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Late 10 Crystal ,

Beats

Crystal deActs
Material Property is determinat by Crystal structure and deActs

Type of
false
OD
Crystal de
Point Acts de i N SubStation deActs 2) Solid Solutions 3) Sch Ali and Franket deActs
o
y
1D Line deActs : 1)
Edge Nations ) SCrew thatns form line of deActs )
-

2
( combinationofmanyuacani.es
-

2D Marie deActs Small


)
stackingfaultsDTwinboundai.es
1
:
angle grainboundar.es 2)
.

Length scale of Crystal deActs

Point defectslodimensionaldd.at )
1)
vaancyie.tn阿 Space with size of Atomic scale
2)
inte.rs#ia1:atomscanbeadditional1y1ocatedinside Crystal structure

migehdiemptyq.ae
TE M

many
=

# of many Ni Equi Iibn um number of vaani.es

N Total of Atomic
化攸彬
i
N = number site

Q : Energy requi re d for he formatin of a


many
Ki 볼츠만 상수 ,
T: 절대온도

T ) 0 일 때 Nv30 >
Point deat (u a
any )
is inentable in Crystal structure
( F0이어야 Ni ) Beats Always to Make defectsnee.cl
>
o
cost 뼤이 E
Energy ao
Concertration of
many
Assame he Crystal with availables.tl#N),thevacancyconcentation (#n )
배열 必渺
모든경우의 수 M
① 에 (ases
i
W =
NG =
,
② f Kh W = Kh
M
n ! (N n ) !
n! an) ,

③ △G =
△H -

V5 + Pov ≈ △H
-

125

△ H =
N Et i ( Et i : internal Energy
for many )

M
① ② ③ 종합 ,
> ∴ △ G =
NE kTh
n ! (N 제 -
=
na E -

KI NhN -

nh n ( N n ) 1n (Nn )
7

Sterling
approximationlnM~NAN.lv •

恥帖ri um condition
NG =
0 > E, 갸Th 뺓
2N

ExampleIEquilibr.am#ofuacanciesin1m3ofCuat 1000 M개 →
N -
n EN
p 8.4g1cm3
Ng 化攸聊
=

,
= ∴
Neq =
Ne (
p 一畛
MW of Cu 63.5g1m이
mlkf.it
=

8.0×1028 # of
= site many of equilibr.am
△ E =
0.9 이성m ( deEd Formation Energy )

NA ' 2.2×1025 site


=
6.02시 atms1m이 ∴
Ng =

K =
8.62NE호V성m k -
>
怨二 ~ 2.7M에 ( =
0.027%)
n

700 -

600 -

500 -

400
NHN에 tnh (사)
-

"
i i ; 4 tianya.atration

Point del Impurit.es in Solid Solid Solution

Home -

Nthey Rules : Condition for that element andisdue in a Metal as a Solid Solution

1 Atomic size factor : Atomic ra di Between The to Atom type is Les than About ± 15%

similarsizelsimilar.si다) 그렇지 않으면 thesoluteatomscreatesubstantiallatticedistrti.us and


, a New phase Arms
Smallr size

2 .
Crystal Structure : Both atms의 금속 Crystal structure 유형은 비슷해야한다
( siwi.lar Crystal structure)

3. EKtonegat.IM factor : The site and int should have


smiliareletonegatii.ly
'

베자대 양이 너무 많아지면 seperat.in 된다 ( 소금물의 蜘嗾 ) .

( Smile EN ) 크게 차이나면
intermetalliccompounc.IS 를 형성한다
r

Concertration of impurit.pt Solid Solution 의 卜代怡 ,

이u비대 , 금속간 화합물 두


가지 이상의 금속원소가 간단한 정수비로 결합 )
넘기면
impuri.ly 끼리 구조를 이루며 New
phase 형성

4. Valen es : 모든 조건이 같다면 Valen 가


y 높은 , Metal 에 t.de 되려 한다
(siwi.lar Valen e)

Beyond ( OverCome ) Home Rothey
-

Rules ( by him entry)


Ex )
High entry Harp a A B 비율이 비슷할 때
,

Ex :
Energy of M bondi
x
ng
-

NG =
△ 卜卜下S
△ 5mi △ 쐤 + △ 鍵十 쏀 ii. 北餠
△ + i.

G Mix
.

△ △
Hmix-TSmi.it
=
v2

↓ domino.int
朴炸叩
△ Hmix EA =
-
B 2
A와 B가 어떻게 배열되어 있는가

con f
△ Smx 拓山 W 二名 彭川叭


혼합하는 원소의 갯수가 많을수록 △ 쌌 가 높아진다 > 안정해짐 ( 밑에 그림참고 )

> be Composed of Crystal s with


The same Crystal structure
1.5KB보다 높은 Gnfmgurationent.pt를 갖는 High entry Solid Solution 이다
> al
씨는 Single phase " 야이이내해

ㅃh entopyalbyiequim.hr하게 원소들을 추가하여 높은 배열 엔트로피를 가져 안정한 합금

Impurit.es in Games Sch峨y and Frankd Beats


not Metal (

ionic ompound.ca#onstanions).Frenke1defect:Cationvacancy
>

Cation

interstitalpair2.Schottkydefect.ca#onvacancyAnionvacanc y par
>
Charge bdame를 맞춰야하므로 pointdB가 쌍으로 일어남

솹 化似辭 ) =

M =

Nep (I)
Line defatsldisloat.nl
summationofpointdefe.ch
물질 내부에 Some 振治 일으킨다

Edge disloc.ation 화살표 17개 > 화살표 17개로 원래자리못감


San diStation

Edge diStation line 과 수직

>

'

.com
Pression
burgersvectortdisloco.tn line 과
Parallel

TenSon
Edge diStation에서
tdislocationlineBurge.rs
i
Burge.rs vector

vector : di
명사해이 얼마나 일어났는지 나타냄 .tw diStation에서 Bar
gas vector N Station line

Diskation Mad :
Edge + Solo

Edge
disbcation.IS
Crew
>

Stress를 일으킨다는 것을 알 수 있다
"

Nuclearion of diStation
during
battevychargingisEXAmplesoflinedefe.ES
suspatedasoriginofudtag de.ca "

y
Formation of diStation in Li Ni 0.133M70.53360.13302
n

1i가 들어오고 나가면서 line deActs 가 생긴다 오야 야K사해은 孤知y Sequence를 변화시킬 수 있다 ( stackingfau.it)

stackingfauHPlanardefect.in#estacking sequence during Crystal growth or Plastic deFormation
As string sequence is Perfecty Changed
FC에서의 stackingfau.lt ( FCC )
ABCABC ) .

u .

EHHnsicstack.mg fauH Intrinsicstackingfau.lt


( A layer가 외부에서 들어옴 ) ( ( layer가 福到

translational vector ( Burge.rs vector )

i p a r t i a l d i s l o c a t i o i p e r fe c t d i s l o c a t i o n l b u r g . i s vector H translation vector )


원2부 있어야하는쿗

뿥te쁭 Shockkypartialdidocat.ms
풽emmtianmt.IApairofdish.ca#ons which
쒵 • b, →
b. +
b,
Can Had to he Present of s뺴g fau Hs

_
In FCC , ※ II] →
i [ III] +
i iii]
妊口 i]
剖乖
>

! iii]

EIasticenergyofpartialc.liStation and string foru H

( EWie
Energy of Perfect diStation
stackingfaulte.amRe line Energy ( =
Energy per length )
High angle annwlardarkfie.tl (HAD마) Image of Steel ( Te 24Mm3A1-251 Ni
-

0.06 (
- )

Gran bo undan,
규칙적인 분자배열을 하고 있는곳

The Interface betweentwograins.orcrystallites.in a


poly Crystal line material
GB seperatesregionsofdiffere.int Crystal line Orientalion (such as go.in ) with in a
poly Crystalline Solid

Angle of misdignmentkmisorientat.in angle)

High angle
bound
r Gran any

Small angle

gminboundaryAngkofmisalignme.int
.

D
^

E
> 5)

成昨門
f ra o
.
of
v
(in 갸가
股哄 脯竹
'

Twin boundar.es

grainboundaryforwhiohtheteisnoatomicmisfit.gr
Twin bo undare Large angle
are a
Special Case of a

ain band
any
have Lower E than
General del

Crystal He have Plan es that are he Mirror Image of he Planes in he other Crystal Ne

Shah same We points > No misfts.tw enay


ng
Phase bond
any
The Junction of to Crystal s which diHer in We structure and an
position

G h e r n t o c h e n i _ r n s c e n s n s e g s e o s e .g v
1)

Different
咐衣 position
"

an position AB an
Different Canposition
Same Crystal structure Different Crystal Structure
Same Crystal structure
( 원자들간의 간격이 같아 misf.tl )
( Same
Different 쎼e paramete.rs ( 차이가 적음)
string sequence )
> WhereH 경우에서는 가장 high E

2) semicohere.int

Different con position


Same Crystal structure

Different latticeparamet.rs ( 차이가 큼 )


Late

mismatchstainisreleasedbydish.ca#on3)Incoherent
>

Different Crystal structure


Or

Late in ismatch Ngter than 25%




Latere II DAration
.

non en

Wavelength 에 비해 SH width 가

넓으면 diA ration effect가 줄어든다


-

Interactive n with
,

obst.de : Marie Water > (und Water

DAration and Information


DAration은 야에de 에 의해 일어난다 ' Cliffrated Waves 를 통해 obstac.ie에 대한 정보를 알 수 있다

plate Wave → obstadesdiffractedu.ae


11

X-ray >
Crystal
reconstmctobstadelcy.at
蛾附 i di
Nature an i Information About of >

Module and
path
내의 영m )
Way they are

periodi pattern
c

DAration of Light

Interface pattern of Lights containsinformationofslitdistanelobst.de)


사진에서 Si52

X-ray
108m의 짧은
"
10 ~
파장을 가진다

E 沇二 hf.X.my : A > E ≈ 1만V

Production (생성 ) :
highwltagehighq.eed된 전자들이 Metal Target과 충돌할 때 X-ray 가
,
생성된다

뻿 旭
i =
current
V =
acetorate d ve

Type of X-ray Target Atomic # of


Z =

V.
excitationvdtagelllontinu.us
=

X-ray 가속된 전자가 Target을 통과하는 도중 dei Atlration 의해


: nu 에

감속되어 그 차이만큼 방출하는 rad.at해 으로 생성된다 ( brakingradiation.de deration


( radiation ) I =
N것
Target 물질과는 무관 ,
입사한 전자의 에너지에 따라 달라짐

지 Characteristc
X-ray : 고에너지 입자가 궤도 전자와 상호작용하여 원자의 Inner sh대에 있는 전자를 여기시키고 I =
i (V -
V07
그 자리를 OutSheII 전자들이 채우면서 방출하는 radiation

Target 물질에 따라 달라짐

SynchrotonX.my
→ 가면 갈수록 intensi.ly 가 증가한다

intensit.pt 커질수록 Crystal


structure 분석시간이 단축된다

Energy of accderateddectr.in:2/UeV > 97.9%


oflightueloi.ly
-

전자가 방향을 바꿀때 속도가 변하고 Energy loss가 일어난다 >


X-ray generation

Interactive n of May with o bStates

SeaHead
>
X-ray
Primary X-ray
>
Transmittedx.my
>

i. :
MAb얘기해 adf.cat

I =
I. EN t.thicknec.si 클수록 I↓

Absorpkori.X-raycanbeabsorbedbythesamplebasedonBeerlambe.tl aw

Scottenng Wave 0bstadeinteratnsuohthatthedimensionsofobstac.la and


: -

Wave length are con


parab
k
Atom

腑蛾 n
i Wave 0bstaok.intration
-
such that He dimensionsofobstac.la are Much layer than he Wave
length of he Wave Motion
Crystal
AbsorptionandFluoresce.me

absorptioncoef i .at/fmas absorptioncoeAicientphghabsorption


M : linear
E 곪E새 玉玭沖 >

oaurs
X-ray 는 넓은 범위의 X가 생겨난다
>
absc.pkon을 통해 특정 좁은 범위의 X-ray 를 생성한다
f,Henri of Monochromizat.in of
X-ray X-ray
= =
ng source

흡수가 최대가 되는 지점 흡수단


' ii. >
KB를 흡수하고 Kx만 남기기 위해 금속 박막 웨화를

점선이 나타내는 것은 absoptioncoeffi.at KB부분이 ,


사용한다

높아 KB가 흡수된다
그리고 Kx만 남는다

Target 원소보다 원자번호가 위화로 사용하게되면


-

+
of X-ray
1 ~
2정도 낮은 물질을 원하는 영역의
_
reaction with o bHades
X-ray 만 거를 수 있다


Single Partido Solid material
↓ ↓
satterheincidentbeamofx.my 쎄다이 May by Single Partde
Uniform lyinalldirect.us Canadap each other

Braggdif ractionResultofconstructiueinterfere.me
ofscatteredxraybeam-bmggdilfractwn-Incidentanglei.CO
'

1번 path 와 2번 path 의 차이 : NH LN

'

Constructure Interface가 일어날 조건 : M네N = 2015m0 =


d. string ( DAration condition : 5m야 쟦 < I > 기자 -

Bragg condition
(

lattueparametehsifxisueylarge.ee#aind- Space of
Crystal structure Can not he found )

函毗 of My diAration : NO 2dsino.MX ,
入二 1.541A ( Cu ,
ka )

>
O는 그래프의 Peak 점으로 알수 있고 , 지도 알 수 있다 ( X-ray의 파장 )

i =
5t K루t
A2
, dspacingslatt.ee parame바 알 수 있다

(hkl ) 20 o dㅃㅃ
( 111 ) 36.923 18.4613 2.434

( 200 ) 42.896 21.448 2.108

( 220 ) 62.278 31.139 1.4에


Mathematics of di ration from string
Wave function and Wave equation
24
리네샤 4세대 ,
이 >
뿏 =

2먀네
, 그 .at
2기 쟈네 F
N >
眼地 챼
'
꼙 沾楗 ,
3D 햐慽 ( T
許域培 )

V =
,
W = ㄿf > f. 븚 ,
v.

41기 .tl =
4 ( 기批 , o ) =
A5m2퍄 ( 가쯱t ) = A5m ( 2패가 wt )

3D : 41Ft ) =
A5m ( 沅朗 - wt )
"이애5m사해 이여야 脈毗
.it/tiAsinbiE?Ewt)=Aexpi(2TrE?P.wt
'
=
Ans ( 孔咫一 wt )

) ( 이브 uol.int )

General Expression :
4세) =
A
颯比 wt )
phase of Wave
Ampt.tk
E) : Wave vector
F : position vector

Marie Wave &


spher.cat Wave

1) Marie Wave >


Hit) =
A대기 (颯只 wt )

Fi
ph에의 모든점의 내적 耿朗 ) 는 함상일점

米一一

phase of Wave ( 쨔訌wt) 일정


-

朗 >


E,

EU妊月

A
2) Sphericdwo.ve >
Hit ) =

p, epi (
垠但 wt )

>
12Th wt )
Direction of I and v4 (ii) 二昺
-

of is same
p
12조km에
> E44살 旭 ( 모든지점에서 phase of Wave는
Mathematics of diAration
4 asumpti.rs Frequency and DArated have he frequency and length
incidentwauesstspatialcons.de
: i) Wave length : Waves same Wave as he

spatiallydiffaentwo.ve ration : Marie Wave


>

3)
SignDiana of The Wave vector E : E의 一幽 set of DArated Waves는 a set of Wave vectors 로 표현이 되는데 ,

Set of Wave vectorS는 incidentwo.ve 의 것들과 같은 크기를 갖지만 다른 방향을 갖는다


,

4) Mathematical
descrp.li on : A bit
any Origin 을 정하고 그로부터 ,
position
'
vector E ,
그리고 그 position에 대한 작은 Volume di 과

X-ray 가 intration 한다고 가정

'
Intration하고 나온 be.am은
Crystal structure 에 대한 모든 정보를 가지고 있다

preturbingeffatexpressedasfi.t ?Xrgdif raction:Fourier


=

tansfomat.com
4 ( Et ) =
e
爬仕 wt )
1E기 쟟 ( 여기서는
,
=
'
E 를 이렇게 둔다)
' Di rated 된 wauedAmpt.tnde 항 ( 자는 일정 )
function

n
'

야로부터 d tractd된 Wave : f( F) e 爬江 네야?


좀 앁

ftp.WE?Ewt)+. .=f Mei1E?RWt)dP=EiWtf (F)ei


preturb.mg effect 跆炯 Sum Motion of tubed : 拙心E洪네 + fnei (E) 다에 +
per Wave

朗沖

fouiertransf.mn#ionofscatteredbeam)(F(k)=fiEiMfWdx
(

가 General Expression of Fourir tanform )

'

Mathematical Meaning of diAration Tower Hansfrom of At )

介娠拙 p岷m of
any obstadeiliertansfrmofHMampt.tnde function

F(F ) = E
"
ftp.ei昨訥
difractedwauept.ms 이고
'
여기서 F1E )는

E때는 Wave ,
At ) 는 Ampt.tnde 이다

( 푸리에 변환 : 임의의 공간 기에 대한 함수 A개를 연속적으로 변하는 파수를 갖는 주기함수들의 함으로 분해하여 표현


( continu.us 한 )
)
F( K)
Single SH di ration

F.
>

f먀
門旭怡
쌀 水一兆
0 ,
,
> 拓二 魁拓 E제세에 們斗 )

松竹崎 坪녱k .fi AE쨔해 卞澁 沈沃於i
,
e
-

센 A
一澁 ( 때야
isiniuka-arka.is?niuKa)ei0=wsO+isinO=_Aif2isiniuka)=isiniuka=Aa
.

2땨
(aka -

一批"
퍄a

∴ E 拓揄二 舷峨aka
(Kay
① 9개가 8세일때 위세를 구해보면
Double SH diAration > <


A) 0으로가면 위기 ) f (기)
=

> (A =
i 歲肛
,
00 )
FT
t.at 呻艸
拙訖 Aa 遞川 a) o 퍄a
=
1

② 위기) 가 H가a) 일때 피서를 구해보면


扼卜.fi8마에 E2파미야 弑孤) 야呱햬
排依 갺읆 ,
錢毗州 = E2제다 柳心趾기햬 .es퍄a

> 枷二 81개 + 8마일) > 孔川 fi f) E2떄에 邈


)

FK) f. f( 가 i) E2파네 d.lt fi 81개에 E례세대 씨e


00 - 땨a
' =
=

ostrtisinakatcostka-isinaka-2costukavnnfi.ES
(

(기범 ) + H가 I)

maximaidsino.mx
1) 썌e

Fouriert ansfromationFif.lk
돔이가 na ) , FK) III81가제다제셈가
=

,
여기서

즉 K야M일때
,
E제판 ask.ka-is.in 제대이고
AK) = 00 ( 卜姚泫
.
세대일때

→ 00
,

)
E례센1이다

二事 E쨔에르 , _
eㅶ : ka)
ㅇㅇ

∴ 拓二 돎E쨔 .IS("
K -

f) 二匪 81km뗴 )
Ka-m →
ki
Et
(2대패값은 K가 A일때 값을 가지므로 81kt ) 이다)

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