BAHAGIAN PENDIDIKAN DAN LATIHAN TEKNIKAL VOKASIONAL,

KEMENTERIAN PENDIDIKAN MALAYSIA,

ARAS 5&6, BLOK E14, PARCEL E,
PUSAT PENTADBIRAN KERAJAAN PERSEKUTUAN,
62604 PUTRAJAYA

NOTA KURSUS 03
SEMESTER SEMESTER 1 (DVM) SESI 2023

JABATAN JABATAN TEKNOLOGI ELEKTRIK & ELEKTRONIK

PROGRAM TEKNOLOGI ELEKTRONIK

KOD / KURSUS DEB1133 – INTRODUCTION TO ELECTRONICS

KOMPETENSI 03. SEMICONDUCTORS

3.1 Introduction to Solid-state Device

KOMPETENSI
3.2 Introduction to Diode
UNIT
3.3 Introduction to Bipolar Junction Transistors (BJT)

Trainee must be able to

1. Explain passive and active components in term of functionality. (C2, PLO1)
HASIL
2. Apply basic electric & electronic law principles in electronic circuit problem
PEMBELAJARAN
solving. (C3, PLO11)
3. Construct electronic circuit using passive and active components. (P3, PLO2)

TARIKH

MAKLUMAT CALON

NAMA

NO. KAD ANGKA

PENGENALAN GILIRAN

KELAS MUKA SURAT 13

DISEDIAKAN OLEH: Ts. Lailatul Saadia Binti
DISAHKAN OLEH: Norliyana Binti Mohd Fuad
Doralim
(KETUA PROGRAM)
(PENYELARAS KURSUS)

……………………..……… ……………………….……………..……

TARIKH: TARIKH:
PENERANGAN
1.0 Pengenalan
 Unit ini akan membincangkan ciri-ciri dan sifat separuh pengalir. Ini disebabkan oleh
komponen-komponen separuh pengalir banyak digunakan di dalam litar elektronik
pada masa kini.

1.1 Ciri-ciri dan sifat separuh pengalir

Untuk memahami sifat-sifat separuh pengalir, terlebih dahulu adalah lebih baik
sekiranya kita mengkaji struktur-struktur atom sesuatu bahan.

1.1.1 Struktur atom

❖ Semua benda, sama ada pepejal, cecair atau gas, terdiri daripada
gabungan berjuta-juta atom yang tersusun untuk menjadikan sesuatu
elemen.
❖ Atom adalah unsur yang paling halus dan tidak dapat dilihat dengan mata
kasar.
❖ Contohnya air, ia terdiri daripada elemen-elemen oksigen dan hidrogen.

❖ Setiap atom terdiri daripada tiga jenis zarah asas iaitu Proton, Neutron
dan Elektron. Rujuk Rajah 1.1.

Proton
Lapisan
Neutron

Nukleus +

- Elektron
(mengandungi proton
dan neutron)
Rajah 1.1: Struktur Atom

❖ Berikut adalah tiga jenis zarah asas suatu atom:

a) Proton
⮚ Bilangan proton bergantung kepada jenis unsur.

⮚ Proton bercas positif.

⮚ Proton lebih berat daripada elektron walaupun saiznya lebih kecil.

⮚ Contoh: Tembaga 29 proton.

b) Elektron

⮚ Bilangan elektron bergantung kepada jenis atom.

⮚ Bilangan elektron di dalam sesuatu atom sama banyak dengan

proton.
⮚ Elektron bercas negatif.
 ⮚ Elektron adalah zarah yang paling penting dalam sesuatu atom.

⮚ Kerana adanya pergerakan elektron dari satu tempat ke tempat di

dalam sesuatu benda akan terhasilnya Arus Elektrik.
⮚ Lapisan elektron sesuatu atom yang mempunyai banyak elektron
hanya mempunyai 7 lapisan sahaja (Rujuk Rajah 1.2). Namun setiap
lapisan mempunyai bilangan elektron yang tertentu seperti jadual 1.1.
⮚ Lapisan juga dikenali dengan orbit atau petala.

Nukleus

Lapisan pertama

Lapisan kedua

Lapisan ketiga

-
Elektron

Rajah 1.2: Lapisan elektron

LAPISAN BILANGAN ELEKTRON

PERTAMA Tidak lebih daripada 2

KEDUA Tidak lebih daripada 8

KETIGA Tidak lebih daripada 18

KEEMPAT Tidak lebih daripada 32

KELIMA Tidak lebih daripada 18

KEENAM Tidak lebih daripada 8

KETUJUH Tidak lebih daripada 2

Jadual 1.1 : Bilangan elektron setiap lapisan

⮚ Bilangan maksimum elektron-elektron dalam sesuatu lapisan dapat

diketahui melalui formula:

 ⮚ 2 x n2, n = kedudukan lapisan yang berkenaan

⮚ Walau bagaimanapun, tiap-tiap lapisan tidak semestinya dipenuhi

dengan jumlah elektron-elektron yang maksimum.

⮚ Atom yang mempunyai bilangan proton dan elektron yang sama

banyak, dikatakan sebagai atom yang seimbang, atom yang neutral.

c) Neutron

⮚ Terletak di tengah-tengah atom atau di dalam nukleus.

⮚ Neutron tidak mempunyai apa-apa cas.

1.1.2 Elektron valensi

❖ Elektron yang terletak di lapisan luar atom dan yang senang terkeluar

daripada atomnya dipanggil “ELEKTRON VALENSI” (Rujuk Rajah 1-3).

❖ Elektron-elektron yang berada di dalam lapisan luar atau lapisan yang

jauh sekali daripada nukleus mempunyai daya tarikan yang lemah

terhadap nukleus.

❖ Apabila ia mempunyai daya tarikan yang lemah maka ia senang terkeluar

daripada orbit atomnya jika ada tenaga luar menariknya.

❖ Elektron valensi juga dikenali elektron bebas.

Lapisan Valensi

Elektron Valensi

Rajah 1-3: Elektron valensi

 ❖ Contoh elekton valensi bagi atom Aluminium yang mengandungi 13

proton (Rajah 1-4).

Elektron valensi
-

-
-
- -

- - A
-
Lapisan valensi
-
- -
-
-

Rajah 1-4: Lapisan valensi dan elektron valensi

❖ Bilangan elektron valensi dalam sesuatu lapisan valensi akan

menentukan sifat elektrik sesuatu bahan (Rujuk Jadual 1-2).

❖ Ia menentukan sama ada bahan itu boleh mengalirkan arus elektrik

(pengalir), atau tidak boleh mengalirkan arus elektrik (penebat).

Jadual 1-2 Sifat elektrik bahan

BIL. ELEKTRON
BAHAN SIFAT BAHAN
VALENSI

- Membenarkan pengaliran arus elektrik.

- Mempunyai rintangan yang rendah
kepada pengaliran arus elektrik.
PENGALIR 1-3
- Atom-atomnya lebih cenderung untuk
melepaskan saja elektron-elektron
valensinya.
- Contoh: emas, perak, kuprum.
- Menghalang pengaliran arus elektrik.
- Mempunyai rintangan yang tinggi kepada
pengaliran arus elektrik.
PENEBAT 5-7
- Atom-atomnya lebih cenderung untuk
memenuhkan lapisan valensinya
supaya stabil.
- Contoh: kaca, mika, getah, plastik
- Berada diantara pengalir dan penebat.
SEPARUH
4 - Tidak semudahnya melepas atau
PENGALIR menerima sebarang elektron.
- Contoh: germanium, silikon.
1.1.3 Separuh pengalir tulen

❖ Separuh pengalir ialah bahan yang mempunyai sifat atau kelas di antara
pengalir (conductor) dan penebat (insulator).
❖ Contoh bahan separuh pengalir adalah seperti Germanium dan Silicon.

❖ Transistor, diod dan IC diperbuat daripada bahan separuh pengalir.

❖ Germanium (Ge) dan Silikon (Si) adalah bahan-bahan separuh pengalir

kerana masing-masing mempunyai 4 elektron valensi. Silikon adalah
yang paling popular digunakan (Rajah 1-5).
❖ Separuh pengalir tidak akan mengalirkan arus semudah sesuatu pengalir,
dan tidak pula menghalang aliran arus semudah sesuatu penebat.

- -

- +14 - - +32 -

- -
1.1.4 Ikatan kovalen
(a) Silikon (b) Germanium
Ikatan kovalen ialah perkongsian satu elektron valensi suatu atom dengan
satu elektron valensi dari atom bersebelahannya (Rajah 1-6)
Rajah 1-5: Elemen dengan 4 elektron valensi

Ikatan kovalen
Ge

Ge Ge Ge

Ge

Rajah 1-6 : Ikatan kovalen

 ❖ Merujuk Rajah 1-6, di dapati setiap atom seolah-olah mempunyai 8
elektron valensi. Ini menjadikan setiap atom itu stabil dan dapat
menghindari sebarang aktiviti elektrik.
❖ Walau bagaimanapun, kestabilan ini tidak kekal kerana terdapat
beberapa faktor boleh menyebabkan elektron terbebas daripada
orbitnya.
❖ Diantara faktor tersebut adalah perubahan suhu, perubahan voltan dan
proses serapan.

1.1.5 Elektron bebas dan lubang sebagai pembawa arus

❖ Elektron bebas adalah elektron yang terbebas dari ikatan kovalen (Rujuk
rajah 1-7).
❖ Elektron-elektron bebas merupakan pembawa-pembawa arus.

❖ Di sebabkan oleh elektron bercas negatif, maka elektron bebas dikenali

sebagai pembawa arus negatif.
❖ Apabila elektron terlepas dari ikatan kovalennya, ia akan meninggalkan
ruang kosong yang di panggil lubang (hole) . Ketiadaan elektron
ditempatnya bermakna ketiadaan cas negatif, iaitu bermaksud ruang itu
telah menjadi cas positif. Lubang yang bercas positif juga merupakan
pembawa arus. Ia disebut sebagai pembawa arus positif.
❖ Elektron-elektron bebas mempunyai kecenderungan untuk mencari
lubang-lubang, sementara lubang-lubang mempunyai kecenderungan
untuk menarik elektron-elektron bebas. Kedua-duanya mempunyai tujuan
yang sama iaitu untuk membentuk semua ikatan kovalen.
❖ Kewujudan elektron-elektron bebas dan lubang-lubang dalam separuh
pengalir merupakan sumbangan terhadap pengaliran arus elektrik jika
suatu voltan dikenakan merentasi bahan tersebut.

Lubang
Ge
Elektron bebas

Ge Ge Ge

Ge
1.1.6 Pergerakan arus
❖ Terdapat 2 jenis pembawa arus dalam separuh pengalir, iaitu elektron-
elektron dan lubang-lubang.
❖ Pergerakan elektron-elektron bebas adalah bergerak dari terminal negatif
menuju ke terminal positif sesuatu beza upaya (voltan).
❖ Pergerakan lubang-lubang pula dapat dilihat seperti mengalir dari
terminal positif ke terminal negatif (Rajah 1-8).
❖ Aliran lubang-lubang biasanya disebut aliran Arus Lazim (konvensional).
F E D C B A

- +

Lubang pada A

Lubang pada B

Lubang pada C

Lubang pada D

Rajah 1-8: Pergerakan lubang

1.2 Penghasilan bahan separuh pengalir jenis-N dan jenis-P

❖ Separuh pengalir Intrinsik :

⮚ Separuh pengalir intrinsik ialah separuh pengalir tulin dan tidak

mengandungi unsur asing sedikitpun di dalamnya. Contohnya
seperti hablur Germanium dan Silikon.

❖ Separuh pengalir Ekstrinsik :

 ⮚ Apabila separuh pengalir intrinsik dicampurkan dengan
bendasing akan menghasilkan separuh pengalir ekstrinsik.
⮚ Proses percampuran ini dikenali sebagai ‘Proses pengedopan’
(doping). Iaitu proses memperbanyakkan salah satu pembawa
arus (elektron bebas atau lubang) dalam separuh pengalir.
⮚ Bendasing yang digunakan dikenali sebagai Trivalens
(mempunyai 3 elektron valens) atau Pentavalens (mempunyai
5 elektron valens).
⮚ Contoh bendasing Trivalens ialah Aluminium, Boron, Galium
dan Indium manakala contoh bendasing Pentavalens ialah
Antimoni, Arsenik dan Fosforus.
⮚ Separuh pengalir ekstrinsik banyak digunakan dalam
pembuatan komponen-komponen separuh pengalir seperti diod,
transistor dan litar bersepadu.

1.2.1 Bahan jenis-N

❖ Ia berlaku apabila separuh pengalir tulin (contohnya Germanium)

diserapkan dengan atom bendasing pentavalen, contohnya
Arsenik yang mempunyai 5 e.v (rujuk rajah 1.9):

Lebihan 1 elektron
Ge

Ge As Ge

Ge

❖ Empat daripada 5 elektron valens atom bendasing akan

membentuk ikatan kovalen dengan atom-atom silikon tetapi
Rajah 1-9: Bahan jenis N
terdapat satu elektron lagi yang tidak mempunyai pasangan.
 ❖ Elektron ini akan terlepas dari orbitnya dan menjadi elektron bebas,
iaitu pembawa arus negatif. Sekiranya lebih banyak bendasing
pentavalen diserap maka lebih banyak lagi elektron bebas (atau
pembawa arus negatif )
❖ Oleh sebab inilah bahan ini dinamakan Bahan jenis-N.

❖ Pada suhu amat rendah pembawa arus majoritinya ialah elektron

bebas.
❖ Pada suhu bilik akan terhasil sedikit lubang dan dikenali sebagai
pembawa arus Minoriti.

1.2.2 Bahan jenis-P

❖ Berbeza dengan bahan jenis-N, bahan jenis-P pula terhasil apabila

separuh pengalirtulen diserapkan dengan bendasing Trivalens.
(rujuk rajah 1-10)

Lubang
Ge

Ge In Ge

Ge

Rajah 1-10: Bahan jenis P

❖ Dari rajah dapat kita lihat yang tiga atom silikon membolehkan satu
elektron valensnya membentuk ikatan kovelens tetapi satu lagi
tidak dapat kerana kekurangan elektron valens bendasing.
 Kekosongan ini menyebabkan terbentuknya lubang, iaitu pembawa
arus Positif.
❖ Lebih banyak atom bendasing trivalen diserap, makin banyak
pembawa arus positif, atas sebab inilah ia disebut bahan jenis–P.
❖ Pada suhu amat rendah, pembawa arus majoritinya ialah lubang-
lubang dan pada suhu amat tinggi, pembawa arus minoritinya ialah
elektron.
❖ Selepas mempelajari penghasilan bahan P dan bahan N, anda
akan mempelajari dengan lebih mendalam percantuman bahan P
dan bahan N dalam menghasilkan komponen separuh pengalir di
dalam unit 2

KATA KUNCI

Bilangan maksima elektron di

dalam satu-satu lapisan
ditentukan oleh rumus:

Sifat separuh pengalir

SEPARUH PENGALIR berada di antara pengalir
Nilai elektron valens
pada lapisan akan dan penebat.
Ia tidak mudah melepaskan
menentukan sifat
elektron dan
sesuatu bahan:
Tidak mudah menerima
elektron
Pengalir
Penebat
Separuh pengalir

Elektron valensi ialah

elektron yang berada pada
lapisan paling luar.
Ikatan kovalen ialah
perkongsian elektron valens
suatu atom dengan elektron
valens atom
bersebelahannya.
 SEPARUH
PENGALIR

SEPARUH PENGALIR SEPARUH PENGALIR

INTRINSIK EKSTRINSIK

Separuh pengalir tulen. Separuh pengalir tulen

Contoh bahan : Silikon yang dicampurkan
dan Germanium. dengan bendasing.
Tiada keistimewaan. Contoh bahan bendasing:
Arsenik, Indium.
Melalui proses
pengedopan .
Banyak keistimewaan.

Proses pengedopan ialah

proses mencampurkan
separuh pengalir tulen
dengan bendasing.
 Trivalens Pentavalen
A) DIOD
OBJEKTIF:
Mempunyai 5 elektron
1. Menerangkan ciriMempunyai 3 elektron
dan sifat diod separuh pengalir. valensi.
valensi.
2. Melakar binaan dan simbol
Contoh skema diod.
: Aluminium & Contoh : Arsenik &
Indium. Antimoni.
3. Menerangkan fungsi dan kendalian diod penerus dan diod zener.
Menghasilkan Bahan
Menghasilkan Bahan jenis-
P apabila separuh pengalir jenis-N apabila
tulen dilakukan proses separuh pengalir tulen
PENCAPAIAN KOMPETENSI:
serapan dengan bendasing dilakukan proses
Trivalen. serapan dengan
1. Menguji diod menggunakan meter pelbagai. bendasing
Lubang sebagai pembawa
2. Menentukan kerosakan diod menggunakan meter pelbagai.Pentavalen.
arus majoriti.
Elektron sebagaikeselamatan.
pembawa Elektron sebagai
3. Mengamalkan langkah-langkah pembawa arus
arus minoriti.
majoriti.
Lubang sebagai
PENGENALAN KEPADA DIOD pembawa arus
minoriti.
1. Diod ialah komponen separuh pengalir yang membenarkan arus mengalir satu hala
sahaja. Anak panah pada simbol diod menunjukkan arah pengaliran arus.
Dua jenis diod akan dibincangkan dalam modul ini iaitu diod simpang PN dan diod zener.

Diod Simpang PN
1. Diod simpang PN terbentuk hasil daripada percantuman bahan N dan bahan P.
Struktur binaan, bentuk fizikal dan simbol diod ditunjukkan dalam Rajah 2.1.

P N
Anod Katod
Anod Katod Anod Katod

(a) (b) (c)

Rajah 2.1: Diod (a) Struktur Binaan (b) Bentuk Fizikal (c) Simbol

2. Semasa proses pembentukan diod,

terdapat sejumlah kecil elektron daripada
bahan N akan merentasi simpang dan
mengisi lubang yang terdapat pada bahan
P. Akibatnya, terbentuk lapisan penebat
yang dinamai lapisan susutan pada
simpang tersebut seperti yang ditunjukkan
Lapisan susutan
dalam Rajah 2.2.
 2. Diod berkeadaan pincang depan apabila anodnya disambung ke punca positif
bekalan dan katod disambung ke punca negatif.
3. Voltan pincang ke depan yang diperlukan ialah voltan sawar yang bernilai 0.7 V
untuk diod jenis silikon dan 0.3 V bagi diod jenis germanium. Dalam keadaan ini
lapisan susutan hilang ciri penebatan , membolehkan arus mengalir melaluinya.
4. Apabila anod disambung ke punca negatif dan katod disambung ke punca positif,
ia dipincang songsang.
5. Dalam keadaan ini, rintangan lapisan susutan meningkat dan menyebabkan arus
tidak boleh mengalir melaluinya.
6. Jika nilai voltan pincang songsang yang dibekalkan sangat tinggi (lazimnya
dalam beberapa ratus volt), arus akan mengalir dalam litar tersebut.
7. Nilai voltan yang membolehkan arus mengalir dalam diod dalam keadaan
pincang songsang dikenali sebagai voltan pecah tebat.
8. Jadual 2-0 menerangkan perbezaan antara sambungan litar serta ciri diod yang
dipincang ke depan dan dipincang songsang.

Jadual 2-0 Perbezaan antara pincang ke depan dan pincang songsang

Sambungan ke bekalan Ciri-ciri

Pincang depan

- Lapisan susutan hilang

- Rintangan antara simpang PN rendah
D - Arus mengalir di dalam diod
Vs R - Memerlukan voltan sawar bernilai
(0.7V untuk diod silikon dan 0.3 V
untuk diod germanium) bagi
mengalirkan arus.

Pincang Songsang

- Lapisan susutan bertambah tebal

- Rintangan antara simpang tinggi
D - Arus tidak boleh mengalir di
Vs R dalamnya
- Jika voltan sangat tinggi dikenakan,
arus mengalir dalam keadaan
pincang songsang
 9. Hubungan antara voltan pincang dan arus yang mengalir dalam litar ditunjukkan
dalam lengkung ciri I-V diod seperti ditunjukkan dalam Rajah 2.3.

Pincang Depan

Voltan Pecah Tebat

Voltan
Sawar 0.7 V

Pincang Songsang

Rajah 2.3 Lengkung Ciri I-V Diod

Kegunaan Diod Simpang PN

1. Antara kegunaan diod simpang PN ialah sebagai:

a) Penerus b) Pengehad c) Pelindung
2. Litar penerus menukarkan arus ulang-alik kepada arus terus.
3. Ciri diod yang membenarkan arus mengalir satu hala sahaja menyebabkan hanya
separuh daripada kitar bekalan sampai ke bahagian keluaran.
4. Rajah litar penerus beserta bentuk gelombang masukan dan keluaran ditunjukkan
dalam Rajah 2.4

Rajah 2.4 (a) Litar Penerus (b) Gelombang masukan dan keluaran

5. Litar Pengehad seperti ditunjukkan dalam Rajah 2.5 bertindak mengehadkan nilai
voltan dalam litar. Dalam litar ini, diod digunakan bagi mengehadkan voltan masukan
kepada +0.7 V dan -0.7 V sahaja.
6. Rajah 2.6 menunjukkan diod yang digunakan sebagai pelindung. Dalam litar ini diod
D berperanan melindungi transistor daripada kemungkinan wujudnya voltan tinggi
yang terhasil kesan daripada penyambungan transistor ke gegelung.

Rajah 2.6 Diod sebagai pelindung

✔ Diod Zener
1. Diod Zener ialah satu lagi contoh diod yang banyak digunakan dalam litar elektronik.
Bentuk fizikal dan simbol diod zener ditunjukkan dalam Rajah2.7.

2. Diod zener mempunyai ciri membenarkan arus mengalir dalam keadaan pincang
songsang apabila nilai voltan pincang songsang yang dibekalkan mencapai
nilai voltan zener, Vz.

(a) (b)
Rajah 2.7 : (a) Bentuk fizikal diod zener (b) Simbol diod Zener

3. Penggunaan diod zener ialah sebagai pengatur voltan seperti yang ditunjukkan
dalam Rajah 2.8.
4. Dalam litar pada Rajah 5.8, diod zener mengatur voltan keluaran 7.5 V iaitu
bersamaan dengan nilai voltan zener diod tersebut.
 Rajah 2.8 Diod Zener sebagai pengatur voltan

✔ Diod Pemancar Cahaya ( Light Emitting Diode, LED)

Rajah 2.9 a: Bentuk Fizikal LED Rajah 2.9b: Simbol LED

1. Diod pemancar cahaya juga dikenali sebagai "Light Emiting Diod" iaitu LED.
2. Ia merupakan salah satu diod dalam kumpulan peranti elektronik optik.
3. LED digunakan untuk mengeluarkan cahaya dan isyarat dan banyak digunakan
dalam alatan elektronik seperti radio, TV, permainan, pemain CD/DVD .
4. Ia mempunyai kaki berkutub - negatif (katod) dan positif (anod) .
5. LED tidak boleh dibekalkan voltan melebihi 3 volt.
KEROSAKAN DAN PENGUJIAN DIOD

1. Diod boleh diuji menggunakan meter pelbagai analog dan meter pelbagai digital.

2. Apabila diod diuji menggunakan meter pelbagai analog fungsi meter ohm digunakan.
Dalam keadaan pincang ke depan, nilai bacaan adalah dalam lingkungan di bawah
10 ohm manakala dalam keadaan pincang songsang bacaan adalah infiniti.

3. Apabila meter pelbagai berdigit digunakan, meter dilaraskan ke fungsi pengujian

diod.

4. Bacaan bagi diod yang dipincang depan adalah 0.6 hingga 0.8 V untuk diod jenis
silikon dan 0.2 hingga 0.4 V bagi diod jenis germanium.

5. Rajah 2.10 menunjukkan cara pengujian diod menggunakan meter analog.

 6. Dua jenis kerosakan yang sering berlaku kepada diod ialah terbuka dan terpintas.
Kerosakan terbuka dan terpintas boleh diuji menggunakan ujian meter ohm. Jadual
5.2 menunjukkan bacaan meter ohm apabila menguji kerosakan diod.

Katod Anod

Anod

Katod
(a) (b)

Rajah 2.10: Cara Pengujian Diod (a) Pincang Depan (b) Pincang Songsang

Jadual 5.2: Pengujian Diod Menggunakan Meter Pelbagai Analog

Pincang Depan Pincang Songsang

Kerosakan Terbuka Nilai rintangan infiniti Nilai rintangan infiniti

Kerosakan Terpintas Nilai rintangan 0 Nilai rintangan 0

Nilai kerintangan sama atau hampir sama semasa

Bocor
pengujian dipincang depan dan songsang

7. Meter pelbagai analog pada fungsi ohm juga boleh digunakan untuk menentukan
tamatan diod yang tidak diketahui kekutubannya. Rajah 2.11 menunjukkan langkah
pengujian yang boleh dilakukan bagi tujuan tersebut.
 Sekiranya nilai bacaan pada
meter lebih kurang 10 Ω, ini
B bermakna A ialah anod dan B
ialah katod. Keadaan ini benar
jika; apabila diod dipincang
songsang, nilai bacaan ohmnya
ialah infiniti.

A
Rajah 2.11 Penentuan kekutuban diod menggunakan meter pelbagai analog.

LANGKAH-LANGKAH KESELAMATAN

1. Apabila mengendalikan diod, langkah-langkah keselamatan berikut mesti diamalkan:

a) Diod tidak boleh terdedah kepada haba tinggi yang berpanjangan. Perhatian
perlu diberikan apabila proses pematerian diod ke papan litar dibuat.

b) Kaki diod hendaklah dibengkokkan dengan cara yang betul. Ia mesti dipegang
pada kakinya menggunakan playar muncung tirus, kemudian baru dibengkok. Ini
penting supaya simpang PN yang ada di dalam diod tersebut tidak terganggu.

c) Semasa menguji diod pada papan litar, pastikan diod dipisahkan terlebih dahulu
dari litar sebelum pengujian dibuat.
 B) TRANSISTOR DWIKUTUB (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR, BJT)

OBJEKTIF:

1. Melakar binaan dan symbol transistor.

2. Mengenalpasti elemen-elemen transistor.
PENCAPAIAN KOMPETENSI:

1. Menguji transistor menggunakan meter pelbagai bagi menentukan:

a) Elemen-elemen
b) Jenis transistor
c) Kerosakan transistor
2. Mengamalkan langkah-langkah keselamatan.

PENGENALAN KEPADA TRANSISTOR

1. Transistor adalah komponen separuh pengalir yang mempunyai tiga tamatan.

2. Transistor dwikutub adalah satu keluarga transistor. Dua jenis transistor dwikutub
ialah transistor NPN dan transistor PNP.

3. Gambar foto 3.1 menunjukkan beberapa bentuk fizikal transistor.

Gambar foto 3.1: Bentuk –bentuk fizikal transistor

4. Tiga elemen yang terdapat dalam transistor dwikutub ialah pemancar (Emitter-
E), Tapak ( Base-B) dan pemungut (Collector-C). Binaan dan simbol transistor
dwikutub adalah seperti ditunjukkan dalam Rajah 3.12.
 Rajah 3.12: Binaan dan simbol transistor dwikutub a) Jenis PNP b) Jenis NPN

KENDALIAN TRANSISTOR

1. Transistor perlu dipincang dengan betul untuk membolehkan ia berkendali. Rajah

3.13 menunjukkan pincangan yang betul bagi transistor NPN.

2. Bagi membolehkan elektron yang dipancarkan daripada pemancar diterima oleh

pemungut, litar masukan iaitu simpang antara tapak dan pemancar perlu dibekalkan
dengan voltan pincang depan yang mencukupi supaya rintangan simpang tersebut
rendah. Keadaan ini membolehkan elektron bergerak dari pemancar ke tapak.

3. Litar keluaran iatu simpang antara tapak dan pemungut pula mestilah dipincang
songsang supaya kebanyakan elektron yang sampai di tapak, akan ditarik ke
pemungut yang bercas positif (kerana dipincang songsang). Voltan di litar keluaran
dinamakan voltan keluaran.

4. Pengedopan tapak yang sangat ringan memainkan peranan yang sangat penting
kerana hanya sedikit sahaja elektron terserap di bahagian ini. Elektron yang
selebihnya diterima di pemungut.

5. Lazimnya, 99% elektron akan ke pemungut dan hanya 1% diserap di tapak. Rumus
yang menunjukkan hubung kait antara arus pemancar IE, arus tapak IB dan arus
pemungut IC.

IE = IC + IB
6. Rajah 3.13 menunjukkan pengaliran arus dalam transistor NPN.

Rajah 3.13 : Pengaliran arus dalam transistor NPN

7. Gandaan arus (AT) dari tapak ke pemungut diberi dalam spesifikasi transistor.
Gandaan ini dikenali sebagai βAT atau hFE dan diwakili oleh formula;

βAT =

8. Bagi transistor PNP, cara memincangkannya adalah seperti ditunjukkan dalam

Rajah 3.14. Oleh kerana kekutuban bekalan adalah berbeza arah arus juga berbeza
seperti ditunjukkan dalam rajah tersebut.

Rajah 3.14 : Pincangan dan pengaliran arus dalam transistor PNP

ARUS TRANSISTOR

1. Arah pengaliran arus di dalam transistor NPN dan PNP adalah seperti rajah 3.15.

Rajah 3.15 : Arus transistor

2. Perolehan dari rajah 5.15 menunjukkan arus pemancar adalah hasil tambah arus
pemungut dan tapak. Seperti yang dinyatakan sebelum ini.
3. Huruf besar (E,B, C) menunjukkan nilainya dalam nilai arus terus (DC).
4. Arus terus (E, B, C) juga mempunyai perkaitan dengan dua parameter:
i. alpha dc (αDC) : Nisbah IC/IE
ii. beta dc (βDC) : Nisbah IC/IB

βDC ialah gandaan arus terus.

5. Arus pemungut adalah bersamaan dengan αDC didarabkan dengan arus pemancar.

IC=DCIE

Dimana pada kebiasaannya αDC mempunyai nilai di antara 0.950 dan 0.995.
Umumnya αDC boleh dianggap bersamaan 1, dengan itu IC = IE.

6. Arus pemungut juga bersamaan dengan arus tapak didarabkan dengan βDC.

IC = I B DC

Dimana biasanya mempunyai nlai di antara 20 dan 200.

VOLTAN TRANSISTOR

1. Tiga voltan DC pada pincangan transistor dalam rajah 5.16 adalah voltan pemancar
(VE), voltan pemungut (VC) dan voltan tapak (VB). Voltan ini berdasarkan kepada
bumi. Voltan pemungut adalah bersamaan kepada voltan bekalan dc, VCC, kurang
daripada kejatuhan voltan pada RC.

VC = VCC – ICRC

Rajah 3.16 : Pincangan transistor

2. Voltan tapak adalah sama dengan voltan pemancar ditambah dengan voltan
kawasan simpang pemancar-tapak (VBE) iaitu lebih kurang 0.7V bagi transistor
silikon.

VB = VE + VBE

3. Di dalam rajah 4.10, pemancar adalah terminal sepunya (dibumikan), oleh itu V E =
0V dan VB = 0.8V.
PINCANG PEMBAHAGI VOLTAN

1. Dua bekalan pincang dc boleh digantikan dengan satu bekalan dc dan

perintang pembahagi voltan.

2. Konfigurasi pincangan pembahagi voltan menggunakan satu sumber atau

bekalan dc untuk menghasilkan pincang depan-songsang kepada transistor;
seperti mana yang ditunjukkan dalam rajah 3.17.

Rajah 3.17 : Pincang pembahagi voltan

3. Perintang R1 dan R2 membentuk pembahagi voltan yang menghasilkan

voltan pincangan tapak. Perintang RE membenarkan pemancar meningkat
lebih daripada keupayaan bumi (ground).

4. Pincangan pembahagi voltan menghasilkan arus tapak yang sangat kecil

kepada transistor dengan pincangan arus.

5. Rintangan masukan pada tapak transistor bergantung kepada DC dan

mempunyai nilai sekitar

Rin = VDC – RE
6. Voltan tapak bagi transistor boleh menggunakan formula pembahagi
voltan, persamaan yang diperolehi adalah seperti berikut bagi voltan
tapak sekitar litar di dalam rajah 3.17.

VB = R2 VCC

R1+R2
7. Setelah mengenalpasti nilai voltan tapak, kita akan mengenalpasti voltan
pemancar VE (bagi transistor NPN).

VE = VB – 0.7V

8. Penyambungan tatarajah litar transistor dan ciri-cirinya.

❖ Penyambungan tatarajah transistor adalah merupakan satu kaedah
penyambungan transistor bagi menghasilkan kesan kendalian yang berbeza.
❖ Bagi kaedah penyambungan tatarajah litar transistor, ianya terdiri dari tiga jenis
iaitu :
i. Penyambungan tapak sepunya.
ii. Penyambungan pemancar sepunya.
iii. Penyambungan pengeluar sepunya.
❖ Setiap tatarajah litar transistor ini mempunyai ciri-ciri yang unik dan ia digunakan
dalam aplikasi yang berbeza serta menjadi asas kepada litar penguat transistor.

a) Tatarajah tapak sepunya

● Tatarajah tapak sepunya, rajah 3.18 menunjukkan isyarat masukan
dibekalkan kepada pemancar transistor manakala isyarat keluarannya
diambil daripada pemungut transistor.

E C

Isyarat Isyarat
masukan keluaran

B B
 Rajah 4.12 : Tatarajah tapak sepunya

● Tapaknya sentiasa dibumikan dengan bahagian masukan litar berada

diantara pemancar dan tapak.
● Manakala bahagian keluaran berada di antara pemungut dan tapak.

● Ciri-ciri tatarajah tapak sepunya ialah

i. Gandaan voltan - Tinggi
ii. Gandaan arus – Kurang daripada 1
iii. Gandaan kuasa - Tinggi
iv. Perbezaan fasa - Tiada
● Penguat ini tidak selalu digunakan kerana tatarajah ini mempunyai
gandaan arus kurang daripada 1.

b) Tatarajah pemancar sepunya

● Rajah 3.19 menunjukkan tatarajah pemancar sepunya.

B
Isyarat
keluaran
Isyarat masukan

E E

Rajah 4.13 : Tatarajah pemancar sepunya

● Daripada rajah 3.19, isyarat masukan dibekalkan ke tapak transistor.

● Manakala isyarat keluaran diambil dari pemungutnya.

 ● Bagi tatarajah ini tamatan pemancar adalah sepunya kepada bahagian
masukan dan keluaran litar.
● Bahagian masukan pula berada di antara tapak dan pemancar manakala
bahagian keluaran berada di antara pemungut dan pemancar.
● Ciri-ciri tatarajah pemancar sepunya ialah
i. Gandaan voltan - Sangat tinggi
ii. Gandaan arus – Tinggi
iii. Gandaan kuasa - Sangat tinggi
iv. Perbezaan fasa - 1800
● Tatarajah ini merupakan tatarajah yang paling banyak digunakan di dalam
litar penguat kerana ia mempunyai gandaan voltan dan gandaan arus
yang baik.

B
Isyarat
keluaran

Isyarat masukan

C C

Rajah 3.20 : Tatarajah pemungut sepunya

Tatarajah pemungut sepunya

● Rajah 3.20 menunjukkan tatarajah pemungut sepunya.

● Daripada tatarajah pemungut sepunya seperti rajah 4.14, dapat dilihat

isyarat masukan dibekalkan kepada tapak transistor.
● Manakala isyarat keluaran diambil daripada pemancar transistor.
 ● Tamatan pemungut adalah sepunya kepada bahagian masukan dan
keluaran litar.
● Bahagian masukan berada di antara tapak dan pemungut.

● Manakala bahagian keluaran berada di antara pemancar dan pemungut.

● Tatarajah ini menghasilkan isyarat keluaran yang sama dengan isyarat

masukan.
● Ciri-ciri tatarajah pemungut sepunya ialah
i. Gandaan voltan - Kurang daripada 1
ii. Gandaan arus – Tinggi
iii. Gandaan kuasa - Sederhana
iv. Perbezaan fasa - Tiada
● Tatarajah ini sangat sesuai digunakan dalam litar pensuisan.

TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT

1. Transistor berkeupayaan melakukan penguatan terhadap isyarat elektrik.

Gandaan, hasil daripada penguatan yang dilakukan oleh transistor memberi
kesan seperti suara bertambah kuat dan nilai isyarat bertambah tinggi.

2. Penguat terdapat dalam bentuk tatarajah sepunya, tatarajah pemancar sepunya

dan tatarajah pemungut sepunya.

3. Jadual 3.3 menunjukkan gambarajah skema litar asas penguat untuk tatarajah
transistor serta perbezaan antara ketiga-tiga dari aspek gandaan arus, gandaan
voltan dan keadaan fasa.

Jadual 3.3: Tatarajah Penguat

 4. Penguat pemancar sepunya adalah penguat yang paling kerap digunakan kerana
ia deapat menghasilkan gandaan yang tertinggi seperti yang ditunjukkan dalam
Jadual 3.3.

5. Litar seperti yang telah dibincangkan sebelum ini ialah litar asas penguat. Untuk
membolehkan penguat berfungsi dengan baik beberapa komponen lain perlu
ditambah kepada litar tersebut seperti yang ditunjukkan dalam Rajah 3.15.

Rajah 3.15: Penguat pemancar sepunya

TRANSISTOR SEBAGAI SUIS

1. Tatarajah yang lazim digunakan untuk tujuan pensuisan ialah tatarajah pemancar
sepunya. Rajah 3.16 menunjukkan transistor yang digunakan sebagai suis.
2. Dua bahagian litar suis transistor ialah :
a. Bahagian litar kawalan- Berperanan menentukan nilai arus tapak
b. Bahagian litar kuasa
3. Jika suis S1 dalam

4. Rajah 3.16 (a) terbuka (off), tiada arus mengalir dalam litar kawalan. Ini bermakna
rintangan antara tapak dan pemancar adalah tinggi. Ini menyebabkan tiada arus
mengalir ke litar kuasa dan lampu akan terpadam.
 5. Apabila suis S1 ditutup (on), arus yang kecil mengalir dalam litar kawalan. Ini
menyebabkan simpang tapak pemancar pincang ke depan dan membolehkan arus
yang besar mengalir dalam litar tersebut untuk menyalakan lampu.

6. Suis S1 dalam Rajah 3.16 (a) boleh digantikan dengan komponen pengesan seperti
perintang peka cahaya (Light Dependence Resistor, LDR) seperti ditunjukkan dalam
Rajah 3.16 (b).

Rajah 3.16: Transistor sebagai suis

PENGUJIAN TRANSISTOR DAN KEROSAKAN TRANSISTOR

1. Oleh kerana kerosakan yang sering berlaku kepada transistor ialah kerosakan
terbuka dan terpintas, maka ujian asas menggunakan meter ohm boleh digunakan
untuk menguji kerosakan tersebut.

2. Transistor seolah-olah dua diod yang disambung terbalik. Jika ujian terhadap kedua-
dua diod positif, transistor itu berkeadaan baik. Rajah 3.17 menunjukkan cara
menguji transistor NPN menggunakan meter ohm.

Kedua-dua meter menunjukkan Kedua-dua meter menunjukkan

nilai bacaan ohm yang tinggi nilai bacaan ohm yang rendah
( tiada sambungan) ( wujud sambungan pada simpang
PN)
 Rajah 3.17: Cara menguji transistor

3. Meter ohm juga boleh digunakan untuk menentukan jenis transistor serta elemen
sesuatu transistor.

4. Rajah 3.18 menunjukkan langkah untuk menentukan elemen tapak seterusnya jenis
sama ada NPN atau PNP sesuatu transistor menggunakan meter ohm. Rajah 3.19
pula menunjukkan cara menentukan elemen pemancar dan pemungut sesuatu
transistor.

Rajah 3.18 : Langkah menentukan elemen tapak transistor

a. Tandakan kaki transistor.

b. Set meter pelbagai analog ke fungsi pengujian rintangan pada julat R X 10.
c. Uji transistor mengikut langkah seperti ditunjukkan dalam Rajah 3.18.
d. Kenalpasti langkah apabila transistor berada dalam keadaan pincang ke depan
( Dalam contoh di atas, transistor berada dalam keadaan pincang ke depan pada
langkah 1 dan langkah 6).
 e. Kenalpasti kaki sepunya untuk kedua-dua keadaan dalam langkah 4. Kaki ini ialah
elemen tapak untuk transistor tersebut. (Dalam contoh di atas, kaki sepunya untuk
kedua-dua keadaan ialah kaki 2).
f. Jenis transistor ditentukan berdasarkan kenyataan berikut:
Transistor PNP- Jika kaki sepunya disambung ke tamatan positif meter pelbagai analog.

Transistor NPN- Jika kaki sepunya disambung ke tamatan negative meter pelbagai analog.

( Dalam contoh di atas, transistor adalah jenis PNP).

Rajah 3.19: Langkah menentukan elemen pemancar dan pemungut transistor

a. Setkan meter pelbagai berdigit ke fungsi pengujian diod.

b. Lakukan ujian seperti ditunjukkan dalam contoh Rajah 5.19 ( Dalam contoh di atas,
elemen tapak telah dikenalpasti iaitu kaki 2 seperti yang ditunjukkan dalam Rajah
3.18).
c. Kenal pasti langkah yang menunjukkan nilai susutan voltan tertinggi.
d. Dalam contoh di atas, langkah menunjukkan nilai susutan voltan tertinggi ialah
keadaan 2. Oleh itu, kaki 1 ialah elemen pemancar manakal kaki 3 ialah elemen
pemungut.

LANGKAH-LANGKAH KESELAMATAN

1. Elakkan daripada mengenakan tekanan mekanikal kepada tamatan-tamatan

transistor supaya penyambungan antara dawai dengan bahan separuh pengalir tidak
terjejas.

2. Elakkan daripada mengenakan haba yang tinggi kepada transistor. Haba yang
terlampau tinggi boleh merosakkan transistor. Apabila memateri transistor ke papan
litar, gunakan alat pematrian berkuasa rendah.
3. Apabila menguji transistor pada papan litar, pastikan transistor terlebih dahulu
dipisahkan daripada litar.

4. Untuk transistor kuasa, penenggelam haba perlu dipasang untuk menyejukkan

transistor tersebut.