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(강의교안) 트랜지스터의 동작원리와 규격 판독하기
(강의교안) 트랜지스터의 동작원리와 규격 판독하기
트랜지스터의 동작원리와
규격 판독하기
학습내용
학습목표
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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로
1. 트랜지스터
1) 트랜지스터 기능과 기호
• N형 반도체와 P형 반도체를 PNP / NPN 형태로 접합한 구조의 소자
• 전류의 흐름 등을 조절할 수 있도록 하여 회로구성 시 중요한 반도체 소자
• 스위칭, 검파, 증폭용으로써 모든 전자 시스템에 한 가지 또는 여러 가지 형태로
사용
• 현대에는 On/Off 의 스위치로서 디지털회로에 더 많이 사용
• 트랜지스터의 용량(크기)에 따른 구분
– 소 출력용 : 컬렉터 전류 0.1A정도 회로에 사용
– 중 출력용 : 컬렉터 전류 0.5A정도 회로에 사용
– 대 출력용 : 컬렉터 전류 1A이상 회로에 사용
2) 트랜지스터 구분과 소자활용
• 트랜지스터의 형명 : 2SC1815 Y
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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로
1. 트랜지스터
3) 트랜지스터의 분류
• 2개의 접합면을 가진 반도체 3증 구조
• P층과 N층이 교대로 접합된 능동반도체소자
• 트랜스퍼 레지스터의 합성어
• 우리말로 변환 저항기
• 트랜지스터라는 용어가 일반화되어 있으며, 간단히 TR이라고 함
• 트랜지스터의 사용 및 분류
– 제어 가능한 저항기와 비교 가능
– 스위치, 릴레이 및 증폭기 등으로 사용
– 전기전도 과정에서의 차이점에 근거해 쌍극성* TR과 단극성 TR로 분류
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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로
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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로
3. 트랜지스터 접지 회로
1) 트랜지스터 베이스 접지 회로
• 베이스 접지회로의 출력 특성
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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로
3. 트랜지스터 접지 회로
2) 에미터 접지 회로
• 큰 전류의 이득 획득
• 전압 이득 획득
• 전력의 증폭 기능 획득
• 베이스 접지 증폭률 ɑ와 에미터 접지 증폭률 사이의 관계
• 에미터 접지회로의 출력 특성
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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로
형명 구조 용도
5. 트랜지스터의 분류
1) 다목적 소신호 트랜지스터
• 저전력 또는 중간전력 증폭기나 스위치회로에 사용
• 패키지
– 플라스틱, 금속 케이스로 되어 있음
– 어떤 패키지는 다수의 트랜지스터를 포함하고 있음
• 듀얼 인 라인(dual-in-line 패키지:DIP), 스몰 아웃 라인(small-out-
line)패키지(SOP)와 같이 다수의 트랜지스터를 위한 패키지형태들 중의 일부는
집적회로(IC)에 사용
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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로
6. 트랜지스터의 데이터 특성
1) 트랜지스터(TR)의 특성
• 컬렉터 전압, 이미터(혹은 컬렉터) 전류, 주위 온도 등에 따라 달라짐
• TR의 특성을 나타낼 때는 조건을 고려하고 일정한 기준을 정함
• 소출력 TR일 경우
– 컬렉터 전압 6V, 이미터 전류 1mA, 주위온도 25도의 조건 하에서 측정한 결과를
나타냄
– 소출력 TR - 수 mW이하의 출력을 낼 수 있는 TR
– 중출력 TR - 수십mW ~ 수백mW의 출력을 낼 수 있는 TR
– 대출력 TR - 수W 이상의 출력을 낼 수 있는 TR
특성 구분 기호 비율 단위
베이스 전류 IB 50 mA(밀리암페어)
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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로
6. 트랜지스터의 데이터 특성
1) 트랜지스터(TR)의 특성
• 종류가 많아 특성을 기억해 두었다가 이용하기는 불가능
• 여러 가지 특성을 수록한 반도체 및 TR 데이터북 이용
[2SC1815의 데이터 특성]
특성 구분 기호 비율 단위
C-B 전압 VCBO 60 V
C-E 전압 VCEO 50 V
E-B 전압 VEBO 5 V
컬렉터 전류 IC 150 mA
베이스 전류 IB 50 mA
컬렉터 파워 PC 400 mW
접합온도 Tj 125 oC
저장 온도 Tstg -55~125 oC
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▣ 트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로
6. 트랜지스터의 데이터 특성
2) 트랜지스터 사용 용어
• 형명 : 고유의 명칭
• 최대정격 : 사용할 수 있는 최고 한도의 값
• 최대 VCBO : 컬렉터 최대전압, Vcmax
• 최대 VEBO : 에미터 최대전압, 트랜지스터 회로의 컬렉터를 차단시킨 상태에서
이미터와 베이스 사이에 역방향으로 공급할 수 있는 최대 전압
• 최대 Ic : 컬렉터 전류, 컬렉터에 흘릴 수 있는 최고 한도의 전류
• 최대 Pc : 컬렉터 허용전력, 컬렉터의 최대 허용 전력손실
• ICBO : 컬렉터 차단전류
• hfe : 이미터 공통 접속(또는 이미터접지라고도 함) 회로에서 베이스에 펄스 전류
IB를 흘릴 때, 컬렉터 측에 증폭된 펄스전류 Ic를 측정하여 IB로 Ic를 나누어 얻은 값
• fT(트랜지션 주파수)
– 증폭하는 신호의 주파수가 높아지면 전류 증폭률이 점점 저하됨
– 트랜지션 주파수는 에미터 접지 때에는 주파수가 높아져서 증폭률이 “1”이 되는
때의 주파수
– 높은 주파수에서의 hfe는 주파수가 2배로 높아지면 증폭률은 1/2로 저하
– 고주파에서의 fT = hfe x (측정 주파수)의 관계가 성립
• θ(쎄타) : 열 저항은 TR의 전력손실에 의한 온도 상승률
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▣ 트랜지스터 양부 및 극성 찾기
1. 실습준비
1) 실습준비물
• 공구 및 장비
– 오실로스코프
– 멀티테스터(아날로그 형, 디지털 형)
• 실습사용재료
– NPN, PNP 트랜지스터 1개
– 저항 100, 470Ω 각 1개
– 가변저항 250kΩ 각 1개
2) 안전 유의사항
• 부품의 리드를 직각으로 구부리지 않도록 주의하기
• 극성의 정확한 구분을 위해 주의하기
• 계측기 사용 시 과대한 입력을 가하지 않도록 주의하기
• 회로시험기의 레인지를 정확히 설정하도록 주의하기
• 장비의 접지가 확실히 되어있는지 확인하기
• 측정단자에 피 측정 단자를 접속한 상태에서 전환손잡이를 변환시키지 않도록
주의하기
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▣ 트랜지스터 양부 및 극성 찾기
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핵심정리
트랜지스터의 분류와 특성, 접지 회로
• 트랜지스터
– N형 반도체와 P형 반도체를 PNP / NPN 형태로 접합한 구조를 가짐
• 트랜지스터의 접합구조
– PNP형, NPN형으로 구분
– 동작원리는 순방향과 역방향의 드리프트 확산작용으로 증폭을 얻을 수 있음
• 트랜지스터의 접지 회로는 베이스접지 회로, 에미터 접지 회로 등이 있음
• 트랜지스터는 형식에 따른 소자 별 활용도가 다름
• 트랜지스터의 분류와 데이터 특성은 회로 설계와 밀접한 관계가 있음
트랜지스터 양부 및 극성 찾기
• 실습 준비물
• 안전 및 유의 사항
• 트랜지스터의 양부를 판정하고 극성을 찾는 방법
– 시험기로 순방향과 역방향의 전극 간을 측정
– 베이스를 고정하고 측정하였을 때 NPN의 경우 적색리드가 닿은 쪽이
컬렉터며, 나머지는 에미터가 됨
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