Transistorler

6.1 ALAN ETKiLi TRANSISTORUN GENEL TANIMI

Npn veya pnp olarak yapilan bir iki-kutuplu jonksiyon transist6rii (BJT), hem elekt-
ron akimi hem de delik akiminin kullanildigi akim kontrollii bir transistérdiir. Alan-
etkili transist6r (FET) ise tek kutuplu bir elemandir. n- kanalli bir FET'te elektron
akimiyla veya p-kanalli bir FET'te delik akimryla ¢alisan gerilim kontrollii bir tran-
sist6rdiir. Hem BJT hem de FET'ler, farkli Gngerilim varsayimlariyla bir yiikseltec
devresinde (veya benzeri devrelerde) kullanilabilir.
FET ve BJT elemanlar: ve bunlarin kullanildigi devrelerin genel bir kar-
silastirmas: yapildiginda séyle bir tablo ile karsilasiriz:

1. FET'in tipik olarak 100 MQ olan cok yiiksek bir giris direnci vardir (BJT'lerde
bu deger, tipik olarak 2 kQ'dur).
2. FET'in, anahtar (veya k1yic1) olarak kullanildiginda, sapma gerilimi yoktur.
3. FET'ler, yayinima (radyasyon) karsi nispeten duyarsizdir, buna karsin BJT cok
duyarlidir (6zellikle beta degeri cok etkilenir).
4. FET, BJT'den daha az "giiriiltiiliidiir" ve bundan dolay: diisiik-diizeyli yiik-
selteclerin (hi-fi FM alicilarinda yaygin olarak kullanilir) giris katlari igin daha
uygundur.
5. FET, BJT'lere g6re daha yiiksek 1s1 kararliligi saglayacak sekilde galistirilabilir.
6. FET, BJT'den daha kiigiiktiir ve bu nedenle IC'lerde daha yaygin olarak kul-
lanilir.

256
 FET'in bazi dezavantajlari arasinda BJT'ye gére nispeten daha kiigiik olan kazang¢
bant genisligi ve kolayca hasar gérebilmesi sayilabilir.

6.2 JFET'LERIN YAPISI VE KARAKTERISTIKLERi

FET, tek temel p-n jonksiyonuna sahip tig u¢lu bir eleman olup ya Jonksiyo
n FET
(JFET) veya Metaloksit yaniletken FET (MOSFET) olarak iiretilmek
tedir. Yiik-
seltegler igin Gnerilen ilk yar-iletken elemanlarindan birisi_ olmasina karsin(!),
FET'in ticari anlamda yararli bir eleman olarak gelistirilmesi,
tiretim teknikleri si-
nirlamalari nedeniyle 1960'1n ortalarina kadar gecikmistir. Biiyiik
ve gok-biiyiik l-
gekli entegre devreler éncelikle MOSFET transistérleri kullanilarak liretilme
ktedir.

JFET'in Calismasi

Bir JFET'in fiziksel yapisi Sekil 6.1'de gosterilmistir. Sekil 6.la'da

gésterilen n-
kanalli JFET, igine bir gift p-tipi bélgenin difiizyon yoluyla yerlestir
ilmis olan n-tipi
bir gubuk kullanilarak yapilmaktadir. Sekil 6.1b'de gosterilen p-kanall1
JFET ise n-
lipi diftizyon bélgelerine sahip p-tipi bir cubuk kullanilarak yapilmaktadir.
Her bir JFET tiiriine iliskin sembol Sekil 6.1'de gosterilmistir.
Sekil 6.1a'daki n-tipi eleman icin, gecit tizerindeki ok, gegitin p-tipi,
kanalin ise n-
tipi oldugunu gésterir. Sekil 6.1b'deki p-kanal JFET’in semboliinde
gecitin m-tipi ka-
nalin ise p-tipi oldugunu gésteren bir ok igareti vardir.

Gegit (G) Gegit (G)

Kaynak (S) ‘ , + Akag (D) _kaynak (S)

n- malzemesi

i \ Ohmik
kontak

(a) (b)
Sekil6.. JFETin fiziksel yapisi
ve sembolii: (a) n-kanalli; (b) p-
kanalli
Transist6riin nasil galigtigini incelemek igin, elemanin ¢aligmas
ini saglayan Ongerilimle
birlikte $ekil 6.2'de verilen n-kanall1 JFET'i ele alalim. Besleme gerilimi Vpp, akag-

! Electrons and Holes in Semiconductors (New York: Van Nostrand,

1953)

6.2 JFET'lerin Yaprsi ve Karakteristikleri

257;
kaynak arasinda bir Vps gerilimi olusturarak akactan-kaynaga (n-kanal tipinde
elektronlar gercekte kaynaktan akaca dogru hareket eder, ki adim da buradan alir) bir
Ip akiminin akmasini saglar. Bu akag akimi p-tipi kapt ile cevrili olan kanal igerisinden
gecer. GoriildiiZii gibi kapi ile kaynak arasinda bir Vgc besleme kaynaguyla bir-Vcs
gerilimi olusturulmustur. Bu kapi-kaynak geriliminin polaritesi, kapi-kaynak
+

—Vps

a *

Sekil 6.2 JFET'in galigmasi.

jonksiyonunu ters Gngerilimleyeceginden, kapidan akim akmayacaktir. Kapi-kaynak ge-

riliminin yaratacafi etki, kanaldaki bir bosaltma bélgesi yaratmak ve béylece kalan ge-
nisligini azaltarak aka¢-kaynak direncini artimp daha az aka¢ akimi gecirmektir.
Elemanin calismasini ilk 6nce Vgs = 0 ve daha sonra Vgs'y1 sifir volt, ardindan Vgs
ters 6ngerilimi arturilmis (n-kanalli bir FET igin daha negatif) varsayarak ele alacaguz.
Sekil 6.3a'da, akag-kaynagin n-malzemesi tizerinden gegen akag akiminin, kanal bo-
yunca bir gerilim diisiimii yarattigi, bunun da akag-kapi jonksiyonun, kaynak-kap1
jonksiyonundan daha POZITIF oldugu gériilmektedir. p-n jonksiyonundaki bir ters
éngerilim potansiyeli, Sekil 6.3a'daki gibi bir bosaltilmis bélge yaratir. Vpp gerilimi
yiikseldikce, Jp akimi aratarak daha biiyiik bir bosaltilmig bélgeye yol agar. Vpp ge-
rilimi daha da yiikseltildikge, $ekil 6.3b'de gésterildigi gibi, kanal boyunca bogaltilmis
bélge tam olarak olusur. Vpp'nin daha da artirilmasi akag akiminda herhangi bir de-
Bisikligze neden olmaz, Jp akim1 sabit kalir. Bu galigma gekli Sekil 6.3c'deki Ves = 0
karakteristik eSrisiyle gésterilmistir. Vps arttikga, 7p akimi, kanal boyunca bo-
salulmig bélge tam olarak olusana kadar artar ve bundan sonra Vps artirilirsa bile
akac akimi doyuma ulasip sabit bir deger alir. Vgs = OV'ta goriilen sabit akag aki-
minin bu degeri JFET'in caligmasini tanimlamada kullanilan 6nemli bir parametre
olup /pss ile gésterilir. (yani Ingilizce kisaltmada, kapi-kaynak kisa devre oldugunda
akag-kaynak arasinda goriilen akimdir).
Sekil 6.4'te, n-kanalli bir JFET'in caligma 6zeti goriilebilir. Kapi-kaynak gerilimi
Ves, OV'tan daha kiigiik fakat kisma geriliminden daha biiyiik tutulursa (bkz. Sekil

258 Bélimé Alan-Etkili Transistorler

6.4a), Vgs gerilimiyle ayarlanan bir akag akimi (/p) akar. Bu durumda kap1 akim1

Ig =0 (6.1)

olur; ciinkii ters 6ngerilimli kapi-kaynak jonksiyonundan akim alinmayacaktir.

Gecit-kaynak gerilimi tam olarak OV'a ayarlandiginda, akag akimimin degeri
énemli bir biiyiikliik olmaktadir ve [pss olarak adlandirilir (bkz. Sekil 6.4 b). Kap
akimi (6.1).
Kanal Uizerinde bogal
Geri Ongerilimli bilge tamamlannca
| bogaltilmig bélge kanal biikiilmesi olur

re

|
| +
!
{ +

OV

Es + _
(a) n- kanali boyunca (b)
‘Ip sabit akim

n- kanalimn -
biikiilmesi
/__ n- kanalimn
ii ind

kaynaklanan egim

SchibO.4) Kanal akininin oeden oldugu kistna etkist

+V pp +Vpp —(c) +Vpp
L*] L*]

} Ip }/o = Ipss
2 Ig =0
n- kanalh Vos = OV n- kanalli —
JFET

lb

(a) (c)
Sckilé.4 Devre sembolii tizerinden w-kanalli JFETin galigmiass: Gay OW 1
bilgesindeki Ves; (b) Veg = OV: (©) Vag 2 Vp.
6.2 JFET'lerin Yapisi ve Karakteristikleri 259
denklemle verildigi gibi, hala sifirdir. Kapi-kaynak gerilimi kisma degerinin 6tesine
yiikseltildiginde (kanali kismak icin gereken degerden daha negatif tutuldugunda), -
akag akimi sifira iner, /g sifir olur ve JFET elemani béylece tiimiiyle kapanir (bkz. —
Sekil 6.4c).

Akac-Kaynak Karakteristigi

Sckil 6.4'de gésterilen galigsma sekli, gergek akag akimim, kapi-kaynak geriliminin
bir deger araliginda akag-kaynak geriliminin farkli deSerlerindeki grafigi ¢izilerek
daha iyi anlatilabilir. Bu egri, akag akiminin akag-kaynak gerilimine gore bir grafigi
oldugundan, aka¢ karakteristigi adim almaktadir.

Vins (volt)
(a) (b)

' Ip (mA)

n-kanall1

lle ,
Vv DS (volt)

(c)
Sekil63 Akag-kaynak karakteristigi: (a) VGs =0 V: (b) Vs =-1 V: (c) tim karakteristik.

260 Béliim6 Alan-Etkili Transistérler

 Sekil 6.5a'da tipik bir n-kanalli JFET akag-kaynak karakteristiZi gésterilmistir.
Vos = OV icin gizilen egride, Vps artirildikga akag akiminin doyum diizeyine kadar
arttigi gériilmektedir. Daha 6nce anlatilanlardan hatirlayacaginiz gibi bosaltilmis i¢
bélge, akag-kaynak akimim simirlayacak sekilde galigir. Vgs = 0 icin bu doyma
akimi /pss olarak adlandirilir.
Kapi-kaynak gerilimi Vg; = -1V'a (bkz. Sekil 6.5 b) ayarlandiginda, Vpgy yiik-
seltildikce akim, doyum diizeyine ulasincaya kadar artar, ancak bu diizey Vg; = 0V'a
gore daha diisiik bir diizeydir; ¢iinkti V¢,; = -1V'tan dolay: kismen olusmaya bas-
layan bosaltilmis bélge, akag-kaynak akiminin daha diisiik bir diizeyinde tamamiyle
olusur.
Akac-kaynak karakteristigi, OV ila kisma gerilimi arasindaki farkli V5 degerleri
icin ¢izilen bir egriler grubudur. Kisma gerilimi, akag-kaynak akimi olmaksiniz bo-
saltulmis bélgenin olustugu ve hig akag-kaynak akiminin akmayacagi gerilimdir.
Kisma gerilimi, genelde V,, veya Vgscapany Olarak adlandirilir. Sekil 6.6'da_p-kanalli
JFET icin, akag-kaynak akimini azaltan pozitif kapi-kaynak gerilimlerine gore bir
akag-kaynak karakteristigi g6riilmektedir.

4 Ip (mA)

p-kanalli

lbss--—s

+1V

+2V

Vps (volt) Sekil 6.6 p-kanalli JFET akag-kaynak

karakteristigi.

Transfer Karakteristigi

FET karakteristiginin bir baska sekli, sabit bir akag-kaynak gerilimi Vp¢s icin,
kapi-kaynak geriliminin (Vgs) bir fonksiyonu olarak /p akag akiminin grafigi olan
transfer karakteristigidir. Transfer karakteristigi, dogrudan, elemanin ¢calisma Gl-
ciimleriyle efri izleme cihazi ekranindan izlenebilir veya Sekil 6.7'de gésterildigi
gibi akag karakteristiginden ¢cizilebilir. Gésterilen transfer eSrisinin iki 6nemli nok-
tasi [pss ve V,, degerleridir.

6.2 JFET'lerin Yapisi ve Karakteristikleri 261

 4 Ip (mA)

oss
Grafik

A 2

Egitligini temsil eder

Vp 0Ves
(volt)

sehil 6.7 JFET transfer karakteristigi

(n-kanalli).

Bu noktalar tesbit edildikten sonra efrinin geri kalani, transfer karakteristigi iize-
rinde gériilebilir veya JFET'lerde meydana gelen fiziksel siireclerin teorik in-
celemesinden elde edilebilir; ve su denklem bulunur 2
2
Ip = Ipss | 1- Yas) (6.2)
Pp
Bu formiil, Sekil 6.7'deki transfer karakteristik egrisini temsil etmektedir. Dikkat edilirse
transfer karakteristiginde gériildiigii gibi Vgs = O'da Ip = Ipss_ ve Ip = 0'da Ves = V, ‘dir.

ORNEK 6.1

Kisilma gerilimi V, = -4V, akag-kaynak doyum akimi /pss = 12mA olan bir n-
kanalli JFET'in akag akimini agagidaki kapi-kaynak gerilimleri igin bulun.
(a) Ves = OV, (b) Veg = -1.2V ve (c) Ves = -2V

Cozum:

Denklem (6.2)'yi kullanirsak:

2
(a) Ip= toss(1- Yas)’ = 12ma(1-2) = 12 mA
2
(b) Ip = 12 mA (I : 1.2) = 5.88 mA
2
(ips 12mA(I 2) =3 mA
2 Shockley denklemi JFETlerde kisma bulgesi lstii igin gegerlidir.

262 Béliim6 Alan-Etkili Transistérler

6.3 JFET TRANSFER KARAKTERISTIGININ CIZILMESI
Belirli bir JFET elemaninin galigmasim tanimlamak igin kullanilan parametreler [pss
ve Vp degerleridir. Uretici karakteristik 6zellik sayfalarindaki tipik degerler kul-
lanilabilir veya s6zkonusu JFET iizerinden 6lciilebilir.
Sekil 6.8'de Jpss degerini élgmek igin kullamilan bir devre gésterilmistir. Ves'yi
OV'a ayarlarsak, devre bir ampermetre yoluyla akag-kaynak akim1 /pss'yi Olcer. Kay-
nak geriliminin (Vpp), akag-kaynak akimim doyma diizeyine gikaracak oranda ol-
mas yeterlidir (yani kaynak gerilimi, /p'nin yiikselisi durana kadar artirilir ve ula-
silan diizey /pss olarak kabul edilir.)

Iss
——

Veg =0V - V0
uf
ut

SehilG.8 fpss'yi Glgmek igin kullanilan Seki 6.0 Vp'yi 6lgmek igin kullanilan
devre devre,

Sekil 6.9'daki devre Vp degerini 6lgmek igin kullanilabilir.

Akag-kaynak gerilimi, akag akimi 0'a cok yakin olana (veya minimum bir akim
diizeyinin altina diigene) kadar OV'tan daha biiyiik negatif degerlere dogru ayarlanir.
Akag akiminin sifir olmasini sagliyan minimum Vs gerilimi, Vesyorr) veya Vp'nin ol-
ctilen degeridir.
Ipss ve V,'nin degerleri dlciimlerle veya elemanin 6zellik sayfalarindan bu-
lunduktan sonra kullanici, de 6ngerilim hesaplarinda veya ac calisma analizlerinde
kullanilmak iizere bir transfer egrisi cizebilir.

JFET Transfer Karakteristik Egrisi

a-kanalli bir JFET'in transfer karakteristigi, yatay ekseni OV'tan V,'ye uzanan ne-
gatif degerleri ve diisey ekseni O'dan /pss'ye uzanan, /p akimini temsil eden koordinat
sistemine ¢izilebilir. Sekil 6.10 a'da Vp =-5V ve Jpss =10 mA icin bu tiir bir sistem ve-
rilmistir. Transfer karakteristigin iki noktasi gésterilmistir.

6.3 JFET Transfer Karakteristiginin Cizilmesi 263

Bu degerler Denklem (6.2) ile hesaplanir:

Vas = OV igin: Ip = Ipss (1 - 0)? = Ipss = 10 mA

2
Ip = OmA icin: 0 = 10 mA (I - Yas) ; Ves = -5V.
-5V
Ip (mA)
Ves Ip
0 10 10 —Ip¢5

+ 8

-5 0
= 6

=a

4 2

Py l | ! =
4 Vv 4 —3 —2 -1 0 Vgg (volt)

@ (a) LZ) (MA)

V,.
Vos Ip {= 10 mA(i — 8)? ] io =——=7
(V)___
TTT
(mA)
re =
ay DSS

0 10
=I 6.4 = 8
—2 3.6
—3 1.6 [rnentatner|
—4 0.4 =: 6
—5 0
ag

= 2

—|{
Vas (volt)

“Vp Sekil 6.10 JFET transfer karakteristiginin

cizilmesi.
(b)
Transfer egrisini ¢izmek icin gereken diger noktalar 0 ila Vp arasinda iki veya ti¢ ge- :
rilim degeri segilerek bulunabilir. Sekil 6.10b'de birkag gerilim degeri igin he-
saplanan /p degerleri transfer karakteristiginin tizerinde igaretli olarak gériilebilir.

264 Bélim6 Alan-Etkili Transistérler

Ardindan, Sekil 6.10b'de gésterildigi gibi, transfer karakteristiZi egrisi bu noktalar
birlestirilerek gizilir. Erinin giziminde kulanilan bu noktalar asagida gésterildigi
gibi olduk¢a kolay bulunabilir.

1. [p=Ipss oldugu Ves = OV segin:

Ves=OV Ipss= 12 mA

2. Vos =0.3 Vp segin, burada

2
Ip = Ipss (! = 0.8¥>| = Ipss (0.49) = Ipss (0.5)
P
Vos = 0.3(-4V) = -1.2V Ip
= 0.5 Ipss
= 0.5(12 mA)
=6 mA

3. Vas =0.5 Vp segin, burada

2
Pe ( 7" 05k) 225 Ines
Vp
Ves = 0.5(-4V) = -2 V Ip = 0.25 Ipss = 0.25(12 mA) = 3 mA

2
4. Vos=Vpsegin, burada = Ip = Ipss ( - te) =
P
Ves=Vp=-4V Ipn=0

___Vos Seg Tp (mA) } Ip (ma)

[0] 0 12) [ps5]
[03 Vp] -12V 6 pi
3 ae) 12 Upss]
[0.5 Vp] -2V
Vp] -4V 0 [0] 10

— 8

Ip D = 12 mA(1 Ves
-—
ay
\2 a
(ae

a Ss ie 4 | os
; I

= 2

|
4 -3 —2 —1 0 a
l | | Ves (volt)

[Vp] [0.5 ¥p] {0.3Vp)

Seki G11 pgs = l2mA, Vp = 4V igin gizilen transfer karakteristigi.

6.3. JFET Transfer Karakteristiginin Cizilmesi 265

 Sekil 6.11, yukardaki d6rt veri noktasimin transfer karakteristigi koordinat sistemi
iizerinde birlestirilmesiyle olusan e8riyi géstermektedir. Her ne kadar daha cok nok-
tayla daha dolu bir eri cizilebilse de, yalnizca dort noktanin kullanilmasi de 6n- —
gerilim veya ac calismasi i¢in birgok durumda yeterli olmaktadir.
Ves icin kullanilan d6rt nokta, /p degerlerinin, cogu kez hesap makinasin1 bile ge- —
rektirmeyecek kadar kolay hesaplanmasini salar. Onerilen degerlerin ve sonuglarin
bir listesi Tablo 6.1'de verilmistir.

Tablo 6.1

Vos Ip

0 Ipss
0.3Vp Ipss
“2
0.5Vp Ipss
4
Vp 0

6.4 JFET PARAMETRELERI

Ureticiler, JFET elemanin: tanimlamak ve farkli elemanlar arasinda segim yapmak
igin gerekli olan bilgileri saglayan bir dizi parametre verir. Tanimlanan parametlerin
nispeten daha yararli olanlardan birkagi asagida verilmistir:

‘Ipss, akag-kaynak doyum akimi.

ye

Vp = Vas (kapali), kisma veya kapi-kaynak kapama gerilimi.

BVass, akag-kaynak kisa devreyken elemanin kirilma gerilimi.
wee

&m = Sj» Clemanin gecis iletkenligi (transkondiiktans1)

Tas: Cleman acildig1 zaman goriilen akag-kaynak direnci

Elemanin giiriiltii gerilimi, agma ve kapama siiresi, gii¢ degerleri ve kapasitansi ile
ilgili bir dizi parametre de genelde iiretici karakteristik 6zellik sayfalarinda yer alir.

Akac-Kaynak Doyma Akimt [pss

Kapi-kaynak kisa devre yapildig1 zaman kanalin kapandigi (kisildig1) akim

(Ves = 0), en S6nemli eleman parametrelerinden biridir. Sekil 6.8'deki gibi bir
devreyle koyalca dlciilebilen Jpss degeri, JFET ters déngerilimliyken en_biiyiik)

266 Bélim6 Alan-Etkili Transistérler

akag akimini temsil eder. Kiiciik sinyal elemanlarinda bu akim tipik olarak mi-
liamper (mA) diizeyindedir.

Kapi-Kaynak Kapama (Kisma) Gerilimi,

Vp = Ves (kapalt)

Akac-kaynak kanalinin kapandig: veya kisildigi (yani neredeyse hig akim ge-
cirmedigi) kapi-kaynak gerilimi Vas (kapals), tiretici 6zellik sayfalarinda Vp olarak
anilir. Pratik élgiimler, kisma geriliminin, akag akiminin belirli diisiik bir diizeyinde
belirlenmesini (birkag mikro amper) gerekmektedir; ¢tinkii sifir akim veya cok
kiigiik bir akag akimi Glciilmesi zor bir degerdir. V, deSerinin Olciilmesini sag-
layacak bir devre Sekil 6.9'da gésterilmistir. Vps'nin belirli bir degerinde, Jp ki-
rilmanin gergeklestigini gésterecek yeterli kiiciikliikteki bir deere diisiinceye kadar
Ves ayarlanirken, Vgs ve Jp Olciiliir.

Kapt-Kaynak Kirilma Gerilimi BVess

Kapi-kaynak jonksiyonunun kirilma gerilimi BVgss, belirli bir akimda akac-

kaynak kisa devreyken (Vps = OV) Glciiliir. Kirilma gerilimi kapi-kaynak tizerinde
ayarlanabilecek gerilime iliskin sinirlayici bir degerdir. Bu degerin tistiine cikilmasi
durumunda eleman akimin harici bir devre tarafindan sinirlanmasi gerekir, aksi tak-
dirde eleman hasar g6rebilir. Kirilma gerilimi, akag besleme geriliminin segiminde
sinirlayici bir deger saglamaktadir.

Ortak-Kaynak ileri Gecis iletkenligi gj. = 9m

Olciilen ortak-kaynak ileri gecis iletkenligi, 2, veya 8m olarak anilir. Bu deger,

akac-kaynak kisa devreliyken 6lgiiliir; yani

Alp |
&fs =
AVGs | Vps=0
ve JFET ac yiikseltiminin bir géstergesidir. g,,'nin (veya g,) deferi, uygulanan bir
ac kapi-kaynak gerilimine bagli olarak ac akiminin ne kadar degistigini gésterir.
2m de&eri siemens (S) birimiyle Olciiliir (daha 6nce mho (© )) ve tipik degerler |
ila 10 mS veya 1000nS-10.000 uS arasindadir.
Denklem (6.2) ile verilen bagintinin tiirevi alindiginda*s

3 Denklem (6.2)'nin tiirevi Jp =/pss{1 - vast

VG. alimrsa;
9D _ - 2psst Yas) = 2pss | Va
Vas
~ OVGs IVA

6.4 JFET PARAMETRELERI 267

 &m = no ( 7 ve (6.3)

elde edilir; burada

2Ipss ,
mo = IVa (6.4)

2n0 degeri. Ves = OV'luk bir 6ngerilimde JFET'in maksimum ac kazang pa-
rametresidir. Diger Gngerilim sartlarinda gp, degeri, Denklem (6.3) ve (6.4) ile he-
saplandigi gibi, daha diisiik olur.

ORNEK 6.2

Inss = 12 mA ve V, = -4V'luk degerlere sahip bir JFET'in gecis iletkenligini (g1n),

(a) Ves = OV ve (b) Ves = -1.5V Ongerilim noktalarinda hesaplayin.

Céziim:

Denklem (6.3) ve (6.4) kullanilirsa

&m0 = 2Ipss — 2(12 mA) _ 24 x10" =6x 10° S = 6 mS = 6000 LS
lve |-4 V| |-4|

m=_ 2m0|1 Mies} =

- —2£)=6 OvV\_ mS _=
mS/1-~*})=6 60 0LS
@)e | Vp = | ay B

(b) gu = 6 mS (I - LEY) = 3.75 mS = 3750uS

Akac-Kaynak acik (iletim) Direnci, ras (acix)

Belirli bir kapi-kaynak gerilimi ve akacg akiminda Olciilen gerilim akag-kaynak

ack (iletim) direnci, JFET anahtar olarak kullanildiginda 6nem tasir. JFET, ¢a-
lismasinin doyma veya omik bélgesinde éngerilimlenmigse, aka¢g ile kaynak ara-
sinda, asag:k) de8eri ile belirtilen ve on ila birkag yiiz arasinda degisen bir direng
s6z, konusudur.

6.5 MOSFET'LERIN YAPISI VE KARAKTERISTIKLERI

Alan etkili bir transistériin gegit ucu kanaldan izole edilmis olarak yapilabilir. Po-
piiler Metal-Oksit-Yariiletken FET (MOSFET) ya kanal ayarlamal: MOSFET (Sekil
6.12a) veya kanal olugturmalt MOSFET (Sekil 6.12 b) olarak tiretilmektedir. Kana

268 Bdliim6 Alan-Etkili Transistérler

 ayarlamali tiretim tipinde kanal, fiziksel olarak olusturulur ve akag-kaynak arasina
uygulanan bir gerilim sonucu akag ile kaynak arasinda bir akim akar. Kanal olus-
turmal1 MOSFET'te kanal, cleman tiretilirken olusturulmaz. Ytik tasiyicilarindan bir
kanal olusturmak ve akag-kaynak arasina gerilim uygulandiginda akim akmasini
saglamak tizere kapiya bir gerilim uygulanmasi gerekir.

Kanal Ayarlamali MOSFET

Sekil 6.12a'daki n-kanalli kanal ayarlamali MOSFET transist6r p-tipi bir alt ta-
baka (FET yapisina temel olarak kullamlan p-katkili silisyum malzeme) iizerinde
olusturulmustur. Kaynak ve akac uclani, dahili olarak n-katkili kanal b6lgesine bag-
lanmis olan, m-katkili kaynak ve akag bélgelerine bir metal (aliiminyum) ile bag-
lanir. n-kanalinin tizerinde izolasyon katmani olarak gérev yapan silisyum dioksit
(SiO2) katmanina bir metal katman uygulanmistir. Oksit bir katman tizerine metal
gecit birlesiminin yar: iletken bir alt tabaka tizerine yerlestirilmesi kanal ayarlamali
MOSFET transistérii olusturur. Sekil 6.12a'daki m-kanal elemanda, negatif kapi-
kaynak gerilimleri kanal bélgesinden elektronlari iterek kanali bosalur ve biiyiik bir
negatif bir kapi-kaynak gerilimi kanali kisacaktrr. Ote yandan pozitif kapi-kaynak
gerilimi, kanal: genisletecek (p-tipi tasryicilari itecek) ve béylece daha ¢ok yiik ta-
sryicilarinin gecmesine. vant kanal akimunin artmasina vel acacaktr,

RY G D & G D
SiO (yalitici
2 (dielektrik)
°° LMBELLLLL
LLL LLL CLL £2 LL
, Ei cersi aces n-katkah scseiqn’ 4 oes erate

malzeme ; p-altkatman

x ——
(ay) kanal Endiiklenen
n - kanal:

Sekil 6.22) MOSHE Vin yapase: (a) ayarlamali, (by oluyturmiais. (b)

Sekil 6.13'te kanal ayarlamali bir n-kanal MOSFET elemaninin karakteristigi gés-
terilmistir. Eleman hem pozitif hem de negatif kapi-kaynak gerilimiyle ¢alisirken
gésterilmektedir. Vgs'nin negatif degerleri akag akimini kisma gerilimine kadar dii-
siirlir ve bu noktadan sonra hi¢ akag akim1 akmaz. Transfer karakteristigi negatif
kapi-kaynak gerilimleri igin aynidir, ancak Vgs'nin pozitif degerleri igin devam
eder. Kapi, Vgs'nin hem pozitif hem de negatif degerleri icin kanaldan izole edilmis
oldugundan, eleman Vgs'nin her iki polaritesiyle calistirilabilir ve hig bir durumda
kapidan akim akmaz. Sekil 6.13'deki elemanin sematik semboliinde bir alt tabaka
ucunun eklendigi (kap1, kaynak ve akag tellerine ek olarak) gériiltiyor. Bunun tize-

6.5 JFET Transfer Karakteristiginin Cizilmesi 269

 rinde eleman tipi isaretlidir; burada ok, p-tipi bir alt tabaka, dolayisiyla bir n-kanal
elemani olduguna gésterir. Kanal ayarlamali bir p-kanal MOSFET karakteristigi
Sckil 6.14'de gésterilmistir.
D
Transfer karakteristigi Z Aldgate Akag karakteristigi

|
10, 10

Veo =0V
Ipss =8.5 mA 8.5 EE ss

5 St -1V

-2V
-3V
: = J | |
4 |-3 -2. -1 0 = Yescwvolt) 0 5 10 is y
Vp =-3.5V Kosta
sehilOdd oo hanalh kanal avarlamali MOSFET karakteristikleri.

(a )
D

Substrate
} Ip (mA) ol] : 4Ip(ma) —
Ss
Ings ( i loss
In p= =l loss\! = ~ ——
7
+1V

+2V

i!) Vp Vos (volt) 0 ' Vos (volt)

(b)
sekil O14 p-kanallt kanal olugturmalh MOSFET: (a) yapisi; (b) Karakteristikleri

270 Bolim6é Alan-Etkili Transistérler

ORNER 6.3

Kanal ayarlamali bir MOSFET, /pss = 12 mA ve Vp = -4.5V degerlerine sahiptir.

Akac¢ akimini (a) OV (b) -2V ve (c) -3V'luk kapi-kaynak gerilimleri igin he-
saplayin.

Cozum:

Denklem (6.2)'yi kullanirsak:

(a) In = Inss| - Yas) - 12 mA (1 Ov) = 12 mA

Vp 4.5V
(b) fp =12 ma (I eal = 3.7 mA
45V
(c) In= 12 mA(I -=3v_) = 133 mA
45V

Kanal Olusturmali MOSFET

Sekil 6.15'deki kanal olusturmal: MOSFET, akag ile kaynak arasinda temel eleman
yapis1 olarak bir kanala sahip degildir. Pozitif bir kapi-kaynak geriliminin uy-
gulanmasi, kapinin altindaki alt tabakadaki delikleri iterek bogaltilmis bir bélge olus-
masini saglar. Kapi gerilimi yeterince pozitif oldugu zaman elektronlar, bu bosaltilmig

RY G(+) D

V'den bityik ia
pozitif kap . Spe
geriliminin olusturdugu | = ~ Bogaltilmig bélge
n- kanal a”

Seki GS Kanal olugturmali MOSFET iginde olugan a-kanal

bélgeye cekilir ve akag ile kaynak arasinda bir n-kanali olarak gérev yapar. Buradan
olusan -kanal, kanal olusturmali MOSFET karakteristigi Sekil 6.16'da gsterilmistir.
Kapi-kaynak gerilimi Vr esik degerini asincaya kadar akag akim: akmayacaktir. Bu
esik degerini asan pozitif gerilimler, artan bir akag akimina yol acacaktr; transfer ka-

6.5 JFET Transfer Karakteristiginin Cizilmesi 271

 rakteristiginin denklemi ile verilmistir, burada K (tipik olarak 0.3 mA/V?) elemanin ya-
pisina iligkin bir degerdir.4 Dikkat edilirse, Ves = OV ile hig akag akimi

Ip = K(V@s - Vr)? (6.5)

akmadigindan kanal olusturmal: bir MOSFET ile ilgili bir Jpss5 degeri yoktur. Her ne
kadar kanal olusturmalt MOSFET ¢alisma araligi bakimindan kanal ayarlamali ele-
mana gore daha kisith olsa da, kanal olugturmal: eleman daha basit yapisi ve daha kiigiik

j Tp (mA) | }— Altkatman 4 /,, (mA)

4.5

8 Ves =6V
Ip = KVgg — Vry

3.0
i 5V

r 4V

3V
ss =
Vr 5 Vgs (volt) Vps (volt)

Sekil.i -kanalh Kanal olugturmal MOSFET iliskin karakteristikler,

dlgiileri dolayisiyla, biiyiik ¢apli entegre devreler igin daha uygun bir elemandir,
Kanal olusturmal: clemanin sematik semboliinde akag ile kaynak arasinda bas-
langicta bir kanalin olmadigini belirten kesik bir gizgi gériiliir. Alt tabaka ug oku p--
tipi bir alt tabakay: ve n-tipi bir kanali gésterir. P-kanal kanal olusturmal: MOS-
FET'ler de iiretilebilmektedir. Bu tiir bir eleman ve karakteristiZi Sekil 6.17'de gés-
terilmistir.

4 Denklem (6.5%; yalmizea IVesl > Ive olmast halinde gegerlidir.

272 Bélim6 Alan-Etkili Transistérler

 LLL)
PORES Sener DES
n-altkatmam

(a)

Ip (mA)

Vr. 9 ¥,. wot) . Vps évolt)

(b)

SehihO.07 p-kanallt Kanal olugturmall MOSFET: (a) yapisi; 5b) karakteristikleri

ORNEK 6.4

N-kanalli kanal olugturmali, esik degeri 2.5V olan bir MOSFET icin asagidaki
gecit-kaynak gerilimlerinde akan akim degerlerini bulun:

(a) Ves = 2.5 V (b) Ves = 4V.(c) Ves = 6V

Cozum:

K = 0.3 mA/V? deSerini Denklem (6.4)'te yerine koyarsak:

(a) In=0.3x 103 (Ves - Vr)? =0.3 x 103 (2.5 - 2.5 =O mA

(b) Ip =0.3 x 10° (4 - 2.5)2 = 0.675 mA
(c) In=0.3 x 10° (6 - 2.5)2 = 3.675 mA

6.5 JFET Transfer Karakteristiginin Cizilmesi 973

 Bir JFET veya kanal ayarlamali MOSFET icin oldugu gibi kanal olusturmal: bir
MOSFET icin de bir aktarma iletkenligi degeri bulunabilir; bu durumda ge¢erli olan
baginti5

&m = 2K(Voes - Vr) (6.6)

ile verilmistir.

ORNEK 6.5

Vy = 3V'luk esik degerine sahip kanal olusturmali bir n-kanal MOSFET'in gecis
iletkenligini asagidaki calisma noktalari igin bulun: (a) 6V ve (b) 8V.

Coézim:

(a) 2m = 2.3 x 107)(6 - 3) = 1.8 mS

(b) gn = 2(0.3 x 10°)(8 - 3) =3 mS

6.6 KARAKTERISTIK OZELLIKLER SAYFALARI

Bir JFET'in karakteristik 6zellikler sayfas1 6nem tasiyan bir dizi elektriksel ka-
rakteristik ve anma degerleri konusunda bilgi saglamaktadir. Sekil 6.18'de say-
falarinda bulunabilecek tipik bilgiler gériilmektedir. Mutlak maksimum anma de-
gerleri agagidaki gibi bilgiler saglamaktadir.

Maksimum Akag-Kaynak Gerilimi = 30 V

Buna esit veya altindaki besleme gerilimleri JFET elemaninin giivenli galigmasini
saglayabilecektir.

25°C'de toplam gii¢ harcamasi = 360 mW

Transistériin oda sicakhginda harcadigi maksimum gii¢ 360 mW'a esit veya daha
diisiik olmalidir. OmeSin Vos = 20V ve Ip = 8mA Sngerilim kosulunda harcanan gii¢;

Ss a
Denklem (6.5)'in tirevinden:

_ _ ap
am Ves =2K (V@s- Vr)
burada K = 0.3% 10 AV? (ipik) = 0.3 marVv2,

974 Bélimé6 Alan-Etkili Transistérler

 maksimum /p = maksimum Pp _ 360 mW _ 12 mA
maksimum Vps 30 V

olacaktrr; bu da 360 mW'luk maksimum anma degerin olduk¢a altindadir. Aslinda

30 V'taki maksimum akim;

BV ess = -30 Vv

olacakur. Verilen elektriksel karakteristikler arasinda, kapi-kaynak uglan iizerinde

Kaynak

Gegit
~ —=)

(a)
Mutlak maksimum anma degerleri (25°C serbest hava sicakliginda)

Akac-Kap1 gerilimi 30 V
Ters y6nde Kapi-Kaynak Gerilimi -30 V
ileri Yénde Siirekli Kap1 Akimt 10mA
Transist6r Siirekli Harcama Giicti (25°C (veya daha diisiik) Serbest
Hava Sicakh finda) 360 mW
Transist6r Stirekli Harcama Giicii (25°C (veya daha diigiik) Bacak
Sicakliginda 500 mW
Saklama Sicaklik Araligi -65°C ile 150°C
(b)

Elektriskel karakteristikler (25°C serbest haya sicakliginda)

PARAMETRE MIN. MAKS.

BVGss__ Kapi-Kaynak Kirilma Gerilimi -30V
VGs¢kapali), _Kapi-Kaynak Kapanma Gerilimi -2.5V -6V
pss Sifir Gecit Geriliminde Akag Akim1 10 ma 15 mA
ds(asik)—Kiigiik-Sinyal Akag-Kaynak Acik-
Durum Direnci 2100
Ye Kiictik-Sinyal Ortak-Kaynak ileri
Transfer Admitansi 3.5uS 7.5 uS
Yos Kiigiik-Sinyal Ortak-Kaynak Cikis
Admitansi 75 uS

(c)
Sekil 6.18 2N5950 JFET iliskin dzellik bilgileri: (a) elemanin bacaklart; (b) mutlak maksimum anma de-
gerleri; (c) tipik elektriksel karakteristik bilgileri.

jonksiyonun ters éngerilim yéniinde kirildigi tipik kirilma gerilimini tanmlayan

6.6 Karakteristik Ozellikleri 275

 gerilimi
Vps = 15 V'luk bir akag-kaynak geriliminde 6lgiilen kapi-kaynak kirtlma
Vp'yi tanimlayan
Vsckapat) =-2.5 ile -6V

Vas = OV ve Vps = 15 V degerlerde 6lgiilen doyum durumundaki akag akimint ta-

nimlayan

Ipss = 15 mA (maksimum)

gibi degerler sayilabilir.

Bir diger parametre de kiigiik ac sinyalleri igin akag-kaynak direncini tanimlayan

Nasagik) = 210 Q (maksimum)degeridir.

6.7 CMOS
Temel olarak sayisal devrelerde kulanilan ve oldukga yaygin olan bir baflant, kanal
olusturmali pMOS ve nMOS transistérlerini tiimler veya diger adiyla CMOS ele-
manda birlestiren bir baglantidir. Sekil 6.19'da temel CMOS baflantisi gis- —
terilmistir. Girig, pMOS ve nMOS transistérlerinin ortak gecitlerine baglidir. Pozitif —
bir girig gerilimi pMOS'u kapali, nMOS'u acik duruma getirerek, gikista OV ve-
recektir. Diisiik degerli bir giris gerilimi buna karsilik pMOS'u acik, nMOS'u kapali
duruma getirerek, ¢gikis gerilimini +Vpp'ye gikaracakur. Giris ve cikis gerilimleri
arasindaki iligkiyi g6steren bir grafik Sekil 6.20'de gésterilmistir.

V pp (+5 V)
5

Gitis Cikig pMOS

ae

Vs5
a(OV “= 14 a
H
SL: VHHHHLLL: ma OLILLLLL: OHA — SiO, Giris — i Crkig
: é = as ao

Altkatman : |

(a)
OV
(b) =
Sckilé.19 Temel CMOS baglantist.

276 B6lim6 = Alan-Etkili Transistérler

 Sekil 6.20 CMOS‘un giris/gikiy
iligkist.

Giris gerilimi diisiik oldugu zaman nMOS transistérii kapali kalirken pMOS tran-
sist6rii agik duruma 6ngerimlenir ve ¢ikis besleme gerilimi diizeyi, +Vpp'ye cikar. Giris
gerilimi arttikca, Sekil 6.20'de gésterildigi gibi, giris gerilimi nMOS transist6riinii_ agik
hale getirecek diizeye ulasincaya kadar durum korunur. Daha sonra g¢ikis gerilimi,
pMOS elemani tamamen acgilip ve nMOS transistériin kapanmaya baslarken hizla OV'a
diiser.
Gerilimin +Vpp'den OV'a diistiiZii veya OV'tan +Vpp'ye yiikseldigi kisa bir siire
disinda, pMOS ve nMOS transistérlerinin seri baglantisindaki transistérlerinden biri
kapalidir ve besleme kaynagindan akim ¢ekilmez. Yiiksek ve alcak cikis diizeyleri
arasinda kalan kisa anahtarlama siiresi disinda (yani biri agik digeri kapali duruma
gecerken her iki transist6riin acik oldugu stire disinda) CMOS devresi besleme kay-
nagindan giig cekmeden yiiksek veya alcak ¢ikis ile calismaktadir. Aslinda bir
CMOS devresinin giig tiiketimi de kosullarinda sifir olup, uygulanan sinyalin fre-
kansiyla birlikte devre daha sik anahtarlama yaptigindan bu tiiketim artacaktir.
CMOS'lar agirlikli olarak sayisal devrelerde kullanilir ve besleme kaynagindan
¢ok az gii¢ gekerken OV veya +5V'luk bir ¢ikis saglar. Diisiik gii¢lii entegre dev-
relerin cogunlugu CMOS transistérleri ile yapilmistir.

sSLEMLER
~~
>

1, Eleman parametreleri V, = -3V ve Jpss = 8mA olan bir n-kanal JFET'in aka¢
akimini, asagidaki kapi-kaynak gerilimleri icin hesaplayin: (a) -1V, (b) OV, (c)
-2V.

Bolum6 PROBLEMLER 277