TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

VIỆN ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG

BÁO CÁO
THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG BỘ LỌC THÔNG DẢI
CHO HỆ THỐNG E-GSM(GSM-900)

Giảng viên HD : TS. Nguyễn Nam Phong

Lớp : 142038
Sinh viên thực hiện: Nghiêm Văn Quang 20203547

Hà Nội, 07 - 2023
 MỤC LỤC
MỤC LỤC ...................................................................................... 2
LỜI NÓI ĐẦU ................................................................................ 4
DANH MỤC HÌNH ẢNH .............................................................. 5
CHƯƠNG 1: CƠ SỞ LÝ THUYẾT......................................... 6
1.1. Hệ thống E-GSM(GSM-900): ........................................... 6
1.2. Bộ lọc ................................................................................. 6
1.3. Thiết kế bộ lọc bằng phương pháp tổn hao chèn (Insertion
Loss Method): ....................................................................................... 8
1.3.1. Tỷ lệ tổn hao năng lượng:................................... 9
1.3.2. Nguyên mẫu bộ lọc thông thấp đáp ứng
Maximally Flat (Butterworth): ................................................ 11
1.3.3. Nguyên mẫu bộ lọc thông thấp đáp ứng Equal
Ripple (Chebyshev): ............................................................... 15
1.4. Bộ lọc thông dải:.............................................................. 18
1.4.1. Khái niệm ......................................................... 18
CHƯƠNG 2: TÍNH TOÁN THIẾT KẾ ................................. 20
2.1. Phân tích yêu cầu: .............................................................. 20
Yêu cầu hệ thống: thiết kế bộ lọc thông dải cho hệ thống E-GSM
............................................................................................................. 20
Yêu cầu chức năng và thông số kỹ thuật: ................................. 20
• Tần số trung tâm (fr): 897.33 MHz.................................... 20
• Băng thông (Bandwidth): 35 MHz .................................... 20
• Độ gợn (Ripple): <0.5 dB .................................................. 20
• Trở kháng đầu ra (Zout): 50 Ω .......................................... 20
Yêu cầu phi chức năng: ............................................................ 20
• Thiết kế nhỏ gọn, tối ưu không gian .................................. 20
• Đảm bảo chất lượng tín hiệu tốt ........................................ 20

2
 • Hoạt động tốt ở trong nhà lẫn ngoài trời............................ 20
• Dải nhiệt độ hoạt động trong khoảng từ -30ºC đến 85ºC .. 20
2.2. Lựa chọn thiết kế và tính toán thông số............................. 20
CHƯƠNG 3: MÔ PHỎNG .................................................... 22
3.1. Sơ đồ nguyên lý ................................................................. 22
3.2. Kết quả mô phỏng:............................................................. 22
3.3. So sánh và nhận xét các thông số khi mô phỏng so với lý
thuyết: .................................................................................................. 23
KẾT LUẬN................................................................................... 24
TÀI LIỆU THAM KHẢO ............................................................ 25

3
 LỜI NÓI ĐẦU
Bộ lọc là một thành phần quan trọng của tất cả các hệ thống
điện tử, trong đó mục đích chính của việc sử dụng bộ lọc là có thể tách
được những tín hiệu không mong muốn (nhiễu, tạp âm) ra khỏi tín
hiệu mong muốn. Do nhu cầu sử dụng bộ lọc là rất lớn, vậy nên các
kỹ sư đi trước đã cố gắng tạo ra các phương pháp thiết kế bộ lọc tốt
nhất để tiết kiệm thời gian và công sức. Trong các phương pháp đó,
cuốn “Fundamental of Microelectronics” của tác giả Behzad Razavi
đưa ra phương pháp thiết kế các bộ lọc tương tự bằng cách đi từ mạch
RC cơ bản và sau đó có thêm khuếch đại thuật toán để tạo mạch lọc
chủ động. Phương pháp này trên thực tế có thể hữu hiệu với các mạch
ở tần số thấp và có thể dễ dàng sử dụng kiểm thử bằng mạch cắm.
Xong mạch này tỏ ra không đáng tin cậy ở tần số siêu cao, bởi giới
hạn của các cuộn cảm, tụ điện và khuếch đại thuật toán ở vùng tần số
đó, hơn nữa, nhiều khi, ta không chắc có thể tìm thấy giá trị điện dung,
điện cảm hay điện trở đáp ứng với kết quả tính toán.
Vậy nên trong bài tập lớn lần này, em sẽ trình bày về cách thiết
kế bộ lọc siêu cao tần theo phương pháp tổn hao chèn (ILM) và cách
mô phỏng bộ lọc bằng phần mềm ADS. Các lý thuyết được trình bày
trong bài tập lớn được tham khảo từ cuốn “Microwave Engineering”
của giác giả David M. Pozar.
Trong quá trình thực hiện bài tập lớn này của em có thể còn
nhiều sai sót, mong nhận được sự góp ý từ thầy để rút kinh nghiệm và
học hỏi được thêm nhiều kiến thức.
Em xin chân thành cảm ơn!

4
 DANH MỤC HÌNH ẢNH
Hình 1 Quy trình thiết kế bộ lọc bằng phương pháp ILM ....... 8
Hình 2: Đáp ứng bộ lọc thông thấp maximally flat và equal
ripple(N = 3) ..................................................................................... 10
Hình 3: Nguyên mẫu bộ lọc thông thấp bậc N =2.................. 11
Hình 4: Nguyên mẫu mạch bậc thang của bộ lọc thông thấp (a)
với phần tử bắt đầu được ghép song song (b) với phần tử đầu tiên được
ghép nối tiếp...................................................................................... 13
Hình 5: Suy giảm theo tần số chuẩn hóa của các nguyên mẫu bộ
lọc tuân theo đáp ứng maximally flat. .............................................. 14
Hình 6: Suy hao theo tần số chuẩn hóa cho các nguyên mẫu bộ
lọc equal ripple (a) Mức gợn 0,5 dB. (b) Mức gợn 3,0 dB............... 17
Hình 7 Bộ lọc thông dải kết hợp từ một bộ lọc thông thấp và
một bộ lọc thông cao ......................................................................... 18
Hình 8 Đáp ứng tần số của bộ lọc thông dải .......................... 19
Hình 9 Sơ đồ mạch điện cho bộ lọc ....................................... 21

5
 CHƯƠNG 1: CƠ SỞ LÝ THUYẾT
1.1. Hệ thống E-GSM(GSM-900):
GSM (Global System for Mobile Communications) là một
chuẩn truyền thông dùng để mô tả giao thức của công nghệ di động kỹ
thuật số thế hệ 2 (2G) phát triển bởi Viện Tiêu chuẩn Viễn thông châu
Âu (ETSI). GSM ra đời vào năm 1982 và được triển khai lần đầu tại
Phần Lan vào năm 1991. Đến giữa thập niên 2010, hệ thống nay trở
thành chuẩn truyền thông di động và chiếm tới 90% thị phần mạng di
động [1]. Sự phổ biến của GSM đến từ những ưu điểm của hệ thống
này [2]:
• Tăng cường công suất phổ tín hiệu.
• Hỗ trợ chuyển vùng quốc tế.
• Chi phí lắp đặt các trạm phát sóng thấp.
• Tín hiệu giọng nói được truyền đi có chất lượng tốt.
GSM hoạt động ở 2 băng tần là 900MHz và 1800MHz, riêng tại
Mỹ là 950MHz và 1900MHz. Trong đó, GSM-900 sử dụng tần số
trong dải tần 890-915 MHz và đường xuống downlink sử dụng tần số
trong dải 935-960 MHz. Và chia các bang tần này thành 124 kênh với
độ rộng bang thông 25 MHz, mỗi kênh cách nhau một khoảng 200
kHz. Khoảng cách song công ( đường lên và xuống cho 1 thuê bao) là
45 MHz.
Ở một số nước, băng tần chuẩn GSM900 được mở rộng thành
E-GSM, nhằm đạt được dải tần rộng hơn. E-GSM dùng 880–915 MHz
cho đường lên và 925–960 MHz cho đường xuống. Như vậy, đã thêm
được 50 kênh (đánh số 975 đến 1023 và 0) so với băng GSM-900 ban
đầu. E-GSM cũng sử dụng công nghệ phân chia theo thời gian TDM
(time division multiplexing), cho phép truyền 8 kênh thoại toàn tốc hay
16 kênh thoại bán tốc trên 1 kênh vô tuyến. Có 8 khe thời gian gộp lại
gọi là một khung TDMA. Các kênh bán tốc sử dụng các khung luân
phiên trong cùng khe thời gian. Tốc độ truyền dữ liệu cho cả tám kênh
là 270.833 kbit/s và chu kỳ của một khung là 4.615m [3].
1.2. Bộ lọc
a. Khái niệm

6
 Bộ lọc là một mạch điện cho phép thành phần ở tần số mong
muốn đi qua và loại bỏ đi thành phần ở những tần số không mong
muốn. Vì vậy, bộ lọc được sử dụng để lọc tín hiệu, cho phép tín hiệu
ở những tần số quan trọng đi qua, đồng thời loại bỏ tín hiệu ở những
tần số không cần thiết. [4]
Các thông số chính của một bộ lọc bao gồm:
• Tần số cắt ( cut-off frequency): tần số mà tùy thuộc vào mỗi loại bộ lọc
sẽ có đáp ứng khác nhau (cho qua hay không cho qua). Đối với bộ lọc
thông dải và bộ lọc chắn dải, sẽ có 2 tần số cắt là tần số cắt trên và tần
số cắt dưới.
• Băng thông (Bandwidth): khoảng chênh lệch giữa tần số cắt trên và tần
số cắt dưới của bộ lọc.
• Độ gợn (Ripple): đáp ứng về biên độ tại mỗi thành phần tần số. Thông
thường có 2 độ gợn đó là độ gợn dải thông và độ gợn dải chắn.
• Độ dịch pha (Phase Shift): độ sớm pha hay trễ pha của tín hiệu sau khi
qua bộ lọc so với tín hiệu gốc tại cùng một tần số.
• Độ dốc (Slope): tốc độ của sự chuyển trạng thái từ “cho tần số qua” đến
“đến loại bỏ tần số”. Độ dốc càng lớn thì đáp ứng tần số của bộ lọc càng
gần với lý tưởng.
b. Phân loại bộ lọc:
Bộ lọc có rất nhiều ứng dụng trong các lĩnh vực khác nhau của
ngành điện tử như: truyền thông vô tuyến, chế tạo bộ nguồn một chiều
DC, xử lý tín hiệu âm thanh, bộ chuyển đổi tín hiệu tương tự sang tín
hiệu số ADC, …
Bộ lọc thường được phân loại theo đáp ư;ngs tần số, gồm 4 loại:
• Bộ lọc thông thấp (LPF): chỉ cho phép các thành phần tần số nhỏ hơn
hoặc bằng tần số cắt (fC) đi qua.
• Bộ lọc thông cao (HPF): chỉ cho phép các thành phần tần số lớn hơn
hoặc bằng tần số cắt (fC) đi qua.
• Bộ lọc thông dải (BPF): chỉ cho phép các thành phần tần số nằm trong
đoạn từ tần số cắt dưới (fL) đến tần số cắt trên (fH) đi qua.
• Bộ lọc chắn dải (BSF): chỉ cho phép các thành phần tần số nằm ngoài
đoạn từ tần số cắt dưới (fL) đến tần số cắt trên (fH) đi qua.

Ngoài ra, bộ lọc cũng có thể phân loại thoe các linh kiện được sử
dụng trong mạch, cách phân loại này được áp dụng trong các bộ lọc liên tục
theo thời gian:
7
 • Bộ lọc thụ động (Passive Filter): các linh kiện được sử dụng trong mạch
là các linh kiện thụ động (như điện trở, tụ điện, cuộn cảm).
• Bộ lọc chủ động (Active Filter): các linh kiện được sử dụng trong mạch
là các linh kiện chủ động (như transistor, OPAMP).

Bên cạnh đó, người ta còn phân loại bộ lọc theo các tiêu chí
như:
• Tương tự hay số.
• Rời rạc hay liên tục theo thời gian.
• Bất biến hay biến đổi theo thời gian.
• Trong bộ lọc số: vô hạn (IIR) hay hữu hạn (FIR).

Bộ lọc liên tục tuyến tính là bộ lọc phổ biến trong việc lọc tín
hiệu [5]. Phương pháp thiết kế hiện nay cho các bộ lọc liên tục tuyến
tính được gọi là tổ hợp mạng. Bản chất của phương pháp này đó là
nhằm thu được các giá trị thành phần của đa thức tỉ lệ cho trước đại
diện cho hàm truyền đạt mong muốn. Một số bộ lọc theo phương pháp
này sẽ được trình bày ở mục 1.3.
1.3. Thiết kế bộ lọc bằng phương pháp tổn hao chèn
(Insertion Loss Method):

Hình 1 Quy trình thiết kế bộ lọc bằng phương pháp ILM

Một bộ lọc hoàn hảo sẽ tổn hao chèn bằng 0 trong dải thông,
xấp xỉ vô hạn trong dải chắn và đáp ứng pha tuyến tính (để tránh méo
tín hiệu) trong dải thông. Tất nhiên, những bộ lọc như vậy không tồn
tại trong thực tế, vì vậy cần phải đánh đổi.
Phương pháp tham số hình ảnh có thể mang lại đáp ứng bộ lọc
có thể sử dụng được cho một số ứng dụng, nhưng không có cách cải
thiện thiết kế một cách có hệ thống. Tuy nhiên, phương pháp suy hao
chèn cho phép khả năng kiểm soát tốt đối với các đặc tính pha và biên
độ ở trong băng thông và băng chặn, với một cách có hệ thống để tổng

8
 hợp đáp ứng tần số mong muốn. Sự đánh đổi trong thiết kế có thể được
đánh giá để đáp ứng tốt nhất các yêu cầu của ứng dụng. Ví dụ, nếu suy
hao chèn tối thiểu là quan trọng nhất, thì có thể sử dụng đáp ứng nhị
thức; đáp ứng Chebyshev sẽ giúp yêu cầu về mức dốc tại tần cắt rõ nét
nhất. Nếu chấp nhận đánh đổi tốc độ suy giảm, ta có thể thu được đáp
ứng pha tốt hơn bằng cách sử dụng thiết kế bộ lọc pha tuyến tính.
Ngoài ra, trong mọi trường hợp, phương pháp suy hao chèn cho phép
cải thiện hiệu suất của bộ lọc một cách đơn giản, với việc đánh đổi về
mặt chi phí để thiết kế bộ lọc bậc cao hơn. Bậc của bộ lọc bằng với số
lượng phần tử điện kháng.
1.3.1. Tỷ lệ tổn hao năng lượng:
Trong phương pháp suy hao chèn, đáp ứng của bộ lọc được xác
định bởi suy hao chèn hoặc tỷ lệ suy hao công suất (tỷ lệ giữa năng
lượng nguồn truyền đi trên năng lượng được đưa tới tải), PLR (Power
Loss Ratio):

Suy hao chèn (IL) tính bằng dB là:

Bằng các mô hình toán học đã được chứng minh, thì ta có thể
biểu diễn bình phương biên độ hệ số phản xạ là 1 hàm của bình phương
tốc độ góc. Vì vậy ta có thể viết:

trong đó M và N là các đa thức thực của bình phương tốc độ

góc. Thay dạng này vào công thức PLR ta được:

Để một bộ lọc có thể thực hiện được về mặt vật lý, tỷ số tổn thất
công suất của nó phải có dạng giống công thức trên. Lưu ý rằng việc
xác định tỷ lệ tổn thất điện năng phải đồng thời hạn chế độ lớn của hệ

9
số phản xạ. Bây giờ chúng ta thảo luận về một số đáp ứng bộ lọc thực
tế.
Maximally Flat: Đặc tính này còn được gọi là đáp ứng nhị thức
hoặc Butterworth, và tối ưu theo hướng cung cấp đáp ứng băng thông
phẳng nhất có thể cho một độ phức tạp hoặc bậc bộ lọc nhất định. Đối
với bộ lọc thông thấp, nó được chỉ định bởi:

trong đó N là bậc của bộ lọc và ωc là tần số cắt. Băng thông trải

từ ω = 0 đến ω = ωc; ở biên dải tỷ lệ tổn thất công suất là 1 + k^2. Nếu
chúng ta chọn đây là điểm −3 dB, hiển nhiên, chúng ta có k = 1. Đối
với ω > ωc, độ suy giảm tăng đều theo tần số, như trong Hình 8.21.
Đối với ω >> ωc, PLR xấp xỉ k^2(ω/ωc)^2N , điều này cho thấy suy
hao chèn tăng với tốc độ 20N dB/decade. Giống như đáp ứng nhị thức
đối với bộ phối hợp trở kháng một phần tư bước song nhiều đoạn, đạo
hàm bậc nhất (2N - 1) của PLR bằng 0 tại ω = 0.

Hình 2: Đáp ứng bộ lọc thông thấp maximally flat và equal

ripple(N = 3)
Equal Ripple: Nếu sử dụng đa thức Chebyshev để biểu diễn thì
suy hao chèn của bộ lọc thông thấp bậc N là:

10
 Khi đó equal ripple có thể tạo nên băng chuyển tiếp dốc hơn.
K^2 quyết định định mức gợn băng thông. Đối với x lớn, TN(x) ~
1/2(2x)^N, do đó, đối với ω >> ωc suy hao chèn trở thành:

cũng tăng với tốc độ 20N dB/decade. Tuy nhiên, suy hao chèn
đối với trường hợp Chebyshev là (2^2N)/4 lớn hơn đáp ứng nhị thức
ở bất kỳ tần số cho trước nào trong đó ω >> ωc.
1.3.2. Nguyên mẫu bộ lọc thông thấp đáp ứng Maximally Flat
(Butterworth):
Xem xét nguyên mẫu bộ lọc thông thấp hai phần tử được Hình
dưới đây; chúng ta sẽ lấy các giá trị phần tử chuẩn hóa, L và C, để có
đáp ứng maximally flat. Giả sử trở kháng nguồn là 1 và tần số cắt ωc
= 1 rad/s. Từ (8.53), tỷ lệ tổn thất công suất mong muốn sẽ là, với N
= 2.

Hình 3: Nguyên mẫu bộ lọc thông thấp bậc N =2

Trở kháng đầu vào của bộ lọc lúc đó:

Bởi vì:

Nên PLR còn có thể viết dưới dạng:

11
 Trong đó:

Suy ra:

Quan sát thấy rằng biểu thức này là một đa thức trong ω^2. So
sánh với đáp ứng mong muốn của PLR = 1+w^4 cho thấy R = 1, vì
PLR = 1 với ω = 0. Ngoài ra, hệ số của ω2 phải triệt tiêu, do đó:

Nói cách khác, L = C. Khi đó, để hệ số của ω^4 bằng 1, ta phải

có:

Hay:

Về nguyên tắc, quy trình này có thể được mở rộng để tìm các
giá trị phần tử cho các bộ lọc có số lượng phần tử tùy ý (N), nhưng rõ
ràng điều này không thực tế đối với N lớn. Đối với thiết kế thông thấp
được chuẩn hóa,
trong đó trở kháng nguồn là 1 và tần số cắt là ωc = 1 rad/s, may
mắn các giá trị phần tử đối với mạch kiểu bậc thang của Hình 8 có thể
được lập thành bảng.
12
 Hình 4: Nguyên mẫu mạch bậc thang của bộ lọc thông thấp
(a) với phần tử bắt đầu được ghép song song (b) với phần tử đầu tiên
được ghép nối tiếp

Table 1: Giá trị chuẩn hóa của các phần tử trong nguyên mẫu
bộ lọc thông thấp theo đáp ứng maximally flat (các giá trị chuẩn hóa
g0 = 1, wc = 1, N từ 1 đến 10)

Bảng 1 đưa ra các giá trị phần tử như vậy đối với nguyên mẫu
bộ lọc thông thấp phẳng cực đại cho N = 1 đến 10. Những dữ liệu này
có thể được sử dụng với một trong các mạch bậc thang của Hình 8
theo cách sau. Các giá trị phần tử được đánh số từ g0 ở trở kháng
nguồn đến gN+1 ở trở kháng tải đối với bộ lọc có N phần tử điện

13
kháng. Các yếu tố tương ứng giữa song song và nối tiếp và gk được
định nghĩa như sau.

Hình 5: Suy giảm theo tần số chuẩn hóa của các nguyên mẫu
bộ lọc tuân theo đáp ứng maximally flat.

Sau đó, các mạch của Hình 8 có thể được coi là đối ngẫu của
nhau và cả hai sẽ cho cùng một đáp ứng bộ lọc.
Cuối cùng, như một vấn đề của quy trình thiết kế thực tế, sẽ cần
phải xác định bậc của bộ lọc. Điều này thường được quyết định bởi
một thông số kỹ thuật về suy hao chèn ở một tần số nào đó trong dải
chặn của bộ lọc. Hình 8.26 cho thấy các đặc tính suy giảm đối với N
khác nhau so với tần số chuẩn hóa. Nếu cần bộ lọc có N > 10, thường
có thể thu được kết quả tốt bằng cách ghép tầng hai thiết kế có bậc
thấp hơn.

14
1.3.3. Nguyên mẫu bộ lọc thông thấp đáp ứng Equal Ripple (Chebyshev):
Đối với bộ lọc thông thấp Equal Ripple có tần số cắt ωc = 1
rad/s, tỷ lệ tổn thất công suất PLR được tính là:

trong đó 1 + k^2 là mức gợn trong băng thông. Vì các đa thức

Chebyshev có tính chất là:

phương trình trên cho thấy bộ lọc sẽ có tỷ lệ tổn thất công suất
bằng 1 tại ω = 0 đối với N lẻ, nhưng tỷ lệ tổn thất công suất là 1 + k^2
tại ω = 0 đối với N chẵn. Như vậy, có hai trường hợp cần xem xét, tùy
thuộc vào N.
Bằng các phương pháp toán học, người ta tính được các
bảng để thiết kế các bộ lọc thông thấp đáp ứng equal ripple với trở
kháng nguồn chuẩn hóa và tần số cắt chuẩn hóa (ωc = 1 rad/giây) [1];
và các bộ lọc này có thể được áp dụng cho một trong hai mạch bậc
thang phần tử đầu nối tiếp hoặc song song. Thông số thiết kế này phụ
thuộc vào mức gợn sóng băng thông được chỉ định; Bảng 2 liệt kê các
giá trị phần tử cho nguyên mẫu bộ lọc thông thấp được chuẩn hóa có
độ gợn sóng 0,5 hoặc 3,0 dB đối với N = 1 đến 10. Lưu ý rằng trở
kháng tải gN+1 khác 1 đối với N chẵn. Nếu độ suy hao băng chặn
được chỉ định, các đường cong trong Hình 10 có thể được sử dụng để
xác định gần đúng giá trị của N đối với các giá trị gợn sóng tương ứng.

15
 Table 2 Giá trị chuẩn hóa của các phần tử trong nguyên mẫu
bộ lọc thông thấp theo đáp ứng equal ripple (các giá trị chuẩn hóa
g0 = 1, wc = 1, N từ 1 đến 10, mức gợn sóng 0.5 dB và 3 dB)

16
 Hình 6: Suy hao theo tần số chuẩn hóa cho các nguyên mẫu
bộ lọc equal ripple (a) Mức gợn 0,5 dB. (b) Mức gợn 3,0 dB.

17
1.4. Bộ lọc thông dải:
1.4.1. Khái niệm
Bộ lọc thông dải là bộ lọc cho qua các tần số trong một phạm vi
nhất định và loại bỏ các tần số bên ngoài phạm vi đó.
Bộ lọc thông dải “lý tưởng” có thể loại bỏ nhiễu. Bộ lọc thông
dải thường được gọi là bộ lọc bậc hai (hai cực) vì chúng có hai thành
phần phản kháng như tụ điện trong thiết kế mạch của chúng: một tụ
trong mạch thông thấp và một tụ khác trong mạch thông cao.

Hình 7 Bộ lọc thông dải kết hợp từ một bộ lọc thông thấp và
một bộ lọc thông cao

1.4.2. Đáp ứng tần số:

18
 Hình 8 Đáp ứng tần số của bộ lọc thông dải

Bộ lọc được đặc trưng bởi đáp ứng tần số. Bộ lọc thông dải có đặc
trưng biên độ của đáp ứng tần số, trường hợp lý tưởng là dạng hình chữ
nhật, vả trong thực tế chấp nhận là dạng "cái chuông".
Đường cong đáp ứng tần số ở trên cho thấy các đặc tính của bộ lọc
thông dải. Đây là tín hiệu bị suy giảm ở tần số thấp với độ dốc
+20dB.decade cho đến khi tần số đạt đến “thấp cắt” điểm fL.
Đầu ra tiếp tục ở độ khuếch đại tối đa cho đến khi nó đạt đến điểm
cắt trên fH. Tại đó, đầu ra giảm ở tốc độ -20dB/decade làm giảm bất kỳ tín
hiệu tần số cao nào. Điểm tăng công suất tối đa nói chung là giá trị trung
bình hình học của hai giá trị -3dB giữa điểm ắt dưới và điểm cắt trên và
được gọi là giá trị “tần số trung tâm”. Giá trị trung bình hình học này được
tính bằng công thức:

𝑓𝑟 = √𝑓𝐻 ∗ 𝑓𝐿

19
 Băng thông của bộ lọc thông dải đặc trưng bởi chỉ số tần số cắt trên
fH và dưới fL. Các giá trị này được định nghĩa là tần số ở mức -3dB so với
vùng trị tuyền đưa. Độ rộng bang thông B là khoảng cách giữa 2 tần số này.
Bộ lọc với đáp ứng tần số Chebyshev sẽ được sử dụng trong đề tài
này.

CHƯƠNG 2: TÍNH TOÁN THIẾT KẾ

2.1. Phân tích yêu cầu:
Yêu cầu hệ thống: thiết kế bộ lọc thông dải cho hệ thống E-GSM
Yêu cầu chức năng và thông số kỹ thuật:
• Tần số trung tâm (fr): 897.33 MHz
• Băng thông (Bandwidth): 35 MHz
• Độ gợn (Ripple): <0.5 dB
• Trở kháng đầu ra (Zout): 50 Ω
Yêu cầu phi chức năng:
• Thiết kế nhỏ gọn, tối ưu không gian
• Đảm bảo chất lượng tín hiệu tốt
• Hoạt động tốt ở trong nhà lẫn ngoài trời
• Dải nhiệt độ hoạt động trong khoảng từ -30ºC đến 85ºC
2.2. Lựa chọn thiết kế và tính toán thông số

Với các yêu cầu như trên, chúng em lựa chọn bộ lọc thông dải
dựa trên bộ lọc Chebyshev để áp dụng vào mạch của mình. Bộ lọc này
có ưu điểm là độ gợn xác định và độ dốc lớn. Từ đây, chúng em đưa
ra sơ đồ mạch điện như sau:

20
 Hình 9 Sơ đồ mạch điện cho bộ lọc

Đây là mạch điện dùng bộ lọc Chebyshev với số bậc của bộ lọc
là N=3.
Từ bảng hệ số của bộ lọc Chevbyshev với độ gợn 0.5 dB được
đưa ra trong Hình 1.4 và sơ đồ mạch điện trong Hình 3.1, chúng em
có được 3 thông số g1, g2, g3 như sau:
• G1 = 1.5963
• G2 = 1.0967
• G3 = 1.5963
Ta có:
𝑓𝑟 = √𝑓𝐻 ∗ 𝑓𝐿 = 897.33 𝑀𝐻𝑧
𝐵 = 𝑓𝐻 − 𝑓𝐿 = 35 𝑀𝐻𝑧
Lại có:

𝑔1
𝐿1 = 𝐿3 = 50 ∗
𝑤𝐻 − 𝑤𝐿
1 𝑤𝐻 − 𝑤𝐿
𝐶1 = 𝐶3 = ∗
50 𝑤02 𝑔1
𝑤𝐻 − 𝑤𝐿
𝐿2 = 50 ∗
𝑤02 𝑔2
1 𝑔2
𝐶2 = ∗
50 𝑤𝐻 − 𝑤𝐿
Từ các công thức trên ta tính được thông số của các linh kiện như sau:

Kí hiệu Giá trị Đơn vị

L1 362.9 nH
L2 315.4 pH
L3 362.9 nH
21
C1 86.68 fF
C2 99.74 pf
C3 86.68 fF
Table 3 Bảng thông số linh kiện trong mạch lọc

CHƯƠNG 3: MÔ PHỎNG
3.1. Sơ đồ nguyên lý
Từ những giá trị tính toán được ở tên cùng với sơ đồ mạch đã
chọn, ta có được sơ đồ mạch mô phỏng trên phần mềm ADS như sau:

Tiếp theo, chọn khoảng tần số mô phỏng. Việc chọn khoảng tần số để
ta biết được tần số trong bộ lọc thông dải có điểm gì khác biệt hơn tần
số ngoài khoảng tần số của bộ
lọc thông dải.
• Khoảng tần số sử dụng để thiết kế E-GSM: 880 MHz – 915 MHz
• Khoảng tần số để mô phỏng: 50 MHz – 2000GHz
• Bước nhảy tần số để mô phỏng: 0.001 MHz

3.2. Kết quả mô phỏng:

Từ những linh kiện và tham số trên, ta thu được kết quả như
sau:

22
Trong đó:
• S(1,1) là hệ số phản xạ điện áp đầu vào
• S(1,2) hệ số khuếch đại điện áp ngược
3.3. So sánh và nhận xét các thông số khi mô phỏng so
với lý thuyết:

• So sánh:
- Băng thông: Lý thuyết và mô phỏng gần như giống nhau
- Tần số trung tâm: Lý thuyết và mô phỏng đều là 897.3 MHz
- Tần số cắt trên và tần số cắt dưới: Kết quả tính toán và mô phỏng
có chút khác biệt.
 Lý do là g1, g2, g3 khi tính toán đã bị làm tròn nên các thông
số khi tính toán đều phải lấy xấp xỉ.
• Nhận xét:
- Kết quả mô phỏng và tính toán là khá chính xác và phù hợp với
lý thuyết.

23
 - Bộ lọc thông dải cho hệ thống E-GSM đã đáp ứng được các
thông số kỹ thuật đề ra ban đầu.
• Một số nguyên nhân mà gây ra sự khác biệt trên có thể kể đến là:
- Giá trị các hằng số làm tròn.
- Các giá trị của linh kiện tính toán xấp xỉ.

KẾT LUẬN
Trong quá trình làm đề tài em đã rút ra được nhiều bài học cũng
như đã mở rộng thêm kiến thức của bản thân mình, hiểu rõ hơn về ứng
dụng cũng như cách hình thành về bộ lọc thông dải cho hệ thống GSM-
1800. Có thể thấy GSM là một thiết bị hiện đại và phổ biến trên toàn
thế giới ở 210 quốc gia khác nhau. Chuyển vùng vệ tinh GSM cũng
mở rộng khả năng truy cập dịch vụ đến các khu vực không có vùng
phủ sóng trên mặt đất. Nhóm chúng em xin gửi lời cảm ơn đến thầy
TS. Nguyễn Nam Phong đã hướng dẫn khoa học và hỗ trợ về mọi mặt,
cùng với sự nỗ lực của các thành viên trong nhóm đã giúp chúng em
hoàn thành tốt đề tài này. Em mong nhận được những chia sẻ cũng
như góp ý của thầy để có thể hoàn thiện đề tài.
Cuối cùng, em xin cảm ơn thầy Nguyễn Nam Phong đã hướng
dẫn em trong suốt quá trình học tập, trang bị cho chúng em những kiến
thức thú vị, bổ ích. Em chúc thầy thật nhiều sức khỏe và công tác tốt!

24
 TÀI LIỆU THAM KHẢO
[1] "Wikipedia," [Online]. Available:
https://en.wikipedia.org/wiki/GSM. [Accessed 20 5 2021].
[2] [Tutorialspoint, "Tutorialspoint," [Online]. Available:
https://www.tutorialspoint.com/gsm/gsm_overview.htm. [Accessed
20 5 2021].
[3] "ecee.colorado.edu," [Online]. Available:
https://ecee.colorado.edu/~ecen4242/gsm/index.htm. [Accessed 20 5
2021].
[4] "All About Circuits," [Online]. Available:
https://www.allaboutcircuits.com/textbook/alternating-current/chpt-
8/what-is-a-filter/. [Accessed 20 5 2021].
[5] "USD Home Pages," [Online]. Available:
http://home.sandiego.edu/~ekim/e194rfs01/lab_5.pdf. [Accessed 20
5 2021].
[6] K. Technologies, "Keysight Technologies," [Online]. Available:
https://www.keysight.com/zz/en/products/software/pathwave-
designsoftware/pathwave-advanced-design-system.html. [Accessed
20 5 2021].
[7] K. Technologies, "Keysight Technologies," [Online]. Available:
https://edadocs.software.keysight.com/display/engdocads/ADS+202
1+System+Requirements. [Accessed 20 5 2021].
[8] M. Ngô, "Youtube," [Online]. Available:
https://www.youtube.com/watch?v=jUtxJZBwkqchttps://www.youtu
be.com/watch?v=jUtxJZBwkqc. [Accessed 20 5 2021].

25