Problema 5.

6 Disipador tendo en conta a impedancia térmica transitoria

Nun circuíto electrónico de potencia emprégase un MOSFET modelo CSD18536KCS. Un

extracto das características reprodúcense na figura 5.4. A súa frecuencia de conmutación é
fs = 500 Hz cun ciclo de traballo D = 50 %. En condución a tensión de porta Vgs = 8 V e a
corrente polo drenador é Id = 150 A. Pídese obter a máxima resistencia térmica do radiador
considerando unha temperatura ambiente Ta = 40 ◦ C e sabendo que a resistencia térmica entre
encapsulado e radiador é Rθ(c-r) = 2 ◦ C/W.

200 Absolute Maximum Ratings

175 TA = 25°C VALUE UNIT
IDS - Drain-to-Source Current (A)

VDS Drain-to-Source Voltage 60 V

150
VGS Gate-to-Source Voltage ±20 V
125 Continuous Drain Current (Package limited) 200
Continuous Drain Current (Silicon limited),
100 349
ID TC = 25°C A
Continuous Drain Current (Silicon limited),
75 247
TC = 100°C
50 IDM Pulsed Drain Current (1) 400 A
VGS = 6 V PD Power Dissipation 375 W
25 VGS = 8 V
TJ, Operating Junction and
VGS = 10 V –55 to 175 °C
Tstg Storage Temperature Range
0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 Avalanche Energy, single pulse
EAS 819 mJ
VDS - Drain-to-Source Voltage (V) ID = 128 A, L = 0.1 mH, RG = 25 Ω

THERMAL METRIC MIN TYP MAX UNIT

RθJC Junction-to-Case Thermal Resistance 0.4
°C/W
RθJA Junction-to-Ambient Thermal Resistance 62

Figura 5.4: Extracto da folla de características do MOSFET CSD18536KCS.

Solución

A resistencia térmica do radiador debe ser inferior a

Tc − Ta
Zθ(r-a) = − Rθ(c-r) = 4,82 ◦ C/W
Pmed
onde

Tc = Tj máx − Pmáx Rθ(j-c) = 167 ◦ C

Pmáx = Vds Id = 31,5 ◦ C/W
Pmed = DPmáx = 15,8 W

e onde

Vds = 0,21 V
Rθ(j-c) = 0,24 ◦ C/W
Tj máx = 175 ◦ C