TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

VIỆN ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG

*****  *****

BÁO CÁO BÀI TẬP LỚN:

Điện tử tương tự II
ĐỀ TÀI: THIẾT KẾ BỘ LỌC GSM1800

Giảng viên hướng dẫn : TS. Nguyễn Nam Phong

Sinh viên thực hiện : Nhóm 4 MSSV:

Nguyễn Thị Thùy - Nhóm trưởng 20187152
Trần Trung Kiên 20187141
Phạm Công Khiên 20187140
Nguyễn Hữu Hưng 20187134
Hoàng Thị Kim Phượng 20187147
Mã lớp : 121692

Hà Nội, tháng 05 năm 2021

MỤC LỤC
1
MỤC LỤC
LỜI MỞ ĐẦU.......................................................................................................3
CHƯƠNG 1 : CƠ SỞ LÝ THUYẾT....................................................................4
1.1. Hệ thống GSM 1800.................................................................................4
1.2. Băng tần GSM 1800MHz........................................................................4
1.3 Các bộ lọc phổ biến...................................................................................5
1.3.1 Theo cấu tạo: gồm 2 loại mạch chính sau đây.....................................5
1.3.2.Theo chức năng: dựa vào việc mạch lọc chọn lựa những dải tần số
nào hoạt động, ta chia ra làm 4 mạch lọc chính sau.....................................6
1.4. Bộ lọc dải thông – Bandpass Filter.........................................................6
CHƯƠNG 2 : THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG........................................................9
2.1. Lý thuyết thiết kế.....................................................................................9
2.1.1 Bộ lọc dải thông Butterworth ( LC Filter )......................................9
2.1.2 Bộ lọc dải thông Chebyshev (Chebyshev Filter )..........................11
2.2. Tính toán.................................................................................................15
2.2.1 LC Filter...........................................................................................16
2.2.2. Chebyshev Filter.............................................................................17
CHƯƠNG 3 : KẾT LUẬN.................................................................................20
LỜI CẢM ƠN.....................................................................................................21
Tài liệu tham khảo..............................................................................................22
BẢNG PHÂN CHIA CÔNG VIỆC VÀ NHIỆM VỤ……………………….23

2
LỜI MỞ ĐẦU
Xu hướng phát triển của công nghệ truyền thông không dây hiện nay thu
hút nhiều nhà nghiên cứu là phát triển các thiết bị thu phát RF có khả năng làm
việc đồng thời trên nhiều tần số (đa băng tần). Công nghệ đa băng tần rất cần
thiết khi ngày càng có nhiều công nghệ mới được phát triển hoạt động trên các
dải tần số khác nhau. GSM (Global System for Mobile Communication) là một
hệ thống thông tin di động tiêu chuẩn thế hệ thứ hai (2G), hoạt động ở dải tần
900MHz và 1800MHz . Công nghệ băng tần kép là công nghệ có thể đáp ứng
nhu cầu về thiết bị đa tần số trong một ứng dụng. Một ví dụ về ứng dụng của
công nghệ băng tần kép là bộ lọc. Bộ lọc thông dải là một mạch được thiết kế để
chuyển hoặc truyền tín hiệu trên một dải tần cụ thể và chặn hoặc làm suy yếu
các tín hiệu nằm ngoài dải của dải tần.
Qua quá trình tìm hiểu và thiết kế mạch trên mô phỏng , cùng với những
kiến thức được học trên lớp, chúng em mới thực sự cảm nhận được những khó
khăn khi thiết kế và mô phỏng 1 bộ lọc hoàn chỉnh. Đây là bộ lọc đầu tiên mà
nhóm em xây dựng nên không thể tránh khỏi những hạn chế và thiếu sót, chúng
em mong thầy và các bạn bổ sung, góp ý để có thêm nhiều kinh nghiệm.
Nhóm chúng em xin bày tỏ lời cảm ơn sâu sắc đến TS. Nguyễn Nam
Phong đã hướng dẫn khoa học và hỗ trợ về mọi mặt, cùng với sự nỗ lực, cố
gắng của tất cả các thành viên trong nhóm sau một thời gian để chúng em có thể
hoàn thành tốt đề tài này. Chúng em mong có được những đóng góp, nhận xét
của thầy giáo để có thể hoàn thiện hơn nữa.
Chúng em xin chân thành cảm ơn!

3
 CHƯƠNG 1 : CƠ SỞ LÝ THUYẾT
1.1. Hệ thống GSM 1800
- GSM : The Global Systems for Mobile Communication ( mạng thông tin di động
toàn cầu ), là tiêu chuẩn chung cho các thuê bao di động di chuyển giữa các vị trí
địa lý khác nhau mà vẫn giữ liên lạc.
- Công nghệ mạng GSM : + TDMA (time division multiple access): phân chia
truy cập theo thời gian.
+ CDMA (code division multiple access): phân chia
truy cập theo mã.
- Cấu trúc cơ bản của mạng di động : mỗi mạng điện thoại di động có nhiều tổng đài
chuyển mạch MSC ở các khu vực khác nhau ( VD : tổng đài miền Bắc , miền Trung
, miền Nam ) và mỗi tổng đài có nhiều trạm thu phát vô tuyến BSS.

Mạng điện thoại di động GSM

1.2. Băng tần GSM 1800MHz
- Ở băng tần 1800MHz, điện thoại di động thu ở dải sóng 1805MHz đến 1880
MHz và phát ở dải sóng 1710MHz đến 1785 MHz.

4
- Khi điện thoại di động thu từ đài phát trên 1 tần số nào đó (trong dải 1805-
1880MHz) nó sẽ trừ đi 95 MHz để lấy tần số phát , khoảng cách giữa tần số thu
và phát của GSM 1800 là 95MHz.

Băng tần GSM 1800MHz

- Đặc điểm của GSM 1800
Băng tần 1710-1880MHz
Số kênh tần 364 kênh
Độ rộng kênh 200kHz
Phương thức truy cập TDMA
Công suất phát 0,25/1W
1.3 Các bộ lọc phổ biến
1.3.1 Theo cấu tạo: gồm 2 loại mạch chính sau đây
a. Mạch lọc thụ động (passive filter): mạch lọc chỉ gồm các linh kiện thụ
động như điện trở R, cuộn cảm L, tụ điện C. Thông thường có 3 loại mạch
lọc chính:
- Mạch lọc RC.
- Mạch lọc LC.
- Mạch lọc RLC.
Mạch RC thường được dùng nhiều vì linh kiện rẻ và chiếm ít diện tích. Còn
mạch lọc RLC ít thông dụng vì có điện cảm L khó tiêu chuẩn hóa, dễ gây ra
hiện tƣợng hỗ cảm và có giá trị rất lớn khi làm việc lọc tần số thấp, làm cho
chi phí đắt, lại cồng kềnh.
Nhìn chung, mạch lọc thụ động thường được ứng dụng cho việc chọn lọc
tần số cao (cỡ > 100 KHz) do hạn chế các giá trị của linh kiện. Mặc dù mạch
đơn giản và dễ lắp, song nhược điểm của những mạch lọc này là phẩm chất
mạch thấp, làm suy giảm năng lượng qua nó mà không có khả năng khuếch
đại, khó phối hợp tổng trở khi lắp vào các mạch chức năng khác. Để bổ túc
các nhược điểm trên, người ta thêm vào đó các phần tử khuếch đại như
transistor, vi mạch… để có thể khuếch đại tín hiệu, phối hợp tổng trở, điều
chỉnh độ suy giảm.
5
 b. Mạch lọc tích cực (active filter): được xây dựng từ các phần tử R,C với
các bộ khuếch đại thuật toán, các mạch lọc tích cực làm việc tốt ở tần số
thấp (< 100 KHz) và có rất nhiều ưu điểm so với mạch lọc thụ động mà ta
đã xét ở trên như độ phẩm chất cao, hoạt động ổn định, và rất dễ thực hiện,
do đó giá thành cũng hạ. Tuy nhiên, khi tần số tăng lên, thì bộ khuếch đại
gây ra nhiều phiền toái làm giảm hệ số khuếch đại và gây lệch pha giữa tín
hiệu vào và ra, làm thay đổi đặc trưng của mạch lọc. Ngoài ra, nếu biên độ
của tín hiệu vào lớn thì khuếch đại thuật toán gây ra hiện tượng bão hòa;
trong khi biên độ quá nhỏ thì lại gây ồn.
1.3.2.Theo chức năng: dựa vào việc mạch lọc chọn lựa những dải tần số nào
hoạt động, ta chia ra làm 4 mạch lọc chính sau
- Mạch lọc thông thấp (low-pass filter)
- Mạch lọc thông cao (high-pass filter)
- Mạch lọc thông dải (band-pass filter)
- Mạch lọc chắn dải (band-reject filter)

1.4. Bộ lọc dải thông – Bandpass Filter

- Bộ lọc thông dải (Band pass filter) là bộ lọc cho qua các tần số trong một
phạm vi nhất định và loại bỏ các tần số bên ngoài phạm vi đó. Bộ lọc được đặc
trưng bởi đáp ứng tần số, là định lượng của phổ đầu ra của một hệ thống hoặc
thiết bị khi đáp ứng với một kích thích, và được sử dụng để mô tả động lực học
của hệ thống đó. Bộ lọc thông dải có đặc trưng biên độ của đáp ứng tần số,
trường hợp lý tưởng là dạng hình chữ nhật, vả trong thực tế chấp nhận là dạng
"cái chuông".
- Xây dựng bộ lọc dựa trên chọn lựa linh kiện điện tử ghép thành mạch lọc, còn
gọi là "mắt lọc", sao cho có được đáp ứng tần số mong muốn. Bộ lọc bằng các
phần tử thụ động tuyến tính thường cho ra bộ lọc tuyến tính. Khi có phần tử chủ
động hoặc phi tuyến thì bộ lọc là phi tuyến.
- Bộ lọc thông dải chỉ vượt qua các tần số trong một số nhất định băng tần mong
muốn và làm suy giảm các tín hiệu khác có tần số là hoặc dưới tần số cắt dưới
hoặc trên mức cắt trên tần số. Phạm vi tần số mà bộ lọc thông dải cho phép để
đi qua được gọi là băng thông. Bộ lọc thông dải thông thường có thể thu được
bằng cách kết hợp bộ lọc thông thấp và thông cao lọc hoặc áp dụng thông thấp
thông thường cho băng thông biến đổi. Bộ lọc thông dải là một mạch điện tử
cho phép các tín hiệu với dải tần số và áp suất mong muốn các tín hiệu ra khỏi
dải đó.

6
 Bộ lọc dải thông RLC đơn giản
- Bộ lọc băng thông lý tưởng sẽ có một băng thông phẳng hoàn toàn. Trong thực
tế, không có bộ lọc thông dải là lý tưởng. Bộ lọc không làm giảm hoàn toàn tất
cả các tần số ngoài dải tần mong muốn; đặc biệt, có một khu vực ngay bên
ngoài băng thông dự định nơi tần số bị suy giảm, nhưng không bị cắt bỏ. Điều
này được gọi là cuộn lọc và nó thường được biểu thị bằng dB suy giảm trên mỗi
quãng tám hoặc dải thập phân tần số. Nói chung, thiết kế của bộ lọc tìm cách
làm cho cuộn xuống càng hẹp càng tốt, do đó cho phép bộ lọc thực hiện càng
gần càng tốt với thiết kế dự định của nó. Thông thường, điều này đạt được bằng
chi phí của gợn băng thông hoặc băng tần dừng.
- Băng thông của bộ lọc dải đặc trưng bởi chỉ số tần số cắt trên FH và dưới FL.
Các trị này được định nghĩa là tần số ở mức -3 dB so với vùng trị truyền đưa.
Độ rộng băng thông B là khoảng giữa hai tần này. Hệ số hình dạng là tỷ lệ
băng thông được đo bằng hai giá trị suy giảm khác nhau để xác định tần số cắt.

Như hình trên ta có biên độ Tín hiệu đo được tại các điểm cuối của băng thông (
chỉ đạt -3dB, √ 2/2 tức tương đương khoảng 0,707 so với tại đỉnh điểm ) trên đồ
thị Phổ tần của Dải thông cho phép.
- BPF có thể được thiết kế bằng cách sử dụng các loại bộ lọc bậc thang sau đây
như được liệt kê bên dưới Maximally Flat or Butterworth Filter:
7
 o Equal Ripple or Chebyshev Filter
o Elliptic Filter or Caurer Filter
o Linear Filter

CHƯƠNG 2 : THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG

8
2.1. Lý thuyết thiết kế
Trong kỹ thuật, các bộ lọc vô tuyến và siêu cao tần thường được cấu tạo
từ các mạch cộng hưởng phần tử tập trung hoặc phân bố nối ghép lại với nhau
để đạt được hàm truyền hay tiêu hao chèn có dạng mong muốn trong dải tần đã
cho. Mỗi mạch cộng hưởng riêng rẽ đó gọi là một khâu hay một mắt của bộ lọc.
Việc tìm quy luật nối ghép và các tham số điện cũng như hình học của các khâu
để tạo thành bộ lọc theo yêu cầu kỹ thuật đặt ra theo hàm truyền hay tiêu hao
chèn gọi là bài toán thiết kế bộ lọc.
Các bước thiết kế bộ lọc vô tuyến:
Bước 1: Xây dựng mẫu bộ lọc thông thấp chuẩn hóa trên các phần tử tập trung
đáp ứng theo dạng của hàm truyền đạt hay tiêu hao chèn theo yêu cầu đã cho.
Bước 2: Dùng các phép biến đổi tần số và thang trở kháng xây dựng nên bộ lọc
thông dải trong kỹ thuật trên các phần tử tập trung hoặc các phần tử phân bố
nhờ phép biến đổi theo sơ đồ mạch tương đương.
Ở báo cáo này, bọn em sử dụng hai phương pháp thiết kế bộ lọc dải
thông.
Đó là : + Bộ lọc dải thông Butterworth ( LC Filter )
+ Bộ lọc dải thông Chebyshev ( Chebyshev Filter )
2.1.1 Bộ lọc dải thông Butterworth ( LC Filter )
- Bộ lọc băng thông sử dụng các thành phần LC, tức là cuộn cảm và tụ điện
được sử dụng trong một số ứng dụng tần số vô tuyến. Các bộ lọc này cho phép
một dải tần số đi qua bộ lọc, trong khi những dải tần số nằm trong dải tần dừng
của bộ lọc thông dải bị từ chối. Các bộ lọc này thường được sử dụng khi một
dải tần số nhỏ cần được đi qua bộ lọc và tất cả các dải tần khác bị từ chối.
- Một trong những dạng bộ lọc đơn giản và dễ thiết kế nhất là bộ lọc hằng số K.
Giống như bộ lọc thông cao và bộ lọc thông thấp, có hai cấu trúc liên kết được
sử dụng cho các bộ lọc này, đó là cấu hình π và T. Thay vì có một phần tử duy
nhất trong mỗi chân của bộ lọc như trong trường hợp của bộ lọc thông thấp và
thông cao, bộ lọc thông dải có một mạch cộng hưởng ở mỗi chân. Các mạch
cộng hưởng này là mạch LC điều chỉnh nối tiếp hoặc song song.

9
 Bộ lọc dải thông LC định dạng π Bộ lọc dải thông LC định dạng T

- Phương trình thiết kế LC Filter [1], [4], [7]

Vì bộ lọc hằng số-k này là bộ lọc thông dải nên có hai tần số bị cắt. Một ở tần
số của dải thông và một ở tần số trên của dải thông.

Bộ lọc dải thông π với các giá trị phần tử Bộ lọc dải thông T với các giá trị phần tử

với : Zo : trở kháng đặc trưng

f1,f2 : tần số cắt

- Đối với một bộ lọc thông dải, việc lựa chọn thành phần thậm chí còn quan
trọng hơn vì mạch bao gồm sáu thành phần thay vì chỉ ba thành phần trong
trường hợp bộ lọc LC thông thấp hoặc thông cao tương tự. Do đó, các thành

10
phần dung sai gần phải được sử dụng để đảm bảo rằng đạt được hiệu suất cần
thiết. Cũng cần phải kiểm tra độ ổn định nhiệt độ để đảm bảo rằng các thành
phần của bộ lọc không thay đổi đáng kể theo nhiệt độ, do đó làm thay đổi hiệu
suất.
- Bố trí bộ lọc: + Việc lựa chọn các thành phần cho bất kỳ bộ lọc nào bao gồm
bộ lọc thông dải cần phải cẩn thận với cách bố trí của bộ lọc RF, đặc biệt khi bộ
lọc RF được sử dụng cho tần số cao.
+ Kết hợp điện dung và cảm ứng là các yếu tố chính khiến hiệu
suất của bộ lọc bị giảm sút. Theo đó đầu vào và đầu ra của bộ lọc nên được giữ
cách biệt.
+ Nên sử dụng các dây dẫn và đường dẫn ngắn, Các thành phần
từ các phần bộ lọc liền kề nên được đặt cách xa nhau. Màn hình được sử dụng
khi cần thiết và các đầu nối chất lượng tốt và cáp đồng trục được sử dụng ở đầu
vào và đầu ra nếu có.
=> Mạch lọc thông dải rất đơn giản và các phương trình thiết kế cho phép một
giải pháp rất dễ dàng để tính toán các giá trị của mạch. Mặc dù hiệu suất có thể
không hoàn toàn tối ưu cho một số ứng dụng, nhưng nó cung cấp một giải pháp
tuyệt vời cho nhiều bộ lọc thông dải dựa trên RF LC.
2.1.2 Bộ lọc dải thông Chebyshev (Chebyshev Filter )
- Một số tính năng chính của bộ lọc Chebyshev có thể được tóm tắt như sau:
Roll-off : Một trong những tính năng chính của bộ lọc Chebyshev là nó có khả
năng hoàn thiện nhanh. Nó đạt đến hiệu quả cuối cùng nhanh hơn so với các
dạng bộ lọc khác. Do đó, nó được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng Filter ,
nơi cần có sự chuyển đổi dốc giữa băng tần vượt qua và băng tần dừng để loại
bỏ các sản phẩm không mong muốn như biến điệu của sóng hài.
Ripple: Mặc dù bộ lọc Chebyshev cung cấp khả năng hoàn thiện nhanh, nhưng
điều này phải trả giá bằng Ripple. Mặc dù có nhiều loại bộ lọc Chebychev khác
nhau, nhưng về hiệu suất của nó có thể khiến nó không được sử dụng.
Tần số cắt: Định nghĩa phổ biến về tần số cắt của điểm tại đó đáp ứng giảm
xuống -3 dB không phù hợp với các bộ lọc Chebyshev khi xem gợn sóng trong
dải. Thay vào đó, mức cắt giảm được coi là điểm mà tại đó mức tăng giảm
xuống giá trị của Ripple trong lần cuối cùng. Điều này có thể được nhìn thấy từ
biểu đồ phản ứng điển hình của bộ lọc Chebyshev.
Dạng đặc trưng theo đa thức Chebyshev:[6], [5]

11
  Hàm truyền biên độ hình phương của bộ lọc có dạng:
2 1
|S21 ( ω )| =
1+ ɛ T nո
2
( ωω )
c

 Tiêu hao chèn của bộ lọc có dạng:

[ ( )]
L=10 log 1+ ɛ T n
2 ω
ωc

Tn(x): đa thức Chebyshev cấp n loại 1.

0 < ε < 1: hằng số chỉ mức gợn song trong dải thông.
Đặc trưng tiêu hao chèn của bộ lọc dạng đa thức Chebyshev mô tả trên hình

Đặc trưng tiêu hao chèn của bộ lọc dạng đa thức Chebyshev
Tại tần số giới hạn của dải thông, tức có ω = ω c, mức tiêu hao Lɑ 1(dB) gọi
là mức gợn sóng, và do đó hằng số ε tính theo biểu thức là:
0,1 La
ɛ =10 1
−1
Giá trị các phần tử của bộ lọc:
Các giá trị phần tử g của bộ lọc mẫu chuẩn hóa đặc trưng dạng đa thức
Chebyshev tính theo các biểu thức sau :
2 a1
g0 =1, g1=
γ
4 ak−1 ak
gk = , k=2,3 , … , n
b k−1 gk −1
gn +1=1 ,n lẻ

g ո+1 =coth ( 4β ) , n chẵn

2

β=ln (cot h ) , γ =sin h ( )

La 1 β
Với:
17,37 2n

12
 a k =sin [ ( 2 k−1 ) π
2n ]
, k =1,2,3 , … n .

2
b k =γ +sin
kπ 2
n ( )
, k =1,2,3 , … n .

Số phần tử n của bộ lọc này tính theo biểu thức sau :

√
0,1 La
10 −1
Arch
10 0,1La −1 1

n≥
Arch
ω
ωc ( )
ở đây La (dB) là mức suy giảm cần thiết theo yêu cầu đã cho tại tần số ω, La1
(dB) là mức suy giảm gợn sóng cho phép trong dải thông ứng với tần số cắt ωC
và giá trị hằng số ε .
Giá trị các phần tử g của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa đặc trưng
dạng đa thức Chebyshev tính theo các biểu thức nêu trên được lập thành bảng
ứng với các mức gợn song theo yêu cầu.
Trong bảng hệ số lọc cho các giá trị của các phần tử bộ lọc loại này ứng
với mức gợn sóng trong dải thông tương ứng là La = 0,5 dB và 1dB, số các phần
1

từ n = 1 – 10. Ở đây g0 = 1, ω c = 1
Số bậc n của bộ lọc loại này cũng có thể được tính khá thuận lợi nhờ đồ
thị của đặc trưng bộ lọc cho ngoài dải thông theo biến | |
ωc
ω
−1ứng với số n = 1-

15 theo mức gợn song tương ứng La = 0,5 và 1dB . Các đồ thị trên được mô tả :
1

Đồ thị ứng với độ gợn sóng 0,5dB

13
 Đồ thị ứng với độ gợn sóng 1dB

Hệ số lọc Chebyshev với độ gợn sóng 0.5 dB

Nếu gọi 2 Δ ω =ω t−ω−t là dải thông của bộ lọc thông dải với tần số trung tâm là ω 0
t

, với ω 20=ω t ω−t , các tần số biên cả dải thông là ωt và ω-t , thì sử dụng phép thay
biến tần số là :
Với:
ω
→
ω0
(
ω ω0
−
ωc 2 Δ ωt ω 0 ω
=
η
)
ηt

ω ω0 2 Δ ω ω ω 2 Δω
η= − ≈ , ηt = t − 0 ≈ t

ω0 ω ω0 ω0 ωt ω0
vào trong đặc trưng của hàm truyền hoặc tiêu hao chèn của bộ lọc mẫu thông
thấp chuẩn hóa, ta nhận được các dạng đặc trưng tương ứng của bộ lọc thông
dải. Sơ đồ mạch tương đương các phần tử tâp trung của bộ lọc thong dải được
mô tả trên hình.
14
Các phần tử điện dung gc của bộ lọc mẫu chuẩn hóa được chuyển thành các
k

phần tử là mạch cộng hưởng song song mắc C kPP, LkPP với giá trị tính theo biểu
thức :
gCk R 0 2 Δω
C kPP= LkPP = 2
t

2 Δω R0
t
g Ck ω
0

Các phần tử điện cảm gLK của bộ lọc mẫu chuẩn hóa được chuyển thành các
phần tử là mạch cộng hưởng nối tiếp mắc nối tiếp c kss, LkSS với giá trị tính theo
biểu thức:
R0 g Lk 2 Δ ωt
Lkss= C kSS= 2
2 Δ ωt R0 ω0 g Lk

2.2. Tính toán

- Yêu cầu : Thiết kế bộ lọc trên dải tần 1805 MHz-1880 MHz ( f2-f1:1805
MHz-1880MHz)
- Các bước thực hiện :
+ Vẽ mạch mô phỏng
+ Tính toán các giá trị phần tử
+ Mô phỏng trên ADS

15
 2.2.1 LC Filter

- Tính toán các giá trị L,C dựa vào lý thuyết :

f2= 1880MHz, f1=1805 MHz, Z0 = 50 Ohm
L= Z0/ π (f2-f1) = 50/ π (1880−1805 ) .10 12= 2,12.10-7
=> L1 = L2 = 2L = 1,06.10-7(H)
L3 = Z0.(75.10^6/4 π .1805.1880.10^12) = 8,79.10^-11 (H)
C=75.10^6/ (4 π .1805.1880.10^12.50) = 3,52.10^-14 (F)
=> C1= C2 = 7,04.10^-14 (F)
C3= 1/ π .50.75 .106= 8,49.10^-11 (F)
- Kết quả mô phỏng

Kết quả biểu thị S11

16
 Kết quả biểu thị S21

2.2.2. Chebyshev Filter

g3
g1

g2

17
- Tính toán LC: Cho N=3, Z0= 50 Ohm, Ripple = 0.5dB ,w0 = 2 π
Có ripple = 0,5 dB ta tra bằng hệ số lọc Chebyshev có :
g1=1.6963 g2=1.0967 g3=1.5963
50.1,5963
L1=L3= 6
=0,169 μH
2 π ( 1880−1805 ) 10
6
2 π ( 1880−1805 ) .10
C1=C3=(1/50).( = 4,41.10−14 =0,0441 pF
1,5963. ¿ ¿
2 π 75. 106
L2=50 . =0,1604nH
1,0967. ¿ ¿

C 2=( 501 ) . 2 1,0967

6
π 75. 10
=4,655.10 −11

= 46,55. 10−12
= 46,55 pF

18
- Kết quả mô phỏng

Kết quả mô phỏng S11

Kết quả mô phỏng S21

19
CHƯƠNG 3 : KẾT LUẬN
Với GSM1800 trong dải tần 1805-1880MHz, khi sử dụng bộ lọc Butterworth
Filter (LC Filter ) ta thu được kết quả mô phỏng Return loss (S11) của bộ lọc
Butterworth. Giá trị S11 tại tần số 1840MHz là -63.184dB, tại tần số 1900MHz là -
0.348 dB, tại tần số 1800MHz là -1.611 dB. Và kết quả mô phỏng Insertion loss
(S21) của bộ lọc Butterworth. Giá trị S21 tại tần số 1840MHz là xấp xỉ 0 dB, tại
tần số 1900Mhz là -11.137 dB, tại tần sso 1800MHz là -5.087 dB. Tuy nhiên như
kết qua mô phỏng thì băng thông còn rộng, nên tối ưu thêm để hẹp băng thông.
Còn khi sử dụng bộ lọc Chebyshev kết quả mô phỏng Return loss (S11) của
filter Chebyshev. Giá trị S11 tại tần số 1840MHz là -18.235 dB, tại tần số
1900MHz là -0.418 dB, tại tần số 1800MHz là -3.394 dB. Kết quả mô phỏng
Insertion loss (S21) của bộ lọc Chebyshev. Giá trị S21 tại tần số 1840MHz là -
0.066 dB, tại tần số 1900Mhz là -10.369 dB, tại tần số 1800MHz là -2.658 dB.

20
LỜI CẢM ƠN
Sau một thời gian học tập và nghiên cứu, đề tài nhóm đã được hoàn thành
đến yêu cầu giữa kỳ. Tuy nhiên do hạn chế về kiến thức, thời gian và kỹ năng,
chúng em sẽ cố gắng hoàn thiện kỹ năng của bản thân sao cho có thể hoàn thành
bài tập một cách hiệu quả đúng với tinh thần của môn học.
Một lần nữa chúng em xin cảm ơn thầy Nguyễn Nam Phong đã tận tình
hướng dẫn trong suốt thời gian thực hiện đề tài này.
Xin chân thành cảm ơn thầy!

21
Tài liệu tham khảo
1. Synthesis of direct-coupled-resonators bandpass filters for WDMsystems -Mario
Martinelli - Journal of Lightwave Technology 20

2. On Frequency and Quality Factor Independent Tuning Possibilities for RF

Band-pass Filters with Simulated Inductors- Cristian Andriesei-Romanian Journal
of Information Science and Technology

3. Design of Dual-band Bandpass Filter for GSM 950 MHz and GSM 1850 MHz
Applications using Lumped Component- Muhammad Rusdi, Febrin Aulia
Batubara, Rina Anugrahwaty, Junaidi, Suhaili Alifuddin, Budi Harianto-
Telecommunication Engineering, Department of Electrical Engineering

4. Design and realization of microstrip filters with new defected ground structure
(DGS)- Arjun Kumar -M.V. Kartikeyan Department of Electronics and
Communication Engineering

5.  Analog and Digital Filter Design, Second Edition (EDN

Series for Design Engineers) by Winder Steve

6. A Generalized Chebyshev Suspended Substrate Stripline Bandpass Filter- C.I.

Mobbs; J.D. Rhodes- IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques

7. RF Microelectronics – Behzad Ravazi- Prentince Hall Communications

Engineering

22
BẢNG PHÂN CHIA CÔNG VIỆC VÀ NHIỆM VỤ

Họ và tên MSSV Nhiệm vụ

Nguyễn Thị Thùy 20187152 Tìm hiểu đề tài , thiết kế
( Nhóm trưởng ) mạch, tính toán giá trị , mô
phỏng, viết báo cáo
Trần Trung Kiên 20187141 Thiết kế mạch, mô phỏng

Phạm Công Khiên 20187140 Thiết kế mạch, mô

phỏng,viết báo cáo

Nguyễn Hữu Hưng 20187134 Tính toán giá trị, tìm hiểu về
Filter

Hoàng Thị Kim Phượng 20187147 Thiết kế mạch, tính giá trị,
tìm hiểu Filter

23