‫اﻟوﺣدة‪ :‬ﺗﻛﻧوﻟوﺟﯾﺎ وﺗﺻﻧﯾﻊ اﻟدواﺋر اﻟﻣﺗﻛﺎﻣﻠﺔ‬

‫اﻟﻔﺻل ‪4‬‬
‫أﻛﺳدة اﻟﺳﯾﻠﯾﻛون‬
‫ﻣﺎ اﻟذي ﯾﺳﺑب اﻷﻛﺳدة؟ اﻷﻛﺳﺟﯾن ﻏﺎﻟﺑﺎ ﻣﺎ ﯾﺳﺑب اﻷﻛﺳدة ‪ .‬ﯾزﯾل اﻹﻟﻛﺗروﻧﺎت ﻣن‬
‫اﻟذرة أو اﻟﺟزيء‪.‬‬

‫أھﻣﯾﺔ أﻛﺳدة اﻟﺳﯾﻠﯾﻛون‬

‫ﺗﻌﺗﺑر اﻷﻛﺳدة ﺧطوة ﻣﮭﻣﺔ ﺟ ًدا ﻓﻲ إﻧﺗﺎج دواﺋر اﻟﺳﯾﻠﯾﻛون اﻟﻣﺗﻛﺎﻣﻠﺔ‪.‬‬
‫ﻧظرً ا ﻷﻧﮫ ﺑﻔﺿل ھذه اﻟﺧﺎﺻﯾﺔ اﻟﻣﺣددة أﺻﺑﺢ اﻟﺳﯾﻠﯾﻛون اﻟﻣﺎدة اﻷﻛﺛر اﺳﺗﺧداﻣًﺎ ﻓﻲ‬
‫اﻹﻟﻛﺗروﻧﯾﺎت اﻟدﻗﯾﻘﺔ‪ .‬ھﻲ ظﺎھرة ﻛﯾﻣﯾﺎﺋﯾﺔ ﺗﺗﺷﻛل ﻓﯾﮭﺎ طﺑﻘﺔ رﻗﯾﻘﺔ ﻣن اﻷﻛﺳﯾد ﻋﻠﻰ ﺳطﺢ‬
‫ﻣﺎدة )رﻗﺎﻗﺔ اﻟﺳﯾﻠﯾﻛون(‬
‫ﯾﺗﺄﻛﺳد اﻟﺳﯾﻠﯾﻛون ﻓﻲ درﺟﺔ ﺣرارة اﻟﻐرﻓﺔ ﻓﻲ وﺟود اﻟﻐﻼف اﻟﺟوي‬
‫)اﻟذي ﯾﺣﺗوي ﻋﻠﻰ اﻷﻛﺳﺟﯾن(؛ وﻟﻛن ﺑﻣﺟرد وﺻول طﺑﻘﺔ اﻷﻛﺳﯾد‬
‫إﻟﻰ طﺑﻘﺗﯾن أو ﺛﻼث طﺑﻘﺎت ذرﯾﺔ ﺗﺗوﻗف ظﺎھرة اﻷﻛﺳدة ‪ .‬ﯾﻘﺎل أن‬
‫اﻟطﺑﻘﺔ ﺗﺧﻣﯾل ‪ .‬ﻟﻠﺣﺻول ﻋﻠﻰ أﻛﺳدة ﻋﻠﻰ " ﺳﻣك ﻛﺑﯾر "‪ ،‬ﺳﯾﻛون‬
‫ﻣن اﻟﺿروري ﺗﻔﻌﯾل اﻟظﺎھرة ﻋن طرﯾق زﯾﺎدة درﺟﺔ اﻟﺣرارة‪.‬‬
‫ﻟﻠﺣﺻول ﻋﻠﻰ أﻛﺳﯾد ذو ﺟودة إﻟﻛﺗروﻧﯾﺔ ﻣرﺿﯾﺔ ﯾﻔﺿل اﻷﻛﺳدة اﻟﺣرارﯾﺔ إﻣﺎ ﻣﻊ اﻷﻛﺳﺟﯾن أو‬
‫ﻓﻲ وﺟود ﺑﺧﺎر اﻟﻣﺎء‪ .‬وﺑﺷﻛل ﻋﺎم ﻓﺈن ﻧﻣو اﻷﻛﺳﯾد ﺑﺎﻷﻛﺳﺟﯾن اﻟﻧﻘﻲ ﯾؤدي إﻟﻰ ﺗﺑﺎطؤ ﻧﻣو‬
‫اﻷﻛﺳﯾد ﻣﻣﺎ ﯾﻌطﯾﮫ ﺧواص إﻟﻛﺗروﻧﯾﺔ ﺟﯾدة )ﻋﯾوب ﻗﻠﯾﻠﺔ (‬
‫اﻟﻧﻣو ﺑﺎﻟﻣﺎء ﯾﻌطﻲ ﻧﻣواً أﺳرع وﻟﻛن أﻛﺛر أﻋطﺎﻻً ﻛﮭرﺑﺎﺋﯾﺔ ‪ .‬وﻟذﻟك ﺳﯾﺗم ﺗﻔﺿﯾل ھذه اﻟطرﯾﻘﺔ‬
‫ﻹﻧﺗﺎج أﻛﺎﺳﯾد ﺳﻣﯾﻛﺔ )ﺑﺿﻌﺔ آﻻف ﻣن اﻷﻧﺟﺳﺗروم( ﻟﻺﺧﻔﺎء أو اﻟﻌزل‪.‬‬
 ‫‪ ; 2‬وﺑﺎﻟﺗﺎﻟﻲ ﺳوف ‪SiO‬ﺗﺗﻔﺎﻋل طﺑﻘﺔ اﻟﺳﯾﻠﯾﻛون اﻷوﻟﯾﺔ ﻣﻊ اﻟﻌﻧﺻر اﻟﻣؤﻛﺳد ﻟﺗﻛوﯾن‬
‫ﻧﺳﺗﮭﻠك اﻟﺳﯾﻠﯾﻛون ‪.‬‬
‫ﯾﺗم ﻧﻣو اﻷﻛﺳﯾد ﻋن طرﯾق اﺳﺗﮭﻼك اﻟﺳﯾﻠﯾﻛون )ﺣواﻟﻲ ‪ 1‬ﻧﺎﻧوﻣﺗر ﻣن اﻟﺳﯾﻠﯾﻛون‬
‫اﻟﻣﺳﺗﮭﻠك ﻟﻣدة ‪ 2‬ﻧﺎﻧوﻣﺗر ﻣن اﻷﻛﺳﯾد اﻟﻣﺗﻛون(‪.‬‬
 ‫ﻋﻧد ‪ 1000‬درﺟﺔ ﻣﺋوﯾﺔ ‪ ،‬ﯾﺳﺗﻐرق اﻷﻣر ﻣﺎ ﯾﻘرب ﻣن ‪Å 8‬ﻟﻠﺣﺻول ﻋﻠﻰ ﺳﻣك ‪2000‬‬
‫ﺳﺎﻋﺎت ﻓﻲ اﻷﻛﺳدة اﻟﺟﺎﻓﺔ ‪ ،‬ﻣﻘﺎرﻧﺔ ﺑﺄﻗل ﻣن ﺳﺎﻋﺔ ﻓﻲ اﻷﻛﺳدة اﻟرطﺑﺔ‪ .‬اﻷﻛﺳدة اﻟﺟﺎﻓﺔ‪ ،‬اﻟﺗﻲ‬
‫أﻛﺳﯾدا ﺑﺟودة أﻓﺿل وﺳﻣك ﯾﻣﻛن اﻟﺗﺣﻛم ﻓﯾﮫ ﺑﺷﻛل أﻓﺿل‪ ،‬ﻣﺧﺻﺻﺔ ﻟﻠﺣﺻول ﻋﻠﻰ‬ ‫ً‬ ‫ﺗﻌطﻲ‬
‫اﻷﻛﺎﺳﯾد‬
‫رﻗﯾﻘﺔ ‪ ،‬ﻓﻲ ﺣﯾن ﯾﺗم اﺳﺗﺧدام اﻷﻛﺳدة اﻟرطﺑﺔ ﻟﺗﺷﻛﯾل أﻛﺎﺳﯾد ﺳﻣﯾﻛﺔ )ﻹﺧﻔﺎء ‪ ،‬وﻋزل رﻛﺎﺋز‬
‫ﻛﺑﯾرة‪ ،‬وﻣﺎ إﻟﻰ ذﻟك(‪.‬‬
‫ﻧﻣو اﻷﻛﺳﯾد وﺟودﺗﮫ ﻋﻠﻰ ﺟودة رﻛﯾزة اﻟﺳﯾﻠﯾﻛون وﻋﻠﻰ وﺟﮫ اﻟﺧﺻوص ﻣﺳﺎﺣﺔ ﺳطﺣﮫ اﻟﺗﻲ‬
‫ﯾﺟب أن ﯾﻧﻣو ﻣﻧﮭﺎ‪ .‬ﺳﯾؤدي اﻟﺳطﺢ اﻟﺧﺷن إﻟﻰ أﻛﺳﯾد ذو ﻧوﻋﯾﺔ ردﯾﺋﺔ‪ .‬ھذا ھو ﺳﺑب ﻋﻣﻠﯾﺎت‬
‫اﻟﺗﻧظﯾف‬
‫ﯾﺗم ﺗﻧﻔﯾذھﺎ ﻗﺑل اﻷﻛﺳدة ﻟﺿﻣﺎن ﺳطﺢ ﻧظﯾف وﺳﻠس‬
 ‫أﻓران اﻷﻛﺳدة‬

‫وﺗﺗم ﻋﻣﻠﯾﺎت اﻷﻛﺳدة ﻋﺎدة ﻓﻲ أﻓران ﻣﺷﺎﺑﮭﺔ ﻷﻓران اﻻﻧﺗﺷﺎر اﻟﺗﻲ ﯾدور ﻓﯾﮭﺎ‬
‫اﻷﻛﺳﺟﯾن اﻟﺟﺎف أو اﻟرطب أو ﺑﺧﺎر اﻟﻣﺎء‪.‬‬
 ‫ﻋﯾوب اﻷﻛﺳدة اﻟﺣرارﯾﺔ‬
‫أﺛﻧﺎء أﻛﺳدة اﻟطﺑﻘﺎت اﻟﻣﺧدرة‪ ،‬واﻟﺗﻲ ﯾﺗم ﺗﻧﻔﯾذھﺎ ﻓﻲ درﺟﺔ ﺣرارة ﻋﺎﻟﯾﺔ‪ ،‬ﯾﺗم إﻋﺎدة ﺗوزﯾﻊ‬
‫اﻟﻣواد اﻟﻣﺧدرة ﻓﻲ اﻟرﻛﯾزة‪.‬‬
‫ﺗم اﻟﻌﺛور ﻋﻠﻰ ﺑﻌض ذرات اﻟﻣﻧﺷطﺎت ﻓﻲ اﻷﻛﺳﯾد‪ .‬ﻟﻛن ﻣﻌﺎﻣﻼت اﻻﻧﺗﺷﺎر ﻟذرات اﻟﺗطﻌﯾم‪،‬‬
‫ﻋﻧد درﺟﺔ ﺣرارة ﻣﻌﯾﻧﺔ‪ ،‬ﻓﻲ اﻟﺳﯾﻠﯾﻛون وﻓﻲ اﻷﻛﺳﯾد ﺗﻛون ﻣﺧﺗﻠﻔﺔ ﺑﺷﻛل ﻋﺎم‬

‫‪ ،2‬ﻓﺈن ھﻧﺎك ﺗراﻛﻣًﺎ ﻟﻠﻔوﺳﻔور ﻓﻲ ‪SiO‬ﻧظرً ا ﻟﻛون اﻟﻔوﺳﻔور أﻗل ﻗدرة ﻋﻠﻰ اﻟﺣرﻛﺔ ﻓﻲ‬
‫اﻟﺳﯾﻠﯾﻛون ﺑﺎﻟﻘرب ﻣن اﻟواﺟﮭﺔ‪ .‬وﻣن ﻧﺎﺣﯾﺔ أﺧرى‪ ،‬ﯾﻛون اﻟﺗرﻛﯾز ﻓﻲ اﻷﻛﺳﯾد أﻗل‪.‬‬
‫إﻧﮭﺎ اﻟظﺎھرة اﻟﻣﻌﺎﻛﺳﺔ ﻟﻠﺑورون ‪ .‬ھﻧﺎك اﺳﺗﻧﻔﺎد اﻟﺑورون ﻣن رﻛﯾزة اﻟﺳﯾﻠﯾﻛون ﺑﺎﻟﻘرب ﻣن‬
‫اﻟواﺟﮭﺔ‪ ،‬وﯾﻛون اﻟﺗرﻛﯾز ﻓﻲ اﻷﻛﺳﯾد أﻋﻠﻰ‪.‬‬
‫ﻻﺣظ أن اﻟذرات اﻟﻣﺷﺎﺑﮭﺔ اﻟﺗﻲ ﺗﻧﺗﺷر ﻓﻲ اﻷﻛﺳﯾد ﻻ ﯾﺗم ﺗﻧﺷﯾطﮭﺎ ﺑﺷﻛل ﻋﺎم‪ ،‬ﻣﻣﺎ ﯾﻌﻧﻲ‬
‫أﻧﮭﺎ ﻻ ﺗوﻟد ﺷﺣﻧﺎت ﻛﮭرﺑﺎﺋﯾﺔ ﻓﻲ ھذا اﻷﻛﺳﯾد وﻻ ﺗؤﺛر ﺑﺷﻛل ﻋﺎم ﻋﻠﻰ اﻟﺧواص‬
‫‪ MOS‬ﺗراﻧزﺳﺗور ‪d‬اﻟﻛﮭرﺑﺎﺋﯾﺔ ﻣﺛل ﺟﮭد اﻟﻌﺗﺑﺔ‬
‫ﻗﺑل اﻷﻛﺳدة ﺑﻌد اﻷﻛﺳدة‬
‫ﻷﻧواع اﻟﻣﻧﺷطﺎت اﻟﻣﮭﻣﺔ ﻓﻲ اﻟﺳﯾﻠﯾﻛون‪m‬ﻣﻌﺎﻣﻼت اﻟﻔﺻل‬
 ‫) اﻷﻛﺳدة اﻟﺣرارﯾﺔ اﻟﺳرﯾﻌﺔ (‪RTO‬ﺗﻘﻧﯾﺔ اﻷﻛﺳدة اﻟﺳرﯾﻌﺔ‪:‬‬

‫ﻟﺗﺟﻧب إﻋﺎدة اﻧﺗﺷﺎر اﻟﻣﺎدة اﻟﻣﺷﺎﺑﮭﺔ ﻓﻲ اﻟطﺑﻘﺎت اﻟﺗﻲ ﺗم ﺗﺻﻧﯾﻌﮭﺎ ﺑﺎﻟﻔﻌل‪ ،‬ﺗﺗﻛون‬
‫ﺗﻘﻧﯾﺔ اﻷﻛﺳدة ﻣن وﺿﻊ اﻟرﻛﺎﺋز ﻓﻲ ﻓرن ﻣﺻﺑﺎح اﻟﮭﺎﻟوﺟﯾن وﺗﺳﺧﯾﻧﮭﺎ ﺑﺳرﻋﺔ ﻛﺑﯾرة‬
‫ﻓﻲ وﺟود ﺟو ﻣؤﻛﺳد‪ .‬ﻗد ﺗﻛون ﻣدة اﻟﻌﻣﻠﯾﺔ أﻗل ﻣن دﻗﯾﻘﺔ‪.‬‬
‫ﻣﻔﺎﻋل اﻷﻛﺳدة اﻟﺣرارﯾﺔ اﻟﺳرﯾﻌﺔ اﻟذي ﯾﺗم ﺗﺳﺧﯾﻧﮫ ﻋن طرﯾق إﺷﻌﺎع ﻣﺻﺎﺑﯾﺢ‬
‫اﻟﮭﺎﻟوﺟﯾن‪ .‬ﻣدة ھذه اﻷﻛﺳدة اﻟﺳرﯾﻌﺔ ﺗﺻل إﻟﻰ دﻗﯾﻘﺔ واﺣدة‪.‬‬