Unión PN

Javier Corral Sertal

Campus Vida, Universidade de Santiago de Compostela, Rúa de José María Suárez Núñez, s/n, 15705
Santiago de Compostela, A Coruña
E-mail: javier.corral@rai.usc.es

Abril 2022

Resumo. O obxectivo da práctica versa na análise do comportamento dunha homounión PN de Si

a temperatura ambiente (T = 300 K) baixo condicións de equilibrio e baixo unha tensión externa
en polarización directa (VA = 0.25 V ) e inversa (VA = −0.2 V ). No primeiro caso estudarase unha
homounión simétrica e no segundo unha homounión asimétrica e compararanse os resultados extraídos
do marco teórico coas simulacións efectuadas mediante a aplicación Nanohub Abacus-PN Junction Lab.

1. Introdución

A meirande parte dos dispositivos de estado sólido no mercado actual son semicondutores [1]. Un
semicondutor é un tipo de material que se caracteriza por ser aillante a baixas temperaturas pero permitir
o paso da corrente con excitación térmica, é dicir, caracterízanse por un band gap (Eg ) non demasiado
extenso (Eg ∈ (0.5 − 2) eV ).
Unha unión PN é un cristal semicondutor con dúas partes, unha dopada tipo P e outra tipo N[2].
Debido ás características que lle outorga a unión metalúrxica entre ambas dopaxes, estes dispositivos
teñen múltiples aplicacións, entre as cales se atopan rectificadores, dispositivos de alta velocidade, células
solares ou LEDs.
Neste traballo simúlase unha unión PN de Si con ambas partes dunha lonxitude de 10 µm . Asumirase
un modelo unidimensional no cal as variables só varían rapidamente nunha dirección (x). A orixe de
coordenadas situarase no contacto óhmnico do lado P, fixando a unión en x = 10 µm e o contacto
óhmnico do lado N en x = 20 µm. Na primeira simulación compararase a situación de equilibrio coa de
aplicación dunha tensión de polarización directa, é dicir, a corrente flúe do lado P ao N a través da unión.
Este caso disporá dunha dopaxe simétrica a ambos lados da unión (NA = ND = 3.9 · 1016 cm−3 ), sendo
NA a concentración de impurezas aceptoras e ND a concentración de impurezas dadoras. Na segunda
simulación cotexarase a situación de equilibrio coa de aplicación dunha tensión de polarización inversa,
onde o paso da corrente é dende o lado N ao P a través da unión. Este último caso caracterizarase
por dopaxes asimétricos a ambos lados da unión (NA = 3.9 · 1017 cm−3 e ND = 3.9 · 1016 cm−3 ). En
ambas simulacións extraeranse resultados sobre as bandas de enerxía, dopaxe, densidade de carga e de
portadores, potencial electrostático, campo eléctrico e sobre a resposta I-V da unión.

2. Metodoloxía

O estudo realizarase no marco do modelo de bandas de enerxía, o cal supón que os estados atómicos
no modelo de Bohr se desdobran en presenza dunha perturbación externa resultando nun ancheamento
das enerxías permitidas e dando lugar a dúas bandas de enerxía permitidas separadas por un band gap
de enerxías prohibidas (Eg ). A banda de maior enerxía é a banda de condución (BC), sendo a súa enerxía
EC , e a de menor enerxía a banda de valencia (BV), con enerxía EV .
Baixo condicións de equilibrio a distribución de portadores nun semicondutor vén representada pola
función de distribución Fermi-Dirac, a cal, no caso de semicondutores non dexenerados (diferenza entre o
nivel de Fermi (EF ) e a BC ou BV non superior a 3kB T ) pode aproximarse pola función de distribución
de Maxwell-Boltzmann
E−EF
−
fM −B = e kB T
(1)
Unión PN 2

Baixo a aproximación de Boltzmann, a concentración de portadores intrínsecos (ni ) no equilibrio

pode obterse por integración do produto da densidade de estados pola ocupación dos mesmos ata a
enerxía do nivel de Fermi intrínseco (Ei ), con resultado

me,h kB T 3/2
Eg
 ∗ 
−
p
ni = NC NV · e 2kB T con NC,V = 2 (2)
2π~2
onde m∗e,h son as masas efectivas de electróns e ocos no fondo e cume das BC e BV respectivamente.
No nivel intrínseco cúmprese que a concentración de electróns é igual á de ocos e igual á concentración
intrínseca. Esta suposición, dentro da aproximación de non dexeneración, permite obter o nivel intrínseco
como
 ∗
EC 3 mh
Ei − EV = + kB T · ln (3)
2 4 m∗e
+
Asumindo dopaxe uniforme das rexións masivas e ionización total das impurezas (nn0 ≈ ND ≈ ND ,
−
pp0 ≈ NA ≈ NA ), onde nn0 e pp0 son as concentracións de electróns e ocos na parte N e P no equilibrio
respectivamente, a enerxía de Fermi pode obterse segundo
   
NA ND
P : EF − Ei = −kB T · ln N : EF − Ei = kB T · ln (4)
ni ni
O nivel de Fermi especifica as concentracións dos portadores baixo condicións de equilibrio. Por
contra, fóra do equilibrio (VA 6= 0) as concentracións dos portadores varían coa posición polo que non se
pode definir un único nivel de Fermi. Desta idea xorden os cuasi-niveis de Fermi de electróns e ocos (FN ,
FP ), os cales poden calcularse nas rexións masivas segundo
   
NA ND
FP − Ei = −kB T · ln FN − Ei = kB T · ln (5)
ni ni
A rexión de transición entre as zonas P e N nunha unión PN recibe o nome de rexión de baleiramento
(RB) debido a que o número de portadores móbiles vese enormemente reducido en comparación coas
rexións masivas afastadas da unión. Debido á redución das concentracións dos portadores maioritarios,
na RB deberá xerarse unha densidade de carga neta que implique, debido á lei de Gauss, a existencia dun
campo eléctrico e por tanto dunha diferenza de potencial. O potencial que se xera na RB en equilibrio
térmico (EF = cte) recibe o nome de potencial de contacto (Vbi ), o cal se pode obter segundo
 
kB T ND NA
V bi = · ln (6)
q n2i
As solucións cuantitativas para a densidade de carga (ρ), campo eléctrico (ξ) e potencial (Vj ) a través
da unión PN baixo condicións de equilibrio térmico céntranse na resolución da ecuación de Poisson. A
resolución da mesma precisa de simplificacións entre as cales se adopta a aproximación de baleiramento
(AB), a cal considera que os portadores mobiles son moitos menos cás concentracións de dadores e
aceptores na RB e que o dispositivo é neutro en calquera outra rexión. É dicir,

 −qNA −xp ≤ x ≤ 10 µm
ρ= qND 10 µm ≤ x ≤ xn (7)
0 x > xn , x < −xp


onde xn e xp son as anchuras das RB na parte N e P respectivamente.

A introdución da AB na ecuación de Poisson leva a que o campo eléctrico ten a forma
 qNA
 − kS 0 (x − (10 − xp )) −xp ≤ x ≤ 10 µm
qND
ξ= (x − (10 + xn )) 10 µm ≤ x ≤ xn (8)
 kS 0
0 x > xn , x < −xp
onde 0 = 8.8541878176 · 10−14 F cm−1 é a permitividade eléctrica do baleiro e kS a permitividade
relativa que, para o caso do Si toma o valor[2] kS = 11.8. O valor máximo do campo obtense na unión
metalúrxica
qND qNA
ξmax = − xn = − xp (9)
k S 0 k S 0
Unión PN 3

Integrando o campo eléctrico e tendo en conta a aplicación dunha tensión externa VA , obtense o
potencial ao longo da unión PN, con resultado
x < −xp

 0
 qNA 2

2kS 0 (x − (10 − x p )) −x p ≤ x ≤ 10 µm
V = qND 2 (10)
(V − V ) − (x − (10 + x )) 10 µm ≤ x ≤ xn
 bi A 2kS 0 n


Vbi − VA x > xn
De 9 obtense que xp NA = xn ND , e, aplicando continunidade en 10, acádanse expresións para xn , xp
e para a anchura da RB (W)
s s
2kS 0 (Vbi − VA )NA 2kS 0 (Vbi − VA )ND
xn = xp = W = xn + xp (11)
qND (ND + NA qNA (ND + NA
Na dedución da ecuación do díodo ideal para obter unha relación I-V asúmese, aparte de todo o
anterior, condicións de estado estacionario (EE) e un baixo nivel de inxección (BI), é dicir, os cambios
nas concentracións de portadores son moito menores cá concentración dos maioritarios no equilibrio
(∆n, ∆p  nn0 , pp0 ).As concentracións de portadores minoritarios en equilibrio veñen dadas pola lei de
acción de masas:
n2i n2i
n p0 = p n0 = (12)
pp0 n n0
Situando novas orixes de coordenadas en −xp (0”) e en xn (0’), as concentracións de portadores
minoritarios en función da distancia veñen dadas por
 qV 
A 0
0
pn (x ) = pn0 + pn0 e kB T
− 1 e−x /LP (13)
 qV 
A 00
00
np (x ) = np0 + n p0 e kB T
− 1 e−x /LN (14)

onde LN,P son as lonxitudes depdifusión dos portadores minoritarios na rexión N e P respectivamente, as
cales veñen dadas por LN,P = DN,P τn,p , con DN,P o coeficiente de difusión de portadores minoritarios
na rexión N e P respectivamente, obtido por medio da relación de Einstein DN,P = µn,p kBq T , con mun,p a
mobilidade de electróns e ocos respectivamente; e τn,p o tempo de vida media dos portadores minoritarios
nas rexións N e P respectivamente.
Asúmese que na RB non existe nin xeración nin recombinación, polo que a corrente ao longo da
mesma é constante. Polo tanto, a corrente total será a suma
   qV 
DN DP A
J = JP (xn ) + JN (−xp ) = q np + pn e kB T
−1 (15)
LN 0 LP 0

3. Resultados e discusión

Ao longo da discusión empregaranse os valores das constantes físicas recollidas en [3]. Todo o estudo
efectuarase a temperatura ambiente (T = 300K), para a cal o valor do gap de Si é[4] Eg = 1.1242 eV .
As masas de electróns e ocos tomaranse de [2], con valores m∗e = 1.18m0 e m∗h = 0.81m0 e tomarase
unha vida media dos portadores τn = τp = 1 · 10−10 s por ser o valor que toma a simulación. A 300 K, a
condición de non dexeneración é
EF − EV , EC − EF < 3kB T = 0.076 eV (16)

3.1. Unión simétrica

Na táboa 1 recóllense os resultados teóricos e simulados para unha unión simétrica dopada con
ND = NA = 3.9 · 1016 cm−3 de impurezas. Atendendo a [1], as mobilidades de electróns e ocos a estas
concentracións son µn = 1050 cm2 V −1 s−1 e µp = 390 cm2 V −1 s−1 , obtendo uns coeficientes de difusión
DN = 27.14 cm2 s−1 e DP = 10.08 cm2 s−1 .
Vese claramente como se cumpre a condición de non dexeneración (16) pois |EV | > 3kB T na BV
e |EC | > 3kB T na BC. Os diferentes valores de enerxías calculáronse en base ás ecuacións 3, 4 e 5 e
referenciando os resultados a EF no equilibrio e a FN baixo polarización para facer coincidir os resultados
Unión PN 4

cos simulados. Na táboa 1 obsérvase a boa correspondencia dos resultados teóricos coa simulación, tanto
en equilibrio como coa aplicación do potencial. As representacións dos diagramas de bandas recóllense
nas figuras A1.c e A1.d.
As anchuras da rexión de baleiramento obtéñense por inspección das figuras A1.e ou A1.f xa que
se observará unha variación tanto na densidade de carga como na densidade de portadores maioritarios
cando se entra na RB. Os valores tomados da simulación son aqueles nos que se comeza a observar un
cambio apreciable, polo que están suxeitos a un grande erro.
O potencial de contacto Vbi e potencial total da unión Vj tomados da simulación son a diferenza entre
o potencial na parte P e na parte N. Vese como, atendendo aos valores amosados na táboa 1, concordan
cos valores obtidos mediante 6 e 10. As situacións de equilbrio e de polarización amósanse na figura A1.b
O campo eléctrico máximo estímase segundo 9 e compárase co valor mínimo da figura A1.a. Vese
como en ambos casos a orde de magnitude é correcta mais que para o caso de polarización existe unha
desviación con respecto do valor simulado.
Podería tratar de estimarse a concentración de portadores minoritarios na fronteira da RB mais como
non se coñece exactamente a posición da mesma na simulación non se pode determinar con exactitude a
concentración dos minoritarios. Segundo as ecuacións 14 e 13, a variación de portadores debido á voltaxe
VA = 0.25 V en −xp e en xn é
∆n(−xp ) = ∆p(xn ) = 3.11 · 107 cm−3 (17)
valor que coincide en boa medida co observado na figura A1.f
Finalmente, na figura A1.g obsérvanse as representacións das relacións V-J tanto teóricas como
experimentais. Para entender a gran diferenza observada nas tendencias debe facerse referencia ao valor
da densidade de corrente de saturación inversa J0 para estas condicións:
J0 = 2.64 · 10−10 A cm−2 (18)
Obsérvase que este valor é ínfimo polo que para acadar unha corrente tan grande como a que se
amosa na simulación precisaríanse voltaxes moi elevadas. Na táboa 1 recóllense os valores máximos de J
para ambos casos, é dicir, a V = 0.25 V , resaltando así a gran diferencia entre os modelos considerados
para as características V-J da unión.

Táboa 1. Resultados teóricos e simulados para semicondutor simétrico en equilibrio e polarización directa.
As enerxías en equilibrio referéncianse a EF e baixo polarización a FN .

NA = ND = 3.9 · 1016 cm−3

Teóricos Simulados
Equilibrio

P: EC | EV | Ei | EF (eV ) 0.97 | − 0.16 | 0.40 | 0.00 0.96 | − 0.16 | 0.39 | 0.00

N: EC | EV | Ei | EF (eV ) 0.17 | − 0.95 | − 0.40 | 0.00 0.17 | − 0.95 | − 0.39 | 0.00
xp | xn | W (µm) 0.12 | 0.12 | 0.23 0.13 | 0.13 | 0.26
Vbi (V ) | ξmax (V cm−1 ) 0.79 | − 6.9 · 104 0.78 | − 6.9 · 104

Teóricos Simulados

P: EC | EV | Ei | FP (eV ) 0.72 | − 0.40 | 0.16 | − 0.24 0.71 | − 0.41 | 0.14 | − 0.25

VA = 0.25 V

N: EC | EV | Ei | FN (eV ) 0.17 | − 0.95 | − 0.40 | 0.00 0.17 | − 0.95 | − 0.39 | 0.00

xp | xn | W (µm) 0.10 | 0.10 | 0.19 0.09 | 0.09 | 0.18
Vj (V ) | ξmax (V cm−1 ) 0.54 | − 5.7 · 104 0.54 | − 5.1 · 104
Jmax (A cm−2 ) 4.18 · 10−6 1.33 · 10−3

3.2. Unión asimétrica

Na táboa 2 recóllense os resultados teóricos e simulados para unha unión asimétrica dopada con
NA = 3.9 · 1017 cm−3 e ND = 3.9 · 1016 cm−3 de impurezas. Atendendo a [1], as mobilidades de electróns
e ocos a estas concentracións son µn = 1050 cm2 V −1 s−1 e µp = 320 cm2 V −1 s−1 , obtendo uns
coeficientes de difusión DN = 27.14 cm2 s−1 e DP = 8.27 cm2 s−1 .
Obsérvase de novo como se cumpre de novo a condición de non dexeneración pois de novo
|EV | > 3kB T na BV e |EC | > 3kB T na BC. O procedemento é igual ao caso simétrico, onde se
empregaron as mesmas expresións e se volveu a referenciar ao nivel de Fermi EF ou ao pseudo-nivel
de Fermi de electróns FN . Obsérvase de novo unha gran coincidencia nso resultados teóricos e simulados.
As súas representacións recóllense nas figuras A2.c e A2.d.
Unión PN 5

As anchuras da rexión de baleiramento obtéñense de novo por inspección das figuras A2.e ou A2.f. Os
valores tomados da simulación volven a ter un grande erro debido a que os resultados son moi pequenos
e volven a tomarse segundo se observe un cambio apreciable na concentración ou carga.
O potencial de contacto Vbi e potencial total da unión Vj tomados da simulación son a diferenza entre
o potencial na parte P e na parte N. Vese como, atendendo aos valores amosados na táboa 2, concordan
cos valores obtidos mediante 6 e 10. As situacións de equilibrio e baixo polarización amósanse na figura
A2.b
O campo eléctrico máximo estímase segundo 9 e compárase co valor mínimo da figura A2.a. Vese
como a concordancia de resultados en ambos casos é moi satisfactoria.
De novo, a única estimación que se fai da concentración de portadores minoritarios debido á voltaxe
VA = −0.2 V na fronteira da RB é a través das ecuacións 14 e 13, con resultado
∆n(−xp ) − 1.96 · 102 cm−3 ∆p(xp ) = −1.96 · 103 cm−3 (19)
o cal implica que a teoría predí que, para esa tensión, os portadores minoritarios esgótamse na RB. Este
comportamento non se acaba de observar na figura A2.f pois en ningún intre se anula ningunha das
concentracións malia achegarse a 0.
Finalmente, na figura A2.g obsérvanse as representacións das relacións V-J tanto teóricas como
experimentais. Calculando de novo o valor da densidade de corrente de saturación inversa J0 para estas
condicións:
J0 = 1.07 · 10−10 A cm−2 (20)
Este valor é 5 ordes de magnitude inferior ao que recolle a simulación. É dicir, a simulación considera
procesos a maiores que aumentan a densidade de corrente en contraposición ao marco teórico.

Táboa 2. Resultados teóricos e simulados para semicondutor asimétrico en equilibrio e polarización directa.
As enerxías en equilibrio referéncianse a EF e baixo polarización a FN .

NA = 3.9 · 1017 cm−3 ; ND = 3.9 · 1016 cm−3

Teóricos Simulados
Equilibrio

P: EC | EV | Ei | EF (eV ) 1.02 | − 0.10 | 0.46 | 0.00 1.02 | − 0.10 | 0.45 | 0.00

N: EC | EV | Ei | EF (eV ) 0.17 | − 0.95 | − 0.40 | 0.00 0.17 | − 0.95 | − 0.39 | 0.00
xp | xn | W (µm) 0.016 | 0.16 | 0.18 0.016 | 0.15 | 0.166
Vbi (V ) | ξmax (V cm−1 ) 0.85 | − 9.6 · 104 0.84 | − 9.6 · 104

Teóricos Simulados

P: EC | EV | Ei | FP (eV ) 1.22 | 0.10 | 0.65 | 0.20 1.22 | 0.10 | 0.65 | 0.20

VA = −0.2 V

N: EC | EV | Ei | FN (eV ) 0.17 | − 0.95 | − 0.40 | 0.00 0.17 | − 0.95 | − 0.39 | 0.00

xp | xn | W (µm) 0.018 | 0.18 | 0.20 |0.017 0.18 | 0.197
Vj (V ) | ξmax (V cm−1 ) 1.05 | − 1.1 · 105 1.04 | − 1.0 · 105
Jmax (A cm−2 ) −1.07 · 10−10 −2.55 · 10−5

4. Conclusións

Os resultados recollidos ao longo do presente informe amosan unha serie de resultados interesantes.
Existe unha boa correspondencia no cálculo das diferentes enerxías que caracterizan ao modelo de
bandas (ecuacións 3, 4 e 5) con respecto das simuladas tal e como se observa nos cadros 1 e 2.
Respecto do campo (figuras A1.a e A2.a) e potencial eléctrico (figuras A1.b e A2.b) obsérvase como
o campo eléctrico é nulo fóra da RB e negativo na mesma por tratarse dunha unión PN. O potencial é
nulo na rexión P ata acadar un valor máximo de Vj logo da unión, onde Vj é o potencial da unión.
Tamén se pode observar que en ambos casos se cumpre a hipótese de baixo nivel de inxección
∆n, ∆p  nn0 , pp0 e que a concentración de maioritarios fóra da RB apenas sufre variación algunha.
A maior disconformidade aparece ao analizar o comportamento V-J en ambas polarizacións.
Obsérvase como a teoría predí correntes moito menores ás amosadas na simulación. Un primeiro feito a ter
en conta é a concentración de minoritarios presentes nas RB, as cales, na simulación, non son constantes,
tal e como se aproxima na teoría. Isto provoca que a corrente non vaia a ser constante na RB e polo tanto
existan desviacións da idealidade. O simulador permite estimar as taxas de recombinación e xeración de
portadores, observando que na RB a xeración non é nula, o cal evidencia o aumento pausible na corrente
observada.
Unión PN 6

Pódese concluír que a aproximación do díodo ideal resulta aceptable para a estimación da meirande
parte das magnitudes mais non se debe esquecer que se trata dunha aproximación.

Bibliografía
[1] Robert F Pierret and Gerold W Neudeck. Advanced semiconductor fundamentals, volume 6. Addison-Wesley Reading,
MA, 1987.
[2] García Loureiro A J. Apuntes electrónica física 2021-22.
[3] Constante física. https://es.wikipedia.org/wiki/Constante_f%C3%ADsica. Accessed: 28-03-2022.
[4] W Bludau, A Onton, and W Heinke. Temperature dependence of the band gap of silicon. Journal of Applied Physics,
45(4):1846–1848, 1974.
Unión PN 7
Unión PN 8

Appendix A. Figuras

(a) Campo eléctrico unión simétrica (b) Potencial electrostático unión simétrica

(c) Bandas de enerxía unión simétrica en equilibrio (d) Bandas de enerxía unión simétrica VA = 0.25 V

(e) Densidade de carga unión simétrica (f) Densidade de portadores unión simétrica

(g) Relación V-J VA = 0.25 V

Figura A1. Características dunha unión PN simétrica en equilibrio e polarización directa (V=0.25 V) con
NA = 3.9 · 1016 cm−3 e ND = 3.9 · 1016 cm−3
Unión PN 9

(a) Campo eléctrico unión asimétrica (b) Potencial electrostático unión asimétrica

(c) Bandas de enerxía unión asimétrica en equilibrio (d) Bandas de enerxía unión asimétrica VA = −0.2 V

(e) Densidade de carga unión asimétrica (f) Densidade de portadores unión asimétrica

(g) Relación V-J VA = −0.2 V

Figura A2. Características dunha unión PN asimétrica en equilibrio e polarización inversa (V=-0.2 V) con
NA = 3.9 · 1017 cm−3 e ND = 3.9 · 1016 cm−3