Laboratorium Miernictwa Elektronicznego

Temat ćwiczenia: Pomiary rezystancji

Nazwisko i Imię prowadzącego kurs: Mgr. Inż. Anita Grontman

Wykonawca:

Imię i Nazwisko Filip Ferenc

nr indeksu, wydział Mariusz Gąsiewicz
Mateusz Wojtowicz
W12N

Termin zajęć: dzień tygodnia, godzina Wtorek, 11:15-13:00

Numer grupy ćwiczeniowej 5
Data oddania sprawozdania 10.05.2022
Ocena końcowa

Zatwierdzam wyniki pomiarów.

Data i podpis prowadzącego zajęcia:……………………………………………………………………………..

Adnotacje dotyczące wymaganych poprawek oraz daty otrzymania poprawnego

sprawozdania
Wprowadzenie:
Rezystancja (opór) oznaczana R jest parametrem elementu lub obiektu, charakteryzującym
straty (lub rozpraszanie) energii w tym elemencie (obiekcie), a wyraża się ją w omach [Ω].
W obwodzie prądu stałego jest to opór stawiany prądowi, a jego wartość, zgodnie z
prawem Ohma, jest równa stosunkowi napięcia powstałego na elemencie do
przepływającego prądu.
𝑼
𝑹=
𝑰
Gdzie:
R-rezystancja [Ω],
U-napięcie powstałe na elemencie [V],
I-natężenie przepływającego prądu [A].

Najprostszą metodą pomiaru rezystancji biernego elementu liniowego jest metoda

bezpośrednia, w której rezystancję mierzy się omomierzem. Mierzony element
wymontowuje się z obwodu i przykłada do zacisków pomiarowych omomierza i odczytuje się
z niego zmierzoną wartość.
Metody pośrednie pomiaru rezystancji mogą być stosowane do pomiaru rezystancji
elementów o liniowej i nieliniowej charakterystyce. Wykorzystywane jest do tego Prawo
Ohma.

Cel ćwiczenia:
Celem ćwiczenia jest poznanie:
- podstawowej wielkości elektrycznej – rezystancji – dla elementów liniowych oraz
nieliniowych
- parametrów typowych omomierzy oraz warunków poprawnej ich eksploatacji,
- typowych metod pomiaru rezystancji elementów liniowych i nieliniowych o wartościach od
pojedynczych omów do kilku megaomów,
- warunków decydujących o doborze metody oraz układu pomiarowego oraz poznanie
źródeł błędów w tych pomiarach.

Spis przyrządów:
-amperomierz analogowy LM-3 kl.0,5%
-multimetr cyfrowy Uni-T 803 oraz Agilent/HP
-zasilacz stabilizowany Unitra Typ5121
-opornik dekadowy
-dzielnik napięcia
-siatka rezystorowa
-przewody elektryczne
 1. Bezpośrednie pomiary rezystancji omomierzem
1.1. Elementy liniowe
Do wykonania pomiarów należy podłączyć przyrządy (zasilacz, omomierz cyfrowy,
badany element) według następującego schematu:

Rys. 1. Połączeniowy oraz ideowy schemat pomiarowy pomiaru rezystancji metodą bezpośrednią.

Tabela pomiarowa dla elementów liniowych, pomiar przy użyciu multimetra UNI-T 803
l.p Rzm Rzak ∆r a[%]+n cyfr ∆Rzm δRzm Rzm ± ∆Rzm
1 100,4Ω 600Ω 0,1 0,8%+3 0,308 0,30% 100,4±0,308Ω
2 0,426kΩ 6kΩ 0,001 0,5%+2 0,002 0,47% 0,426±0,002kΩ
3 50,47kΩ 60kΩ 0,01 0,5%+2 0,023 0,04% 50,47±0,023kΩ

1.2. Elementy nieliniowe

Tabela pomiarowa dla elementów nieliniowych (diody), pomiar przy użyciu multimetra
Agilent/HP
l.p Rzm Rzak ∆r a[%]+b[%] cyfr ∆Rzm δRzm Rzm ± ∆Rzm
1 0,59061kΩ 1kΩ 0,00001 0,002%+0,0005% 0,000017kΩ 0,003% 0,59061±0,000017kΩ
2 4,8540kΩ 10kΩ 0,0001 0,002%+0,0005% 0,000014kΩ 0,0003% 4,8540±0,000014kΩ
3 0,07468MΩ 1MΩ 0,00001 0,002%+0,001% 0,000011MΩ 0,015% 0,07468±0,000011MΩ
4 0,600MΩ 100MΩ 0,001 0,3%+0,01% 0,00012MΩ 0,02% 0,600±0,00012MΩ

Opis oznaczeń:
Δr – rozdzielczość
a[%]+ n cyfr lub a[%]+ b[%] – dokładność omomierza podana przez producenta
Rzakr – zakres omomierza
Rzm – rezystancja wskazywana przez omomierz
Wykorzystane wzory:
∆𝑹𝒛𝒎 = ∆𝒑 𝑹 + ∆𝒅 𝑹
𝒂[%] 𝟎, 𝟖%
∆𝒑 𝑹 = 𝑹𝒛𝒎 ∙ = 𝟏𝟎𝟎, 𝟒 ∙ ≈ 𝟎, 𝟎𝟎𝟖[𝜴]
𝟏𝟎𝟎 𝟏𝟎𝟎
∆𝒅 𝑹 = 𝒏 ∙ ∆𝒓 𝑹 = 𝟑 ∙ 𝟎, 𝟏 = 𝟎, 𝟑[𝜴]
𝒃[%]
∆𝒅 𝑹 = 𝑹𝒛𝒎 ∙
𝟏𝟎𝟎
∆𝑹𝒛𝒎 = 𝟎, 𝟎𝟎𝟖 + 𝟎, 𝟑 = 𝟎, 𝟑𝟎𝟖[𝜴]
𝜹𝑹𝒛𝒎 =

Wnioski:
Wiadomo, że charakterystyka prądowo-napięciowa diody jest nieliniowa, czyli nie da się jej
opisać analitycznie za pomocą równania prostej.
Patrząc na wyniki pomiarów zauważyć można, że rezystancja tego elementu nieliniowego
zmienia się wraz z kolejnymi pomiarami. Czyli tak jak tego się spodziewaliśmy.

2. Pośrednie pomiary rezystancji elementu liniowego

2.1. Metoda techniczna
Do wykonania pomiarów należy przyłączyć przyrządy (zasilacz, woltomierz cyfrowy,
amperomierz cyfrowy, element liniowy) według schematu PPP:

Rys. 2. Schemat ideowy układu poprawnie mierzonego prądu

Tabela pomiarowa dla metody technicznej (PPP)

l.p Ia±ΔIa [mA] Uv±ΔUv Rzm±ΔRzm δRzm

1. 20,24±0,1312 2,1418±0,00034 105,8±0,69 0,655

2. 4,95±0,054 2,1422±0,00034 431,8±4,77 1,105

3. 42,2±0,241 [μA] 2,1426±0,00034 50772±297 0,585

Z powodu bardzo wysokiej rezystancji woltomierza (HP 34401A), która wynosi ok.10GΩ,
wartość mierzona rezystancji będzie praktycznie identyczna jak Rzm , a wartość błędów
systematycznych będzie pomijalnie mała.

W następnym kroku należy przyłączyć przyrządy według schematu PPN:

Rys.3. Schemat ideowy układu poprawnie pomiaru napięcia

Tabela pomiarowa dla metody technicznej (PPN)

l.p Ia±ΔIa [mA] Uv±ΔUv [V] Rzm±ΔRzm[Ω] δRzm[%]

1. 20,24±0,1312 2,0305±0,00034 100,3±0,65 0,655

2. 4,96±0,054 2,1154±0,00034 426,5±4,71 1,105

3. 42,2±0,241 [μA] 2,1220±0,00034 50284±294 0,585

Ze względu na brak podanej rezystancji amperomierza cyfrowego przyjmujemy, że wynosi
ona 0 Ω, a więc błąd systematyczny również wyniesie 0.
Wykorzystane wzory:
Amperomierz cyfrowy
∆𝑰𝑨 = ∆𝒑 𝑰 + ∆𝒅 𝑰 [𝒎𝑨]

𝒂[%]
∆𝒑 𝑰 = 𝑰𝑨 ∙ [𝒎𝑨]
𝟏𝟎𝟎
∆𝒅 𝑰 = 𝒏 ∙ ∆𝒓 𝑰 [𝒎𝑨]
∆𝑰𝑨
𝜹𝑰𝑨 = ∙ 𝟏𝟎𝟎[%]
𝑰𝑨

Woltomierz cyfrowy
∆𝑼𝑽 = ∆𝒑 𝑼 + ∆𝒅 𝑼 [𝑽]

𝒂[%]
∆ 𝒑 𝑼 = 𝑼𝑽 ∙ [𝑽]
𝟏𝟎𝟎
𝒃[%]
∆𝒅 𝑼 = 𝑼𝒛𝒂𝒌𝒓 ∙ [𝑽]
𝟏𝟎𝟎
∆𝑼𝑽
𝜹𝑼𝑽 = ∙ 𝟏𝟎𝟎[%]
𝑼𝑽
Wartości rezystancji etc.
∆𝑹𝒛𝒎 = 𝑹𝒛𝒎 ∙ 𝜹𝑹𝒛𝒎
𝜹𝑹𝒛𝒎 = 𝜹𝑼𝑽 + 𝜹𝑰𝑨
−𝑹𝟐 𝒛𝒎
∆𝒎 𝑹 =
(𝑹𝑽 − 𝑹𝒛𝒎 )

Wnioski: Układ PPN sprawdza się lepiej do pomiaru średnich i małych rezystancji, natomiast
układ PPP do wysokich.
2.2. Metoda porównawcza
Do wykonania pomiarów należy przyłączyć przyrządy (zasilacz, 2x woltomierz cyfrowy,
element wzorcowy, element liniowy) według następującego schematu:

Rys. 4. Schemat ideowy układu porównawczego

Tabela pomiarowa dla metody porównawczej:

l.p Ux±ΔUx [V] Un±ΔUn [V] Rzm±ΔRzm[Ω] δRzm[%]

1. 1,783±0,007 0,355±0,00001 50392±197,5 0,394

Wykorzystane wzory:
∆𝑼𝒙/𝑵 = ∆𝒑 𝑼 + ∆𝒅 𝑼 [𝑽]

𝒂[%]
∆𝒑 𝑼𝒙/𝑵 = 𝑼𝒙 ∙ [𝑽]
𝟏𝟎𝟎
∆𝒅 𝑼𝒙 = 𝒏 ∙ ∆𝒓 𝑼 [𝑽]
𝒃[%]
∆𝒅 𝑼𝑵 = 𝑼𝒛𝒂𝒌𝒓 ∙ [𝑽]
𝟏𝟎𝟎
∆𝑼𝒙/𝑵
𝜹𝑼𝒙/𝑵 = ∙ 𝟏𝟎𝟎[%]
𝑼𝒙/𝑵

𝜹𝑹𝒙 = 𝜹𝑼𝒙 + 𝜹𝑼𝑵

𝑼𝒙
𝑹𝒙 = 𝑹𝑵 ∙
𝑼𝑵
Wnioski:
Metoda porównawcza przydaje się w przypadkach, gdy nie dysponujemy wystarczająco
dokładnym amperomierzem, jednak musimy liczyć się z nieco niższą dokładnością pomiarów.
3. Pomiary rezystancji wewnętrznej przyrządów
3.1. Rezystancja woltomierza

Rys. 5 Schemat ideowy pomiaru parametrów woltomierza.

Wykonujemy pomiary zgodnie ze schematem na rysunku 5.

E Izm Uzm Izakr Uzakr Rozd I Rozd U Rv δmRzm ΔmRzm
[V] [µA] [V] [µA] [V] [µA] [V] [Ω] [Ω] [Ω]
2,137411V 0,2 2,1374 600 10 0,1 0,0001 10M 1 10000021,37

Rezystancje woltomierza otrzymujemy stosując wzór:

𝑹𝒏𝑼𝒗
𝑹𝒗 = = 10MΩ
𝑬−𝑼𝒗

Błędy pomiaru pośredniego wyznaczamy ze wzoru:

−𝑹𝒛𝒎 −𝑹𝒙 −𝑹𝒛𝒎
𝜹𝒎𝑹𝒛𝒎 = = =1
𝑹𝒙 𝑹𝒗

−𝑹𝟐𝒛𝒎
𝜟𝒎𝑹𝒛𝒎 = 𝑹𝒛𝒎 − 𝑹𝒙 = (𝑹 = 10000002,137 Ω
𝒗 −𝑹𝒛𝒎 )

𝑹𝟐 𝑼𝒗
𝑹𝒙 = 𝑹𝒛𝒎 + 𝒑 = 𝑹𝒛𝒎 + (𝑹𝒛𝒎 ) = 𝑼 = 2,137Ω
𝒛𝒎 (𝑱𝑨 − 𝒗 )
𝑹𝒗

3.2 Pomiar Rezystancji amperomierza

Rys. 6 Schemat ideowy pomiaru parametrów amperomierza.

Wykonujemy pomiary zgodnie ze schematem na rysunku 6.
E Izm Uzm Izakr Uzakr α Rozd U Ra Rn δmRzm Δm R
[V] [mA] [mV] [mA] [mV] [V] [Ω] [Ω] [Ω] [Ω]
2,137411V 0,25 4,290 3 100 30 0,0001 10 51,3 12,967 10

Obliczenia wykonujemy ze wzorów:

𝐑𝐧𝐔𝐯
𝐑 𝐀 = 𝐄−𝐔𝐯=10 Ω

Błędy pomiaru pośredniego wyznaczamy ze wzoru:

𝐑 𝐳𝐦 −𝐑𝐱 𝐑𝐀
𝛅𝐦𝐑 = 𝐑𝐱
= (𝐑 =12,967
𝐳𝐦 −𝐑 𝐀 )

𝚫𝐦𝐑 = 𝐑𝐳𝐦 − 𝐑𝐱 = 𝐑 𝐀 = 10 Ω
𝐔𝐯
𝐑 𝐱 = 𝐑 𝐳𝐦 + 𝐩 = 𝐑 𝐳𝐦 − 𝐑 𝐀 = 𝐉𝐀
− 𝐑 𝐀 = 0,716 Ω
4. Pomiary rezystancji elementu nieliniowego
4.1. Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej oraz wyznaczenie rezystancji
statycznych i dynamicznych

Elementem który był badany była dioda.

Tabela pomiarów:
U[V] U(U) [V] I [A] U(I) [A] R [Ω] U(R) [Ω] ∆R [Ω]
0,71916 0,00035 0,0172 0,0001 41,81 0,86
0,74898 0,00036 0,0357 0,0001 20,98 0,21
0,77341 0,00036 0,061 0,0002 12,68 0,07
0,78181 0,00036 0,0765 0,0002 10,22 0,05
0,79971 0,00036 0,1169 0,0004 6,84 0,02
0,81163 0,00036 0,1537 0,0005 5,28 0,01 0,48891
0,81869 0,00036 0,1868 0,0006 4,38 0,01
0,82372 0,00036 0,2074 0,0006 3,97 0,01
0,82524 0,00036 0,2205 0,0007 3,74 0,01
0,82897 0,00036 0,2418 0,0007 3,43 0,01

Opis oznaczeń:
U – napięcie [V]
U(U) – błąd pomiaru napięcia [V]
I – natężenie [A]
U(I) – błąd pomiaru natężenia [A]
R – rezystancja [Ω]
U(R) – błąd pomiaru rezystancji [Ω]
∆R – rezystancja dynamiczna[Ω]

I(U)
0,3

0,25

0,2
I(A)

0,15

0,1

0,05

0
0,7 0,72 0,74 0,76 0,78 0,8 0,82 0,84
U(V)

Rys. 1. Wykres zależności natężenia od napięcia dla diody.

Wykorzystane wzory:

(𝟎, 𝟎𝟎𝟐% ∙ 𝑼 + 𝟎, 𝟎𝟎𝟎𝟔)𝟐

𝑼(𝑼) = √
𝟑

(𝟎, 𝟓% ∙ 𝑰 + 𝟑 ∙ 𝟎, 𝟎𝟏)𝟐
𝑼𝒃(𝑰) = √
𝟑

𝟏 −𝑼 𝟐
𝑼(𝑹) = √ ∙ 𝑼𝒃(𝑼)𝟐+ ( ) ∙ 𝑼𝒃(𝑰)𝟐
𝑰𝟐 𝑰𝟐
𝑼𝒌 − 𝑼𝒑
∆𝑹 =
𝑰𝒌 − 𝑰𝒑
Uk, Ik – napięcie, natężenie końcowe
Up, Ip – napięcie, natężenie początkowe

Wnioski:
Tak samo jak w pierwszym punkcie zauważyć można, że charakterystyka prądowo-
napięciowa diody jest nieliniowa. Wraz ze wzrostem napięcia, natężenia zmienia się o coraz
większą wartość (można zauważyć to na wykresie), diodę można traktować jako źródło
napięciowe, ponieważ spadek napięcia na diodzie nie zależy od prądu płynącego przez diodę.
Opór na diodzie maleje wraz ze wzrostem natężenia.