Professional Documents
Culture Documents
máy điện (Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh)
b. Dòng điện ngược qua chuyển tiếp p-n vượt quá giá trị cho phép.
c. Điện áp đặt trên hai đầu của nó vượt quá điện áp Vγ.
d. Cả a và b.
Câu 8: Các hiện tượng đánh thủng sau đây, hiện tượng nào sẽ phá hủy toàn bộ đặc tính
van của chuyển tiếp p-n:
a. Đánh thủng về điện.
b. Đánh thủng về nhiệt.
c. Đánh thủng xuyên hầm.
d. Đánh thủng thác lũ.
Câu 9: Công thức nào là công th ức mô tả của dòng điện chạy trong chuyển tiếp p-n:
−𝑞𝑉𝐷
a. Ip-n= Is.( 𝑒 𝑛𝐾𝑇 − 1).
𝑞𝑉𝐷
b. Ip-n= -Is.( 𝑒 𝑛𝐾𝑇 − 1).
𝑞𝑉𝐷
c. Ip-n= Is.( 𝑒 𝑛𝐾𝑇 − 1).
𝑞𝑉𝐷
d. Ip-n= -Is.( 𝑒 𝑛𝐾𝑇 − 1).
Câu 10: Chuyển tiếp p-n khi bị phân cực ngược:
a. Vùng tiếp xúc bị thu hẹp lại và điện trường trong vùng tiếp xúc giảm
so với lúc chưa có điện trường ngoài.
b. Vùng tiếp xúc được mở rộng ra và điện trường trong vùng tiếp xúc
giảm so với lúc chưa có điện trường ngoài.
c. Vùng tiếp xúc được mở rộng ra và điện trường trong vùng tiếp xúc
tăng so với lúc chưa có điện trường ngoài.
d. Vùng tiếp xúc được thu hẹp ra và điện trường trong vùng tiếp xúc tăng
so với lúc chưa có điện trường ngoài.
Câu 11: Chuyển tiếp p-n khi được phân cực thuận:
a. Vùng tiếp xúc bị thu hẹp lại so với lúc chưa có điện trường ngoài.
b. Vùng tiếp xúc được mở rộng ra so với lúc chưa có điện trường ngoài.
c. Vùng tiếp xúc không thay đổi so với lúc chưa có điện trường ngoài.
d. Điện trường trong vùng tiếp xúc tăng so với lúc chưa có điện trường
ngoài.
Câu 12: Vùng tiếp xúc trong chuyển tiếp p-n có đặc điểm:
a. không tồn tại các hạt mang điện tự do.
b. không tồn tại các ion tạp chất.
c. Có các ion tạp chất mang điện tích dương phía bên bán dẫn N v à các
ion tạp chất âm phía bên bán dẫn P.
d. Cả a và c.
a. Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor npn mắc CE.
b. Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor pnp mắc CE.
c. Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor npn mắc CB.
d. Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor pnp mắc CB.
Câu 16: Đường đặc tuyến vôn –ampe bên là :
Câu 27: Thông số nào dưới đây không phải là thông số giới hạn của BJT :
a. ICmax.
b. VCEmax.
c. PCmax.
d. ICEO.
Câu 28: Thông số nào dưới đây không phải là thông số giới hạn của FET :
a. IDmax.
b. VDSmax.
c. PCmax.
d. PDmax.
Câu 29: Dòng điện chạy trong transistor trường là dòng :
a. Qua các chuyển tiếp p-n.
b. Qua kênh dẫn.
c. Qua bán dẫn.
d. Qua hai chuyển tiếp p-n.
Câu 1 : Điện trở RE trong các mạch phân cực của transistor lưỡng cực (BJT) có chức
năng :
a. Phân cực cho cực E.
b. Ổn định nhiệt cho trnasistor.
c. a và b đều đúng.
d. a và b đều sai.
Câu 2 : Tụ CE trong mạch có chức năng:
a. ngắn mạch RE đối với nguồn tín hiệu.
b. hở mạch RE đối với nguồn tín hiệu.
c. ngắn mạch RE đối với nguồn phân cực.
d. Giảm hệ số khuếch đại của mạch
Câu 3 : Trong các mạch phân cực của transistor lưỡng cực, mạch phân cực có tính bất
ổn định nhiệt nhất là:
a. mạch phân cực theo kiểu định dòng
b. mạch phân cực theo kiểu phân áp
c. mạch phân cực có hồi tiếp từ collector
d. mạch phân cực theo kiểu định dòng có RE
Câu 4 : Hệ số bất ổn định nhiệt của các dạng mạch phân cực dùng BJT có giá trị lớn
nhất khi :
a. RB/RE > ( 𝛽 + 1)
b. RB/RE < ( 𝛽 + 1)
c. RB/RE < 1
d. RB/RE = ( 𝛽 + 1)
Câu 5 : Hệ số bất ổn định nhiệt SI nhỏ nhất khi:
a. RB/RE > ( 𝛽 + 1)
b. RB/RE < ( 𝛽 + 1)
c. RB/RE < 1
d. RB/RE = ( 𝛽 + 1)
Câu 6 : Sự bất ổn định nhiệt của dòng IC do thông số nào bị thay đổi của BJT theo nhiệt
độ:
a. V𝛾
b. 𝛽
c. ICBO
d. Cả a b và c
Câu 7 : Điện trở RS trong mạch phân cực của transistor trường có chức năng:
a. Phân cực cho cực S.
b. Ổn định nhiệt cho transistor
c. a và b đều đúng
d. a và b đều sai
Câu 8 : Trong các dạng mạch phân cực sau đây dạng nào không phải là dạng mạch
phân cực cho transistor trường:
a. mạch phân cực theo kiểu định dòng
b. mạch phân cực theo kiểu phân áp
c. mạch tự phân cực
d. mạch phân cực cố định
Câu 9 : Để phân cực cho E_MOSFET kênh n không thể sử dụng dạng mạch phân cực
nào dưới đây:
a. mạch phân cực hồi tiếp
b. mạch phân cực theo kiểu phân áp
c. mạch tự phân cực
d. mạch phân cực cố định
Câu 1 : BJT có bao nhiêu mô hình tương đương tín hiệu nhỏ
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4
Câu 2 : Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT được sử dụng khi
a. BJT hoạt động với tín hiệu nhỏ
b. BJT hoạt động với tín hiệu lớn
c. BJT hoạt động với tín hiệu trung bình
d. Cả a, b và c
Câu 3 : Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT mắc theo kiểu CE chỉ được sử dụng
khi mạch khuếch đại dùng BJT
a. Mắc theo kiểu CE
b. Mắc theo kiểu CB
c. Mắc theo kiểu CC
d. A, b, c đều đúng
Câu 4 : Thông số hib của BJT được tính theo công thức
∆𝑉𝐵𝐸
a. ℎ𝑖𝑏 = ≅ 𝑟𝑒
∆𝐼𝐸
∆𝑉𝐵𝐸
b. ℎ𝑖𝑏 = ≅ 𝛽𝑟𝑒
∆𝐼𝐵
∆𝑉𝐵𝐸
c. ℎ𝑖𝑏 = ≅ 𝛽𝑟𝑒
∆𝐼𝐸
∆𝑉𝐵𝐸
d. ℎ𝑖𝑏 = ≅ 𝑟𝑒
∆𝐼𝐵
Câu 5 : Thông số hfe là hệ số khuếch đại của BJT đối với
a. Dòng điện xoay chiều
b. Dòng điện một chiều
c. Điện áp xoay chiều
d. Điện áp một chiều
Câu 6: Phương trình của mạng hai cửa tuyến tính theo thông số h được biểu diễn
a. Áp vào và dòng ra theo dòng vào và áp ra
b. Áp vào và áp ra theo dòng vào và dòng ra
c. Dòng vào và dòng ra theo áp vào và áp ra
d. Dòng vào và áp ra theo áp vào và dòng ra
Câu 7 : Trong các mạch khuếch đại sau mạch nào có hệ số khuếch đại áp lớn nhất
a. Mạch khuếch đại mắc kiểu CE
b. Mạch khuếch đại mắc kiểu CB
c. Mạch khuếch đại mắc kiểu CC
d. Câu a và b
Câu 8 : Mạch khuếch đại có điện trở vào bé nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a. CE
b. CB
c. CC
d. Cả 3 đều có tổng trở vào bằng nhau
Câu 9 : Mạch khuếch đại có điện trở ra nhỏ nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a. CE
b. CB
c. CC
d. CE và CB
Câu 10 : Mạch khuếch đại có điện trở vào lớn nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a. CE
b. CB
c. CC
d. CC và CE
Câu 11 : Mạch khuếch đại có điện áp ra cùng pha với áp vào là mạch
a. CE
b. CB
c. CC
d. CC và CB
Câu 12 : Phương trình của mạng hai cửa tuyến tính theo thông số y được biểu diễn
a. Áp vào và dòng ra theo dòng vào và áp ra
b. Áp vào và áp ra theo dòng vào và dòng ra
c. Dòng vào và dòng ra theo áp vào và áp ra
d. Dòng vào và áp ra theo áp vào và dòng ra
Câu 13 : JFET có bao nhiêu mô hình tương đương tín hiệu nhỏ
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4
Câu 14 : Thông số gm của JFET được tính theo công thức
𝑉𝐺𝑆
a. 𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 (1 − )
𝑉𝑃
2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆
b. 𝑔𝑚 = − . (1 − )
𝑉𝑃 𝑉𝑃
𝐼𝐷
c. 𝑔𝑚= 𝑔𝑚𝑜 . √
𝐼𝐷𝑆𝑆
d. Cả a, b và c
Câu 15 : Trong các mạch khuếch đại dùng JFET sau mạch nào có hệ số khuếch đại áp
nhỏ nhất
a. Mạch khuếch đại mắc kiểu CD
b. Mạch khuếch đại mắc kiểu CS
c. Mạch khuếch đại mắc kiểu CG
d. b v à c
Câu 16 : Mạch khuếch đại có điện trở ngõ ra nhỏ nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a. CD
b. CS
c. CG
d. CD v à CS
Câu 17 : Mạch khuếch đại có điện áp ra ngược pha với áp vào là mạch
a. CD
b. CS
c. CG
d. CC v à CG
Câu 18 : Mô hình tương đương gần đúng đối với tín hiệu
nhỏ hình bên là mô hình của
a. JFET
b. D_MOSFET
c. E_MOSFET
d. a,b, c đều đúng
Câu 1 : Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có hệ số khuếch
đại áp của toàn mạch
a. 𝐴𝑉 = ∏𝑛𝑖=1 𝐴𝑣𝑖
b. 𝐴𝑉 = ∑𝑛𝑖=1 𝐴𝑣𝑖
c. 𝐴𝑉 = ⋃𝑛𝑖=1 𝐴𝑣𝑖
d. 𝐴𝑉 = ⋂𝑛𝑖=1 𝐴𝑣𝑖
Câu 2 : Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có hệ số khuếch
đại dòng của toàn mạch
a. 𝐴𝑖 = ∏𝑛𝑖=1 𝐴𝑖𝑖
b. 𝐴𝑖 = ∑𝑛𝑖=1 𝐴𝑖𝑖
c. 𝐴𝑖 = ⋃𝑛𝑖=1 𝐴𝑖𝑖
d. 𝐴𝑖 = ⋂𝑛𝑖=1 𝐴𝑣𝑖
Câu 3 : Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có tổng trở ngõ
vào của mạch là
a. Zi= Zi1
b. Zi= Zin
c. Zi= ∑𝑛𝑖=1 𝑍𝑖𝑖
d. Zi= ∏𝑛𝑖=1 𝑍𝑖𝑖
Câu 4 : Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có tổng trở ngõ
ra của mạch là
a. Zo= Zo1
b. Zo= Zon
c. Zo= Zo( n+1)
d. Zo= Zo( n-1)
Câu 5 : Có bao nhiêu cách ghép tầng khuếch đại
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4
Câu 6 : Mạch khuếch đại ghép R-C có đặc điểm
a. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua tụ điện
b. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua điện trở
c. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau trực tiếp
d. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua máy
biến áp
Câu 7 : Mạch khuếch đại ghép biến áp có đặc điểm
c. Cascode
d. a, b, c đều sai
Câu 16 : Tại sao trong mạch khuếch đại vi sai người ta thường dùng nguồn dòng thay
cho điện trở RE
a. Ổn định dòng điện tại cực E
b. Tăng hệ số khuếch đại dòng điện
c. Tăng hệ số khuếch đại đối với tín hiệu vi sai
d. Tăng tỉ số nén tín hiệu cách chung
Câu 17 : Tỉ số nén tín hiệu cách chung được tính bằng công thức:
𝐴
a. CMRR= 𝐴𝑉𝐷
𝑉𝐶
𝐴
b. CMNRdB= 20.log 𝐴𝑉𝐷
𝑉𝐶
𝐴𝑉𝐶
c. CMRR= 𝐴
𝑉𝐷
d. Cả a và b đều đúng
a. SCS
b. GTO
c. SCR
d. LASCR
Câu 6 : Diac là linh kiện không có đặc điểm
a. Có hai điện cực
b. Có 4 lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ
c. Dẫn điện theo hai chiều khi điện áp trên nó đạt tới VBO hay -VBO
d. Chỉ dẫn điện theo một chiều phân cực thuận
Câu 7 : Triac là linh kiện có đặc điểm
a. Có hai điện cực A và K
b. Có ba điện cực A, K và G
c. Có ba điện cực A1, A2 và G
d. Có 4 điện cực A1, A2 và GA, GK
Câu 8 : Để mở triac
a. VA1A2> 0 và kích xung dương tại G
b. VA1A2 >0 và kích xung âm tại G
c. VA1A2<0 và kích xung dương tại G
d. VA1A2= 0 và kích xung dương tại G
Câu 9 : Diode Shockley là diode
a. Tương tự SCR nhưng không có cực cổng G
b. Tương tự Diac
c. Tương tự triac nhưng không có cực cổng G
d. Tương tự triac
Câu 10 : Có thể mở SCS bằng các phân cực thuận A và k đồng thời
a. kích xung âm tại GK hay xung dương tại GA
ĐÁP ÁN:
Vấn đề 1: 1a, 2b, 3c, 4d, 5b, 6a, 7d, 8b, 9c, 10c, 11a, 12d
Vấn đề 2: 1a, 2b, 3b, 4c, 5a, 6a, 7d, 8a, 9b
Vấn đề 3: 1d, 2b, 3c, 4a, 5b, 6a, 7c 8a, 9b, 10a, 11c, 12c, 13a, 14c, 15a, 16c, 17d, 18a,
19b, 20c, 21c, 22a,23a, 24b, 25a, 26a, 27d, 28c, 29b
Vấn đề 4: 1c, 2a, 3a, 4a, 5c, 6d, 7c, 8a, 9c
Vấn đề 5: 1c, 2a, 3d, 4a, 5a, 6a, 7d, 8b, 9c, 10c, 11d, 12c, 13a, 14d, 15a, 16a, 17b, 18d
Vấn đề 6: 1a, 2a, 3a, 4b, 5c, 6a, 7d, 8d, 9a, 10c, 11b, 12b, 13c, 14d, 15a, 16d, 17d
Vấn đề 7: 1d, 2b, 3a, 4d, 5c, 6d, 7c, 8a, 9a, 10b, 11b, 12a, 13a, 14d, 15c, 16a, 17d