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전기전자 부품 및 소자 활용

트랜지스터의 동작원리와
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학습내용

 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로


 트랜지스터 양부 및 극성 찾기

학습목표

 트랜지스터의 특성과 기능을 설명할 수 있다.


 멀티테스터를 이용하여 트랜지스터의 양부 및 극성을 구분할 수 있다.

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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로

1. 트랜지스터
1) 트랜지스터 기능과 기호
• N형 반도체와 P형 반도체를 PNP / NPN 형태로 접합한 구조의 소자
• 전류의 흐름 등을 조절할 수 있도록 하여 회로구성 시 중요한 반도체 소자
• 스위칭, 검파, 증폭용으로써 모든 전자 시스템에 한 가지 또는 여러 가지 형태로
사용
• 현대에는 On/Off 의 스위치로서 디지털회로에 더 많이 사용
• 트랜지스터의 용량(크기)에 따른 구분
– 소 출력용 : 컬렉터 전류 0.1A정도 회로에 사용
– 중 출력용 : 컬렉터 전류 0.5A정도 회로에 사용
– 대 출력용 : 컬렉터 전류 1A이상 회로에 사용
2) 트랜지스터 구분과 소자활용
• 트랜지스터의 형명 : 2SC1815 Y

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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로

1. 트랜지스터
3) 트랜지스터의 분류
• 2개의 접합면을 가진 반도체 3증 구조
• P층과 N층이 교대로 접합된 능동반도체소자
• 트랜스퍼 레지스터의 합성어
• 우리말로 변환 저항기
• 트랜지스터라는 용어가 일반화되어 있으며, 간단히 TR이라고 함
• 트랜지스터의 사용 및 분류
– 제어 가능한 저항기와 비교 가능
– 스위치, 릴레이 및 증폭기 등으로 사용
– 전기전도 과정에서의 차이점에 근거해 쌍극성* TR과 단극성 TR로 분류

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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로

2. 트랜지스터의 접합구조와 동작원리


1) 트랜지스터의 접합구조
• 구조는 P형 반도체와 N형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합시킨 것
• 접합 방법에 따라 NPN형과 PNP형이 존재
• 전극 : 에미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)
2) 트랜지스터의 동작원리

• 베이스와 컬렉터 사이에 역 방향 전압을 가함


• 베이스와 컬렉터는 차단 상태가 되어 극히 작은 전류가 흐름

• 에미터와 베이스 사이에 순방향 전압을 가함


• 에미터의 정공이 얇은 베이스 층을 지나 컬렉터 전류를 만듦
• 극히 일부는 베이스 전류가 되어 흐름

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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로

3. 트랜지스터 접지 회로
1) 트랜지스터 베이스 접지 회로

• 전류 증폭률 ɑ = ⊿IC/⊿IE(VC=일정)가 되어 1보다 작아 0.95~0.98정도가 됨

• 베이스 접지회로의 출력 특성

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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로

3. 트랜지스터 접지 회로
2) 에미터 접지 회로

• 큰 전류의 이득 획득
• 전압 이득 획득
• 전력의 증폭 기능 획득
• 베이스 접지 증폭률 ɑ와 에미터 접지 증폭률 사이의 관계

• 에미터 접지회로의 출력 특성

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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로

4. 트랜지스터 형명에 따른 소자활용


1) 트랜지스터 형명

형명 구조 용도

2SA0000 PNP 고주파용

2SB0000 PNP 저주파용

2SC0000 NPN 고주파용

2SD0000 NPN 저주파용

5. 트랜지스터의 분류
1) 다목적 소신호 트랜지스터
• 저전력 또는 중간전력 증폭기나 스위치회로에 사용
• 패키지
– 플라스틱, 금속 케이스로 되어 있음
– 어떤 패키지는 다수의 트랜지스터를 포함하고 있음
• 듀얼 인 라인(dual-in-line 패키지:DIP), 스몰 아웃 라인(small-out-
line)패키지(SOP)와 같이 다수의 트랜지스터를 위한 패키지형태들 중의 일부는
집적회로(IC)에 사용

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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로

6. 트랜지스터의 데이터 특성
1) 트랜지스터(TR)의 특성
• 컬렉터 전압, 이미터(혹은 컬렉터) 전류, 주위 온도 등에 따라 달라짐
• TR의 특성을 나타낼 때는 조건을 고려하고 일정한 기준을 정함
• 소출력 TR일 경우
– 컬렉터 전압 6V, 이미터 전류 1mA, 주위온도 25도의 조건 하에서 측정한 결과를
나타냄
– 소출력 TR - 수 mW이하의 출력을 낼 수 있는 TR
– 중출력 TR - 수십mW ~ 수백mW의 출력을 낼 수 있는 TR
– 대출력 TR - 수W 이상의 출력을 낼 수 있는 TR

특성 구분 기호 비율 단위

C-B 전압 VCBO(컬렉터 베이스간 전압) 60 V

C-E 전압 VCEO(컬렉터 에미터간 전압) 50 V

E-B 전압 VEBO(에미터 베이스간 전압) 5 V

컬렉터 전류 IC 150 mA(밀리암페어)

베이스 전류 IB 50 mA(밀리암페어)

컬렉터 파워 PC 400 mW(밀리오트)

접합온도 Tj 125 oC(도)

저장 온도 Tstg -55~125 oC(도)

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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로

6. 트랜지스터의 데이터 특성
1) 트랜지스터(TR)의 특성
• 종류가 많아 특성을 기억해 두었다가 이용하기는 불가능
• 여러 가지 특성을 수록한 반도체 및 TR 데이터북 이용
[2SC1815의 데이터 특성]

특성 구분 기호 비율 단위

C-B 전압 VCBO 60 V

C-E 전압 VCEO 50 V

E-B 전압 VEBO 5 V

컬렉터 전류 IC 150 mA

베이스 전류 IB 50 mA

컬렉터 파워 PC 400 mW

접합온도 Tj 125 oC

저장 온도 Tstg -55~125 oC

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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로

6. 트랜지스터의 데이터 특성
2) 트랜지스터 사용 용어
• 형명 : 고유의 명칭
• 최대정격 : 사용할 수 있는 최고 한도의 값
• 최대 VCBO : 컬렉터 최대전압, Vcmax
• 최대 VEBO : 에미터 최대전압, 트랜지스터 회로의 컬렉터를 차단시킨 상태에서
이미터와 베이스 사이에 역방향으로 공급할 수 있는 최대 전압
• 최대 Ic : 컬렉터 전류, 컬렉터에 흘릴 수 있는 최고 한도의 전류
• 최대 Pc : 컬렉터 허용전력, 컬렉터의 최대 허용 전력손실
• ICBO : 컬렉터 차단전류
• hfe : 이미터 공통 접속(또는 이미터접지라고도 함) 회로에서 베이스에 펄스 전류
IB를 흘릴 때, 컬렉터 측에 증폭된 펄스전류 Ic를 측정하여 IB로 Ic를 나누어 얻은 값
• fT(트랜지션 주파수)
– 증폭하는 신호의 주파수가 높아지면 전류 증폭률이 점점 저하됨
– 트랜지션 주파수는 에미터 접지 때에는 주파수가 높아져서 증폭률이 “1”이 되는
때의 주파수
– 높은 주파수에서의 hfe는 주파수가 2배로 높아지면 증폭률은 1/2로 저하
– 고주파에서의 fT = hfe x (측정 주파수)의 관계가 성립
• θ(쎄타) : 열 저항은 TR의 전력손실에 의한 온도 상승률

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▣ 트랜지스터 양부 및 극성 찾기

1. 실습준비
1) 실습준비물
• 공구 및 장비
– 오실로스코프
– 멀티테스터(아날로그 형, 디지털 형)
• 실습사용재료
– NPN, PNP 트랜지스터 1개
– 저항 100, 470Ω 각 1개
– 가변저항 250kΩ 각 1개
2) 안전 유의사항
• 부품의 리드를 직각으로 구부리지 않도록 주의하기
• 극성의 정확한 구분을 위해 주의하기
• 계측기 사용 시 과대한 입력을 가하지 않도록 주의하기
• 회로시험기의 레인지를 정확히 설정하도록 주의하기
• 장비의 접지가 확실히 되어있는지 확인하기
• 측정단자에 피 측정 단자를 접속한 상태에서 전환손잡이를 변환시키지 않도록
주의하기

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▣ 트랜지스터 양부 및 극성 찾기

2. 트랜지스터의 극성구분과 불량품 찾기


1) 베이스 전극 찾기
① 테스터의 레인지를 Rx100에 위치하기

② B쪽에 가깝게 닿은 부분이 베이스색, 다른 두 개의 선에 적색 리드 연결하기


③ 베이스 전극 찾기
2) 에미터와 컬렉터 찾기

① 순방향과 역방향의 전극 간 측정하기


② 베이스를 고정하고 측정하기
- NPN의 경우 : 적색리드가 닿은 쪽이 콜렉터, 나머지는 에미터
- PNP의 경우 : 적색리드가 닿은 쪽이 에미터, 나머지는 컬렉터
① 에미터와 콜렉터 극성찾기

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핵심정리
 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로
• 트랜지스터
– N형 반도체와 P형 반도체를 PNP / NPN 형태로 접합한 구조를 가짐
• 트랜지스터의 접합구조
– PNP형, NPN형으로 구분
– 동작원리는 순방향과 역방향의 드리프트 확산작용으로 증폭을 얻을 수 있음
• 트랜지스터의 접지 회로는 베이스접지 회로, 에미터 접지 회로 등이 있음
• 트랜지스터는 형식에 따른 소자 별 활용도가 다름
• 트랜지스터의 분류와 데이터 특성은 회로 설계와 밀접한 관계가 있음

 트랜지스터 양부 및 극성 찾기
• 실습 준비물
• 안전 및 유의 사항
• 트랜지스터의 양부를 판정하고 극성을 찾는 방법
– 시험기로 순방향과 역방향의 전극 간을 측정
– 베이스를 고정하고 측정하였을 때 NPN의 경우 적색리드가 닿은 쪽이
컬렉터며, 나머지는 에미터가 됨

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