-1

Chöông 0:
MẠCH KHUẾCH ĐẠI FET

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM

 NOÄI DUNG

◼ Nguyeân lyù hoaït ñoäng

◼ Maïch phaân cöïc (DC)

◼ Maïch tín hieäu nhoû (AC)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 2

 3.1 Nguyeân lyù hoaït ñoäng

◼ Ñaëc ñieåm - Phaân loaïi - Kyù hieäu

◼ FET keânh n

◼ FET keânh p

◼ Caáu taïo vaø hoaït ñoäng phaân cöïc

◼ JFET

◼ MOSFET (IGFET)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 3

 Ñaëc ñieåm – Phaân loaïi – Kyù hieäu

◼ Keânh baùn daãn ñöôïc ñieàu khieån bôûi ñieän aùp.

◼ FET keânh p
◼ FET keânh n
◼ 3 cöïc
◼ Cöïc coång G
◼ Cöïc nguoàn S
◼ Cöïc maùng D
◼ Phi tuyeán N P

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 4

 Caáu taïo JFET

Drain
Drain
(D) (D)

P N P N P N
Gate Gate
(G) (G)

Source Source
(S) (S)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 5

 Hoaït ñoäng phaân cöïc JFET

◼ VGS = 0
◼ VGS = -1
◼ VGS = -2 = -Vp0
Vùng điện trở.

Vùng khuếch đại

(bão hòa).

Vùng tắt.

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 6

 Hoaït ñoäng phaân cöïc JFET (tt)

◼ Hoï ñaëc tuyeán JFET keânh n vaø ñieàu kieän hoaït ñoäng ôû vuøng
daãn khueách ñaïi (baõo hoøa).

 - Vpo ≤ VGS ≤ 0
 Vp = Vpo + VGS ≤ VDS
 0 ≤ IDS = Ip ≤ Ipo

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 7

 Caáu taïo MOSFET

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 8

 Hoaït ñoäng phaân cöïc MOSFET

◼ VGS = 0
◼ -Vp0 < VGS < 0
◼ VGS > 0
Vùng điện trở.

Vùng khuếch đại

(bão hòa).

Vùng tắt.

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 9

◼ Hoï ñaëc tuyeán MOSFET keânh n vaø ñieàu kieän hoaït ñoäng ôû
vuøng daãn khueách ñaïi (baõo hoøa).

 - Vpo ≤ VGS
Vp = Vpo + VGS ≤ VDS

0 ≤ IDS = Ip ≤ Ipo

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 10

 Ví duï tìm doøng vaø aùp ngheõn cuûa FET

Cho FET có phương trình đặc tính dòng áp là

IDS = 2.10-4 (1+0.25 VGS )2 (A)

a. Tìm dòng và áp nghẽn khi VGS =0.

b. Tìm dòng và áp nghẽn khi VGS = -1, -2, -4 (V).
c. Tìm dòng và áp nghẽn khi VGS =1, 2, 4 (V).

Giải
Cách 1:
Ta có: IDS = 2.10-4 (1 + 0.25 VGS )2 (1).
Mặt khác: IDS = Ipo (2).

Đồng nhất (1) và (2) ta có : Ipo =2. 10-4 (A), Vpo = 4 (V)
Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 11
 Ví duï tìm doøng vaø aùp ngheõn cuûa FET (tt)

Cách 2:
VGS = 0 thì I = 2.10-4 (1+0.25 . 0 )2 = 2.10-4 (A) = Ipo.
IDS = 0 thì 2.10-4 (1+0.25 . VGS )2 = 0
giải PT ta được VGS = -4 (V) → Vpo = 4 (V).
JFET

VGS -4 -2 -1 0 1 2 4
Ip= IDS 0 0.5 1.125 2.10-4 3.125 4.5 8
Vp= VDS 0 2 3 4 5 6 8

MOSFET

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 12

 3.2 Maïch phaân cöïc

◼ Maïch phaân cöïc cho JFET

◼ Maïch phaân cöïc cho MOSFET
◼ Cheá ñoä ngheøo

◼ Cheá ñoä taêng cöôøng

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 13

 Maïch phaân cöïc cho JFET

Ta có:
0 = RG IG + VGS + RS ID
= 0 + VGS + RS ID
→ VGS = - RS ID (Đường phân cực ) (1)

Đặc tuyến truyền:

IDS =ID = Ipo (2)

Từ (1) và (2) cho ta hệ PT hai ẩn

IDSQ và VGSQ. Giải hệ ta có điểm Q.
Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 14
 Ví duï maïch phaân cöïc JFET

Cho mạch như hình vẽ : Ipo = 0.1 mA , Vpo = 4 V. Tìm Q (IDS , VGS , VDS)?
Giải
Ta có: VGS = VG - VS = - VS = - RS IDQ (IG =0)
→ VGSQ = - RS IDQ (1)
Mặt khác:
IDQ = Ipo (2)

Từ (1) và (2) ta có :
6.25x10-3 (VGSQ)2 + 1.05 VGSQ + 0.1 = 0
VGSQ = -0.095V
VGSQ= - 168V ( Lọai vì < -Vpo)
→ VDS = VDD - IDQ (RS + RD )= 19.81 (V)
Nhận xét: RG không ảnh hưởng đến sự phân cực do IG =0.
Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 15
 Maïch phaân cöïc cho MOSFET
VDS = VDD - ID (RS + RD )
VG = VDD R2 / (R1 + R2)
VG = RG IG + VGS + RS ID = 0 + VGS + RS ID
→ VGS = VG - RS ID (Đường phân cực )

Đặc tuyến truyền:

IDS =ID = Ipo

Điểm tĩnh Q:
IDQ = Ipo và VGSQ = VG - RS IDQ
Giải hệ trên tìm được Q (IDQ , VGSQ )
Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 16
 Maïch phaân cöïc cho MOSFET (tt)

VDS = VDD - ID RD
Ðường phân cực xác định bởi:
VGS = VDS = VDD –RDID (1)

Đặc tuyến truyền:

IDS =ID = Ipo (2)

Từ (1) và (2) ta có hệ PT
hai ẩn IDSQ và VGSQ.
Giải hệ ta có điểm Q
Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 17
 Ví duï maïch phaân cöïc MOSFET

Cho mạch như hình vẽ: Ipo = 6mA , Vpo = 3V. Tìm Q?
Giải
Ta có :
VG = VDD R2 / (R1 + R2) = 1.5 V
VGSQ = VG - RS IDQ (1)
Mặt khác:
IDQ = Ipo (2)

Từ (1) và (2) ta có :
0.1 (VGSQ)2 + 1.6 VGSQ -0.6 = 0
VGSQ = 0.366 V
VGSQ= - 16.366 V (Lọai vì < -Vpo)
Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 18
 Ví duï maïch phaân cöïc MOSFET (tt)

Cho mạch như hình vẽ : Ipo = 4mA, Vpo = 4V. Tìm Q?

Giải
Ta có:
VGS = VDD –RDID – RGIG = VDD –RDID (IG =0)
→ VGSQ = VDD –RDIDQ (1)
Mặt khác:
IDQ = Ipo (2)

Từ (1) và (2) ta có :
0.5(VGSQ)2 + 5 VGSQ – 10 = 0
VGSQ = 1.7 V
VGSQ= - 11.7 V ( Lọai vì < -Vpo)
Nhận xét: RG không ảnh hưởng đến sự phân cực do IG =0.
Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 19
 3.3 Maïch tín hieäu nhoû

◼ Moâ hình töông ñöông cuûa FET: daïng S chung

◼ Caùc thoâng soá AC cuûa FET

◼ Moâ hình nguoàn doøng phuï thuoäc aùp

◼ Moâ hình nguoàn aùp phuï thuoäc aùp

◼ Phaân tích maïch tín hieäu nhoû (CS – CD – CG)

◼ Tính toaùn ñoä lôïi doøng-aùp vaø trôû khaùng vaøo-ra

◼ Kyõ thuaät phaûn aùnh trong FET: baûo toaøn doøng iDS

◼ Moâ hình töông ñöông cuûa maïch khueách ñaïi

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 20

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 21
 Moâ hình töông ñöông cuûa FET

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 22

 Phaân tích maïch CS

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 23

 Phaân tích maïch CS (tt)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 24

 Phaân tích maïch CS (tt)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 25

 Phaân tích maïch CS (tt)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 26

 Phaân tích maïch CS (tt)
◼

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 27

 Phaân tích maïch CS (tt)
◼

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 28

 Phaân tích maïch CS (tt)
◼

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 29

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 30
 Phaân tích maïch CD (tt)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 31

 Phaân tích maïch CD (tt)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 32

 Phaân tích maïch CD (tt)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 33

 Phaân tích maïch CD (tt)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 34

 Phaân tích maïch CD (tt)
◼

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 35

 Phaân tích maïch CD (tt)
◼

 mạch CD dùng làm mạch đệm, để

cách ly áp giữa các tầng
Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 36
 Kyõ thuaät phaûn aùnh trong FET

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 37

 Kyõ thuaät phaûn aùnh trong FET (tt)

Từ những chỗ khác nhau giữa (1) và (2) ta đưa ra

nguyên tắc phản ánh như sau:
* Phản ánh về D (S giả):
+ Mạch D  S*
+ Cực D: giữ nguyên
Trở kháng: (µ + 1)
+ Cực S*:
Nguồn áp: (µ + 1)

Nguồn dòng giữ nguyên

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 38

 Kyõ thuaät phaûn aùnh trong FET (tt)

+ Cực S: giữ nguyên

Trở kháng: /(µ + 1)
+ Cực D*:
Nguồn áp : /(µ + 1)

Nguồn dòng giữ nguyên

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 39

Phaân tích maïch CD duøng phaûn aùnh

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 40

 Phaân tích maïch CD duøng phaûn aùnh (tt)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 41

 Phaân tích maïch CD duøng phaûn aùnh (tt)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 42

Phaân tích maïch CD duøng phaûn aùnh (tt)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 43

Phaân tích maïch CD duøng phaûn aùnh (tt)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 44

 Phaân tích maïch CG

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 45

 Phaân tích maïch CG (tt)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 46

Phaân tích maïch CG duøng phaûn aùnh

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 47

Phaân tích maïch CG duøng phaûn aùnh (tt)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 48

Phaân tích maïch CG duøng phaûn aùnh (tt)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 49

Phaân tích maïch CG duøng phaûn aùnh (tt)

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 50

Moâ hình töông ñöông cuûa MKÑ doøng

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 51

Moâ hình töông ñöông cuûa MKÑ aùp

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 52

 So saùnh MKÑ duøng BJT vaø FET

Cách ghép Sơ đồ mạch

CS vs CE
<0 <0

CD vs CC
>0

CG vs CB
>0 >0
Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 53
 BAØI TAÄP 1
Hai IGFET được nối với nhau song song như trong hình
B9.3. Nếu kết quả cho thấy thiết bị 3 đầu cuối này là
JGFET thì hãy tìm gm. Ứng với mỗi IGFET ta có:

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 54

 BAØI TAÄP 2

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 55

 BAØI TAÄP 3
VDD 20V

88k 1.5k

C -->
D
G
S
10K
C -->
2k
12k
500

a/ Tìm điểm hoạt động Q khi sử dụng 2N3796

b/ Tính µ, rds, gm
c/ Tính độ lợi vL/vi
Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 56
 BAØI TAÄP 4
Thiết kế một mạch khuếch đại có độ lợi là 10.
Điện áp cung cấp là 24V. Sử dụng linh kiện 2N3796 (gm=4m
mho, rds=17KΩ, µ=68).

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 57

 BAØI TAÄP 5
Bộ kéo theo nguồn được thiết kế sử dụng trong mạch
điện hình B9.8. JFET 2N4223 được sử dụng trong mạch
này. Độ lợi lớn hơn 0,8. Tìm R1,RS1 và Rs2.

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 58

 BAØI TAÄP 6
Đặc tuyến vi của khuếch đại CG cho trong hình B 9.9 được mô tả
xấp xỉ từ phương trình:

a) Vẽ đặc tuyến
b) Tìm điểm Q bằng đồ thị
c) Tính gm
d) Cho rds = 10k, hãy tính µ
e) Xác định Zi, Zo và độ lợi vd/vi

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 59

 BAØI TAÄP 7
Cả 2 FET đều được
VDD

RL
xác định trước các
thông số gm, µ và rds.
D
G
S

Hãy tính V2

a/ iL như là một hàm VGG2

Rd

của v1 và v2
8

b/ v01, v02, v03

D
G
S

c/ điện trở ngõ ra V1

nhìn từ đầu cuối S1S2 VGG2

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 60

 BAØI TAÄP 8
Cho T1 và T2 đồng nhất có cùng thông số. (H.B9.11)
a) Tìm vd2 như là một hàm của v1 và v2.
b) So sánh CMRR của FET và BJT.
c) Cho Rs =10k, Rd=10k, gm=5 m mho và rds=10kΩ, hãy tính CMRR và
Zo tại cực máng của T2.

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 61

 BAØI TAÄP 9
Cấu hình Darlington có
VDD

thể được xây dựng lại C

G
D

bằng cách sử dụng ri

S

JFET và BJT như hình. Vi B

C

a/ Xác định Zif và Zof Re1

E

b/ Tìm dạng mô phỏng

của độ lợi vc/vi Re1

Re2

Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 62

 BAØI TAÄP 10
Ba transistor T1, T2 và
T3 tạo thành một mạch
khuếch đại vi sai. JFET
T4 là bộ khuếch đại
Darlington được sử
dụng để đạt được tổng
trở ngõ vào cao.
(H.B9.15)
a) Nếu điện trở nhìn từ
collector của T3 là vô
cùng lớn, hãy xác
định Zi.
b) Tính vL/vi .
Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 3- 63