1

METAL-OKSİT-YARIİLETKEN YAPILAR (MOS)

Kondansatör, entegre devre uygulamalarında kullanılan temel bileşenlerden biridir.

Günümüzde, metal-yalıtkan-metal (MIM), metal-oksit-metal (MOM) ve metal-oksit-

yarıiletken (MOS) olmak üzere entegre devre uygulamalarında yaygın olarak üç çeşit

kondansatör kullanılmaktadır. Bu kapasitörler arasında, oksit yapısı nedeniyle MOS

kapasitör birim alan başına en yüksek kapasitans yoğunluğuna sahiptir [26]. Paralel plaka

yapılı MIM ve MOM kondansatörler, iki metal plakadan ve aralarında bir dielektrik

tabakadan oluşur. MIM kondansatör, MOM kondansatörden daha ince bir yalıtkan tabakaya

sahiptir. MIM ve MOM kondansatörler tamamlayıcı metal-oksit-yarıiletken (CMOS)

işlemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Ayrıca MIM ve MOM kondansatörler

genellikle yarıiletken yongalara entegre edilir ve yaygın olarak analog (filtreler,

amplifikatörler gibi) uygulamalarda kullanılmaktadır. MOS kapasitör, MIM ve MOM

kondansatöre kıyasla daha yüksek sızıntı (kaçak) akım nedeniyle daha yüksek bir kapasitans

yoğunluğu sağlamaktadır.

MOS yapılar, omik kontak yapılmış bir yarıiletken üzerine yalıtkan bir oksit tabakası ve bu

oksit tabakası üzerine de bir metal tabakanın büyütülmesiyle oluşan yapılardır. Metal ve

yarıiletkenden dolayı, MOS yapı paralel plakalı kondansatöre benzemektedir [27]. Bu

yapının özelliklerini, oksit tabakasının ve oksit-yarıiletken arayüzeyinin kalitesi yani

özellikleri belirlemektedir. Oksit tabaka, metal ile yarıiletken arasındaki yük geçişlerini

düzenler [27-29].

MOS yapının şematik gösterimi Şekil 2.1’de verilmiştir. Şekilde görüldüğü gibi, MOS

yapıdaki alt metal kontak omik, üst metal kontak doğrultucu olarak adlandırılmaktadır.
2

Yarıiletkenin p-tipi olması durumunda, m>s için omik ve s>m için doğrultucu kontak

oluşur. m ve s sırasıyla metalin ve yarıiletkenin iş fonksiyonlarıdır. VG metal plakaya

uygulanan yani kapı gerilimidir. Metal plaka yarıiletkene göre pozitif bir gerilim ile

beslendiğinde VG pozitif olur. Uygulanan VG gerilimi hem yarıiletken tüketim tabakasına

hem de oksit tabaka üzerine düşer.

Şekil 2.1. MOS yapının şematik gösterimi

2.1. İdeal MOS yapı

İdeal bir MOS yapısı için bazı özellikler aşağıda verilmiştir [29].

i) Termal denge şartlarında ve uygulanan sıfır beslemde (VG=0), ϕm ile ϕs arasında enerji

farkı yani ϕms iş fonksiyonu sıfırdır. P-tipi yarıiletken için şu şekilde verilir:
 3

Eg Eg
∅ms = ∅m − ( + + B ) = ∅m − ( + − ∅p ) = 0 (2.1)
2q q

ii) VG=0 olduğunda enerji bantları düzdür ve bu durum düz bant koşulu olarak bilinir.

iii) Hem oksit hem de oksit-yarıiletken arayüzeyinde yük merkezi ve kusur durumları

bulunmaz.

iv) Oksit tabakası sıfır akımlı mükemmel bir yalıtkan olmalıdır.

v) Herhangi bir beslem şartı altında, oksit tabakası ve metal yüzeyindeki yükler ile

yarıiletkendekiler eşit ve zıt yüklü olmalıdır.

vi) Oksit boyunca hiçbir dc akım akmaz yani oksit direnci sonsuzdur.

İdeal MOS yapının VG=0 durumunda enerji-band diyagramı Şekil 2.2’de gösterilmiştir.
4

Şekil 2.2. VG=0 durumunda ideal bir MOS (p-tipi) yapının enerji-band diyagramı

İdeal bir MOS yapısına VG ≠ 0 olacak şekilde gerilim uygulandığında, yükler eşit miktarda

ve zıt yönlerde yarıiletken-oksit veya metal-oksit arayüzeyine dağılır. Uygulanan VG

gerilimi altında, oksit boyunca hiçbir yük transferinin olmadığı, yani sonsuz bir dirence sahip

olduğu varsayılmaktadır.

İdeal bir MOS kapasitörde, arayüzey tuzakları, oksit yükleri ve iş fonksiyonu farkından

kaynaklanan etkiler ihmal edilir. Metal ve yarıiletken arasındaki iş fonksiyonu ihmal

edilirse, MOS kapasitöre uygulanan gerilim, oksit ve yarıiletken üzerine düşer. VG bu

gerilimlerin toplamına eşit olup aşağıdaki gibi ifade edilir.

𝑉𝐺 = 𝑉𝑂𝑋 + 𝑆 (2.2)

Burada, VOX oksit üzerindeki potansiyeli ve ΨS yüzey potansiyelini yani arayüzeydeki band

gerilimini göstermektedir. Metal-oksit ve oksit-yarıiletken arayüzeyleri boyunca ve bulk

yarıiletkendeki yük dağılımları aşağıdaki ifade ile verilebilir.

 5

𝑄𝑀 = 𝑄𝑁 + 𝑞𝑁𝐴 𝑊𝑑 = 𝑄𝑆 veya 𝑄𝑀 + 𝑄𝑆𝐶 = 0 (2.3)

Burada, QM metaldeki birim alan başına yükü, QN tersinim bölgesindeki birim alan başına

yükü, QS, bulk yarıiletkende birim alan başına toplam yükü ve QSC ise uzay yük bölgesinde

biriken yükü göstermektedir [30,31]. Ayrıca, qNAWd ise Wd genişliğindeki uzay yük

bölgesindeki birim alan başına iyonize alıcıların sayısıdır.

Yüzey potansiyeli,

𝑞𝑁𝐴 𝑊𝑑2
𝑆 = 2𝜀𝑠 𝜀0
(2.4)

ile verilir. Burada, εs ve εo (=8,85x10-14 F.cm-1) sırasıyla yarıiletkenin ve boşluğun dielektrik

sabitleridir.

Metal ve yarıiletken arasındaki yalıtkan oksit tabakadan dolayı MOS kapasitansı olarak

adlandırılan bir kapasitans oluşmaktadır. MOS kapasitansına karşılık gelen eşdeğer devre

Şekil 2.3’te gösterilmiştir.

Şekil 2.3. MOS kapasitansının eşdeğer devresi

6

Şekil 2.3’de verilen COX oksit kapasitansını ve CSC ise uzay yük veya tükenim bölgesi (Cd)

kapasitansını göstermektedir. Cox sabit bir kapasitansdır. Fakat, CSC değişkendir ve

yarıiletken yüküyle değişir. Şekil 2.3’de görüldüğü gibi MOS kondansatörün eşdeğer

kapasitansı, iki kapasitansın seri bağlanmasına eşdeğerdir. Buna göre, toplam kapasitans

yani MOS kapasitansı C,

1 1 𝐶 𝐶
𝐶𝑀𝑂𝑆 = (𝐶 + 𝐶 )−1 = 𝐶 𝑆𝐶.+𝐶𝑂𝑋 (2.5)
𝑆𝐶 𝑂𝑋 𝑆𝐶 𝑂𝑋

ile ifade edilir.

Oksit kapasitansı, COX, aşağıdaki eşitlikle verilir.

𝑂𝑋𝜀0 𝐴
𝐶𝑂𝑋 = (2.6)
𝑑𝑂𝑋

Burada, OX yalıtkan oksit tabakanın dielektrik sabiti ve dOX oksit kalınlığı ve MOS alanıdır.

Uzay yük kapasitansı, CSC, aşağıdaki eşitlikle verilir [31] ve ΨS’in bir fonsiyonudur.

 𝑆 𝜀0 𝐴
𝐶𝑆𝐶 = (2.7)
𝑊𝑑

Uygulanan gerilime bağlı olarak p-tipi MOS kondansatörde meydana gelen durumların

enerji bant diyagramları Şekil 2.4’de gösterilmiştir [4,31-33].

 7

Şekil 2.4. Uygulanan ön gerilim koşulları altında p-tipi bir MOS kapasitörün enerji bant

diyagramı a) Yığılım (V<0) durumu b) Tükenim (V>0) durumu c) Tersinim (V≫0) durumu

Metal elektrota büyük bir negatif ön gerilim uygulandığında yarıiletken yüzeyin yakınında

bir deşik yığılımı meydana gelir. Metal elektrota büyük bir pozitif ön gerilim uygulandığında

yarıiletken yüzeyin yakınında kuvvetli bir tersinim bölgesi oluşturulur. MOS kapasitöre

küçük bir pozitif ön gerilim uygulandığında yarıiletken yüzeyin altında bir tükenim bölgesi

oluşturulur. P-tipi yarıiletken MOS kapasitörün yığılım, tükenim ve tersinim durumları

aşağıda verilmiştir.

2.1.1. Yığılım

Metal plakaya negatif gerilim uygulandığında, yarıiletkenden metale doğru oluşan elektrik

alan yarıiletkendeki çoğunluk yük taşıyıcıları olan deşikleri yarıiletken arayüzeyine doğru

çekecektir. Bu durumda, yarıiletkenin valans bandı Fermi enerji seviyesine yaklaşır ve iletim

bandı da yukarı doğru bükülür. Böylece, bant bükülmesi yarıiletken yüzeyinin yakınında

çoğunluk taşıyıcı olan deşiklerin yığılmasına sebep olur. Deşiklerin arayüzeyde

birikmesinden dolayı bu durum yığılım olarak adlandırılır (Şekil 2.4.a). Kuvvetli yığılım
8

durumunda arayüzeyde biriken yükün yüzey yani uzay yükü olması nedeniyle CSC çok

büyüktür (CSC→ ∞). Bundan dolayı, toplam kapasitans yani MOS kapasitansı oksit

kapasitans (COX) değerine eşit olur (C→COX). Bu, MOS kapasitörün maksimum

kapasitansına karşılık gelir.

2.1.2. Tükenim

Metal plakaya küçük bir pozitif gerilim uygulandığında, oksit tabaka içinde oluşan elektrik

alan deşikleri yarıiletken yüzeyinden uzaklaştırır. Bu durumda, yarıiletken yüzeyindeki

deşik yoğunluğu, yarıiletkenin iç kısımlarındaki deşik yoğunluğundan küçük olmaya başlar

ve bantlar aşağı doğru bükülür (Şekil 2.4.c). Böylece, yarıiletken yüzeyinde deşiklerin

tükendiği bir tükenim bölgesi oluşur. Bu durum tükenim olarak adlandırılır. Bu bölgede,

tükenim tabakası genişliği uygulanan gerilim ile değişir. Ayrıca, toplam kapasitans

uygulanan gerilimin bir fonksiyonudur.

2.1.3. Tersinim

Metal plakaya büyük bir pozitif gerilim uygulandığında, bantlar aşağı doğru daha fazla

bükülür (Şekil 2.4.d) ve saf enerji seviyesi Ei, Fermi enerji seviyesinin altına geçer. Böylece,

yarıiletkendeki azınlık taşıyıcılar olan elektronlar yarıiletken yüzeyinde toplanmaya başlar.

Bunun sonucunda, yarıiletken yüzeyindeki elektron yoğunluğu deşik yoğunluğundan büyük

olmaya başlar ve p-tipi yarıiletken yüzeyi n-tipi yarıiletken gibi davranır. Bu olay,

yarıiletken yüzeyinin tersinimi olarak adlandırılır. Kuvvetli tersinim bölgesinde, tükenim

tabakası maksimum genişliğe ulaşır ve uygulanan ön gerilim arttıkça sabit kalır. Böylece,

kuvvetli tersinim bölgesinde toplam kapasitans da sabit kalır.

 9

2.2. Gerçek MOS Yapı

Bir ideal MOS yapının hem fiziksel hem de elektriksel özelikleri oksitteki ve oksit-

yarıiletken arayüzeyindeki kusurlardan etkilenmektedir. Oksit yükleri ve arayüzey tuzakları

gibi kusurlar MOS yapının ideal özelliklerinden sapmasına neden olurlar. Bu durumda,

MOS yapı gerçek MOS yapı olarak adlandırılmaktadır. Gerçek bir MOS yapısında ortaya

çıkan yükler: i) Oksit-yarıiletken arayüzeyinde silikonun yasak bant aralığı içine yerleşmiş

enerji seviyeleri olarak ifade edilen arayüzey tuzaklanmış yükler ii) yarıiletken arayüzeyinde

veya yakınına yerleşmiş uygulanan elektrik alan altında hareketsiz bulunan sabit oksit yükler

iii) oksitte tuzaklanmış yükler ve iv) hareketli iyonik yükler [3,4,26,31-35]. Bu yükler Şekil

2.5’de gösterilmiştir.

Şekil 2.5. Gerçek MOS yapıda görülen yükler

10

2.2.1. Hareketli iyonik yük

Hareketli iyonik yükler, metal-oksit arayüzeyinde ya da oksit-yarıiletken arayüzeyinde

lokalize olmuşlardır. Bu yükler genellikle Na+, K+, Li+, H+, H3O+ iyonlarıdır. Mobil yük

olarak da bilinen bu yükler sodyum gibi alkali metal iyonlarından elde edilebilir. Bu iyonlar

düşük voltajlarda oksit içine sürüklenebilir ve ölçülen kapasitans-voltaj (C-V) eğrisinde

kaymaya neden olabilir. Sıcaklık arttıkça, iyonik mobilite arttığından mobil yük etkileri daha

belirgin hale gelir. Alkali metal iyonları, metalizasyon ve oksit biriktirme işlemleri sırasında

ortaya çıkar. Ayrıca, kimyasal temizleme işlemi sırasında bu iyonları içeren kimyasal

maddelerin kullanılmasından kaynaklanır. Bu yükler uygulanan elektrik alan etkisinde

hareket ettiklerinden dolayı MOS yapısının kararlılığını bozarlar.

2.2.2. Oksitte tuzaklanmış yükler

Arayüzeye yakın oksitte tuzaklanmış yükler sınır tuzak yükü olarak da adlandırılır. Bu

yükler oksit içinde arayüzeye yakın bulunurlar ve yarıiletken yüzeyi ile yük alışverişi

yaparlar. Bunlar genellikle nötürdür ve elektronlar veya deşikler oksit tuzakları tarafından

yakalandığında yüklü hale gelirler. Arayüzeyine yakın bu yükler, genellikle yarıiletken-oksit

arayüzeyinden çok küçük mesafelerde bulunan tuzaklanmış oksit yükleridir. Oksit tuzak

yükleri, ideal C-V eğrisinde voltaj kaymasına neden olabilir. Oksit tuzakları, safsızlıklar

veya oksit tabakasında iyonlaştırıcı radyasyon tarafından oluşturulan kusurlarla ilişkilidir.

İyonlaştırıcı radyasyon oksit içinde elektron-deşik çiftlerinin oluşmasına neden olur. Bu

elektron ve deşiklerin bir kısmı sonradan oksitte tuzaklanabilir. İyonlaşmış tuzaklar MOS

yapının C-V eğrisini etkiler. Gerilim değerini pozitiften negatife doğru artırırken ölçülen

kapasitans değerleri ile gerilim değerini negatiften pozitife doğru artırırken ölçülen
 11

kapasitans değerleri arasında farklılıklar gözlenir. Bu farklılıktan dolayı C-V eğrisinde

histeresis etkisi gözlenir.

2.2.3. Sabit oksit yükleri

Yük, MOS yapının fabrikasyonu sırasında oksit içinde tuzaklanacaktır. Yarıiletken-oksit

arayüzeyinden uzağa yerleştirilmiş olan tuzaklanmış yük, sabit oksit yükü olarak

adlandırılır. Bu yükler, yarıiletken yönelimine, büyütülen oksitin tavlama şartlarına ve oksit

büyütme sıcaklığına bağlı olup genellikle pozitiftir. Yükün miktarı, yüzey potansiyelinden

bağımsız olarak sabit kaldığından, sabit yük teorik C-V eğrisine ilave kapasitans katkısında

bulunmayacaktır. Arayüzeyde pozitif veya negatif sabit yük nedeniyle C‐V eğrisinde voltaj

ekseni boyunca kayma meydana gelir. Bununla birlikte, oksit içinde bulunan sabit yük, C-V

eğrisinin bir ΔV voltajı kadar paralel kaymasına neden olur. Net pozitif yük, deneysel eğriyi

idealden sola kaydırırken net negatif yük, sağa paralel bir kaymaya neden olur. Bir başka

deyişle, pozitif sabit oksit yükleri, C-V eğrisinin ideal C-V eğrisine göre uygulanan

geriliminin negatif değerlerine doğru kaymasına, negatif sabit oksit yükleri ise uygulanan

geriliminin pozitif değerlerine doğru kaymasına sebep olmaktadır. Sabit oksit yük miktarı,

deneysel ve teorik C-V eğrileri arasındaki voltaj kayması belirlenerek belirlenebilir.

2.2.4. Arayüzey durumları

Arayüzey durumları, arayüzey tuzakları ya da arayüzeyde tuzaklanmış yük olarak da

adlandırılır. Bu tuzaklar oksit-yarıiletken sınırında bulunan kusurlardır. Ayrıca, oksit-

yarıiletken arayüzeyinde yasak enerji bant aralığı içindeki dağılmış enerji seviyeleridir.

Arayüzey durumları verici veya alıcı tipinde olabilir. Bir verici seviyesi dolu ise yüksüz ve
12

boş ise pozitif yüklü olur. Bir alıcı seviyesi boş ise nötr ve bir elektron alarak negatif yüklü

olur [3,4]. Bir gerilim uygulandığı zaman, arayüzey tuzak seviyeleri valans ve iletkenlik

bantları ile aşağı ve yukarı doğru hareket ederler. Böylece, arayüzey tuzağındaki yük

değişebilir. Arayüzey tuzaklarındaki yükün değişimi, arayüzey tuzaklarının iletkenlik bandı

ve valans bandı ile yük alışverişi yapmasıyla oluşur. Bu yük değişimi MOS kapasitansına

ilave bir kapasitans sağlar ve ideal MOS C-V eğrisini değiştirir.