CHƢƠNG 1 .........................................................................................................................

LINH KIỆN ĐIỆN TỬ .......................................................................................................8

1.1. LINH KIỆN THỤ ĐỘNG..................................................................................................8
1.1.1. Điện trở ...............................................................................................................8
1.1.1.1. Khái niệm chung ..........................................................................................8
1.1.1.2. Các tham số kỹ thuật đặc trƣng của điện trở ................................................8
1.1.1.3. Cách đọc trị số của điện trở .........................................................................9
1.1.2. Tụ điện...............................................................................................................12
1.1.2.1. Khái niệm chung ........................................................................................12
1.1.2.2. Các tham số cơ bản của tụ điện .................................................................12
1.1.2.3. Phân loại .....................................................................................................13
1.1.2.4. Cách đọc trị số của tụ. ................................................................................15
1.1.3. Cuộn dây ...........................................................................................................16
1.1.3.1. Khái niệm chung. .......................................................................................16
1.1.3.2. Các tham số ................................................................................................ 16
1.1.3.3. Phân loại .....................................................................................................17
1.1.3.4. Cách đọc trị số cuộn cảm ...........................................................................18
1.2. DIODE BÁN DẪN ........................................................................................................20
1.2.1. Mặt ghép P-N ....................................................................................................20
1.2.1.1. Chất bán dẫn thuần .....................................................................................20
1.2.1.2. Chất bán dẫn tạp chất .................................................................................21
1.2.1.3. Mặt ghép P-N và tính chất chỉnh lƣu .........................................................23
1.2.2. Diode bán dẫn ...................................................................................................27
1.2.2.1. Cấu tạo và ký hiệu của diode .....................................................................27
1.2.2.2. Nguyên lý hoạt động và đặc trƣng Vôn-Ampe của diode .........................27
1.2.2.3. Phân loại .....................................................................................................29
1.2.3. Một số ứng dụng của Diode ..............................................................................32
1.2.3.1. Mạch chỉnh lƣu nửa chu kỳ........................................................................32
1.2.3.2. Mạch chỉnh lƣu 2 nửa chu kỳ.....................................................................32
1.2.3.3. Mạch nhân áp .............................................................................................34
3.1. TRANSISTOR LƢỠNG CỰC (BJT) ...............................................................................35
1.3.1. Cấu tạo, ký hiệu và nguyên lý hoạt động của transistor ...................................35
1.3.1.1. Cấu tạo, ký hiệu .........................................................................................35
1.3.1.2. Nguyên lý hoạt động của Transistor ..........................................................36
1.3.1.3. Tham số của Transistor ..............................................................................38
1.3.2. Các cách mắc cơ bản của Transistor................................................................ 38
4
 1.3.2.1. Mạch Base chung (BC) ..............................................................................39
1.3.2.2. Mạch Emitter chung ( EC) .........................................................................40
1.3.2.3. Mạch Collector chung ( CC) ......................................................................42
1.3.3. Phân cực cho BJT .............................................................................................44
1.3.3.1. Đƣờng tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh ........................................................44
1.3.3.2. Mạch phân cực cố định ..............................................................................44
1.3.3.3. Mạch phân cực ổn định cực Emitter ..........................................................47
1.3.3.4. Mạch phân cực phân áp .............................................................................49
1.3.3.5. Mạch phân cực hồi tiếp âm điện áp ...........................................................51
1.4. TRANSISTOR TRƢỜNG (FET) ....................................................................................53
1.4.1. Giới thiệu chung ................................................................................................ 53
1.4.2. Cấu tạo và đặc tính của JFET ..........................................................................54
1.4.2.1. Cấu tạo và ký hiệu ......................................................................................54
1.4.2.2. Nguyên lý hoạt động ..................................................................................54
1.4.3. Cấu tạo đặc tính của MOSFET .........................................................................57
1.4.3.1. Cấu tạo và ký hiệu của MOSFET kênh liên tục.........................................57
1.4.3.2. Cấu tạo và ký hiệu của MOSFET kênh gián đoạn (cảm ứng). ..................59
1.5. PHÂN CỰC CHO FET .................................................................................................60
1.5.1. Giới thiệu ..........................................................................................................60
1.5.2. Mạch phân cực cố định .....................................................................................61
1.5.3. Mạch tự phân cực.............................................................................................. 62
1.5.4. Mạch phân cực phân áp ...................................................................................65
1.5.5. Các loại MOSFET kênh đặt sẵn .......................................................................67
1.5.6. Các loại MOSFET kênh cảm ứng .....................................................................68
1.6. CÁC DỤNG CỤ BÁN DẪN KHÁC ..................................................................................72
1.6.1. Transistor một chuyển tiếp (UJT: Unijunction Transistor) .............................. 72
1.6.1.1. Cấu tạo và ký hiệu ......................................................................................72
1.6.1.2. Nguyên lý hoạt động ..................................................................................72
1.6.1.3. Ứng dụng của UJT .....................................................................................74
1.6.2. Thyristor (SCR: Silicon Controlled Rectifier) ..................................................75
1.6.2.1. Cấu tạo và ký hiệu ......................................................................................75
1.6.2.2. Nguyên lý hoạt động ..................................................................................75
1.6.2.3. Ứng dụng của Thyristor .............................................................................77
1.6.3. Triac, Diac ........................................................................................................77
1.6.3.1. Triac (Triode for Alternating Curent) ........................................................77
1.6.3.2. Diac ............................................................................................................79
1.6.4. Các linh kiện quang điện tử ..............................................................................80
1.6.4.1. Khái niệm chung ........................................................................................80

5
 1.6.4.2. Điện trở quang............................................................................................80
1.6.4.3. Diode quang ............................................................................................... 82
1.6.4.4. Diode phát quang (LED) ............................................................................82
1.6.4.5. Transistor quang .........................................................................................84
CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP ...................................................................................................86

CHƢƠNG 2 .......................................................................................................................90

MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ TẦN SỐ THẤP ...........................................90

2.1. KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG TRANSISTOR LƢỠNG CỰC ...................................90
2.1.1. Giới thiệu ..........................................................................................................90
2.1.2. Các mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ ....................................................................91
2.1.2.1. Mạch Emitter chung (EC) ..........................................................................91
2.1.2.2. Mạch Collector chung ................................................................................93
2.1.2.3. Mạch Base chung BC ................................................................................94
2.2. CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG FET ...................................................96
2.2.1. Giới thiệu ..........................................................................................................96
2.2.2. Mô hình của FET ở chế độ tín hiệu nhỏ ...........................................................96
2.2.2.1. Cách xác định gm bằng phƣơng pháp hình học (hình 2.10) .......................97
2.2.2.2. Tính gm bằng biểu thức toán học ................................................................ 98
2.2.2.3. Ảnh hƣởng của ID tới gm ............................................................................99
2.2.2.4. Trở kháng vào ZV của FET ........................................................................99
2.2.2.5. Trở kháng ra Zr.........................................................................................100
2.2.2.6. Mạch tƣơng đƣơng của FET ở chế độ xoay chiều ...................................100
2.2.3. Sơ đồ phân cực cố định của JFET ..................................................................101
2.2.4. Sơ đồ tự phân cực JFET..................................................................................103
2.2.5. Sơ đồ phân áp JFET ........................................................................................107
2.2.6. Sơ đồ lặp cực nguồn ........................................................................................108
2.2.7. Sơ đồ JFET cổng chung ..................................................................................110
CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP .................................................................................................113

CHƢƠNG 3 ..................................................................................................................1156

KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN .....................................................................................116

3.1. CÁC ĐẶC TÍNH VÀ THAM SỐ CƠ BẢN .......................................................................116
3.1.1. Các khái niệm cơ bản ......................................................................................116
3.1.2. Đặc tuyến truyền đạt .......................................................................................117
3.2. CÁC SƠ ĐỒ CƠ BẢN CỦA BỘ KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN ..........................................117

6
 3.2.1. Bộ khuếch đại đảo ...........................................................................................117
3.2.2. Mạch khuếch đại không đảo ...........................................................................119
3.2.3. Mạch cộng .......................................................................................................119
3.2.3.1. Mạch cộng đảo .........................................................................................119
3.2.3.2. Mạch cộng không đảo ..............................................................................120
3.2.4. Mạch trừ ..........................................................................................................120
CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP .................................................................................................124

CHƢƠNG 4 .....................................................................................................................127

MẠCH NGUỒN CUNG CẤP ........................................................................................127

4.1. GIỚI THIỆU CHUNG ..................................................................................................127
4.2. BIẾN ÁP NGUỒN VÀ MẠCH CHỈNH LƢU ....................................................................127
4.2.1. Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ .............................................................................128
4.2.2. Chỉnh lưu hai nửa chu kỳ ................................................................................128
4.2.2.1. Chỉnh lƣu hai nửa chu kì sử dụng hai diode ............................................128
4.2.2.2. Chỉnh lƣu hai nửa chu kỳ sử dụng mạch chỉnh lƣu cầu ...........................129
4.2.2.3. Mạch bội áp ..............................................................................................129
4.3. TỔNG QUAN VỀ BỘ LỌC...........................................................................................130
4.3.1. Bộ lọc dùng tụ điện .........................................................................................131
4.3.2. Bộ lọc RC ........................................................................................................134
4.4. MẠCH ỔN ÁP ...........................................................................................................136
4.4.1. Mạch ổn áp dùng diode zener .........................................................................136
4.4.2. Mạch ổn áp dùng transistor ............................................................................139
4.4.2.1. Mạch ổn áp nối tiếp ..................................................................................139
4.4.2.2. Ổn áp song song .......................................................................................143
4.4.3. Ổn áp dùng IC .................................................................................................145
4.4.3.1. Ổn áp cố định dòng IC .............................................................................145
4.4.3.2. Ổn áp dùng IC có thể điều chỉnh đƣợc điện áp ra ....................................146
4.4.4. Một số mạch ổn áp khác dùng IC ...................................................................147
4.4.4.1. Mạch tăng dòng ra....................................................................................147
4.4.4.2. Mạch tăng điện áp ra ................................................................................147
CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP .................................................................................................148

TÀI LIỆU THAM KHẢO ..............................................................................................150

7
 Chƣơng 1

Linh kiện điện tử

1.1. Linh kiện thụ động
1.1.1. Điện trở
1.1.1.1. Khái niệm chung
- Điện trở là linh kiện dùng để ngăn cản dòng điện trong mạch.

R R

Hình 1.1: Hình dạng và ký hiệu điện trở

Đơn vị đo điện trở: Để đặc trƣng khả năng cản trở dòng điện nhiều hay ít, ngƣời
ta dùng đơn vị đo điện trở là  (Ôm), k (Kilô Ôm), M (Mêga Ôm)…
1M = 103k = 106
1.1.1.2. Các tham số kỹ thuật đặc trưng của điện trở
Để đánh giá và lựa chọn điện trở ta phải dựa vào các tham số của nó. Các tham
số gồm có:
a) Trị số điện trở và dung sai
+ Trị số của điện trở là tham số cơ bản, và yêu cầu trị số điện trở phải ổn định,
ít thay đổi theo nhiện độ, độ ẩm, v.v... Trị số của điện trở phụ thuộc vào vật liệu cản
điện, vào kích thƣớc của điện trở và nhiệt độ môi trƣờng.
+ Dung sai hay sai số của điện trở: Dung sai biểu thị mức độ chênh lệch của trị
số thực tế của điện trở so với trị số danh định và đƣợc tính theo %.
b) Công suất tiêu tán cho phép (Pttmax)
Khi có dòng điện chạy qua, điện trở tiêu tán năng lƣợng điện dƣới dạng nhiệt
một công suất là:
U2
Ptt  R.I 2  [W ] (1.1)
R

8
 Công suất tiêu tán cho phép của điện trở Pttmax là công suất điện cao nhất mà
điện trở có thể chịu đựng đƣợc, nếu quá mức đó điện trở sẽ nóng cháy và không dùng
đƣợc.
U 2 max
Ptt max  R.I 2 max  [W ] (1.2)
R
c) Hệ số nhiệt của điện trở: TCR
Hệ số nhiệt của điện trở biểu thị sự thay đổi trị số của điện trở theo nhiệt độ môi
trƣờng và đƣợc tính theo công thức:
1 R 6
TCR  10 [ ppm/ o c] (1.3)
R T
trong đó:
R: là trị số của điện trở
R: là đại lƣợng thay đổi của trị số điện trở khi nhiệt độ thay đổi một lƣợng là
T.
TCR: là trị số biến đổi tƣơng đối tính theo phần triệu của điện trở trên 1oC (viết
tắt là ppm/oC) .
1.1.1.3. Cách đọc trị số của điện trở
Cách đọc trị số của điện trở tuỳ thuộc vào cách biểu diễn điện trở.
 Ghi bằng số và chữ
Thƣờng ghi các chữ R, K, M. Chữ R ứng với đơn vị , chữ K ứng với đơn vị
k, chữ M ứng với đơn vị M. Vị trí của chữ thể hiện vị trí của dấu phẩy trong chữ số
thập phân.

9
 Đặc biệt đối với điện trở dán: Điện trở dán dùng 3 chữ
số in trên thân linh kiện để chỉ giá trị của điện trở. 2 chữ số
đầu là giá trị thông dụng và số thứ 3 là số mũ của mƣời (số
các số 0 thêm vào).
Biểu thị trị số điện trở bằng các vòng màu
Bảng quy luật màu

4 vạch màu

Đen
Nâu
Đỏ
Cam
Vàng
Xanh lá
Xanhcây
lam
Tím
Xám
Trắng
Nhũ vàng
Nhũ bạc

5 vạch màu

Thƣờng dùng 4 vòng hoặc 5 vòng để biểu diễn. Các quy định màu đối với điện
trở 4 vòng màu nhƣ sau:
Vòng 1, 2 là vòng giá trị.
Vòng 3 là vòng biểu thị số luỹ thừa của 10.
Vòng 4 là vòng sai số.
Để xác định thứ tự vòng màu căn cứ vào ba đặc điểm:
- Vòng 1 gần đầu điện trở nhất.
- Tiết diện vòng cuối cùng là lớn nhất.

10
 - Vòng 1 không bao giờ là nhũ vàng, nhũ bạc.

Hình 1.2: Ví dụ xác định giá trị điện trở 4 vòng màu

Trƣờng hợp điện trở 3 vòng màu (vòng 4 trùng với thân điện trở) có sai số 20%.
Với điện trở 5 vòng màu gồm 3 vòng giá trị, vòng 4 biểu thị số luỹ thừa của 10,
vòng 5 biểu thị sai số.

Hình 1.3: Ví dụ xác định giá trị điện trở 5 vòng màu

 Biến trở
Biến trở là điện trở có giá trị thay đổi đƣợc.
Ký hiệu trên mạch:

VR

Hình 1.4: Ký hiệu và hình dạng của biến trở

Biến trở có hai dạng: Điện trở biến đổi và chiết áp:

11
 Điện trở biến đổi đƣợc chế tạo nhƣ điện trở không đổi nhƣng có thêm con trƣợt
để thay đổi trị số. Chiết áp cũng là điện trở biến đổi.
1.1.2. Tụ điện
1.1.2.1. Khái niệm chung
Tụ điện là một linh kiện có khả năng phóng nạp điện tích.
Cấu tạo chung gồm hai bản cực làm bằng kim loại đặt song song, cách điện với
nhau, môi trƣờng giữa 2 bản cực này đƣợc gọi là điện môi. Từ hai bản cực nối với hai
dây dẫn ra ngoài làm hai chân tụ, toàn bộ đặt trong vỏ bảo vệ.
Bản cực

Chân tụ
Vỏ bọc
Chất điện môi

Hình 1.5a: Cấu tạo của tụ điện

Ký hiệu của tụ trên mạch điện:

C
+
Tụ thƣờng Tụ có điện dung thay đổi

Hình 1.5b: Ký hiệu của tụ điện

Để đặc trƣng cho khả năng phóng nạp điện tích của tụ điện ngƣời ta đƣa ra khái
niệm điện dung. Đơn vị đo điện dung là F, F, nF, pF…
1F = 106F =109nF = 1012pF
1.1.2.2. Các tham số cơ bản của tụ điện
Mỗi một loại tụ điện đều có các tham số kỹ thuật để giúp ta lựa chọn và sử dụng
tụ điện một cách tốt nhất. Tụ điện gồm có các tham số chính sau:
a) Trị số điện dung và dung sai
+ Trị số điện dung(C): Trị số điện dung tỉ lệ với tỉ số giữa điện tích hữu dụng
của bản cực S với khoảng cách giữa hai bản cực. Điện dung đƣợc tính theo công thức:
C = ξ.S/(4.k.d.π) (1.4)

trong đó:
C: là điện dung tụ điện, đơn vị là Fara (F).
ξ: Là hằng số điện môi của lớp cách điện.
12
 d: là chiều dày của lớp cách điện.
S: là diện tích bản cực của tụ điện.
k = 9.109
+ Dung sai của tụ điện: Đây là tham số chỉ độ chính xác của trị số điện dung
thực tế so với trị số danh định của nó.
b) Điện áp làm việc
Mỗi tụ điện chỉ có một điện áp làm việc nhất định, nếu quá điện áp này lớp
điện môi sẽ bị đánh thủng và làm hỏng tụ điện.
c) Điện trở cách điện
Tính chất và kích thƣớc của điện môi quyết định điện trở cách điện của tụ điện.
Đối với tụ hoá điện trở cách điện đƣợc biểu thị bằng dòng dò.
d) Hệ số nhiệt của tụ điện
Khi nhiệt độ xung quanh biến đổi sẽ làm cho kích thƣớc của các bản, khoảng
cách giữa các bản và cả hệ số điện môi thay đổi, nên điện dung sẽ biến đổi. Sự biến
thiên tƣơng đối của điện dung khi nhiệt độ thay đổi 10C gọi là hệ số nhiệt của tụ điện.
e) Điện cảm tạp tán
Phụ thuộc vào kích thƣớc của các bản và các đầu nối. Điện cảm này dẫn đến
cộng hƣởng. Để công tác ổn định, tần số công tác lớn nhất phải nhỏ hơn tần số cộng
hƣởng của tụ điện.
1.1.2.3. Phân loại
Tụ điện thƣờng phân loại theo cấu tạo, có hai loại: tụ điện cố định và tụ điện
biến đổi.
a) Tụ giấy
Chất cách điện trong tụ giấy làm
bằng những loại giấy mỏng cách điện
không thấm nƣớc còn đầu ra làm bằng các
lá kim loại rất mỏng.
Đối với tụ giấy có điện dung nhỏ
hơn 0,1F, điện trở cách điện ít nhất là
5000M; còn với tụ giấy có điện dung lớn hơn 0,1F, điện trở cách điện nhỏ hơn.
Phẩm chất của tụ giấy vào khoảng 60-100.

13
 Tụ giấy dùng để phân đƣờng, ngăn, nối tầng, lọc trong những mạch điện tần số
thấp.

b) Tụ mica
Chất cách điện trong tụ mica
làm bằng các bản mica chất luợng
cao, các bản tụ điện làm bằng các lá
kim loại mỏng hay một lớp bạc mỏng
tráng lên một mặt của bản mica. Tụ
điện mica có các bản làm bằng lá kim
loại kém ổn định hơn loại tráng một
lớp bạc.
Tụ mica có tổn hao rất bé và điện trở cách điện cao (khoảng 10000 M) nên
đƣợc dùng chủ yếu trong các mạch cao tần, các phần tử cách ly trong các máy radio.
c) Tụ gốm
Cấu tạo: gồm một miếng gốm nhỏ hình
trụ hoặc giống khuy áo hai mặt đƣợc tráng
bạc, cách điện với nhau tạo thành hai má của
tụ điện (chất điện môi là gốm).
Đặc tính: kích thƣớc nhỏ, điện dung
lớn. Tụ gốm hình đĩa trị số điện dung nhỏ thƣờng đƣợc ghi bằng pF, lớn hơn đƣợc ghi
bằng F. Tụ gốm kích thƣớc nhỏ dùng trong các mạch thông thƣờng hiện nay có điện
áp làm việc cực đại cho phép là 50 V.
d) Tụ hoá
Tụ hoá có trị số điện dung rất lớn, so
với các tụ khác thƣờng đạt từ vài F đến vài
nghìn F. Chất điện môi dùng trong tụ hoá
thƣờng là hợp chất hoá học nhƣ Al203 hoặc
oxit tantan Ta205. Đặc điểm của chất điện
môi này là có tính chất dẫn điện không đổi
nghĩa là khi đặt điện áp một chiều lên tụ thì
tụ có một chiều điện trở rất cao và một chiều
có điện trở rất nhỏ do đó phải phân cực + và cực – và đƣợc ghi trên thân tụ. Khi lắp tụ
vào trong mạch phải chú ý cực tính của tụ.

14
 e) Tụ biến đổi (tụ xoay)
Tụ xoay là một hệ thống gồm các má động và các má tĩnh đƣợc đặt xen kẽ với
nhau. Các má động có thể xoay quanh một trục để thay đổi S dẫn đến thay đổi giá trị
C. Chất điện môi có thể là chất khí, mica, thạch anh. Khi C = C max thì hai nhóm má
tĩnh và động hoàn toàn đối điện nhau nghĩa là S = Smax.
Khi C = Cmin thì hai nhóm má tĩnh và động hoàn toàn lệch nhau nghĩa là S =
Smim
Trục xoay

Má động

Má tĩnh

Hình 1.6: Cấu tạo của tụ xoay

f) Tụ tinh chỉnh
Có nhiều loại tụ tinh chỉnh:
+ Tụ tinh chỉnh bằng sứ: có kích thƣớc nhỏ, các chỉ tiêu về điện cao.
+ Tụ tinh chỉnh có lò xo gồm có hai bản cực kim loại, giữa hai bản là một
chất điện môi. Một bản cố định, còn một bản có thể đàn hồi đƣợc, khi ta vặn đinh ốc
thì bản đàn hồi sẽ gần hoặc cách xa bản cố định do đó điện dung có thể biến đổi đƣợc.
Loại này không ổn định nhƣng đơn giản.
1.1.2.4. Cách đọc trị số của tụ.
Cách đọc trị số của tụ điện tuỳ thuộc vào cách biểu diễn tụ điện.
 Ghi bằng số và chữ: Ghi bằng số và chữ: Chữ K, Z, J,  ứng với đơn vị
pF; chữ n, H ứng với đơn vị nF; chữ M, m ứng với đơn vị F. Vị trí của chữ thể hiện
chữ số thập phân, giá trị của số thể hiện giá trị tụ điện.
- Ghi bằng các con số không kèm theo chữ:
+ Nếu các con số kèm theo dấu chấm hay phẩy thì đơn vị là F, vị trí dấu phẩy
(dấu chấm) thể hiện chữ số thập phân.
+ Nếu các con số không kèm theo dấu thì đơn vị là pF và con số cuối cùng biểu
thị số luỹ thừa của 10. Đặc biệt số cuối cùng là số “0” thì con số đó là giá trị thực.

15
Ví dụ:

 Ghi bằng quy luật màu

Khi tụ điện đƣợc biểu diễn theo các vạch màu thì giá trị các vạch màu cũng
giống nhƣ điện trở, đơn vị tính của nó là pF.
Riêng đối với tụ phân cực thì cực tính đƣợc ghi trên thân tụ.
1.1.3. Cuộn dây
1.1.3.1. Khái niệm chung.
Cuộn dây là một linh kiện có khả năng cảm ứng điện từ. Cuộn dây gồm những
vòng dây quấn trên một cốt bằng chất cách điện có lõi hoặc không lõi tuỳ theo tần số
làm việc.

Cuộn dây lõi Ferit Cuộn dây lõi sắt từ Cuộn dây không lõi

Hình 1.7: Ký hiệu của cuộn dây

Để đặc trƣng cho khả năng cảm ứng điện từ ngƣời ta đƣa ra khái niệm điện
cảm. Đơn vị đo điện cảm là H, mH, H.
1H = 103 mH = 106 H
1.1.3.2. Các tham số
a) Độ tự cảm của cuộn dây: L
S
L  r 0 N 2 (1.5)
l
Trong đó:
S: là tiết diện của cuộn dây (m2).
N: là số vòng dây.

16
 L: là chiều dài của cuộn dây (m).
r, 0: là độ từ thẩm của vật liệu lõi sắt từ và của không khí
(H/m).
b) Hệ số phẩm chất của cuộn dây: (Q)
Để tính hệ số phẩm chất của cuộn dây ta xem xét đến sự tổn thất của
cuộn dây khi có dòng điện chạy qua. Một cuộn dây thực khi có dòng điện chạy qua
luôn có tổn thất đó là công suất điện hao phí để làm nóng cuộn dây. Các tổn thất này
đƣợc biểu thị bởi một điện trở RS nối tiếp với điện kháng XL của cuộn dây. Hệ số
phẩm chất Q của cuộn dây là tỷ số của cảm kháng XL trên điện trở nối tiếp hiệu dụng
RS đó.
XL
Q (1.6)
RS

c) Tần số làm việc giới hạn (fgh)

Cuộn dây thực còn có tần số làm việc bị giới hạn bởi điện dung riêng của nó
(đó là điện dung phân tán giữa các vòng dây,...). Ở tần số thấp, điện dung này đƣợc bỏ
qua vì dung kháng của nó rất lớn. Nhƣng ở tần số cao thì cuộn dây trở thành một mạch
cộng hƣởng song song.
1.1.3.3. Phân loại
* Dựa theo ứng dụng mà cuộn dây có một số loại sau:
- Cuộn cộng hƣởng là các cuộn dây dùng trong các mạch cộng hƣởng LC.
- Cuộn lọc là các cuộn dây dùng trong các bộ lọc một chiều.
- Cuộn chặn dùng để ngăn cản dòng cao tần, v.v...
* Dựa vào loại lõi của cuộn dây, có thể chia các cuộn dây ra một số loại sau.
Chúng ta sẽ xem xét cụ thể từng loại một:
Cuộn dây lõi không khí hay cuộn dây không có lõi
Cuộn dây lõi không khí là các cuộn dây đƣợc quấn trên cốt bằng bìa hoặc cốt
bằng sứ, hoặc không có cốt. Thƣờng gặp nhất là các cuộn cộng hƣởng làm việc ở tần
số cao và siêu cao.
Các yêu cầu chính của cuộn cảm không lõi là:
- Điện cảm phải ổn định ở tần số làm việc.
- Hệ số phẩm chất cao ở tần số làm việc. Muốn hệ số phẩm chất tốt thì
chiều dài cuộn dây chỉ nên bằng hoặc gấp rƣỡi lần đƣờng kính lõi.

17
 - Điện dung ký sinh C nhỏ.
Các cuộn dây thƣờng đƣợc tẩm để chống ẩm, tăng độ bền cơ học, ở tần số
Radio các cuộn dây thƣờng đƣợc bọc kim để tránh các liên kết điện từ không mong
muốn.
Cuộn dây lõi sắt bụi
Cuộn dây lõi sắt bụi (bột nguyên chất trộn với chất dính không từ tính) đƣợc
dùng ở tần số cao và trung tần. Cuộn dây lõi sắt bụi có tổn thất thấp, đặc biệt là tổn hao
do dòng điện xoáy ngƣợc, và độ từ thẩm thấp hơn nhiều so với loại lõi sắt.
Chế tạo cuộn dây lõi sắt bụi giống nhƣ cuộn dây lõi không khí. Cuộn dây lõi sắt
bụi cũng có yêu cầu giống nhƣ cuộn dây lõi không khí cao tần về ảnh hƣởng điện dung
riêng của cuộn dây, về tổn thất điện môi và hiệu ứng mặt ngoài.
Cuộn cảm có lõi Ferit
Cuộn dây lõi Ferit là các cuộn dây làm việc ở tần số cao và trung tần. Lõi Ferit
có nhiều hình dạng khác nhau nhƣ: thanh, ống, hình chữ E, chữ C, hình xuyến, hình
nồi, hạt đậu,v,v...Dùng lõi hình xuyến dễ tạo điện cảm cao, tuy vậy lại dễ bị bão hoà từ
khi có thành phần một chiều.
Cuộn dây lõi sắt từ
Lõi của cuộn dây thƣờng là hợp chất sắt-silic và sắt silic hạt định hƣớng, hoặc
hợp chất sắt-niken tuỳ theo mục đích ứng dụng. Đây là các cuộn dây làm việc ở tần số
thấp. Dây quấn là dây đồng đã đƣợc tráng men cách điện, quấn thành nhiều lớp có
cách điện giữa các lớp và đƣợc tẩm chất chống ẩm sau khi quấn.
Cuộn chặn tần số thấp đƣợc dùng chủ yếu để lọc bỏ điện áp gợn cho nguồn
cung cấp một chiều qua chỉnh lƣu, làm tải anôt trong các tầng khuếch đại, và trong các
ứng dụng một chiều khác.
1.1.3.4. Cách đọc trị số cuộn cảm
Tƣơng tự nhƣ đối với điện trở, trên thế giới có một số loại cuộn cảm có cấu trúc
tƣơng tự nhƣ điện trở. Quy định màu và cách đọc màu đều tƣơng tự nhƣ đối với các
điện trở. Tuy nhiên, do các giá trị của các cuộn cảm thƣờng khá linh động đối với yêu
cầu thiết kế mạch cho nên các cuộn cảm thƣờng đƣợc tính toán và quấn theo số vòng
dây xác định.

18
 Ghi bằng quy luật màu

Màu Vạch 1 Vạch 2 Hệ số Dung sai

Đen
Nâu ±1%
Đỏ ±2%
Cam
Vàng
Xanh lá cây
Xanh lam
Tím
Xám
Trắng
Không màu ±20%
Nhũ vàng 0.1 ±5%
Nhũ bạc ±10%

 Ghi bằng chấm màu

- Chấm I, II, III đọc giống điện trở, đơn vị là H.
- L: Số lũy thừa 10 I II
L S
S I II
III L
Ư
- S: Sai số.

Hình 1.8: Cuộn dây bằng chấm màu

l

Ví dụ 1: Chấm I: Nâu; chấm II: đen; chấm L: đen; chấm S: nâu

L = 10. 100  1% H.
Ví dụ 2: Chấm I: Nâu; chấm II: đen; chấm III: đen; chấm S: đỏ; chấm L: nâu

19
 L = 100.101  2% H.
1.2. Diode bán dẫn
1.2.1. Mặt ghép P-N
1.2.1.1. Chất bán dẫn thuần

Chất bán dẫn mà ở mỗi nút của mạng tinh thể của nó chỉ có nguyên tử của một
loại nguyên tố thì chất đó gọi là chất bán dẫn thuần (Intrinsic).

Hai chất bán dẫn thuần hay đƣợc sử dụng nhất trong kỹ thuật điện tử là Silic và
Gecmani. Trong đó Si đƣợc sử dụng nhiều hơn Ge.

Silicon Germanium
Hình 1.9: Cấu trúc nguyên tử của Si và Ge

Hình 1.9 là cấu trúc nguyên tử của Silic và Gemani. Silic và Gemani đều có 4
điện tử hoá trị. Các điện tử hoá trị trong nguyên tử Gemani ở lớp thứ tƣ còn điện tử
hoá trị của nguyên tử Silic ở lớp thứ ba, gần hạt nhân hơn. Có nghĩa là các điện tử hoá
trị trong nguyên tử Gemani có mức năng lƣợng cao hơn trong nguyên tử Silic, do đó
chỉ cần một năng lƣợng nhỏ thì điện tử hoá trị của nguyên tử Gemani sẽ trở thành điện
tử tự do. Điều này làm cho Gemani không ổn định ở nhiệt độ cao, đây là lý do tại sao
Silic là vật liệu bán dẫn đƣợc sử dụng rộng rãi.
Silic và Gemani có cấu trúc mạng tinh thể, nghĩa là mỗi nguyên tử Silic (hoặc
Gemani) liên kết với bốn nguyên tử xung quanh theo liên kết cộng hoá trị (hình 1.10).

20
 a) b)
các electron góp
chung

Hình 1.10: a) Cấu trúc mạng tinh thể; b) Liên kết cộng hoá trị trong Si

Hạt tải điện trong chất bán dẫn thuần

Tinh thể Silic thuần ở nhiệt độ phòng nhận đƣợc một năng lƣợng (nhiệt, ánh
sáng) từ môi trƣờng ngoài, làm cho một số điện tử hoá trị đƣợc tăng năng lƣợng và
nhảy mức từ vùng hoá trị lên vùng dẫn, trở thành điện tử tự do và gọi là điện tử dẫn
điện. Khi điện tử nhảy lên vùng dẫn để lại một khoảng trống ở vùng hoá trị và gọi là lỗ

điện tử tự
vùng dẫn do

lỗ trống
vùng hoá trị

Hình 1.11. Quá trình tạo ra cặp điện tử tự do - lỗ trống trên đồ thị vùng năng lượng
trống hình 1.11. Do đó khi có năng lƣợng ngoài kích thích thì tạo nên một cặp điện tử-
lỗ trống. Sự tái hợp xuất hiện khi điện tử ở vùng dẫn bị mất năng lƣợng và quay trở về
lỗ trống trong vùng hoá trị.
Trong chất bán dẫn thuần, nồng độ điện tử tự do bằng nồng độ lỗ trống và đƣợc
ký hiệu là ni: n = p = ni
1.2.1.2. Chất bán dẫn tạp chất
Chất bán dẫn mà một số nguyên tử ở nút mạng tinh thể của nó đƣợc thay thế
bằng nguyên tử của chất khác gọi là chất bán dẫn tạp chất.
Có hai chất bán dẫn tạp chất là: chất bán dẫn loại N và chất bán dẫn loại P.

21
  Chất bán dẫn loại N
Ngƣời ta pha thêm các nguyên tử nhóm V nhƣ As (asen), P (photpho), Bi
(bitmut), Sb (antimon) vào chất bán dẫn thuần Silic hoặc Gemani. Các nguyên tử tạp
chất nhóm V sẽ thay thế một số các nguyên tử của Si (hoặc Ge) trong mạng tinh thể,
nó sẽ góp 4 điện tử trong 5 điện tử hóa trị của mình vào liên kết cộng hóa trị với 4
nguyên tử Si (hoặc Ge) lân cận, còn điện tử thứ 5 sẽ thừa ra nên liên kết của nó trong
mạng tinh thể là rất yếu, xem hình 1.12. Các tạp chất nhóm V đƣợc gọi là tạp chất cho
điện tử (Donor) hay tạp chất n.
Electron tự do
từ nguyên
tử Sb

Vùng dẫn

Mức năng
lƣợng
Vùng hoá trị
tạp chất

Hình 1.12: Đồ thị vùng năng lượng và cấu trúc mạng tinh thể của
chất bán dẫn loại N

Số lƣợng electron dẫn điện có thể thay đổi đƣợc bằng cách thay đổi nồng độ
chất pha tạp vào. Electron dẫn điện đƣợc tạo ra do sự pha tạp nhƣng lại không tạo ra lỗ
trống ở vùng hoá trị. Ở chất bán dẫn tạp loại N: nồng độ hạt dẫn điện tử (n n) nhiều hơn
nhiều nồng độ lỗ trống pn và điện tử đƣợc gọi là hạt dẫn đa số, lỗ trống đƣợc gọi là hạt
dẫn thiểu số:

nn >> pn
trong đó: nn: là nồng độ hạt dẫn điện tử trong bán dẫn tạp loại N
pn: là nồng độ hạt dẫn lỗ trống trong bán dẫn tạp loại N
 Chất bán dẫn loại P
Để tạo ra chất bán dẫn loại P, ngƣời ta pha các nguyên tử có hoá trị III,
ví dụ nhƣ các nguyên tử Al (nhôm), B (Bo), In (Indi), Ga (Gali), vào chất bán dẫn
thuần Silic hoặc Gemani.

22
 lỗ trống từ nguyên
tử B
Mức năng Vùng dẫn
lƣợng
tạp chất

Vùng hoá trị

Hình 1.13: Đồ thị vùng năng lượng và cấu trúc mạng tinh thể của
chất bán dẫn loại P

Nhƣ minh hoạ ở hình 1.13 mỗi nguyên tử tạp chất (ví dụ là B) liên kết cộng hoá
trị với 4 nguyên tử Silic xung quanh. Ba electron hoá trị của nguyên tử B tham gia vào
liên kết cộng hoá trị với các nguyên tử Silic mà do cần bốn electron hoá trị nên một lỗ
trống đƣợc tạo ra. Điện tử của mối liên kết gần đó có thể nhảy sang để hoàn chỉnh mối
liên kết thứ 4 còn để dở. Do nguyên tử tạp chất có thể nhận electron nên gọi là nguyên
tử nhận (acceptor).
Trong chất bán dẫn P dòng điện đƣợc tạo ra phần lớn là do các lỗ trống nên các
lỗ trống đƣợc gọi là hạt dẫn đa số. Nhƣng cũng có một số các electron tham gia vào
quá trình dẫn điện khi cặp điện tử - lỗ trống đƣợc tạo ra do hiện tƣợng nhiệt. Các
electron này đƣợc gọi là hạt dẫn thiểu số. Trong chất bán dẫn loại P:
pP >> nP
trong đó: pP: nồng độ hạt dẫn lỗ trống trong bán dẫn P
nP: nồng độ hạt dẫn điện tử trong bán dẫn P
Số lƣợng lỗ trống có thể thay đổi đƣợc bằng cách thay đổi số nguyên tử tạp chất
pha tạp vào. Lỗ trống đƣợc tạo ra do sự pha tạp không phụ thuộc vào điện tử tự do.
1.2.1.3. Mặt ghép P-N và tính chất chỉnh lưu

a) Phương pháp tạo mặt ghép P-N

Trên một miếng bán dẫn đơn tinh thể, bằng các phƣơng pháp công nghệ pha
tạp, ta tạo ra hai vùng có bản chất dẫn điện khác nhau: một vùng là bán dẫn tạp loại P
và một vùng kia là bán dẫn tạp loại N. Nhƣ vậy, tại ranh giới tiếp xúc giữa hai vùng
bán dẫn P và N này sẽ xuất hiện một lớp có đặc tính vật lý khác hẳn với hai vùng bán
dẫn P và N, đƣợc gọi là mặt ghép P-N (lớp tiếp giáp P-N) hình 1.14a.

23
 Hình 1.14: a) Mặt ghép P-N
b) Sự hình thành miền nghèo

b) Mặt ghép P-N khi chưa phân cực

Ngay khi tạo tiếp xúc P-N, do tồn tại một giá trị lớn gradient nồng độ hạt dẫn
giữa hai phía của lớp tiếp giáp nên các điện tử tự do trong miền N ở lân cận lớp tiếp
xúc bắt đầu khuếch tán sang miền P, ở đây chúng kết hợp với các lỗ trống ở gần lớp
tiếp xúc. Miền N mất các điện tử tự do, tạo ra một lớp tích điện dƣơng gần lớp tiếp
xúc. Miền P nhận thêm các điện tử tự do, đồng thời các lỗ trống khuếch tán sang miền
N, tạo ra một lớp tích điện âm gần lớp tiếp xúc. Hai lớp tích điện dƣơng và âm này
đƣợc gọi là miền điện tích không gian hoặc miền nghèo nhƣ hình 1.14b. Khái niệm
miền nghèo là để chỉ vùng gần lớp tiếp xúc P-N bị mất hầu hết các hạt mang điện (điện
tử và lỗ trống). Trong vùng nghèo hình thành một điện trƣờng theo định luật Coulomb
hƣớng từ N sang P. Điện trƣờng này tạo ra một thế cản ngăn cản các electron trong
miền N khuếch tán sang miền P và ngăn cản các lỗ trống khuếch tán từ P sang N.
Nhƣng điện trƣờng này lại tăng cƣờng chuyển động của các hạt dẫn thiểu số qua lớp
tiếp giáp (chuyển động trôi). Khi dòng điện do các hạt dẫn chuyển động khuếch tán và
các hạt dẫn chuyển động trôi qua tiếp xúc P-N có giá trị bằng nhau thì ta nói tiếp xúc
P-N ở trạng thái cân bằng động. Mức năng lƣợng E0 - thế năng của điện tử hay hàng
rào thế năng của điện tử ở tiếp xúc P-N khi nó ở trạng thái cân bằng là:
ND N A
E0  KT ln (1.7)
ni2
Trong đó:
E0: đo bằng [eV]
K: hằng số Bolzman = 1.38×10-23J/0K
T: nhiệt độ tuyệt đối
ND, NA: nồng độ các nguyên tử tạp chất nhóm 5 và nhóm 3

24
 ni: nồng độ hạt dẫn sinh ra do nhiệt.
Các hạt dẫn đa số muốn vƣợt qua miền nghèo phải nhận đƣợc năng lƣợng đủ
lớn để thắng đƣợc thế cản này. Điện thế cần cung cấp để cho electron di chuyển qua
vùng nghèo gọi là điện áp mở. Điện áp mở của tiếp xúc P-N phụ thuộc vào nhiều yếu
tố, bao gồm loại chất bán dẫn, nồng độ tạp chất và nhiệt độ. Điện áp mở điển hình xấp
xỉ 0,7V đối với Si và 0,3V đối với Ge ở 25oC.
Đồ thị vùng năng lượng của tiếp xúc P-N và vùng nghèo

Vùng dẫn

Vùng hoá trị

Hình 1.15. Đồ thị vùng năng lượng của tiếp xúc PN

Vùng hoá trị và vùng dẫn trong chất bán dẫn loại N có mức năng lƣợng thấp
hơn vùng hoá trị và vùng dẫn trong chất bán dẫn loại P do sự khác nhau về đặc tính
của nguyên tử tạp chất.
Đồ thị vùng năng lƣợng của tiếp xúc P-N ngay khi vừa hình thành đƣợc minh
hoạ trên hình 1.15. Vùng hoá trị và vùng dẫn của miền N có mức năng lƣợng thấp hơn
vùng hoá trị và vùng dẫn của miền P nhƣng bề rộng vùng cấm thì bằng nhau.
Các electron tự do trong miền N chiếm mức năng lƣợng cao trong vùng dẫn dễ
dàng khuếch tán qua lớp tiếp xúc (không cần thêm năng lƣợng ngoài) và tạm thời trở
thành electron tự do chiếm mức năng lƣợng thấp trong vùng dẫn của miền P. Sau khi
qua lớp tiếp xúc các electron nhanh chóng bị mất năng lƣợng và kết hợp với các lỗ
trống trong vùng hoá trị của miền P.
Hiện tƣợng khuếch tán xảy ra, vùng nghèo bắt đầu hình thành và mức năng
lƣợng của vùng dẫn bị giảm. Sự giảm mức năng lƣợng này là do các electron năng
lƣợng cao bị khuếch tán qua lớp tiếp xúc sang miền P. Khi không có electron rời từ
vùng dẫn miền N sang vùng dẫn miền P, ta nói lớp tiếp xúc ở trạng thái cân bằng bởi
hiện tƣợng khuếch tán bị dừng lại.

c) Mặt ghép P-N khi phân cực thuận

Tiếp xúc P-N đƣợc phân cực thuận khi ta đặt một điện áp bên ngoài lên lớp tiếp
xúc P-N có chiều cực dƣơng đƣợc nối vào bán dẫn loại P và cực âm nối vào bán dẫn N
(hình 1.16a). Điện áp ngoài Uth phải đủ lớn để thắng đƣợc thế cản.

25
 Hiện tƣợng tái hợp

Vùng dẫn
Dòng lỗ trống

Dòng điện tử
Vùng hoá trị
R

Uth
Hình 1.16a. Tiếp xúc PN khi phân cực thuận và đồ thị vùng năng lượng
.
Khi phân cực thuận, cực âm và cực dƣơng của Uth sẽ đẩy các electron tự do
trong miền N và các lỗ trống trong miền P về phía tiếp xúc P-N, làm giảm độ rộng
miền nghèo. Vì vậy phần lớn các hạt dẫn đa số dễ dàng khuếch tán qua tiếp xúc P-N,
kết quả là dòng điện qua tiếp xúc P-N tăng lên. Dòng điện chạy qua tiếp xúc P-N khi
nó phân cực thuận gọi là dòng điện thuận Ith.
Khi phân cực thuận, vùng dẫn của miền N đƣợc nâng lên đến mức năng lƣợng
cao và gối lên vùng dẫn của miền P. Một số lƣợng lớn các electron tự do có đủ năng
lƣợng để vƣợt qua rào và sang phía miền P ở đây chúng kết hợp với các lỗ trống ở
vùng hoá trị.

Khi tăng điện áp thuận lên, tiếp xúc P-N đƣợc phân cực thuận càng mạnh, hiệu
điện thế tiếp xúc càng giảm, hàng rào thế năng càng thấp xuống, đồng thời điện trở lớp
tiếp xúc giảm, bề dày của lớp tiếp xúc cũng giảm, các hạt dẫn đa số khuếch tán qua
tiếp xúc P-N càng nhiều nên dòng điện thuận càng tăng.

d) Tiếp xúc P-N khi phân cực ngược

Vùng hoá trị

Vùng dẫn

Ung
Hình 1.16b. Tiếp xúc PN khi phân cực ngược và đồ thị vùng năng lượng

Tiếp xúc P-N phân cực ngƣợc khi ta đặt một nguồn điện áp ngoài sao cho cực
dƣơng của nó nối với phần bán dẫn N, còn cực âm nối với phần bán dẫn P (hình

26
1.16b). Khi đó điện áp ngoài sẽ tạo ra một điện trƣờng cùng chiều với điện trƣờng tiếp
xúc, làm cho điện trƣờng trong lớp tiếp xúc tăng lên.

Cực dƣơng của điện áp nguồn sẽ hút các electron tự do trong miền N ra khỏi
tiếp xúc P-N. Cực âm của điện áp nguồn sẽ hút các lỗ trống trong miền P ra khỏi tiếp
xúc P-N. Kết quả làm cho vùng nghèo rộng ra. Các hạt dẫn đa số khó khuếch tán qua
vùng nghèo, làm cho dòng điện khuếch tán qua tiếp xúc P-N giảm xuống so với trạng
thái cân bằng. Đồng thời, do điện trƣờng của lớp tiếp xúc tăng lên sẽ thúc đẩy quá
trình chuyển động trôi của các hạt dẫn thiểu số và tạo nên dòng điện trôi có chiều từ
bán dẫn N sang bán dẫn P và đƣợc gọi là dòng điện ngƣợc Ingƣợc.

Nếu ta tăng điện áp ngƣợc lên, điện thế tiếp xúc càng tăng lên làm cho dòng
điện ngƣợc tăng lên. Nhƣng do nồng độ các hạt dẫn thiểu số có rất ít nên dòng điện
ngƣợc nhanh chóng đạt giá trị bão hòa và đƣợc gọi là dòng điện ngƣợc bão hòa I S có
giá trị rất nhỏ và có thể bỏ qua (khoảng từ vài nA đến vài chục µA).

1.2.2. Diode bán dẫn

1.2.2.1. Cấu tạo và ký hiệu của diode
Cấu tạo: Diode bán dẫn có cấu tạo là một chuyển tiếp P-N với 2 điện cực nối
với hai miền P và N. Điện cực nối với miền P gọi là Anôt, điện cực nối với miền N gọi
là Katôt. Ký hiệu của diode chỉ ra ở hình 1.17.

A K A K
P N

Hình 1.17: Cấu tạo, ký hiệu của Diode

1.2.2.2. Nguyên lý hoạt động và đặc trưng Vôn-Ampe của diode

I

M
Ungmax U
0

Vùng 3 Vùng 1
Vùng 2

Hình 1.18: Đặc trưng Vôn-Ampe của diode bán dẫn

Nguyên lý hoạt động của diode dựa vào tính chất của mặt ghép PN:

27
 Khi UAK > 0 thì diode phân cực thuận.
Khi UAK  0 thì diode phân cực ngƣợc.
Đặc trƣng Vôn-Ampe của diode là đồ thị biểu diễn mối quan hệ giữa dòng điện
đi qua diode và điện áp đặt lên hai đầu của diode. Đặc trƣng Von-Ampe của diode có
dạng hình 1.18. Đặc trƣng này chia làm 3 vùng:
- Vùng 1: ứng với trƣờng hợp phân cực thuận, đƣờng đặc trƣng có dạng hàm e
mũ:
qU qU
Ith  I S (e KT  1)  I S .e KT (1.8)

Trong đó: IS: là dòng điện ngƣợc bão hòa.

U: Điện áp phân cực thuận.

UT: Thế nhiệt, có giá trị từ 25mV đến 26mV.

Đƣờng đặc trƣng xuất phát từ điểm M, UM phụ thuộc vật liệu chế tạo diode, UM
gọi là điện áp mở.
+ Diode gốc Ge: UM khoảng 0,2 ÷ 0,3V
+ Diode gốc Si: UM khoảng 0,6  0,7V.
- Vùng 2: khi điện áp tăng thì dòng ngƣợc Ing tăng không đáng kể.
- Vùng 3: Khi Ung  Ungmax thì dòng điện chạy qua diode tăng đột biến trong khi
điện áp tăng không đáng kể, hiện tƣợng này gọi là hiện tƣợng đánh thủng lớp tiếp xúc
PN. Có 2 cơ chế đánh thủng chính:
- Đánh thủng vì nhiệt độ do tiếp xúc P-N bị nung nóng cục bộ, vì va chạm của
hạt thiểu số đƣợc gia tốc trong trƣờng mạnh. Điều này dẫn tới quá trình sinh hạt ồ ạt
(ion hoá nguyên tử chất bán dẫn thuần, có tính chất thác lũ) làm nhiệt độ nơi tiếp xúc
tăng dẫn đến dòng điện ngƣợc tăng đột biến và mặt ghép P-N bị phá hỏng.
- Đánh thủng vì điện do 2 hiệu ứng: ion hoá do va chạm (giữa hạt thiểu số đƣợc
gia tốc trong trƣờng mạnh với nguyên tử của chất bán dẫn thuần thƣờng xảy ra ở các
mặt ghép P-N rộng (hiệu ứng Zener) và hiệu ứng đƣờng hầm (Tunen) xảy ra ở các tiếp
xúc P-N hẹp do pha tạp chất với nồng độ cao liên quan tới hiện tƣợng nhảy mức trực
tiếp của các điện tử hoá trị bên bán dẫn P xuyên qua hàng rào thế tiếp xúc sang vùng
dẫn bên bán dẫn N).

28
1.2.2.3. Phân loại
a) Diode biến dung
Diode biến dung là là dụng cụ bán dẫn hai
cực mà điện dung của nó có thể thay đổi trong
một phạm vi nhất định khi thay đổi điện áp phân Hình 1.19: Ký hiệu của diode
cực ngƣợc của diode. Diode biến dung có thể gọi biến dung
là varicap, epicap, varacto.
Ứng dụng:
Đƣợc dùng để thay cho tụ điện biến đổi. Ƣu điểm của tụ này so với tụ thƣờng là
có thể điều chỉnh đƣợc giá trị tụ 1 cách tự động bằng tín hiệu điện với tần số rất lớn
(thƣờng ở siêu cao tần). Nó đƣợc dùng để biến đổi tần số cộng hƣởng của bộ dao động
LC.
b) Diode ổn áp (diode Zener)
Diode ổn áp làm việc dựa trên cơ sở hiệu ứng đánh thủng thác lũ và đánh thủng
Zener chuyển tiếp PN. Khác với diode chỉnh lƣu, diode ổn áp thƣờng xuyên công tác ở
chế độ phân cực ngƣợc. Dòng ngƣợc trong diode ổn áp do các hạt dẫn sinh ra trong
quá trình đánh thủng thác lũ, nhƣng do hiệu ứng Zener đƣợc biết đến trƣớc tiên cho
nên diode ổn định vẫn thƣờng đƣợc gọi là diode Zener. Diode ổn áp thƣờng làm việc ở
chế độ dòng lớn cho nên thƣờng là diode silic tiếp mặt.

Hình 1.20: Ký hiệu, đặc trưng của diode zener

Các tham số của diode ổn áp:

- Điện áp ổn áp UZ (điện áp Zener) đó là điện áp ngƣợc đặt vào diode làm
phát sinh hiện tƣợng đánh thủng, trong quá trình làm việc diode giữ ổn định ở điện áp

29
này. Đối với mỗi loại diode ổn áp điện áp ổn định biến thiên trong một khoảng hẹp
nhất định. Giới hạn dƣới của khoảng này là điện áp nhỏ nhất làm phát sinh hiện tƣợng
đánh thủng, giới hạn trên là điện áp ngƣợc ứng với dòng ngƣợc cực đại cho phép.
- Công suất tiêu tán PM đó là công suất cực đại cho phép để diode ổn định
công tác bình thƣờng. Đôi khi để thay cho tham số này có thể cho tham số dòng công
tác cực đại IZM.
c) Diode chỉnh lưu
Diode chỉnh lƣu đƣợc dùng phổ biến trong các mạch điện. Diode chỉnh lƣu làm
việc dựa trên hiệu ứng chỉnh lƣu của chuyển tiếp PN.
d) Diode Schottky
Diode Schottky đƣợc sử dụng
trong phạm vi tần số cao và trong các Kim loại
N
ứng dụng chuyển mạch nhanh. Diode
Schottky đƣợc hình thành từ mặt ghép
của một miền bán dẫn pha tạp (thƣờng là Hình 1.21: Cấu tạo, ký hiệu diode Schottky
loại N) với một miền kim loại nhƣ vàng, bạc, bạch kim. Diode Schottky hoạt động chỉ
với hạt đa số, chúng không có hạt thiểu số nên không có dòng ngƣợc. Miền kim loại có
các electron ở vùng dẫn, còn miền N pha tạp ít. Khi phân cực thuận các electron ở mức
năng lƣợng cao trong miền N sang miền kim loại ở đây chúng bỏ phần năng lƣợng
thừa nhanh chóng.Vì vây, không có các hạt dẫn thiểu số nhƣ diode khác, chúng có thể
đáp ứng rất nhanh khi thay đổi điện áp phân cực. Diode Schottky có thể sử dụng trong
các mạch tần số cao và các mạch số để giảm thời gian chuyển mạch.
e) Diode ổn dòng
Diode ổn dòng là diode có dòng không đổi. Ký hiệu và đặc tuyến V_A đƣợc
cho trên hình 1.22. Diode ổn dòng hoạt động ở vùng phân cực thuận và dòng thuận có
giá trị không đổi khi điện áp thuận bắt đầu từ 1,5V đến 6V tuỳ từng loại diode.

Anôt

Catôt

Hình 1.22: Ký hiệu và đặc tuyến của diode ổn dòng

30
 f) Diode PIN
Diode PIN có cấu tạo gồm hai miền P và N pha tạp mạnh đƣợc phân cách bởi
một miền bán dẫn thuần, nhƣ hình 1.23. Khi phân
cực ngƣợc diode PIN hoạt động giống nhƣ một tụ
điện không đổi. Khi phân cực thuận điôt PIN hoạt
động giống nhƣ một biến trở. Điện trở thuận của
miền bán dẫn thuần giảm khi dòng điện tăng. Hình 1.23: Cấu tạo diode PIN

Diode PIN đƣợc sử dụng nhƣ bộ tách sóng quang trong các hệ thống sợi quang.
g) Diode Tunel
IF
Đặc tính rất quan trọng
B Miền điện trở
của diode Tunel là có miền điện
âm
trở âm. Đặc tính này đƣợc sử
dụng trong các máy tạo dao động C
và các bộ khuếch đại viba. Ký
hiệu của diode Tunel đƣợc cho VF
trên hình 1.24. A

Hình 1.24: Ký hiệu và đặc tuyến của diode tunnel

h) Diode Lazer
Diode Lazer phát ra ánh sáng đơn sắc, còn diode phát quang phát ra ánh sáng đa
sắc.
Anôt

ánh sáng
phát ra
Vùng nghèo
Catôt
Hình 1.25: Ký hiệu và cấu tạo của diode
Lazer

31
1.2.3. Một số ứng dụng của Diode
1.2.3.1. Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ

U2

A D
t
U1 U2 Rt C Ur
Ur

B
t

C nạp C phóng
Hình 1.26: Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ
Hoạt động:
Khi cấp điện áp xoay chiều U1 vào 2 đầu cuộn L1 thì ở 2 đầu cuộn L2 xuất hiện
một điện áp cảm ứng xoay chiều U2.
- Xét nửa chu kỳ dƣơng của U2: giả sử điểm A có điện thế dƣơng, điểm B
có điện thế âm, diode D thông (phân cực thuận) vì vậy có dòng điện chạy trong mạch
theo chiều: +A D  Rt  -B
- Xét nửa chu kỳ âm của U2: thì điểm A có điện thế âm, điểm B có điện
thế dƣơng, diode D tắt (phân cực ngƣợc) vì vậy có dòng điện chạy trong mạch bằng
không.
Nhận xét: Điện áp ra chỉ xuất hiện trong nửa chu kỳ dƣơng của U2, vì vậy điện
áp ra là điện áp một chiều.
Đặc điểm:
- Kết cấu mạch đơn giản.
- Độ gợn sóng lớn, vì vậy để điện áp ra bằng phẳng hơn ta có thể mắc
thêm tụ lọc song song với Rt.
1.2.3.2. Mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ
a) Chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ dùng 2 diode

32
 U2 U21 U22
D1
A
t
U21
U1 Rt C Ur
U22
D2 Ur
B
t

C nạp C phóng
Hình 1.27: Mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ
Nguyên lý hoạt động của mạch:
- Xét nửa chu kỳ dƣơng của U21 (tức là nửa chu kỳ âm của U22): diode D1
thông nên có dòng điện chạy trong mạch theo chiều: AD1Rtmass.
- Xét nửa chu kỳ âm của U21 (tức là nửa chu kỳ dƣơng của U22): diode D2
thông nên có dòng điện chạy trong mạch theo chiều: BD2Rtmass.
Nhận xét: Trong cả 2 nửa chu kỳ của điện áp xoay chiều đều có dòng điện qua
tải. Sơ đồ mạch chỉnh lƣu 2 nửa chu kỳ sử dụng 2 diode chính là 2 sơ đồ chỉnh lƣu một
nửa chu kỳ mắc song song có tải chung.
Đặc điểm:
- Mạch dùng 2 diode.
- Điện áp ngƣợc đặt lên diode lớn.
- Cấu tạo của biến áp dùng cuộn thứ cấp có điểm chung.
- Công suất bé, điện áp ra bé.
- Độ gợn sóng ít hơn mạch chỉnh lƣu nửa chu kỳ, vì vậy để điện áp ra
bằng phẳng hơn ta có thể mắc thêm tụ lọc song song với Rt.
b) Chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ dùng 4 diode (chỉnh lưu cầu)
U2
A
D4 t
D1
U1 U2 Ur
D3 D2 Rt C Ur
t
B
C phóng
Hình 1.28: Mạch chỉnh lưu cầu C nạp

33
 Hoạt động:
- Xét nửa chu kỳ dƣơng của U2: diode D1 và D3 thông nên có dòng điện
chạy trong mạch theo chiều: AD1Rt D3B.
- Xét nửa chu kỳ âm của U2: diode D2 và D4 thông nên có dòng điện chạy
trong mạch theo chiều: BD2Rt D4A.
Nhận xét: Trong cả 2 nửa chu kỳ của điện áp xoay chiều đều có dòng điện qua
tải.
Đặc điểm:
- Mạch dùng 4 diode.
- Điện áp ngƣợc đặt lên mỗi điôt nhỏ hơn một nửa so với mạch chỉnh lƣu
dùng hai diode.
- Cấu tạo của biến áp đơn giản hơn.
1.2.3.3. Mạch nhân áp
Mạch nhân đôi điện áp đƣợc dùng trong những trƣờng hợp đặc biệt, ví dụ nhƣ
khi yêu cầu điện áp ra cao mà dòng tiêu thụ lại nhỏ (cỡ A). Nếu dùng một tầng nhƣ
hình 1.29a thì điện áp một chiều ở đầu ra gấp đôi trị số đỉnh của điện áp xoay chiều ở
đầu vào, vì C1 và C2 đƣợc nạp đến giá trị đỉnh của điện áp vào qua D1 và D2 trong hai
nửa chu kỳ âm và dƣơng. Trên hình 1.29b trong nửa chu kỳ âm của điện áp U2, C1
đƣợc nạp đến giá trị đỉnh U2 thông qua D1. Trong nửa chu kỳ tiếp theo C2 đƣợc nạp
thông qua C1 và D2 với giá trị UC2 = UC1 + U2 = 2U2. Nếu có n tầng nhƣ vậy thì điện
áp ra tải Ur  nU2. Thƣờng chọn n  10.
D1 Rr  nU2 Tầng thứ 1 Tầng thứ n
. . + - + - +
U1 U2 C1 -
. . C1 C’n
- Ur Rt U1 U2 D1 D2
+
D2 C2
- - + - +

Ur
a) Hai lần C2 Cn

b) 2n lần
Hình 1.29: Mạch bội áp

34
3.1. Transistor lƣỡng cực (BJT)
1.3.1. Cấu tạo, ký hiệu và nguyên lý hoạt động của transistor
1.3.1.1. Cấu tạo, ký hiệu
Transistor là một linh kiện bán dẫn gồm các miền bán dẫn tạp chất P, N xen kẽ
nhau, tuỳ theo trình tự của miền P và miền N ta có hai loại cấu trúc điển hình: PNP và
NPN với các ký hiệu quy ƣớc trên hình 1.30. Để cấu tạo ra các cấu trúc này ngƣời ta
áp dụng những phƣơng pháp công nghệ khác nhau nhƣ phƣơng pháp hợp kim,
phƣơng pháp khuếch tán, phƣơng pháp epitaxi…

E C
JE JC B
Emitter N P N
Collector

E B
Base
a)
C

JE JC E C
P B
P N Collector
Emitter

E
b) B
Base
Hình 1.30: Cấu tạo của Transistor loại NPN (a) và PNP (b)

Miền Emitter: Miền N thứ nhất của Transistor NPN (với Transistor PNP là
miền P) miền này có nồng độ tạp chất lớn nhất, nó đóng vai trò phát xạ các hạt dẫn (lỗ
trống hoặc điện tử), điện cực nối với miền này đƣợc gọi là cực Emitter, ký hiệu là E.
Miền Base: Miền P kế tiếp (với Transistor PNP là miền N) miền này có nồng
độ tạp chất ít nhất, độ dày của nó rất nhỏ so với kích thƣớc toàn bộ Transistor. Miền
base đóng vai trò truyền đạt hạt dẫn, điện cực nối với miền này đƣợc gọi là cực Base,
ký hiệu là B.
Miền Collector: Miền N còn lại (với Transistor PNP là miền P) miền này có
nồng độ tạp chất ít hơn miền Emitter nhƣng nhiều hơn miền Base, đóng vai trò thu
gom các hạt dẫn, điện cực nối với miền này gọi là cực Collector, ký hiệu là C.
JE: Chuyển tiếp PN giữa emitter và base đƣợc gọi là chuyển tiếp emitter.

35
 JC: Chuyển tiếp PN giữa base và collector đƣợc gọi là chuyển tiếp collector.
Với cấu trúc nhƣ vậy, có thể coi Transistor nhƣ hai diode mắc đối nhau nhƣng
không có nghĩa là cứ mắc hai diode đối nhau là có thể thực hiện đƣợc chức năng của
Transistor. Bởi vì khi đó không có tác dụng tƣơng hỗ lẫn nhau của hai chuyển tiếp PN.
Hiệu ứng Transistor chỉ xảy ra khi khoảng cách giữa hai chuyển tiếp nhỏ hơn nhiều so
với độ dài khuếch tán của hạt dẫn.
1.3.1.2. Nguyên lý hoạt động của Transistor
Muốn cho Transistor làm việc ta phải cung cấp cho các cực của nó một điệp áp
một chiều thích hợp. Tuỳ theo điện áp đặt vào các cực mà Transistor làm việc ở các
chế độ khác nhau. Có ba chế độ làm việc của Transistor: chế độ khuếch đại (tích cực),
chế độ bão hoà, chế độ cắt dòng.
Để mô tả hoạt động của Transistor, ta lấy Transistor loại NPN làm ví dụ.
 Chế độ khuếch đại
Ở chế độ khuếch đại ta phải cung cấp nguồn điện một chiều lên các cực sao cho
chuyển tiếp emitter JE phân cực thuận, chuyển tiếp collector JC phân cực ngƣợc (hình
1.31).
Chuyển tiếp JE phân cực thuận nên các hạt đa số đƣợc tăng cƣờng khuếch tán
qua chuyển tiếp JE tạo lên dòng IE. Cụ thể là:
IE = IEN + IEP
- Điện tử từ miền N (miền Emitter) khuếch tán sang P (miền base) tạo nên
IEN
- Lỗ trống từ miền P (miền base) khuếch tán sang N (miền Emitter) tạo
nên IEP
Vì nồng độ hạt đa số trong miền base ít hơn nhiều so với miền Emitter và bề
dày miền Emitter lớn hơn bề dày miền base rất nhiều nên IEN >>IEP do đó IE  IEN
Các điện tử từ emitter phun vào base lại trở thành các hạt thiểu số, do sự chênh
lệch về nồng độ các điện tử này tiếp tục khuếch tán đến miền điện tích không gian
chuyển tiếp JC. Tại đây chúng bị điện trƣờng của chuyển tiếp JC phân cực ngƣợc cuốn
sang miền collector tạo nên dòng Ic. Dòng Ic này đƣợc tạo bởi hai thành phần: dòng
của các hạt điện tử từ miền emitter, và dòng của các hạt thiểu số (điện tử ở miền base
khi chƣa có sự khuếch tán từ emitter sang và lỗ trống ở miền collector). Dòng của các
hạt thiểu số đƣợc gọi là dòng điện ngƣợc ICBo (hay còn gọi là dòng điện rò) có giá trị
rất nhỏ. Dòng điện ICBo không phụ thuộc vào dòng điện IE nên không điều khiển đƣợc
và đây là thành phần dòng điện không cần thiết. Tuy miền base hẹp và pha tạp ít
36
nhƣng số lỗ trống là hạt dẫn đa số tại đây cũng đáng kể so với số hạt dẫn không cân
bằng (điện tử) mới phun vào từ emitter, cho nên trong miền base vẫn xảy ra hiện tƣợng
tái hợp. Hiện tƣợng tái hợp này làm trung hoà bớt điện tử và lỗ trống trong miền base,
tƣơng ứng với nó làm xuất hiện dòng tái hợp IB. Áp dụng định luật Kirchhoff ta có:
IE = I C + I B (1.9)

Dòng hạt đa số Dòng hạt thiểu số

IE C IC
E

Vùng nghèo B

IB
UEE UCC
Hình 1.31: Nguyên tắc hoạt động của transistor NPN

 Chế độ cắt dòng

Ở chế độ cắt dòng ta phải cung cấp nguồn điện một chiều lên các cực sao cho
cả hai chuyển tiếp emitter JE và chuyển tiếp collector JC đều phân cực ngƣợc. Lúc này
điện trở của Transistor rất lớn và qua Transistor chỉ có dòng điện ngƣợc rất nhỏ của
chuyển tiếp collector ICB0.
 Chế độ bão hoà
Ở chế độ bão hoà ta phải cung cấp nguồn điện một chiều lên các cực sao cho cả
hai chuyển tiếp emitter JE và chuyển tiếp collector JC đều phân cực thuận. Khi đó điện
trở của hai chuyển tiếp JE và JC rất nhỏ. Dòng điện qua Transistor IC khá lớn và gần
bằng dòng bão hoà.
Từ các mô tả trên ta có các quan hệ dòng điện trong Transistor:
I E = IC + IB
IC
 dc  (1.10)
IE

dc là hệ số truyền đạt dòng điện của Transistor ở chế độ 1 chiều, để đánh giá
mức độ hao hụt dòng khuếch tán trong miền base.
Hệ số khuếch đại dòng điện ở chế độ 1 chiều đƣợc định nghĩa:

37
 IC
 dc  (1.11)
IB

Từ đó ta có mối quan hệ giữa dc và dc nhƣ sau:

 dc
 dc 
1   dc
(1.12)

 dc  dc
1   dc

1.3.1.3. Tham số của Transistor

- Dòng ICmax là dòng qua cực colector lớn nhất trong thời gian dài mà
không làm nóng Transistor quá nhiệt độ cho phép.
- Điện áp UCmax là điện áp lớn nhất đặt vào hai cực collector-emitter (trong
sơ đồ EC hoặc CC) hoặc base-collector (trong sơ đồ BC) mà không làm chuyển tiếp
collector bị đánh thủng.
- Công suất PCmax là công suất lớn nhất tiêu hao trên chuyển tiếp collector
trong thời gian dài mà Transistor vẫn làm việc bình thƣờng.
- Hệ số  xác định chất lƣợng của Transistor.
- Hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh  cho biết khả năng khuếch đại dòng
điện của Transistor.
- Dòng điện rò ICB0, dòng điện rò càng nhỏ thì Transistor càng tốt.
- Nhiệt độ làm việc giới hạn là nhiệt độ cho phép lớn nhất bảo đảm cho
Transistor làm việc ổn định.
- Tần số cắt fcmax là tần số lớn nhất mà Transistor có thể làm việc mà hệ số
khuếch đại dòng điện giảm đi và bằng 0,7 giá trị ban đầu.
1.3.2. Các cách mắc cơ bản của Transistor
Trong các mạch điện Transistor đƣợc xem nhƣ một mạng 4 cực: tín hiệu đƣợc
đƣa vào giữa hai cực và tín hiệu lấy ra cũng giữa hai cực. Transistor là linh kiện bán
dẫn có 3 cực nên khi sử dụng phải đặt một cực chung cho cả đầu vào và đầu ra. Dựa
vào cách đƣa tín hiệu vào và ra tại các cực của Transistor ta có 3 cách mắc cơ bản của
Transistor: mạch base chung (BC), mạch emitter chung (EC), mạch collector chung
(CC).

38
1.3.2.1. Mạch Base chung (BC)
Trong cách mắc base chung, tín hiệu vào đƣợc đặt giữa hai cực emitter và base,
còn tín hiệu ra lấy từ cực collector và base. Sơ đồ cách mắc BC đƣợc minh hoạ ở hình
1.32.
IE IC IE IC
E C E C
Uv Ur Uv Ur
IB IB
B B
(a) Hình 1.32: Sơ đồ cách ghép BC (b)

(a): transistor PNP, (b): transistor NPN

Trên hình vẽ chiều mũi tên chỉ chiều của dòng điện trên các cực của Transistor.
Để thấy rõ quan hệ giữa các dòng điện và điện
áp trên các cực của Transistor trong cách mắc IE(mA)
U = 20V
BC ngƣời ta dùng ba họ đặc tuyến: họ đặc
CB
U = 10V CB

tuyến vào, họ đặc tuyến ra và họ đặc tuyến U = 1V CB

truyền đạt. 7
6
 Họ đặc tuyến vào 5
4
3
Đặc tuyến vào (hình 1.33) là quan hệ 2
1
giữa dòng điện vào IE biến thiên theo điện áp
vào UEB khi điện áp ra UCB giữ không đổi. 0,2 0,4 0,6 0,8 1
UBE(V)
I E  f U EB  UCBconst Hình 1.33: Đặc tuyến vào của
cách mắc BC
Để nhận đƣợc đặc tuyến vào trong cách
mắc BC, cần giữ UCB ở một giá trị không đổi, thay đổi giá trị điện áp UEB và ghi lại giá
trị dòng IE tƣơng ứng, sau đó biểu diễn kết quả này trên trục toạ độ IE, UEB.
 Đặc tuyến ra
Đặc tuyến ra (hình 1.34) là quan hệ giữa dòng điện ra IC biến thiên theo điện áp
ra UCB khi dòng điện vào IE giữ không đổi.

IC  f UCB  I E const

Để nhận đƣợc đặc tuyến ra trong cách mắc BC, cần giữ IE ở một giá trị không
đổi, thay đổi giá trị điện áp UCB và ghi lại giá trị dòng IC tƣơng ứng, sau đó biểu diễn
kết quả này trên trục toạ độ IC, UCB.

39
 IC(mA) Vùng đánh thủng
Vùng tích cực
7 mA

7 6 mA
UCB=15V

Vùng bão hoà

6 5mA

5 4 mA
4
UCB=5V 3mA
3
2mA
2
IE =1mA
1
IE =0 mA
0
5 4 3 2 1 0 5 10 15 20
UCB(V)
IE(mA) Vùng cắt
Đặc tuyến truyền đạt Đặc tuyến ra
Hình 1.34: Đặc tuyến ra và truyền đạt của cách mắc BC

 Đặc tuyến truyền đạt

Đặc tuyến truyền đạt (hình 1.34) là quan hệ giữa dòng điện ra IC biến thiên theo
dòng điện vào IE khi điện áp ra UCB giữ không đổi.

IC  f  I E  UCBconst

Để vẽ đặc tuyến này có hai cách: hoặc bằng thực nghiệm hoặc từ đặc tuyến ra.
- Bằng thực nghiệm: giữ nguyên điện áp UCB thay đổi dòng vào IE ghi lại
các kết quả tƣơng ứng dòng IC, sau đó biểu diễn các kết quả thu đƣợc trên hệ toạ độ IC,
IE.
- Bằng cách suy ra từ đặc tuyến ra: Tại vị trí UCB cho trƣớc trên đặc tuyến
ra, vẽ đƣờng song song với trục tung, đƣờng này cắt đặc tuyến ra ở những điểm khác
nhau. Tƣơng ứng với giao điểm này tìm đƣợc giá trị I C. Trên hệ toạ độ IC, IE vẽ những
điểm có toạ độ IC, IE vừa tìm đƣợc, nối các điểm này với nhau ta đƣợc đặc tuyến
truyền đạt.
1.3.2.2. Mạch Emitter chung ( EC)
Trong cách mắc EC, điện áp vào đƣợc mắc giữa cực base và cực emitter, còn
điện áp ra lấy từ cực collector và cực emitter. Sơ đồ cách mắc EC đƣợc cho trên hình
1.35.

40
 IC
IC
IB
IB
Ur Ur
Uv Uv
IE IE

(a) (b)
Hình 1.35: Sơ đồ cách ghép EC
(a): Transistor NPN, (b): Transistor PNP

 Đặc tuyến vào

IB(A) UCE = 20V
Đặc tuyến vào (hình 1.36) là quan hệ giữa 100
UCE = 10V
90
dòng điện vào IB biến thiên theo điện áp vào UBE 80 UCE = 1V

khi điện áp ra UCE giữ không đổi. 70

60
50
I B  f U BE  UCE const
40
30
20
10
Để nhận đƣợc đặc tuyến vào trong cách
0,4
mắc EC, cần giữ UCE ở một giá trị không đổi, thay UBE(V)
0,2 0,6 0,8 1

đổi giá trị điện áp UBE và ghi lại giá trị dòng IB Hình 1.36: Đặc tuyến vào của
tƣơng ứng, sau đó biểu diễn kết quả này trên trục cách mắc EC
toạ độ IB, UBE.
 Đặc tuyến ra
Đặc tuyến ra (hình 1.37b) là quan hệ giữa dòng điện ra IC biến thiên theo điện
áp ra UCE khi dòng điện vào IB giữ không đổi.

IC  f UCE  I B const

Để nhận đƣợc đặc tuyến ra trong cách mắc EC, cần giữ IB ở một giá trị không
đổi, thay đổi giá trị điện áp UCE và ghi lại giá trị dòng IC tƣơng ứng, sau đó biểu diễn
kết quả này trên trục toạ độ IC, UCE.
 Đặc tuyến truyền đạt
Đặc tuyến truyền đạt (hình 1.37a) là quan hệ giữa dòng điện ra IC biến thiên
theo dòng điện vào IB khi điện áp ra UCE giữ không đổi.

IC  f  I B  UCE const

41
 Để vẽ đặc tuyến này có hai cách: hoặc bằng thực nghiệm hoặc từ đặc tuyến ra.
- Bằng thực nghiệm: giữ nguyên điện áp UCE, thay đổi dòng vào IB ghi lại
các kết quả tƣơng ứng dòng IC, sau đó biểu diễn các kết quả thu đƣợc trên hệ toạ độ IC,
IB .
- Bằng cách suy ra từ đặc tuyến ra: Tại vị trí U CE cho trƣớc trên đặc tuyến
ra, vẽ đƣờng song song với trục tung, đƣờng này cắt đặc tuyến ra ở những điểm khác
nhau. Tƣơng ứng với giao điểm này tìm đƣợc giá trị IC. Trên hệ toạ độ IC, IB vẽ những
điểm có toạ độ IC, IB vừa tìm đƣợc, nối các điểm này với nhau ta đƣợc đặc tuyến
truyền đạt.

IC (mA) Vùng đánh thủng

Vùng tích cực

UCE = 10V 8 6 0 A
7 5 0 A
Vùng bão hoà

6
UCE = 5V 4 0 A
5
4 3 0 A

3 2 0 A
2
1 0 A
1 IB = 0 A

0 5 10 15
50 40 30 20 10
IB(A) UCE(V)
UCEbh Vùng cắt
ICCEO=ICBO

(a): Đặc tuyến truyền đạt (b): Đặc tuyến ra

Hình 1.37: Đặc tuyến của cách mắc EC

1.3.2.3. Mạch Collector chung ( CC)

Trong cách mắc CC, điện áp vào đƣợc mắc giữa cực base và cực collector, còn
điện áp ra lấy từ cực emitter và cực collector. Sơ đồ cách mắc CC đƣợc cho trên hình
1.38.
IE IE
E E
IB IB
B B
U r Ur
Uv Uv
IC IC
C C
(a) (b)
Hình 1.38: Sơ đồ cách mắc CC
(a): transistor NPN, (b): transistor PNP
42
  Đặc tuyến vào
Đặc tuyến vào (hình 1.39) là quan hệ giữa dòng điện vào IB biến thiên theo điện
áp vào UCB khi điện áp ra UCE giữ không đổi.

I B  f UCB  U EC const

Để nhận đƣợc đặc tuyến vào

IB(A)
trong cách mắc CC, cần giữ UCE ở UCE = 2V
100
một giá trị không đổi, thay đổi giá 90
UCE = 4V
80
trị điện áp UCB và ghi lại giá trị dòng 70
60
IB tƣơng ứng, sau đó biểu diễn kết 50
40
quả này trên trục toạ độ IB, UCB. 30
20
10
Nhận xét:
-1 -2 -3 -4 -5 U (V)
Đặc tuyến vào của cách mắc BC

CC có dạng khác hẳn so với đặc Hình 1.39: Đặc tuyến vào của cách mắc CC
tuyến vào của hai cách mắc EC và
BC. Bởi vì trong cách mắc mạch CC điện áp vào UCB phụ thuộc rất nhiều vào điện áp
ra UCE (khi làm việc ở chế độ khuếch đại điện áp UBE đối với Transistor Silic luôn giữ
khoảng 0,7V, còn Transistor Gemani vào khoảng 0,3V trong khi điện áp UCE biến đổi
trong khoảng rộng).
 Đặc tuyến ra.
Đặc tuyến ra là quan hệ giữa dòng điện ra IE biến thiên theo điện áp ra UEC khi
dòng điện vào IB giữ không đổi.

IC  f UCE  I B const

Để nhận đƣợc đặc tuyến ra trong cách mắc CC, cần giữ IB ở một giá trị không
đổi, thay đổi giá trị điện áp UEC và ghi lại giá trị dòng IE tƣơng ứng, sau đó biểu diễn
kết quả này trên trục toạ độ IE, UEC.
 Đặc tuyến truyền đạt
Đặc tuyến truyền đạt là quan hệ giữa dòng điện ra IE biến thiên theo dòng điện
vào IB khi điện áp ra UEC giữ không đổi.

I E  f  I B  U EC const

Để vẽ đặc tuyến này có hai cách: hoặc bằng thực nghiệm hoặc từ đặc tuyến ra.

43
 - Bằng thực nghiệm: giữ nguyên điện áp UEC, thay đổi dòng vào IB ghi lại
các kết quả tƣơng ứng dòng IE, sau đó biểu diễn các kết quả thu đƣợc trên hệ toạ độ IE,
IB .
- Bằng cách suy ra từ đặc tuyến ra: Tại vị trí U EC cho trƣớc trên đặc tuyến
ra, vẽ đƣờng song song với trục tung, đƣờng này cắt đặc tuyến ra ở những điểm khác
nhau. Tƣơng ứng với giao điểm này tìm đƣợc giá trị IE. Trên hệ toạ độ IE, IB vẽ những
điểm có toạ độ IE, IB vừa tìm đƣợc, nối các điểm này với nhau ta đƣợc đặc tuyến
truyền đạt.
Bởi vì IC  IE cho nên đặc tuyến ra và đặc tuyến truyền đạt trong cách mắc CC
tƣơng tự nhƣ cách mắc EC.
1.3.3. Phân cực cho BJT
1.3.3.1. Đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh
Đƣờng tải tĩnh là đƣờng biểu diễn mối quan hệ giữa dòng điện đầu ra và
điện áp đầu ra ở chế độ một chiều. Đƣờng tải tĩnh đƣợc vẽ trên đặc tuyến ra của
transistor để nghiên cứu dòng điện và điện áp khi nó mắc trong mạch cụ thể nào đó
(khi có tải).
Điểm làm việc tĩnh (còn gọi là điểm công tác tĩnh và thƣờng ký hiệu là
điểm Q) là điểm nằm trên đƣờng tải tĩnh xác định dòng điện và điện áp trên transistor
khi chƣa có tín hiệu xoay chiều đặt vào, tức là xác định điều kiện phân cực tĩnh cho
transistor. Để transistor khuếch đại đƣợc tín hiệu, điểm làm việc tĩnh Q phải nằm trong
vùng tích cực, nếu chọn đƣợc điểm Q thích hợp thì biên độ tín hiệu ra có thể lớn mà
không bị méo dạng tín hiệu. Nếu chọn điểm làm việc tĩnh không thích hợp, muốn cho
tín hiệu không méo thì biên độ tín hiệu lại nhỏ.
1.3.3.2. Mạch phân cực cố định
Sơ đồ mạch phân cực cố định đƣợc cho trên hình 1.40.
UCC

RC IC
RB RB
+
IB
Tín hiệu
IB C C
Tín hiệu ra UCC
+
vào B (ac) B
(ac) E E
UBE

Hình 1.40: Mạch phân cực cố định Hình 1.41: Vòng base - emitter
44
 + Xét vòng base - emitter (hình 1.41):
Theo định luật Kirchhoff II ta có:
UCC  I B RB  U BE

U CC  U BE
IB 
RB

Theo công thức trên, điện áp UCC, UBE luôn không đổi, vì thế giá trị RB sẽ quyết
định giá trị dòng IB, và dòng IB này sẽ không đổi (vì vậy nên gọi là phân cực cố định ).
+ Xét vòng Collector - emitter (hình 1.42)
Giá trị dòng IC chạy qua điện trở RC
đƣợc tính theo công thức: RC IC
UCC

IC = IB C
UCE
Theo định luật Kirchhoff II cho vòng B
E
collector – emitter (hình 1.42) ta có:
UCC = UCE + ICRC
Hình 1.42: Vòng collector - emitter
UCE = UCC - ICRC
Ta có : UCE = UC - UE
Với UC, UE lần lƣợt là điện thế của các cực collector và emitter.
Trong trƣờng hợp này: UE = 0V, nên UCE = UC
Ngoài ra, UBE = UB – U E suy ra UBE = UB.
Ví dụ 1: Cho mạch điện nhƣ hình 1.40. Biết Ucc = 12V, RB = 240kΩ,
RC = 2,2kΩ, β = 50, Transistor chất liệu Silic. Hãy tính các giá trị một chiều IB, IC,
UCE, UC, UBC.
Giải:

45
 U CC  U BE 12V  0,7V
IB  
RB 240 K
 47,08A
I C  I B  50.47,8A  2,35mA
U CE  U CC  I C .RC  6,83V
U B  U BE  0,7V
U C  U CE  6,83V
U BC  U B  U C  0,7  6,83
 6,13V

Giá trị UBC âm, chứng tỏ chuyển tiếp collector phân cực ngƣợc.
+ Đường tải tĩnh
Đƣờng tải tĩnh là đƣờng quan hệ giữa dòng điện ra và điện áp ra ở chế độ một
chiều. Đƣờng tải tĩnh đƣợc vẽ trên đặc tuyến ra, điểm làm việc tĩnh Q sẽ nằm trên
đƣờng này.
Đối với sơ đồ mạch nhƣ hình 1.40, quan hệ giữa dòng điện ra IC và điện áp ra
UCE khi có tải RC:
UCE = UCC – IC.RC
Phƣơng trình trên chính là phƣơng trình đƣờng tải tĩnh. Để vẽ đƣờng tải tĩnh ta
cần xác định hai điểm:
U CC
Điểm thứ nhất ta cho UCE  0  IC 
RC

Điểm thứ hai ta cho IC  0  UCE  UCC

Với hai điểm này ta vẽ đƣợc đƣờng tải tĩnh nhƣ hình 1.43
IC(mA)
U cc
Rc

Q3

Q2
IB3
IB2
Q1 IB1

UCC UCE(V)
Hình 1.43: Đường tải tĩnh

46
 Ví dụ 2: Cho mạch phân cực cố định có đƣờng tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh
Q nhƣ hình 1.44. Hãy tính các giá trị UCC, RB, RC.

IC(mA)

Q
IB = 3A

15 UCE(V)
Hình 1.44: Cho họ đặc tuyến của ví dụ 2.2
Giải:
Từ hình 1.49 ta có:
Tại IC = 0
U CE  U CC  15V

Tại UCE = 0
U CC U
IC   RC  CC
RC IC
15V
  2,5k 
6mA
U  U BE 15  0, 7
RB  CC   4, 77 M 
IB 3 A

+ Transistor bão hoà

Theo đặc tuyến ra của transistor, khi transistor bão hoà thì UCE  0V do đó dòng
điện collector bão hoà ICbh sẽ là dòng ICmax và đƣợc tính theo công thức:
U CC
I Cbh  I C max 
RC

1.3.3.3. Mạch phân cực ổn định cực Emitter

Mạch phân cực ổn định cực emitter nhƣ hình 1.45. Điện trở RE đƣợc mắc thêm
để tăng độ ổn định hơn so với mạch phân cực cố định (điều này sẽ đƣợc minh hoạ qua
các ví dụ sau này). Trƣớc hết xét vòng Base – Emitter:

47
 UCC

IC
RC
RB C2
C1 +
IB
Ur
Uv
IE
RE

Hình 1.45: Mạch phân cực ổn định cực Emitter

+ Vòng Base- Emitter (hình 1.46)

Theo định luật Kirchhoff II ta có phƣơng trình:
Ucc = IBRB + UBE + IERE
RB
Ta đã biết IE = ( +1)IB
IB
Thay vào phƣơng trình trên ta có: UCC
UBE IE
Ucc = IBRB + UBE + ( +1)IBRE RE

U CC  U BE
IB 
 RB  (   1) RE
Hình 1.46: Vòng Base- Emitter
Trong trƣờng hợp này, điện áp UBE từ base
đến emitter đƣợc điện trở RE phản hồi trở về đầu vào với hệ số ( +1).
+ Vòng emitter - collector (hình 1.47)
Theo định luật Kirchhoff II ta có :
RC IC
IERE + UCE + ICRC = UCC
UCC
Thay thế IE  IC ta có: UCE

IE
RE
UCE = UCC – IC(RC+ RE)
UE = IERE
UC = UCE + UE Hình 1.47: Vòng Emitter-collector

hoặc UC = UCC – ICRC

UB = UCC –IBRB hoặc UB = UBE + UE
Ví dụ 3: Với mạch phân cực Emitter nhƣ hình 1.45. Biết UCC = 20V,
RB = 430kΩ, RC = 2kΩ, RE = 1kΩ, β= 50, (T) Si. Xác định: UCE, UBC, UB, UE, UC, IB, IE
Giải
48
 U CC  U BE 20  0, 7
IB    40,1 A
RB  (   1) RE 430k   51k 

IC = IB = (50)(40,1A) = 2,01mA

UCE = UCC – IC (RC +RE)
= 20V – (2,01mA)(2k +1k) = 13,97V
UC = UCC – ICRC = 20V – (2,01mA)(2 K) = 20V – 4,02V = 15,98V
UE = UC – UCE = 15,98V – 13,97V = 2,01V
hoặc UE = IE.RE = IC.RE = (2,01mA)(1k) = 2,01V
UB = UBE + UE = 0,7V + 2,01V = 2,71V
IE(mA)
UBC = UB – UC = 2,71V – 15,98V
6,67
= - 13,27V
+ Đường tải tĩnh
Q IB=40,1A
Phƣơng trình đƣờng tải tĩnh nhƣ sau:
UCE = UCC – IC(RC+ RE)
Chọn IC  0mA  UCE  UCC  20V
U CC
Chọn U CE  0V  IC 
RC  RE 20 UCE
Hình 1.48: Đường tải tĩnh
20V
  6, 67mA
2k   1k 
1.3.3.4. Mạch phân cực phân áp
UCC
Trong các mạch phân cực trƣớc, sự phân
cực dòng điện ICQ và điện áp UCEQ là một hàm số R1 RC
của hệ số khuếch đại dòng điện (). Trong khi đó, C2 Ur
Uv C1
 là nhạy cảm với nhiệt độ, đặc biệt là chất
silicon, và giá trị thực tế của  thì thƣờng không
đƣợc xác định chính xác. R2 RE

Sử dụng định lý Thevenin ta có thể tính

đƣợc dòng IB nhƣ sau: Hình 1.49: Mạch phân cực phân áp
Ngắn mạch nguồn cấp UCC hình 1.50a ta có:
Rtđ = R1 R2

49
 R1

Utđ
UCC R2

Hình 1.50a: Xác định Utđ

Nguồn tƣơng đƣơng Utđ:

R2U CC
U td  U R 2 
R1  R2

Từ sơ đồ tƣơng đƣơng Thevenin Rtđ

(hình 1.50b)
IB
Utđ – IB .Rtđ – UBE – IE.RE = 0 Utđ
RE
U td  U BE
IB 
Rtd  (   1) R E
Hình 1.50b: Sơ đồ tương đương Thevenin

Với IB tính đƣợc theo công thức trên ta có thể xác định đƣợc IC, từ đó xác định
đƣợc UCE theo công thức:
UCE = UCC – IC(RC + RE)
Ví dụ 4: Cho sơ đồ nhƣ hình 1.49. Biết UCC = 22V, R1 = 39kΩ, R2 = 3,9kΩ,
RC = 10kΩ, RE = 1,5kΩ, β = 140, (T) Si. Xác định UCE và IC
Giải:
39 K .3,9 K 
Rtd  R1 / / R2   3,55K 
39 K   3,9 K 

R2U CC 3,9 K .22V

U td    2V
R1  R2 39 K   3,9 K 

U td  U BE
2V  0, 7V
IB    6, 05 A
Rtd  (   1) R E 3,55K   (141).(1,5K )

IC = IB = 140.6,05A = 0,85 mA

UCE = UCC – IC(RC + RE)= 12,22V
+Transistor bão hoà

50
 Dòng ICbh trong mạch phân áp tƣơng tự nhƣ mạch phân cực emitter. Khi
transistor bão hoà, UCE = 0 V do đó:
U CC
I Cbh  I Cmax 
RC  RE

+ Đường tải tĩnh

Đƣờng tải tĩnh trong mạch phân áp giống hệt đƣờng tải tĩnh của mạch phân cực
emitter, với:
U CC
IC  U
RC  RE CE 0V

và

UCE  UCC IC 0mA

1.3.3.5. Mạch phân cực hồi tiếp âm điện áp

Mạch phân cực hồi tiếp điện áp đƣợc cho trên hình 1.51. Một đƣờng hồi tiếp từ
cực C về cực B làm cho mạch đạt đƣợc sự ổn định đáng kể. Tuy nhiên điểm làm việc
Q (đƣợc xác định bởi ICQ và UCEQ) không hoàn toàn độc lập , nhƣng ổn định hơn so
với mạch phân cực cố định hoặc phân cực emitter.
UCC

RC
RB I’C
Ur
C1 IC C
Uv IB 2

IE

Hình 1.51: Mạch phân cực hồi tiếp điện áp

+ Vòng Base – Emitter (hình 1.52 )

Theo định luật Kirchhoff ta có:
UCC  IC' RC  I B RB  U BE  I E RE  0 Mặt khác: I’C = IC + IB.

Tuy nhiên, dòng IC và I’C quá lớn so với IB nên I’C  IC .

Thay thế I’C  IC   IB và IE  Ic sẽ có kết quả là:

51
 UCC   I B RC  I B RB  U BE   I B RE  0
RC

 UCC  U BE   I B ( RC  RE )  I B RB  0 RB I’C
IC
U CC  U BE IB
IB  UCC
RB   ( RC  RE )
IE
Kết quả trên cho ta thấy phản hồi của điện
trở RC trở lại đầu vào, tƣơng đƣơng với sự phản
Hình 1.52: Vòng Base - emitter
hồi của RE.
Chú ý: Với các cách phân cực trên ta có một phƣơng trình tổng quát tính IB
nhƣ sau:
U'
IB 
R B  R'

+Vòng Collector - Emitter (hình 1.53)

RC
Áp dụng định luật Kirchhoff II ta có: I’C
RB
IERE + UCE + I’CRC – UCC = 0 IC UCC
IB

Vì I’C  IC và IE  IC ta có: UCE

RE IE
IC(RE+ RC) + UCE – UCC = 0
và UCE = UCC – IC(RC+ RE) Hình 1.53: Vòng collector - emitter
Ví dụ 5: Xác định ICQ và UCEQ trong hình vẽ 1.51. Biết UCC = 10V,
RB = 250kΩ, RC = 4,7kΩ, RE = 1,2kΩ, β = 90, (T) Si.
Giải:
Áp dụng công thức: U CC  U BE
IB 
RB   ( RC  RE )

thay số ta có:
I B = 11,90A
IC = IB = (90)(11,90A) = 1,07mA
UCEQ = UCC – IC (RC + RE)
= 10V – (1,07mA)(4,7K+1,2K) = 10V – 6,31V = 3,69V
Ví dụ 6: Xác định IB, UC trong hình vẽ 1.54.
Giải:

52
 Trong trƣờng hợp này điện trở 18V
cực B cho phân cực là hai điện trở với
một tụ nối giữa chúng xuống mass. 3,3k
91k 110k
Đối với thành phần một chiều tụ Ur
10F
coi nhƣ hở mạch và RB = R1 + R2. 10F
10F

=75
U CC  U BE Uv
IB 
RB   ( RC  RE )
510

Hình 1.54: Mạch phân cực hồi tiếp điện áp

thay số ta có
IB = 35,5A
IC = IB = (75)(35,5A) = 2,66mA
UC = UCC – IC RC = 18V – (2,66mA)(3,3K) = 9,22V
+ Chế độ bão hoà hoà
Lấy xấp xỉ I’C  IC, phƣơng trình của dòng bão hoà giống nhƣ mạch phân áp và
phân cực Emitter đó là: U CC
I Cbh  I C max 
RC  RE

1.4. Transistor trƣờng (FET)

1.4.1. Giới thiệu chung
Khác với transistor lƣỡng cực mà đặc điểm chủ yếu là dòng điện trong chúng
do cả hai loại hạt dẫn (điện tử và lỗ trống) tạo nên, transistor trƣờng (Field Effect
Transistor- FET) hoạt động dựa trên nguyên lý hiệu ứng trƣờng, điều khiển độ dẫn
điện của đơn tinh thể bán dẫn nhờ tác dụng của một điện trƣờng ngoài. Dòng điện
trong FET chỉ do một loại điện tích tạo nên. Công nghệ bán dẫn, vi điện tử càng tiến
bộ, FET càng tỏ rõ ƣu điểm quan trọng trên mặt xử lý gia công tín hiệu với độ tin cậy
cao và mức tiêu hao năng lƣợng cực bé.
Transistor hiệu ứng trƣờng FET gồm có hai loại chính:
- FET điều khiển bằng tiếp xúc p- n (hay gọi là FET mối nối đơn): Junction fet,
viết tắt là JFET
- FET có cực cửa cách điện : insulated gate fet viết tắt là IGFET. Thông
thƣờng lớp cách điện là lớp ôxít nên gọi là Metal Oxide Semiconductor FET
(MOSFET hay MOS). Trong loại transistor trƣờng có cực cửa cách điện lại chia làm
hai loại là MOS có kênh sẵn và MOS có kênh cảm ứng.

53
 Mỗi loại FET lại đƣợc chia làm hai loại kênh N và kênh P.
Transistor trƣờng có ba chân cực: cực nguồn (Source) ký hiệu là S, cực cửa
(Gate) ký hiệu là G và cực máng D (Drain).
- Cực nguồn là nơi mà các hạt dẫn đa số đi vào kênh và tạo ra dòng điện
nguồn IS
- Cực máng D là nơi các hạt dẫn đa số đi ra khỏi kênh .
- Cực cửa G là cực điều khiển dòng điện chạy qua kênh.
1.4.2. Cấu tạo và đặc tính của JFET
1.4.2.1. Cấu tạo và ký hiệu
JFET đƣợc gọi là FET có mối nối đơn, có hai loại là JFET kênh N và JFET
kênh P
JFET kênh N có cấu tạo gồm thanh bán dẫn loại N, hai đầu nối với hai dây ra
gọi là cực máng D và cực nguồn S. Hai bên thanh bán dẫn loại N là hai vùng bán dẫn
loại P tạo thành mối nối P-N nhƣ diode. Hai vùng này đƣợc nối với nhau gọi là cực
cửa G (hình 1.55).
Ký hiệu của JFET nhƣ hình 1.55a (kênh N) và 1.55b (kênh P).

Cực máng
D + D _
(Drain): D Kênh N
ID ID
G G

P N P
Cực cổng
_ S+
(Gate): G _ S
Vùng nghèo

Cực nguồn a) b)
(Source): S
Hình 1.55: Cấu tạo, ký hiệu JFET
a) Ký hiệu JFET kênh N b) Ký hiệu JFET kênh P

1.4.2.2. Nguyên lý hoạt động

Xét JFET kênh N có cực D nối với dƣơng nguồn, S nối với âm nguồn nhƣ hình
1.56
a. Khi UGS = 0V

54
 Lúc này dòng điện sẽ đi qua kênh theo
chiều từ cực dƣơng của nguồn vào cực D và ra ở D ID
cực S để trở về âm nguồn của UDD, khi này Vùng nghèo Kênh N

kênh có tác dụng nhƣ một điện trở.

G e
Khi tăng nguồn UDD để tăng điện thế UDS N
UDS UDD
P P
từ 0V lên thì dòng ID tăng lên nhanh nhƣng sau + e
đó đến một điện thế giới hạn thì dòng ID không e
tăng đƣợc nữa gọi là dòng điện bão hoà IDSS. UGS=0V S
IS
Điện thế UDS có IDSS gọi là điện thế ngắt UP _

(pinch - off).
Hình 1.56: JFET khi UGS =0V
b. Khi UGS < 0V
và UDS>0V
Khi cực G có điện thế âm nối vào chất bán dẫn loại P, trong kênh N có dòng
điện chạy qua nên có điện thế dƣơng ở giữa chất bán dẫn N sẽ làm cho mối nối P-N
bị phân cực ngƣợc làm điện tử trong chất bán dẫn của kênh N bị đẩy và làm thu hẹp
tiết diện kênh, nên điện trở kênh dẫn tăng lên, dòng ID giảm xuống.

D
+ ID(mA)
ID
Vùng bão hoà
IDSS
UGS= 0V
+ 8
IG=0A
7
G P N P UDS>0 6
UGS= -1V
5
UGS=-1V
4
3 UGS=- 2V
_ _
2
IS UGS= -3V
1 UGS=UP

5 10 15 25 UDS
Hình 1.57: JFET khi cực G
có điện thế âm Hình 1.58: Đặc tuyến ra của JFET kênh N

Khi tăng điện thế âm ở cực G thì mức phân cực ngƣợc càng lớn làm dòng ID
càng giảm nhỏ và đến một giá trị giới hạn thì dòng ID gần nhƣ không còn. Điện thế này
ở cực G gọi là điện thế ngắt UP.
Hình 1.58 là đặc tuyến ra của JFET kênh N để chỉ sự thay đổi của I D theo UDS
ứng với từng điện thế UGS ở cực G (gọi là họ đặc tuyến ID/UDS).
Đối với JFET kênh P: JFET kênh P có mạch thí nghiệm nhƣ hình 1.59 với
nguồn -UDD cung cấp cho UDS, điện thế cung cấp cho cực G bây giờ là điện thế dƣơng
55
 (UG>US). JFET kênh P cũng có đặc tuyến ra giống nhƣ JFET kênh N nhƣng có các
dòng điện và điện thế ngƣợc dấu.

ID(mA)

D
+
ID
7 UGS = 0V
Kênh P

+ 6
IG=0A UGS = 1V
G + 5
UDS Vùng đánh thủng
N P N UGS = 2V
+ 4
+
UGG 3
+ UGS = 4V
_ 2
_
S IS 1 UGS = 5V

Hình 1.59: JFET kênh P -5 -10 -15 -20 -25 UDS

Hình 1.60: Đặc tuyến ra của JFET kênh P

c. Đặc tuyến truyền đạt

ID(mA) ID(mA)

IDSS 8 8 IDSS
7 UGS =-6V
7
6 6
5 5 UGS =-5V
4 4
3 3
UGS =-4V
2 2
1 1 UGS =-3V
UT
UGS
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 UGS =UT - 6V UDS

Hình 1.61: Cách vẽ đặc tuyến truyền đạt từ đặc tuyến ra

Quan hệ này đƣợc thể hiện bằng hàm ID = f(UGS) khi điện áp UDS không đổi. Ta
có thể vẽ đƣợc đƣờng đặc tuyến truyền đạt này bằng cách suy từ đặc tuyến ra hình
1.61, hoặc vẽ trực tiếp theo phƣơng trình Shockley.
Qua đƣờng đặc tuyến truyền đạt ta thấy: khi thay đổi điện áp trên cực cửa thì bề
dày của lớp tiếp xúc P-N sẽ thay đổi, làm cho tiết diện của kênh cũng thay đổi theo.
Do đó điện trở của kênh thay đổi và cƣờng độ dòng điện qua kênh cũng thay đổi .
Nhƣ vậy điện áp trên cực cửa UGS đã điều khiển đƣợc dòng điện ở cực máng ID.

56
 Theo lý thuyết, khi UGS = UP thì bề rộng của kênh giảm xuống 0 và dòng điện
máng bão hoà IDSS = 0. Nhƣng với linh kiện thực tế thì có một số dòng dò vẫn chảy
qua kênh ngay cả khi ở điều kiện ngắt UGS>UP.
1.4.3. Cấu tạo đặc tính của MOSFET
MOSFET đƣợc chia làm hai loại là MOSFET kênh liên tục và MOSFET kênh
gián đoạn. Mỗi loại kênh liên tục (kênh đặt sẵn) hay gián đoạn (cảm ứng) đều có phân
loại theo chất bán dẫn là kênh N hay P. Ta chỉ xét các loại MOSFET kênh N và suy ra
cấu tạo ngƣợc lại cho kênh P.
1.4.3.1. Cấu tạo và ký hiệu của MOSFET kênh liên tục.
Ngƣời ta chế tạo sẵn kênh dẫn điện gồm hai vùng bán dẫn loại N có nồng độ tạp
chất cao đƣợc nối liền nhau bằng một kênh dẫn là bán dẫn loại N có nồng độ tạp chất
thấp hơn. Các lớp bán dẫn này đƣợc khuếch tán trên một nền là chất bán dẫn loại P,
phía trên kênh dẫn điện có phủ lớp ô xít cách điện SiO2.
Hai dây dẫn xuyên qua lớp cách điện nối vào hai vùng bán dẫn N nồng độ cao
gọi là cực S và D. Cực G có tiếp xúc kim loại bên ngoài lớp ô xít nhƣng vẫn cách điện
với kênh dẫn, thƣờng cực S đƣợc nối chung với nền P.
Cực máng D
(Drain) Kênh N Kênh P
SiO2 Kênh N D D

SS SS
G G
N
NỀN

N P S S
Cực cổng G Cực đế SS
(Gate) (Substrate) D
N D

G G
Cực nguồn S
(Source)
S S
Hình 1.62: Cấu tạo MOSFET liên tục kênh N
Ký hiệu MOSFET

a. Đặc tính của MOSFET kênh liên tục

 Khi UGS=0V:
Trƣờng hợp này kênh dẫn điện có tác dụng nhƣ một điện trở, khi tăng điện áp
UDS thì dòng ID tăng lên đến một trị số giới hạn là IDSS (dòng ID bão hoà ). Điện áp
UDS ở trị số IDSS cũng gọi là điện áp ngắt UP giống JFET .
 Khi UGS<0V:

57
 Khi này cực G có điện thế âm nên đẩy các điện tử ở kênh N vào vùng nền P làm
thu hẹp tiết diện kênh dẫn điện N và dòng ID bị giảm xuống do điện trở kênh dẫn điện
tăng lên. Khi tăng điện thế âm ở cực G thì dòng ID càng nhỏ và đến một trị số giới hạn
dòng ID gần nhƣ không còn, điện thế này ở cực G gọi là điện thế ngắt UP.
 Khi UGS>0V:
Khi phân cực cho cực G có điện thế dƣơng thì các điện tử thiểu số ở miền P bị
hút vào vùng N nên làm tăng tiết diện kênh, điện trở kênh bị giảm xuống và dòng ID
tăng cao hơn trị số bão hoà IDSS. Trƣờng hợp này dòng ID lớn dễ làm hỏng MOSFET
nên ít đƣợc sử dụng.
Hình 1.63 là đặc tuyến lối ra ID/UDS và đặc tuyến truyền đạt ID/UGS của
MOSFET liên tục kênh N.

ID(mA) ID

10,9 UGS= +1V

IDSS UGS= 0V
8
UGS= - 1V
IDSS/2
4 UGS= - 2V

2 IDSS/4 UGS=UP/2= -3V

-3 -2 0 0
-6
UP UP/2 0,3UP
Hình 1.63: Các đặc trưng của MOSFET liên tục kênh N

b. Mosfet liên tục kênh P (hình 1.64)

ID
D ID
UGS =-1V
p UGS =0V
G SS
p N UGS =+ 1V
+
UGS =+2V
p
UGS =+3V

1 UGS UDS
0 2 3 0 UGS=UP= 6V
S
Hình 1.64: Cấu tạo và các đặc tính của MOSFET liên tục kênh P

58
1.4.3.2. Cấu tạo và ký hiệu của MOSFET kênh gián đoạn (cảm ứng).
Hình 1.65 giới thiệu cấu tạo, ký hiệu của MOSFET kênh gián đoạn.

Không có
D Kênh N
SiO2 kênh
D D
dẫn
SS
G SS G
N
G Cực đế
S
NỀN S
Kênh P
N P SS D D

S G
G

S S
Hình 1.65: Cấu tạo của MOSFET gián đoạn kênh N
Ký hiệu MOSFET kênh N, kênh P
Trong MOSFET gián đoạn thì hai vùng bán dẫn loại N pha nồng độ cao không
dính liền nhau nên gọi là kênh gián đoạn. Mặt trên kênh dẫn điện cũng đƣợc phủ một
lớp ô xít cách điện SiO2. Hai dây dẫn xuyên qua lớp cách điện nối vào vùng bán dẫn N
gọi là cực S và D. Cực G có tiếp xúc kim loại bên ngoài lớp ô xít và cách điện đối với
cực D và S.
 Đặc tính của MOSFET kênh gián đoạn: Hình 1.66
Do cấu tạo kênh bị gián đoạn nên bình thƣờng không có dòng điện qua kênh,
ID=0 và điện trở giữa D và S rất lớn. Bắt đầu ngắt

Khi phân cực cho G có UGS>0V thì điện SiO2 Vùng nghèo
D ID
tích dƣơng ở cực G sẽ hút các điện tử của nền
P về phía giữa của hai vùng bán dẫn N và khi
N
lực hút đủ lớn thì số điện tử bị hút nhiều hơn
đủ để nối liền hai vùng bán dẫn N và kênh G
e NỀN
Cực đế +

đƣợc liên tục. Khi đó có dòng điện ID đi từ D + e P UDS

e
sang S, điện thế phân cực cho cực G càng tăng UGS SS _
N
thì dòng ID càng lớn. Điện thế UGS đủ lớn để _

tạo thành kênh dẫn điện gọi là điện thế ngƣỡng

IS=ID
UGS(T) hay UT. Khi UGS < UT thì dòng cực máng
ID= 0mA hay không có dòng điện chạy qua Hình 1.66: Đặc tính của
kênh (kênh dẫn chƣa đƣợc tạo thành ). MOSFET kênh gián đoạn
Khi UGS>UT thì dòng ID và UGS quan hệ
với nhau theo công thức:
59
 ID = k (UGS-UT)2
Đây chính là phƣơng trình của đặc tuyến truyền đạt ở hình 1.67c.
Hệ số k là một hằng số, nó đƣợc xác định nhờ các giá trị ID và UGS tƣơng ứng
trên đặc tuyến ra (ứng với mỗi một điểm bất kỳ trên đặc tuyến ra ta có một cặp (I D,
UGS) tƣơng ứng) gọi là ID(on) và UGS (on), khi đó:
k = ID(on) /(UGS(on) - UT)2
 MOSFET gián đoạn kênh P (hình 1.67 a,b,c)
ID(mA) ID(mA)

D 8 8 UGS= - 6V
7 7
p 6 6
SS 5 5 UGS= - 5V
G 4 4
N
3 3 UGS= - 4V
2 2
p 1 1 UGS= - 3V
UGS
S 6 5 4 3 2 1 0
a) UT c) UGS=UT = -6V
b)
Hình 1.67: a) Cấu tạo b) Đặc tuyến ra c) Đặc tuyến truyền đạt

1.5. Phân cực cho FET

1.5.1. GiớiContents
thiệu
CHƯƠNG 1: LINH KIỆN ĐIỆN TỬ 4
Ta đã biết rằng mức độ phân cực cho 1 transistor lƣỡng cực có thể đƣợc thiết
1.1 LINH KIỆN THỤ ĐỘNG 8
lập bằng cách sử dụng các công thức:
1.1.1.ĐIỆN TRỞ 8
1.1.1.1.K
UBE = 0,7V HÁI NIỆM CHUNGIC = 8.IB và IC  IE
1M = 10 K = 10  8
3 6
Quan hệ giữa đầu ra và đầu vào đƣợc đặc trƣng bởi hệ số , nó là 1 hằng số
thiết lập mối1.1.1.2.
quan Cáchệ tuyến
tham sốtính giữa
kỹ thuật đặcI trưng
C và IB. Đối với transistor trƣờng, mối quan hệ
của điện trở 8
1.1.1.3. Phân loại điện trở 9
giữa đầu ra và đầu vào lại không tuyến tính, sự liên hệ không tuyến tính giữa ID và UGS
1.1.1.4. Cách đọc trị số của điện trở 9
có thể làm phức tạp hoá khi phân tích FET ở chế
1.1.1.5. Một số điện trở đặc biệt Error! Bookmarkđộ not
một chiều.
defined.
1.1.2 Tụ điện 12
Sự khác biệt nữa giữa BJT và FET là: biến điều khiển đầu vào cho BJT là dòng
1.1.2.1 Khái niệm chung. 12
điện, trong khi ở FET là điện áp.
1.1.2.2 Các tham số cơ bản của tụ điện. 12
Các công thức chung
1.1.2.3.Phân loại. đối13
với FET:
1.1.2.4.Cách đọc trị số của tụ. 15
1.1.3 CUỘN DÂY 16 IG  0 A (1.13)
1.1.3.1. Khái niệm chung. 16
và: 1.1.3.2. Các tham số.ID =16 IS (1.14)

ERROR! OBJECTS CANNOT BE CREATED FROM EDITING FIELD CODES. 17

60
1.1.3.3. Phân loại. 17
1.1.3.4. Cách đọc trị số cuộn cảm: 18
1.1.4. BIẾN ÁP ERROR! BOOKMARK NOT DEFINED.
1.1.4.1.Khái niệm. Error! Bookmark not defined.
 Đối với JFET và MOSFET kênh đặt sẵn thì công thức Shockley cho quan hệ
giữa đầu vào và đầu ra là:
2
 U 
I D  I DSS 1  GS  (1.15)
 UP 

Còn đối với MOSFET kênh cảm ứng:

ID = k(UGS - UT)2 (1.16)
Điều quan trọng là tất cả các công thức trên đây là đặc trƣng cho linh kiện,
chúng không thay đổi trong quá trình làm việc. Mức độ thay đổi của mạch điện đƣợc
coi nhƣ sự thay đổi của dòng điện và điện áp kết hợp với điểm làm việc qua phƣơng
trình của nó.
1.5.2. Mạch phân cực cố định UDD

Ở chế độ tĩnh (khi chƣa có tín hiệu RD

xoay chiều): D
Ur
IG  0A và URG = IGRG Uv G

= 0A.RG = 0V.
S Zr
RG
Áp dụng định luật Kirchhoff ta có: Zv
VU
- UGG - UGS = 0 GG
GG

hay UGS = - UGG (1.17)

Hình 1.68: Sơ đồ phân cực cố định
Vì UGG là nguồn 1 chiều ổn định cho JFET
nên UGS cũng không thay đổi. Do đó ngƣời
ta gọi là “mạch phân cực cố định”.
Dòng cực máng ID đƣợc tính theo công thức Shockley:
2
 U 
I D  I DSS 1  GS 
 UP 

Theo Kirchhoff: UDS = UDD - IDRD (1.18)

Vì cực S nối đất nên US = 0 V (1.19)
 UD = UDS (1.20)
và UG = UGS (1.21)

61
 Nhƣợc điểm chính của cách phân cực này là cần 2 nguồn phân cực, chính vì
vậy nó ít đƣợc sử dụng trong thực tế và sẽ ít đƣợc đề cập trong hầu hết các phần tiếp
theo.
Ví dụ 7: Cho các số liệu trên hình 1.69, tính: UGSQ, IDQ, UDS , UD, UG, US
Giải: 16V

22K
Ta có:
D
UGSQ = - UGG = - 2V
G IDSS =10mA
IDQ = IDSS ( 1 - UGS /UP )2 + +GS UP = - 8V

= 10 mA[1 - ( - 2V)/( - 8V)]2 +

1M
UGS
UGS
-S
2
= 10 mA (1 - 0,25)
2V
2
= 10 mA (0,75)
= 5,625 mA.
Hình 1.69: Mạch điện cho ví dụ 7
UDS = UDD - IDRD
= 16V - (5,625 mA).(2 k)
= 4,75V
UD = UDS = 4,75V
UG = UGS = - 2 V
US = 0 V
1.5.3. Mạch tự phân cực
Mạch tự phân cực sẽ loại trừ yêu cầu 2 nguồn 1 chiều. Điện áp điều khiển UGS
bây giờ đƣợc xác định bởi điện áp đặt trên
UDDID
điện trở RS đƣa vào cực S nhƣ ở hình 1.70.
RD
C2
Ở chế độ tĩnh (1 chiều), tụ điện có thể D Ur
thay thế bằng hở mạch và điện trở RG đƣợc C1
Ur
C1 G C2
ngắn mạch vì IG = 0A. Uv -
Uv + UGS
S
Dòng chạy qua RS là dòng IS, - -
RG RG

nhƣng IS = ID nên:
RS CS CS
RS
URS = IDRS
-UGS - URS = 0 Hình 1.70: Mạch tự phân cực JFET

hay UGS = - URS

 UGS = - IDRS (1.22)
62
 Lƣu ý ở đây UGS là hàm của dòng điện ra ID và không cố định nhƣ mạch phân
cực cố định.
Từ (1.22), thay vào phƣơng trình Shockley ta có:
2
 U 
I D  I DSS 1  GS 
 UP 
2
 I R 
 I D  I DSS 1  D S 
 UP 

Đây là một tam thức bậc 2 đối với ID, dạng tổng quát của nó:
2
ID  K1I D  K2  0 chính là phƣơng trình ID(mA)
IDSS
của 1 đƣờng cong Parabol - gọi là đặc tuyến
tĩnh (đặc tuyến truyền đạt) (hình 1.71)
Ta sẽ biểu diễn đồ thị của phƣơng
trình (1.22), đây là phƣơng trình của 1 UGS UGS = 0V
IDSS/4
đƣờng thẳng nên cần xác định 2 điểm: ID = 0A (UGS = -IDRS)

UP 0
Điểm thứ nhất: chọn ID = 0A UP/2 UGS
Hình 1.71: Đặc tuyến truyền đạt
 UGS = - IDRS = 0V
và điểm thứ hai: chọn ID = IDSS /2
 UGS = - IDRS = - IDSS.RS/2

Nối 2 điểm này sẽ đƣợc đƣờng tải tĩnh. Giao điểm của đƣờng này với đƣờng
đặc tuyến truyền đạt chính là điểm làm việc tĩnh.

Mức UDS có thể đƣợc xác định bởi định luật Kirchhoff:
U RS + UDS + U RD - UDD = 0V

và U RS = ISRS , U RD = IDRD , ID = IS

UDS = UDD - ID (RS + RD)

US = IDRS, UG = 0 V
UD = UDS + US = UDD – U RD

Ví dụ 8: Cho các giá trị biểu diễn ở hình 1.72.

a) Tính : UGS, IDQ, UDS, US, UG ,UD.
b) Xác định điểm làm việc tĩnh, vẽ đặc tuyến truyền đạt.

63
 20V
ID

3,3k

G
D
IDSS = 8mA
+ UP = - 6V
UGS _ S
1M
RS 1k

Hình 1.72: Mạch điện cho ví dụ 8

Giải:
Ta có: UG = URG = IG RG = 0.1MΩ = 0V
US = URS = ISRS = IDRS = ID.1kΩ
UGS = UG – US = 0- IDRS = -IDRS
Áp dụng công thức Shockley :
ID = IDSS(1- UGS/UP)2
= IDSS(1- (-IDRS)/UP)2
Ta có tam thức bậc 2 đối với ID :
2ID2 -33ID + 72 = 0
Giải tam thức bậc 2 ta có nghiệm
ID1 = 13,9mA > IDSS (loại)
ID2 = 2,6mA < IDSS (thỏa mãn)
 UGSQ = - 2,6V
UDS = UDD - ID (RS + RD )
= 20V - (2,6 mA ). (1k + 3,3k) = 8,82V
US = IDRS = (2,6mA).(1k) = 2,6V
UD = UDS + US = 8,82V + 2,6V = 11,42V

Tọa độ điểm làm việc

64
 ID(mA)
Q (UGSQ; IDQ) = Q(-2,6V; 2,6mA)

Phƣơng trình đƣờng tải tĩnh: 8 (IDSS)

UGS = -IDRS
Q
Chọn ID =0VUGS =0V. IDQ = 2,6mA

UGS(V)
0
-6
UGSQ = - 2,6V
Hình 1.73: Điểm làm việc Q, đường tải tĩnh
1.5.4. Mạch phân cực phân áp
Ở mạch phân cực phân áp đối với
transistor FET (hình 1.74), các linh kiện UDD

đƣợc bố trí giống nhƣ phân cực phân áp R1 RD

cho BJT, nhƣng ở trạng thái tĩnh sự phân Ur
tích đối với 2 sơ đồ hầu nhƣ khác nhau. Đối C2
Uv
với FET, IG = 0, nhƣng độ lớn IB của sơ đồ C1
chung emitter đối với BJT lại ảnh hƣởng R2
RS CS
đến cả dòng và áp ở đầu vào và đầu ra của
mạch.
Hình 1.74: Mạch phân cực phân áp
Dòng IB trong mạch phân cực phân
áp đối với BJT chính là đại lƣợng liên kết giữa cửa vào và cửa ra, còn đối với FET thì
vai trò này lại là UGS.
Khi IG = 0A thì IR1 = IR2 và điện áp
ID(mA)
chính là điện áp đặt trên R2:
R2 U DD
UG  (1.23)
R1  R2 IDSS

Theo Kirchhoff: UGS = UG - IDRS

UG - UGS - URS = 0
Q UGS = 0V, ID = UG/RS
URS = ISRS = IDRs
ID = 0mA(UGS = UG)
UGS = UG - IDRS (1.24)
0
UP + UG UGS

Hình 1.75: Xác định điểm làm việc

Phƣơng trình (1.24) chính là
phƣơng trình đƣờng tải tĩnh, biểu diễn mối quan hệ giữa UGS và ID, nó cũng là một
65
đƣờng thẳng. Để xác định đƣờng thẳng này trên đặc tuyến truyền đạt ta cũng xác định
2 điểm nhƣ hình 1.75. Giao điểm của đƣờng tải tĩnh với đặc tuyến tĩnh (đặc tuyến
truyền đạt) chính là điểm làm việc tĩnh Q các giá trị tĩnh tƣơng ứng của nó là I DQ và
UGSQ. Khi các giá trị này đƣợc xác định thì ta có:
UDS = UDD - ID (RD + RS)
UD = UDD - IDRD
US = IDRS
U DD
IR1 = IR2 =
(R1  R2 )

Ví dụ 9: Cho mạch điện hình 1.74, biết UDD = 16V, R1 =2,1MΩ, R2 = 270kΩ,
RD = 2,4kΩ, RS = 1,5kΩ, IDSS = 8mA, UP = -4V. Tính:
IDQ và UGSQ, UD, US, UDS
Giải:
R2 U DD (270k)(16V)
a) Ta có: UG = = = 1,28V
(R1  R2 ) (2,1M  0, 27M)

UGS = UG – IDRS = 1,28V – ID (1,5k)

Áp dụng công thức Shockley:
2
  1, 28  1,5I D  
ID = IDSS(1- UGS/UP) = 8 1  
2

  4 

Ta có tam thức bậc 2 : 2, 25I D2  17,84I D  27,87  0

 ID1 =2,14mA  IDSS (Thỏa mãn)

ID2 = 5,78mA  IDSS (Thỏa mãn)
Thay vào UGS ta có : UGS1 = 1,28 – 1,5*2,14 = -1,93V
UGS2 = 1,28 – 1,5*5,78 = - 7,4V
So sánh với UP ta thấy |UP| > |UGS1| |-4V| > |-1,93V| thỏa mãn
|UP| < |UGS2| |-4V| < |-7,4V| loại
Phƣơng trình đƣờng tải tĩnh
UGS = UG - IDRS
Khi ID = 0 mA  UGS = + 1,28V

66
 Khi UGS = 0 V  ID = 1,28/1,5 = 0,85 mA.
Ta xác định đƣợc đƣờng tải ID(mA)

tĩnh nhƣ hình 1.76 và điểm làm việc

tĩnh có giá trị: 8 (IDSS)

Q(IDQ ,UGSQ) =Q( - 1,93V; 2,14mA)

UD = UDD - IDRD = 16 - 2,14.2,4
Q
IDQ = 2,14mA
= 10,86V
ID = 0,85mA(UGS = 0V)
US = IDRS = (2,14mA).(1,5k)
0
= 3,2V -4(UP)
UGSQ = - 1,93V UG = 1,28V(ID = 0mA)

UDS = UDD – ID(RD + RS) Hình 1.76: Điểm làm việc Q trong ví dụ 9
= 16 – 2,14 (2,4 + 1,5) = 7,65V
1.5.5. Các loại MOSFET kênh đặt sẵn
Đặc tuyến truyền đạt của các loại MOSFET kênh đặt sẵn cũng tƣơng tự nhƣ đối
với JFET nên ở chế độ tĩnh các phân tích cũng tƣơng tự. Chỉ khác là đối với đặc tuyến
truyền đạt, khi UGS > 0 thì ID vƣợt quá giá trị bão hoà.
Ví dụ 10: Cho mạch phân cực của MOSFET kênh N đặt sẵn với các giá trị nhƣ
hình 1.77. 18 V

Tính: a) IDQ và UGSQ

1,8 k
b) UDS 110 M

Giải:
IDSS = 6mA
Uv
a) Để vẽ đặc tuyến truyền đạt, ta xác định UP = - 3V
3 điểm:
10M 750
A(UP; 0), B(0; IDSS); C(UP/2; IDSS/4)
Áp dụng các công thức tƣơng tự nhƣ JFET
Ta có: Hình 1.77: Mạch điện cho ví dụ 10
R .U 10M(18V)
U G  2 DD = = 1,5V
R1  R2 10M  110M

UGS = UG - IDRS = 1,5 – ID.0,75

Áp dụng công thức Shockley:

67
 2
  1, 5  0, 75I D  
ID = IDSS(1-UGS/UP)2  6 1   
  3 

 ID = 3,1mA UGS = -0,8V ID(mA)

Phƣơng trình đƣờng tải tĩnh: 8

UGS = UG - IDRS
6

Chọn: ID = 0 mA  UGS = UG = 1,5V

Q 4
UGS = 0V  ID = UG /RS IDQ = 3,1mA

2
= 1,5/750 = 2mA. 1,5

Từ đó ta xác định đƣợc đƣờng tải tĩnh -3 -2 -1 0 1 2

UP UGS
và điểm làm việc tĩnh: UGSQ = - 0,8V
Hình 1.78: Đặc tuyến tĩnh và cách xác
IDQ = 3,1mA, UGSQ = - 0,8V định điểm Q
b) UDS = UDD – ID (RD + RS)
= 18V - (3,1mA)(1,8k.750)  10,1V
1.5.6. Các loại MOSFET kênh cảm ứng
Đặc tuyến truyền đạt của các loại MOSFET kênh cảm ứng hầu hết đều khác với
JFET và MOSFET kênh đặt sẵn.
Đối với MOSFET kênh N thì dòng I D = 0 khi UGS < UGS(th) (điện áp ngƣỡng -
Threshold)
Khi UGS > UGS(Th) thì ID = k(UGS - UGS (Th) )2 (1.25)
Khi đã xác định đƣợc rõ điện áp ngƣỡng và 1 mức của dòng cực máng (ID(on))
và UGS(on) tƣơng ứng thì ta sẽ xác định đƣợc hệ số k.
* Phân cực bằng hồi tiếp:

68
 UDD
UDD ID

RD
RD

C2
RG
D
+
Ur
D

C1 G
+
UGS
Uv G
S S

Hình 1.79: Phân cực hồi tiếp cho Hình 1.80: Sơ đồ tương đương
MOSFET kênh cảm ứng
Một cách phân cực cho MOSFET kênh cảm ứng nhƣ hình1.79. Ở chế độ tĩnh,
khi IG = 0mA và U RG  0V , ta vẽ lại sơ đồ nhƣ hình 1.80.

Một sự kết nối giữa cực D và G sẽ đƣợc tạo ra, kết quả là UD = UG và
UDS = UGS
Ở đầu ra: UDS = UDD - IDRD
 UGS = UDD – IDRD (1.26)
Phƣơng trình 1.26 là phƣơng trình của một đƣờng thẳng, chính là đƣờng tải
tĩnh, để xác định nó ta cũng xác định 2 điểm:
UGS = UDD|ID = 0 mA
ID = UDD / RDUGS = 0 V
Xác định giao của đƣờng thẳng này với đặc tuyến tĩnh ta sẽ xác định đƣợc điểm
làm việc tĩnh (hình 1.81).
ID

UDD/RD

IDQ Q

0 UGS(Th) UGSQ UDD UGS

Hình 1.81: Xác định điểm làm việc

69
 Ví dụ 11: Xác định IDQ và UDSQ ở hình 1.81, biết UDD = 12V, RG = 10MΩ, RD =
2kΩ, ID(on)=6mA, UGS(on)= 8V, UGS(Th)= 3V.
Giải:
* Xác định đặc tuyến truyền dẫn:
I D(on)
k= = 0,24  10 - 3 A/V2
(U GS(on)  U GS(Th) )2

* Cho UGS = 6V ( giữa 3V và 8V)

ID = 0,24  10 - 3 (6V - 3V)2 = 2,16 mA
* Cho UGS = 10V (> UGS (Th))
ID = 0,24  10 - 3 (10V – 3V) = 11,76 mA.
Từ cách tính trên vẽ đƣợc đặc tuyến truyền đạt (hình 1.82)
ID
UGS = 10V, ID = 11,76mA

ID(on)

UGS = 6V, ID = 2,16mA

UGS
0 3 UGS(Th)6 8UGS(Q)

Hình 1.82: Xác định đặc tuyến truyền dẫn

* Đƣờng tải tĩnh:

UGS = UDD - IDRD ID

= 12V - ID(2k)
6mA
UGS = UDD = 12V I D  0mA
.
2,75 Q
U DD 12V
ID    6mA U GS  0V
RD 2k 
0 UGS(Th) 6,4
Ta vẽ đƣợc đƣờng tải tĩnh, đƣờng tải 12V UGS

này cắt đặc tính truyền đạt tại điểm Q, Hình 1.83: Xác đinh điểm làm việc
Q chính là điểm làm việc tĩnh (hình 1.83), với:
IDQ = 2,75 mA, UGSQ = 6,4V

70
 UDD

*Phân cực phân áp: (hình 1.84)

RD
Với IG = 0 mA, ta có:
R1
R .V
UG = 2 DD D
R1  R2
IG = 0A

G +
UGS = UG - IDRS
UGS - S

 UGS = UG - IDRS R2
RS
UDS = UDD - URS - URD
 UDS = UDD - ID (RS + RD)
Hình 1.84:Mạch phân cực phân áp

Ví dụ 12: Cho mạch điện nhƣ hình 1.85. Biết UDD = 40V, R1=22MΩ,
R2 = 18MΩ, RD = 3kΩ, RS=0,82kΩ, UGS(Th)=5V, ID(on)=3mA, UGS(on) = 10V.
Tính IDQ, UGSQ và UDS.

Giải: 40V

K= ID(on)/(UGS(on)-UGS(Th))2= 3/(10-5)2
3K
= 0,12mA/V2 22M IDQ
D 2N4351
+ UGS(Th) = 5V
UG = 18V IG = 0A
UDS ID(on) = 3mA
G+ tại UGS(on)= 10V

UGS = UG - IDRS = 18 – 0,82ID UGSQ S -

18M
Áp dụng công thức 0,82K

ID = k(UGS – UGS(Th))2
Hình 1.85: Sơ đồ cho ví dụ 12
2
= 0,12((18-0,82ID) – 5)

 0,08ID2 – 3,55ID + 20,28 = 0

 ID1 = 37,31mA  UGS = 18- (37,31mAx0,82kΩ) = -12,59V (loại)

 ID2 = 6,875mA  UGS = 18 – (6,875mAx0,82kΩ) = 12,36V (thỏa mãn)

Vậy IDQ = 6,875mA, UGSQ = 12,36V

UDS = UDD – ID(RD + RS) = 40 – 6,875mA(3kΩ +0,82kΩ) = 13,73V.

71
1.6. Các dụng cụ bán dẫn khác
1.6.1. Transistor một chuyển tiếp (UJT: Unijunction Transistor)
1.6.1.1. Cấu tạo và ký hiệu
UJT đƣợc chế tạo bằng cách trên một phiến bán dẫn loại N pha tạp ít (điện trở
suất lớn) ngƣời ta tạo ra một vùng bán dẫn loại P pha tạp nhiều (điện trở suất nhỏ). Từ
miền bán dẫn loại P này nối ra điện cực emitter. Hai đầu của phiến bán dẫn loại N nối
ra hai điện cực là cực base 1 (B1) và base 2 (B2).
B2

B2 RB2
B2 D
E UBB
E O
E N
P
UEB1
RB1
B1
B1
B1

a) Cấu tạo b) Ký hiệu c) Sơ đồ tương đương d) Hình dạng thực tế

Hình 1.86: Cấu tạo, ký hiệu, sơ đồ tương đương và hình dạng thực tế của UJT

1.6.1.2. Nguyên lý hoạt động

Từ cấu tạo của UJT ta có sơ đồ tƣơng đƣơng nhƣ hình 1.86. Phiến bán dẫn N có
điện trở suất cao nên từ điểm B1 đến điểm O (điểm tƣơng ứng với mặt ghép P-N) đƣợc
thay bằng điện trở RB1 thay đổi trong quá trình làm việc và từ điểm B2 đến O đƣợc thay
bằng điện trở RB2 hầu nhƣ giữ cố định trong quá trình làm việc, tổng hai điện trở này
bằng điện trở từ B1 đến B2 ký hiệu là RBB (RBB = RB1 + RB2). Chuyển tiếp P-N đƣợc
thay bằng diode D.
Nếu đặt vào B1 và B2 một điện áp thì ta có điện áp tại điểm O khi cực E hở
mạch là:
U BB R B1 R
UO   B1 U BB
R B1  R B 2 R BB
Điện áp UO chính là điện áp đặt vào catôt của diode D. Khi cực E hở mạch thì
chỉ có dòng điện chạy từ B2 đến B1:
U BB
IB 
R BB
72
 Nếu cực emitter nối đất thì diode D bị phân cực ngƣợc và khi đó qua cực
emitter E chỉ có dòng ngƣợc (IE0) chảy.
Nếu đặt vào giữa cực E và B1 một điện áp dƣơng. Khi tăng UEB1 từ giá trị 0 đến
UO thì IE sẽ giảm xuống 0, khi đó anôt và katôt của diode D sẽ có điện thế nhƣ nhau.
Nếu tiếp tục tăng UEB1 theo chiều dƣơng thì diode D sẽ đƣợc phân cực thuận và tạo ra
dòng thuận chảy từ cực E đến cực B1 của UJT. Khi điện áp phân cực thuận, diode D
còn nhỏ, dòng thuận IE cũng còn nhỏ, nó chƣa gây ảnh hƣởng gì lớn đến điện trở RB1,
nhƣng khi tăng UEB1 đến một giá trị nhất định thì dòng IE sẽ gây ảnh hƣởng đáng kể
đến điện trở RB1 thƣờng ký hiệu điện áp ứng với giá trị này là Uđỉnh và dòng IE tƣơng
ứng với điện áp này là dòng Iđỉnh, gọi là điện áp đỉnh và dòng đỉnh. Khi đó các hạt dẫn
đƣợc phun từ miền emitter và miền B1 tăng lên đột ngột, khiến cho nồng độ hạt dẫn
trong miền này tăng lên và do đó làm cho điện trở RB1 đột ngột giảm đi. Vì RB1 giảm
nên UO cũng đột ngột giảm đi, khiến cho diode D càng có xu hƣớng đƣợc phân cực
thuận, dòng IE thuận tăng lên làm cho UO tiếp tục giảm. Trong quá trình này, diode D
luôn phân cực thuận cho nên điện áp sụt trên nó không đáng kể, vì vậy có thể coi gần
đúng UO = UEB1. Sau khi làm cho diode D thông, dòng IE có xu hƣớng ngày một tăng
còn điện áp UEB1 lại ngày một giảm, đó chính là nguyên nhân làm xuất hiện hiệu ứng
điện trở âm trong UJT. Dòng IE không thể tăng mãi, nó bị giới hạn bởi điện trở nguồn.
Sau khi đƣợc mở, UJT duy trì trạng thái này cho tới khi mạch vào hở mạch hoặc dòng
IE giảm xuống giá trị quá nhỏ.
Đặc tuyến Vôn-Ampe của UJT đƣợc trình bày trên hình 1.87, mô tả quan hệ
giữa dòng IE và điện áp UEB1. Đặc tuyến chia làm 3 miền:
- Miền cắt (IE = -IEB2): Ứng với miền này UJT chƣa làm việc.
- Miền điện trở âm: Nhƣ phân tích ở trên, trong miền này khi dòng IE tăng
thì điện áp UEB1 giảm.
- Miền bão hoà: Khi dòng IE tăng tới một giá trị nhất định thì số hạt dẫn
phun vào miền base đạt tới giá trị bão hoà, điện trở RB1 không tiếp tục giảm nữa nên
điện áp UEB1 cũng không giảm. Điện áp UEB1 ứng với giá trị này gọi là điện áp đáy
(Uđáy). Dòng IE ứng với điện áp này gọi là dòng đáy (Iđáy). Điện áp đáy đƣợc xác định
bởi điện áp thuận của diode và điện trở bão hoà RB1. Nếu tiếp tục tăng dòng IE thì điện
áp UEB1 lại tăng.

73
 Miền điện trở âm
Miền cắt UEB1 Miền bão hoà

Uđỉnh

UEB1
Uđáy

Iđỉnh Iđáy
Hình 1.87: Đặc tuyến của UJT
Khi IB2 = 0A, chỉ tăng UEB1 một lƣợng nhỏ diode D đó phân cực thuận cho nên
đặc tuyến Vôn-Ampe trong trƣờng hợp này hoàn toàn giống nhƣ đặc tuyến của diode
phân cực thuận, chỉ khác trong trƣờng hợp này diode đƣợc mắc nối tiếp với một điện
trở.
1.6.1.3. Ứng dụng của UJT
Một ứng dụng điển hình của UJT là dao động tạo xung răng cƣa.
Sơ đồ nguyên lý và dạng sóng dao động của mạch nhƣ hình 1.91. Nguyên lý
hoạt động của mạch nhƣ sau:
+20V

RE
RB2
10kΩ 100Ω
B2
E
Q

B1
C RB1
20Ω
0.2µF

Hình 1.88: Mạch tạo dao động xung răng cưa

Tụ C đƣợc nạp từ nguồn UBB qua RE, khi điện áp trên tụ bằng Uđỉnh của UJT thì
UJT mở và tụ C phóng điện qua UJT làm cho điện áp trên hai cực của tụ hạ xuống
bằng giá trị điện áp bão hoà của UJT, UEbh. Khi ấy UJT đóng và tụ C lại bắt đầu một
lần nữa nạp điện. Quá trình cứ nhƣ vậy tiếp diễn và do đó điện áp ra lấy trên tụ C có
dạng răng cƣa.

74
1.6.2. Thyristor (SCR: Silicon Controlled Rectifier)
1.6.2.1. Cấu tạo và ký hiệu
Thyristor đƣợc chế tạo bằng 4 lớp bán dẫn P_N_P_N đặt xen kẽ nhau. Giữa các
lớp bán dẫn này hình thành các chuyển tiếp lần lƣợt là J1, J2, J3. Thyristor là dụng cụ
có ba chân cực đƣợc ký hiệu bằng các chữ A - anôt, K - catôt, và G - cực điều khiển.
Về phƣơng diện lý thuyết Thyristor có hai loại:
- Thyristor loại N là loại có cực điều khiển đƣợc lấy trên vùng N gần anôt.
- Thyristor loại P là loại có cực điều khiển đƣợc lấy trên vùng P gần catôt.

A
A
P1
J1
N1
J2
P2
N2 J3 G
K
G K
a. Cấu tạo b. Ký hiệu c. Hình dạng thực tế
Hình 1.89: Cấu tạo, ký hiệu và hình dạng thực tế của Thyristor
Trên thực tế chỉ có cấu trúc đƣợc chỉ ra trên hình 1.89.
1.6.2.2. Nguyên lý hoạt động
Có thể xem Thyristor đƣợc tạo ra từ 2 Transistor: P1N1P2 và N1P2N2 nhƣ sau:
I(mA
)
A Miền dẫn thuận
IG1
P1 IG2
N1 IG3
IG4 U (V)
P2 N1
G U4 U3 U2 U1
P2 Miền chắn
N2
ngƣợc Miền chắn thuận
K
b. Sơ đồ tƣơng a. Đặc tuyến V-A
đƣơng Hình 1.90: Đặc tuyến V-A Thyristor
Đặc tuyến Vôn-Ampe của Thyristor chia làm 4 miền.

75
 - Trƣờng hợp phân cực ngƣợc Thyristor với UAK< 0. Đặc tuyến ở đoạn này có
thể coi nhƣ hai diode phân cực ngƣợc mắc nối tiếp (J1 và J3). Dòng qua Thyristor
chính là dòng rò ngƣợc của diode. Nếu tăng điện áp ngƣợc đến một giá trị nhất định thì
hai tiếp giáp J1và J3 sẽ lần lƣợt bị đánh thủng, dòng ngƣợc qua Thyristor tăng lên đột
ngột. Nếu không có biện pháp ngăn chặn, dòng ngƣợc này sẽ làm hỏng Thyristor.
Vùng đặc tuyến ngƣợc của Thyristor trƣớc khi bị đánh thủng gọi là vùng chắn ngƣợc.
- Trƣờng hợp phân cực thuận Thyristor với UAK> 0.
+ Khi cực điều khiển G hở mạch (IG = 0), tiếp giáp J1 và J3 lúc này đƣợc phân
cực thuận còn J2 phân cực ngƣợc. Khi UAK còn nhỏ, dòng qua Thyristor quyết định chủ
yếu bởi dòng rò ngƣợc qua J2. Xét chung cho cả Thyristor thì dòng điện chảy qua
Thyristor lúc này là dòng rò thuận Ifx. Giá trị điển hình của dòng rò thuận (Ifx) và dòng
rò ngƣợc (IRx) khoảng 100A. Nếu IG = 0 thì dòng rò thuận sẽ giữ nguyên giá trị ban
đầu. Khi tăng UAK lên tới giá trị xấp xỉ điện áp đánh thủng chuyển tiếp J2 (gọi là điện
áp đánh thủng thuận UBE) thì dòng IC0 trong Thyristor đủ lớn làm cho hai Transistor
trong sơ đồ tƣơng đƣơng mở và lập tức chuyển hẳn sang trạng thái bão hoà. Thyristor
chuyển sang trạng thái mở, nội trở của nó đột ngột giảm đi, điện áp sụt trên hai cực A
và K cũng giảm xuống đến giá trị UE gọi là điện áp dẫn thuận. Phƣơng pháp chuyển
Thyristor từ khoá sang mở bằng cách tăng dần UAK gọi là kích mở bằng điện áp thuận.
+ Khi IG  0, nghĩa là giữa cực G và cực K có một điện áp sao cho J3 phân cực
thuận. Dòng IG do UGK cung cấp sẽ cùng với dòng ngƣợc vốn có trong Thyristor IC0
làm cho T2 có thể mở ngay với điện áp UAK nhỏ hơn nhiều giá trị kích mở lúc IG = 0.
Dòng IG càng lớn thì UAK cần thiết tƣơng ứng để mở Thyristor càng nhỏ. Chú ý rằng
nếu ngay từ đầu điện áp UGK đó cung cấp một dòng IG lớn hơn dòng mở cực tiểu của
T2, nhƣng điện áp UAK vẫn chƣa đủ lớn để phân cực thuận cho T1 và T2 thì Thyristor
cũng vẫn chƣa mở.
Nhƣ trên đặc tuyến của Thyristor mức dòng điều khiển IG tăng từ IG1 đến IG4
tƣơng ứng với mức điện áp UAK giảm xuống từ U1 tới U4. Đây là phƣơng pháp kích
mở Thyristor bằng dòng trên cực điều khiển. Điện áp dẫn thuận U F có thể viết UF =
UBE1+ UBE2 = UBE2+ UCE1. Đối với vật liệu silic thì điện áp bão hoà của transistor silic
vào cỡ 0,2V còn UBE cỡ 0,7V; nhƣ vậy suy ra UF = 0,9V. Trên phần đặc tuyến thuận,
phần mà Thyristor chƣa mở gọi là miền chắn thuận, miền Thyristor đó mở gọi là miền
dẫn thu dạng giống nhƣ đặc tuyến ngƣợc của diode chỉnh lƣu thông thƣờng.
Sau khi các điều kiện kích thích mở kết thúc, muốn duy trì cho Thyristor luôn
mở thì phải đảm bảo cho dòng thuận IE lớn hơn một giá trị nhất định gọi là dòng ghim
I4 (là giá trị cực tiểu của dòng thuận IE). Nếu trong quá trình Thyristor mở, IG vẫn đƣợc
duy trì thì giá trị dòng ghim tƣơng ứng sẽ giảm đi khi dòng IG tăng. Trong sổ tay thuyết
minh các nhà sản xuất còn ký hiệu IHC để chỉ dòng ghim khi cực G hở mạch và IHX để
76
chỉ dòng ghim đặc biệt khi giữa cực G và K đƣợc nối nhau bằng điện trở phân cực đặc
biệt.
1.6.2.3. Ứng dụng của Thyristor
Ví dụ một ứng dụng của Thyristor là mạch báo động. Sơ đồ nguyên lý mạch
đƣợc cho trên hình 1.91.
R2 K1
+Ucc
R1 PD
SCR
+Ucc

RL K2
LED

Hình 1.91: Mạch báo động sử dụng Thyristor

- Bình thƣờng ánh sáng phát ra từ LED đƣợc PD (diode thu quang) nhận, làm
cho PD dẫn bão hoà nên sụt áp qua R2 nhiều dẫn đến VG của SCR thấp nên SCR tắt.
- Khi có ngƣời đi ngang qua khu vực giữa LED và PD thì PD tắt (do bị che ánh
sáng) nên không còn sụt áp qua R2, lúc này áp +Ucc đi qua R2 đến G lớn đủ ngƣỡng
kích cho SCR làm cho SCR dẫn nên rơle hoạt động làm đóng công tắc K2 kích hoạt
còi báo hoặc sáng đèn. Do tính tự giữ của SCR, nên SCR vẫn dẫn khi tiếp tục có ngƣời
lƣớt ngang qua LED và PD trong khoảng thời gian đó thì PD dẫn trở lại làm cho VG
sụt thấp làm mất áp kích cho SCR. Muốn làm tắt SCR thì ta phải hở công tắc K1 ra.
Thyristor còn đƣợc sử dụng trong mạch khống chế nhƣ mạch khống chế xung,
mạch khống chế pha…
1.6.3. Triac, Diac
1.6.3.1. Triac (Triode for Alternating Curent)
Cấu tạo, sơ đồ tƣơng đƣơng và đặc tuyến Vôn-Ampe của Triac đƣợc trình bày
trên hình 1.92. Từ đó có thể thấy rằng Triac tƣơng đƣơng với hai Thyristor mắc song
song ngƣợc chiều chung cực G. Các cực của nó gọi là A1, A2 và G. Khi điện thế cực G
dƣơng so với cực A2 và điện thế cực A1 dƣơng so với cực A2 thì Thyristor 1 mở (hai
Transistor tƣơng đƣơng Q1 và Q2 mở). Trong trƣờng hợp này, A1 đóng vai trò anôt,
còn A2 đóng vai trò katôt. Khi điện thế cực G dƣơng so với A1 và điện thế cực A2
dƣơng so với cực A1 thì Thyristor 1 mở (hai Transistor tƣơng đƣơng Q3 và Q4 mở).
Trong trƣờng hợp này, A2 đóng vai trò anôt, còn A1 đóng vai trò katôt. Từ đó thấy
rằng Triac có khả năng dẫn điện theo cả hai chiều.

77
 I
A2 A2 A2 (m
P1 A)
N1
N2 Q1 Q3
I1 U
P2 I2
G (
N3
N4 G G V
P3 Q2 Q4
)
A1
A1
A1
a. Cấu tạo b. Ký hiệu c. Sơ đồ tương đương d. Đặc tuyến V-A
Hình 1.92: Cấu tạo, ký hiệu, sơ đồ tương đương và đặc tuyến của Triac
Một trong những ứng dụng của Triac là mạch điều khiển dòng điện đƣợc trình
bày trên hình 1.92.

A1
I1 U
D1 I2
A2
Un G
2 t (ms)
RG
D2 Rt 1

Hình 1.93: Sơ đồ khống chế dùng Triac

Nguyên lý làm việc của mạch điều khiển:

- Ở nửa chu kỳ dƣơng: D1 thông nên có tín hiệu điều khiển vào G: UA1A2
> 0, UGA2> 0. Do đó Thyristor 1 dẫn theo I1, Ut > 0.
- Ở nửa chu kỳ âm: D2 thông nên UA1A2> 0 ; UGA1> 0. Do đó Thyristor 2 dẫn
theo I2 ngƣợc lại, Ut < 0. Điều chỉnh biến trở RG sẽ thay đổi đƣợc 1, 2.
Vậy Triac là dụng cụ dẫn điện hai chiều có điều khiển.
Triac đƣợc ứng dụng rất rộng rãi trong kỹ thuật điện tử, ví dụ:
- Kiểm tra và điều khiển vận tốc của mô tơ điện.
- Kiểm tra và điều khiển nhiệt độ.
- Kiểm tra và điều khiển cƣờng độ chiếu sáng…

78
1.6.3.2. Diac
Về mặt cấu tạo, Diac hoàn toàn giống nhƣ triac nhƣng không có cực điều khiển
G. Hai cực MT1, MT2 hoàn toàn đối xứng nhau, khi lắp vào mạch ta không cần phân
biệt thứ tự. Thực tế khi sử dụng diac ta quan tâm tới hai thông số: dòng tải và điện áp
giới hạn. Điện áp giới hạn của diac khoảng 20V  40V. Diac đƣợc kích mở bằng cách
nâng cao điện áp vào hai cực. Ký hiệu của diac nhƣ hình 1.94.

MT1 MT2

a. Ký hiệu b. Hình dạng thực tế

Hình 1.94: Ký hiệu, hình dạng thực tế của Diac

Khi đặt một hiệu điện thế một chiều theo một chiều nhất định thì khi đến điện
thế VBO, Diac dẫn điện và khi đặt theo chiều ngƣợc lại thì đến điện thế -VBO, Diac
cũng dẫn điện, Diac thể hiện một điện trở âm (điện thế hai đầu Diac giảm khi dòng
điện qua Diac tăng). Từ các tính chất trên , Diac tƣơng đƣơng với hai Diode Zener
mắc đối đầu nhau (Thực tế, khi không có Diac ngƣời ta có thể dùng hai Diode Zener
có điện thế Zener thích hợp để thay thế).

Hình 1.95: Đặc tuyến của Diac

Trong ứng dụng, Diac thƣờng đƣợc dùng để mở Triac, ví dụ nhƣ mạch điều
khiển cƣờng độ sáng của bóng đèn ( Hình 1.96).

79
 Ở bán kỳ dƣơng, Tụ C sẽ nạp điện cho đến điện thế VBO thì Diac dẫn, tạo dòng
kích cho Triac dẫn điện. Hết bán kỳ dƣơng, Diac tạm ngƣng. Đến bán kỳ âm tụ C nạp

Bóng đèn

VR

220V/50Hz Triac
C Diac
C

Hình 1.96: Mạch điều khiển cường độ sáng của bóng đèn
điện theo chiều ngƣợc lại đến điện thế -VBO, Diac lại dẫn điện kích Triac dẫn điện.
Thay đổi VR để thay đổi thời gian nạp điện của tụ C, do đó thay đổi góc dẫn của Triac
đƣa đến thay đổi cƣờng độ sáng của bóng đèn.

1.6.4. Các linh kiện quang điện tử

1.6.4.1. Khái niệm chung
Linh kiện quang điện tử là loại linh kiện có thể biến đổi năng lƣợng ánh
sáng thành năng lƣợng điện hoặc biến đổi ngƣợc lại từ năng lƣợng điện thành
năng lƣợng ánh sáng
Có thể chia linh kiện quang điện thành ba nhóm chính nhƣ sau:
Linh kiện điện tử phát quang có nhiệm vụ biến đổi năng lƣợng điện thành năng
lƣợng ánh sáng (ví dụ diode bán dẫn phát quang LED, hoặc lazer bán dẫn).
Linh kiện quang điện có nhiệm vụ biến đổi năng lƣợng ánh sáng thành năng
lƣợng thành năng lƣợng điện (các đèn quang điện chân không các đèn quang điện
có khí, nguyên tắc làm việc của các loại đèn này là sử dụng hiệu ứng quang điện
ngoài. Pin mặt trời, điện trở quang, diode quang, transistor quang lại sử dụng hiệu
ứng quang điện trong - hiệu ứng quang điện bán dẫn)
Nhóm thứ ba là sự kết hợp cả hai hiệu ứng phát quang với quang dẫn hoặc
quang áp.
1.6.4.2. Điện trở quang
Điện trở quang là điện trở mà hoạt động của nó dựa trên hiệu ứng quang dẫn.
Trên hình 1.97 trình bày cấu trúc của điện trở quang.
80
 Hình 1.97: Cấu trúc của điện trở quang

Điện trở quang đƣợc làm từ chất bán dẫn nhạy quang. Khi có bức xạ rọi vào,
chất bán dẫn hấp thụ năng lƣợng tạo thành các điện tử và lỗ trống làm tăng tính dẫn
điện và làm giảm điện trở suất của bán dẫn.

Do làm việc ở điện thế thấp, dòng nhỏ, tạp thấp, thời gian sử dụng lâu dài,
sơ đồ ứng dụng đơn giản nên điện trở quang đƣợc dùng rộng rãi trong các lĩnh vực
điện tử, trong kỹ thuật máy tính và trong các thiết bị hệ thống điều khiển tự động ...

Mạch báo động sử dụng điện trở quang (Hình 1.98):

B+

R1 SCR

Nguồn sáng

Bóng đèn hoặc

chuông báo

Hình 1.98: Mạch báo động

Khi điện trở quang đƣợc chiếu sáng nó có điện trở rất nhỏ, thế qua cực điều
khiển của SCR nhỏ, dòng IG nhỏ không đủ để kích cho SCR dẫn. Khi không đƣợc
chiếu sáng, điện trở tăng, điện thế đặt vào cực G tăng, dòng IG tăng (đủ lớn) kích làm
cho SCR dẫn, dòng qua tải làm cho chuông reo, mạch báo động hoạt động.

81
 Mạch trên cũng có thể sử dụng với tải là một bóng đèn, sáng vào ban đêm và tự
tắt vào ban ngày.

1.6.4.3. Diode quang

Diode quang là dụng cụ bán dẫn biến đổi tín hiệu quang thành tín hiệu điện.
Khi ta chiếu một ánh sáng vào tiếp giáp P-N (diode) thì dòng điện ngƣợc của diode
tăng lên. Do đó vỏ quang có một cửa sổ để cho ánh sáng chiếu vào.
Cấu tạo: Vật liệu đƣợc dùng để chế tạo diode quang thƣờng là gecmani
hoặc silic. Với diode sử dụng gecmani ngƣời ta chế tạo theo phƣơng pháp hợp kim,
còn với diode sử dụng silic ngƣời ta thƣờng chế tạo theo phƣơng pháp khuếch tán.
Toàn bộ cấu trúc của chuyển tiếp p-n đƣợc đặt trong vỏ nhựa cứng có cửa sổ cảm
quang để ánh sáng xuyên qua.

P N

Hình 1.99: Sơ đồ cấu trúc và ký hiệu

Dƣới tác dụng của năng lƣợng ánh sáng, trong miền chuyển tiếp P-N của chất
bán dẫn nhạy quang có thể xảy ra sự ion hoá các nguyên tử của chất cơ bản và của tạp
chất dẫn đến việc sinh ra các cặp điện tử và lỗ trống. Các điện tử và lỗ trống này tập
trung ở hai đầu bán dẫn, nếu nhƣ ở mạch ngoài ta nối hai đầu bán dẫn thì sẽ có dòng
điện chạy qua. Trong diode quang có sự chuyển hoá năng lƣợng ánh sáng thành năng
lƣợng điện. Cƣờng độ ánh sáng rọi vào càng lớn dòng ngƣợc của diode càng mạnh.

Diode quang có tần số làm việc giới hạn thƣờng ở khoảng 10 MHz, loại đặc
biệt lên tới 1 GHz.
1.6.4.4. Diode phát quang (LED)
Diode phát quang làm việc dựa trên hiệu ứng phát sáng khi có hiện tƣợng tái
hợp của các điện tử và lỗ trống ở gần vùng tiếp xúc P-N. Diode phát quang thƣờng
đƣợc gọi là LED (Light – Emitting - Diode). Tuỳ theo vật liệu chế tạo mà ta có ánh
sáng bức xạ ra ở các vùng bƣớc sóng khác nhau. Trong các lĩnh vực khác nhau ta có
các loại LED khác nhau.
Cấu tạo diode phát quang gồm có một lớp tiếp xúc P-N và hai chân cực, anốt ký
hiệu A và katốt ký hiệu là K. Anốt đƣợc nối tới bán dẫn loại P, còn katốt nối với bán
dẫn loại N.
82
 Hiện tƣợng phát quang đƣợc giải thích nhƣ sau:

Khi phân cực thuận, electron từ bán dẫn N chuyển sang bán dẫn P. Electron
nhận năng lƣợng của điện trƣờng chuyển trạng thái từ mức năng lƣợng thấp lên mức
năng lƣợng cao. Electron ở trạng thái kích thích chuyển xuống mức năng lƣợng tự phát
chuyển xuống mức năng lƣợng thấp và phát ra bức xạ ánh sáng có năng lƣợng bằng hf
(h: hằng số Plăng, f: tần số ánh sáng). Khi xảy ra sự tái hợp giữa electron với lỗ trống,
electron di chuyển từ vùng dẫn xuống vùng hoá trị. Năng lƣợng của photon tƣơng ứng
với sự chuyển dời này đƣợc xác định bởi độ rộng vùng cấm của chất bán dẫn, nó tuỳ
thuộc vào vật liệu làm diode phát quang.

Trong kỹ thuật điện tử để tiện cho công việc hiển thị ngƣời ta tạo ra LED 7
thanh để hiển thị số và ký tự. LED 7 thanh đƣợc tạo thành bằng cách nối 7 diode phát

Hình 1.100a :LED 7 thanh anốtchung Hình 1.100b: LED 7 thanh katốt chung
quang theo sơ đồ chung một cực anốt (gọi là anốt chung) hoặc chung một cực katốt
(gọi là Katốt chung).

Hình 1.101: Một số loại LED hiển thị

Cách mắc: Để LED hoạt động đƣợc phải mắc LED theo chiều phân cực thuận
và phải mắc nối tiếp một điện trở R để hạn chế dòng qua LED khỏi lớn quá giới hạn
cho phép. Giá trị của điện trở đƣợc xác định tuỳ theo điện áp nguồn điện cung cấp cho
mạch và loại LED đƣợc dùng. Giá trị R đƣợc xác định theo công thức:

U CC  U D
R
ID

83
 LED đƣợc sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực quảng cáo, đèn chỉ thị, đèn báo trong
xe hơi, máy bay, trò chơi trẻ em, âm nhạc, máy ảnh...vì thể tích nhỏ, công suất tiêu tán
thấp và thích hợp với các loại mạch logic.
1.6.4.5. Transistor quang
Là các transistor có khả năng điều khiển bằng tín hiệu quang tức là có khả năng
biến đổi tín hiệu quang thành tín hiệu điện và khuếch đại.
Cấu tạo: Transistor quang đƣợc chế tạo từ Gecmani hoặc Silic, có 2 tiếp giáp P-
N và có 2 hoặc 3 chân cực. Thông thƣờng transistor quang không có cực Base thay
vào đó là cửa sổ cảm quang. Khi đó sự khống chế dòng Ic sẽ là sự khống chế của chùm
sáng chiếu qua cửa cảm quang. Nếu transistor quang có cực Base thì sự khống chế
dòng Ic có thể là sự kết hợp giữa chùm sáng và sự khống chế bằng tín hiệu điện.

C C
N P C C

P N

N P E E
b. Ký hiệu
E E
a. Cấu tạo
Hình 1.102: Cấu tạo và ký hiệu
Nguyên lý làm việc:
- Chế độ B hở mạch: Để Transistor làm việc ta cung cấp nguồn điện bên ngoài
(U ngoài) sao cho tiếp giáp JE phân cực thuận còn tiếp giáp JC phân cực ngƣợc.
Khi không có tín hiệu quang, dòng điện cực Base chính là dòng điện ánh sáng
sẽ bằng không ( IB = IF = 0), trong mạch chỉ có dòng IC.
I(mA)

+ - 2
1
E
5 10 15 U(V)

Hình 1.103: Sơ đồ nguyên lý và đặc tuyến V-A

84
 Khi ánh sáng đƣợc chiếu vào phần Base (IB = IF  0), ở cực Base sẽ xuất hiện
từng cặp điện tử - lỗ trống mới. Dƣới sự tác dụng của điện trƣờng ngoài, các lỗ trống
mới này di chuyển qua tiếp giáp JC tạo nên thành phần dòng điện IPF của mạch cực
góp. Còn các điện tử di chuyển về phía tiếp giáp JE làm tăng mật độ hạt dẫn ở tiếp giáp
JE làm cho điện trƣờng Etx giảm xuống, giúp cho dòng các lỗ trống di chuyển từ phần
Emitter sang phần Base dễ dàng hơn, kết quả là dòng điện cực IC tăng lên.
- Chế độ B khép kín:
Dòng Ic phụ thuộc vào tín hiệu điện và tín hiệu quang, điện áp ra Ura là sự cộng
tín hiệu điện và tín hiệu quang.
Họ đặc tuyến V-A của transistor quang có dạng giống nhƣ đặc tuyến của
transistor hai lớp chuyển tiếp mắc theo kiểu EC. Điều khác nhau ở đây là tham số cố
định không phải dòng IB mà là lƣợng chiếu sáng . Từ họ đặc tuyến của transistor
quang ta cũng nhận thấy dòng IC chủ yếu là phụ thuộc vào lƣợng chiếu sáng . Đây
cũng chính là sự khống chế lƣợng chiếu sáng tới IC.

85
 CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP
1. Hãy xác định giá trị của điện trở theo các vòng màu sau:

Đỏ Đỏ Nâu Vàng nhũ Cam Cam Đen Nâu

Đỏ Cam Nâu Cam Vàng nhũ Nâu Cam Đỏ Đỏ Vàng nhũ

Vàng Tím Xám Nâu Bạc nhũ Xám Cam Trắng Đỏ Đỏ

2. Hãy xác định vòng màu của các điện trở có giá trị nhƣ sau:
a) 4,7K  1% b) 3,9 K  5%
c) 10  2 % d) 10  1%
3. Hãy xác định vòng màu của các tụ điện có giá trị nhƣ sau;
a) 0.1nF  5% b) 0,47F  10% c) 2,2F  5%
4. Hãy xác định giá trị điện trở theo ký hiệu sau:

R3 3R3 K3

3M3
10 5W

5. Xác định giá trị của tụ điện theo ký hiệu sau:

100F

50V

203 200 1500

.01
25 25 50WV 1.5KV

Tụ gốm Tụ Mica,selen, Tụ Mica,selen, - +

Tụ gốm
ceramic ceramic Tụ hoá

86
6. Hãy xác định giá trị của điện trở theo các vòng màu sau:
a) Nâu - Đen - Đen - Nâu c) Đỏ - Đỏ - Đỏ - Đỏ
b) Vàng - Tím - Cam - Nâu d) Nâu - Xanhlục - Đen - Nhũvàng
7. Giả sử có sáu điện trở đƣợc mắc nối tiếp, và mỗi một điện trở có giá trị là: 540, thì
điện trở toàn phần là:
a) 90  c) 3.24 K
b) 540  d) Không có câu nào trên đây là đúng.
8. Giả sử có sáu điện trở đƣợc mắc song song, và mỗi một điện trở có giá trị là:
68000. Thì điện trở toàn phần là:
a) 23 c) 23k
b) 204 d) 0.2M
9. a) Nêu đặc điểm cấu tạo của UJT và ký hiệu quy ƣớc.
b) UJT đóng vai trò nhƣ một khóa điện tử thể hiện nhƣ thế nào trên đặc tuyến Vôn-
Ampe?
c) Các tham số quan trọng của UJT?
10. Hãy nêu cách kiểm tra UJT dùng đồng hồ vạn năng?
11. a) Nêu cấu tạo và ký hiệu của SCR?
b) Nêu các cách kích mở SCR? Khi SCR đang nối mạch muốn chuyển sang trạng
thái ngắt mạch thì phải làm nhƣ thế nào?
12. Hãy nêu cấu tạo, ký hiệu và tính chất của Triac và Diac? So sánh nguyên lý hoạt
động của chúng trên đặc tuyến Vôn-Ampe.
13. Cho mạch điện nhƣ hình: 12V

a) Tính các giá trị dòng điện, điện áp trên các cực
của Transistor.
b) Vẽ đƣờng tải tĩnh và xác định điểm làm việc 240K 2,2K
tĩnh Q. + UR
UV +
10F
UBE = 0,7V
 = 50; r0= 
10F

87
14. Cho mạch điện nhƣ hình:
12V

470K 2,7K
+ UR
UV 10F
+
UBE = 0,7V
10F
240  = 100;
r0= 
+
560 100F

a) Tính các giá trị dòng điện, điện áp trên các cực của Transistor.
b) Vẽ đƣờng tải tĩnh và xác định điểm làm việc tĩnh Q.
15. Cho mạch điện nhƣ hình:
18V
33K 4,7K
10F
+
10F UR
+ UBE =0,7V
UV  =99;r0=
+
3,3K 470 50F

a) Tính các giá trị dòng điện, điện áp trên các cực của Transistor.
b) Vẽ đƣờng tải tĩnh và xác định điểm làm việc tĩnh Q.
16. Cho mạch điện nhƣ hình:

20V
3,9K
10F

10F UR
IDSS =6 mA
UP =-4V
UV rd=
1M 50F

1,8K


88
 a) Tính dòng điện ID, điện áp UDS
b) Vẽ đƣờng tải tĩnh và xác định điểm làm việc tĩnh trên đặc tuyến truyền đạt.

17. Cho mạch điện nhƣ hình: IDSS=8mA, UP= - 6V, rd =

a) Tính dòng điện ID, điện áp UDS

b) Vẽ đƣờng tải tĩnh và xác định điểm làm việc tĩnh trên đặc tuyến truyền đạt.

89
 Chƣơng 2

Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp

2.1. Khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng Transistor lƣỡng cực
2.1.1. Giới thiệu
Các kiểu phân cực đã đƣợc giới thiệu ở phần trƣớc sẽ đƣợc sử dụng để phân
tích tín hiệu xoay chiều nhỏ. Các mạch đƣợc phân tích sau đây là những mạch điện
thực tế thƣờng đƣợc sử dụng. Để phân tích bộ khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT và
FET ngƣời ta dùng sơ đồ tƣơng đƣơng để phân tích. Khi vẽ sơ đồ tƣơng đƣơng đối
với tín hiệu xoay chiều cần chú ý 2 điểm sau:
- Thiết lập tất cả các nguồn cấp một chiều ở mức điện thế 0V (ngắn mạch
nguồn cấp).
- Ngắn mạch tất cả các tụ điện. IE IC
E C
- Tuỳ theo cách mắc của BJT sẽ có sơ
đồ tƣơng đƣơng của chúng.
re IC = IE
Ngƣời ta đã vẽ đƣợc sơ đồ tƣơng đƣơng
của BJT (NPN) theo cách mắc của chúng nhƣ B B
sau.
Hình 2.1: Sơ đồ tương đương của
Hình 2.1 là sơ đồ của BJT mắc BC cách mắc BC
trong đó:
IB
B C
UT
re  là điện trở của chuyển tiếp
IE
re IB ro
Emitter, IE là dòng phân cực tại cực Emitter, UT
là điện thế nhiệt, ở nhiệt độ bình thƣờng E E

UT = 26mV, do đó: re 
26mV Hình 2.2: Sơ đồ tương đương của
IE cách mắc EC
Hình 2.2 là sơ đồ tƣơng đƣơng của BJT
mắc CE trong đó: r0 đƣợc coi là trở kháng ra của
mạch EC, r0 thƣờng rất lớn và đƣợc cho trƣớc bởi nhà sản xuất.
Tƣơng tự nhƣ cách mắc EC, ta sẽ có sơ đồ tƣơng đƣơng của mạch CC. Sơ đồ
tƣơng đƣơng này sẽ đƣợc vẽ trong các mạch cụ thể ở phần sau.
Khi phân tích chế độ xoay chiều cần khảo sát các tham số:

90
 Uv
- Trở kháng vào Zv : Zv =
Iv

Ur
- Trở kháng ra Zr : Zr = Uv  0
Ir

Ur
- Hệ số khuếch đại điện áp Ku: Ku 
Uv

Ir
- Hệ số khuếch đại dòng điện KI: K I 
Iv

2.1.2. Các mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ

2.1.2.1. Mạch Emitter chung (EC)
UCC
Ir

R1 RC
C2 Ur

Uv C1

Zr
Iv

Zv R2 RE CE

Hình 2.3: Mạch EC

Hình 2.3 là một sơ đồ nguyên lý cơ bản của mạch EC transistor đƣợc phân cực
theo kiểu phân áp, tín hiệu vào đƣa vào giữa cực Base và Emitter, tín hiệu lấy ra giữa
hai cực Collector và Emitter. Ta sẽ dùng sơ đồ tƣơng đƣơng hình 2.4 để tính toán các
tham số của mạch:
Iv IC
Ib

Ir

Zr U
Uv Zv R1 R2 re Ib r0 RC r

R’
Hình 2.4: Sơ đồ tương đương mạch EC

91
 Trở kháng vào Zv:

Zv = R’ // re
R1 .R2
Với R’ = R1 // R2 =
R1  R2

Trở kháng ra:

Zr = RC // r0

Nếu r0  10 RC  Zr  RC
Hệ số khuếch đại điện áp Ku đƣợc tính nhƣ sau:
Ur = - (Ib) (RC // r0)

do đó Ur = -  v  (RC // r0)
Uv U
Vì Ib =
 re  re 

Ur R
Nếu r0  10 RC thì Ku = -  C
Uv re

Trong công thức tính Ku dấu - thể hiện tín hiệu ra ngƣợc pha với tín hiệu đầu
vào.
Hệ số khuếch đại dòng điện Ki :
I r U r .U v .I r 1
KI    Ku .Z v .
I v U v .I v .U r Zr

Thay các giá trị của phân trên ta có: Ki 

Ví dụ 2.1: Cho sơ đồ hình 2.3 biết R1 = 56k; R2 = 8.2k; Rc = 6.8k;

RE = 1.5k, C1 = C2 = 10F; Ucc = 22V;  = 99, r0 = 

Hãy xác định: re; Zv, Zr, Ku, Ki.
Giải:
R2 8, 2k
UB =  U CC   22V = 2,81V
R1  R2 56k  8, 2k

UE = UB - UBE = 2,81 - 0,7 = 2,11V

IE = UE 2,11V = 1,41 mA

RE 1, 5k

26mV 26mV
re =  = 18,44 
IE 1, 41mA

92
 R’ = R1 // R2 = (56k) // (8,2 k) = 7,15 k

+ Zv = R’// re = 7,15 k // (90)(18,44 ) = 7,15 k // 1,66 k = 1,35 k

+ Zr = RC = 6,8 k
RC 6, 8k
+ Ku = -  = -368,76
re 18, 44

+ Ki   = 90
2.1.2.2. Mạch Collector chung

B C
UCC Uv

re IB
RB

Iv Zv
+ C2 Zb E Ir +

C1 + Ur Ur
RB Zr
RE
RE Ir Zr IE=(+1)IB
Zv
-

Hình 2.5: Sơ đồ mạch CC Hình 2.6: Sơ đồ tương đương CC

Sơ đồ nguyên lý mạch CC cho trên hình 2.5, sơ đồ tƣơng đƣơng đƣợc vẽ nhƣ
hình 2.6 (bỏ qua ro)
Trở kháng vào đƣợc xác định:
Zv = RB // Zb
Ub
Với Zb = = re + ( + 1)RE  RE
Ib

Trở kháng ra đƣợc tính nhƣ sau:

Uv
Ib =
Zb

Uv
Ie = ( + 1) Ib = ( + 1)
Zb

Thay Zb  RE
(  1)U v Uv
Ie= =
re  (  1)R E re /(  1)  RE

93
  re  re
nhƣng ( + 1)   và   re
 1 

Uv
do đó Ie 
re  R E

Với dòng Ie đƣợc xác định theo công thức trên ta có thể vẽ đƣợc mạch nhƣ hình
2.7.
Trở kháng ra đƣợc xác định khi Uv = 0.
Zr = RE // re re

Vì RE thƣờng lớn hơn re do đó: Ie

Zr  r e Uv RE
Zr

Ur
Hệ số khuếch đại điện áp Ku đƣợc tính:

Ur =
RE U v Hình 2.7: Xác định Z r
R E  re

Ur RE
Do đó Ku = 
Uv RE  re

Vì RE thƣờng lớn hơn re nên RE + re  RE do đó:

Ur
Ku = 1
Uv

Hệ số khuếch đại dòng điện Ki:

RB I v I RB
Ta có Ib = nên b  và Ir = - Ie = - ( + 1) Ib
RB  Z b Iv RB  Z b

Ir
nên = - ( + 1)
Ib

Ir I Ib RB
do đó Ki =  r = - ( + 1)
Iv Ib Iv RB  Z b

vì ( + 1)   nên
RB
Ki 
RB  Z b

2.1.2.3. Mạch Base chung BC

Hình 2.8 là sơ đồ mạch BC, tín hiệu vào đƣợc đƣa vào giữa hai cực Emitter và
Base, tín hiệu ra đƣợc lấy trên hai cực Collector và Base.

94
 Ucc

R1 Rc

Uv C1 C2 Ur
+
+

Zr
Zv
+
RE R2 C3

Hình 2.8: Sơ đồ mạch BC

Sử dụng sơ đồ tƣơng đƣơng hình 2.9 để tính các tham số của mạch:

E Ie IC C
Iv

Ir
Uv re Ie Ur
RE Rc

B B
Hình 2.9: Sơ đồ tương đương mạch BC
Trở kháng vào: Zv = RE //re re vì re<< RE
Trở kháng ra: Zr = Rc
Hệ số khuếch đại điện áp Ku đƣợc tính nhƣ sau:
Ur = -Ir.RC = - IC.RC = - IeRC
Uv
Mà Ie = -
re
Uv
Nên Ur =  Rc
re

Ur Rc Rc
Suy ra: Ku =  
Uv re re

Hệ số khuếch đại dòng điện Ki : vì RE >> r e nên ta coi Iv  - Ie

Mặt khác Ir = Ie nên Ki = Iv/Ir = -   -1.

95
2.2. Các mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET
2.2.1. Giới thiệu
Khuếch đại dùng FET có độ lợi điện áp tốt với đặc trƣng trở kháng đầu vào cao.
Chúng cũng đƣợc sử dụng trong các sơ đồ có tiêu hao năng lƣợng thấp với giải tần số
thích hợp và kích thƣớc, trọng lƣợng nhỏ. Cả hai loại JFET và MOSFET kênh đặt sẵn
đều đƣợc thiết kế dễ dàng với độ lợi điện áp nhƣ vậy. Tuy nhiên mạch dùng MOSFET
kênh đặt sẵn thƣờng có trở kháng vào cao hơn so với sơ đồ sử dụng JFET tƣơng ứng.
Trong khi ở BJT dòng điện đầu ra (dòng collector) đƣợc điều khiển bằng một
dòng điện ở đầu vào (dòng base), thì ở FET dòng điện đầu ra (dòng cực máng) lại
đƣợc điều khiển bằng điện áp ở đầu vào (điện áp cổng). Nói chung, BJT là một linh
kiện đƣợc điều khiển bằng một dòng điện và FET là linh kiện đƣợc điều khiển bằng
điện áp. Ở cả hai trƣờng hợp, chú ý rằng dòng điện là đại lƣợng biến thiên đƣợc điều
khiển. Do FET có đặc trƣng trở kháng đầu vào lớn nên các sơ đồ tƣơng đƣơng của nó
ở chế độ xoay chiều dù sao cũng đơn giản hơn so với BJT.
Trong khi hệ số đặc trƣng cho chế độ khuếch đại của BJT là  thì ở FET là độ
hỗ dẫn gm.
FET có thể đƣợc sử dụng nhƣ một bộ khuếch đại tuyến tính hoặc một linh kiện
số trong các mạch logic. Thực tế MOSFET kênh cảm ứng xuất hiện khá phổ biến trong
các mạch số, đặc biệt là trong các mạch CMOS yêu cầu lƣợng tiêu thụ năng lƣợng rất
thấp .
Cũng nhƣ BJT, các thông số đặc trƣng cho sự khuếch đại của FET đƣợc phân
tích trong chƣơng này bao gồm độ lợi (hệ số khuếch đại) điện áp, trở kháng vào và trở
kháng ra.
2.2.2. Mô hình của FET ở chế độ tín hiệu nhỏ
Trong chế độ tín hiệu nhỏ, một tính chất của FET đƣợc ứng dụng là dùng điện
áp đặt giữa cực cổng và cực nguồn để điều khiển dòng điện chạy từ cực máng về cực
nguồn (dòng điện trong kênh dẫn).
Ta đã biết rằng ở chế độ tĩnh, điện áp UGS điều khiển dòng một chiều ID thông
qua quan hệ đƣợc biểu diễn theo phƣơng trình Shockley:
2
ID = IDSS  1  U GS  (2.1)
 UP 

Khi thay đổi điện áp UGS sẽ làm thay đổi dòng cực máng ID, sự thay đổi này
đƣợc đặc trƣng bởi độ hỗ dẫn gm:

96
 I D
gm = (2.2)
U GS

2.2.2.1. Cách xác định gm bằng phương pháp hình học (hình 2.10)
ID

IDSS

ID

UGS
UGS
UP 0

Hình 2.10: Xác định g m nhờ đặc tuyến truyền đạt

Xét đặc tuyến truyền đạt trên hình 2.10, ta thấy rằng g m chính là độ dốc của đặc
tuyến tại điểm làm việc. Đó là:
y I D
gm = m =  (2.3)
x U GS

Trên đƣờng cong đặc tuyến truyền đạt, rõ ràng là độ dốc của nó (chính là gm)
tăng lên khi điểm làm việc thay đổi từ điểm UP đến IDSS, hay nói theo cách khác, khi
UGS tăng dần đến 0V thì độ lớn của gm cũng tăng lên.
Ví dụ 2.2: Xác định gm của một JFET với IDSS = 8mA và UP = - 4V tại các điểm
phân cực:
a) UGS = - 0,5V
b) UGS = - 1,5V
c) UGS = - 2,5V
Giải:
Trƣớc tiên ta phải vẽ đặc tuyến truyền đạt của JFET, phƣơng trình của đặc
tuyến là:
2
ID = IDSS  1  U GS 
 Up 
2
 U GS 
ID = 8mA 1 
(4V) 
hay:


97
 ID (mA)

7
gm at-0,5V

 
6 2.1mA
2
UGS
ID = 8mA 1  5
4V
0,6V
4
gm at-1,5V
1.8mA3

2
gm at-2,5V 0.7V
1.5mA
1

UP -2 -1 0 UGS(V)
1.0V

Hình 2.11: Xác định g m cho ví dụ

Ta xác định đƣợc 3 điểm trên đặc tuyến ứng với UGS = - 0,5V , - 1,5V và - 2,5V
(hình 2.11).
I D 2,1mA
a) gm = = = 3,5ms
U GS 0, 6V

1, 8mA
b) gm = = 2,57ms
0, 7V

1, 5mA
c) gm = = 1,5ms
1, 0V

2.2.2.2. Tính gm bằng biểu thức toán học

Phƣơng pháp dùng đặc tuyến truyền đạt để xác định gm có ƣu điểm là trực quan,
đơn giản nhƣng thƣờng cho giá trị không chính xác một cách tuyệt đối. Vì vậy ngƣời
ta có thể xác định gm từ các biểu thức toán học dựa vào tính chất: đạo hàm tại một
điểm chính là độ dốc (hệ số góc) của tiếp tuyến tại điểm đó.
I D dI D dI D   U 
gm    1  GS  
U GS Q dU GS Q dU GS  DSS 
I
UP  

 U  d 1 dU GS 
2I DSS 1  GS    . 
 U P  dU GS U P dU GS 

2I DSS  U GS 
gm  1  U  (2.4)
UP  P 

Ở đây UP biểu thị giá trị của gm là luôn dƣơng .

Từ công thức tính gm, ta thấy gm đạt giá trị max tại UGS = 0V. Khi đó:

98
 2I DSS(T)
gm0= (2.5)
UP

Giá trị gm0 biểu thị giá trị gm tại điểm có UGS = 0V.
Ta có:

gm = gm0 1  U GS  (2.6)

 UP 

Ví dụ 2.3: Cho JFET có đặc tuyến truyền đạt nhƣ ví dụ 2.2.

Tìm giá trị max của gm
Tính gm tại các điểm trong ví dụ 2.2, so sánh kết quả.

Giải:

= 2 
2I DSS 8mA 
a) gm0 =  = 4ms (so với 3,5ms)
UP  4V 

b) Tại UGS = - 0.5V: gm = 4ms(1 - ( - 1.5V)/( - 4V)) = 2.5ms (so với 2,57ms)
UGS = - 2.5V : gm = 4ms(1 - ( - 2.5V)/( - 4V)) = 1.5ms (so với 1,5ms)
2.2.2.3. Ảnh hưởng của ID tới gm
Mối quan hệ toán học giữa gm và dòng phân cực tĩnh ID sẽ đƣợc xác định từ
phƣơng trình Shockley và đƣợc viết dƣới dạng sau:
U GS ID
1  (2.7)
UP I DSS

gm = gm0  1 
U GS  ID
   gm0 (2.8)
 UP  I DSS

Một số giá trị đặc biệt của ID:

+ Nếu ID = IDSS : gm = gm0
I DSS g
+ Nếu ID = : gm = m0 ≈ 0.707gm0
2 2

I DSS g
+ Nếu ID = : gm = m0 = 0.5gm0
4 2

2.2.2.4. Trở kháng vào ZV của FET

Trở kháng vào của FET là rất lớn và có thể coi gần đúng nó là trở kháng ở cửa
vào của một hở mạch.
Zv(FET) =  (2.9)
99
 Với JFET, Zv 109, còn đối với MOSFET thì Zv = 10121015.
2.2.2.5. Trở kháng ra Zr
Trở kháng ra của FET thƣờng đƣợc biểu diễn với tham số đặc trƣng là dẫn nạp
ra yos (o là biểu thị đầu ra output, s biểu thị lấy ra ở cực nguồn), đơn vị của yos thƣờng
là S.
1
Zr(FET) = rd = (2.10)
y os

Trở kháng ra đƣợc xác định trên đặc tuyến hình 2.12, nó chính là độ dốc của
đặc tuyến so với đƣờng nằm ngang tại điểm làm việc, đặc tuyến càng nằm ngang thì
trở kháng ra càng lớn. Ta có:
U DS
rd = U GS = const (2.11)
I D

ID(mA)

UGS = 0V
8
7
6 UGS = - 1V
5
4
3 UGS UGS = - 2V
2
1

UGS = UT - 6V UGS

Hình 2.12: Xác định trở kháng ra

Điện trở máng rd biểu thị sự ảnh hƣởng của điện áp cực máng UDS tới dòng điện
cực máng ID khi điện áp trên cực cổng không đổi. Nhƣ vậy, điện trở máng r d chính là
trở kháng ra của FET ở chế độ xoay chiều trên cực máng.
2.2.2.6. Mạch tương đương của FET ở chế độ xoay chiều
Ở sơ đồ tƣơng đƣơng của FET, sự điều khiển của điện áp UGS tới dòng ID đƣợc
biểu thị bằng nguồn dòng gmUGS đƣợc nối giữa cực D và S, chiều của nguồn dòng này
là chiều từ D đến S, nó thiết lập một sự đảo pha 180o giữa điện áp đầu vào và đầu ra
khi FET làm việc.

100
 G + D

UGS
gmUG rd
S
_
S S

Hình 2.13: Sơ đồ tương đương

Trở kháng vào đƣợc chỉ ra bằng hở mạch ở cửa vào và trở kháng ra chính là
điện trở rd giữa máng và nguồn.
Trong những trƣờng hợp khi rd không đƣợc nhắc đến (giả sử đủ lớn tƣơng ứng
với hở mạch) thì sơ đồ tƣơng đƣơng sẽ đơn giản là một nguồn dòng mà độ lớn của nó
đƣợc điều khiển bằng điện áp UGS và tham số gm.
2.2.3. Sơ đồ phân cực cố định của JFET

Sơ đồ phân cực cố định đối với JFET đƣợc biểu diễn trên hình 2.14, sơ đồ
tƣơng đƣơng hình 2.15.
UDD

RD
D
C1 C2 Ur
Uv G

S Zr
RG
Zv

VGG

Hình 2.14: Sơ đồ phân cực cố định cho JFET

Khi các giá trị gm và rd đƣợc xác định từ sự phân cực thì mạch thay thế tƣơng
đƣơng với ngắn mạch vì điện kháng XC = 1/(2πfC) là rất nhỏ so với các trở kháng khác
của mạch, đồng thời các nguồn một chiều UGG và UDD đều đƣợc đặt ở giá trị 0 bằng
ngắn mạch tƣơng ứng. Chiều phân cực của UGS xácđịnh chiều của nguồn dòng gmUGS,
nếu UGS là âm thì chiều của nguồn dòng là chiều ngƣợc lại. Tín hiệu vào ký hiệu là Uv
và tín hiệu ra đặt trên rd ký hiệu là Ur.

+ Zv: Hình 2.15 đã chỉ rõ rằng: Zv = RG

+ Zr: cho Uv = 0 nhƣ định nghĩa của Zr sẽ cho UGS = 0.

101
 XC1=0 G XC2=0
D
Ur
Uv

gmUGS rd rd
RD
Zv Zr

RG
S UDD=0
UGG=0

Hình 2.15: Sơ đồ tương đương của mạch hình 2.14

Kết quả là: gmUGS = 0mA, do đó nguồn dòng có thể đƣợc thay thế bằng một hở
mạch tƣơng đƣơng nhƣ hình 2.16.

Trở kháng ra khi này sẽ là: Zr

gmUGS=0 rd RD Ur
Zr = RD //rd

Nếu rd ≥ 10RD RD //rd  RD.

Khi đó: Hình 2.16: Mạch tính Z r

Zr = R D

+ Ku : Ur = -gmUGS(rd //RD) mà UGS = Uv

 Ur = -gmUv(rd //RD)

Ur
 Ku    g m (rd P RD )
Uv

Ur
Nếu rd ≥ 10RD: Ku    g m RD
Uv

Giá trị âm của biểu thức tính Ku chỉ rõ rằng điện áp vào và ra lệch pha
0
nhau 180 .

Ví dụ 2.4: Cho sơ đồ phân cực nhƣ hình 2.15 với RG = 1M; RD = 2K;
UDD=20V; UGSQ = -2V và IDQ = 5,625mA; IDSS = 10mA; UP = -8V; yOS = 40µs.

a) Tính gm?

b) Tính rd?

c) Tìm Zv, Zr và Ku?

Giải:
102
 2(10mA)
a) g m0  2 I DSS / U P   2,5mS
8V

U GSQ 2V
g m  g m 0 (1  )  2,5mS(1  )  1,88mS
UP 8V

1 1
b) rd    25K 
yOS 4 s

c) Zv = RG = 1M.

Zr = RD//rd = 2k//25k= 1,85k

Ku = -gm(rd//RD) = - (1,88mS)(1,85k) = -3,48.

2.2.4. Sơ đồ tự phân cực JFET

 Trường hợp có mắc tụ CS (hình 2.17)

I
UDDD
RD
C2
D Ur
C1 G
Uv
+
S
UGS
RG
-

RS CS

Hình 2.17: Sơ đồ tự phân cực JFET

Sơ đồ phân cực cố định có bất lợi là cần phải có hai nguồn cung cấp một chiều
để thiết lập điểm làm việc mong muốn. Ở chế độ xoay chiều, tụ coi nhƣ ngắn mạch và
RS xem nhƣ đƣợc nối đất, do vậy ta có mạch tƣơng đƣơng JFET nhƣ hình 2.18.

Vì sơ đồ tƣơng đƣơng có dạng nhƣ hình 2.17 nên các công thức của Z v, Zr và
Ku cũng tƣơng tự:

103
 XC1=0 XC2=0
G D
Ur
Uv

gmUGS rd
RD
Zv Zr

RG
S UDD

Hình 2.18: Sơ đồ tương đương của mạch hình 2.17

+ Zv: Z v = RG

+ Zr : RD //rd

Nếu rd ≥ 10RD thì Zr  RD

+ KU: Ku = -gm(rd//RD)

Nếu rd ≥ 10RD: Ku   gm RD

Dấu âm của biểu thức tính Ku chỉ rõ rằng điện áp vào và ra lệch pha nhau 1800.

 Trường hợp bỏ tụ CS

Nếu bỏ tụ CS ở hình 2.17 thì điện trở RS sẽ là một phần của mạch hình 2.19.
G D
+ +
Ir
gmUGS rd
RD
Zv Zr
ID

Uv RG Ur
S
RS
-
-

Hình 2.19: Sơ đồ tương đương khi không có tụ C S

Trong trƣờng hợp này, để xác định Zv, Zr và Ku, một cách đơn giản nhất với
chú ý về sự phân cực và chiều của chúng, Trƣớc tiên rd sẽ đƣợc bỏ qua để hình thành
một trƣờng hợp cơ bản để phân tích.

+ Zv: dựa vào điều kiện hở mạch giữa cực G và mạch đầu ra thì đầu vào còn lại
nhƣ sau:
104
 Z v = ZG

Ur
+ Zr: trở kháng ra Zr  U v 0
Ir

Với Uv = 0 ở hình 2.21 thì cực G coi nhƣ đƣợc nối đất (0V) điện áp trên RG sẽ
là 0 và RG coi nhƣ đƣợc ngắn mạch. Áp dụng định luật Kirchhoff về dòng điện:

Ir + ID = gmUGS

Với UGS = -( Ir + ID)RS

 Ir + ID = - gm(Ir + ID)RS = -gmIrRS - gmIDRS

Hay Ir(1+ gmRS) = -ID(1+ gmRS)  Ir = -ID (do gmRS = 0)

Ur = -IDRD = IrRD

Ur
 Zr   RD
Ir

Nếu tính đến cả rd trong mạch thì sơ đồ tƣơng đƣơng sẽ nhƣ hình 2.20.

G D
+ +
Ir
gmUGS rd
I’ RD
Zv Zr
ID

Uv RG Ur
S
RS
- -

Hình 2.20: Sơ đồ tương đương khi tính đến r d

Ur I D RD
Với Zr  Uv 0 
Ir Ir

Theo Kirchhoff: Ir = gmUGS + Ird - ID

Mà Urd = Ur + UGS

U  UGS
 I r  gmUGS  r  ID
rd

Với UGS = -( Ir + ID)RS

105
 1 I
 I r  ( g m  )( I D  I r ) RS  rd  I D
rd rd

1 I R
 I r  ( g m  )( I D  I r ) RS  D D  I D
rd rd

R R
 I D (1  g m RS  S  D )
rd rd
 Ir 
R
(1  g m RS  S )
rd

R
(1  g m RS  S )
U I R rd
 Zr  r  D D  R
Ir Ir RD D
(1  g m RS  )
rd

Nếu rd ≥10RD (1 + gmRS + ) >> RS/rd

 1 + gmRS +RS/rd + RD/rd ≈ 1 + gmRS +RS/rd

Khi đó Zr = R D

+ KU: đối với sơ đồ hình 2.20 ứng dụng định luật Kirchhoff ở mạch ra:

UGS = UV - IDRS

Điện áp đặt trên rd là: Ur – URS và với I' = (Ur – URS)/ rd

Áp dụng định luật Kirchhoff với dòng điện cho kết quả:

ID = gmUGS + (Ur – URS)/ rd = gm(Uv – IDRS) – (IDRD + IDRS)/rd

g mU v
 ID 
R  RS
1  g m RS  D
rd

Mà điện áp đầu ra Ur = - IDRD

U gm RD
 KU  r  
UV ( R  RD )
1  gm RS  S
rd

Nếu rd ≥ 10(RD+RS)

106
 U g R
KU  r   m D
UV 1  gm RS

2.2.5. Sơ đồ phân áp JFET

UDD

R1 RD

Ur
C2
Uv
C1

R2
RS CS

Hình 2.21: Mạch phân cực phân áp cho JFET

Sơ đồ tƣơng đƣơng ở chế độ xoay chiều cho JFET nhƣ hình 2.22. Thay thế
nguồn một chiều UDD bằng ngắn mạch tƣơng đƣơng, tức là R1 và RD đƣợc nối đất. Khi
đó R1 coi nhƣ mắc song song R2 và RD có thể cũng đƣợc đƣa xuống nối đất nhƣng ở
mạch ra trên rd. Mạch tƣơng đƣơng ở chế độ xoay chiều sẽ đƣợc đƣa về dạng cơ bản.
G D
Ur
Uv

gmUGS rd
RD
Zv Zr

R1 R2
S

Hình 2.22: Sơ đồ tương đương của mạch hình 2.20

+ ZV: R1 và R2 đƣợc mắc song song với hở mạch tƣơng ứng của JFET, kết quả
là:

ZV = R1 // R2

+ Zr cho Uv = 0 sẽ có UGS và gm bằng 0

 Zr = rd //RD

Nếu rd ≥ 10RD: Zr ≈ RD

107
 + Tính Ku: UGS = Uv và

Ur = -gmUGS(rd //RD)

 Ku = Ur/Uv = -gm(rd //RD)

Nếu rd ≥ 10RD: Ku ≈ -gmRD.

2.2.6. Sơ đồ lặp cực nguồn

UDD
D

C1
G
Uv
C2
S
Zv Ur
RG

RS Zr

Hình 2.23: Sơ đồ lặp cực nguồn JFET

Tƣơng đƣơng với sơ đồ lặp emitter của BJT là sơ đồ lặp cực nguồn của JFET
nhƣ hình 2.23, chú ý rằng đầu ra đƣợc lấy trên cực nguồn và khi nguồn một chiều cung
cấp đƣợc thay thế bằng ngắn mạch tƣơng ứng cực máng nối đất và vì thế gọi là máng
chung. Thay thế mạch tƣơng đƣơng JFET sẽ cho ta sơ đồ 2.24, nguồn điều khiển và
trở kháng ra của JFET nối đất tại điểm cuối và nối với RS tại điểm kia, với Ur đặt trên
RS. Với gmUGS, RS, rd đƣợc nối với nhau và nối đất, chúng có thể đƣợc nối song song
nhƣ hình 2.24, nguồn dòng sẽ có chiều ngƣợc lại nhƣng UGS thì vẫn đặt giữa G và S.

G D
Uv

UGS
gmUGS rd
Zv

RG
S
Ur
RS
Zr

Hình 2.24: Sơ đồ tương đương

+ Zv: hình 2.24 đã chỉ ra rằng: Zv = RG

108
 U ra
+ Zr: Zr  hm
I rangm

UGS  U v  I D RS
Ta có: Ur I R
U r  U R   I D RS  I r  d   D S
d S d rd rd

I R
mà I D  gmUGS  I r  gm (U v  I D RS )  D S
d rd

gmU v rd
 ID   U ra  I D RS
rd  gmrd RS  RS hm

I rangm  gmUGS  gmUv

U ra rd RS 1 1
Zr  hm    rd P RS P
I rangm rd  g m RS rd  R S 1
 gm 
1 gm
RS rd

Zr = rd//RS//(1/gm) (2.12)
Nếu rd10RS: Zr  RS// (1//gm) (2.13)

+ Ku : Điện áp ra Ur đƣợc xác định:

U r  gmUGS (rd P RS )

Áp dụng định luật Kirchhoff cho vòng ngoài của hình 2.23:
Uv  UGS  U r , mà: UGS  Uv  U r

 U r  gm (U v  U r )(rd P RS )

hay: U r  gmUv (rd P RS )  gmU r (rd P RS )

U g (r P RS )
 Ku  r  m d (2.14)
U v 1  gm (rd P RS )

U g R
Nếu rd  10RS: Ku  r  m S (2.15)
U v 1  gm RS

Ví dụ 2.5: Cho hình 2.22 với UGS = - 2,86V và IDQ = 4,56mA; IDSS = 16mA;
UP = - 4V; yos = 25 S; C1= C2 = 0,05 F; RD = 1M; RS = 2,21k; UDD=9v
109
 a) Tính gm
b) Tìm rd
c) Tính Zv
d) Tính Zr khi có và không có rd.
Giải:
a) gm0 = 2IDSS /UP = 2.(16mA)/14V = 8(mS)
gm = gm0(1 – UGS/UP) = 8mS(1 - (- 2,86V)/(- 4V)) = 2,28mS
b) rd = 1/yos = 1/25mS = 40k.
c) Zv = RG = 1M
d) + nếu có rd:
1
Z r  rd P RS P = 40k//2,2k//1/ 2,28mS = 2,8k
gm

+ không có rd :
Zr = RS // (1/gm) = 2,2k//438,6 = 365,96
Nhƣ vậy ta thấy rd chỉ có ảnh hƣởng rất nhỏ đến Zr
gm (rd P RS ) 2, 28mS (40k  P 2, 2k )
e) + Nếu có rd : Ku    0,83
1  gm (rd P RS ) 1  2, 28mS (40k  P 2, 2k )

giá trị này nhỏ hơn 1 nhƣ đã dự đoán ở trên

gm RS 2, 28mS (2, 2k )
+ Không có rd : KU    0,83
1  gm RS 1  2, 28mS (2, 2k )

Điều này chứng tỏ rd có ảnh hƣởng rất nhỏ đến độ lợi (hệ số khuếch đại) của sơ
đồ.
2.2.7. Sơ đồ JFET cổng chung

Sơ đồ cuối cùng của JFET đƣợc phân tích chi tiết là sơ đồ cổng chung nhƣ hình
2.25, tƣơng tự nhƣ sơ đồ base chung ở BJT. Sơ đồ trên đƣợc thay thế bằng mạch tƣơng
đƣơng nhƣ hình 2.26, chú ý rằng yêu cầu nguồn điều khiển gmUGS đƣợc nối từ D đến S
với rd mắc song song, sự cách ly độc lập giữa mạch vào và mạch ra rõ ràng đã bị mất
đi khi cực G đƣợc nối đất. Hơn nữa, điện trở đƣợc nối giữa cực vào không còn là R G
nhƣng là điện trở RS giữa cực S và đất. Cho rằng vị trí của điện áp điều khiển UGS thực
sự đã xuất hiện trực tiếp đặt trên RS.

110
 C1 C2
S D
S
G
ZV Zr
R RD
UV Ur
+

Hình 2.25: Sơ đồ cổng chung JFET

rd
a Db
S

gmUGS Zr
UV ZV Ur
RS RD
G

Hình 2.26: Sơ đồ tương đương cổng chung

U
+ Zv: Zv  v
Iv

Mà Iv  I S  gmUGS  I r (1)
d
Uv
Ta có: IS  ; UGS  Uv
RS

I D  gmUGS  I r
d
Áp dụng định luật Kirchhoff về dòng điện ở nút a:
I D RD  I r rd  I S RS  0
d
U
 I r rd   I D RD  I S RS  ( gmUGS  I rd ) RD  v RS
d RS

U
( gmUGS RD  v RS )
RS
 Ir 
d rd  RD

Thay vào (1) ta đƣợc:

111
 Uv g U R  Uv
Iv   gmU v  m v D
RS rd  RD

U 1
 Zv  v 
Iv 1 g R 1
 gm  m D
RS rd  RD

RS (rd  RD ) r  RD
  RS  d
rd  RD  RS (1  gmrd ) 1  g mrd

+ Zr : gm .UGS = 0 và rd mắc song song với RD.

Zr = RD //rd (2.16)
Nếu rd  10RD :  Zr  RD (2.17)
 I D RD
+ Ku: KU 
Uv

Áp dụng định luật Kirchhoff về dòng điện ở nút b hình 2.26:

I D  gmUGS  I r
d

g r 1 g U R  Uv g U r  Uv
KU  m d R   gmU v  m v D  m v d
rd  RD D rd  RD rd  RD

g r 1
 KU  m d RD
rd  RD

112
 CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP

Bài 1. Cho sơ đồ mạch điện nhƣ hình 2.27:

UCC = + 15V
a. Tính các giá trị dòng điện, điện áp trên các cực
của Transistor.
RB RC
180K 1K IC
b. Vẽ đƣờng tải tĩnh và xác định điểm làm việc +
Ur
Uv IB C
tĩnh Q. 10F
+ =100
10F B
c. Vẽ sơ đồ tƣơng đƣơng của mạch và tính KU, KI, E UBE = -0,7V

ZV, Zra. Hình 2.27

Bài 2. Cho sơ đồ mạch điện hình 2.28:

UCC

Biết UCC = 20V, R1 = 4,7k, R2 = 33k, RC = 390k,

R1 RE
C2
Ur
RE =1,5k,  = 100, UBE = -0,7V. Uv C1

a. Tính các giá trị dòng điện, điện áp trên các cực của
Transistor. R2 RC

b. Vẽ đƣờng tải tĩnh và xác định điểm làm việc tĩnh Q.

c. Vẽ sơ đồ tƣơng đƣơng của mạch và tính KU, KI, ZV’ Hình 2.28
Zra.
Bài 3. Cho mạch phân áp nhƣ hình 2.29:
a. Tính các giá trị dòng điện và điện áp trên các
15V
cực của Transistor.
1k
b. Viết phƣơng ttrình đƣờng tải tĩnh và xác định 18k
IC 10F
m Ur

điểm làm việc Q. Uv 10F
UBE = 0.7v
c. Vẽ sơ đồ tƣơng của mạch ở chế độ tín hiệu nhỏ. =200

d. Tính trở kháng vào, trở kháng ra, hệ số khuếch

3,6k 240 50F
đại điện áp và dòng điện của mạch (r0= ∞).


Hình 2.29

113
Bài 4. Cho mạch điện nhƣ hình 2.30:
22V
a. Tính các giá trị dòng điện, điện áp trên các 56K 6,8K 10F
cực của Transistor. +
UR
UBE = -0,7V
 = 99; r0= 
b. Vẽ đƣờng tải tĩnh và xác định điểm làm việc
+
tĩnh Q. 50F
+
UV
8,2K 1,5K
c. Vẽ sơ đồ tƣơng đƣơng của mạch và tính KU, 10F

KI, ZV, Zra. Hình 2.30

Bài 5. Cho mạch điện nhƣ hình 2.31: 18V

a. Tính ID, UDS,UGS. 3,3K

10F
b. Vẽ đƣờng tải tĩnh và xác định điểm 10F Ur
làm việc tĩnh Q. IDSS = 8 mA
UV UP = -6V
c. Vẽ sơ đồ tƣơng đƣơng của mạch ở chế 1M 1,5K 50F
độ xoay chiều.
d. Cho rd=50KΩ,Uv=150mV, tính trở Hình 2.31
kháng vào, trở kháng ra.

Bài 6. Cho mạch điện nhƣ hình 2.32: 18V

a. Tính giá trị ID, UD, US, UDS, UGS. R1
RD
10F
4,7K
b. Vẽ phƣơng trình đƣờng tải tĩnh, xác định 110 M Ur
C1
tọa độ điểm làm việc tĩnh Q. UV
IDSS = 6 mA
10F UP = -3V
c. Vẽ sơ đồ tƣơng đƣơng của mạch ở chế độ R2 RS 50F

xoay chiều. 10M 1,5K

Hình 2.32
d. Cho rd=50KΩ,Uv=100mV, tính trở kháng
vào, trở kháng ra.
12V
Bài 7. Cho mạch điện nhƣ hình 2.33:
1,3K
a. Tính Zv, ZR, Ku với gm =3000µS. 10F

10F UR
b. Vẽ đƣờng tải tĩnh và xác định điểm IDSS = 8 mA
UP = -3V, rd= 
làm việc tĩnh trên đặc tuyến ra. UV
10M 50F
240

Hình 2.33
114
Bài 8. Cho mạch điện nhƣ hình 2.34:
a. Tính các giá trị dòng điện, điện áp trên các cực của Transistor.
b. Vẽ đƣờng tải tĩnh và xác định điểm làm việc tĩnh Q.
c. Vẽ sơ đồ tƣơng đƣơng của mạch và tính ZV’ Zra, KU, KI.

15V

240K 4,7K
+

+ 10F UR
UBE = 0,7V
UV 10F  = 50; r0= 
820

Hình 2.34

115
 Chƣơng 3

Khuếch đại thuật toán

3.1. Các đặc tính và tham số cơ bản
3.1.1. Các khái niệm cơ bản
Bộ khuếch đại thuật toán (Operational Amplifier - OA) là mạch khuếch đại tổ
hợp có hệ số khuếch đại rất lớn, trở kháng vào lớn và trở kháng ra nhỏ ... Hiện nay các
bộ khuếch đại thuật toán (OA) đóng vai trò quan trọng và đƣợc sử dụng rộng rãi trong
kỹ thuật khuếch đại, tạo tín hiệu sin, xung, trong bộ ổn áp và bộ lọc tích cực...
Ký hiệu của OA cho trên hình 3.1
OA khuếch đại hiệu điện áp Ud = UP - UN với hệ số UN Ur

khuếch đại Kd UP

Do đó : Ur = KdUd = Kd(Up - UN)

Hình 3.1 : Ký hiệu OA
Nếu UN = 0 thì Ur = KdUP nên Ur đồng pha với tín
hiệu vào UP, vì vậy đầu vào P (Positive) đƣợc gọi là đầu vào không đảo và ký hiệu bởi
dấu (+).
Nếu UP = 0 thì Ur = - KdUN nên Ur ngƣợc pha với tín hiệu vào UN, vì vậy đầu
vào N (Nagative) đƣợc gọi là đầu vào đảo và ký hiệu bởi dấu (-).
Ngoài ra OA còn có hai chân để cấp nguồn đối xứng, các chân bù điện áp,
bù tần số...
Một bộ khuếch đại thuật toán lý tƣởng có các tính chất sau:
- Trở kháng vào ZV = .
- Trở kháng ra Zr = 0.
- Hệ số khuếch đại Kd = .
Theo sơ đồ tƣơng đƣơng hình 3.2b, OA lý tƣởng sẽ có đặc điểm UN = UP, dòng
điện vào OA ở đầu P và đầu N, I o = I o = 0.
UN  UN
I0 Zr I o

Ud Zv KdUd Ur Ud KdUd Ur

I0
UP UP Io
Io
(a) (b)
Hình 3.2: (a) Sơ đồ tương đương OA, (b) Sơ đồ tương đương OA lý tưởng

116
 Trên thực tế không có bộ khuếch đại thuật toán lý tƣởng, thông thƣờng một OA
có ZV cỡ hàng trăm k tới hàng M, Zr cỡ hàng W tới hàng vài chục W, Kd khoảng từ
vài trăm tới hàng triệu lần.
3.1.2. Đặc tuyến truyền đạt Ur
Ec
Đặc tuyến quan trọng nhất của Ur max
Đầu vào đảo Đầu vào không đảo
OA là đặc tuyến truyền đạt (hình 3.3),
theo đặc tuyến này, Ur chỉ tỷ lệ với Uv
trong dải điện áp (Urmin – Urmax) nào đó. Uv

Dải điện áp này gọi là dải biến đổi điện Ur min

áp ra của OA (hay miền tuyến tính). -Ec

Ngoài dải này, điện áp ra không Miền bão hoà Miền tuyến tính Miền bão hoà

thay đổi và đƣợc xác định bằng các trị

số Urmin, Urmax gọi là điện áp bão hoà, Hình 3.3: Đặc tuyến truyền đạt của OA
giá trị điện áp này không phụ thuộc vào điện áp vào và gần bằng trị số nguồn cung cấp
(điện áp bão hoà này thƣờng thấp hơn trị số nguồn từ 1V đến 3 V về giá trị).
3.2. Các sơ đồ cơ bản của bộ khuếch đại thuật toán
3.2.1. Bộ khuếch đại đảo
Iht
Rht
I1
R1 N

Uv
Ur

Hình 3.4: Bộ khuếch đại đảo

Bộ khuếch đại đảo cho trên hình 3.4, có thực hiện hồi tiếp âm song song điện áp
qua Rht.
Nếu coi OA lý tƣởng, dòng vào OA, I0 = 0
Tại nút N ta có:
I1 = Iht
Uv  UN UN  Ur

R1 R ht

Nếu coi OA lý tƣởng Ud = 0 nên UN = UP mà Up = 0 nên UN = 0

Do đó:

117
 Uv U
 r
R1 R ht

Ur R
Hệ số khuếch đại điện áp: K u    ht
Uv R1

Dấu (-) thể hiện tín hiệu ra ngƣợc pha với tín hiệu vào.
Nếu Rht = R1 thì Ku = -1, sơ đồ hình 3.5 có tính chất lặp lại đảo tín hiệu.
Nếu R1 = 0, từ phƣơng trình I1 = Iht, ta có:
Ur
I1   hay U r  I1Rht , tức là điện áp ra tỷ lệ với dòng điện vào. Đây chính
R ht
là mạch biến đổi dòng thành áp.
Uv Uv
Trở kháng vào: Z v    R1
I1 Uv
R1

Trong trƣờng hợp yêu cầu hệ số khuếch đại lớn thì phải chọn R1 nhỏ, nên trở
kháng vào Zv = R1 nhỏ. Khắc phục điều này bằng sơ đồ khuếch đại đảo hình 3.5.

Rht

Uv R1 N
Ur

R2

U3 R3

Hình 3.5: Khuếch đại đảo có trở kháng vào lớn

Bằng cách tính tƣơng tự nhƣ trên ta có:

Uv U
 3
R1 R ht

R3
Mặt khác: U3  U (công thức phân áp)
R 2  R3 r

R  R 
Vì vậy: U r   ht  1  2  U v
R1  R3 

Trị số hệ số khuếch đại:

118
 R ht  R2 
Ku  1  R 
R1  3

Nếu ta chọn R1 = R 2, thì Ku chỉ phụ thuộc vào tỷ số Rht/R3, có thể tăng tỷ số này
tuỳ ý mà không ảnh hƣởng đến trở kháng vào của mạch.
3.2.2. Mạch khuếch đại không đảo
Uv
Ur

N
Rht
R1

Hình 3.6: Bộ khuếch đại không đảo

Bộ khuếch đại không đảo có mạch hồi tiếp âm điện áp đặt vào đầu vào đảo,
còn tín hiệu đặt vào đầu vào không đảo, nhƣ sơ đồ hình 3.6. Vì UN = UP. Trong
trƣờng hợp này UP = UV nên UN = UV
Mặt khác ta có:
R1
UN  U (theo công thức phân áp)
R1  R ht r

R1
Vì vậy: UV  U
R1  R ht r

Hệ số khuếch đại:
Ur R
Ku   1  ht
Uv R1

Khi R1  , Rht  0 thì Ku = 1, sơ đồ hình 3.6 trở thành bộ lặp lại

điện áp.
3.2.3. Mạch cộng
3.2.3.1. Mạch cộng đảo
Iht Rht

Sơ đồ mạch cộng đảo nhƣ hình 3.7 U1

R1 I1
R2 I2 Ur
U2
I1 + I2 + ... + In = Iht N

Rn In
U1  U N U 2  U N U  UN UN  Ur Un
  ...  n 
R1 R3 Rn R ht
Hình 3.7: Mạch cộng đảo
UN = 0 nên:

119
 R R R 
U r    ht U1  ht U 2  ...  ht U n 
 R1 R1 Rn 
n
 i U i với i 
R ht
hay Ur  
Ri
i 1

3.2.3.2. Mạch cộng không đảo

Sơ đồ mạch cộng khuếch đại không đảo nhƣ hình 3.8
Tại nút N: R1 I1
Rht
U1
R2 I2 N Ur
R0 U2 Io
UN  U
R0  R ht r P
Rn In
Un Ro
Tại nút P: I0 = 0 nên: I1 + I2 + ...+ In = 0
U1  U P U2  U P Un  UP
  ...  0
R1 R2 Rn Hình 3.8: Mạch cộng không đảo

 1 1 1  U1 U 2 Un
UP    ...     ... 
 R1 R2 Rn  R1 R2 Rn

Thay UN = UP ta có:
R0  1 1 1  U1 U 2 Un
Ur    ...     ... 
R0  R ht  R1 R2 R n  R1 R2 Rn

Nếu chọn: R1 = R2 = ...= Rn = R thì:

R 0  R ht n
Ur 
n Ro
 Ui
i 1

3.2.4. Mạch trừ

Sơ đồ mạch trừ đƣợc cho trên hình 3.9 R2

Tại nút N: R1 N
U1 Ur
U1  U N U N  U r
 U2
R3
P
R1 R2
R4
 1 1  U1 U r
UN    
 1
R R 2  R1 R 2

Tại nút P: Hình 3.9: Sơ đồ mạch trừ

R4
UP  U
R3  R 4 2

Thay UN = UP ta có:
120
 R4  1 1  U1 U r
U2    
R3  R4  R1 R 2  R1 R 2

R4 (R1  R2 ) R
Ur  U 2  2 U1
R1 (R3  R4 ) R1

Nếu chọn R2 = 1.R1, R4 = 2. R3 ta có:

1  1
Ur   .U  1U 1
1  2 2 2

Nếu 1 = 2 =  thì
U r    U2  U1 

Khi muốn trừ nhiều thành phần điện áp ngƣời ta sử dụng mạch trừ nhiều thành
phần nhƣ hình 3.10.
RN/1
U1
RN/2 RN
U2

RN/n N
Un Ur

Rp/1’ Rp
U1’
Rp/2’
U2’ P

Un’ Rp/n’

Hình 3.10: Mạch trừ nhiều thành phần

Để tính toán điện áp ra, ta xét dòng điện tại nút N và nút P
Tại nút N:
n
U U Ur  U N
 RiN / Ni  RN
0
i 1

n n  n 
  i (U i  U N )  U r  U N  0  
i U i  U r  U N  i  1   0
 
i 1 i 1  i1 

Tƣơng tự tại nút P ta có:

m m 
 
,i U,i  U P  ,i  1   0
 
i 1  i1 

Thay UN = UP ta sẽ tính đƣợc:

121
 m  n 
 
,i U,i 1   i 
 11  n
U r  i 1
m 
 i U i

1  ,i i 1

i 1

Một số ví dụ :
Ví dụ 3.1. Cho mạch điện nhƣ hình 3.11 với:
U1 R1 I1
R1 = 100k R2 = 100k
R3 = 100k R4 = 500k U2 R2 I2 P
+ Ur
I0

U1 = 25mV U2 = 35 mV N
I4
I3
OA lý tƣởng R4

R3
Tính Ur?
Giải:
Hình 3.11: Mạch điện cho ví dụ 3.1
Tại nút P: I1 + I 2 = I o
Theo giả thiết OA lý tƣởng nên I0 = 0 nên:
I1 + I 2 = 0
U1  U P U 2  U P
 0
R1 R2

 1 1  U1 U 2
UP     (1)
 R1 R2  R1 R2
R3
Tại nút N: UN  U (công thức phân áp)
R3  R 4 r

Hoặc ta có thể tính theo cách sau:

Tại nút N: I3 = I 4
UN Ur  UN R3
 nên UN  U (2)
R3 R4 R3  R 4 r

Vì UN = UP nên thay (2) vào (1) ta có:

R3  1 1  U1 U 2
  
R3  R4 r  R1 R2  R1 R2
U

 R  R U  R1U 2
Ur  1  4  2 1
 R3  R1  R2

Thay số ta có:

122
  500  100.25  100.35
Ur   1   180mV
 100  100  100

Ví dụ 3.2. Cho mạch điện nhƣ hình 3.12:

Thiết lập biểu thức tính hệ số khuếch đại KU.

R2

U1
R1 Ur1 R3

U2 R4 P Ur

N
R6

R5

Hình 3.12: Mạch điện cho ví dụ 3.2

Giải:
Đây là mạch hai tầng. Tầng 1 là bộ khuếch đại đảo, tầng 2 là bộ cộng.
R
Tầng 1: K1   2
R1

 R  R U  R3 U 2
Tầng 2: K2   1  6  4 r1 (áp dụng ví dụ 1)
 R5  R 4  R3

R
Với U r1   2 U1
R1

 R  R R U  R4 R2 U1
nên K2   1  6  1 3 2
 R5  R1 (R4  R3 )

Hệ số khuếch đại toàn mạch là:

R2 R R R U  R2 R4U1
Ku  K1K 2   (1  6 ) 1 3 2
R1 R5 R1 ( R3  R4 )

123
 CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP
Bài 1. Cho hai mạch điện nhƣ hình 3.13:
Uv
R2 Ur

VR
Uv R1 Ur
R2
R1

(a) VR (b)

Hình 3.13

R1 = 10k; R2 = 500k; VR = 10k; Uv = 1,5V

Xác định khoảng điện áp ra của mỗi mạch khi thay đổi chiết áp VR.
Bài 2. Hãy tính các điện áp ra trên các mạch cho trên hình 3.14 (giả thiết OA lý
tƣởng, các trị số cho trên hình vẽ):
200K 100K

500K

20K Ur 1K 10K Ur

Uv=1,5V Uv = 20mv

(a) (b)

200K

20K
Ur1

20K
Uv = 0,2V Ur2

200K

(c) 10K

124
 100K

Uv=0,1V 20K

10K
400K Ur

20K

(d)

1K

300K
15K
+25mV 30K

-20mV 30K
15K Ur

(e)

Hình 3.14

Bài 3. Cho mạch điện nhƣ hình 3.15 (giả thiết OA lý tƣởng)
a. Thiết lập biểu thức của Ur?
b. Tính Ur biết: UV1 = 0,1V, UV2 = 500mV, R1 = R4 = 10k, R2 = 5k,
R3 = 50k

UV1 R1
+Ucc
UV2 R2
Ur

- Ucc

R4 R3

Hình 3.15

125
Bài 4 . Cho hai mạch điện nhƣ hình 3.16 R2

(giả thiết OA lý tƣởng) R1

U2
a. Thiết lập biểu thức của Ur? U1 R3
OA Ura

b. Tính Ur biết: U1 = 500mV, U2 = 200mV R4

R1 = 10k, R2 = 50k, R3 = 2k, R4 = 18k. Hình 3.16

Bài 5. Cho hai mạch điện nhƣ hình 3.17 (giả thiết OA lý tƣởng)

R3
R1 Ura
Uv

R2 R4

R5

Hình 3.17

a. Thiết lập biểu thức của Ur?

b. Cho R1=10KΩ, R2=15KΩ, R3= 5KΩ, R4= 30KΩ, R5= 10KΩ. UV =150mV,
Tính Ur ?
Bài 6 : Cho hai mạch điện nhƣ hình 3.18 (giả thiết OA lý tƣởng)
U2 R5 R6

U1 R1 R4

Ura

R2

R3

Hình 3.18

a. Thiết lập biểu thức của Ur?

b. Cho R1=10KΩ, R2=15KΩ, R3= 5KΩ, R4= 20KΩ, R5= 10KΩ, R6= 100KΩ
U1 =1V, U2 = 2V. Tính Ur ?

126
 Chƣơng 4

Mạch nguồn cung cấp

4.1. Giới thiệu chung
Nguồn điện một chiều có nhiệm vụ cung cấp năng lƣợng một chiều cho các
mạch và thiết bị điện tử hoạt động. Năng lƣợng điện tử đó đƣợc lấy từ nguồn một
chiều của lƣới điện thông qua một số quá trình biến đổi đƣợc thực hiện hình 4.1

It

Biến áp Mạch chỉnh Bộ lọc Ổn áp một

U1 U2 U3 U4 Rt
lƣu chiều

Hình 4.1: Sơ đồ khối nguồn điện

Biến áp để biến đổi điện áp xoay chiều U1 thành điện áp xoay chiều U2 có giá
trị thích hợp với yêu cầu. Trong một số trƣờng hợp có thể dùng trực tiếp U1 không cần
biến áp.
Mạch chỉnh lƣu có nhiệm vụ chuyển điện áp xoay chiều U2 thành điện áp một
chiều không bằng phẳng U3 (có giá trị thay đổi nhấp nhô). Sự thay đổi này phụ thuộc
vào từng dạng mạch chỉnh lƣu.
Bộ lọc có nhiệm vụ san bằng điện áp một chiều U3 thành điện áp một chiều U4
ít nhấp nhô hơn.
Bộ ổn áp một chiều (ổn dòng) có nhiệm vụ ổn định điện áp (dòng điện) ở đầu ra
của nó U5 (It) khi U4 bị thay đổi theo sự mất ổn định của U4 (hay It). Trong nhiều
trƣờng hợp nếu không có yêu cầu cao thì không cần bộ ổn áp hay ổn dòng một chiều.
Tùy theo điều kiện và yêu cầu cụ thể mà bộ chỉnh lƣu có thể mắc theo những sơ
đồ khác nhau và dùng các loại diode chỉnh lƣu khác nhau.
4.2. Biến áp nguồn và mạch chỉnh lƣu
Biến áp nguồn là 1 máy biến áp có nhiệm vụ biến đổi điện áp xoay chiều đặt
vào cuộn sơ cấp thành điện áp theo yêu cầu lấy ra ở cuộn thứ cấp. Muốn tìm hiểu sâu
hơn về máy biến áp các bạn có thể tìm đọc cuốn giáo trình Máy điện.
Hầu hết các thiết bị điện tử hiện nay đều dùng linh kiện bán dẫn với mức điện
áp một chiều cung cấp thấp do đó biến áp thƣờng dùng là biến áp hạ áp. Các sơ đồ
chỉnh lƣu thƣờng dùng là sơ đồ chỉnh lƣu nửa chu kỳ, chỉnh lƣu hai nửa chu kỳ dùng

127
diode. Yêu cầu đối với mạch chỉnh lƣu là đạt đƣợc hiệu suất cao, ít phụ thuộc vào tải
và độ gợn sóng của điện áp ra nhỏ.
4.2.1. Mạch chỉnh lƣu nửa chu kỳ
Mạch chỉnh lƣu nửa chu kỳ chỉ sử dụng một diode để chỉnh lƣu, diode chỉnh
lƣu có thể đƣợc mắc nối tiếp với cuộn dây thứ cấp biến áp hoặc mắc song song với
biến áp. Ở đây ta chỉ xét mạch chỉnh lƣu dùng diode mắc
nối tiếp vì trong thực tế mạch chỉnh lƣu dùng diode mắc song song ít khi đƣợc sử
dụng, chỉ thƣờng sử dụng trong chỉnh lƣu bội áp, mạch này sẽ đƣợc đề cập sau.

- Sơ đồ mạch nhƣ hình 4.2a

U2

A D
t t
U1 U1
U1 L2 U Rt
U1 L1 U22 b)
B k UR t

a) t

c)
Hình 4.2: Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ

Nguyên lý hoạt động

Khi cấp điện áp xoay chiều U1 vào hai đầu cuộn L1 thì ở hai đầu cuộn L2 xuất
hiện một điện áp cảm ứng xoay chiều U2 (hình 4.2b).
Nếu ở nửa chu kỳ đầu điện thế tại A (+), diode D đƣợc phân cực thuận nên có
dòng điện qua tải (đi từ A qua RT tới B). Ở nửa chu kì tiếp theo điện thế tại A (-),
diode D bị phân cực ngƣợc không cho dòng điện đi qua.
Nhƣ vậy dòng điện chỉ đi qua tải theo một chiều nhất định (đi từ (+) RT đến (-)
RT) ở các nửa chu kì đầu của U2.
4.2.2. Chỉnh lƣu hai nửa chu kỳ
4.2.2.1. Chỉnh lưu hai nửa chu kì sử dụng hai diode

128
 D1
A
U1 U2
U21 URt
Rt
L21
U1 L1
L22 t

U22 D2

B D2

Hình 4.3: Mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ dùng 2 diode
Nguyên lý hoạt động
Đặc điểm của mạch chỉnh lƣu hai nửa chu kỳ là trong cả hai nửa chu kỳ của
điện áp xoay chiều đều có dòng điện qua tải. Sơ đồ mạch chỉnh lƣu hai nửa chu kỳ sử
dụng 2 diode chính là 2 sơ đồ chỉnh lƣu một nửa chu kỳ mắc song song có tải chung.
4.2.2.2. Chỉnh lưu hai nửa chu kỳ sử dụng mạch chỉnh lưu cầu

D4 D1
L1 L2 U2 U U1 U2
+

D3 D2 Rt t

B -

Hình 4.4: Sơ đồ mạch chỉnh lưu cầu

Sơ đồ mạch chỉnh lƣu cầu nhƣ hình 4.4.

Đặc điểm của mạch chỉnh lƣu cầu là chỉnh lƣu cả hai nửa chu kỳ của điện áp
đầu ra của cuộn thứ cấp và điện áp ngƣợc đặt lên diode trong trƣờng hợp này chỉ bằng
một nửa điện áp ngƣợc đặt lên diode trong sơ đồ mạch chỉnh lƣu hai nửa chu kỳ sử
dụng 2 diode.
Trong sơ đồ mạch chỉnh lƣu cầu nếu nối đất điểm giữa cuộn thứ cấp và mắc
thêm tải sẽ đƣợc mạch chỉnh lƣu có điện áp ra hai cực tính.
4.2.2.3. Mạch bội áp
Sơ đồ bộ chỉnh lƣu bội áp nhƣ hình 4.5.
Mạch nhân đôi điện áp đƣợc dùng trong những trƣờng hợp đặc biệt, ví dụ khi
yêu cầu điện áp ra cao mà dòng tiêu thụ lại nhỏ (cỡ A). Nếu dùng một tầng (hình
4.5a) thì điện áp một chiều ở đầu ra gấp đôi trị số đỉnh của điện áp xoay chiều ở đầu
vào, vì C1 và C2 đƣợc nạp đến giá trị đỉnh của điện áp vào qua D1 và D2 trong hai nửa
chu kỳ (-) và (+). Trên hình 4.5b trong nửa chu kỳ (-) của điện áp U2, C1 đƣợc nạp đến
129
giá trị đỉnh U2 thông qua D1 . Trong nửa chu kỳ tiếp theo C1 đƣợc nạp thông qua C 2 và
D2 với giá trị UC2  UC1  U2  2U2 . Nếu có n tầng nhƣ vậy thì điện áp ra tải Ur  nU2.
Thƣờng chọn n  10.

D1 Rr  nU2 Tầng thứ 1 Tầng thứ n

. . + - + - +
U1 U2 C1
- . . C1 C’n
- Ur Rt U1 U2 D1 D2
+
D2 C2 - +
- - +
Ur
a) Hai lần C2 Cn

b) 2n lần
Hình 4.5: Mạch bội áp
a) Mạch nhân 2 điện áp ngoài; b) Mạch nhân n lần điện áp vào

4.3. Tổng quan về bộ lọc

Chức năng của bộ chỉnh lƣu là chuyển đổi điện áp xoay chiều thành điện áp
một chiều. Đầu ra của bộ chỉnh lƣu ta thu đƣợc điện áp một chiều. Tuy nhiên điện áp
này chƣa đƣợc ổn định nhƣ mong muốn. Vì vậy ta phải cho qua bộ lọc để đƣợc điện áp
một chiều ổn định hơn.
Tín hiệu ra sau khi lọc đƣợc biểu diễn nhƣ hình vẽ gồm thành phần một chiều
và thành phần thay đổi (độ gợn sóng) thành phần này có giá trị nhỏ.
Để đánh giá điện áp đầu ra của bộ lọc ta sử dụng vôn mét một chiều (DC
voltmeter) và vôn mét xoay chiều (AC voltmeter). DC voltmeter cho ta giá trị trung
bình hoặc giá trị của điện áp một chiều Udc, AC voltmeter cho ta giá trị thành phần
thay đổi Ur(rms), ta xác định đƣợc độ gợn sóng nhƣ sau:
U r(rms)
r 100%
U dc

Ví dụ 4.1: Sử dụng vôn mét 1 chiều và vôn mét xoay chiều đo tín hiệu ra của
một mạch lọc ta đọc đƣợc từ vôn mét một chiều là 25V và vôn mét xoay chiều là 1,5V.
Độ gợn sóng ở đầu ra của bộ lọc khi đó sẽ là:
U r(rms) 1, 5V
r 100%  100%  6%
U dc 25V

Sự ổn định điện áp : Một nhân tố quan trọng khác trong bộ nguồn cung cấp đó
là lƣợng chênh lệch điện áp một chiều giữa đầu ra của bộ nguồn và yêu cầu thực tế của
mạch điện. Điện áp cung cấp ở đầu ra của bộ nguồn khi chƣa có tải sẽ bị giảm đi khi

130
có tải. Lƣợng chênh lệch điện áp trong trƣờng hợp không tải và có tải đƣợc xác định
bởi hệ số gọi là hệ số ổn định điện áp UR, đƣợc xác định :
U kt  U ct
U R  100%
U ct

Ví dụ 4.2: Một nguồn điện áp một chiều cung cấp 60V khi đầu ra không có tải.
Khi nối với tải, điện áp thực tế trên đó là 56V. Tính giá trị ổn định điện áp.
Giải:
U kt  U ct 60  56
U R  100%  100%  7,1%
U ct 56

Nếu giá trị của điện áp có tải bằng giá trị của điện áp khi không có tải thì sự ổn
định điện áp là 0%, đây cũng chính là điều mong muốn đạt đƣợc.
Hệ số gợn sóng của các bộ chỉnh lưu: Điện áp sau khi đã đƣợc chỉnh lƣu bao
gồm thành phần một chiều và thành phần hài (gợn sóng).
+ Đối với tín hiệu chỉnh lƣu nửa chu kỳ, điện áp một chiều đầu ra là:
Udc = 0,318Um

Giá trị của điện áp gợn sóng là:

Urms = 0,385 Um

Độ gợn sóng r của mạch chỉnh lƣu nửa chu kỳ đƣợc tính:
U r ( rms ) 0,385U m
r 100%  100%  121%
U dc 0,318U m

+ Đối với mạch chỉnh lƣu hai nửa chu kỳ, điện áp một chiều đầu ra là:
Udc = 0,636Um

Giá trị của điện áp gợn sóng là :

Ur(rms)= 0,308Um

Độ gợn sóng r của tín hiệu chỉnh lƣu hai nửa chu kỳ đƣợc tính :
U r ( rms ) 0,308U m
r 100%  100%  48%
U dc 0, 636U m

Tóm lại: Tín hiệu chỉnh lƣu hai nửa chu kỳ có độ gợn sóng nhỏ hơn tín hiệu chỉnh
lƣu nửa chu kỳ.
4.3.1. Bộ lọc dùng tụ điện

131
 Bộ lọc

Bộ Tải
AC chỉnh một
lƣu chiều

Hình 4.6: Sơ đồ khối bộ lọc dùng tụ

Mạch lọc thông dụng nhất hiện nayđiện
là mạch lọc tụ điện, bao gồm một tụ điện
đƣợc nối vào đầu ra của bộ chỉnh lƣu, điện áp một chiều đƣợc lấy ra giữa hai đầu tụ
điện (hình 4.6).
Hình 4.7a chỉ ra dạng điện áp của bộ chỉnh lƣu cả hai nửa chu kỳ trƣớc khi lọc.
Hình 4.7b là dạng điện áp ra của bộ chỉnh lƣu sau khi đã đƣợc nối với tụ điện. Thấy
rằng (dạng sóng) dạng điện áp sau khi đã lọc là điện áp một chiều nhƣng vẫn còn nhấp
nhô (còn thay đổi).
Hình 4.8a là bộ chỉnh lƣu hai nửa chu kỳ và dạng sóng đầu ra của mạch khi
đƣợc kết nối với tải (Rl). Nếu không có tải, đầu ra của bộ chỉnh lƣu đƣợc nối với tụ
điện C, dạng sóng đầu ra lý tƣởng sẽ là một hằng số và có giá trị bằng biên độ U m của
bộ chỉnh lƣu.
+ U Um
Um
- Rt
+-- C
Um --
-
--
--
Hình 4.7a: Mạch chỉnh lưu khi chưa có tụ

Uc Um
+
Um Rt
--
+- C
U- m
--
-
-
-
Hình 4.7b: Mạch chỉnh lưu khi có tụ

Hình 4.8b là giản đồ dạng sóng đầu ra của bộ lọc tụ điện, thời gian T1 là khoảng
thời gian tụ điện đang nạp điện và nạp đến giá trị bằng biên độ điện áp đấu ra bộ chỉnh
lƣu Um. Thời gian T2 là khoảng thời gian và điện áp bộ chỉnh lƣu giảm từ U m và đồng
thời tụ điện phóng điện vào tải.

132
 Um (Ur)
Uc
+
Um D1
Um Udc
-
+
Um
T1 T2
- C Rt

D2
T/2

a) Hình 4.8: Bộ lọc tụ điện b)

a) Sơ đồ mạch b) Dạng sóng đầu ra

Nhƣ vậy dạng sóng đầu ra gồm điện áp một chiều Udc và hài Ur chính là sự nạp
và phóng của tụ điện.
Điện áp gợn sóng U(rms): đƣợc tính theo công thức:
I dc 2, 4I dc 2, 4U dc
U r(rms)   
4 3fC C Rt C

Trong đó: Idc[mA] dòng điện 1 chiều qua tải tính bằng mA, C[mF] điện dung
của tụ lọc tính bằng mF, Rt[kW] là điện trở tính bằng kW, f là tần số của điện áp đƣa
vào bộ chỉnh lƣu.
Ví dụ 4.3: Tính toán điện áp gợn sóng của bộ chỉnh lƣu hai nửa chu kỳ với tụ
C = 100mF nối với tải tiêu thụ dòng 50[mA].
Giải:
I dc 2, 4I dc 2, 4U dc
Ta có: U r(rms)   
4 3fC C Rt C

Thay số vào ta có
2, 4.50
U r(rms)   1, 2V
100

Điện áp một chiều Udc

Ta có thể tính đƣợc giá trị điện áp một chiều ở đầu ra bộ lọc tụ điện
I 4,17I dc
U dc  U m  dc  U m 
4fC C

Trong đó :
Um: Biên độ điện áp sau bộ chỉnh lƣu
Idc: Dòng điện tải tính mA

133
 C: Điện dung tụ lọc tính mF.
Ví dụ 4.4: Biên độ điện áp sau khi chỉnh lƣu là 30V, giá trị tụ lọc C = 100mF.
Tải tiêu thụ dòng 50[mA]. Tính toán điện áp một chiều ở đầu ra bộ lọc.
Giải:
I 4,17I dc
Ta có : U dc  U m  dc  U m 
4fC C

Thay số vào ta tính đƣợc Udc:

4,17 I dc 4,17.50
U dc  U m   30   27,9
C 100
Ví dụ 4.5: Tính toán độ gợn sóng của bộ lọc tụ điện với biên độ điện áp chỉnh
lƣu là 30V, tụ điện có điện dung 50 mF, dòng trên tải là 50[mA].

Giải:
2, 4I dc 2, 4.50
Ta có: r .100%  .100%  4, 3%
C.U dc 100.27, 9

Cũng có thể tính theo cách khác

4,17I dc 4,17.50
Biết: U dc  U m   30   27, 9V
C 100

U r(rms)
mà r .100%
U dc

2, 4I dc 2, 4.50
trong đó U r(rms)    1, 2V
C 100

1, 2V
vậy: r .100%  4, 3%
27, 9V

4.3.2. Bộ lọc RC
Để giảm nhỏ độ gợn sóng ở đầu ra bộ lọc tụ điện ta mắc thêm khâu lọc RC
(xem hình 4.9a). Tín hiệu đầu ra của khâu lọc đƣợc chỉ ra trên hình 4.9b, 4.9c.

134
 ,
Ur (rms) Ur(rms)
,
Udc Udc (
rms)

t t

b) c)
+
Um R
-
-
C1 C2 R1

a)
Hình 4.9: Mạch lọc RC và dạng sóng
đầu đối
- Xét ảnh hƣởng của bộ lọc RC ra với thành phần DC, điện áp một chiều trên
tải đƣợc tính nhƣ sau:
Rt
U' dc  .U dc
R  Rt

R R

Idc
Rt C Rt
Udc U’dc Um(rms)

Hình 4.10: Sơ đồ tương đương của mạch lọc RC

Ví dụ 4.6: Tính điện áp một chiều ra tải có điện trở R t=1k  . Khâu lọc RC có
thông số R = 120  , C = 10mF. Điện áp Udc qua bộ lọc tụ điện Udc= 60V.

, Rt 1000
Ta có: U dc  .U  .60  53, 6V
R  Rt dc 120  1000

Xét ảnh hƣởng của bộ lọc RC đối với thành phần AC, độ gợn sóng đƣợc biểu
hiện nhƣ sơ đồ hình 4.9b.

Khi đó độ gợn sóng đƣợc xác định nhƣ sau:

, XC
U r(rms)  .U r(rms)
R

Đối với 1 bộ chỉnh lƣu có chu kỳ, có gợn sóng ở tần số 120Hz, trở kháng của tụ
điện đƣợc tính theo công thức.
1, 3
XC =
C

135
với đơn vị của C là mF, Xc là kW

Ví dụ 4.7: Tính toán các thành phần một chiều và xoay chiều của tín hiệu ra tải
Rt của mạch sau: ,
Udc
U’dc
,
Udc = 150V Ur(rms) (rm
s
Ur(rms) = 15V
R

500

TÍN HIỆU C1 C2 Rt
VÀO 10F 5k
ĐẦY ĐỦ - 15F -

Hình 4.11: Mạch lọc RC

Giải:
Tính toán thành phần DC:
, Rt 5k
U dc  .U dc  .150V  136, 4V
R  Rt 500  5k

Tính toán thành phần AC:

1, 3 1, 3
XC    0,13k  130
C 10

Trở kháng bộ lọc là thành phần xoay chiều AC điện áp đầu ra:
, XC 130
U r(rms)  .U r(rms)  .(15V)  3, 9V
R 500

U r' ( rms ) 3,9V

Độ gợn sóng đầu ra: r '
100%  100%  2,86%
U dc 136, 4V

4.4. Mạch ổn áp
4.4.1. Mạch ổn áp dùng diode zener
Sơ đồ mạch ổn áp dùng diode zener nhƣ hình vẽ 4.12a.
Diode ổn áp (diode zener) làm việc nhờ hiệu ứng đánh thủng zener và hiệu ứng
đánh thủng thác lũ của chuyển tiếp p-n khi phân cực ngƣợc. Khác với diode thông
dụng, các diode ổn định công tác ở chế độ phân cực ngƣợc. Những tham số kỹ thuật
của diode zener là:

136
 R

Uv Uz
I

100
a)

Uv
Uv
Uz Uz 50 I2 = -5mA
0
T = 25 C

R1 P = 2,5W

R2
R
0
10 20

b) c)

Hình 4.12: a) Mạch ổn áp dùng diode zener; b) Đồ thị đặc tính ổn định;
c) Sự phụ thuộc của điện trở động vào điện áp ổn định.

Điện áp ổn định Uz (điện áp zener): là điện áp ngƣợc đặt lên diode làm phát
sinh ra hiện tƣợng đánh thủng.
Điện trở động rdz: đƣợc định nghĩa là độ dốc đặc tuyến tĩnh của diode tại điểm
làm việc.
dU 2
rdz =
dI z

Căn cứ vào công thức trên có thể thấy rằng độ dốc của đặc tuyến ở phần đánh
thủng có tác dụng quyết định đến chất lƣợng ổn định của diode. Khi điện trở động
bằng không (lúc đó phần đặc tuyến đánh thủng song song với trục tung) thì sự ổn định
điện áp đạt tới mức lý tƣởng.

Điện trở tĩnh Rt đƣợc tính bằng tỉ số giữa điện áp đặt vào và dòng điện đi qua
diode.
Rt = Uz/Iz
Hệ số ổn định đƣợc định nghĩa bằng tỉ số giữa các biến đổi tƣơng đối của dòng
điện qua diode và điện áp rơi trên diode do dòng này gây ra:
Z = (dIz/Iz)(dUz/Uz) = R/rdz = Rt/rdz

Chúng ta thấy hệ số này chính bằng tỉ số giữa điện trở tĩnh và điện trở động tại
điểm công tác của diode.

137
 Để đạt hệ số ổn định cao, với một sự biến đổi dòng điện qua diode đã cho trƣớc,
điện áp rơi trên diode (do dòng này gây ra) phải biến đổi nhỏ nhất. Các diode ổn định
Si thƣờng có Z > 100. Trở kháng ra của mạch ổn định cũng là một thông số chủ yếu
đánh giá chất lƣợng của mạch:
Rr = Ur/Ir
ở đây Ur là gia số của điện áp ra, gây ra bởi gia số Ir của dòng tải.

Rõ ràng tỉ số vế phải càng nhỏ thì chất lƣợng mạch ổn định càng cao, vì thế các
mạch ổn định dùng diode zener có điện trở càng nhỏ càng tốt (điều này phù hợp với
vai trò một nguồn điện áp lý tƣởng).
Hệ số nhiệt độ của điện áp ổn định t, hệ số này cho biết sự biến đổi tƣơng đối
của điện áp ổn định khi nhiệt độ thay đổi 10C:
t = (1/Uz)(duz/dt)Iz = Conts
Hệ số này xác định bởi hệ số nhiệt độ của điện áp đánh thủng chuyển tiếp p-n.
Sự phụ thuộc của điện áp ổn định vào nhiệt độ có dạng:
Uz = Uz0 [1 + t (T – T0)]
Trong đó Uz0 là điện áp ổn định của diode zener ở nhiệt độ T0.
Hệ số nhiệt độ t có giá trị âm nếu hiện tƣợng đánh thủng chủ yếu do hiệu ứng
zener gây ra. Nó có giá trị dƣơng nếu hiện tƣợng đánh thủng do hiện tƣợng thác lũ gây
ra.
R

Uv
Rt Ut

Hình 4.13: Mạch ổn áp dùng diode

zener

Ví dụ 4.8: Cho mạch điện nhƣ hình 4.13 với R = 1k, Uv = 50V, Uz = 10V,
Izmax = 32mA. Hãy xác định khoảng giới hạn của Rt để mạch làm việc trong dải ổn áp.

Giải:
Khi Rt = Rtmin thì dòng qua diode zener là
Iz = Izmin  0.

138
 Theo công thức phân áp: IZ

Rt min
Ut  Uz  U 
R  Rt min v
UZ

UzR
 Rt min 
Uv  Uz 32mA

thay số tính đƣợc:

Hình 4.14: Đặc tuyến ra của diode zener
Rtmin = 250
Khi Rt = Rtmax ta có:
UR = Uv - Uz= 50V - 10V= 40V
Dòng chạy qua R:
IR = 40/1k = 40mA
Dòng chạy qua Rt: It = Itmin = IR – Izmax = 40mA – 32mA = 8mA
Suy ra: Rt = Rtmax = Uz/Itmin = 10V/8mA = 1,25k.
Vậy, khi Rt biến đổi trong dải (250 - 1,25k) thì mạch làm việc trong dải ổn
áp.
4.4.2. Mạch ổn áp dùng transistor
Có hai loại mạch ổn áp dùng transistor là mạch ổn áp nối tiếp và mạch ổn áp
song song. Các mạch ổn áp này có thể cung cấp một điện áp một chiều đầu ra ổn định
ở một giá trị nhất định ngay cả khi giá trị đầu vào của mạch thay đổi hoặc tải của mạch
thay đổi.

4.4.2.1. Mạch ổn áp nối tiếp

Sơ đồ khối mạch ổn áp nối tiếp đƣợc biểu diễn ở hình 4.15.
ĐIỀU KHIỂN

Ur
Uv

LẤY MẪU

TẠO ĐIỆN
ÁP CHUẨN SO SÁNH

Hình 4.15: Sơ đồ mạch ổn áp nối tiếp

Phần tử điều khiển để điều chỉnh điện áp đầu vào và điện áp đầu ra. Điện áp đầu
ra đƣợc lấy đƣa trở lại so sánh với nguồn điện áp chuẩn.

139
 Giả sử điện áp đầu ra tăng, bộ so sánh cung cấp một tín hiệu điều khiển, phần tử
điều khiển sẽ làm giảm điện áp ở đầu ra.
Giả sử điện áp đầu ra giảm, bộ so sánh cung cấp một tín hiệu điều khiển, phần
tử điều khiển sẽ làm tăng điện áp đầu ra.
Trên hình 4.16 là một mạch ổn áp nối tiếp đơn giản dùng một transistor và một
diode zener. Trong sơ đồ T1 đóng vai trò phần tử điều khiển, diode zener đóng vai trò
nguồn điện áp chuẩn, hoạt động mạch nhƣ sau :
Nếu điện áp đầu ra giảm  làm UE giảm  UBET1 tăng làm cho T1 dẫn mạnh
hơn. Vì vậy tăng đƣợc điện áp đầu ra  duy trì đƣợc điện áp đầu ra ổn định.
Nếu điện áp đầu ra tăng, UE tăng  UBET1 giảm  T1 dẫn yếu đi  vì vậy
làm giảm điện áp đầu ra  duy trì điện áp đầu ra ổn định.

Ví dụ 4.9: Tính toán điện áp đầu ra và dòng qua diode zener mạch ổn áp hình
4.16, cho Rt = 1k, UZ = 12V, R = 220,  = 50,
Uv T1 Ur

Uv = 20V, UBE = 0,7V.

R
Rt
Giải:
Uz
Ur = UZ - UBE = 12V – 0,7V = 11,3V
UCE = Uv – Ur = 20V – 11,3V = 8,7V
Hình 4.16: Mạch ổn áp đơn
Uv  Uz 20V  12V giản
IR =   36, 4mA
R 220

U r 11, 3V
Dòng chạy qua Rt: It =   11, 3mA = IE  IC
Rt 1k

IC 11, 3mA
IB =   226A
 50

IZ = IR – IB = 36,4mA - 226A  36mA

a) Mạch ổn áp bù
Sơ đồ mạch đƣợc biểu diễn trên hình 4.17. Hai điện trở R1 và R2 đóng vai trò
nhƣ một mạch lấy mẫu, diode zener DZ cung cấp điện áp tham chiếu và transistor T2
điều khiển dòng bazơ của transistor
T1 T1 để thay đổi dòng qua transistor T1 duy trì đƣợc
Uv
điện áp ở đầu ra. Ur

R4
R1
Dz
T2 - + Rt
+
UBE2
R3 U2 R2
- 140

Hình 4.17: Mạch ổn áp bù

 Nếu điện áp đầu ra tăng qua phân áp R1 và R2, điện áp U2 tăng, làm điện áp UBE
của T2 tăng (điện áp UZ không đổi), làm dòng qua T2 tăng dẫn đến dòng IB của T1 giảm
làm cho dòng qua tải giảm. Điện áp đầu ra giảm, vì vậy duy trì đƣợc điện áp đầu ra
của mạch. Trƣờng hợp điện áp đầu ra giảm giải thích tƣơng tự.
Điện áp U2 bằng tổng của điện áp UBE của T2 và UZ và đƣợc tính:
R2
U2 = UBE2 + UZ = U
R1  R2 r

Do đó điện áp đầu ra Ur đƣợc xác định:

R1  R2
Ur = (U z  U BE2 )
R2

Ví dụ 4.10: Cho mạch điện nhƣ hình vẽ 4.17

Trong đó cho R1 = 20k, Uz = 8,3V, R2 = 30k. Tính điện áp ổn áp ra?
Giải:
R1  R2
Theo công thức: Ur = (U z  U BE2 )
R2

Thay số vào ta có điện áp ổn áp ra sẽ là:

20k  30k
Ur = (8, 3V  0, 7V) = 15V
30k

b) Mạch ổn áp nối tiếp dùng OP-AMP

Hiện nay một số mạch ổn áp nối tiếp đã sử dụng khuếch đại thuật toán
OP - AMP.

T1
Uv
Ur
R3
1 R1
3
2
Dz

R2

Hình 4.18: Mạch ổn áp nối tiếp

Trong hình 4.18 bộ OP – AMP
dùng so
OA sánh điện áp tham chiếu trên diode zener với

điện áp hồi tiếp từ bộ phân áp R1 và R2. Nếu điện áp đầu ra thay đổi T1 sẽ điều chỉnh
để điện áp ra này không thay đổi. Điện áp ra đƣợc tính theo công thức:

141
  R1 
Ur  1   Uz
 R2 

c) Mạch hạn chế dòng điện

Để bảo vệ mạch ổn áp khi bị quá tải hoặc ngắn mạch thì sơ đồ ổn áp đƣợc vẽ lại
nhƣ hình 4.19.
Uv T1 Rsc
Khi dòng tải It tăng thì điện áp rơi
Ur
trên Rsc (sampling circuit- điện trở này đóng R3

vai trò mạch lấy mẫu) cũng tăng lên. Khi T2

R1
Rt
điện áp trên Rsc tăng đủ lớn, làm T2 mở, T2 Dz
mở làm dòng cực base của transistor T1
R2
giảm, và làm giảm dòng tải qua transistor T1,
tránh cho Rt quá tải. Nhƣ vậy hoạt động của
Rsc và T2 làm hạn chế dòng tải cực đại. Hình 4.19: Mạch hạn chế dòng

Mạch hạn chế dòng (hình 4.19) chỉ làm giảm điện áp tải khi dòng điện vƣợt quá
giá trị giới hạn. Hình 4.20 là mạch hạn chế dòng cải tiến. Mạch này sẽ làm giảm cả
điện áp ra và dòng điện ra bảo vệ tải khỏi quá dòng. Trong sơ đồ này có thêm bộ phân
áp R4 và R5, bộ phân áp sẽ lấy một phần điện áp tại đầu ra của T1. Khi dòng It tăng lên
đến giá trị cực đại, điện áp rơi trên Rsc đủ lớn mở T2 để hạn chế dòng. Nếu điện trở tải
nhỏ, điện áp điều khiển T2 mở nhỏ. Khi điện trở tải trở lại giá trị của nó, mạch điện trở
lại hoạt động ổn áp.

142
 T1 Rsc It

R4 Ur
Uv R3
T2

R1
Rt
Dz

R5 R2

Hình 4.20: Mạch hạn chế dòng cải tiến

4.4.2.2. Ổn áp song song
Mạch ổn áp song song thực hiện ổn áp bằng dòng tiêu hao song song với tải để
ổn định điện áp ra. Hình 4.21 là sơ đồ khối của mạch ổn áp đó.
Uv
Ut
IS
It
Tín hiệu điều
khiển
Điều khiển
Lấy mẫu Rt

Điện áp
chuẩn So sánh

Hình 4.21: Sơ đồ khối mạch ổn áp song

song
Điện áp đầu vào không ổn định cung cấp dòng cho tải. Một phần dòng điện bị
mất đi do phần tử điều khiển để bảo đảm cho điện áp ra đƣợc ổn định đƣa đến tải.
Mạch lấy mẫu cung cấp tín hiệu hồi tiếp tới bộ so sánh, sau đó lấy ra một tín hiệu điều
khiển để làm thay đổi dòng điện chảy qua phần tử điều khiển. Ví dụ khi điện áp đầu ra
tăng, mạch lấy mẫu cung cấp tín hiệu hồi tiếp tới mạch so sánh, đầu ra mạch so sánh
đƣa tín hiệu điều khiển làm tăng dòng điện song song qua phần tử điều khiển, làm cho
dòng tải giảm xuống giữ điện áp ổn định.
a) Mạch ổn áp song song đơn giản dùng transistor
Một mạch ổn áp song song đơn giản nhƣ hình 4.22.
Rs

+ +
+
Dz Ic
Uv Ib
T1 Ut Rt
+
Ube

Hình 4.22: Mạch ổn áp song song

đơn giản 143
 Trên điện trở RS điện áp chƣa ổn định, sụt áp do dòng cung cấp tới tải Rt. Điện
áp trên tải đƣợc xác định bởi điện áp zener và điện áp giữa base - emiter. Nếu điện trở
tải giảm, dòng điều khiển cực B của T1 cũng giảm, làm dòng collector cũng giảm, sẽ
làm dòng tải lớn lên hơn và ổn định đƣợc điện áp trên tải. Điện áp ra trên tải là:
Ut = UZ + UBE
Ví dụ 4.11: Cho mạch điện nhƣ hình 4.22 với Rs = 120, Rt = 100, Uz = 8,2V,
Uv = 22V. Xác định điện áp ổn áp ra, dòng IC, It, IS?
Giải:
Điện áp ổn áp trên tải là:
Ut = UZ + UBE = 8,2V + 0,7V = 8,9V
Dòng qua tải là:
Ut 8, 9V
It = = = 89mA
Rt 100

Với điện áp vào 22V, dòng qua RS là:

Uv  Ut 22V  8, 9V
IS = = = 109mA
RS 120

Do đó dòng qua collector là:

IC = IS – It = 109mA – 89mA = 20mA

b) Mạch ổn áp song song dùng 2 transistor

Mạch điện nhƣ hình vẽ 4.23.
Rs

Uv Ur
T2
T1 Dz
Rt

R1

Hình 4.23: Ổn áp song song dùng transistor

Diode zener cung cấp một điện áp chuẩn, do đó điện áp trên R1 sẽ quyết định
điện áp ra. Khi điện áp ra thay đổi, làm dòng song song qua T1 cũng thay đổi để giữ
cho điện áp ra ổn định. Transistor T2 làm cho dòng cực base của T1 lớn hơn mạch dùng
một transistor vì vậy ổn định dòng qua tải lớn hơn. Điện áp ra đƣợc xác định nhƣ sau :
Ur = Ut = UZ + UBE1 + UBE2

144
 c) Mạch ổn áp song song dùng OP-AMP

Hình 4.24 là mạch ổn áp song song dùng OP-AMP nhƣ là bộ so sánh điện áp.
Điện áp zener đƣợc so sánh với điện áp hồi tiếp từ bộ phân áp R1 và R2 để điều
khiển T1. Dòng qua RS sẽ đƣợc điều khiển sụt áp trên RS , vì vậy điện áp ra đƣợc ổn
định.
Rs

Uv Ur
R3
ISH IL
R1

+ T1 Rt
Dz

R2

Hình 4.24: Mạch ổn áp dùng OA

4.4.3. Ổn áp dùng IC
Rất nhiều mạch ổn áp sử dụng các loại IC ổn áp. Các IC ổn áp chứa nguồn điện
áp chuẩn, khuếch đại so sánh, phân tử điều khiển bảo vệ quá tải, tất cả trong một IC
đơn lẻ. Mặc dù cấu tạo bên trong IC có khác với các mạch ổn áp trƣớc nhƣng hoạt
động bên ngoài thì nhƣ nhau. Điện áp ổn áp cũng có thể điều chỉnh đƣợc hoặc có thể là
cố định. Dòng tải của các IC từ hàng trăm mA đến hàng chục A, do đó rất phù hợp với
nhiều mạch thiết kế yêu cầu gọn nhẹ.

Hình 4.25 cho thấy sự ghép nối IC ổn áp 3 chân với mạch.

Điện áp vào Uv đƣợc đƣa tới một chân, điện áp ra đƣợc ổn áp Ur từ chân thứ 2,
chân thứ 3 đƣợc nối với mass.

IN OUT
+ GND +

TẢI
-
-

Hình 4.25: Sơ đồ khối bộ ổn áp dùng IC

4.4.3.1. Ổn áp cố định dòng IC
Họ IC 78xx cung cấp điện áp ra cố định từ (+)5V đến (+)24V. Ký hiệu xx để
chỉ điện áp ra, ví dụ 7805 là ổn áp 5V, 7824 là ổn áp 24V. Sơ đồ mạch mắc trong thực
tế nhƣ hình 4.26.
145
 1 3
Vào Ra
+ 7812 +

Uv C1 GND C2 Ur
- 2 -

Hình 4.26: Mạch ổn áp dùng 7812

Trong đó:
- Chân 1 đƣợc nối với điện áp vào.
- Chân 2 đƣợc nối với mass.
- Chân 3 đƣợc nối với tải.
- Tụ điện C = 0,1F để cải thiện quá trình quá độ và lọc nhiễu tần số cao.
Dòng điện đƣa ra của họ 78xx thƣờng  1A.
Họ 79xx tƣơng tự nhƣ họ 78xx nhƣng cung cấp điện áp ra cố định từ -5V đến
-24V.
4.4.3.2. Ổn áp dùng IC có thể điều chỉnh được điện áp ra
Các IC ổn áp cũng sẵn có một số
Uv Ur
loại cho phép ngƣời sử dụng có thể + LM317 Ir +

điều chỉnh điện áp ra nhƣ mong muốn. ADJ URef R1

LM317 (hình 4.27) là một ví dụ. Uv Urt
IADJ
LM317 có thể hoạt động với R2
phạm vi điện áp ra từ 1,2V đến 37V, -
điện trở R1 và R2 xác định điện áp ra
Hình 4.27: Mạch ổn áp dùng LM317 -
(1,2V đến 37V).
Tính toán điện áp ra cho mạch theo công thức sau:
R2
Ur = URef (1 + ) + Iadj R2 (*)
R1

Trong đó URef = 1,25V và Iadj = 100A

Ví dụ 4.12: Xác định điện áp ra của IC LM317 với R1 = 240 và R2 = 2,4k.
Giải:
Theo công thức (*) ta có:
2, 4K
Ur = 1,25V(1 + ) + (100A)(2,4K)
24K

146
 = 13,75V + 0,24V = 13,99V
IC LM318 cũng tƣơng tự nhƣ vậy nhƣng điện áp ra là điện áp (-).
4.4.4. Một số mạch ổn áp khác dùng IC
4.4.4.1. Mạch tăng dòng ra
IC họ 78xx hay 79xx thƣờng có dòng ra không lớn, do đó để tăng dòng ra có
thể kết hợp với transistor nhƣ hình 4.28.
T1

R
78xx

1 3

2
Uv Ur

Hình 4.28: Mạch tăng dòng ra

4.4.4.2. Mạch tăng điện áp ra

78xx
1 3
2 R

Uv Ur

DZ

Hình 4.29: Mạch tăng điện áp ra

Để tăng điện áp ra đấu thêm diode zener vào chân 2 của IC nhƣ hình 4.29.
Khi đó điện áp ra sẽ là:
Ur = UZ + Ur 78xx

147
 CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP
Bài 1. Biết điện áp một chiều ra sau bộ chỉnh lƣu là Udc = 20V. Hãy tính điện áp gợn
sóng khi bộ chỉnh lƣu là :
a) Bộ chỉnh lƣu nửa chu kỳ.
b) Bộ chỉnh lƣu hai chu kỳ.
Bài 2. Cho một bộ chỉnh lƣu hai nửa chu kỳ có tụ lọc C = 100F. Khi nối với một điện
trở tải Rt = 2,5k điện áp một chiều ra là Udc = 12 V. Tính điện áp gợn sóng? (điện áp
đầu vào bộ chỉnh lƣu có tần số f = 50Hz).
Bài 3. Cho một bộ chỉnh lƣu có dùng tụ lọc C = 500 F, dòng điện chạy qua tải là
200Ma với hệ số gợn sóng là 8%. Tính điện áp đỉnh (Um) đƣa vào bộ chỉnh lƣu và điện
áp trên tụ, biết điện áp nguồn cấp có f = 60 Hz.
Bài 4. Hãy tính điện áp gợn sóng tại đầu ra của bộ lọc RC (R =100, C = 100F). Biết
tín hiệu vào bộ lọc là 50V với điện áp gợn sóng 2,5V (tín hiệu này đƣợc lấy từ bộ
chỉnh lƣu hai nửa chu kỳ có dùng tụ lọc).

Bài 5. Cho mạch điện nhƣ hình 4.30.

Uv T1 Ur
Biết R = 1,8k, Uz = 8,3 V, Rt = 2k.
Hãy tính điện áp ra Ur và dòng điện chạy qua R
Rt
zener.
Uz

Bài 6. Cho mạch điện nhƣ hình 4.31 Hình 4.30

Biết Rs = 33, Uz = 10 V, Rt = 100. Hãy tính điện áp ổn áp đầu ra và các
dòng điện tại các cực của transistor.

Rs
+ +
+
Dz
Ic
Uv - Ib
Ut Rt
+
Ube
- - -

Hình 4.31

148
Bài 7. Cho mạch ổn áp nhƣ hình 4.32
Hãy xác định điện áp ra.

Um=15V IN OUT Ur
LM317

ADJ 220
330F

1,5k 20F

Hình 4.32

149
 Tài liệu tham khảo

[1] Thomas L. Floyd Electronic Devices – Prentice Hall,1998

[2] Jmillman Micro electronics, Digital and Analog, Circuits and System - MC
Graw Hill Book Company,1997
[3] Robert Boylestad, Louis Nashelsky Electronic Devices and Circuit Theory –
Prentice Hall, 2006.
[4] Wiliam D.Stanley Operational amplifiers with linear intergrated circuits,
Macmilan Publishing Company, 1990.
[5] Đỗ Xuân Thụ Dụng cụ bán dẫn – Nhà xuất bản Đại học và Trung học
chuyên nghiệp, 1995
[6] Trần Thị Cầm Cấu kiện điện tử và quang điện tử - Học viện Bƣu chính viễn
thông, 2002
[7] Nguyễn Viết Nguyên (chủ biên) Giáo trình Linh kiện điện tử – Nhà xuất bản
Giáo dục, 2007
[8] Đặng Văn Chuyết (chủ biên) Giáo trình Kỹ thuật mạch điện tử – Nhà xuất
bản Giáo dục, 2007
[9] Phạm Minh Hà (chủ biên) Kỹ thuật mạch điện tử – Nhà xuất bản Khoa học
và kỹ thuật, 1997
[10] Nguyễn Thanh Trà, Thái Vĩnh Hiển 250 bài tập Kỹ thuật điện tử – Nhà
xuất bản giáo dục Việt Nam, 2005.

150