112-1 積體電路製程技術 期末考 學號：

姓名：

1. (a) 就原子或分子排列的程度區分，半導體材料區分為那三種晶體型式？

(b) 請說明單晶矽的製作有哪兩種製程，並且比較這兩種製程的差異性？(10%)

(c) 請說明在矽基板上磊晶矽的製作過程。(10%)

2. (a) SOI 的全名及其目的為何？

(b) 請說明鍵結 SOI 技術。
3. (a) 請列出 3 種加熱製程。
(b) 在生長 SiO2 的過程中，為何會有懸浮鍵產生？要如何降低懸浮鍵？
(c) 比較濕式及乾式氧化製程的機構、成長速度、應用上的區別。(10%)
(d) 請說明溫度及壓力如何影響氧化製程。
(e) 請說明離子佈植後退火的重要性。

4. (a) 描述並繪出微影技術中，使用正光阻及負光阻（Negative Photoresist）於曝光、

顯影蝕刻後薄膜形成之圖案，假設結構層為： 光阻/薄膜/基板 (10%)
(b) 請解釋解析度、景深，並說明有哪些參數會影響及如何影響這兩項。(10%)

5. (a) 請說明什麼是蝕刻選擇性及蝕刻速率。
(b) 如何在 Si 基板上生長單晶矽？
(c) 列出電漿中的三種重要碰撞並說明它們的重要性。