khiển là các bộ chỉnh lƣu làm việc với điện áp xoay
chiều một pha và các van nắn là diode, do đó điện áp một chiều đầu ra không điều khiển
đƣợc.
Các bộ chỉnh lƣu một pha là các bộ chỉnh lƣu với công suất vừa và nhỏ, thƣờng không
quá 15 kW. Các bộ chỉnh lƣu có công suất lớn thƣờng dùng chỉnh lƣu 3 pha để không làm
mất cân bằng các pha điện lƣới.

3.2.1.1. Chỉnh lưu 1 pha nửa sóng

Với bộ chỉnh lƣu kiểu nửa sóng (hoặc chỉnh lƣu nửa chu kỳ) thì điện áp xoay chiều đầu
vào bộ chỉnh lƣu có thể lấy thẳng từ điện lƣới hoặc thông qua biến áp nhƣ Hình 3.3a, b.
Nếu tải cần cách ly với điện mạng và điện áp một chiều trên tải khác xa với điện áp
mạng thì phải dùng biến áp (Hình 3.3b).

a D i0 + a D i0 +

uS ~ us u0 Rt u1 u2 u0 Rt
b b
 
a) Không dùng biến áp b) Dùng biến áp
Hình 3.3: Sơ đồ chỉnh lưu một pha nửa sóng
a) Xét với tải thuần trở (Hình 3.3a, b)
Điện áp nguồn đặt vào bộ chỉnh lƣu là us.
us  UM sin t

Diode D làm nhiệm vụ chỉnh lƣu, Rt là tải của bộ chỉnh lƣu , có tính thuần trở.

Giả sử nửa chu kỳ đầu của điện áp nguồn us, t = 0   là bán chu kỳ dƣơng của us nên
D thông vì phân cực thuận nên có dòng i0 qua tải.

Nửa chu kỳ sau của us, khi t =   2 là bán chu kỳ âm của us nên D ngắt do phân cực
ngƣợc, không có dòng qua tải, i0 = 0 và u0 = 0, tại bán chu kỳ này diode D chịu điện áp
ngƣợc.
Nếu bỏ qua tổn hao trên diode D và nguồn, ta có các dạng sóng đầu vào, đầu ra của bộ
chỉnh lƣu, dòng điện, điện áp ngƣợc trên diode trên hình 3.3c.

33
 us
UM

 2 t

u0
UM
U0
Hình 3.3c: Các dạng sóng của bộ
chỉnh lưu 1 pha nửa sóng tải trở
t
i0
UM
Rt I0

t
UD

t
-
UM

Nhƣ vậy, chỉ có bán chu kỳ dƣơng của điện áp vào (us) diode D mới dẫn, do đó mới có
dòng và áp trên tải, còn bán chu kỳ âm của us thì diode D khóa, vì vậy dòng và áp trên tải
bằng không. Vậy trong 1 chu kỳ của điện áp mạng, chỉ có 1 xung dòng qua tải. Gọi số xung
dòng qua tải trong 1 chu kỳ của điện áp mạng là m; chỉnh lƣu 1 pha nửa sóng , m = 1. Điện áp
đầu ra của bộ chỉnh lƣu là một chiều nhƣng ngắt quãng, tần số của điện áp gợn sóng (Ripple)
trên tải là: fg = m.f = 50Hz.
Điện áp trên tải u0, dòng tải i0 là xung, nên phân tích theo Fourier ta có:

u0  U0  
n 1,3,5..
u0 ~

i0  I 0  
n 1,3,5...
i0 ~

Trong đó: U0, I0 là thành phần một chiều (giá trị trung bình) của điện áp và dòng tải, còn
 


n 1,3,5...
u0 ~ và 
n 1,3,5...
i0 ~ là các thành phần xoay chiều của điện áp, dòng trên tải, ta gọi là các hài,

các thành phần xoay chiều gây nên độ gợn sóng (Ripple) (hay còn gọi là độ đập mạch) của
điện áp trên tải.
Bỏ qua tổn hao trên diode và nguồn, ta tính đƣợc trị số điện áp một chiều trên tải theo
công thức:

mT
us  t  dt
T 0
U0  (3.3)

34
 Với sơ đồ chỉnh lƣu 1 pha nửa sóng, u0 = 0 khi T/2  t  T nên công thức (3.3) trong
trƣờng hợp này là:

mT U  T 
U0   UM sin  t  dt   M  cos  1
T0 T  2 

do f = 1/T và  = 2 f, nên

UM
U0   0, 318.UM  0, 45U (3.4)

U0 0, 318.UM 0, 45U
I0   
Rt Rt Rt

U là trị số hiệu dụng của us.

- Trị số hiệu dụng của điện áp trên tải.
T/2
1 UM
Ut   UM sin t  dt   0, 5U M
2

T 0
2

- Trị số hiệu dụng của dòng tải:

Uhdt 0, 5UM
It   (3.5)
Rt Rt

- Trị số hiệu dụng của các thành phần xoay chiều trên tải.

U0  Ut2  U02 (3.6)

- Tỷ số của điện áp hiệu dụng trên tải với điện áp một chiều trên tải gọi là hệ số dạng
sóng, đƣợc ký hiệu là.

Ut
d (3.7)
U0

- Tỷ số giữa điện áp hiệu dụng của các thành phần xoay chiều trên tải U0 với thành
phần một chiều trên tải U0, gọi là hệ số gợn sóng, đƣợc ký hiệu là g.

U0
g (3.8)
U0

Từ biểu thức (3.6) và (3.8) ta suy ra:

2
U 
d   t  1  d2 1 (3.9)
 U0 

- Hiệu suất chỉnh lƣu: là tỷ số của công suất một chiều trên tải P0 với công suất hiệu
dụng trên tải Pt .

35
 P0
 (3.10)
Pt

Pt là công suất hiệu dụng trên tải.

b) Với tải dung tính (hình 3.4a)
Khi đầu ra của bộ chỉnh lƣu ta mắc một tụ C, có trị số sao cho:

1
Xc   Rt
mc
ở đây m =1, thì tải của bộ chỉnh lƣu đƣợc coi là mang tính dung (hình 3.4a).

D i0 uC
uC C nạp C phóng
I0
rS i0 + UM
C 
U0 Rt U0
Us 
 2
t

a) i0
I0

2
t
b)

Hình 3.4: Sơ đồ chỉnh lưu 1pha nửa sóng tải dung tính (a)
và dạng điện áp trên tải, thời gian dẫn của diode D (b)

Với điều kiện XC << Rt thì tất cả các thành phần xoay chiều của dòng chính lƣu i0~ sẽ
đƣợc nối tắt qua tụ C, qua tải chỉ có thành phần một chiều I0.
Vì sự có mặt của tụ C nên khi D thông, C đƣợc nạp với hằng số thời gian nạp
n = (rS + rD)C, khi D ngắt, C phóng qua tải với hằng số thời gian phóng: p= RtC. Vì nội trở
nguồn rs và điện trở thuận của diode D là rD rất nhỏ so với trở tải: (rS+rD) << Rt nên n <<
p, nghĩa là trong 1 chu kỳ điện mạng thời gian tụ C đƣợc nạp rất nhỏ so với thời gian tụ C
phóng qua tải nên điện áp trên tải biến đổi rất ít. Diode D chỉ thông khi điện áp dƣơng tức thời
của nguồn us đặt trên anốt của nó vƣợt điện áp uc nên xuất hiện góc cắt  của xung dòng i0, 2
là thời gian thông của diode D.  phụ thuộc rs; rD và Rt.

3  rs  rD 
 (3.11)
Rt

Điện áp một chiều trên tụ C (trên tải) đƣợc tính bằng:

Uc  U0  UM cos (3.12)

36
 Khi hở tải (Rt = )   = 0 và U0hm =UM
U0hm là điện áp một chiều trên tải khhi hở Rt.

Điện áp ngƣợc lớn nhất đặt lên diode D trong trƣờng hợp hở tải (Rt = ) là:

UD ng max  2UM  2 2U (3.13)

Sơ đồ chỉnh lƣu 1 pha nửa sóng có ƣu điểm là đơn giản nhƣng nhƣợc điểm lớn là:
Hệ số gợn sóng g lớn, tần số gợn sóng nhỏ fg = 50Hz = f mạng nên khó lọc san bằng và
dòng trung bình qua van nắn lớn Itbv = Io nên sơ đồ chỉnh lƣu loại này rất ít đƣợc dùng trong
các thiết bị điện tử và trong công nghiệp, nhƣng là cơ sở để ta hiểu nguyên lý vận hành của bộ
chỉnh lƣu.

3.2.1.2. Chỉnh lưu 1 pha toàn sóng

1) Chỉnh lƣu 1 pha toàn sóng với thứ cấp biến áp có điểm giữa
a) Tải thuần trở (hình 3.5a)

u2
u2a u2b
U2M

0
t
D1 i2a  2
a -U2M
i0 i2a i2b
u2a I2M
U0 I0
0
u1~ 0 t
Rt i0 u0
u2b
U0
b D2 i2b 0
t
a) -uDng1
-2U2M

uDng
b)

Hình 3.5: Sơ đồ chỉnh lưu 1 pha toàn sóng thứ cấp biến áp có điểm giữa với
tải trở (a) và dạng sóng đầu vào, ra điện áp ngược trên diode (b).

Biến áp 1 pha với thứ cấp ra điểm giữa tạo ra 2 điện áp xoay chiều u2a, u2b có biên độ
bằng nhau và ngƣợc pha nhau đặt vào 2 diode, khiến chúng thay nhau làm việc trong cả chu
kỳ. Nhƣ vậy mỗi nửa thứ cấp biến áp cùng với 1 diode liên kết là một sơ đồ chỉnh lƣu 1 pha
nửa sóng. Do đó đây là 2 sơ đồ chỉnh lƣu 1 pha nửa sóng mắc nối tiếp làm việc lệch nhau
1800 (hình 3.5).

Giả sử khi t = 0  , u2a ở bán chu kỳ dƣơng thì D1 thông, D2 khóa, có dòng i2a từ a 
D1 Rt 0.

37
 Khi t =   2, u2b là bán chu kỳ dƣơng thì D2 thông , D1 khóa, có dòng i2b từ b 
D2 Rt 0.
Dòng qua tải trong 1 chu kỳ: i0 = i2a + i2b là 2 xung dòng một chiều, m = 2. Tần số gợn

sóng của điện áp trên tải fg = 2f =100 Hz. Điện áp trên tải: u0  i0 Rt  U0  
n  2 ,4...
u0 , u0 bao

gồm thành phần một chiều U0 và vô số các thành phần xoay chiều từ bậc 2, 4... trở lên. Nếu
bỏ qua tổn hao trên biến áp và diode ta có:
T/2
2 2U2 M
U0 
T  U M sin  t.dt 
0
2

 0, 9U2 (3.14)

Dòng một chiều qua tải:

U0 0, 9U2
I0   (3.15)
Rt Rt

Điện áp hiệu dụng trên tải:

T/2
2 U2 M
Ut   U M sin t  dt   U2
2
2 (3.16)
T 0 2

Từ (3.7) và (3.9) ta tính đƣợc hệ số dạng sóng (FF) và hệ số gợn sóng (G) của sơ đồ
chỉnh lƣu 1 pha toàn sóng:

Ut U2
d   1,11
U0 0, 9U2

g  d 2  1  0, 482 hoặc 48,2%.

Điện áp ngƣợc lớn nhất đặt lên diode là: 2U2 M .

Các dạng sóng của điện áp vào, dòng chỉnh lƣu và điện áp sau chỉnh lƣu với tải thuần
trở vẽ trên hình 3.5b.
b) Tải dung tính (hình 3.6a)

1
Khi có C // Rt và giá trị của C sao cho Xc   Rt với sơ đồ hình 3.6a thì (m=2), ta
mc
sẽ đƣợc bộ chỉnh lƣu tải dung (hình 3.6a). Khi có C, các thành phần xoay chiều của điện áp
sau nắn i0~ sẽ đƣợc nối tắt qua tụ C, qua tải Rt là thành phần một chiều I0.
Khi tải dung tính thì các diode chỉ thông khi giá trị dƣơng tức thời của điện áp thứ cấp
đặt vào anốt của chúng vƣợt giá trị uc, mỗi diode chỉ thông trong thời gian
2 < 1800,  là góc cắt của xung dòng, giá trị  phụ thuộc tỷ số của tổng trở biến áp và diode
với điện trở tải.

38
 D1
a i2a i0 uC
U0
u2
i0~
a i2b +
0 I0 t
U1~
C U0 Rt
u2 i0
b D2  I0
i2a i2b

2 t
a) b)
Hình 3.6: Sơ đồ chỉnh lưu 1 pha toàn sóng thứ cấp biến áp có điểm
giữa với tải dung (a) và dạng sóng trên tải (b)

Dạng sóng điện áp trên tải và xung dòng chính lƣu nhƣ hình 3.6 (b).
- Điện áp một chiều trên tải:

U0  U2 M cos  2U2 cos (3.17)

- Điện áp ngƣợc lớn nhất đặt lên diode:

UD ng max  2U2 M  2 2U2 (3.18)

c) Tải tính cảm (Hình 3.7a)

Khi ta mắc nối tiếp với tải một cuộn chặn Lch, cuộn chặn có trị số điện cảm Lch sao cho
XLch  m Lch  Rt và điện trở thuần cuộn chặn rLch  Rt , ta sẽ có bộ chỉnh lƣu tải cảm, và
khi có Lch thì thƣờng có tụ lọc C// Rt, để loại bỏ triệt để các thành phần xoay chiều của điện áp
gợn sóng. Với chỉnh lƣu có cuộn chặn Lch, các thành phần xoay chiều của dòng chính lƣu sẽ
bị tổn hao hết trên Lch, trên tải Rt chỉ có thành phần một chiều I0, U0 nhƣ hình 3.7b.
Bỏ qua tổn hao trên biến áp và diode, ta đƣợc điện áp một chiều trên tải theo công thức:

2
Điện áp một chiều trên tải: U0  U2 M  0, 9U2

U0 0, 9U2
Dòng một chiều trên tải: I0   (3.19)
Rt Rt

Điện áp ngƣợc lớn nhất đặt lên diode: UD ng­îc max  2U2 M  2 2U2

39
 u2 u2a u2b
D1 Lch
a i0
i2a 0
I0 t
u2a  2
i2b
0 u0 U2M
u0 C U0 U0
u2b
D2 t
b i0
U0/Rt
i2a i2b i2a
a) t
b)
Hình 3.7: Chỉnh lưu 1 pha toàn sóng tải cảm (a) và dạng sóng
điện áp đầu vào, đầu ra của bộ chỉnh lưu và trên tải (b).

So với sơ đồ chỉnh lƣu 1 pha không điều khiển nửa sóng dùng biến áp thì sơ đồ chỉnh
lƣu 1 pha toàn sóng thứ cấp biến áp có điểm giữa có những ƣu điểm:

 Trong biến áp không có thành phần một chiều nên lõi biến áp không bị bão hòa do
dòng một chiều gây nên.

 Biến áp làm việc 2 lần trong 1 chu kỳ, nên hiệu suất sử dụng biến áp cao.

 Tần số gợn sóng fg = 2f = 100Hz (điện áp gợn sóng chỉ chứa các hài chẵn) nên lọc
san bằng dễ hơn, với cùng yêu cầu hệ số gợn sóng (g) trên tải nhƣ nhau thì chỉnh
lƣu 1 pha toàn sóng có trị số các linh kiện lọc chỉ bằng một nửa của chỉnh lƣu 1
pha nửa sóng.

 Với tải trở và cảm, điện áp một chiều ra lớn và dòng trung bình qua diode nhỏ.

I0
Itbv 
2

 Nhƣợc điểm là: Điện áp ngƣợc đặt lên van lớn và phải có biến áp nguồn.
2) Chỉnh lưu cầu 1 pha (hình 3.8)
Sơ đồ chỉnh lƣu cầu 1 pha gồm: nguồn xoay chiều đầu vào (có thể dùng biến áp 1 pha
hoặc không), 4 diode nối theo sơ đồ cầu, và tải với 3 loại tải khác nhau.

a i2a
D1
Lc
u1 u2 D4 i0 + h
D3
D2 Rt C Rt C Rt
U0
b i2b 

Hình 3.8: Sơ đồ chỉnh lưu cầu 1 pha với các tải khác nhau

40
 Khi nửa chu kỳ dƣơng của u2, ứng với a(+), b(-), D1, D3 thông, có dòng i2a từ a  D1 
tải  D3  b. Nửa chu kỳ âm của u2, ứng với b(+), a(-), D2, D4 thông, có dòng i2b từ b  D2
 tải  D4  a.
Trong 1 chu kỳ của điện áp u2, dòng tải i0 = i2a+ i2b, số xung dòng qua tải m = 2; fg = 2f.
Các dạng sóng của điện áp, dòng điện trên tải của sơ đồ cầu 1 pha giống nhƣ sơ đồ
chỉnh lƣu 1 pha với thứ cấp biến áp có điểm giữa.
- Với tải trở và cảm:

2
Điện áp một chiều trên tải: U0  U2 M  0, 9U2 (3.20)

- Với tải dung:

Điện áp một chiều trên tải: U0  2U2 cos (3.21)

Điện áp một chiều trên tải: U0 hm  2U2 (Rt =    = 0)

- Điện áp ngƣợc lớn nhất đặt lên diode: UD ngmax  U2 M  2U2

3.2.2. Chỉnh lƣu ba pha không điều khiển

Các sơ đồ chỉnh lƣu 3 pha làm việc với mạng điện 3 pha. Đây là các bộ chỉnh lƣu công
suất lớn, thƣờng có công suất lớn hơn 15 kW.

3.2.2.1. Bộ chỉnh lưu 3 pha nửa sóng

Sơ đồ chỉnh lƣu kiểu này cũng có thể dùng biến áp hoặc không, tùy theo các yêu cầu
của tải.
Nếu không dùng biến áp, thì sơ đồ làm việc trực tiếp với điện áp mạng 3 pha có dây
trung tính.
Nếu sơ đồ cần có biến áp cách ly, thì các cuộn sơ cấp của biến áp 3 pha có thể nối theo
hình sao hoặc tam giác, tùy theo điện áp mạng và điện áp danh định của cuộn sơ cấp. Còn 3
cuộn thứ cấp phải nối theo hình sao có dây trung tính (hình 3.9a).

Điện áp các pha lệch nhau 1 góc 2/3. Nhƣ vậy sẽ suất hiện những khoảng thời gian
điện áp 2 pha kế cận có cùng giá trị (tại t = /6, 5/6, 3/2...), do đó 1 diode bất kỳ của pha
nào muốn thông thì điện áp dƣơng đặt vào anốt của diode pha đó phải vƣợt điện áp các pha
khác. Vậy tại mỗi khoảng thời gian chỉ có một diode thông. Mỗi diode thông liên tục trong
thời gian 2/3.
Trên hình 3.9b vẽ dạng sóng điện áp nguồn u2a, u2b, u2c, điện áp sau nắn, thời gian
dẫn của các diode và điện áp ngƣợc đặt lên các diode với tải thuần trở.
Một chu kỳ điện áp mạng, sơ đồ làm việc 3 lần với tải, có 3 xung dòng qua tải,
m = 3, tần số gợn sóng của điện áp sau nắn fg = 3f.

41
 u2 u2a u2b u2c
u2a D1
A U2M
i2a
u2b D2 i0
B 2
i2b  2  t
u2c D3 u0
C 3 3
T¶i
i2c
u0
D1 D2 D3 D1
a)
 5 3   t
2  
6 6 2  6

Hình 3.9: Chỉnh lưu 3 pha nửa sóng UD

(a) và dạng sóng trên tải và điện áp
ngược trên diode (b) t

3U 2 M

b)

* Với tải trở và tải cảm và bỏ qua tổn hao trên biến áp, diode:

m  /m m 
- Điện áp một chiều trên tải: U0   U2 M cos  t.d  t   U2 M sin
  m

3 3
Với m = 3: U0  U2 M  1,17U2 (3.22)
2
- Điện áp hiệu dụng đặt trên tải là:

m  /m 2 m  1 2 
Ut   U2 m cos2 t.d t   U2 M   sin 
 0 2  m 2 m

Với m = 3, ta có:

3  1 2 
Ut  U2 M   sin   0, 84U2 M  1,19U2 (3.23)
2  3 2 3 

- Hệ số dạng sóng:

Ut
d  1, 02 hay 102%
U0

42
 - Hệ số gợn sóng:

g  d 2  1  1, 022  1  0, 2  20%

* Với tải dung tính, bỏ qua tổn hao trên biến áp diode:

- Điện áp một chiều trên tải: U0  U2 M  2U2 (3.24)

- Điện áp ngƣợc lớn nhất đặt lên diode là:

UD ng max  3U2 M  6U2  2,1U0 (3.25)

3.2.2.2. Bộ chỉnh lưu 3 pha cầu (3 pha toàn sóng)

Đây là kiểu chỉnh lƣu rất phổ biến trong các bộ nguồn công suất lớn. Kiểu chỉnh lƣu này
có thể vận hành với biến áp hoặc không, tùy theo yêu cầu của tải . Nếu vận hành với biến áp
thì các cuộn thứ cấp nối hình sao không dây trung tính nhƣ hình 3.10. Điện áp 3 pha đặt vào
bộ chỉnh lƣu là điện áp dây:

uab  3u2 a  3U 2 M sin t

 2 
ubc  3u2b  3U 2 M sin  t  
 3 
 2 
uca  3u2 c  3U 2 M sin  t  
 3 

1) Với tải thuần trở

u1A u2a a D1 D3 D5
A
ia
u1B u2b b
B Rt
ib u0
u1C u2c c
C
ic
D4 D6 D2


Hình 3.10: Chỉnh lưu cầu 3 pha

Sơ đồ chỉnh lƣu cầu 3 pha dùng 6 diode, đƣợc chia làm 2 nhóm; Nhóm I gồm D1, D3,
D5 chỉ làm việc khi các đầu a, b, c dấu dƣơng, còn các diode nhóm II (D4, D6, D2) làm việc
khi điện áp tại các đầu a, b, c dấu âm. Tại bất cứ thời điểm nào, dòng điện chỉnh lƣu cũng
thông liên tiếp qua 2 diode thuộc 2 nhóm khác nhau. Thời gian làm việc của mỗi diode nhóm
này sẽ lần lƣợt làm việc với 2 diode của nhóm kia. Các dạng sóng và thời gian dẫn của các
diode nhƣ trên hình 3.11.

43
 ucb uab uac ubc uba uca

0 t

u0

D5-6 D6-1 D1-2 D2-3 D3-4 D4-5 3U2 M

0 /3 /2 2/3  4/3 5/3 2 t

3U2 M
ia
Rt

0 /3 2/3  4/3 5/3 2 t

3U2 M

Rt

iD1

0 /3  2 t

Hình 3.11: Các dạng sóng và các thời gian dẫn của các diode

Vậy mỗi chu kỳ điện áp mạng có 6 xung dòng qua tải m = 6, tần số gợn sóng fg = 6f.

Mỗi diode thông liên tục trong thời gian 2/3.

Bỏ qua tổn hao trên biến áp và diode, ta có điện áp một chiều trên tải:
 /6
6 3 3
U0   3U2 M cos  t.d  t   U2 M  2, 34U2 (3.26)
 0


Từ (3.22) và (3.26) ta thấy sơ đồ 3 pha cầu là 2 sơ đồ 3 pha nửa sóng mắc nối tiếp và
làm việc lệch nhau 1800.
- Trị số của điện áp hiệu dụng trên tải:
 /6

 
6
cos 2 t.d t 
2
Ut  3U2 M
 0
(3.27)
3 9 3
   U2 M  1, 6554U2 M
 2 4 

- Điện áp ngƣợc lớn nhất đặt lên diode là:

44
 UD ngmax  3U2 M  6U2  2, 45U2 (3.28)

2) Với tải dung

Bỏ qua tổn hao trên biến áp và diode, ta có điện áp một chiều trên tải:

U0  3U2 M  2, 45U2 (3.29)

3) Với tải cảm

Các giá trị điện áp giống nhƣ tải điện trở.
Dòng trung bình qua mỗi diode với các loại tải:

I0 U0
Itbv   (3.30)
3 3Rt

+ Sơ đồ này có ƣu điểm:
- Nếu dùng với biến áp vào, thì trong các cuộn dây biến áp không có dòng một chiều,
nên lõi sắt không có tổn hao một chiều, hiệu suất biến áp cao.
- Điện áp một chiều cao.
- Tần số gợn sóng lớn, hệ số gợn sóng rất nhỏ nên dễ lọc san bằng.
- Dòng trung bình qua diode nhỏ.
Nên các bộ chỉnh lƣu 3 pha đều dùng sơ đồ cầu.

3.2.3. Chỉnh lƣu một pha có điều khiển

Các bộ chỉnh lƣu có điều khiển là các bộ chỉnh lƣu có van nắn là thyristor. Do thyristor
muốn thông phải có tín hiệu kích khởi (mở cổng), vì vậy ta có thể điều chỉnh độ dịch pha giữa
tín hiệu kích khởi với điện áp mạng, nhờ đó mà điện áp một chiều đầu ra bộ chỉnh lƣu điều
chỉnh đƣợc.

3.4.1. Bộ chỉnh lưu 1 pha nửa sóng có điều khiển với tải thuần trở
Chúng ta hãy xem xét sơ đồ hình 3.12(a):
Sơ đồ có thể dùng biến áp hoặc không, 1 thyristor với tải bộ chỉnh lƣu là thuần trở. Khối
điều khiển tạo ra chuỗi xung kích khởi thyristor, mà góc lệch pha giữa xung kích khởi UĐK
với điện áp vào U2 có thể điều chỉnh đƣợc.

Khi t = 0   là nửa chu kỳ dƣơng của U2, a (+), b (-), T1 đƣợc phân cực thuận,
nhƣng T1 chƣa thông ngay tại t = 0 vì chƣa có xung điều khiển, mà T1 thông tại
t = . T1 thông từ   . Trong thời gian này có dòng iT1 qua tải, đến t = , T1 tắt vì U2 đổi
cực, bắt đầu sang bán chu kỳ âm, và iT1 = 0 các dạng sóng của U2, UĐK, u0, iT1 (i0) và điện áp
đặt trên thyristor nhƣ sơ đồ hình 3.12(b), thời gian từ khi bắt đầu bán chu kỳ dƣơng cho đến
khi thyristor đƣợc kích khởi tại t = , đƣợc gọi là thời gian trễ; và  đƣợc gọi là góc trễ hay
góc dịch pha, hay góc kích khởi. Sơ đồ hình 3.12 có điện áp ra và dòng tải là ngắt quãng, 1
chu kỳ có 1 xung dòng qua tải nên m = 1 và tần số gợn sóng fg = f.
45
 - Bỏ qua tổn hao trên các linh kiện, ta có điện áp một chiều U0 trên tải:

m U
U0   U2 M sin  t.d  t   2 M 1  cos   (3.31)
2  2

U2 M
Nếu điều chỉnh cho  biến đổi từ 0  , ta có: U0 biến đổi từ U0 max  đến

U0 min  0 .

- Giá trị điện áp hiệu dụng trên tải:


1
Ut   U22M sin 2 t.d t 
2 
(3.32)
U2M 1  sin 2 
=    
  2 

u2
a uT i0 U2M
1
T1
Khối điều
U1 U2 u0 Rt 0 0  t 
khiển


b UĐK
a)
u0 t 
U2M

Hình 3.12:
a) Sơ đồ chỉnh lưu 1 pha nửa 0    t 
sóng có điều khiển với tải trở. iT
b) Các dạng sóng của sơ đồ.
u0/1Rt

0    t 

uT
1
0  0  t 

-U2M

b)

Sơ đồ chỉnh lƣu này có hiệu suất thấp, có hệ số gợn sóng cao, tần số gợn sóng thấp, nên
trong các bộ nguồn viễn thông không dùng kiểu chỉnh lƣu này.

46
 3.4.2. Chỉnh lưu một pha toàn sóng có điều khiển
Nếu là chỉnh lƣu 1 pha có điều khiển thì trong thực tế thƣờng dùng sơ đồ một pha toàn
sóng có điều khiển nhƣ 2 sơ đồ hình 3.13(a) hoặc (b).
Hai sơ đồ chỉnh lƣu 1 pha toàn sóng có điều khiển trên hình 3.13 có nguyên lý hoạt
động nhƣ nhau. Khối điều khiển tạo ra các xung điều khiển để mở các thyristor T1, T2. Góc
dịch pha giữa xung điều khiển với điện áp dƣơng của u2 trên anốt mỗi thyristor có thể điều
chỉnh đƣợc nhờ bộ quay pha trong khối điều khiển. Độ gợn sóng của điện áp ra của sơ đồ
chỉnh lƣu có điều khiển là lớn nên nhất thiết phải sử dụng mắt lọc đầu tiên là LC. Diode bù D
mắc trƣớc cuộn chặn theo hƣớng ngƣợc, có tác dụng duy trì dòng điện chạy qua tải là liên tục
ngay cả trong những khoảng thời gian không có thyristor nào thông.

Cuộn chặn Lch có giá trị điện cảm Lch sao cho XLch  2 Lch  Rt , và điện trở thuần tổn
hao của cuộn chặn rLch  Rt .

T1 Lch
a iT i0 I0
1
u2
0 Khối
u1 ĐK C
u2 u0 U0 Rt

Hình 3.13: Các sơ đồ chỉnh b iT

T2
lưu 1 pha toàn sóng có điều D
khiển. 2

a) Sơ đồ với thứ cấp biến áp a)

có điểm giữa. i0
b) Sơ đồ cầu. Lc
Khối I0
ĐK h
T1 T2 U0

u2 D Rt
u1 C

D1 D2 i
b)
D

Với điều kiện của cuộn chặn nhƣ vậy, cùng với diode bù D ta đƣợc dòng và áp trên tải
là một chiều thuần túy.
Nguyên lý làm việc của sơ đồ chỉnh lƣu đƣợc mô tả bằng các dạng sóng trên hình 3.14.
Khi bắt đầu bán chu kỳ dƣơng của u2 đặt vào anốt của T1, nhƣng T1 chƣa thông ngay từ
t = 0, vì chƣa có xung điều khiển, đến t   , có xung điều khiển, T1 mới thông. Khi T1
thông có dòng iT1 chạy qua Lch và tải, cuộn chặn Lch đƣợc tích lũy năng lƣợng dƣới dạng từ,
diode bù D lúc này phân cực ngƣợc, T1 thông từ t     , khi t =  ; T1 ngắt vì u2 = 0 và

47
bắt đầu bán chu kỳ âm của u2. Khi T1 tắt nhƣng T2 chƣa thông vì chƣa có xung điều khiển,
dòng iT1 qua Lch mất đột ngột làm xuất hiện trên Lch một sức điện động tự cảm có dấu (+) bên
phải Lch và dấu (-) bên trái Lch khiến diode bù D đƣợc phân cực thuận nên thông, xuất hiện
dòng iD do Lch phóng qua tải, qua diode D, làm cho dòng I0 qua tải liên tục. Diode D sẽ thông
cho đến t     thì T2 thông, lại có dòng iT2 qua Lch, qua tải và Lch lại đƣợc tích năng
lƣợng. T2 thông cho đến t = 2  , u2 = 0, kết thúc 1 chu kỳ của điện áp mạng, và khi T2 tắt thì
D lại thông, xuất hiện dòng iD qua tải, D thông cho đến khi T1 thông.

u2
U2M

 2
0
 t

u®k

Hình 3.14: Các dạng sóng của sơ

đồ chỉnh lưu 1 pha toàn sóng có u0    2 t
điều khiển. U0

0
iT1    2 t

U0/Rt

iT2  
t
U0/Rt

0
iD  2 t

0
i0    t
I0

0
t

Qua đồ thị dạng sóng trên hình 3.14 ta thấy dòng qua tải I0  iT1  iD  iT2 là liên tục và
bằng phẳng, khiến điện áp một chiều trên tải là liên tục.
Bỏ qua tổn hao trên biến áp, diode và cuộn chặn Lch ta có điện áp một chiều ra trên tải:

m U 1  cos 
U0   U2 M sin  t.d  t   2 M 1  cos    0, 9U2 (3.33)
2   2

48
 Khi ta điều chỉnh cho  biến đổi từ 0   ta sẽ đƣợc điện áp một chiều trên tải biến đổi
từ U0 max  0, 9U2 đến U0 min  0 .

- Điện áp hiệu dụng trên tải:

m 2
U2 M sin2 t.d t 
2 
Ut 
(3.34)
U2M 1 sin 2 
=    
2  2 

3.2.4. Chỉnh lƣu ba pha có điều khiển

3.4.3. Chỉnh lưu 3 pha nửa sóng có điều khiển
Các bộ chỉnh lƣu 3 pha có điều khiển, cung cấp điện áp một chiều trên tải cao, giải điều
chỉnh của điện áp một chiều rộng, tần số gợn sóng của điện áp đầu ra lớn do đó độ gợn sóng
nhỏ so với các bộ chỉnh lƣu có điều khiển 1 pha. Do đó các bộ chỉnh lƣu 3 pha có điều khiển
thƣờng đƣợc sử dụng nhiều trong các bộ nguồn công suất cao và giải điều chỉnh điện áp rộng.
Bộ chỉnh lƣu 3 pha nửa sóng có thể dùng biến áp hoặc không, nếu dùng biến áp thì các
cuộn thứ cấp phải nối hình sao có dây trung tính nhƣ hình 3.15.

a T1
A

ia T2
Lc
B b i0 h
+
ib T3
I0
c
C
Rt
ic u0 U0
C

0


Hình 3.15: Sơ đồ chỉnh lưu 3 pha nửa sóng có điều khiển.

Bộ chỉnh lƣu có điều khiển yêu cầu tải tính cảm cao nên cuộn chặn Lch có giá trị sao cho:
XLch  3 Lch  Rt ;với diều kiện này thì dòng qua tải là liên tục và bằng phẳng. Với sơ đồ này thì
mỗi thời điểm chỉ có 1 thyristor thông. Khi thyristor nào thông là điện áp dƣơng đặt lên anốt của
nó vƣợt điện áp dƣơng của pha kế cận và đƣợc kích khởi, nói cách khác thyristor nào thông thì nó
đƣợc phân cực thuận và đƣợc kích khởi. Nhƣ vậy T1 không thông tại  /6 mà thông tại  /6 +  .
Khi đó có dòng ia qua tải. T1 thông đến khi T2 đƣợc kích khởi tại 5  /6 +  thì T1 tắt vì lúc này
điện áp dây uab (= ua0 -ub0) là âm, T1 phân cực ngƣợc. T2 thông có dòng ib qua tải. T2 thông cho
dến khi T3 đƣợc kích khởi tại t = 3  /2 +  thì T2 tắt vì lúc này ubc (= ub - uc) là âm, T2 phân cực
ngƣợc. T3 thông, có dòng ic qua tải. T3 thông cho đến khi T1 đƣợc kích khởi trở lại và bắt đầu 1
chu kỳ tiếp.

49
 ua T3 T1 T2 T3
bc ua0 ub0 uc0

0
t

Hình 3.16: Các dạng u0 

sóng của điện áp vào,
điện áp sau nắn và
dòng tải của bộ chỉnh 0
   t
lưu 3 pha nửa sóng có
điều khiển với tải cảm. ia 
(iT1
)

ib  t
(iT2
)
   t
ic
(iT3
)
i0   t
I0 
Ia

t

Hình 3.16 mô tả dạng sóng điện áp vào, điện áp sau nắn, dòng qua các thyristor, dòng
tải và thời gian dẫn của mỗi thyristor.

Ta thấy dòng tải i0  ia  ib  ic là liên tục và bằng phẳng vì tải cảm. Tần số gợn sóng
của điện áp sau nắn u0 là fg =3f.
Điện áp một chiều trên tải đƣợc tính theo công thức:
5

6
3 3 3
U0   U M sin  t.d  t   U M cos  (3.35)
2  2

6

với  biến đổi từ 0  900.

Điện áp hiệu dụng trên tải tính theo công thức:

5

6
3
Ut   U M2 sin2 t.d t 
2 
 (3.36)
6

1 3
= 3U M  cos 2
6 8

50
 Bộ chỉnh lƣu 3 pha nửa sóng có điều khiển có nhƣợc điểm là trong cuộn thứ cấp biến áp
có thành phần một chiều nên thƣờng ít đƣợc sử dụng trong thực tế.

3.4.4. Bộ chỉnh lưu cầu 3 pha bán điều khiển

Bộ chỉnh lƣu kiểu này thƣờng đƣợc sử dụng trong các ngành công nghiệp có yêu cầu
công suất cao tới 120 kW. Bộ chỉnh lƣu kiểu này cho hệ số công suất cao, góc trễ  điều
chỉnh đƣợc trong phạm vi rộng từ 0  , do đó điện áp một chiều trên tải điều khiển đƣợc
trong phạm vi rộng, ngoài ra độ gợn sóng của điện áp trên tải là không đáng kể.
Sơ đồ bộ chỉnh lƣu với tải tính cảm nhƣ hình 3.17.

+
Lch
A a T1 T2 T3 I0

B b Rt
D U0
u0 C
c
C

D2 D3 D1


Hình 3.17: Sơ đồ chỉnh lưu 3 pha cầu bán điều khiển.

Sơ đồ dùng 3 thyristor T1, T2, T3 cùng với 3 diode D2, D3, D1 làm thành bộ chỉnh lƣu cầu
3 pha có điều khiển. Diode bù D để đảm bảo dòng qua tải liên tục khi không có thyristor nào
thông.
Nguyên lý hoạt động của sơ đồ đƣợc mô tả theo đồ thị dạng sóng trên hình 3.17 với góc
 = 900. Trong thời gian  /6  t < 7  /6, T1 phân cực thuận vì uac bán chu kỳ dƣơng (uac =
ua0 - uc0) và T1 đƣợc kích khởi tại t =  /6 +  ,thì T1 và D1 dẫn, có dòng iT1 từ a  T1  tải
 D1  C. Lúc này D phân cực ngƣợc. Đến t = 7  /6, uac bắt đầu bán chu kỳ âm, T1 tắt,
iT1 về không và D bắt đầu dẫn, dòng iD chảy từ phải Lch  tải  D  trái Lch.

Đến t = 5  /6 +  , T2 đƣợc kích khởi và uba = ub -ua đang ở bán chu kỳ dƣơng nên T2
và D2 thông, có dòng iT2 chảy từ b  T2  tải  D2  a, diode bù D lại tắt, T2, D2 thông cho
đến t = 11  /6 thì tắt vì điện áp dây uba bắt đầu về bán chu kỳ âm, lúc này D lại thông và có
dòng iD qua tải. D thông cho đến t = 9  /6 +  , thì T3 đƣợc kích khởi và ucb = uc - ub ở bán
chu kỳ dƣơng nên cả T3 và D3 thông, có dòng iT3 chảy từ C  T3  tải  D3  b, thời gian
iT chảy thì D lại tắt. T3, D3 thông cho đến 15  /6 thì tắt.Vì ucb trở về chu kỳ âm và D lại dẫn
3

cho đến khi T1 đƣợc kích khởi ở chu kỳ kế tiếp.

51
 D D D

ua T3D3 T1D1 T2D2 T3D3

bc ua0 ub0 uc0

0   3 2 t
6
2
 7
2 6

ua0 ub0 uc0

0
t

u0 ucb uac uba ucb

Hình 3.18:
Các dạng sóng của sơ iT1, D1  

7 t
đồ chỉnh lưu toàn sóng 2 6 6
3 pha có điều khiển tải
cảm với góc = 900. 

7 t
iT2, D2 6 6

iT3, D3 5 11 t

6 6

iD  9 15 t

2 6 6

i0 t
I0
t

Vậy trong 1 chu kỳ: i0  iT1  iT2  iT3  iD .

Và trị số I0  IT1  IT2  IT3  ID .

Nếu không có diode bù D thì T1, D1 sẽ phải thông liên tục cho đến khi T2 đƣợc kích
khởi tại t = 5/6 +  và tác dụng của diode bù D do T1 và D2 đảm nhiệm.

- Nếu   /3 thì mỗi thyristor dẫn với độ lâu là 2/3 và diode D không có tác dụng.
- Nếu điện áp các pha là:

ua 0  U M sin  t
ub 0  U M sin  t  2 / 3 
uc 0  U M sin  t  2 / 3

52
 Thì các điện áp dây tƣơng ứng sẽ là:

uac  ua 0  uc 0  3U M sin  t   / 6 
uba  ub 0  ua 0  3U M sin  t  5 / 6 
ucb  uc 0  ub 0  3U M sin  t   / 2 

Trong đó UM là điện áp đỉnh của điện áp pha nối theo hình sao.

Ta xét các trƣờng hợp đối với các trị số khác nhau của góc .

+ Khi góc    /3 thì điện áp ra sau nắn (u0) là không liên tục (nhƣ hình 3.18), và điện
áp một chiều U0 trên tải đƣợc tính theo công thức sau:
7 7
6 6
3 3
U0   uac d  t    3U M Sin  t   6  d  t 
2   2  
6 6 (3.37)
3 3
= U M 1  cos  
2

- Điện áp một chiều ra trên tải lớn nhất khi  = 0, ta có:

3 3
U0 max  UM (3.38)

- Điện áp hiệu dụng trên tải tính theo công thức:
7
6
3
Ut   3UM Sin t    d t 
2 2

2
6

6 (3.39)
3 1
= 3U M      sin 2
4 2

+ Khi    /3 thì điện áp ra sau nắn (u0) là liên tục.

- Điện áp một chiều trên tải U0:
6 
5
3 3 3
U0 
2 
 uac d  t   2
UM 1    (3.40)
6

- Điện áp hiệu dụng trên tải:

6 
5
3
Ut   3UM Sin t    d t 
2 2

2
6

6 (3.41)
3 1
= 3U M      sin 2
4 2

- Tần số gợn sóng của điện áp sau nắn fg = 3f.

53
 3.4.5. Bộ chỉnh lưu cầu 3 pha điều khiển toàn phần
Sơ đồ kiểu chỉnh lƣu này trên hình 3.19.

+
Lch
a T1 T3 T5

b
O u0 C Rt
U0
c

T4 T6 T2


Hình 3.19: Sơ đồ chỉnh lưu 3 pha cầu điều khiển toàn phần
Sơ đồ này dùng 6 thyristor và tải tính cảm. Nguyên lý hoạt động đƣợc mô tả trên biểu
đồ dạng sóng trên hình 3.20.

Các Thyristor đƣợc kích khởi để thông cách nhau  /3 và mỗi thyristor thông liên tục
trong thời gian 2/3 theo thứ tự sau:

   
T1, T6 thông từ  6   đến  2   , có dòng iT1,6 qua tải.

   
T1, T2 thông từ  2   đến 5   , có dòng iT1,2 qua tải.
6

   
T2, T3 thông từ 5 2   đến 7 6   , có dòng iT2 ,3 qua tải.

  
T3, T4 thông từ 7 2   đến 11 6   , có dòng iT3 ,4 qua tải. 
  
T4, T5 thông từ 11 2   đến 13 6   , có dòng iT4 ,5 qua tải. 
 
T5, T6 thông từ 13 6   , có dòng iT5 ,6 qua tải.

Vậy 1 chu kỳ có 6 dòng liên tục qua tải, m = 6, tần số gợn sóng fg = 6f.
Nếu điện áp các pha là:

ua 0  U M sin  t
ub 0  U M sin  t  2 / 3 
uc 0  U M sin  t  2 / 3

Thì các điện áp dây tƣơng ứng sẽ là:

54
 uab  ua 0  ub 0  3U M sin  t   / 6 
ubc  ub 0  uc 0  3U M sin  t   / 2 
uca  uc 0  ua 0  3U M sin  t   / 2 

T5,6 T1,6 T1,2 T2,3 T3,4 T4,5

T5,6
ua 0 ub0 uc0

 UM
0
t

T1 T3 T5

0
t

u0 T6 T2 T4 T6
ucb uab uac ubc uba uca
ucb
U0

   3 2 t
 
i0 6 6 2 2

U0
Rt iT5,6 iT1,6 iT1,2 iT2,3 iT3,4 iT4,5 iT5,6

t
Hình 3.20: Các dạng sóng: điện áp vào, điện áp sau nắn, dòng tải và thời gian
dẫn của các thyristor của sơ đồ chỉnh lưu cầu 3 pha điều khiển toàn phần

Điện áp một chiều trên tải:

 
2 

2
3 3
U0 
 
 uab d  t      3U M Sin  t   6  d  t 
6 6

(3.42)
3 3
= U M cos 


3 3
Khi  biến đổi từ 0  900 ta có U0 biến đổi từ U M đến 0.

- Điện áp hiệu dụng trên tải:

55
 2 

3
Ut   3UM Sin t    d t 
2 2


6

6
(3.43)
1 3 3
= 6U M  cos 2
4 8

Sơ đồ này có điện áp U0 cao, có tần số gợn sóng lớn f g  6 f  nên độ gợn sóng của
điện áp sau nắn là rất nhỏ và lọc san bằng đơn giản. Vì vậy sơ đồ chỉnh lƣu cầu 3 pha điều
khiển toàn phần đƣợc ứng dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp có yêu cầu công suất
lớn.

3.3. CHỈNH LƢU BỘI ÁP

Còn gọi là chỉnh lƣu nhân áp. Khi muốn có điện áp một chiều cao hơn điện áp xoay
chiều đầu vào bộ chỉnh lƣu, thì ta dùng chỉnh lƣu bội áp.

3.4.1. Chỉnh lƣu bội áp nửa sóng

a
D2

U1 U2 D1 C2 U0 Rt
C1 +
b
 +

Hình 3.21: Sơ đồ chỉnh lưu bội áp nửa sóng

Sơ đồ làm việc với điện áp 1 pha, có thể dùng với biến áp hoặc không dùng biến áp tùy
yêu cầu của tải.
Giả sử nửa chu kỳ dƣơng của điện áp U2 ta có a (+); b(-); D1 thông, C1 đƣợc nạp đến giá
trị lớn nhất của điện áp U2: UC1M  U2 M  2U2 .

Nửa chu kỳ âm của U2, a (-); b (+), D2 thông, C2 đƣợc nạp, điện áp đƣợc nạp cho C2 là:

UC M  U2 M  UC  2U2 M  2 2U2
2 1
(3.44)

Điện áp một chiều lớn nhất trên tải: U0 M  UC2 M

Kể đến tổn hao của biến áp và 2 diode thì:

U0  2 2U2 cos (3.45)

Vì trong 1 chu kỳ chỉ có một xung dòng qua tải, nên m = 1; tần số gợn sóng fg = f.

1
Các trị số của C1, C2 sao cho: ZC1,2   Rt .
C1,2

Để có đƣợc điện áp một chiều nắn ra trên tải gấp n lần U0 của sơ đồ hình 3.21 mà không
cần tăng tƣơng ứng U2, ta sử dụng cách ghép n tầng nhƣ sơ đồ hình 3.22.

56
 U0 n tÇng  n.U1 tÇng

C1 C2 Cn
 +  +  +

U1 U2 Dn D'n
D1 D'1 D2 D'2

 +  +  +
C'1 C'2 C'n
U0

Rt

Hình 3.22: Sơ đồ bội áp 1 pha nửa sóng ghép n tầng

3.4.2. Sơ đồ chỉnh lƣu bội áp một pha toàn sóng

Sơ đồ chỉnh lƣu bội áp một pha toàn sóng, có thể xem nhƣ 2 sơ đồ chỉnh lƣu bội áp 1
pha nửa sóng nối tiếp với độ dịch pha là 1800. (Hình 3.23).

1
Với sơ đồ này, yêu cầu trị số C1, C2 sao cho: ZC1,2  Rt thì đây là sơ đồ bội áp
 C1,2
với tải dung.

a
D2
D1
U1 U2 +
Hình 3.23: Sơ đồ chỉnh lưu bội 
C1 
áp một pha toàn sóng b + C2
U0

Rt

Giả sử nửa chu kỳ đầu của U2, a (+), b (-), D1 thông, tụ C1 đƣợc nạp với
UC  2U2 cos . Nửa chu kỳ sau U2 đổi dấu, b (+), a (-), D2 thông và C2 đƣợc nạp
1

với UC2  2U2 cos .

- Điện áp một chiều U0 trên tải:

U0  UC  UC  2 2U2 cos
1 2
(3.46)

Khi bỏ qua tổn hao trên các linh kiện trong mạch, ta có:

U0 M  2 2U2

Sơ đồ chỉnh lƣu này, 1 chu kỳ làm việc 2 lần với tải (1 lần với C1, 1 lần với C2) nên số
xung dòng chính lƣu m = 2  fg = 2f.

57
 Nếu ta muốn điện áp U0 trên tải gấp n lần điện áp một chiều của sơ đồ trên, ta sử dụng
sơ đồ bội áp 1 pha toàn sóng ghép n tầng nhƣ sơ đồ hình 3.24.

Cgh Cgh

D1 D1' 
. . . .
+ + + D2 + D2' Dn Dn'
 
C1 C1' C2 C2' Cn Cn'

Cgh Cgh
U0

Rt

Hình 3.24: Sơ đồ bội áp 1 pha toàn sóng ghép n tầng

Với sơ đồ này ta có U0 n tÇng  nU0 1 tÇng . Tuy nhiên với các sơ đồ chỉnh lƣu bội áp, khi số
tầng n càng tăng thì hiệu suất của bộ chỉnh lƣu càng giảm vì tổn hao trên các linh kiện nắn của
n tầng càng tăng, vì vậy các sơ đồ chỉnh lƣu bội áp chỉ dùng khi muốn có điện áp một chiều
lớn hơn, còn dòng tải nhỏ, công suất một chiều trên tải thấp.

3.4. GHÉP NỐI TIẾP VÀ SONG SONG CÁC BỘ CHỈNH LƢU

3.4.1. Bộ chỉnh lƣu cầu 2 pha nối tiếp
Một trong các kiểu chỉnh lƣu công suất lớn, làm việc với điện áp 3 pha là dùng 2 biến
thế nguồn để biến đổi 3 pha thành 2 pha. Nhƣ sơ đồ hình 3.25.

A Tr1 a A

Lch I0 +
3
U11  Ud D1  D4 U11
2
b
B u0 U0 C Rt B U12 C
c

U12  Ud
D5  D8  U22

C d
Tr2 a) b) U21

Hình 3.25: Sơ đồ chỉnh lưu cầu 2 pha nối tiếp (a) và

các véc tơ điện áp các cuộn sơ cấp và thư cấp (b).

58
 Hai cuộn sơ cấp của 2 biến áp Tr1 và Tr2 nối với nguồn 3 pha 3 dây. Các véc tơ điện áp
dây 3 pha là các cạnh của một tam giác đều, điện áp đặt vào cuộn sơ cấp của Tr2 là điện áp
dây UBC, U12 = Ud = UBC. Điện áp đặt vào cuộn sơ cấp của Tr1, U11 chính là chiều cao của
3 3
tam giác đều, U11  Ud  UBC . Nhƣ vậy U11 và U12 lệch nhau 900 và do đó điện áp 2
2 2
cuộn thứ cấp cũng lệch nhau 900. Với kiểu nối mạch này đã biến 3 pha bên sơ cấp thành 2 pha
phía thứ cấp. Tỷ số vòng dây của Tr1 và Tr2 khác nhau để cho U21 = U22 và công suất cấp cho
tải của 2 biến thế bằng nhau và bằng nửa công suất tổng.
Điện áp vào của mỗi cầu nắn là điện áp một pha, và đây là 2 sơ đồ cầu 1 pha mắc nối
tiếp và làm việc lệch nhau 900.
Bất cứ thời điểm nào dòng chỉnh lƣu cũng thông qua 4 diode thuộc 2 cầu nắn và 2 cuộn
thứ cấp.
Trong 1 chu kỳ có 4 xung dòng qua tải, m = 4 và fg = 4f.
Bỏ qua tổn hao trên biến áp và diode, ta có điện áp một chiều trên tải với tải trở và tải
cảm:

m  /4
2U2 M sin  t.d  t   2, 52U2
 0
U0  (3.47)

- Với tải điện dung: U0  2 2U2 (3.48)

I0
- Dòng trung bình qua diode: Itbv  (3.49)
2
- Điện áp ngƣợc lớn nhất đặt lên diode:

UD ng max  2U2 (3.50)

U2 là điện áp hiệu dụng cuộn thứ cấp.

3.4.2. Bộ chỉnh lƣu cầu 2 pha song song

Từ sơ đồ chỉnh lƣu hình 3.25 ta có thể sử dụng sơ đồ chỉnh lƣu cầu 2 pha song song nhƣ
hình 3.26.

Tr1
A a
U11 U21 i0
Hình 3.26: Sơ đồ chỉnh D1  D4
lưu cầu 2 pha song song b u0 Tải

B c

U22
U12 D5  D8
d
C
Tr2

59
 Do đặc điểm cách nối dây của 2 biến áp Tr1 và Tr2 giống sơ đồ hình 3.25 nên sơ đồ 3.26
xem nhƣ 2 sơ đồ cầu 1 pha nối song song, làm việc lệch nhau 900.
Vậy 1 chu kỳ có 4 xung dòng chính lƣu qua tải m = 4 và fg = 4f.
- Điện áp một chiều trên tải với tải trở và tải cảm:
 /4
4
U0 
  U M sin  t.d t   1, 26U
0
2 2 (3.51)

- Điện áp một chiều trên tải khi có tụ lọc C:

U0  2U2 (3.52)

- Điện áp ngƣợc lớn nhất đặt lên diode:

UD ng max  2U2 (3.53)

- Dòng trung bình qua diode:

I0
Itbv  (3.54)
4
3.5. BỘ LỌC
3.5.1. Bộ lọc san bằng
Điện áp và dòng điện sau chỉnh lƣu là các xung nên trong đó có chứa các thành phần
một chiều thuần túy (U0, I0) và vô số các thành phần xoay chiều (u0~; i0~). Tải của bộ chỉnh
lƣu chỉ yêu cầu thành phần một chiều, còn các thành phần xoay chiều gây nên độ gợn sóng
của điện áp trên tải, ta phải loại bỏ các thành phần này để đảm bảo một điện áp một chiều cấp
cho tải với độ gợn sóng càng nhỏ càng tốt, nhất là đối với tải là các thiết bị điện tử. Nhiệm vụ
loại bỏ các thành phần xoay chiều sau nắn để đảm bảo điện áp một chiều trên tải có độ sơ gợn
sóng rất nhỏ so với độ gợn sóng của điện áp sau nắn là lọc san bằng, các linh kiện đƣợc cấu
thành để làm nhiệm vụ lọc san bằng đƣợc gọi là bộ lọc một chiều hay bộ lọc san bằng. Vì vậy
sau chỉnh lƣu nhất thiết phải có bộ lọc để làm giảm độ gợn sóng đến mức cần thiết mà tải yêu
cầu.
Để đánh giá tác dụng lọc của một bộ lọc, ta coi bộ lọc nhƣ một mạng 4 đầu (hình 3.27)
mà lối vào của bộ lọc có thành phần một chiều U0v và thành phần xoay chiều U0 v với hệ số
U0 v
gợn sóng đầu vào là gv  .
U0 v

U0 v Bộ
Bộlọc
lọcsan
U0 r
Hình 3.27: gv  bằng gr 
U0 v U0 r
san bằng

60
 Tại đầu ra của bộ lọc ta nhận đƣợc điện áp một chiều U0 r và điện áp xoay chiều U0 r ,
U0 r
với hệ số gợn sóng đầu ra: gr  .
U0 r

Hệ số lọc (hay hệ số san bằng) của bộ lọc là:

gv U0 v U0 r
q  . (3.55)
gr U0 v U0 r

Nếu coi bộ lọc là lý tƣởng (không tổn hao thành phần một chiều) thì U0v = U0r, do đó:
U0
q v
 q > 1.
U0 r

Hệ số lọc nói lên chất lƣợng của bộ lọc đã làm giảm độ gợn sóng tại đầu ra bao nhiêu
lần so với độ gợn sóng đầu vào.

3.5.2. Các loại bộ lọc san bằng

1) Bộ lọc LC

Lch
C
U0~r
U0 Rt
U0~ , u0

Hình 3.28: Bộ lọc LC

Bộ lọc LC là bộ lọc đƣợc dùng thông dụng nhất trong các bộ chỉnh lƣu công suất vừa và
lớn, nhất là trong các bộ nguồn cung cấp cho các thiết bị viễn thông. Để lọc tốt các thành phần
xoay chiều của điện áp gợn sóng thì cuộn chặn phải có Lch sao cho:

XLch = mLch >> Rt

rLch << Rt

1
Và giá trị của C sao cho X C   Rt
m C
Trong đó m là số xung dòng chính lƣu trong 1 chu kỳ, m phụ thuộc sơ đồ chỉnh lƣu .

: tần số góc của điện mạng.

Lch: điện cảm của cuộn chặn
rLch: điện trở thuần dây cuốn cuộn chặn
- Tính toán các trị số của bộ lọc:
* Tính trị số C:
Theo yêu cầu của tải, đƣợc cung cấp điện áp một chiều U0 với hệ số gợn sóng là g.

61
 g
Vậy: Rt 
mC
Với sơ đồ chỉnh lƣu đƣợc sử dụng (biết m)

g
Ta có: C
m Rt

Với f = 50Hz và C = [F]

g
Thì C  3200  F (3.56)
mRt

- Điện áp xoay chiều đầu ra của bộ lọc LC

1 1
U 0~ r  U 0~ v . .
jm Lch 
1 ( jm C )
( jm C )

Hệ số lọc q của bộ lọc LC

U o~v 1
q  (m Lch  )m C (3.57)
U 0~ r m C

q = m22LchC –1

Vì m22LchC >> 1 nên bỏ qua 1, ta có:

q = m22LchC q (3.58)
* Tính Lch:

q
Lch  (H )
m  2C
2

- Hiệu suất của bộ lọc LC

Rt 1
L   (3.59)
rLch  Rt rL
1  ch
Rt

Thƣờng thì rLch  Rt nên hiệu suất của bộ lọc LC cao và q tỷ lệ với m22 nên hiệu quả
lọc rất cao.
Những cuộn chặn ở tần số điện lƣới có thể tích, trọng lƣợng lớn và giá thành đắt.

2) Bộ lọc hình 
Để giảm nhỏ mức độ gợn sóng của điện áp tại đầu vào của các bộ lọc LC và RC, ngƣời
ta nối thêm một tụ điện lọc C1 ở trƣớc bộ lọc nhƣ hình 3.39 a,b.

62
 Lc R
h

C1 C2 C1 C2 Rt
Rt

(a) (b)
Hình 3.39: Các bộ lọc LC, RC, hình 

Khi bộ lọc hình  đƣợc dùng làm mắt lọc đầu tiên thì tải của bộ chỉnh lƣu sẽ mang tính
dung. Trong nhiều thiết bị, để giảm nhỏ kích thƣớc của bộ lọc, ngƣời ta dùng một tụ kép thay
cho 2 tụ riêng lẻ C1, C2.

3) Bộ lọc nhiều mắt

Bộ lọc nhiều mắt đƣợc sử dụng khi yêu cầu có hệ số lọc lớn và khi bộ chỉnh lƣu phải
cung cấp cho nhiều tải với các mức điện áp và độ gợn sóng khác nhau.

Lch U01 R2 U02 R U03 U0n

3 Rn
......................

gV C1 C2 C3 Cn grn
q1 q2 q3 qn

Hình 3.40: Bộ lọc nhiều mắt

Bộ lọc nhiều mắt có cấu tạo gồm mắt lọc đầu tiên là LC mắc nối tiếp nhau với các mắt
lọc RC. Với bộ lọc nhiều mắt thì hệ số gợn sóng đầu ra của mắt lọc trƣớc là hệ số gợn sóng
đầu vào của mắt lọc kế tiếp, khi đó hệ số lọc của cả bộ lọc là:

gv1
q   q1.q2 .....qn (4.1)
g rn

Trong đó: q1, q2... là hệ số lọc của từng mắt lọc riêng rẽ, khi q1 = q2 = ... qn = q, ta có:
q = qn
Về các mức điện áp một chiều, ta có:
U01 > U02 > U03 > ... > U0n
Bộ lọc nhiều mắt đƣợc dùng trong các thiết bị điện tử có nhiều tầng khuếch đại.

63
 CHƢƠNG 4: BỘ BIẾN ĐỔI ĐIỆN ÁP MỘT CHIỀU

4.1. GIỚI THIỆU CHUNG

Bộ biến đổi áp một chiều (BBĐA1C) hay gọi đầy đủ là bộ biến đổi xung điện áp một
chiều, sử dụng các ngắt điện bán dẫn ở sơ đồ thích hợp để biến đổi áp nguồn một chiều thành
chuỗi các xung áp, nhờ đó sẽ thay đổi đƣợc trị trung bình áp ra V0 (Hình 4.1).

Hình 4.1: Mô hình bộ biến đổi điện áp một chiều

Vì thế BBĐA1C còn đƣợc gọi là bộ băm điện áp. Dạng áp ra BBĐA1C thay đổi theo
theo chu kỳ T gồm thời gian có xung ton và khoảng nghỉ T - ton.
Có các nguyên lý điều khiển:
- Điều chế độ rộng xung (PWM – Pulse Width Modulation) khi chu kỳ T không đổi,
thay đổi thời gian đóng điện ton.  = ton/T gọi là độ rộng xung tƣơng đối.
- Điều chế tần số khi ton không đổi, chu kỳ T thay đổi.
- Điều khiển hổn hợp, khi cả T và ton đều thay đổi.
Hai phƣơng pháp sau ít thông dụng trong thời gian gần đây, nó gắn liền với những mạch điện
cụ thể, thƣờng là đơn giản. Chất lƣợng của chúng thƣờng không cao với nhƣợc điểm lớn nhất là tần
số làm việc của hệ thống bị thay đổi.
Trong một số tài liệu, các bộ biến đổi xung điện áp một chiều đóng ngắt nguồn điện cung
cấp cho tải nhƣ đã định nghĩa trên đƣợc xếp vào nhóm FORWARD, phân biệt với các bộ biến
đổi làm việc qua trung gian cuộn dây gọi là FLYBACK. Ngoài ra, còn có một số sơ đồ có độ tổng
quát không cao, không đƣợc trình bày trong chƣơng này.

4.2. BỘ BIẾN ĐỔI ÁP MỘT CHIỀU LOẠI FORWARD

Bộ biến đổi áp một chiều loại FORWARD đƣợc phân loại theo số phần tƣ mặt phẳng tải
mà nó có thể hoạt động. Mặt phẳng tải, tƣơng tự nhƣ mặt phẳng đặc tính cơ trong truyền động
điện, là tập hợp các điểm biểu diễn trị trung bình dòng, áp trên tải V0, I0; gồm bốn phần tƣ nhƣ ở
Hình 4.2. Hình 4.3 cho ta sơ đồ bộ biến đổi áp một chiều loại FORWARD.

64
 Hình 4.2: Các phần tư mặt phẳng tải

Hình 4.3: Sơ đồ các bộ biến đổi (a) một phần tư; (b) hai phần tư; (c) bốn phần tư

Hình 4.4:

4.2.1. Bộ biến đổi làm việc một phần tƣ mặt phẳng tải
Trên Hình 4.3 (a) ngắt điện bán dẫn một chiều S1, nhƣ ta đã biết chỉ có thể dẫn điện một
chiều từ đầu “+” của nguồn. Vì thế trị số tức thời áp, dòng ra vo, io và trị số trung bình của
chúng Vo, Io chỉ có thể dƣơng, và bộ biến đổi nhƣ vậy chỉ làm việc đƣợc ở phần tƣ thứ nhất của
mặt phẳng tải.

65
 Hình 4.5:
Xét chu kỳ tựa xác lập - khi các dạng sóng sẽ lập lại ở mỗi chu kỳ, trên Hình 4.5(a) trình bày
tín hiệu điều khiển ngắt điện S1. Tín hiệu cao (hay 1) tƣơng ứng ngắt điện đóng, thấp (hay 0) là
ngắt.
Tại t = 0, S1 đóng. Phƣơng trình vi phân mô tả hệ thống:

dio
V  Rio  L  E , với điều kiện ban đầu io (0)  I min (4.1)
dt

V E
t
 L
Giải ra : io (t )  I xl   I xl1  I min  e 
với I xl1  ,  (4.2)
R R
τ: hằng số thời gian điện từ, Ixl1: dòng qua mạch khi xác lập ( t→∞).
ton

io (ton )  I max  I xl1   I xl1  I min  e 
(4.3)

Khi t > ton, S1 ngắt dòng tải không thay đổi tức thời, khép mạch qua diode phóng điện
D2. Phƣơng trình vi phân mô tả hệ thống khi chọn lại gốc thời gian:

dio
0  Rio  L  E , với điều kiện ban đầu io (0)  I max (4.4)
dt

E
t

Giải ra: io (t )  I xl 2   I xl 2  I max  e 
với I xl 2  (4.5)
R

66
 T ton

Và io (T  ton )  I xl 2   I xl 2  I max  e 
 I min (4.6)

(4.3) và (4.6) cho phép tính ra Imax, Imin và dạng của io theo t nhƣ hình 4.5(b)
ton ton

V (1  e ) E 
V (e   1) E
I max  T
 ; I min  
R  R R T R
(1  e  ) (e  1)

1
Và nhấp nhô dòng ra: I  ( I max  I min ) (4.7)
2

ton .V t
Trị trung bình áp ra: Vo   V với   on (4.8)
T T
Vo  E
Và dòng ra: I o  khi sử dụng nguyên lý xếp chồng cho thành phần một chiều
R
của áp ra vo.

Tính gần đúng: Khi T << , có thể tính gần đúng khi cho io thay đổi theo đƣờng thẳng và
lấy trung bình áp trên các phần tử ngoài tự cảm L trong (4.1) để tính đạo hàm dòng:

dio
L  V  ( E  RI o )  V  Vo  V (1   )
dt

V (1   ) V (1   )
Từ đó tính đƣợc: io  t  I min  i (ton )  I max  ton  I min
L L
vì io thay đổi theo đƣờng thẳng, nên:

I max  I min V  E
trị trung bình dòng: I0   (4.9)
2 R
I max  I min VT
và nhấp nhô dòng: I   (1   ) (4.10)
2 2L
1 VT
giá trị này cực đại khi   , lúc đó I  (4.11)
2 8L
Nhận xét: nhấp nhô dòng không phụ thuộc trị trung bình dòng tải Io và điện trở tải R.
Khi E hay R tăng, Io giảm trong khi I không đổi. Vì Imin = Io –  I, dòng điện sẽ gián đoạn.
Khi Io <  I (hình 4.5(c)). Khi dòng gián đoạn, trong một chu kỳ có khoảng thời gian io
1
= 0, vo = E, trị trung bình áp ra Vo sẽ tăng bằng V0  [Vt on  (T  t x ) E ] (4.12)
T
với tx là khoảng thời gian có dòng.
Có thể tính đƣợc tx khi áp dụng các công thức từ (4.7) đến (4.10) cho chu kỳ giả định
bằng tx (Hình 4.6) và điều kiện Imin = 0.

67
 Hình 4.6:

 xV  E Vton t VRton  2 LE
I ox   I  (1   x )   x  on 
R 2L t x VRton  2 LV

VRton  2 LE
Và t x  ton
VRton  2 LV

Công thức này cũng cho ta điều kiện để bộ biến đổi có dòng gián đoạn: đó là chu kì T 
tx với tx tính theo (4.13).
Ví dụ 4.1:
a) Tính các thông số và vẽ dạng dòng áp trên tải của BBĐ áp làm việc1/4 mặt phẳng tải.
V = 100 [V], T = 100 [s], ton = 30 [s], R = 5 [], L = 0,01 [H], E = 20 [V].

Giả sử dòng liên tục  = 30/100 = 0,3 ta suy ra:

VT 100.100.106
I  (1   )  .(1  0,3).0,3  0,105[A]
2L 2.0, 01

Vo = 100 * (30/100) = 30 [V],

Io = (30-20) / 5 = 2 [A],

Imax = Io + I = 2,105 [A]

Imin = Io – I = 1,895 [A] > 0 nên giả thiết dòng liên tục là đúng.
Kiểm tra lại:

L 0, 01
   0, 002 [s] , nên từ (4.7) ta có:
R 5

Imin = 1,8953546 [A], Imax = 2,1053454[A] => I = 0,1049954 [A]

Nhƣ vậy sai số giữa hai cách tính là không đáng kể
Kiểm tra các hằng số thời gian: T (= 100E–6 [s]) << τ (= 0,002 [s]) => phù hợp với giả
thiết.
b) Giả sử E thay đổi, tính giá trị E để dòng trở nên gián đoạn.

68
 Biết rằng I không thay đổi theo E, trƣờng hợp giới hạn của dòng liên tục xảy ra khi Imin = 0
và Io = I = 0,105 A (4.9) cho ta:

E = V - R.Io = 30 – 5.0,105 = 29,475 [V]

Kiểm tra lại, thế giá trị E này vào (4.13), ta có tx = 100 [s] = T.

Vậy khi E > 29.475 [V] thì tx < 100 [s] và dòng bắt đầu gián đoạn.

4.2.2. Bộ biến đổi làm việc hai phần tƣ mặt phẳng tải I và II
Trong Hình 4.3(b), hai ngắt điện bán dẫn một chiều làm việc ngƣợc pha nhau: khi S1 đóng,
S2 ngắt và ngƣợc lại. Ký hiệu: S1  S 2
Nhƣ vậy, các ngắt điện S1, S2 và diode D1, D2 cho phép dòng tải io chảy theo hai
chiều, trong khi áp ra chỉ có thể dƣơng: bộ biến đổi có thể làm việc ở phần tƣ thứ nhất và hai.
Việc đóng ngắt đảo pha hai ngắt điện mắc nối tiếp không dễ dàng trong thực tế khi ta để ý
thời gian turn on của ngắt điện bán dẫn bao giờ cũng bé hơn thời gian turn off. Khi đó có thể xảy
ra ngắn mạch nguồn tạm thời khi ngắt điện turn off chưa kịp OFF trong khi ngắt điện turn on đã
ON (sự trùng dẫn). Để tránh hiện tượng này ta cần thêm vào một khe thời gian đủ lớn (phụ thuộc
vào loại ngắt điện) cả hai ngắt điện đều khoá làm trung gian cho quá trình chuyển mạch.
Khảo sát bộ biến đổi nhƣ với sơ đồ làm việc một phần tƣ cho ra cùng kết quả, các công
thức từ (4.1) đến (4.11) đều có thể áp dụng. Nhƣng các dòng điện đều có thể lớn hơn hoặc
nhỏ hơn 0, suy ra không có chế độ dòng gián đoạn.
Các dạng dòng áp đƣợc vẽ trên Hình 4.7:

Hình 4.7
Dạng dòng io hình (a) tƣơng ứng với trƣờng hợp trị trung bình dòng ra I0 >>0. diode D1
và ngắt điện không có dòng, thực tế mạch hoạt động nhƣ bộ biến đổi một phần tƣ.
Dạng dòng (b) xảy ra khi sức phản điện tải E xấp xỉ trị trung bình áp ra Vo, trị trung bình tiến
về 0 và cả 4 linh kiện công suất đều tham gia dẫn điện trong từng giai đoạn nhƣ trên hình.
Dạng dòng (c) xảy ra khi trị trung bình dòng ra Io << 0. Chỉ có D1 và S2 làm việc

69
 Vo  E
Vì I o   0  E  Vo . Khi S2 đóng, dòng io qua R, L, S2 về E có biên độ tăng
R
dần. Cuộn dây đƣợc nạp năng lƣợng. Khi S2 ngắt, dòng qua L không thay đổi tức thời phóng
qua D1 về nguồn. Nhƣ vậy tải E dù có sức điện động bé hơn nguồn V nhƣng vẫn có thể đƣa
năng lƣợng về nguồn nhờ bộ biến đổi áp một chiều khi có trị số trung bình áp ra Vo thích hợp
(Vo < E).
Ví dụ 4.2: Khảo sát BBĐ áp một chiều hình 4.3 (b) với nguồn V = 100 [V], sức điện động
tải E = 40 [V], R = 5 [], L = 1 [mH], T = 100 [s]. Vẽ dạng dòng ra trong các trƣờng hợp độ
rộng xung tƣơng đối  lần lƣợt là 0,5; 0,4; 0,3.

a)  = 0,5

VT 100.100.106
I  (1   )  .(1  0,5).0,5  1, 25[A]
2L 2.103
Trung bình điện áp ra: Vo = 0,5.100 = 50 [V] => Io = (50 - 40)/5 = 2 [A]
Vậy Imin = 2 – 1,25 = 0,75 [A]; Imax = 2 + 1,25 = 3,25 [A], tƣơng ứng với trƣờng hợp
dòng điện dạng (a) của Hình 4.7.

b)  = 0.4

VT 100.100.106
I  (1   )  .(1  0, 4).0, 4  1, 2[A]
2L 2.103
Trung bình điện áp ra: Vo = 0,4.100 = 40 [V] => Io = (40 – 40)/5 = 0 [A].
Vậy Imin = 0 – 1,2 = –1,2 [A]; Imax = 0 + 1,2 = 1,2 [A], tƣơng ứng với trƣờng hợp dòng
điện dạng (b) của Hình 4.7.

c)  = 0.3

VT 100.100.106
I  (1   )  .(1  0,3).0,3  1, 05[A]
2L 2.103
Trung bình điện áp ra: Vo = 0,3.100 = 30 [V] => Io = (30 – 40)/5 = -2 [A].
Vậy Imin = – 2 – 1,05 = –3,05 [A]; Imax = – 2 + 1,05 = – 0,95 [A], tƣơng ứng với trƣờng
hợp dòng điện dạng (c) của Hình 4.7.

Bộ biến đổi tăng áp

BBĐ áp một chiều làm việc 1 phần tƣ chỉ có thể cung cấp áp đầu ra bé hơn áp nguồn
nên còn có tên gọi là BBĐ giảm áp
Xét BBĐ hai phần tƣ Hình 4.3b), khi làm việc ở phần tƣ thứ II, chỉ có S2 và D1 làm
việc (vẽ lại trên Hình 4.8). Năng lƣợng của suất điện động tải E đƣợc trả về nguồn (io <
0) nhƣng ta vẫn có trung bình áp ra Vo bé hơn áp nguồn V. Sơ đồ Hình 4.8 đƣợc gọi là BBĐ
tăng áp, khi áp của phía cung cấp (áp tải) Vo bé hơn áp nguồn V (phía nhận).

70
 Hình 4.8: Bộ biến đổi tăng áp
Ở BBĐ tăng áp, ta định nghiã ton là thời gian dẫn điện của S2, công thức tính trị trung bình Vo
sẽ thay đổi, tƣơng ứng với việc thay thế  bằng (1-) (4.8)

Ta có Vo = V.(1 – ) (4.8*)

dòng qua tải Io = (V0 - E)/R < 0 tƣơng ứng V0 < E

Lƣu ý rằng (4.8*) chỉ đúng khi dòng tải io liên tục, nhờ vào khả năng tích trữ năng lƣợng ở
dạng dòng điện của tự cảm L. Không có sức điện động cảm ứng của L, dòng không thể chạy từ tải E
có điện áp bé về nguồn V lớn đƣợc.
BBĐ tăng áp là một sơ đồ trong nhóm BBĐ áp một chiều dạng FLYBACK, có khả năng tăng
giảm áp với tự cảm L đƣợc xem nhƣ là một thành phần của BBĐ.

4.2.3. Bộ biến đổi làm việc bốn phần tƣ mặt phẳng tải
Hình 4.3c) cho ta sơ đồ cầu của bộ biến đổi làm việc bốn phần tƣ mặt phẳng tải. Ta cũng có
thể sử dụng sơ đồ với hai nguồn nhƣ Hình 4.9. Trong sơ đồ cầu, các ngắt điện S1, S4 cung cấp điện
áp dƣơng và các ngắt điện S2, S3 cung cấp điện áp âm cho tải. Các diode song song ngƣợc với ngắt
điện đảm bảo dòng điện lƣu thông hai chiều. Có thể lý luận tƣơng tự để chứng minh khả năng làm
việc ở bốn phần tƣ mặt phẳng tải của sơ đồ sử dụng hai nguồn: S1 cung cấp điện áp dƣơng cho tải
và điện áp âm bằng S2.

71
 Hình 4.9: BBĐ làm việc bốn phần tư mặt phẳng tải (dạng sơ đồ 2 nguồn)
Các sơ đồ làm việc 4 phần tƣ mặt phẳng tải dùng để cung cấp cho tải
- Áp đảo chiều (làm việc ở phần tƣ I hay III)
- Dòng và áp đảo chiều làm việc I,II hay III, IV
- Dòng và áp có dấu bất kỳ phụ thuộc yêu cầu.
tƣơng ứng với nhiều cách điều khiển các ngắt điện bộ biến đổi. Có hai cách chính:
- Điều khiển chung hay hoàn toàn.
- Điều khiển riêng hay không hoàn toàn.

*) Điều khiển chung hay hoàn toàn

Có S1  S 4  S 2  S 3 . Khi đó dạng áp ra luôn có hai cực tính: vo dƣơng khi S1 đóng và

âm khi S1 ngắt, dạng sóng nhƣ Hình 4.14a), nhƣng áp ra là dạng có biên độ thay đổi trong
khoảng -V đến +V, làm cho nhấp nhô dòng điện tăng gấp đôi so với dạng xung một cực tính
0-V.

I max  I min VT
I   (1   ) (4.14)
2 L

với  = ton/T; ton là thời gian ON của S1, S4.

Phƣơng án điều khiển chung cho phép thay đổi liên tục áp ra từ âm sang dƣơng khi thay
đổi độ rộng xùn tƣơng đối ton/T:

1
Vo  V .ton  V T  ton    V  2  1 (4.15)
T
Dòng tải có thể dƣơng hay âm phụ thuộc vào tƣơng quan giữa trung bình áp ra V o và
suất điện động tải E ( theo nguyên lí xếp chồng)

V0  E
Io 
R

72
 *) Điều khiển riêng hay không hoàn toàn
Mỗi lúc chỉ đóng ngắt một trong hai nhóm S1, S4 cung cấp áp dƣơng và S2, S3 cung cấp áp
âm cho tải, dạng sóng áp ra tải thuần trở đƣợc vẽ trên Hình 4.14b).
Phƣơng án điều khiển riêng cung cấp xung một cực tính cho áp ra. Công thức tính toán nhƣ
trƣờng hợpBBĐ một phần tƣ. Có thể thấy dễ dàng rằng BBĐ cung cấp áp đảo chiều, làm việc ở
phần tƣ I ay III phụ thuộc vào cặp ngắt điện làm việc và nhƣ vậy cách tính toán sẽ giống nhƣ ở
khảo sát BBĐ một phần tƣ

Hình 4.10
Hình 4.11a) Dạng sóng áp ra điều khiển Hình 4.12
chung Hình 4.13b) Dạng sóng áp ra điều khiển riêng

Hình 4.14: Dạng sóng áp ra cho trƣờng hợp điều khiển chung và riêng

Ƣu điểm: nhấp nhô dòng, áp ra bé hơn, sơ đồ điều khiển đơn giản.

Nhƣợc điểm: Ngoài việc dòng tải không thể đảo chiều, sơ đồ điều khiển cần có tín hiệu
chọn dấu cho điện áp ra (tƣơng ứng với chọn nhóm ngắt điện làm việc). Điều này sẽ làm hệ
thống không làm việc đƣợc hay tác động chậm quanh điểm áp ra bằng không.
Trong thực tế có nhiều sơ đồ điều khiển khác nhau nằm giữa hai nguyên lý điều khiển
trên, dấu hiệu để phân nhóm là điều khiển riêng luôn yêu cầu tín hiệu chọn cực tính áp ra
trong khi điều khiển chung luôn luôn có thể thay đổi áp ra liên tục quanh giá trị 0 [V].

4.2.4. Bộ biến đổi làm việc tại hai phần tƣ I và IV

Khảo sát sơ đồ Hình 4.4 tải RLE: Các ngắt điện S1 và S4 cùng đóng và cùng khóa với
độ rộng xung tƣơng đối  = ton/T.
Khi để ý các ngắt điện bán dẫn chỉ dẫn điện 1 chiều, dòng qua tải chỉ có thể là chiều +
quy ƣớc: io >0
S1, S4 dẫn điện: Vo = V > 0
S1, S4 khóa: Năng lƣợng tích trữ trong L cho phép tải phóng điện về nguồn qua các diode D2
và D3: áp ra vo = - V < 0.

Nhƣ vậy bộ biến đổi có dạng áp ra V, tuỳ thuộc vào tƣơng quan thời gian giữa xung áp
dƣơng và âm mà áp ra có thể dƣơng hay âm (Hình 4.15).

73
 Hình 4.15: Áp, dòng BBĐ hình 4.4 khi dòng gián đoạn
Tính toán mạch khi dòng tải liên tục:
Khi có tải thích ứng, dòng tải liên tục: io tăng trong khoảng ton và giảm (chƣa bằng 0)
trong thời gian còn lại của chu kỳ. Vậy ta có dạng áp, dòng của BBĐ 4 phần tƣ và trung bình
áp ra đƣợc tính theo (4.1.15> và nhấp nhô dòng tính bằng <4.1.14>. Trị trung bình dòng vẫn
là Io = (Vo - E)/R. Luôn nhớ là dòng ra io chỉ có thể dƣơng, khi IO giảm, dòng có xu hƣớng tiến
đến gián đoạn.
Khi dòng gián đoạn, các tính toán trở nên phức tạp hơn.

4.2.5. Sóng hài áp dòng trên tải RLE

Sóng hài điện áp
Có thể phân làm hai trƣờng hợp: dòng liên tục và gián đoạn. Khi dòng liên tục, dạng áp ra chỉ
phụ thuộc độ rộng xung tƣơng đối . Khi dòng gián đoạn, dạng áp ra còn phụ thuộc sức phản điện E.
Tuy nhiên chỉ cần khảo sát trƣờng hợp dòng điện gián đoạn , trƣờng hợp dòng điện liên tục tƣơng
ứng với tx = T . Khai triển Fourier cho dạng áp ra vo Hình 4.5c):
 
vo  Vo    An sin nt  Bn cos nt   Vo   vn
n1 n1

A  2
Với vn  Vn sin nt  n  , Vn  An2  Bn2 , n  tg 1  n  ,  
 Bn  T

Vo tính theo (4.12); An, Bn có thể tích phân theo dạng sóng vo Hình 4.5c), với T = 2

2
T T
An  v(t ).sin  nt.dt

1 2 1 ton .2 / T 2
  vo .sin  nt.d t    V .sin  nt.d t   E.sin  nt.d t  ,
 0  0 t x .2 / T 
V E
 1  cos nton   1  cos nt x 
n n
2 V E
Bn   v(t ).cos nt.dt  ...  1  sin nton   1  sin nt x  ,
T T n n

74
 Vậy:

 V E
 An  n 1  cos nton   n 1  cos nt x 
 (4.16a)
 B  V 1  sin nt   E 1  sin nt 
 n n on
n
x

Biên độ và độ lệch pha của sóng hài bậc n ở trƣờng hợp dòng liên tục tx = T là:

2V  sin nton 
Vn  1  cos nton , n  tg 1   (4.16b)
n 1  cos nton 

4.2.6. Ghép song song các bộ biến đổi

Tƣơng tự nhƣ ở bộ nguồn chỉnh lƣu, sử dụng song song các bộ biến đổi có 2 tác dụng
- Tăng công suất đầu ra thay vì nối song song các ngắt điện để tăng công suất bộ biến đổi.
- Cải thiện chất lƣợng dòng, áp đầu ra và dòng nguồn cung cấp khi điều khiển lệch
pha các BBĐ.

*) Tăng công suất đầu ra thay vì nối song song các ngắt điện để tăng công suất bộ biến đổi.
Khi công suất tải lớn vƣợt quá khả năng của các ngắt điện có sẵn, việc mắc song song
nhiều ngắt điện để đáp ứng công suất thiết kế tuy đơn giản nhƣng có nhiều hạn chế: mạch
phức tạp, sản xuất đơn chiếc, hệ số an toàn khi tính chọn ngắt điện tăng,... Việc ghép song
song nhiều bộ biến đổi cung cấp cho một tải tuy phức tạp về nguyên lý nhƣng sẽ có nhiều ƣu
điểm về kỹ thuật nhƣ: module hoá thiết kế, sử dụng tối ƣu linh kiện, cho phép ứng dụng nhiều
thuật toán điều khiển để tăng chất lƣợng đầu ra cũng nhƣ khả năng sử dụng nguồn,…
Hình 4.20a) cho ta sơ đồ hai BBĐ cung cấp cho một tải, hai BBĐ thƣờng có thông số
hoạt động giống nhau: cùng Vo, khả năng tải dòng,... nhƣng làm việc lệch pha ½ chu kỳ.
Chúng đƣợc nối chung đầu vào và chung đầu ra qua các cuộn kháng có nhiệm vụ rơi phần áp
chênh lệnh xoay chiều. Mỗi BBĐ sẽ dẫn ½ dòng tải.

Hình 4.18
Hình 4.19b) Cải thiện dòng nguồn bằng
Hình 4.16 bộ lọc đầu vào và điều khiển lệch pha các
Hình 4.17a) Hai BBĐ cung cấp cho một tải bộ biến đổi

Hình 4.20: Ghép song song các bộ biến đổi

75
 Áp trung bình trên tải: vo1 = vo2 .(t - ) => Vo1 = Vo2 = Vo
Áp trên cuộn kháng L: vL = (vo1 - vo2)/2 chỉ có các hài bội lẻ 1, 3, 5,…
Có thể chứng minh dễ dàng là áp trên tải chỉ có hài bội chẵn, nghiã là sẽ nhấp nhô ở tần
số góc 2.

*) Cải thiện chất lƣợng dòng, áp đầu ra và dòng nguồn cung cấp khi điều khiển
lệch pha các BBĐ
Ta biết tần số làm việc của BBĐ càng cao thì các ảnh hƣởng của song hài bậc cao lên
tải một chiều càng bé nhƣng tần số hoạt động của BBĐ bị giới hạn bới khả năng ngắt điện.
Nhƣ đã chứng minh ở phần trên, khi điều khiển lệch pha ½ chu kì hai BBĐ giống nhau nối
song song nhấp nhô dòng áp có tần số gấp đôi tần số làm việc của BBĐ và nhƣ vạy chất
lƣợng dòng áp đầu ra đã đƣợc cải thiện.
Khả năng sử dụng nguồn một chiều cũng đƣợc cải thiện khi các BBĐ là tải của chúng
làm việc lệch pha. Khi đó giá trị hiệu dụng của dòng nguồn sẽ tiến gần đến gía trị trung bình
của chúng hơn. Hình 4.21 vẽ dạng dòng cung cấp cho 1 BBĐ và 2 BBĐ làm việc lệch pha ½
chu kỳ. Dòng nguồn là những xung hình thang có độ rộng bằng khoảng dẫn của ngắt điện S
nhƣng ta có thể giả sử xung dòng có dạng chữ nhật có biên độ là trị trung bình dòng tải để
tính toán dễ hơn khi tự cảm tải L đủ lớn.

Hình 4.21: Dạng nguồn dòng in của một và hai BBĐ giống hệt nhau làm việc song song lệch
pha nhau 1800
Sóng hài bậc cao làm cho ta không tận dụng công suất nguồn điện, có thể giảm bớt bằng
mắc lọc LC ở đầu vào nhƣ Hình 4.20b).

4.3. BỘ BIẾN ĐỔI ÁP MỘT CHIỀU LOẠI FLYBACK

Các bộ biến đổi áp một chiều khi làm nguồn cho các thiết bị điện tử cần có thêm bộ lọc
LC (hay RC khi công suất bé) để áp ra phẳng. Trong các bộ nguồn xung hiện đại ta hay gặp
bộ biến đổi loại flyback, nó cho ra chuỗi xung dòng, qua trung gian cuộn dây để nạp tụ đầu ra
thay vì các xung áp nhƣ ở BBĐ dạng FORWARD. Bộ biến đổi áp một chiều xếp vào loại
76
flyback khi chu kỳ hoạt động gồm hai pha:
Pha 1: Ngắt điện đóng (ON). Cuộn dây đƣợc nạp năng lƣợng từ nguồn, tải sử dụng năng
lƣợng tích trữ trong tụ điện song song ( tụ lọc đầu ra ).
Pha 2: Ngắt điện ngắt (OFF). Cuộn dây chuyển (phóng) năng lƣợng qua tải và nạp năng
lƣợng vào tụ điện.

Hình 4.22: Các sơ đồ BBĐ dạng Flyback

Nhƣ vậy, nguyên tắc hoạt động bộ biến đổi loại FLYBACK đối nghịch với các bộ biến
đổi xung điện áp dạng FORWARD, khi tải đƣợc nối nguồn khi ngắt điện đóng (ON) và sử
dụng năng lƣợng tích trữ khi ngắt điện khóa.
Có 4 sơ đồ đƣợc trình bày trên Hình 4.22:
(a) Bộ biến đổi đảo cực tính. (đƣợc dùng cho khảo sát cơ bản vì có số phần tử là ít nhất).
(b) Sơ đồ tăng giảm áp.
(c) Sơ đồ tăng giảm áp có biến áp.
(d) Sơ đồ tăng áp.
Sơ đồ (a) có số phần tử ít nhất, (b) có cùng hoạt động với (a) nhƣng không đảo cực tính,
(c) tƣơng tự nhƣng sử dụng biến áp và (d) tăng áp.
BBĐ tăng áp đã đƣợc khảo sát ở mục 4.4.2 là trƣờng hợp riêng của sơ đồ hình (d), khi
biến áp tự ngẫu chỉ còn lại cuộn dây sơ cấp.

4.4. MẠCH TẮT SCR

Ngoài họ transistor hay GTO có thể đóng ngắt theo mạch lái các ngắt điện đã tìm hiểu ở
chƣơng 1, ta có thể sử dụng SCR làm ngắt điện bán dẫn làm việc với điện một chiều khi sử
dụng thêm mạch phụ, gọi là mạch tắt SCR. Cũng giống nhƣ ở chỉnh lƣu, quá trình tắt SCR
còn đƣợc gọi là quá trình chuyển mạch hay chuyển mạch.

77
 Nguyên lý tổng quát của mạch tắt SCR là tạo ra một đƣờng dẫn điện tạm thời thay thế
SCR , làm cho dòng qua nó về không trong thời gian đảm bảo tắt tq > toff.

4.4.1. Ví dụ mạch tắt SCR

Mạch hai trạng thái bền dùng SCR (Hình 4.23).
Tại t = 0, kích T1. T1 dẫn điện và C đƣợc nạp qua T1 và R2 đến áp nguồn V với cực
tính nhƣ hình vẽ. T2 có điện áp phân cực là vC , bằng áp nguồn V khi dòng nạp tụ tiến về 0.
Khi kích T2, T2 dẫn điện và tụ điện C đặt áp âm vào T1. T1 không thể dẫn điện và phục
hồi trạng thái khóa. Tụ điện C đƣợc nạp qua R1 đến giá trị áp nguồn V với dấu ngƣợc lại,
chuẩn bị làm tắt T2 khi T1 đƣợc kích. Thời gian T1 bị đăït áp âm đƣợc gọi là tq - thời gian
đảm bảo tắt SCR, cần phải lớn hơn toff là thời gian cần thiết cho SCR phục hồi khả năng khóa.

Hình 4.23: Mạch hai trạng thái bền dùng SCR

Nhƣ vậy để tắt SCR, ngƣời ta có thể dùng tụ điện với điện tích có dấu thích hợp, tạo đƣờng
dẫn điện tạm thời làm cho dòng qua SCR về không trong thời gian tq đủ để SCR phục hồi khả năng
khóa.

4.4.2. Sơ đồ chuyển mạch cứng các SCR

Việc tắt SCR bằng cách dùng tụ điện đặt áp âm vào AK nhƣ ví dụ trên đƣợc gọi là
chuyển mạch cứng các SCR.
Để khảo sát ta xem sơ đồ tổng quát Hình 4.24 với giả thiết dòng tải Io không đổi trong
thời gian chuyển mạch, V là áp trên tụ trƣớc thời điểm chuyển mạch. Khi khóa K đóng,
v  vc (0)  V làm T tắt. dòng tải Io chuyển qua mạch C.

Phƣơng trình cho vC khi chuyển mạch:

dvC I
Io  C ; vC (0)  V  vT  vC (t )  o t  V
dt C
Khi t = tq là thời gian đảm bảo tắt T1, áp trên tụ bằng 0:

78
 vC (tq )  0  C.V  I otq

Hình 4.24:
Khi C nạp đến giá trị nguồn, dòng qua nó về 0, T2 tự tắt , dòng tải khép mạch qua Df. Tụ
điện C đã có năng lƣợng cho chu kì làm việc mới. Nhƣ vậy , điện lƣợng C .V tích trữ trong C phải
duy trì đƣợc dòng tải trong thời gian đảm bảo chuyển mạch tq hay: tq = V.C / Io .

Bộ biến đổi làm việc một phần tư dùng SCR

Trong mạch Hình 4.25a), T1 là SCR chính dẫn dòng điện tải, T2 là SCR phụ, chỉ làm
nhiệm vụ tắt (còn gọi là chuyển mạch) SCR chính. Để khảo sát mạch, ta có giả thiết dòng tải
không thay đổi:

io = Io là hằng số trong thời gian mạch tắt SCR hoạt động.

Nguồn đƣợc nối vào đủ lâu để C đƣợc nạp đến áp nguồn V theo cực tính nhƣ hình vẽ qua
điện trở R. R có giá trị rất lớn, không ảnh hƣởng đến hoạt động sau này của mạch.
Tại t = 0, kích T1. T1 dẫn điện. dòng qua nó gồm dòng tải Io và dòng phóng điện của tụ C
qua T1, Dp và L. Đây là mạch cộng hƣởng LC không có tổn hao khi ta xem các linh kiện là lý
tƣởng. Dòng phóng điện của C là hình sin và áp qua nó có dạng cos.
Khi điện áp trên tụ điện đảo cực tính (ngƣợc với dấu trên Hình 4.25a)), diode Dp không
cho phép nó xả theo chiều ngƣợc lại và nhƣ vậy tụ điện C đã chuẩn bị đƣợc điện tích có dấu
thích hợp để tắt T1 khi T2 đƣợc kích, nhƣ sơ đồ nguyên lý Hình 4.24. Thời gian đảo cực tính
tụ điện là ½ chu kỳ dao động  / 2   LC cũng chính là thời gian on tối thiểu của BBĐ.
Khi kích T2, T2 dẫn vT1 = vC < 0 : T1 tắt vì dòng tải Io chuyển qua C. C đƣợc nạp bằng

79
dòng tải Io, nhƣ nguyên lý chuyển mạch cứng nhƣ đã khảo sát.

iotq
Điều kiện để có sự chuyển mạch thành công là C  , tq > toff là thời gian tắt của SCR T1.
V
Khi C nạp đến giá trị nguồn V, dòng qua nó về 0, T2 tự tắt, dòng tải khép mạch qua Df.
Tụ điện C đã có năng lƣợng cho chu kỳ làm việc mới. Thời gian off tối thiểu của BBĐ là
2.tq, dể cho áp trên tụ có thể thay đổi từ - V đến + V, đảm bảo tắt đƣợc SCR chu kỳ tiếp.

(a) BBĐ ¼ mặt phẳng tài dùng SCR và các dạng sóng

b) và c) Các mở rộng của mạch tắt hình a)

Hình 4.25:
Nhƣợc điểm lớn của mạch này là phải có pha đảo cực tính áp trên tụ điện, điều này làm
tăng tổn hao năng lƣợng, giảm tần số làm việc cho phép của mạch. Cùng họ chuyển mạch
cứng còn có các mạch trên hình Hình 4.25 b) và c) không sử dụng cuộn dây và cũng không có
pha đảo cực tính áp trên tụ điện. Tụ tắt C nằm giữa cầu SCR, chúng đƣợc kích ở theo chu
trình thích hợp để cung cấp áp âm tắt SCR chính (sơ đồ b). Sơ đồ (c) có điều khiển phức tạp
hơn khi dòng tải lần lƣợt chạy qua các nhánh của cầu SCR.
Trong thực tế, trong mạch còn nhiều tự cảm nối tiếp với SCR, có thể là tự cảm của
nguồn điện, dây dẫn hay là cuộn dây đƣợc thêm vào để chống những đột biến dòng làm ảnh
hƣởng kết quả tính toán trên.

80
 Mở rộng chuyển mạch cứng cho BBĐ làm việc hai phần tư
Khi BBĐ làm việc nhiều hơn một phần tƣ, cần có diode phóng điện song song ngƣợc
với SCR. Ví dụ nhƣ ở sơ đồ Hình 4.26. Mạch này hoạt động tƣơng tự nhƣ sơ đồ Hình 4.25a)
nhƣng các tính toán cho bộ chuyển mạch cứng thay đổi hoàn toàn.

Hình 4.26: Mở rộng của mạch tắt Hình 4.25a) cho BBĐ làm việc nhiều hơn ¼ mặt phẳng tải
Để chuẩn bị tắt SCR chính T, tụ điện cũng đƣợc nạp với cực tính nhƣ hình vẽ. Khi SCR
phụ Tp đƣợc kích, dòng qua tụ C chia làm hai nhánh: cung cấp dòng tải IO thay cho SCR chính
T (đảm bảo T tắt), khép mạch qua D tạo thành mạch dao động LC. Ta có thể nhận xét nhiệm vụ
của L là hạn chế tốc độ phóng điện của C qua D. Vì dòng tải IO đang chạy qua L khi Tp đƣợc kích,
giá trị ban đầu của dòng qua C là Io làm thay đổi thời gian xả tụ C.
L là cuộn kháng có trị số rất bé, chỉ tham gia quá trình chuyển mạch mà không ảnh hƣởng
hoạt động của tải.

4.4.3. Sơ đồ chuyển mạch mềm các SCR

Bộ biến đổi làm việc hai phần tƣ dùng SCR dùng chuyển mạch mềm

Hình 4.27:

81
 Vì chuyển mạch cứng cần một tụ điện nối song song với SCR, để BBĐ có thể làm việc
nhiều hơn một phần tƣ, ta cần thêm vào cuộn kháng L bên cạnh diode phóng điện D thì ở
chuyển mạch mềm diode phóng điện đƣợc nối song song ngƣợc trực tiếp với SCR.
Kết quả của cách nối này là chỉ có dòng qua SCR giảm về 0 khi chuyển mạch, vAK
không có áp âm. Đây là đặc trƣng của họ chuyển mạch mềm.

Hình 4.28:
Nguyên lý hoạt động:
Trong BBĐ hai phần tƣ, một ngắt điện bán dẫn cấu tạo từ hai SCR: S1 (S2) bao gồm
SCR chính dẫn dòng điện tải T1 (T2) và SCR phụ T11 (T22). Các linh kiện phụ LC sử dụng
chung. Trên sơ đồ có ghi dấu cực tính điện áp trên tụ C ở thời điểm t0, khi chuẩn bị tắt SCR
T1 đang dẫn dòng tải Io. Khi kích T11, dòng phóng điện của C (mũi tên đôi) một phần cung
cấp cho tải Io, một phần khép mạch qua D1, T11 để tạo thành dao động LC.
Ở cuối bán kỳ dao động LC, áp trên tụ đảo cực tính, chuẩn bị tắt T2 ở pha kế tiếp bằng
việc kích T22. Dạng dòng, áp qua các phần tử đƣợc vẽ trên Hình 4.28, khi iC > Io dòng qua
SCR T1 bằng 0. Vậy thời gian có iC > Io chính là thời gian đảm bảo tắt tq cho T1.
Khảo sát lý thuyết chuyển mạch mềm:
Khóa K đóng mạch với áp dòng qua các phần tử mạch nhƣ trên Hình 4.29.

82
 Hình 4.29: Mạch điện tính toán chuyển mạch mềm

Hình 4.30Hình 4.3.8: dạng dòng qua tụ điện với các tỉ số A khác nhau nhưng cùng tq.

Tại t = 0, dòng qua L không thay đổi tức thời nên dòng qua SCR vẫn bằng Io, ta có
phƣơng trình:

vC  vL  0

diC dv
Với vL  L và iC  C C
dt dt

dvC
=> vC  LC 0
dt
V
Điều kiện đầu vC (0) 
2
dvC
iL (0)  (0)  0
dt

V L
Giải ra: iC  sin t có dạng hình sin
2 C

83
 V L 1
với biên độ I max  và tần số góc  
2 C LC

Nhƣ đã giới thiệu trên, thời gian đảm bảo tắt tq tƣơng ứng với thời gian iC > Io, phụ
thuộc hai thông số L, C (hay Imax và ).

.tq 2 Io
I o  I max cos  tq  cos
2  I max

Điều kiện tối ƣu đƣợc chọn là tối thiểu năng lƣợng tích trữ trong L (hay C) và biến
trung gian cho khảo sát là A = Imax/Io.
2
L.I max 1 tq A
Ta có: W   . 1
.V .I o . A tỉ lệ với h( A)  1
2 4 2cos (1/ A) 8cos (1/ A)

h(A) --> min ở A = 1,55 Có thể suy ra:

I o .tq
A I o .tq 1 V .tq 1 V .tq
C2  1, 786 và L   0,185
V g ( A) V 2 I o A.g ( A) Io

1 g ( A) 0, 277
Tần số dao động riêng của mạch LC: f 0   
2 LC 2 .tq tq

Để ý độ rộng xung tối thiểu (đảm bảo điều kiện chuyển mạch) là bằng ½ chu kỳ dao
động hay tần số cực đại có thể của BBĐ là f0 và áp ban đầu trên tụ là V/2.

4.5. ỨNG DỤNG

Là thiết bị cung cấp nguồn một chiều thay đổi đƣợc, các tải của BBĐ xung áp một chiều
cũng chính là tải của sơ đồ chỉnh lƣu nhƣng BBĐ lại làm việc với nguồn một chiều. Vì vậy,
phạm vi ứng dụng của hai BBĐ thật sự không trùng nhau. Các ứng dụng của BBĐ xung áp
một chiều có thể chia làm hai nhóm:
- Sử dụng nguồn một chiều áp không đổi, có thể là lƣới điện một chiều hay accu. Đây là
các ứng dụng đặc trƣng của BBĐ xung áp một chiều. Ngày nay ngoài các lƣới một chiều của
hệ thống giao thông công cộng bằng điện đã xây dựng từ lâu, chỉ phổ biến các ứng dụng
nguồn là accu hay pin.
- Sử dụng nguồn một chiều chỉnh lƣu diode từ lƣới xoay chiều công nghiệp. Nhóm này
khai thác các ƣu điểm của BBĐ xung áp một chiều mà chỉnh lƣu điều khiển pha không thể có
đƣợc là mạch điều khiển và động lực đơn giản, hệ thống tác động nhanh và chất lƣợng điều
khiển dễ dàng nâng cao.

4.5.1. Nguyên lý điều khiển bộ biến đổi

Có hai nguyên lý thƣờng dùng: Điều rộng xung và so sánh có trễ.

84
Hình 4.31 Hình 4.33
Hình 4.32a) Nguyên lý điều rộng xung Hình 4.34b) So sánh có trễ

Hình 4.35:

*) Nguyên lý điều rộng xung (PWM)

Bộ biến đổi có thể xem nhƣ mạch khuếch đại tín hiệu:
UĐK --> Mạch Phát xung --> BBĐ --> áp ra Vo.
Mạch phát xung so sánh tín hiệu điều khiển UĐK và sóng mang uĐB , thƣờng có dạng
tam giác. Từ đó có thể suy ra quan hệ giữa độ rộng xung tƣơng đối  và UĐK . Khi thay đồi
UĐK áp ra Vo sẽ thay đổi, và việc giữ đầu ra ở đặc tính mong muốn sẽ phụ thuộc vào hệ thống
điều khiển tự động.

*) Sử dụng bộ so sánh có trễ (so sánh Smit)

Kết hợp mạch thay đổi độ rộng  và việc điều khiển hệ thống. Bộ so sánh có nhiệm vụ
so sánh đặc tính đầu ra (phản hồi) và tín hiệu đặt để đóng ngắt ngắt điện:

Khi Đặt > Phản hồi +  : HT tác động ngắt điện để tăng đầu ra.

Đặt < Phản hồi -  : HT tác động ngắt điện để giảm đầu ra.

vùng trễ  đƣợc thêm vào để giảm tần số đóng ngắt. Hệ thống ĐK này đơn giản, chất
lƣợng đầu ra đƣợc đảm bảo nhƣng không thể rất cao vì đầu ra luôn còn sai số, tần số đóng
ngắt thay đổi theo tải. Nguyên lý này còn có các tên: rơ le có trễ, điều khiển theo áp (dòng)
đầu ra.
Sơ đồ điều khiển vòng kín BBĐ xung áp một chiều hoàn toàn giống với chỉng lƣu điều
khiển pha, cũng có vòng phản hồi dòng điện và vòng phản hồi điện áp (hay tốc độ khi đối
tƣợng điều khiển là động cơ). Nhƣng khi sử dụng các sơ đồ hạn dòng cực đại, khóa tức thời
các ngắt điện khi dòng vƣợt quá giá trị giới hạn, có thể bỏ qua vòng dòng điện khi công suất
tải bé.

4.5.2. Điều khiển động cơ một chiều

Với khả năng thay đổi đƣợc điện áp một chiều đầu ra, bộ biến đổi áp một chiều có thể
sử dụng cho điều khiển động cơ một chiều nhƣ các sơ đồ chỉnh lƣu . Có hai nhóm ứng dụng
lớn:
* Sử dụng cho các phƣơng tiện vận tải sử dụng truyền động điện. Nó thay thế các hệ

85
thống sử dụng điện trở và các ngắt điện cơ khí cổ điển, có thêm khả năng thu hồi lại động
năng chuyển động khi cho động cơ làm việc trong chế độ hãm tái sinh (trở thành máy phát,
đƣa năng lƣợng trở về lƣới một chiều).
* Điều khiển động cơ công suất nhỏ làm bộ phận chấp hành trong các hệ thống tự động
(truyền động động cơ chấp hành - servo motor). Các ƣu điểm là:
- Tác động nhanh nhờ làm việc ở tần số cao, sơ đồ đơn giản, kích thƣớc bé.
- Dễ dàng thực hiện sơ đồ làm việc bốn phần tƣ (đảo chiều động cơ) so với chỉnh lƣu
SCR.
Ngƣời ta cũng dùng BBĐ áp một chiều cho điều khiển dòng qua các nam châm điện
làm việc trong chế độ tuyến tính, nguyên lý cũng tƣơng tự nhƣ điều khiển động cơ.

4.5.3. Các bộ nguồn một chiều - cấp điện hay ổn áp xung

Bộ cấp điện còn gọi là bộ nguồn cho các thiết bị điện hay điện tử dùng trong đo lƣờng,
điều khiển, thông tin hay dân dụng … , thƣờng có các yêu cầu cao về chính xác, sóng hài hay
độ nhấp nhô đầu ra. Trƣớc đây, các bộ cấp điện thƣờng sử dụng mạch tuyến tính: Điện lƣới
đƣợc giảm áp qua biến áp cách ly, chỉnh lƣu diode, lọc phẳng và mạch ổn áp tuyến tính để giữ
ổn định áp đầu ra. Sơ đồ khối này tuy đảm bảo chất lƣợng đầu ra cao nhƣng có một số nhƣợc
điểm: trọng lƣợng cao vì sử dụng biến áp giảm áp 50Hz, hiệu suất thấp vì tiêu tán công suất
qua phần tử sụt áp. Việc sử dụng bộ biến đổi áp một chiều khắc phục hai nhƣợc điểm này
nhƣng bù lại mạch điện phức tạp hơn và chất lƣợng đầu ra không tốt bằng: độ ổn áp kém hơn
và áp ra không thật sự phẳng. Có hai sơ đồ khối chính cho cấp điện xung:

a) Sử dụng bộ biến đổi áp một chiều thay cho mạch ổn áp tuyến tính
Hình 4.36 cho ta sơ đồ khối bộ cấp điện một chiều, trong đó bộ biến đổi xung điện áp
một chiều đƣợc sử dụng thay cho mạch ổn áp tuyến tính. Hiệu suất của mạch tăng vì phần tử
công suất làm việc trong chế độ đóng ngắt thay cho khếch đại. Hệ thống loại này thƣờng gặp
trong các thiết bị sản xuất cách đây khá lâu, khi bán dẫn đóng ngắt ở áp cao chƣa phổ biến.

Hình 4.36:
b) Cấp điện một chiều sử dụng biến áp tần số cao: (ví dụ Hình 4.37)
Hiệu quả kinh tế của cấp điện đóng ngắt thực sự rõ ràng khi sử dụng các bộ biến đổi
xung ở phía áp lƣới điện thế cao. Biến áp cách ly lƣới - tải làm việc ở tần số cao có kích
thƣớc, trọng lƣợng bé và giá thành hạ làm thay đổi hẵn bộ mặt thiết bị. Bộ biến đổi xung áp
một chiều có hai dạng: transistor hay MosFET.

86
 Hình 4.37:
- Khi sử dụng bộ điều rộng xung, phải sử dụng bộ biến đổi làm việc bốn phần tƣ và kết
hợp nguyên lý đẩy kéo để biến ra áp xoay chiều - thực chất là xây dựng bộ nghịch lƣu, nhờ đó
có thể ghép qua biến áp tần số cao.
Mạch điều khiển gồm có hai bộ phận cách ly điện với nhau: một lấy tín hiệu phản hồi từ
tải và một lái mạch công suất có điện áp lƣới.

4.5.4. Nghịch lƣu

BBĐ áp một chiều là cơ sở để xây dựng bộ nghịch lƣu: BBĐ DC -> AC. Ví dụ BBĐ
làm việc 4 phần tƣ mặt phẳng tải có thể là bộ nghịch lƣu một pha khi trị trung bình đầu ra
bằng không và thành phần hữu dụng chính là sóng hài bậc 1.

TÓM TẮT
Chƣơng này khảo sát các BBĐ điện áp một chiều, gồm nhiều sơ đồ khác nhau. Bài
giảng đặt trọng tâm vào BBĐ dạng FORWARD, là dạng phổ biến trong công nghiệp. BBĐ
dạng FORWARD đóng ngắt nguồn cung cấp cho tải, áp đầu ra là những xung áp chữ nhật có
trị trung bình thay đổi theo độ rộng xung tƣơng đối .
Các công thức quan trọng cần nhớ là: tính trị trung bình, nhấp nhô của áp (hay dòng)
đầu ra (hay ngắt điện). Việc khảo sát hệ thống BBĐ áp một chiều - tải luôn luôn dựa vào
nguyên lý xếp chồng. Chế độ dòng gián đoạn luôn luôn đƣợc đặt ra khi BBĐ chỉ cho dòng
chảy một chiều, hậu quả của nó là áp ra luôn cao hơn giá trị tính toán. Khi thiết kế sơ bộ hay
tính toán gần đúng ta thƣờng giả thiết là dòng tải liên tục để bài toán đƣợc đơn giản.
Mục 4.4 giới thiệu mạch tắt SCR gồm hai nhóm cứng và mềm. Mục 4.5 trình bày các
ứng dụng của BBĐ điện áp một chiều.

87
 CHƢƠNG 5: NGHỊCH LƢU VÀ BIẾN TẦN

5.1. GIỚI THIỆU CHUNG

Nghịch lƣu là bộ biến đổi điện một chiều ra xoay chiều với điện áp và tần số đầu ra có
thể thay đổi cung cấp cho các tải xoay chiều, phân biệt với nghịch lƣu phụ thuộc là chế độ
đặc biệt của chỉnh lƣu điều khiển pha, cho phép chuyển năng lƣợng từ phía một chiều về lƣới
xoay chiều có áp và tần số cố định – khi góc điều khiển pha > 900 đã đƣợc nhắc đến trong
chƣơng 3. Nghịch lƣu đƣợc ứng dụng rộng rãi trong công nghiệp và dân dụng, có thể phân ra
làm các nhóm sau:
1. Đầu ra tần số công nghiệp (nhỏ hơn 400 Hz) không đổi: các bộ nguồn xoay chiều bán dẫn
sử dụng làm nguồn cho các thiết bị điện thay thế điện lƣới. Có thể kể bộ lƣu điện (UPS -
Uninterruped Power Supply) cung cấp nguồn liên tục cho tải, bộ đổi tần cung cấp điện cho các thiết
bị sử dụng nguồn khác tần số lƣới …
2. Đầu ra tần số công nghiệp thay đổi: dùng để điều khiển tốc độ động cơ xoay chiều,
luôn có đầu vào là điện lƣới nên còn gọi là biến tần.
3. Đầu ra trung tần hay cao tần:
Từ 500 Hz đến 25 KHz khi sử dụng SCR hay cao hơn khi dùng transistor là các bộ nguồn
cho các công nghệ điện: nung nóng dùng dòng điện cảm ứng trong môi trƣờng dẫn điện, hay chuyển
thành rung động siêu âm của các vật liệu từ giảo. Đặc trƣng của nhóm này là hệ số công suất của tải
rất thấp, cần mắc tụ điện song song nên tải có tính cộng hƣởng.
Ở dãy tần số trên 25 KHz còn có các bộ nghịch lƣu 1 pha làm trung gian cho các bộ biến đổi
áp một chiều khi muốn sử dụng biến áp tần số cao nhằm giảm trọng lƣợng và kích thƣớc thiết bị.
Trong công nghiệp còn có các bộ dao động công suất hình sin sử dụng đèn điện tử hay transistor,
làm việc ở tần số từ 50 KHz đến vài MHz dùng cho tôi cao tần hay nung nóng điện môi.
Khác với các BBĐ đã học, các sơ đồ nghịch lƣu hoạt động rất khác nhau. Ngay cả khi cùng
sơ đồ động lực, có thể dùng nhiều cách điều khiển để cho ra tính chất khác nhau.

5.1. PHÂN LOẠI NGHỊCH LƢU

5.1.1. Nghịch lƣu song song và nối tiếp
Là các dạng nghịch lƣu sử dụng SCR cho đóng ngắt, có tụ điện ở mạch tải để đảm bảo chuyển
mạch. Trong mạch điện gồm điện trở R, tự cảm L và điện dung C tạo thành mạch cộng hƣởng RLC,
làm cho dòng qua SCR giảm về 0 và SCR tự tắt. Hình 5.1 bao gồm hai mạch nghịch lƣu song song:
(a) là sơ đồ cầu, (b) là sơ đồ ghép biến áp; ( c) tƣơng ứng với nghịch lƣu nối tiếp.

88
 Hình 5.1: Nghịch lưu nối tiếp (c), song song ( (a) sơ đồ cầu, (b) sơ đồ biến áp điểm giữa)
a) Nghịch lƣu song song (Hình 5.1a,b)
Dạng sóng các phần tử trên sơ đồ Hình 5.1a đƣợc vẽ trên Hình 5.2(b). Các SCR 1 và SCR 4 có
cùng dạng xung kích cũng nhƣ SCR 2 và SCR3. Khi SCR 1 và SCR 4 dẫn điện, tụ điện C đƣợc nạp đến
điện áp có cực tính nhƣ trên hình vẽ. Điện áp này sẽ đặt điện áp âm vào SCR 1 và SCR 4, làm tắt chúng
khi ta kích SCR2 và SCR3. Tự cảm L ở đầu vào cách ly nguồn và cầu chỉnh lƣu, làm cho dòng điện
cung cấp vào cầu chỉnh lƣu không thay đổi tức thời, tránh khả năng chập mạch tạm thời qua SCR 1 và
SCR2 (hay SCR 3 và SCR 4) khi các SCR chuyển mạch.
Do có tự cảm ở giữa bộ nghịch lƣu và nguồn nên Trị số và dạng áp đầu ra thay đổi theo đặc tính
tải. Trên Hình 5.2(b), áp ra không còn dạng xung vuông và có thể gần giống hình sin khi tải có tự cảm
(tải RL).

Hình 5.2: Dạng áp, dòng của nghịch lưu nối tiêp (a) và song song (b)
b) Nghịch lƣu nối tiếp (Hình 5.1(c))
Mạch điện Hình 5.1(c) là dạng đơn giản nhất trong nhóm mạch nghịch lƣu nối tiếp, có mạch
tƣơng đƣơng là RLC nối tiếp khi SCR dẫn điện. Ví dụ nhƣ khi SCR 1 đƣợc kích, dòng qua mạch
sẽ về không khi áp trên tụ điện đạt giá trị cực đại (có dấu nhƣ trên mạch điện) và SCR sẽ tự tắt. Vì
thế mạch còn gọi là nghịch lƣu chuyển mạch tải. Khi SCR 2 đƣợc kích, tụ điện sẽ phóng qua nó và
dòng về không khi áp trên tụ điện đảo cực tính, chuẩn bị cho chu kỳ kế tiếp - dạng sóng Hình 5.2(a).
Hai mạch nghịch lƣu này đƣợc dùng làm bộ nguồn trung hay cao tần (nhóm thứ 3 trong
phần giới thiệu). Nhƣ vậy, ngoài nhiệm vụ tắt (chuyển mạch) SCR, các tụ điện trong hai nghịch lƣu

89
này còn là một phần của tải, góp phần vào việc cải thiện hệ số công suất của mạch.

5.1.2. Nghịch lƣu nguồn dòng và nguồn áp

a) Nghịch lƣu nguồn dòng

Hình 5.3: Nghịch lưu nguồn dòng

Là mạch nghịch lƣu có L bằng vô cùng ở đầu vào, làm cho tổng trở trong của nguồn có
giá trị lớn: tải làm việc với nguồn dòng. Hình 5.3 trình bày sơ đồ nguyên lý và mạch tƣơng
đƣơng của NL nguồn dòng một pha tải RL. Dòng nguồn iN phẳng, không đổi ở một giá trị tải,
đƣợc đóng ngắt thành dòng AC cung cấp cho tải:
S1, S4 đóng: io > 0 ; S2, S3 đóng: io < 0
Vậy tải nhận đƣợc dòng điện AC là những xung vuông có biên độ phụ thuộc tải.
b) Nghịch lƣu nguồn áp

Hình 5.4: Nghịch lưu nguồn áp

Hình 5.4 trình bày sơ đồ nguyên lý và mạch tƣơng đƣơng của NL nguồn áp một pha.
Đặc trƣng của NL nguồn áp là nguồn có tổng trở trong bằng không (là accu hay có điện dung
rất lớn ở đầu ra) để có thể cung cấp hay nhận dòng tải. Một đặc trƣng khác là ngắt điện luôn
có diod song song ngƣợc để năng lƣợng từ tải có thể tự do trả về nguồn.
Áp nguồn một chiều đƣợc đóng ngắt thành những xung áp hình vuông có biên độ xác
định để cung cấp cho tải.

90
5.3. NGHỊCH LƢU NGUỒN DÕNG
5.3.1. Sơ đồ một pha
*) Khảo sát trường hợp đơn giản: tải R, tự cảm nguồn rất lớn.
Mạch điện Hình 5.1 (a) và (b) cho ta dạng cơ bản của NL nguồn dòng một pha làm việc ở tần
số cao. Tụ C tạo ra khả năng chuyển mạch của bộ nghịch lƣu. SCR1 và SCR4 khi đƣợc kích cung
cấp xung dòng dƣơng cho tải, nạp tụ C theo cực tính nhƣ hình vẽ chuẩn bị tắt chúng theo nguyên tắc
chuyển mạch cứng. Kích SCR2 và SCR3 sẽ làm cho SCR1 và SCR4 tắt và cung cấp xung dòng âm
cho tải.
Khảo sát chu kỳ tựa xác lập mạch điện hình Hình 5.1 (a):
LN có trị số rất lớn => dòng nguồn phẳng, bằng I.
Kích SCR1 và SCR4, có các phƣơng trình:

v dv0
I 0 C với v0 (0)  VC là giá trị đầu vào
R dt
=> v0  A  Be t / RC ; v0 (0)  VC  A  B (5.1)

T
Sau ½ chu kì v0 ( )  Vc (vì tính đối xứng)  vc  A  Bet / 2 RC (5.2)
2
Tích phân công suất qua cuộn dây LN trong chu kỳ:
T /2 T /2
2 2
PL  0 
T 
0
I (V  v0 )dt =>
T  (V  v )dt  0
0
0

T /2
2
T /2
VT  1 
Hay
T  v dt  V
0
0 =>   At 
2  RC
Bet / RC 
o
(5.3)

V 1  eT / 2 RC  2et / RC 
Vậy: v0 (t ) 
1  eT / 2 RC   4RC
T
1  eT / 2 RC 
2
Khi chuyển về hệ đơn vị tƣơng đối, đặt   t  t; k   RC :
T

v0 ( ) 1  e / k  2e / k
 (5.4)
V
1  e / k   2k 1  e / k 

Đồ thị điện áp trên các phần tử và áp ra tải ở hệ đơn vị tƣơng đối v0 ( ) / V với các hệ số k khác
nhau đƣợc trình bày trên Hình 5.5 (a) và (b) . Nhận xét là các quan hệ có dạng hàm mũ, thời gian v0  0
chính là thời gian đảm bảo tắt tq cho các SCR

91
 Hình 5.5: (a) dạng áp, dòng qua các phần tử, (b) vo ( ) / V với các giá trị k khác nhau

Bài tập: tính giá trị của tq , tính giá trị I của dòng chảy qua nguồn
 tq / RC
Hƣớng dẫn: v0 (tq )  0  1  eT / 2 RC  2e  0 => tq
T /2 T /2
2 v02 2 v02
P  V .I 
T 
0
R
dt  I 
VT 
0
R
dt

*) Khảo sát trường hợp thực tế: tải là RL, và điện kháng nguồn không vô cùng lớn.
Khi đó các dạng dòng, áp có tính dao động, áp trên tụ C sau khi qua giá trị cực đại sẽ giảm
xuống, kéo theo giảm tq, nhất là khi tần số làm việc thấp. Khi đó, ngƣời ta dùng các diode chặn, cho
phép giữ áp trên tụ ở giá trị cực đại nhƣ Hình 5.6 (a) và (b).

Hình 5.6: (a) mạch động lực, (b) dạng áp ra khi có và không có diode chặn

*) Khảo sát gần đúng nghịch lưu nguồn dòng: thực tế tải thƣờng là RL.
Khi tính toán gần đúng, ta có các giả thiết sau dù điện kháng nguồn không lớn vô cùng:
- Xung dòng cung cấp cho tải là xung hình vuông, biên độ I.
- Tụ C và tải RL làm thành mắc lọc cộng hƣởng, làm cho áp trên tải vC có dạng hình sin
và nhƣ vậy chỉ có sóng hài bậc 1 của dòng cung cấp là i1 tạo ra công suất.

Mạch tƣơng đƣơng đƣợc vẽ trên hình Hình 5.7(a) khi chỉ xét thành phần cơ bản (bậc 1).

92
Hình 5.7(b) cho ta các vector: VC là áp ra, I1 là hài cơ bản của dòng ra i0 ; , I C , I L lần lƣợt là dòng
qua C và tải RL , ta có:

VC là áp ra, lệch dòng ra I L góc  của tải RL . I1 sớm pha VC góc  để có áp âm cần thiết
tắt đƣợc các SCR (phần gạch đứng trong Hình 5.7(c)).

(a) (b) (c)

Hình 5.7

Ta có:

+ Góc lệch pha   tq

2 2 3
+ Hiệu dụng hài bậc nhất dòng i0 là: I1  a I với a = 1 ở sơ đồ 1 pha và a  ở
 2
sơ đồ 3 pha. (dùng công thức ở phần VI.3.1, hình 6.3.1).
Từ đồ thị vector ta có :

IL
1 .sin 
I C  I L .sin  IC 1  B sin  I Y 1
tan     với B  L  L  , Z là tổng trở
I L .cos IL
.cos B cos  I C YC CZ
IC
 1  B sin  
tải RL Z  R 2  L  , với   tan 1 
2
, (5.5)
 B cos  

Để tính dòng, áp ta tính công suất P bằng hai cách từ nguồn một chiều (nguồn cấp) và
tải (tiêu thụ ) nếu coi hệ số hệ thống bằng 1:

2 2  1
P  V .I  VC .I1.cos =VC .a I .cos =>VC  . .V (5.6)
 a.2 2 cos

Từ đầu ra VC có thể xác định công suất và dòng nguồn I.

Bài tập: Tính mạch nghịch lƣu nguồn dòng sơ đồ một pha. Áp nguồn một chiều 500 [V], tần
số làm việc 1 [KHz], R = 15 [] và L = 0,001 [H]

- Tính giá trị điện dung C để đảm bảo thời gian tắt SCR là 30 [s].

93
 - Tính giá trị hiệu dụng áp ra VC, suy ra công suất trên tải P và dòng nguồn I.

5.3.2. Sơ đồ 3 pha

Để tạo ra hệ thống ba pha, các ngắt Logic ba pha: (hai ngắt điện làm việc cùng lúc )
điện phải đƣợc đóng ngắt theo một thứ tự
nhóm + S1  S2  S3  S1
không thay đổi đối với các hệ thống ba pha,
gọi là LOGIC BA PHA. Nghịch lƣu nguồn nhóm – S6  S4  S5  S6
dòng sử dụng logic ba pha có hai ngắt điện
chung S1  S6  S2  S4  S3  S5
làm việc cùng lúc. Đây cũng chính là thứ tự

điều khiển các SCR trong chỉnh lƣu cầu ba pha. Nhận xét la ở đây chỉ có hai ngắt điện làm việc
cùng lúc vì dòng nguồn không đổi (nguồn dòng) chỉ có thể chạy qua một SCR của nhóm (+)
một SCR của nhóm (–). Ví dụ khi S1, S6 đang dẫn, S2 đƣợc kích sẽ làm tắt S1 (Hình 5.8(a)).

Hình 5.8: (a) Dạng áp, dòng của nghịch lưu nguồn dòng 3 pha, (b) mạch động lực
Hình 5.8 cho ta các dạng sóng và mạch nguyên lý của nghịch lƣu nguồn dòng 3 pha.
Dòng nguồn, xem nhƣ không đổi ở một trạng thái của tải, đƣọc phân bố cho các SCR nhƣ hình (a):
mỗi lúc chỉ có hai SCR làm việc, xung dòng trên mỗi pha có dạng chữ nhật, áp ra thay đổi theo đặc
tính tải. Cũng giống nhƣ nghịch lƣu một pha, dòng qua tải iA sớm pha hơn điện áp vA (Hình
5.8(a)). Đây chính là điều kiện để có sự chuyển mạch: khi xem tụ chuyển mạch là thành phần của
tải, tải sẽ có tính dung và đặt đƣợc áp âm vào SCR đang dẫn khi SCR mới đƣợc kích.
Việc tính toán gần đúng nghịch lƣu nguồn dòng 3 pha thực hiện giống nhƣ sơ đồ một pha
nhƣng với quan hệ giữa biên độ và thành phần cơ bản (hệ số a) của dòng điện thay đổi.
Một nhận xét khác là năng lƣợng chỉ chảy một chiều từ nguồn qua tải, làm áp ra thay đổi theo
tải, tăng cao khi không tải vì năng lƣợng tích trữ ở tải tăng cao.
Ta có thể thay đổi áp ra bằng cách thay đổi áp nguồn hay mắc song song với tải một mạch
điều chỉnh công suất phản kháng.
Hình 5.9(a) cho ta một ví dụ về nghịch lƣu nguồn dòng cụ thể. Có thể thấy đây là sự phát triển
của sơ đồ Hình 5.6(a) thành ba pha, SCR đang dẫn sẽ tắt khi một SCR nối chung anod (catod)
đƣợc kích theo logic mỗi lúc có hai ngắt điện làm việc. Quá trình tắt T1 khi T3 đƣợc kích đƣợc vẽ
trên hình (b), các tụ điện sẽ đặt áp âm vào T1 và nạp đến cực tính ngƣợc lại, chuẩn bị tắt T3 ở xung
dòng kế tiếp. Các diode đƣợc thêm vào để tránh tình trạng tụ điện C bị xả qua tải ở tần số làm việc
thấp. Hình (c) cho ta các dạng sóng trên các phần tử của mạch.

94
 Hình 5.9: Sơ đồ, dạng áp, dòng của nghịch lưu nguồn dòng 3 pha

5.4. NGHỊCH LƢU NGUỒN ÁP

5.4.1. Sơ đồ một pha
Có thể xem BBĐ áp một chiều làm việc 4 phần tƣ điều khiển chung ở chƣơng 4 với áp ra có
trị trung bình bằng không là một trong những bộ nghịch lƣu nguồn áp một pha, đƣợc gọi là sơ đồ
cầu khi dùng 4 ngắt điện (Hình 5.4) hay nửa cầu dùng hai nguồn (Hình 4.9).

95
 Hình 5.10: Sơ đồ nghịch lưu nguồn áp một pha
Hình 5.10 cho ta hai dạng mạch khác của nghịch lƣu nguồn áp 1 pha (ngoài sơ đồ cầu
Hình 5.4) là sơ đồ nửa cầu dùng một nguồn (a) và sơ đồ đẩy kéo (b). Hai sơ đồ này chỉ có thể dung
cho các bộ nghịch lƣu vì cầu phân áp dùng tụ và biến áp chỉ làm việc với tín hiệu xoay chiều.
Có thể dễ dàng nhận thấy là trình tự đóng ngắt các ngắt điện của các sơ đồ này sẽ giống
nhƣ ở BBĐ áp một chiều làm việc 4 phần tƣ nhƣng luật điều khiển sẽ thay đổi, cơ bản nhất là đảm
bảo trung bình áp ra bằng không.
Các ngắt điện nhƣ vậy phải có khả năng đóng ngắt theo sơ đồ điều khiển, không phụ
thuộc tải. Hiện nay ở mức công suất dƣới 100 kW ngƣời ta thƣờng dùng linh kiện họ transistor
(IGBT, transistor Darlington, MosFET) và có thể dùng SCR + mạch tắt hay GTO ở công suất
cao hơn.
Việc tính toán dạng dòng, áp của tải RL có thể dùng các công thức đã xây dựng trong
chƣơng 4.

5.4.2. Sơ đồ ba pha
Nghịch lƣu nguồn áp nhiều pha có thể bao gồm nhiều bộ nghịch lƣu một pha làm việc lệch
pha một góc qui định của hệ nhiều pha tƣơng ứng, ví dụ 2/3 ở hệ 3 pha. Thƣờng gặp nhất là nghịch
lƣu nhiều pha đƣợc tạo thành từ những nửa cầu nhƣ Hình 5.11(a) là sơ đồ ba pha, gồm 3 nhánh làm
việc lệch nhau 2  /3 từng đôi một. Với nguồn là nguồn áp và có diode phóng điện song song với
mỗi ngắt điện, năng lƣợng truyền đƣợc hai chiều giữa nguồn và tải làm cho áp ra có dạng các xung
vuông có biên độ là biên độ áp nguồn. Khác với nghịch lƣu nguồn dòng, nghịch lƣu nguồn áp ba
pha có thể sử dụng logic ba pha có hai hay ba ngắt điện làm việc cùng lúc.

96
 Hình 5.11(b) gồm dạng xung Logic ba pha: (ba ngắt điện làm việc cùng lúc )
điều khiển các ngắt ngắt điện, dạng áp,
Pha A S1  S4  S1
dòng ra tải RL của một sơ đồ nghịch
lƣu ba pha nguồn áp. Nhận xét là mỗi Pha B S2  S5  S2
lúc có 3 ngắt điện làm việc.
Pha C S6  S3  S6

chung S1  S6  S2  S4  S3  S5  S1

(a) Mạch động lực (b) các dạng sóng

Hình 5.11: Nghịch lưu nguồn áp ba pha

Dạng sóng đầu ra nghịch lƣu nguồn áp 3 pha có dạng xung điều khiển hình Hình 5.11(b)
đƣợc gọi là dạng sóng 6 nấc, đƣợc xem là căn bản cho việc khảo sát đặc tính NL nguồn áp ba pha.
Để tính toán áp đầu ra nghịch lƣu nguồn áp, ngƣời ta thƣờng giả sử nhƣ nguồn có điểm giữa
n, các áp pha v An , vBn , vCn , áp dây v AB , vBC , vCA có các quan hệ:

v AB  v An  vBn
vBC  vBn  vCn
vCA  vCn  v An
v AB  vBC  vCA  0

Khi điều khiển S1 = S4 (S1 và S4 làm việc ngƣợc pha), ta có thể chứng minh là các áp
pha và các áp dây hoàn toàn xác định từ luật điều khiển các ngắt điện. Hệ thống nhƣ vậy còn
gọi là điều khiển hoàn toàn (toàn phần). Hệ thống đƣợc gọi là điều khiển không hoàn toàn nếu
có khoảng thời gian cả hai ngắt điện của nửa cầu đều không làm việc. Khi đó, áp ra sẽ phụ
thuộc vào dòng phóng điện qua diode, và nhƣ vậy áp ra sẽ phụ thuộc tải.

Hình 5.11(b) cho thấy áp dây v AB là xung vuông. Để tính các áp pha tải, ta giả sử tải nối hình
sao, đối xứng và có trung tính là N. Ta có các quan hệ sau khi bỏ qua chỉ số N của áp pha tải:

97
 1
v AB  v An  vBn v A  (v AB  vCA )
3
vBC  vBn  vCn 1
suy ra vB  (vBC  v AB ) (5.7)
vCA  vCn  v An 3
v AB  vBC  vCA  0 1
vC  (vCA  vBC )
3
Từ đây có thể tính đƣợc áp pha vA có dạng nấc thang và khảo sát trong một chu kỳ tựa xác lập
dạng dòng bao gồm các đoạn hàm mũ là dòng điện qua RL khi áp thay đổi nhảy cấp:
Cũng có thể tính áp pha tải theo áp đầu ra bộ nghịch lƣu:

1
v A  (2v An  vBn  vCn )
3
1
vB  (2vBn  v An  vCn ) (5.8)
3
1
vC  (2vCn  v An  vBn )
3

Khi để ý vAn  vA  vNn , vBn  vB  vNn , vCn  vC  vNn . Với vNn là điện áp giữa trung tính
N của tải và trung tính nguồn n và vAn  vBn  vCn  3vNn . Các công thức này không phụ thuộc
vào nguyên lý hoạt động của sơ đồ nghịch lƣu ba pha.
Khác với nghịch lƣu nguồn dòng chỉ có một sơ đồ điều khiển nhƣ đã trình bày, nghịch
lƣu nguồn áp có thể đƣợc điều khiển bằng nhiều thuật toán khác nhau.

5.4.3. Nghịch lƣu đa bậc

Mục đích làm cho dạng điện áp gần với hình sin hơn. Có nhiều cách thực hiện nghịch
lƣu đa bậc:
+ Sử dụng nguồn có nhiều cấp điện áp và nhiều ngắt điện nối tiếp.
+ Nối tiếp nhiều bộ nghich lƣu 1 pha có nguồn riêng.
+ Nối tiếp nhiều bộ nghich lƣu làm việc lệch pha qua biến áp đầu ra.
a) Nghịch lưu nhiều bậc dùng nguồn nhiều cấp điện áp: (Hình 5.12)

Hình 5.12: Dạng tín hiệu áp ra nghịch lưu 5 bậc điện áp.

98
 - Nhiều cấp áp nguồn dùng tụ phân áp.
- Số cấp bằng số tụ điện n + 1.
- nguyên lý làm việc: Ngắt điện phía trong (S13 hay S23) chỉ đƣợc khóa khi ngắt điện ngoài
nó (S12 hay S22) đã khóa và nhƣ thế một cấp điện áp sẽ đƣợc nối vào tải qua diode kẹp khi các ngắt
điện giữa nó và tải làm việc.

(a) Nguyên lý nghịch lƣu năm nấc dùng nhiều

nguồn cấp điện (b) Thực hiện bằng sơ đồ dùng diode kẹp

Hình 5.13:

b) Nghich lưu nhiều nấc dùng các cell nghịch lưu một pha (Hình 5.14)

(a) Một cell nghịch lƣu một pha và ký hiệu Nghịch lƣu đa bậc ba pha dùng tổ hợp ba cell
(trƣờng hợp tải R) nghịch lƣu một pha cho mỗi tải

Hình 5.14: Nghịch lưu nhiều bậc dùng các cell nghịch lưu một pha

99
 - Nhƣ có thể nhận xét trong phần khảo sát NL ba pha sáu nấc, các dạng áp nấc thang này đƣợc
tạo ra từ việc cộng (trừ) các dạng xung vuông làm việc lệch pha nhau. Khi ta cộng (trừ) nhiều áp ra
của NL một pha, ta có thể tổng hợp đƣợc dạng áp nghịch lƣu đa bậc.
- Số bậc: Mỗi cell có thể có 3 mức: +V, 0, -V; trên một nhánh có N cell tạo thành 2N+1
bậc.
Nghịch lƣu đa bậc cho phép tạo ra công suất lớn, áp cao từ các cell công suất bé, áp thấp. Tuy
nhiên, BBĐ yêu cầu các nguồn một chiều cách ly với nhau.
c) Nghịch lưu đa bậc chép nối biến áp đầu ra (Hình 5.15)
- Mỗi cấp có bề rộng nhƣ nhau.
- Sử dụng biến áp để cộng các xung vuông thành áp nấc thang.
- Số bậc bằng 2 lần số bộ nghịch lƣu một pha.
- Đơn giản nhất nhƣng kích thƣớc lớn, hiệu suất không cao.

Hình 5.15: Nguyên lý cộng hai dạng áp nghịch lưu dùng biến áp để tạo sóng nấc thang
Hình 5.16 giải thích nguyên lý tổng hợp dạng sóng 12 nấc thang ba pha từ 6 bộ NL một pha
làm việc lệch 300, dấu “–” cho biết phải đảo cực tính cuộn dây. Mỗi pha tải đƣợc cung cấp bằng
mạch nối tiếp 5 cuộn thứ cấp của biến áp đầu ra các bộ NL một pha với biên độ có tỉ lệ theo bảng
trên Hình 5.16(a).

(a) Bảng tổng hợp áp ba pha từ 6 thành phần 1 pha lệch 300 (b) Dạng sóng 12 nấc thang

Hình 5.16: Tổng hợp dạng sóng 12 nấc từ 6 nguồn nghịch lưu một pha

100
5.4.4. Tính toán gần đúng nghịch lƣu nguồn áp
Ứng dụng mạch tƣơng đƣơng Hình 5.17 khi xem sóng hài bậc cao có tác dụng không đáng
kể. v1 , i1 là thành phần cơ bản (bậc 1, tần số góc ), TẢI chính là mạch tƣơng đƣơng của phụ tải,
đƣợc tính ở tần số làm việc .

Hình 5.17: Tính toán gần đúng nghịch lưu nguồn áp

Nguồn v1 có trị hiệu dụng đƣợc tính từ khai triển Fourier áp đầu ra BBĐ (mục 5.5). Từ
mạch tƣơng đƣơng, ta tính đƣợc dòng tải (xem nhƣ bằng i1), công suất tiêu thụ, suy ra nhƣ
hoạt động của tải.
Để đánh giá tác dụng của áp ra BBĐ không hình sin, ta tiếp tục sử dụng nguyên lý xếp
chồng để tính toán dòng, áp, công suất của các sóng hài bậc cao, công việc cũng tƣơng tự nhƣ
tính toán với thành phần cơ bản.

5.5. ĐIỀU KHIỂN ÁP RA VÀ HẠN CHẾ SÓNG HÀI

5.5.1. Phân tích sóng hài điện áp
Dạng sóng điều rộng xung trên Hình 5.18 cho phép ta phân tích sóng hài hầu hết các
dạng áp ra của mạch nghịch lƣu nguồn áp thƣờng gặp.

Hình 5.18: Dạng xung cơ bản cho phân tích sóng hài nghịch lưu
Trục tung đƣợc dời đến vị trí trục đối xứng xung áp có bề rộng a để khai triển Fourier
của áp ra không có thành phần sin. Ngoài ra, vì áp ra có /2 là tâm đối xứng, sóng hài áp ra
không có tần số bội chẵn (n  2k):

v  V cos(nt)
n  2 k 1
n k= 0, 1, 2, 3,... Tích phân lấy theo  t

2  /2  /2
1 2 2
Vn 
  v.cos(nt)dt=
0
 

 /2
v.cos(n t)d t=
 

 /2
v.cos(n t)d t

2V 4V na
sin(nt )t=- /2
 = /2
Vn  suy ra Vn  sin (5.9)
n n 2

101
 Khi  =  /2 (xung chữ nhật) n=1,3,5,7,9,… thì
n 1
4V 4V 4V 4V 4V 4V
Vn  , , , , , (1) 2 (5.10)
 3 5 7 9 n
Bài tập 5.1: Chứng minh ở dạng sóng 6 nấc hình Hình 5.11

+ Các thành phần Fourier của áp dây dẫn vẫn bằng 3 các thành phần tƣơng ứng của áp pha.

+ Tỉ số các song hài bậc cao trên song hài cơ bản (bậc 1) cua áp dây và áp pha nhƣ nhau.

5.5.2. Điều khiển áp ra

Điều khiển áp ra là một yêu cầu cần thiết cho các bộ nghịch lƣu vì:
- Giữ ổn định điện áp đầu ra, tránh các sụt áp do tải, nguồn và cả do các phần tử trong mạch.
- Áp ra cần điều khiển theo yêu cầu của tải. Ví dụ nhƣ với tải động cơ, khi làm việc với nguồn
áp cần cung cấp điện áp tỉ lệ với tần số làm việc để động cơ không bị bão hòa.

Hình 5.19: Đặc tính U/f theo lý thuyết (a) và thực tế (b)

(a) (b)

Hình 5.20: Điều khiển áp ra bằng lệch pha

Ta có các phƣơng pháp sau:

a) Thay đổi nguồn cung cấp
Làm biên độ áp ra thay đổi, thƣờng sử dụng khi nghịch lƣu là nguồn dòng hay áp ra có dạng

102
cố định. Khi đó, bộ NL thƣờng đƣợc cung cấp điện DC từ bộ nguồn chỉnh lƣu điều khiển pha hay
qua BBĐ áp DC.
b) Điều chế độ rộng xung: Một xung và nhiều xung.
Mạch điều khiển phức tạp hơn vì kết hợp cả điều khiển áp và tần số vào cùng sơ đồ nhƣng
mạch động lực đơn giản và kinh tế hơn.
Có hai trƣờng hợp: đk hoàn toàn khi luôn có 1 ngắt điện làm việc ở một nửa cầu hay đk không
hoàn toàn khi có lúc không có ngắt điện làm việc. Khi điều khiển hoàn toàn, áp ra đƣợc xác định từ
luật điều khiển ngƣợc lại với đk không hoàn toàn vì khi không có ngắt điện làm việc trên nhánh nữa
cầu, áp đầu ra phụ thuộc dòng phóng điện (hình 5.21 và 5.22).

Hình 5.21: Sơ đồ điều rộng nhiều xung (NL một pha) khi điều khiển hoàn toàn (sơ đồ cầu hai
nguồn)

Hình 5.22: Dạng áp, dòng nghịch lưu nguồn áp một pha khi điều khiển không hoàn toàn
(mạch Hình 5.10)
Ví dụ 6.1: Tính toán dạng dòng của bộ nghịch lƣu 1 pha, sơ đồ cầu với điều khiển lệch pha
Hình 5.20. Áp nguồn V, tải RL, chu kỳ T, góc lệch pha điều khiển  , độ rộng xung áp
q  T .(   ) / 2 , q tính bằng giây.

Xét chu kỳ tực xác lập, khi dòng điện lập lại theo chu kỳ T.
Gọi giá trị dòng qua tải khi t = 0 là I1 . Ta có phƣơng trình vi phân khi S1, S4 đóng:

di
V L  Ri với điều kiện đầu i (0) = I1 .
dt

103
 T
 ( q ) /
Suy ra:  I1  I 2 .e 2
<VD6.1.1>

T
Khi q= , i= - I1 . Vì có sự đối xứng hai nửa chu kì dƣơng âm
2
T
 ( q ) /
Ta có:  I1  I 2 .e 2
<VD6.1.2>

Từ <VD6.1.1> và <VD6.1.2> ta tìm đƣợc I1 , I 2 :

T
 ( q ) /
V 1  e q / V eT / 2  e 2
I2  , I 
R 1  eT / 2 1  eT / 2
1
R
Bài tập 5.2: Khảo sát áp ra của bộ nghịch lƣu có bề rộng xung không đổi khi tần số thay đổi
(giả sử điều khiển hoàn toàn). Gọi q là bề rộng xung tính bằng giây là không đổi trong bài tập
này. Tần số f của bộ nghịch lƣu thay đổi, lớn nhất ứng với trị số chu kỳ tối thiểu 1/ f max bằng
2.q . Bề rộng xung tính bằng độ bằng:

  q  2 q Biên độ sóng hài bậc n = 1(thành phần cơ bản) là

4V  4V
V1  sin  sin( fq) . Để có kết quả khảo sát tổng, đặt tần số f '  f / f max với
 2 
f max  1/ 2q hay f  f ' . f max và hàm số khảo sát là :

f'
V  V1 /(4V /  )  sin
1
'
, trong đó f’ thay đổi trong khoảng 0 .. 1.
2
V’ có dạng hình sin. với khoảng tần số thay đổi hợp lý, khá xa tần số cực đại fMAX, áp ra có thể
xem là tuyến tính theo tần số. Nguyên lý này cho phép xây dựng sơ đồ điều khiển rất đơn giản để thực
hiện nguyên lý V/ f = hằng số.

Hình bài 5.2

Bài tập 5.3: Khảo sát sóng hài của bộ nghịch lƣu điều khiển lệch pha theo góc lệch pha. (giả sử
điều khiển hoàn toàn). Nhƣ đã chứng minh, khi hai nửa cầu điều khiển lệch pha  ta có dạng xung
điều rộng, bề rộng xung là  và sóng hài bậc n là:

4V n
Vn  sin , n chỉ có các giá trị lẻ và  thay đổi trong khoảng từ 0 .. 
n 2

4V 1 n
Khảo sát hám số V 'n  Vn /( ) sin , theo  cho ta đồ thị sau với n = 1, 5, 7,
 n 2
11, 13 . Các hài bội ba không cần xét khi dạng sóng đƣợc ứng dụng cho hệ ba pha.

104
5.5.3. Hạn chế sóng hài đầu ra
Các sóng hài bậc cao có các tác dụng:
- Gây phát nóng phụ: do dòng không hình sin và hài bậc cao làm tăng tổn hao trong dây dẫn
và lõi sắt.
- Gây momen phụ: do các thành phần 3 pha bậc cao tạo ra trong động cơ xoay chiều.
Có nhiều phƣơng pháp để hạn chế sóng hài bậc cao, chia làm hai nhóm:
- Sử dụng bộ biến đổi đa cấp: Dạng sóng nấc thang vốn có sóng hài rất bé: Khi so sánh
dạng sóng nấc thang và thành phần cơ bản (bậc 1) tƣơng ứng, có thể nhận xét là sóng hài bậc cao
không đáng kể kể cả ở tần số (n±1). f 0 , n: số nậc thang.

Để thay đổi áp đầu ra, ta thay đổi độ rộng xung các bộ biến đổi một pha.
- Điều chế độ rộng xung (PWM): khi sử dụng nhiều xung cho một bán kỳ và có bề rộng khác
nhau, các sóng hài có tần số lớn hơn cơ bản f 0 sẽ giảm nhanh, nhƣng các thành phần ở tần số > (n-1)
f 0 có giá trị rất lớn. Điều này không ảnh hƣởng lớn đến hoạt động của tải vì dòng điện của sóng hài
tƣơng ứng không lớn. Tác dụng có thể là: gây tiếng ồn, nhiễu tần số cao, phát nóng trong lõi thép.
Có nhiều phƣơng pháp: điều chế độ rộng xung hình sin (SPWM) cùng với các cải tiến, triệt
tiêu các hài chọn trƣớc, dùng bộ so sành có trễ (điều rộng thích nghi), điều rộng vevtor không gian
(SVPWM).

5.6. MẠCH ĐIỀU KHIỂN NGHỊCH LƢU

5.6.1. Mạch tạo logic ba pha

(b) Các dạng sóng logic ba pha, mỗi

(a) Mạch tạo logic ba pha thời điểm có hai ngắt điện làm việc

Hình 5.23: Mạch tạo logic ba pha và dạng sóng

Hình 5.23 trình bày nguyên lý của mạch tạo ra logic ba pha, có thể đƣợc sử dụng trong
nghịch lƣu nguồn dòng hay nghịch lƣu nguồn áp đơn giản (điều chế độ rộng một hay nhiều

105
xung). Các sơ đồ điều chế xung hình sin hay điều khiển bằng vi xử lý cũng có những khối có
cùng chức năng để đảm bảo thứ tự của hệ ba pha.
CD4017 là vi mạch đếm vòng Johnson 10 trạng thái: sau mỗi xung đồng hồ CLK lần
lƣợt có một đầu ra lên 1 (Hình 5.23b), Q6 đƣa về chân Reset để hệ thống chỉ còn 6 trạng thái
tƣơng ứng với logic 3 pha. Các mạch OR tổ hợp các đầu ra bộ đếm làm thành các xung điều
khiển ngắt điện bán dẫn theo sơ đồ mỗi thời điểm có hai ngắt điện làm việc (trên Hình 5.23b
vẽ tín hiệu điều khiển hai ngắt điện S1 và S2, các ngắt điện khác cũng tƣơng tự).

5.6.2. Mạch tạo áp chuẩn hình sin dùng ROM và DAC (biến đổi số tƣơng tự)

Hình 5.24: Mạch tạo áp chuẩn hình sin và sóng mang răng cưa cho sơ đồ điều chế độ rộng
xung hình sin (SPWM)
Trong các sơ đồ SPWM hay điều khiển đầu ra bám theo hình sin chuẩn dung phần cứng,
hạt nhân của mạch điều khiển là bộ tạo hình sin có biên độ và tần số điều khiển đƣợc. Với sơ
đồ SPWM, hạt nhân này cũng cho ra dạng song tam giác có tần số là bội số và đồng bộ vớ
hình sin chuẩn. Điều này sẽ đảm bảo áp ra giống nhau ở các pha và loại bỏ khả năng có song
hài ở tần số thấp hơn tần số cơ bản (của hình sin chuẩn).
Trong mạch tạo áp chuẩn hình sin dung ROM và DAC, biên độ hình sin chuẩn và các
song tam giác đƣợc lấy mẫu (thực chất là tính toán) và chứa trong ROM. Để tái hiện lại các
dạng song, các giá trị này đƣợc đọc lại tuần tự và chuyển đổi ra tín hiệu tƣơng tự (analog)
bằng DAC. Tần số tái hiện (playback) f đƣợc tổng hợp bằng bộ biến đổi điện áp-tần số VFC
từ áp điều khiển Uđk :

f = k.Uđk = N. f O , với k: hệ số tỉ lệ (Hz/volt); f O : tần số đầu ra mong muốn; N: số mẫu

của một hình sin chuẩn.
f chính là tần số xung đồng hồ của bộ đếm chƣơng trình PC cung cấp địa chỉ cho ROM
chứa giá trị bốn dạng song: ba cho hình sin ba pha và một cho song tam giác. Các DAC biến
đổi từ số ra điện áp, tạo ra các tín hiệu mong muốn. Để thay đổi biên độ các hình sin, DAC
đƣợc sử dụng là loại nhân và tín hiệu điều khiển biên độ đƣợc đƣa vào chân áp chuẩn REF của
nó.

106
 Khối điều khiển điện áp ĐKU có thể đơn giản thực hiện quan hệ U/f = hằng số, hay gồm
cả việc bù giảm tốc theo tải.
Với sơ đồ Hình 5.24 ta có sự đồng bộ giữa các hình sin chuẩn 3 pha và song mang tam
giác. Vì chỉ có một song mang dung cho ba pha hình sin, tần số song mang f C cần là bội sáu
của tần số đầu ra f O để các dạng song đầu ra giống nhau. Điều này sẽ không thật sự cần thiết
khi tỉ số fC / fO khá lớn (vài chục).

Hình 5.25 là một ví dụ minh họa qui luật thay đổi f C theo f O (đƣờng đậm trên hình)
với fCMAX = 600 Hz và fCMIN = 300 Hz. kC = f C / f O là bội số điều chế. Khi tần số bé hơn 12.5
Hz ta không cần có sự đồng bộ giữa hai tín hiệu. Một khó khăn khác phát sinh là khi kC thay
đổi, ció sự thay đổi không lien tục của song hài bậc 1 của điện áp ra.

Hình 5.25: Quan hệ tần số sóng mang fc và tần số đầu ra f0

5.6.3. Mạch điều khiển nghịch lƣu dung chƣơng trình ROM

Hình 5.26: Mạch điều khiển nghịch lưu dùng chương trình ROM
Với nhận xét trạng thái của các ngắt điện bán dẫn trong bộ nghịch lƣu điều khiển độ
rộng xung là đóng hay ngắt một cách tuần tự có chu kỳ, không thay đổi nếu dạng sóng đầu ra
không đổi (nhƣ dạng sóng triệt tiêu có hài chọn trƣớc đã khảo sát); có thể ghi trạng thái đóng
ngắt sau các khoảng thời gian bằng nhau của các ngắt điện thành chƣơng trình của bộ nhớ chỉ
đọc ROM. Chƣơng trình này sẽ đƣợc truy xuất tuần tự để điều khiển các ngắt điện của bộ
nghịch lƣu, tạo ra dạng sóng mong muốn. Hình 5.26 trình bày một sơ đồ khối thực hiện
nguyên lý này. Điện áp điều khiển U đặt đƣợc biến thành tần số qua bộ biến đổi điện áp/ tần
số VFC, làm xung nhịp cho bộ đếm chƣơng trình PC, là bộ phận cung cấp địa chỉ cho ROM.
PC là bộ đếm nhị phân có số trạng thái bằng số trạng thái tạo thành dạng sóng điều khiển

107
nghịch lƣu trong một chu kỳ áp ra. Nội dung của ROM đã đƣợc tính toán sao cho đảm bảo áp
ra có trị số mong muốn (điều khiển áp) và sóng hài bậc cao bé (hạn chế hài bậc cao). Khi thay
đổi U đặt, tần số xung nhịp PC thay đổi và tần số đầu ra đƣợc thay đổi theo tỉ lệ.
Để thay đổi dạng sóng đầu ra theo tần số, ROM chứa nhiều dạng sóng ứng với các tần
số khác nhau và khối đo tần số sẽ thay đổi phần địa chỉ do nó quản lý để chỉ đến vùng dữ liệu
tƣơng ứng. Có thể xem dạng sóng một chu kỳ ở một tần số là một trang và các trạng thái của
các ngắt điện trong một dạng sóng là những dòng trong một trang. Vậy PC cung cấp địa chỉ
các dòng và bộ đo tần số cung cấp địa chỉ trang. Tín hiệu đồng bộ từ PC yêu cầu bộ đo tần số
chỉ đƣợc phép thay đổi đầu ra ở đầu các trnag để tránh những thay đổi dạng sóng không kiểm
soát.
Ví dụ:

- Tần số đầu ra nghịch lưu f O thay đổi từ 1..64: chọn mỗi Hz là một dạng song, suy ra ROM có
64 trang dạng song, địa chỉ trang gồm 6 bit.
- Chọn mỗi dạng song có N = 255 trạng thái (chọn chia chẵn cho 3) có thể địa chỉ hóa bằng 8 bit.
Vậy PC là bộ đếm nhị phân 8 bit nhưng được reset ở trạng thái thứ 255 và ROM cần 14 chân địa chỉ,
tương ứng dung lượng là 128 Kbit hay 16 Kbyte.
- Tần số xung nhịp của PC là N. f O = 255. f O , cực đại bằng 255*64=16.32 kHz
- Có thể sử dụng bộ đếm 6 bit để làm bộ đo tần số, thời gian mở cổng là 64/1320 =3.92 mili giây
(đếm được 64 xung ở tần số xung nhịp bằng 16.32 kHz).
- Khi quy định sự thay đổi của biên độ U đặt và khoảng tần số đầu ra tương ứng, có thể suy ra hệ
số của VFC.
Ƣu điểm của phƣơng pháp này là có thể điều khiển điện áp và hạn chế sóng hài bậc cao với chất
lƣợng khá tốt trong khi mạch xử lý rất đơn giản. Nhƣợc điểm lớn nhất là dạng sóng ở mỗi tần số là đã
định trƣớc, không thể thay đổi theo điều kiện thực tế ví dụ nhƣ áp lƣới giảm so với tính toán, hay cần bù
sụt áp theo tải,…. số dạng sóng là hữu hạn.
6.7. BIẾN TẦN
Là bộ biến đổi điện xoay chiều của lƣới công nghiệp thành điện 3 pha có tần số thay đổi, biến tần
hiện đƣợc ứng dụng rộng rãi trong công nghiệp để điều khiển tốc độ động cơ AC. Đây là phƣơng án hiệu
quả nhất:
- Có thể sử dụng động cơ không đồng bộ rẻ tiền, chắc chắn
- Điều khiển tần số động cơ AC là phƣơng pháp có hiệu suất cao, chất lƣợng tốt.
Các bộ biến tần có mạch động lực đắt tiền, sơ đồ điều khiển phức tạp, chỉ đƣợc phổ biến trong thời
gian gần đây nhờ sự phát triển vƣợt bậc của công nghệ chế tạo bán dẫn, ở cả lĩnh vực vi mạch và công
suất.
Có hai dạng biến tần: Biến tần trực tiếp (cyclo-converter) và biến tần qua trung gian một chiều.
- Biến tần trực tiếp chính là bộ biến đổi đảo chiều (chỉnh lƣu điều khiển pha đảo chiều), đƣợc điều
khiển để có áp đầu ra thay đổi cực tính có chu kỳ: áp ra xoay chiều này chỉ có thể có tần số khá bé so với
tần số lƣới điện. Bộ biến đổi đảo chiều hình 4.6.3 có thể làm thành một pha của bộ biến tần trực tiếp với
thuật toán điều khiển thích hợp. Khi thay thế SCR bằng ngắt điện có điều khiển khóa, ta có thể nhận
đƣợc nhiều tính năng tốt hơn.

108
(a) Áp ra (một pha) biến tần trực tiếp sử dụng BBĐ đảo chiều hai cầu 3 pha, điều khiển chung
tuyến tính. ,  là hai góc điều khiển pha của hai bộ chỉnh lƣu, thay đổi theo luật tam giác.

(b) Áp ra (một pha) biến tần trực tiếp sử dụng BBĐ đảo chiều hai cầu 3 pha sử dụng ngắt điện
chuyển mạch cƣỡng bức, tạo ra áp có tần số cao hơn tần số lƣới điện.

Hình 5.27: Biến tần trực tiếp

- Biến tần có trung gian một chiều có sơ đồ khối nhƣ hình 6.6.2, gồm hai bộ phận: chỉnh lƣu đầu
vào và nghịch lƣu ở đầu ra. Tổ hợp hai BBĐ này làm ra nhiều sơ đồ khác nhau với khả năng và phạm vi
sử dụng rất khác biệt. Thuật toán điều khiển biến tần cũng rất phong phú, và hiện vẫn tiếp tục phát triển
cùng với việc ứng dụng công cụ điều khiển mới nhằm nâng cao chất lƣợng hoạt động.

Hình 5.28: Biến tần có trung gian một chiều

109
 Có hai loại: Biến tần với nghịch lƣu nguồn dòng (NLND) và nghịch lƣu nguồn áp (NLNA). Các
biến tần này cần đảm bảo các yêu cầu:
- Thực hiện đƣợc logic ba pha, thay đổi tần số ra.
- Điều khiển áp theo đặc tính của tải, ví dụ nếu tải động cơ phải đảm bảo mạch từ không bão hòa
bằng quan hệ U/f = hằng số nhƣ đã khảo sát.
- Hạn chế đƣợc song hài áp (dòng). Đặc tính này phụ thuộc vào sơ đồ động lực, điều khiển nghịch
lƣu.
Nguyên lý điều khiển động cơ AC dùng biến tần:
Khi tần số thay đổi, từ trƣờng quay của các cuộn dây xtator có tốc độ thay đổi theo quan hệ
60. f
no  ; trong đó no tính bằng vòng/phút, f : tần số (Hz) và p là số đôi cực.
p
Rotor sẽ quay theo từ trƣờng quay với độ trƣợt s hầu nhƣ không đổi.
Có hai nguyên lý chính cho điều khiển động cơ không đồng bộ dung phƣơng pháp thay đổi tần số:
- Điều khiển U/f hằng: khi tần số thay đổi, điện áp đặt vào cuộn dây cũng thay đổi tỉ lệ để tránh
việc tăng mật độ từ thong dẫn để tăng dòng từ hóa.
- Điều khiển vector động cơ KĐB:
Là phƣơng án hiện đại, sử dụng các vi xử lý mới có khả năng tính toán rất mạnh để điều khiển
động cơ KĐB.
Phƣơng án này khắc phục nhƣợc điểm quan trọng của các sơ đồ điều khiển U/f hằng là momen
động cơ thấp, đặc biệt khi tần số làm việc nhỏ hơn 3 Hz. BBĐ điều khiển U/f hằng chỉ cung cấp cho
động cơ một điện áp ba pha tƣơng ứng tần số làm việc, dòng qua động cơ thay đổi theo trạng thái của
động cơ.
Bằng cách khống chế độc lập dòng từ hóa (tạo ra từ thong khe hở) và dòng rotor (tạo ra momen
quay), biến tần điều khiển vector có thể điều khiển đƣợc momen động cơ KĐB nhƣ đã làm với động cơ
một chiều, bên cạnh khả năng điều khiển tốc độ thong qua sự thay đổi tần số.
Có hai sơ đồ điều khiển vector: có phản hồi vị trí rotor (có cảm biến vị trí) và không dùng cảm
biến (sensorless). Sơ đồ đầu tiên cho phép điều khiển chính xác nhƣng phải dùng động cơ chế tạo riêng
trong khi phƣơng án sau có thể dung động cơ KĐB thong thƣờng.
Khi biến tần đƣợc dung để điều khiển tốc độ động cơ, sơ đồ điều khiển còn có các chức năng: hạn
chế sụt tốc khi hoạt động, bảo vệ quá tải, điều khiển thời gian tăng, giảm tốc.

5.8. ỨNG DỤNG

5.8.1. Các bộ nguồn tần số cao
Nhƣ đã giới thiệu trong mục phân loại, ta có thể nung nóng cảm ứng các vật liệu dẫn điện bằng
dòng điện cảm ứng. Dãy tần số làm việc thay đổi từ tần số công nghiệp đến vài trăm KHz:
- Tần số làm việc giảm khi công suất tăng.
- Tần số cần phải tăng khi bề dầy làm việc giảm (tôi bề mặt thép).
Có thể sử dụng NL nối tiếp hay song song với ngắt điện là thyristor trong các bộ nguồn tần số cao.
Ở tần số lớn hơn 100 KHz, có thể dung transistor hay các đèn chân không truyền thống.
Nhƣ đã khảo sát ở V.2, các sơ đồ NL song song có dạng NL nguồn dòng với tải cộng hƣởng là
cuộn dây làm việc và điện dung bù cos  cho nó. Trong thời gian gần đây, ngƣời ta bắt đầu dung
transistor với các sơ đồ có chuyển mạch khi dòng (áp) bằng không.

110
5.8.2. Bộ nguồn xung sử dụng nghịch lƣu
Bộ nghịch lƣu có thể dùng cho bộ cấp điện đóng ngắt, biến đổi điện một chiều thành xoay chiều,
cung cấp cho biến áp tần số cao. Nhờ đó kích thƣớc và giá thành biến áp này và mạch lọc đầu ra giảm
đáng kể.
Mạch nghịch lƣu có dạng sơ đồ nửa cầu khi công suất nhỏ hơn 500 W và sơ đồ cầu khi lớn hơn.
Trong Hình 5.29(a), T1 là biến áp giảm (tăng) áp, ta có đầu ra một chiều sau khi chỉnh lƣu và lọc phẳng.
Để có áp ra ổn định, đầu ra đƣợc phản hồi để thay đổi độ rộng xung bộ nghịch lƣu.
Với sơ đồ nửa cầu, điều khiển thong hoàn toàn đƣợc sử dụng. Do đầu ra biến áp đƣợc chỉnh lƣu,
tải bộ nghịch lƣu đƣợc xem là thuần trở.
Hình Hình 5.29(b) là mạch điều khiển, tác dụng đẩy kéo (push pull – hay luân phiên dẫn điện của
S1 và S2) nhờ bộ chia hai dung flip-flop. Đây là hạt nhân của vi mạch TL494.

(a) Mạch nghịch lƣu của bộ nguồn xung (sơ đồ nửa cầu)

(b) Mạch điều khiển nghịch lƣu đẩy kéo (dùng trong bộ nguồn xung)
Hình 5.29:

5.8.3. Bộ nguồn xoay chiều không gián đoạn UPS (bộ lƣu điện)
Hình 5.30 trình bày sơ đồ khối bộ lƣu điện (UPS – Uninterrupted Power Supply), đƣợc sử dụng
cho các thiết bị dung điện quan trọng không thể mất điện bất ngờ nhƣ máy chủ của mạng máy tính hay
các máy điện tử y tế. UPS sẽ cung cấp điện tạm thời khi mất lƣới trong khi chờ lƣu dữ liệu đang làm việc
hay cho chạy máy phát dự phòng. Sơ đồ khối bao gồm bộ nghịch lƣu sử dụng accu và bộ chuyển mạch
(rơ le hay triac). Bình thƣờng tải dùng điện lƣới, chỉ chuyển sang sử dụng nguồn nghịch lƣu khi mất
nguồn nên UPS có sơ đồ khối nhƣ vậy đƣợc gọi là loại OFF-LINE. Thời gian chuyển mạch phải đủ bé,
khoảng vài chục msec để tải xem nhƣ đƣợc cung cấp điện không gián đoạn. Bộ nạp accu tự động đảm

111
bảo hệ thống luôn sẵn sang làm việc. Có loại UPS không có bộ chuyển mạch và bộ nghịch lƣu luôn làm
việc, nhƣ là bộ biến tần có khâu trung gian một chiều với nguồn dự phòng là accu ở mạch một chiều (loại
ON-LINE).
Ở các bộ UPS công suất bé (<1.5 kW), mạch nghịch lƣu là một pha sử dụng biến áp có điểm giữa,
thích hợp với accu có điện áp bé (12V hay 24V). Áp ra đƣợc điều khiển bằng cách thay đổi độ rộng
xung. Một vi mạch tƣơng tự TL494 có khả năng làm việc ở 50 Hz đƣợc sử dụng cho điều khiển nghịch
lƣu (SG3524).

Hình 5.30: Sơ đồ khối của bộ nguồn không gián đoạn UPS

112
 CHƢƠNG 6: ỔN ÁP NGUỒN

6.1. GIỚI THIỆU CHUNG

Các thiết bị tiêu thụ năng lƣợng điện nhiều khi cần thiết phải thay đổi mức điện áp cung
cấp cho nó, phù hợp với từng tác động (ví dụ: các accu xit yêu cầu có các mức điện áp nạp
khác nhau phù hợp với trạng thái nạp).
Trong khi hoạt động, các thiết bị điện-điện tử luôn cần có điện áp cung cấp ổn định. Nếu
nguồn điện áp cung cấp ổn định thì tuổi thọ của các thiết bị sẽ đƣợc kéo dài, tính ổn định và
chính xác trong vận hành thiết bị sẽ cao. Trong khi đó các nguồn cung cấp hiện có nhƣ nguồn
điện lƣới, nguồn điện accu, nguồn pin mặt trời,… thƣờng không ổn định, vì vậy ổn định
nguồn cung cấp là một yêu cầu rất quan trọng và không thể thiếu đƣợc trong hệ thống nguồn
cung cấp cho các thiết bị điện-điện tử chuyên dụng và dân dụng.
Trong chƣơng này tập trung tìm hiểu các bộ ổn áp nguồn một chiều, là loại nguồn có
ứng dụng nhiều nhất trong các thiết bị điện tử, viễn thông.

6.2. CÁC THÔNG SỐ ĐẶC TRƢNG

Trong việc ổn định nguồn cung cấp thì có ổn định điện áp và ổn định dòng điện, nhƣng
hầu hết trong các thiết bị điện tử có yêu cầu điện áp đƣợc ổn định là chính. Việc ổn định điện
áp hay ổn định dòng điện đƣợc thực hiện một cách tự động.
Các tham số cơ bản của bộ ổn định là hệ số ổn định, dải ổn định, hiệu suất và thời gian
xác lập.
- Hệ số ổn định điện áp Ku nói lên tác dụng của bộ ổn định đã làm giảm độ không ổn
định của điện áp ra trên tải đi bao nhiêu lần so với điện áp đầu vào.
Nếu gọi độ không ổn định của đầu vào và đầu ra là Nv, Nr thì ta có:
Uv Bộ ổ
- Độ không ổn định điện áp đầu vào: Nv  . Uv Ur
Uv®m
định.
Ur
- Độ không ổn định điện áp đầu ra: Nr  . Hình 6.1: Chức năng bộ ổn định
Ur®m
Uv, Ur là độ lệch lớn nhất về một phía của điện áp đầu vào và đầu ra so với các giá trị
định mức của điện áp đầu vào, đầu ra Uvđm, Urđm.
Vậy độ ổn định điện áp của bộ ổn áp là:
Nv Uv Ur®m
Ku   . (6.1)
Nr Ur Uv®m
Uv thƣờng rất lớn so với Ur nên các bộ ổn định điện áp trong thực tế có
Ku = 20  200.000.
- Dải ổn định Du nói nên độ rộng của khoảng làm việc của bộ ổn áp.
Du= Uv max - Uv min, trong đó Uv max, Uv min là điện áp đầu vào cao nhất và thấp nhất mà bộ ổn
định vận hành bình thƣờng.

113
 - Hiệu suất của bộ ổn định: Khi làm việc, các bộ ổn định cũng tiêu hao một công suất
điện, do đó hiệu suất của bộ ổn định:
Pr Pr
  (6.2)
Pv Pr  Pth
Pr công suất hiệu dụng trên tải của bộ ổn định.
Pv công suất hiệu dụng mà bộ ổn định yêu cầu.
Pth công suất tổn hao trên bộ ổn định.
Thời gian xác lập Txl của bộ ổn định là khoảng thời gian cần thiết để đƣa đại lƣợng
không ổn định trên tải về giá trị định mức của nó kể từ thời điểm bắt đầu xảy ra sự mất ổn
định. Ngày nay các bộ ổn định dùng linh kiện bán dẫn và vi mạch, nên Txl là cực nhỏ và đƣợc
coi là không có quán tính. Trong các bộ ổn định nguồn điện, phần tử cơ bản của chúng là
phần tử hiệu chỉnh PTHC. PTHC có tác dụng hiệu chỉnh mọi sự biến động của tải hoặc của
điện áp đặt vào bộ ổn định, giữ cho điện áp hoặc dòng điện trên tải không thay đổi, hoặc thay
đổi trong một phạm vi rất hẹp.
Dựa theo cách mắc phần tử hiệu chỉnh với tải ta có các bộ ổn định kiểu song song, các
bộ ổn định kiểu nối tiếp.
- Nếu dựa theo loại dòng mà bộ ổn định làm việc, ta có bộ ổn định xoay chiều, bộ ổn
định một chiều.
- Nếu dựa theo đặc tính làm việc của PTHC, ta có bộ ổn định kiểu liên tục, bộ ổn định
kiểu chuyển mạch.

6.3. ỔN ÁP NGUỒN SỬ DỤNG PHẦN TỬ HIỆU CHỈNH

Ổn áp này có hai loại là sử dụng phần tử hiệu chỉnh mắc song song và mắc nối tiếp. Tuy
nhiên hiệu của của việc sử dụng phần tử hiệu chỉnh mắc song song là không cao, do vậy ở đây
chúng ta tập trung tìm hiểu loại ổn áp sử dụng phần tử hiệu chỉnh mắc nối tiếp.

6.3.1. Sơ đồ khối chung

Uv Phần tử Ur
Tải
hiệu chỉnh
(điện áp 1 chiều
chƣa ổn định)
Us Mạch hối
Hình 6.2: Sơ đồ khối của tiếp.
bộ ổn định điện áp 1 chiều Khuyếch đại
với hiệu chỉnh nối tiếp. so sánh

Nguồn
chuẩn.

Trong sơ đồ, phần tử hiệu chỉnh (PTHC) nối tiếp với tải, PTHC đƣợc điều khiển băng
tín hiệu một chiều từ đầu ra bộ khuyếch đại so sánh. PTHC là các transistor lƣỡng cực công

114
suất làm việc ở chế độ tích cực (khuyếch đại). Tùy theo công suất tải yêu cầu mà PTHC là
một transistor hoặc nối theo sơ đồ Darlington hay nối song song.
Điện áp ra qua mạch hồi tiếp đƣa về bộ so sánh, mạch hồi tiếp lấy một phần điện áp ra
đƣa trở về bộ so sánh. Mạch hồi tiếp thƣờng là bộ phân áp.
Bộ khuyếch đại so sánh (hay còn gọi là khuyếch đại sai lệch) thực hiện việc so sánh
mẫu của điện áp ra trên tải với điện áp chuẩn, kết quả so sánh ta đƣợc một điện áp Us cũng là
điện áp một chiều biến đổi theo Ur. Us đƣợc đƣa đến điều khiển PTHC.
Nguồn chuẩn: Là bộ tạo ra điện áp ổn định không phụ thuộc vào mọi sự biến đổi của Uv
hay tải, để cung cấp một điện áp chuẩn cho bộ khuyếch đại so sánh.
- Các bộ ổn định điện áp với hiệu chỉnh nối tiếp có hệ số ổn định cao giải ổn định rộng,
rất phù hợp với những điều kiện điện áp vào biến đổi rộng và những tải có yêu cầu điện áp ra
điều chỉnh đƣợc.

6.3..2. Bộ ổn định điện áp với hiệu chỉnh nối tiếp, không khuếch đại so sánh

R2 Q1
+ +

Hình 6.3: Bộ ổn định với hiệu R1

chỉnh nối tiếp vắng khuếch đại UV
C1
R3 Rt Ur
so sánh ZD Uc
h
 
Q1 đóng vai trò là phần tử hiệu chỉnh kiêm luôn cả khuếch đại so sánh, ZD, R1 là mạch
tạo áp chuẩn, R2 nối tiếp Q1 để giảm công suất tiêu tán cho Q1, nhất là trong trƣờng hợp bị quá
tải C1 nối song song với tải để lọc bỏ các thành phần xoay chiều ở đầu ra (giảm nhỏ trở kháng
ra đối với các thành phần xoay chiều). Bộ ổn áp này thƣờng có một điện trở nối ngang qua
đầu ra (R3 nối chấm chấm...) gọi là điện trở thoát cho điện áp trên C1 trong trƣờng hợp nguồn
vào cắt và hở tải, nhằm tránh một điện áp ngƣợc đặt lên transistor hiệu chỉnh.
Bộ ổn định này tải ở emitter, nên điện áp hồi tiếp là 100%, nên không có phân áp hồi
tiếp, chính là mạch lặp emitter.
- Điện áp chuẩn là điện áp cực gốc Q1.
Uch = UB(Q1), UE(Q1) = Ur.
Khi Uv tăng (hoặc Rt tăng), khiến cho Ur có xu hƣớng tăng hơn Ur định mức, làm cho
UBE(Q1=Uch-Ur giảm, nghĩa là phân cực thuận của Q1 giảm, Q1 giảm dẫn (tƣơng ứng rCE(Q1)
tăng), do đó điện áp rơi trên Q1 tăng, kết quả là Ur đƣợc kéo trở lại giá trị danh định.
- Khi Uv giảm (hoặc Rt giảm), có xu hƣớng làm Ur giảm, làm điện áp phân cực UBE(Q1)
tăng, Q1 tăng độ dẫn, rCE(Q1) giảm và điện áp rơi trên Q1 giảm, kéo Ur tăng trở lại giá trị danh
định.
Vậy mọi sự biến động của Uv cũng nhƣ của tải đều gây nên sự thay đổi của điện áp đặt
trên Q1, giữ cho Ur không đổi.
U r  U ch  U BE (6.3)

115
 - Để sơ đồ hình 6.3 vận hành tốt trong dải biến đổi cho phép của Uv thì R1 đƣợc tính
theo công thức (6.4)
U v min  U ch
R1 
I Z  I B1 (6.4)

6.3.3. Bộ ổn định điện áp với hiệu chỉnh nối tiếp có khuếch đại so sánh
Bộ ổn định loại này còn gọi là bộ ổn định có hồi tiếp.
Trong sơ đồ hình 6.4:
- Q1 là phần tử hiệu chỉnh.
- Q2 là bộ khuếch đại so sánh (khuếch đại sai lệch)
- R2, ZD tạo điện áp chuẩn, UE(Q2) = Uch.
- R3, R4 là bộ phân áp hồi tiếp (còn gọi là mạch lấy mẫu điện áp ra).
R1, Q2, ZD tạo thành mạch phân cực điều khiển Q1, C1 nối song song R3, với điều kiện ZC1 <<
R3 thì bộ ổn áp này còn là bộ lọc tích cực đối với thành phần xoay chiều ở đầu ra.

+ Q1 +

R1
C1 R3
Hình 6.5: Bộ ổn áp nối tiếp có
Q2
khuếch đại so sánh UV R2 Rt
Ur
R4
Uht
ZD Uc
 h

Nguyên lý hoạt động của mạch

Khi UV tăng (hoặc Rt tăng), có xu hƣớng làm Ur tăng, qua mạch phân áp hồi tiếp (mạch
lấy mẫu) ta có:
R4
U ht  U BQ 2  U r .  U ch  U BE Q 2 (6.5)
R3  R4
Ur tăng thì Uht tăng, trong khi Uch không thay đổi, nên UBE(Q2) tăng làm Q2 tăng độ dẫn
khiến dòng IC(Q2) tăng, dòng IC(Q2) chạy qua R1 làm sụt áp trên R1 tăng và UB(Q1) giảm, Q1
giảm độ dẫn (tƣơng ứng với rCE(Q1) tăng) kết quả là điện áp rơi trên Q1 (UCE(Q1)) tăng, kéo Ur
trở lại giá trị định mức.
Khi UV giảm (hoặc Rt giảm) thì quá trình diễn biến ngƣợc lại.
Với sơ đồ hình 6.5 ta có:
 R 
U r  U ch  U BE  1  3  (6.6)
 R4 
Mạch hình 6.5 có điện áp ra cố định, muốn điện áp ra điều chỉnh đƣợc, ta mắc nối tiếp
một điện trở biến đổi VR1 vào bộ phân áp R3, R4 nhƣ hình 6.6.

116
 R3

Hình 6.6: Bộ phân áp hồi tiếp có

Q2
chiết áp điều chỉnh điện áp ra. VR1 Ur

Uht
R4

Mạch ổn định nhƣ trên hình 6.5 ổn định tốt đối với tải thay đổi, còn khi UV thay đổi thì
tác dụng ổn định không tốt lắm (Ku  20) vì khi UV thay đổi thì dòng qua R2 thay đổi theo làm
IZ thay đổi. Để khắc phục điều này, ta thay chức năng của R1, R2 bằng một nguồn dòng, nhƣ
hình 6.7.
Nguồn dòng bao gồm các linh kiện Q3, ZD2, R5, Re. UZD2 = URe + UEB(Q3) = const và Re là
điện trở cố định nên UBE(Q3) không đổi do đó IB(Q3) và IC(Q3) không đổi.
Dòng colectơ của Q3 đƣợc xác định:
U ZD 2  U BE Q 3
I C  Q 3  (6.7)
Re
Với mạch ổn định hình 6.7 thì hệ số ổn định Ku = 10.000100.000 lần.
+ Q1 +

Re
ZD R3
2 Q3 C1
Hình 6.7: Bộ ổn áp có hồi
UV
tiếp với nguồn dòng Ur
Q2 VR1

R5
ZD R4
 1 

6.3.4. Bộ ổn áp với hiệu chỉnh nối tiếp, dùng IC KĐTT làm bộ khuếch đại so sánh
Muốn tăng hệ số ổn định của bộ ổn áp mà không phải dùng nguồn dòng, ta dùng IC
khuếch đại thuật toán OP-Amp làm bộ khuếch đại so sánh nhƣ sơ đồ hình 6.8. Vì IC OP-Amp
có hệ số khuếch đại rất lớn so với transistor, nên ta dùng IC OP-Amp làm bộ khuếch đại so
sánh thì hiệu quả ổn định sẽ rất cao.

117
 + Q1 +

R1 R2
Hình 6.8: Bộ ổn áp
+
dùng IC OP-Amp UV Ur

OP-Amp
Ur(IC) ZD Uht R3
 

Trong sơ đồ hình 6.8, Q1 là PTHC, IC OP-Amp làm bộ khuếch đại so sánh, R1, ZD tạo
điện áp chuẩn đƣa vào đầu (+) của IC, điện áp chuẩn đƣợc tạo từ điện áp đầu ra của mạch, nên
có độ ổn định rất cao, U(+) = UZD = Uch.
R2, R3 tạo thành bộ phân áp hồi tiếp đƣa vào đâu (-) của OP-Amp; U(-) = Uht.
Nếu muốn điện áp ra điều chỉnh đƣợc ta thay phân áp R2, R3 bằng bộ phân áp có chiết
áp VR1 nhƣ sơ đồ hình 6.9.
Điện áp ra của bộ ổn áp:
 R 
U r  U r  IC   U BE Q1  1  2 U ch  U BE Q1 (6.8)
 R3 
 R 
với U r  IC    1  2 U ch (đã chứng minh trong Điện tử tƣơng tự)
 R3 

 R 
trong đó 1  2  là hệ số khuếch đại của OP-Amp và Uch = UZD.
 R3 
Khi dòng tải yêu cầu lớn, đòi hỏi PTHC phải có công suất lớn, để đạt đƣợc điều này, ta
dùng PTHC nối theo mạch Darlington nhƣ hình 6.9.

+ Q1 Ir +

R1 R2
Q2
Hình 6.9: Bộ ổn áp dùng +
UV Ur
PTHC là sơ đồ Darlington  VR1
OP-Amp
Ur(IC)
ZD R3
 
Dòng ra tải Ir =  2.  1.IB2max; IB2max là dòng cực gốc lớn nhất của Q2,  1,  2 là hệ số
khuếch đại dòng của Q1, Q2.
Sơ đồ Darlington vừa cho ra dòng cao, vừa có trở kháng vào lớn, nên tải thay đổi nhiều
cũng không ảnh hƣởng đến điện áp đầu ra của OP-Amp, nên Ur rất ổn định.
Sơ đồ hình 6.9, dòng ra vẫn giới hạn bởi dòng collector của Q1. Muốn dòng tải cao hơn
nữa ta dùng PTHC là các transistor công suất nối song song nhƣ hình 6.10.
118
 Qn Ren

Re2 +
Q2

+ Re1 R1 R2
Q1

+ Ur
UV  VR1
OP-Amp

ZD R3
 

Hình 6.10: Bộ ổn áp có dòng ra cao

Khi sử dụng vi mạch khuếch đại thuật toán cần nhớ rằng dòng ra của nó bị hạn chế <
20mA, nên khi dùng n transistor mắc song song, sao cho tổng các dòng cực gốc của các
transistor không vƣợt quá 20mA: n.IBmax  20mA, nhằm tránh quá tải cho IC.
Khi mắc các transistor song song, phải dùng các transistor có các thông số giống nhau
(cùng tên) và mắc nối tiếp với cực E của mỗi transistor một điện trở RE để tự điều chỉnh cho
dòng qua các transistor bằng nhau.

6.3.5. Các mạch bảo vệ hạn chế dòng, áp

Các linh kiện bán dẫn rất nhạy cảm với dòng lớn, khi dòng qua các linh kiện bán dẫn
lớn thì công suất tiêu tán trên nó lớn và nhiệt độ của lớp tiếp xúc tăng đến một giới hạn thì
dòng qua lớp tiếp xúc bán dẫn không còn điều khiển đƣợc, do đó bán dẫn chịu quá dòng, quá
áp kém. Vì vậy trong các mạch ổn áp sử dụng các transistor công suất làm PTHC thì phải có
thêm các mạch bảo vệ để tránh quá tải (quá dòng) cho phần tử hiệu chỉnh và bảo vệ tải khi
PTHC bị sự cố ngắn mạch.
1) Các mạch bảo vệ quá tải cho PTHC
a) Mạch bảo vệ thụ động
Trên sơ đồ hình 6.3, điện trở công suất R2 mắc nối tiếp với PTHC Q1 và với tải, nhằm
giảm điện áp rơi trên Q1, khi dòng tải tăng và nhất là khi bị ngắn mạch đầu ra
(Rt = 0), thì toàn bộ công suất của nguồn vào đều đặt trên R2 và trên Q1. Trƣờng hợp này nếu
không có R2 thì Q1 sẽ tiêu hao toàn bộ công suất của nguồn vào khi đầu ra ngắn mạch, Q1 sẽ
bị quá tải, dẫn đến dễ bị phá hỏng. R2 tránh quá tải cho Q1 một cách thụ động. Khi mạch làm
việc bình thƣờng thì R2 cũng tiêu hao năng lƣợng của nguồn, vì vậy hiệu suất của bộ ổn định
thấp, mạch bảo vệ thụ động chỉ sử dụng trong các bộ ổn định công suất nhỏ.
b) Mạch bảo vệ tích cực
+ Dùng transistor:

119
 R3 IT
Q1
+
+
R1 Q2
Q4 R4
R2

IC4
Uv Q3 VR1 Ur

Uc ZD Uc R5
 h h


Hình 6.11: Mạch hạn chế dòng (mạch bảo vệ tích cực)

Trong sơ đồ hình 6.11, Q1, Q2 là PTHC, Q3 khuếch đại sai lệch.

Q4, R3 là mạch bảo vệ tích cực làm nhiệm vụ hạn chế dòng cho PTHC (Q1, Q2). R3 là
điện trở cảm biến dòng, R3 nối giữa cực B và E của Q4, điện áp rơi trên R3 phân cực cho Q4.
Trị số của R3 sao cho trong điều kiện dòng tải bình thƣờng, điện áp rơi trên Re URe < 0,7 V,
chƣa đến ngƣỡng dẫn của Q4 và Q4 không có tác dụng trong mạch. Khi dòng tải It tăng, điện
áp rơi UR3 tăng theo cho đến khi UR3  0,7V thì Q4 dẫn, dòng IC4 chảy qua R1 làm điện áp rơi
trên R1 tăng và điện áp cực gốc Q2 giảm, Q2, Q1giảm độ khuếch đại và điện trở tƣơng đƣơng
góp – phát Q1 tăng, điện áp rơi trên Q1 tăng làm điện áp ra giảm, kéo dòng tải It trở lại giá trị
bình thƣờng.
R3 trong sơ đồ hình 6.11 so với sơ đồ hình 6.3, R3 có trị số nhỏ hơn nhiều so với R2, nên
tổn hao ít hơn, và R3 có tác dụng điều chỉnh độ dẫn của Q1, Q2 trong khi R2 của sơ đồ
hình 6.11chỉ đơn thuần giảm công suất tiêu tán cho Q1.
+ Dùng diode: ta cũng có thể dùng diode làm mạch hạn chế dòng để thay thế cho
transistor nhƣ trong sơ đồ hình 6.12

R3 IT
Q1
+
+ 0,6 V

R1 R4

D1 D2
Uv Q2 VR1 Ur
R2
Uht
Uc ZD R5
 h 

Hình 6.12: Dùng diode để hạn chế dòng

Mạch hạn chế dòng gồm D1, D2, R3.

Khi dòng tải bình thƣờng, điện áp rơi trên R3; UR3 < 0,7V, do đó UBE1 +UR3 < 1,4V thì 2
diode D1, D2 không thông, khi dòng tải tăng cho đến khi UR3  0,7V dẫn đến
UBE1 + UR3  1,4V thì D1, D2 thông, dòng chảy qua D1, D2 làm tăng điện áp rơi trên R1, do đó
UB1 giảm, Q1 giảm độ dẫn sẽ kéo dòng tải trở lại giá trị bình thƣờng.

120
2) Mạch bảo vệ quá áp cho tải
Các bộ ổn định điện áp có hệ số ổn định lớn thì điện áp đặt vào bộ ổn định có thể biến
đổi trong một phạm vi rộng, Uv lớn nhất có thể lớn hơn nhiều điện áp danh định trên tải (Ur).
Nếu PTHC bị sự cố ngắn mạch thì điện áp trên tải tăng đột biến bằng Uv lớn nhất đó, sẽ gây
nguy hiểm cho tải. Vì vậy, các bộ ổn định có hồi tiếp công suất lớn thƣờng có mạch bảo vệ
quá áp ở đầu ra để bảo vệ tải khi PTHC bị ngắn mạch.

+ F +
PTHC

Hạn dòng
ZD
Khuếch đại
sai lệch Hồi tiếp SRC
UV
Ur
R

Tạo áp
chuẩn Mạch bảo vệ
quá áp

Hình 6.13: Bộ ổn áp 1 chiều có hồi tiếp, có mạch bảo vệ quá áp

Trên sơ đồ hình 6.13, mạch bảo vệ quá áp cho tải bao gồm ZD, R và thyristor SCR.
Diode Zener ZD có điện áp UZ lớn hơn điện áp Ur lớn nhất (khi mạch có điều chỉnh điện
áp ra từ Urmin  Urmax), nên trong dải vận hành bình thƣờng thì diode ZD không thông, điện áp
rơi trên điện trở R bằng không và thyristor SCR không thông, mạch bảo vệ quá áp không làm
việc. Khi PTHC bị ngắn mạch, hay một nguyên nhân gì làm Ur vƣợt quá Urmax làm ZD thông,
dòng qua ZD đặt trên điện trở R một điện áp mở thyristro SCR, thyristor SCR thông, kéo điện
áp ra xuống bằng điện áp thuận của thyristor khoảng từ 11,5V và tải đƣợc an toàn. Khi đó,
dòng qua SCR lớn và cầu chì F ở đầu vào sẽ chảy ngắt mạch.

6.4. BỘ ỔN ĐỊNH ĐIỆN ÁP DÙNG VI MẠCH TÍCH HỢP 3 CHÂN

6.4.1. Giới thiệu chung về vi mạch tích hợp 3 chân
- Sự ra đời của các vi mạch tích hợp 3 chân đã làm cho cấu trúc các bộ ổn định điện áp
1 chiều trở nên đơn giản và thuậnh lợi hơn rất nhiều.
Các vi mạch có 3 cực: cực vào (IN); cực ra (OUT) và cực chung (COMMON) hoặc cực
điều chỉnh (adjustment).
- Có loại vi mạch đƣợc chế tạo theo các mức điện áp ra tiêu chuẩn dƣơng hoặc âm
- Có loại vi mạch đƣợc chế tạo để điện áp ra điều chỉnh đƣợc trong một phạm vi rộng
Các loại vi mạch có mức điện áp ra tiêu chuẩn dƣơng có các ký hiệu: XX78XX;
XX78MXX; XX78LXX.
Trong đó:
- Số 78 là họ ổn áp dƣơng

121
 - Trƣớc số 78 có 2 chữ do hãng chế tạo đặt, ví dụ AN, LA, KA,…
- Nếu sau số 78 là 2 con số chỉ điện áp ra là loại vi mạch có dòng ra cực đại
1,5A.
- Nếu sau số 78 là chữ M thì dòng ra cực đại là 500mA.
- Nếu sau số 78 là chữ L thì dòng ra cực đại là 100mA.
Ví dụ: AN7805; KA7812 là các vi mạch ổn áp dƣơng có mức điện áp ra +5V và +12V,
dòng ra cực đại là 1,5A.
AN78M08; KA78L09 là các vi mạch ổn áp dƣơng có mức điện áp ra +8V và +9V dòng
ra cực đại của 2 vi mạch đó là 0,5A và 0,1A.
Các loại vi mạch có mức điện áp ra tiêu chuẩn âm có các ký hiệu XX79XX;
XX79MXX; XX79LXX.
Trong đó:
- Con số 79 là họ ổn áp âm
- Còn các ký hiệu khác giống nhƣ họ 78
Các vi mạch họ 78, 79 thƣờng chế tạo theo các mức điện áp ra từ  3V; 5V; 8V; 9V;
12V; 15V; và 24V (dấu + cho họ 78, dấu – cho họ 79).
Điện áp vào cực đại của chúng là 35V và công suất tiêu tán lớn nhất của vi mạch là 15
W.
- Các loại vi mạch 3 chân mà điện áp ra ổn định và điều chỉnh trong một phạm vi rộng
nhƣ các loại LM317; LM238, có mức điện áp ra dƣơng và điều chỉnh đƣợc từ 1,2V đến 37V,
với dòng ra cực đại 1,5A và làm việc với điện áp 1 chiều đầu vào cực đại 40V, công suất tiêu
tán lớn nhất 15W.
Hình dáng bên ngoài và bố trí chân cực của các IC ổn áp nhƣ hình 6.14a, b, c.

Miếng kim Miếng kim

loại tản loại tỏa
nhiệt nhiệt

Vỏ chất
dẻo Vỏ chất dẻo

Vào

Ra Chung Ra Điều Vào

chỉnh
Chung Vào Ra
(a) Họ 78 (b) Họ 79 (c) Điện áp ra điều chỉnh được

Hình 6.14: Hình dáng bên ngoài và bố trí chân của các loại vi mạch ổn định 3 chân

Cấu trúc bên trong của các loại vi mạch ổn định 3 chân nhƣ các hình dƣới.

122
 Transistor hiệu chỉnh

Vào Nguồn Ra
dòng Bảo vệ
4mA
Hình 6.15: Cấu trúc của IC ổn
định họ ổn áp dương và điện +  So sánh
áp ra tiêu chuẩn XX78XX

Uchu Điót zener

ẩn
Chung

Transistor hiệu chỉnh

Vào Nguồn Ra
dòng Bảo vệ
4mA
Hình 6.16: Cấu trúc của IC ổn
định họ ổn áp âm và điện áp  + So sánh
ra tiêu chuẩn XX79XX

Uchu Điót zener

ẩn
Chung

Transistor hiệu chỉnh

Vào Nguồn Ra
dòng Bảo vệ
50A
Hình 6.17: Cấu trúc của IC ổn
định có điện áp ra điều chỉnh +  So sánh
được

Uch=1,25V Điót zener

Điều chỉnh

Cấu trúc chung của các IC ổn định kiểu 3 chân bao gồm:
- 1 transistor làm phần tử hiệu chỉnh.
- 1 mạch so sánh.
- 1 mạch tạo điện áp chuẩn dùng nguồn dòng.
- 1 mạch bảo vệ hạn chế dòng.
Các mạch so sánh đều là mạch khuếch đại với hồi tiếp 100% nên có hệ số khuếch đại
bằng 1. Vì vậy điện áp giữa chân ra và chân chung (với IC họ 78, 79), điện áp giữa chân ra
với chân điều chỉnh (loại IC có điện áp ra điều chỉnh) bằng điện áp chuẩn (điện áp của diode
Zener). Do đó, với 2 loại vi mạch họ 78, 79, mỗi loại vi mạch ứng với một mức điện áp ra nên

123
mỗi loại có một diode Zener riêng. Còn loại vi mạch có điện áp ra điều chỉnh đƣợc đều dùng
diode Zener tạo áp chuẩn có UZ = 1,25V.

6.4.2. Các mạch ổn định điện áp dùng vi mạch tích hợp 3 chân

D D

1 3 2 3
XX78XX XX79XX
vào ra vào ra
UV 2 Chung Ur UV 1 Chung
Ur
C1 C2 C3 C1 C2 C3

Hình 6.18: Sơ đồ nối mạch ổn định điện áp dùng vi mạch 78 và 79

Ở đầu vào và đầu ra có nối các tụ C1, C2 có trị số từ 10  100nF để ngắn mạch các xung
nhiễu cao tần, không ảnh hƣởng đến sự làm việc của các vi mạch, đầu ra có các tụ lọc C2 là tụ
hóa để ngắn mạch các thành phần xoay chiều tần thấp của tải.
Các vi mạch ổn định chịu điện áp ngƣợc kém trong trƣờng hợp đầu ra hở mạch trƣớc khi
đầu vào cắt nguồn hoặc ngắn mạch, thì điện áp đầu ra vẫn đƣợc tích trên C2 còn
Uv = 0, lúc này vi mạch chịu điện áp ngƣợc (Ur > Uv), để tránh hiện tƣợng này, ngƣời ta nối 1
diode D giữa đầu vào và đầu ra của vi mạch theo phân cực ngƣợc, và C3 sẽ phóng qua diode D và
nguồn dòng làm cho UR giảm nhanh. Diode D có vai trò bảo vệ vi mạch, chống điện áp ngƣợc
cho vi mạch.
D
2
3
LM317
Hình 6.19: Sơ đồ nối mạch
ổn định điện áp dùng vi Điều chỉnh 1 R1
mạch điều chỉnh được Ura (ADJ)
Ur
UV a
VR1 C2
C1

Các sơ đồ ổn định điện áp dùng các vi mạch có điện áp ra điều chỉnh đƣợc trong phạm
vi rộng nhƣ hình 6.19 điện trở R1 nối giữa chân ra và chân điều chỉnh gọi là điện trở lập trình,
chiết áp VR1 nối giữa chân điều chỉnh với điểm chung của mạch để xác định (điều chỉnh) điện
áp ra. Dòng qua R1 chính là dòng qua VR1.
U R1 U ch 1, 25V
I R1    (vì dòng tại chân điều chỉnh là rất nhỏ (50A) nên bỏ qua và
R1 R1 R1
dòng qua R1 bằng dòng qua VR1).
Điện áp giữa chân điều chỉnh với điểm chung (UVR1) gọi là điện áp điều chỉnh Uđc
U ch  R 
U r  U R1  UVR1  U ch  U dc  U ch  .VR1  U ch . 1  1 
R1  VR1 

124
  R 
Vì Uch = 1,25V nên U r  1, 25 1  1  (6.9)
 VR1 
Tất cả các IC ổn định, để chúng có thể làm việc đƣợc trong giải ổn định thì điện áp đầu
vào thấp nhất
Uvmin = Ur + 1,5V (6.10)
Nếu điện áp đặt vào thấp hơn thì transistor hiệu chỉnh trong vi mạch sẽ chuyển sang
trạng thái bão hòa, khi đó mạch không còn ổn định đƣợc nữa.

6.4.3. Các mạch nâng cao điện áp ra và dòng ra

Các họ vi mạch 78 và 79 đều có mức điện áp ra cố định, nếu tải cần điện áp ra cao hơn
điện áp ra của vi mạch sẵn có, thì ta có sơ đồ mạch nhƣ hình 6.20a, b.

Vào 1 3 Ra Vào 1 3 Ra
XX78XX XX78XX
IR1
Chung Chung
R1
UV 2 Ichu Ur UV 2 Ur
C1 ng C3 C4 C1 C3 C4
IZ
C2 C2 R2
ZD

a) Hình 6.20: Sơ đồ nâng cao điện áp ra b)

Từ sơ đồ a) ta có: U r  U r  IC   U Z

U r  IC 
Chọn diode Zener có I Z   I chung . Các vi mạch họ 78, 79 có dòng chân chung,
R1
Ichung = 0,004A.
Sơ đồ b): Ur = UR1 + UR2 = Ur(IC) + UR2
 U r  IC  
U R2    0, 004  R2 (6.11)
 R 
 1 
Sơ đồ hình 6.21 là mạch nâng cao dòng ra. Các vi mạch ổn định có dòng ra thấp (tối đa
1,5A) ta muốn dòng cấp cho tải lớn hơn dòng ra của vi mạch còn điện áp ra tải ổn định bằng
điện áp ra của vi mạch, ta nối mạch theo sơ đồ hình 6.21.

+ T1 IT1 Ir +

R1 I(IC)
Hình 6.21: Sơ đồ C1
XX78XX
nâng cao dòng ra. UV Ur
C4
C2 C3

125
 Trong sơ đồ dùng thêm một transistor công suất T1, cùng với transistor hiệu chỉnh trong
vi mạch tạo nên một biến thể của sơ đồ Darlington, ta có Ir = I(IC) + IT1

6.5. NGUỒN ỔN ÁP ĐỐI XỨNG

Nguồn ổn áp đối xứng (còn gọi là nguồn ổn áp lƣỡng cực) thƣờng đƣợc sử dụng rất
nhiều nhƣ nguồn cấp cho các mạch dùng vi mạch khuếch đại thuật toán, mạch số…
Nguồn ổn áp đối xứng là nguồn có 2 điện áp ra ổn định có giá trị bằng nhau, có cực tính
ngƣợc nhau và đối xứng qua điểm chung.
Để có nguồn ổn áp đối xứng thì cần phải có nguồn đối xứng, ta có thể tạo ra nguồn đối
xứng từ nguồn một chiều hoặc từ nguồn xoay chiều nhƣ hình 6.22a, b.

+ +
+ U+ U+
UV
2 C1 C1
UV
 0 0
U~
+
UV
2 C2 C2
  
U U
a) b)
Hình 6.22: Tạo nguồn đối xứng

Nếu tải cần công suất lớn (dòng lớn) ta dùng sơ đồ ổn áp đối xứng là transistor nhƣ sơ
đồ hình 6.23.
Trong sơ đồ: các transistor T1, T2 và T'1, T'2 là phần tử hiệu chỉnh của 2 vế, theo mạch
Darlington để tăng dòng ra.
- T3, T4, R2 và T'3, T'4, R'2 là bộ so sánh dùng mạch khuếch đại vi sai.
R1 và R'1 định thiên ban đầu (khi đóng nguồn đầu vào) cho T4 và T'4.
R3, ZD1 và R'3, Z'D1 tạo điện áp chuẩn cho các bộ khuếch đại vi sai của 2 vế. Sau khi có
Ur thì tạo điện áp chuẩn từ điện áp ra qua D1 và D'1.
R4, VR1, R5 và R'4, VR'1, R'5 là phân áp hồi tiếp từ đầu ra 2 vế về các bộ so sánh.
Các chiết áp VR1 và VR'1 để điều chỉnh Ur(+), Ur(-) là 2 chiết áp đồng trục.

126
 T1

T2
R4
D1

R1 Ura+
R3
UV T3 T4
+

VR1
R2 ZD R5
1 0

R'2 Z'D1 R'4

VR'1

UV T'3 T'4
R'3 Ura
 R'1

D'1
R'5
T'2

T'1

Hình 6.23: Sơ đồ ổn áp đối xứng dùng transisitor

Nếu dòng ra tải giới hạn bằng dòng ra của các vi mạch tích hợp 3 chân, ta sử dụng các
vi mạch họ 78, 79 để nối mạch ổn áp đối xứng cho đơn giản.

+ +
XX78XX

UV Ur+
Hình 6.24: Sơ đồ ổn áp đối xứng +

dùng vi mạch ổn định 3 chân

UV Ur

 XX79XX 

6.6. MẠCH ỔN DÕNG

Các mạch ổn dòng (hay còn gọi là nguồn dòng cố định) cung cấp cho tải một dòng cố
định khi tải thay đổi hoặc điện áp vào thay đổi.

6.6.1. Mạch ổn dòng dùng transistor

127
 + R1 E C
T1

IE It
Hình 6.25: Mạch ổn dòng B
UV ZD
dùng transistor Ur Rt
Uc R2
h

- Một transistor công suất loại P-N-P nối tiếp với tải theo mạch cực gốc chung – với vai
trò là PTHC.
- R1 nối tiếp với cực Emitter của T1 có nhiệm vụ hiệu chỉnh điện áp UEB của T1 khi dòng
IE biến đổi vì nhiệt và giảm công suất tiêu tán T1 khi tải giảm quá nhỏ hay ngắn mạch tải.
Diode Zener ZD nối giữa đƣờng nguồn vào với cực B của T1 cùng với R2 tạo áp chuẩn
cho T1.
Tính dòng tải:
U R1 U ch  U EB
It  I c  I E   (6.12)
R1 R1
(vì dòng IB<< nên ta coi IE=IC)
Từ (5.14) ta thấy dòng tải chỉ phụ thuộc vào điện áp chuẩn của Zener Uch, vào UEB và
R1, mà không phụ thuộc vào điện áp đặt vào UV và điện trở Rt. Còn các số hạng: R1 là cố định,
Uch là điện áp ổn định của Zener và UEB ổn định tốt theo các thông số thiết kế trong giải làm
việc của mạch khi Rt biến đổi.
Tuy nhiên, khi UV biến đổi thì Uch cũng thay đổi nhỏ và UEB biến đổi từ 0,6V0,7V, nên
dòng tải cũng biến đổi ít khi Uv thay đổi.

6.6.2. Mạch ổn dòng dùng IC ổn định 3 chân

Có thể dùng các loại vi mạch ổn áp 3 chân nhƣ các họ ổn áp dƣơng, ổn áp âm (họ 78 và
79) hoặc họ ổn áp có điện áp ra điều chỉnh đƣợc (LM317, 238) làm mạch ổn dòng, có sơ đồ
nhƣ hình 6.26.

+ Vào 3 2 Ra
LM317
IR1
Hình 6.26: Mạch ổn dòng Điều chỉnh 1 R1
dùng IC ổn áp 3 chân UV (ADJ)

It Ur
C2 C3 Rt

Nối điện trở R1 giữa chân ra và chân điều chỉnh (ADJ) (với họ 78 thì R1 nối giữa chân ra
với chân chung) giá trị điện trở R1 xác định dòng tải (với loại LM317 hay LM238), dòng tại
chân điều chỉnh 50A là rất nhỏ, nên bỏ qua), ta có:
U R1 U ch 1, 25V
I t  I R1    (6.13)
R1 R1 R1

128
 Khi dùng vi mạch ổn áp 3 chân làm mạch ổn dòng thì hiệu suất thấp, nhất là với họ 78,
79.
PRt PRt
%   .100 % (6.14)
Pv PRt  PR1  PIC
Trong đó: PV tổng công suất mạch nhận từ nguồn,
PRt: công suất cấp cho tải.
PR1: công suất tổn hao trên R1.
PIC: công suất tổn hao trên vi mạch.

129
 CHƢƠNG 7: CÁC ỨNG DỤNG CỦA CÁC BỘ BIẾN ĐỔI
CÔNG SUẤT

7.1. HỆ TRUYỀN ĐỘNG ĐỘNG CƠ DC – BỘ CHỈNH LƢU

7.2. TRUYỀN TẢI ĐIỆN MỘT CHIỀU (HVDC)
7.2.1. Giới thiệu
Hệ thống truyền tải điện một chiều điện áp cao (HVDC - High Voltage Direct
Current) là một phƣơng pháp truyền tải điện năng với công suất lớn với khoảng cách xa. Kĩ
thuật truyền tải một chiều này bắt đầu đƣợc phát triển mạnh từ thập niên ba mƣơi thế kỉ trƣớc.
Trƣớc thập niên 70 các van hồ quang thủy ngân đƣợc sử dụng rộng rãi trong việc
thiết kế các hệ thống truyền tải một chiều, sau đó các hệ thống truyền tải một chiều chỉ còn
sử dụng các thiết bị bán dẫn trạng thái rắn (Solid – State Semiconductor Device).
Cùng với sự phát triển của các van điện tử công suất có điều khiển (Thiristor, GTO,
IGBT…) đã khiến cho công nghệ truyền tải điện một chiều trở nên có tính khả thi cao. Đến
nay trên thế giới nhiều nƣớc đã và đang áp dụng hệ thống truyền tải điện một chiều.

7.2.2. Nguyên lý của hệ thống HVDC

Hình 7.1: Sơ đồ nguyên lý của hệ thống HVDC

Quá trình truyền tải điện năng giữa trạm truyền (Trạm Rectifier) tới trạm đến (Trạm
inverter) là quá trình truyền tải điện năng giữa hai trạm biến đổi. Tại trạm biến đổi này điện
áp xoay chiều đƣợc cho qua trạm biến áp để cung cấp một điện áp xoay chiều thích hợp
cung cấp cho bộ biến đổi. Bộ biến đổi biến đổi điện xoay chiều thành một chiều và đƣợc
truyền trên đƣờng dây một chiều đến trạm biến đổi kia.
Điện áp và dòng một chiều đƣợc làm phẳng bằng cuộn san dòng và khử sóng hài bằng
bộ lọc một chiều trên đƣờng dây một chiều. Tại trạm biến đổi dòng điện và điện áp một chiều
từ đƣờng dây tải điện qua bộ biến đổi chuyển thành dòng và điện áp xoay chiều. Điện áp xoay
chiều này đƣợc cho qua trạm biến áp để biến đổi thành điện áp xoay chiều mong muốn.
Trong quá trình truyền tải điện năng giữa hai trạm nói trên vai trò của các mạch
biến đổi tại hai trạm có thể thay đổi cho nhau dẫn đến sự đảo chiều của luồng công suất. Tại
các trạm biến đổi, công suất phản kháng đƣợc cung cấp bởi các nguồn phản kháng.
7.2.3. Cấu tạo của hệ thống HVDC
Một hệ thống truyền tải HVDC cấu tạo nhƣ hình 7.2, bao gồm các thiết bị chính sau:

130
 - Trạm biến áp (Transformer)
- Bộ lọc xoay chiều (AC Filters )
- Bộ biến đổi ( Converter )
- Bộ lọc một chiều (DC Filters)
- Cuộn san dòng (Smoothing reactors)
- Đƣờng dây truyền tải một chiều (DC line)
- Nguồn phản kháng (Reactive power source)
- Hệ thống nối đất và đƣờng trở lại
- Hệ thống bảo vệ và điều khiển (protection & control system)

Hình 7.2: Cấu trúc của một hệ thống HVDC

7.2.4. Ƣu nhƣợc điểm và ứng dụng

7.2.4.1. Ưu điểm
Dƣới đây là một số lợi ích chính của phƣơng pháp truyền tải HVDC so với truyền tải
điện xoay chiều truyền thống:
- Có thể truyền tải công suất trên một khoảng cách lớn mà không bị giảm khả năng tải
nhƣ đƣờng dây xoay chiều (công suất truyền tải giới hạn của đƣờng dây xoay chiều
là hàm của khoảng cách truyền tải và giảm mạnh khi khoảng cách truyền tải tăng
lên).
- Điều khiển dòng năng lƣợng rất nhanh, do đó nâng cao độ ổn định, không chỉ đối
với các liên kết HVDC mà còn đối với hệ thống xoay chiều bao quanh.
- Hƣớng của dòng năng lƣợng có thể thay đổi trong thời gian ngắn

131
 - Việc nối liên kết các hệ thống điện bằng đƣờng dây tải điện một chiều sẽ làm hạn
chế công suất ngắn mạch trong hệ thống điện liên kết.
- Hệ thống HVDC có thể truyền tải công suất lớn hơn đối với cùng một cỡ dây so với
hệ thống xoay chiều.
- Cùng một công suất truyền tải thì cấp điện áp của đƣờng dây HVDC thấp hơn
đƣờng dây AC do đó yêu cầu cách điện cũng đơn giản hơn.
- Hành lang tuyến của đƣờng dây truyền tải điện một chiều nhỏ hơn nhiều so với
truyền tải điện xoay chiều với cùng công suất truyền tải. Tác động môi trƣờng
của truyền tải điện một chiều cũng ít hơn.
- Với bộ biến đổi sử dụng GTO (Gate turn off thyristor) hoặc IGBT (Insulated
Gate Bipolar Transistor) cho phép điều khiển dòng công suất tác dụng và phản
kháng độc lập.
- Cho phép truyền tải điện năng giữa hai hệ thống xoay chiều có tần số khác nhau
(liên kết qua lại giữa hai hệ thống xoay chiều khác tần số).
- Hiện nay công nghệ truyền tải điện một chiều khá phổ biến trên thế giới và có độ tin
cậy cao, đã đƣợc nghiên cứu và vận hành trên 30 năm.
7.2.4.2. Nhược điểm
- Giá thành của bộ biến đổi còn cao
- Bộ biến đổi có khả năng chụi quá tải không cao và rất nhậy cảm với nhiệt độ và độ
ẩm không khí.
- Phải lắp đặt thêm các thiết bị bù công suất phản kháng tại các trạm biến đổi.
- Phát xạ sóng hài vì vậy cần thực hiện các biện pháp triệt tiêu sóng hài do hoạt động
của bộ biến đổi sinh ra thành phần sóng hài bậc cao làm méo dạng dòng xoay chiều
- Không có khả năng sử dụng máy biến áp để điều chỉnh điện áp.
- Rất phức tạp và tốn kém khi lấy công suất dọc đƣờng dây
- Rất phức tạp trong điều khiển
- Trong công nghiệp hệ thống HVDC tỏ ra cạnh tranh hơn HVAC nếu nhƣ
khoảng cách truyền tải là: ≥ 400km ÷ 700 km (với đƣờng dây trên không) và
trong khoảng 50 km (nếu là cáp ngần dƣới đất hay dƣới biển)
7.2.4.3. Ứng dụng
- Truyền tải công suất qua một khoảng cách lớn trên đất liền và dƣới nƣớc.
- Liên kết hai hệ thống xoay chiều khác tần số.
- Kết nối các máy phát điện bắng sức gió, nhà máy thủy điện vào hệ thống.
- Nâng cao độ ổn định của hệ thống.
Đối với các ứng dụng nêu trên hệ thống HVDC tỏ ra là sự lựa chọn kinh tế và giảm
nhiều các tắc hại xấu tới môi trƣờng . Cùng với sự phát triển của kỹ thuật, nhu cầu liên kết
các lƣới điện khu vực, các nỗ lực bảo vệ môi trƣờng đã khiến cho trong nhiều trƣờng hợp
hệ thống truyền tải HVDC là sự lựa chọn số 1.

132
7.3. BỘ KHỞI ĐỘNG MỀM

7.4. BỘ BIẾN TẦN CÔNG NGHIỆP

7.5. NGUỒN LIÊN TỤC (UPS)

7.5.1. Giới thiệu chung về UPS

a) Cung cấp năng lƣợng điện cho những tải nhạy cảm
Sự cố nguồn năng lƣợng điện
Sự cố trong các nguồn năng lƣợng điện có thể xẩy ra trong quá trình lắp đặt trang thiết
bị hoặc ở đầu vào hệ thống (quá tải, nhiễu, mất cân bằng pha, sấm sét, …). Những sự cố này
có thể gây ra những hậu quả khác nhau.
Về mặt lý thuyết: Hệ thống phân phối năng lƣợng điện tạo ra một điện áp hình sin vơi
biên độ và tần số thích hợp để cung cấp cho thiết bị điện (400V-50Hz chẳng hạn).
Trong thực tê, những sóng hình sin điện áp và dòng điện cùng tần số bị ảnh hƣởng trong
phạm vi khác nhau bởi những sự cố có thể xuất hiện trong hệ thống.
Đối với hệ thống cung cấp điện: Có thể bị sự cố hoặc gián đoạn cung cấp điện vì:

 Hiện tƣợng nhiễm điện ở bầu khí quyển (thƣờng không tránh khỏi). Điều này có
thể ảnh hƣởng đến đƣờng dây ngoài trời hoặc cáp chôn, chẳng hạn:
o Sấm sét làm điện áp tăng đột ngột trong hệ thống cung cấp điện.
o Sƣơng giá có thể làm cho đƣờng dây bị đứt

 Những hiện tƣợng ngẫu nhiên, chẳng hạn:

o Cành cây rơi gây gắn mạch hoặc đứt dây
o Đứt cáp do đào đất
o Sự hƣ hỏng trong hệ thống cung cấp
Những thiết bị dùng điện có thể ảnh hƣởng đến hệ thống cung cấp

 Lăp đặt công nghiệp, chẳng hạn:

133
 o Động cơ gây ra điện áp rơi và nhiễm RF trong quá trình khởi động.
o Những thiết bị gây ô nhiễm: lò luyện kim, máy hàn, … gây ra điện áp rơi và
nhiễm RF

 Những hệ thống điện tử công suất cao.

 Thang máy, đèn huỳnh quang

Những sự cố ảnh hƣởng đến việc cung cấp năng lƣợng điện cho thiết bị có thể phân
thành các loại sau: Lệch điện áp, Ngừng hoạt động, Tăng đột ngột điện áp, Thay đổi tần số,
Xuất hiện sóng hài, Nhiễu tần số cao.
Sự cố có thể gây ra những hậu quả nghiêm trọng, đặc biệt là làm gián đoạn việc cung
cấp điện, nhất là hệ thống dữ liệu của máy tính.

b) Giải pháp dùng UPS

Điều cần chú ý trƣớc hết của những sự cố và hậu quả của nó về phƣơng diện:
 An toàn cho con ngƣời
 An toàn cho thiết bị, nhà xƣởng
 Mục tiêu vận hành kinh tế
Từ đó phải tìm cách loại chúng ra. Có nhiều giải pháp kỹ thuật khác nhau cho vấn đề
này, những giải pháp này đƣợc so sánh trên cơ sở của hai tiêu chuẩn sau để đánh giá:
 Liên tục cung cấp điện
 Chất lƣợng cung cấp điện

c) Những chức năng của UPS

Hoạt động nhƣ một giao diện giữa hệ thống cung cấp điện và những tải nhạy cảm. UPS
cung cấp cho tải một năng lƣợng điện liên tục, chất lƣợng cao, không phụ thuộc mọi tình
trạng của hệ thống cung cấp.
UPS tạo ra một điện áp cung cấp tin cậy:

 Không bị ảnh hƣởng của những sự cố của hệ thống cung cấp, đặc biệt khi hệ
thống cung cấp ngừng hoạt động.

 Phạm vi sai số cho phép tuỳ theo yêu cầu của những thiết bị điện từ nhạy cảm
(chẳng hạn: GALAXY-sai số cho phép của biên độ 0,5%, tần số 1%)
UPS có thể cung cấp điện áp tin cậy, độc lập và liên tục thông qua các khâu trung gian:
Acquy và chuyển mạch tĩnh.

7.5.2. Ứng dụng của UPS trong thực tế

Hiện nay nhu cầu ứng dụng UPS trong các lĩnh vực tin học, viễn thông, ngân hàng là rất
lớn. Số lƣợng UPS đƣợc sử dụng gần bằng 1/3 số lƣợng máy tính đang đƣợc sử dụng. Có thể
lấy một vài ví dụ về các thiết bị sử dụng UPS, đó là những máy tính, việc truyền dữ liệu và

134
toàn bộ thiết bị ở một trạng thái nào đó là rất quan trọng và không cho phép đƣợc mất điện.
UPS đƣợc sử dụng trong ngành hàng không để đảm bảo sự thắp sáng liên tục của đƣờng băng
sân bay… Nói tóm lại UPS là một nguồn điện dự phòng nó có mặt ở mọi chỗ mọi nơi, những
nơi đòi hỏi cao về yêu cầu cấp điện liên tục.

135
 TÀI LIỆU THAM KHẢO
[1]. Võ Minh Chính, Điện tử công suất, NXB Khoa học và Kỹ thuật Hà Nội, 2007.
[2]. Nguyễn Xuân Hòe, Bài giảng Nguồn điện, Học viện CNBCVT, 2000.
[3]. Điện tử công suất, Nguyễn Bính, 2002.
[4]. Danial W. Hart, Introduction to power electronics, Prentice Hall, 1997

136