BÁO CÁO THÍ NGHIỆM

TÍNH CHẤT QUANG ĐIỆN TỪ (PHẦN ĐIỆN)

Lớp: 703819 – Sáng thứ 4 (9:30 – 11:30)
Thành viên:
Vũ Thị Thùy 20185593
Nguyễn Hoàng Hiếu 20185534
Nguyễn Phạm Trần Kiên 20185549
Đặng Ngọc Minh 20185564
Nguyễn Hải Yến 20185614
I.MỤC ĐÍCH
1. Nghiên cứu ảnh hưởng của nhiệt độ đến tính chất điện của vật liệu bán dẫn dựa trên
đường đặc tuyến I–V.
2. Xác định năng lượng hoạt hóa của chất bán dẫn theo nhiệt độ.

II.CƠ SỞ LÝ THUYẾT:

A. Đặc tính điện của bán dẫn:

Vật chất ở thể rắn được chia ra làm ba loại: điện môi, bán dẫn và vật dẫn. Định nghĩa
các vật liệu thuộc loại nào dựa trên cấu trúc vùng năng lượng của điện tử trong các loại vật
liệu đó. Tạm thời ta có thể định nghĩa vật liệu bán dẫn dựa trên điện trở suất (là đại lượng đặc
trưng cho sự cản trở dòng điện) của mỗi loại vật liệu và được tính như sau:
S
ρ=R
l

𝜌 là điện trở suất của vật liệu, R là điện trở, 𝑙 là chiều dài của khối vật dẫn và S là tiết
diện ngang.

Vật liệu có điện trở suất thấp cỡ (~10-3 Ω.cm ) hoặc nhỏ hơn là vật dẫn, điện trở suất cỡ
như này (~109 Ω.cm ) hoặc cao hơn là điện môi, điện trở suất nằm trong khoảng (10-3 - 109
Ω.cm) thì được gọi là bán dẫn.

Chúng ta cũng có một định nghĩa tương tự là độ dẫn (chính là nghịch đảo của điện trở
suất), và có thể được tính:
2
ne τ
𝜎= m
(1)

n là số điện tử trên cm3, e là điện tích electron, m là khối lượng electron và τ là thời gian
mà electron di chuyển trước khi trải qua quá trình tán xạ ngẫu nhiên động lượng của nó.
 Bán dẫn ở nhiệt độ thấp không có điện tử tự do nên độ dẫn điện bằng 0, tuy nhiên khi
nhiệt độ tăng lên năng lượng tăng lên làm các electron ở vùng hóa trị bứt ra nhảy qua vùng
cấm đến vùng dẫn hình thành các cặp điện tử electron – lỗ trống di chuyển làm tăng số hạt
điện tử mang điện làm điện trở suất giảm đột ngột.

Số lượng sóng mang "nội tại" như vậy có sẵn để dẫn trong một chất bán dẫn, tức là các
electron và lỗ trống, được đưa ra bởi

ni =n0 exp ( )
−EG
2 kT
(2)

n 0 là số lượng electron hoặc lỗ trống có sẵn cho quá trình dẫn và EG là năng lượng vùng
cấm. Độ dẫn điện do đó được đưa ra từ phương trình (1) bởi

σ=
n0 exp ( −E
2 kT )
G 2
e τ
(3)
m

B. Đặc tính dòng-thế (I-V) của vật dẫn/ điện trở:

1. Một số khái niệm:

Trong điện tử, mối quan hệ giữa dòng điện một chiều (DC), ký hiệu là I, thông qua một
phần tử điện tử và điện áp DC trên các cực của nó, ký hiệu là V, được gọi là đặc tính điện áp
hiện tại của phần tử. Nó còn được gọi là đường cong I-V (hoặc đường cong dòng-thế) khi
chúng ta vẽ đồ thị mối quan hệ trên hệ trục I-V.

Theo định luật Ohm, đường cong I-V của điện trở tuyến tính là một đường thẳng đi qua
gốc của tọa độ, như trong Hình 1(a). Trong thực tế, các yếu tố môi trường như nhiệt độ hoặc
đặc tính của vật liệu có thể tạo ra đường cong I-V phi tuyến tính như Hình 1(b).

Từ đồ thị đặc tính dòng- thế có thể tính được điện trở suất qua điện trở, sau đó tính độ
dẫn thông qua công thức (3) ta có thể xác định giá trị của E a.
2. Xác định năng lượng hoạt hóa của vật liệu bán dẫn SnO2 theo nhiệt độ:

Sự phụ thuộc nhiệt độ của độ dẫn điện SnO2 được biểu thị bằng phương trình Arrhenius
−Ea

I =I 0 e
k BT (4)

Trong đó I là dòng điện của SnO2 được đo với điện áp đặt vào (ví dụ từ -5 đến 5 V); E a
là năng lượng hoạt hóa nhiệt độc lập với nhiệt độ; k B là hằng số Boltzmann (≈ 8,62.10 -5 eV/K-
1
) và T là nhiệt độ tuyệt đối.
Logarit 2 vế ta có:
−E a 1
l n ( I )=
kB T( )
+l n(I 0)

Hàm trên có thể biểu diễn thành phương trình:

y=ax+ b
a −E
Từ đồ thị ta tìm được giá trị của a qua độ dốc hay a = k => E a=k B .a
B

3. Xác định hệ số nhiệt điện trở:

Ảnh hưởng của nhiệt độ lên điện trở suất của kim loại được biết đến theo phương trình:
ρ(T )=ρ o¿(T-To)¿ (7)
ρ ( T ) là điện trở suất của kim loại Pt tại nhiệt độ tuyệt đối T (500C, 1000C, 1500C, 2000C,
2500C), ρ0 là điện trở suất của kim loại Pt tại nhiệt độ T 0 và α là hệ số nhiệt điện trở cần tìm.

Biến đổi, ta được:

R ( T )=R0 +α R 0 ( T −T 0 ) =α R0 T −α R 0 T 0 + R0
Hàm trên có thể biểu diễn thành phương trình:
y=ax+ b
a
Do đó, độ dốc của đồ thị hàm số thể hiện giá trị của a=α R 0 => α = R .
0

III. TIẾN HÀNH THÍ NGHIỆM:

1. Thiết bị:
+ Mẫu đo là linh kiện có 2 thành phần chân nhỏ là vật liệu bán dẫn SnO2 và chân to là kim
loại Pt.
+ Thiết bị đo chuyên dụng Keitley có 2 nhiệm vụ chính: phát điện áp V thay đổi giá và đo
lại giá trị dòng điện I.
 Hình mô phỏng quá trình đo
Mạch thí nghiệm khảo sát diode/linh kiện bán dẫn miêu tả chi tiết ở hình 1. Một đầu của diode
hoặc linh kiện bán dẫn sẽ được nối với 2 chân Sense HI và Force HI của Keithley 2450, đầu
còn lại thì được nối với 2 chân Sense LO và Force LO của Keithley 2450.

Hình 1. Sơ đồ nguyên lý quét I-V của Keithley 2450

+ Phần mềm quét I-V để xác định số liệu (Hình 2): Viết bằng ngôn ngữ lập trình Labview
cài trên máy tính để đặt các thông số cho quá trình quét (Điện áp bắt đầu, điện áp kết thúc, số
điểm quét, thời gian trễ trong mỗi bước quét,..)
 Hình 2. Phần mềm quét I-V trên máy tính dùng Labview

2. Các bước tiến hành:

+ Gắn mẫu vào máy đo Keitley

+ Bật nguồn Keitley
+ Khởi động phần mềm I-V
+ Đặt các thông số cho quá trình quét (Điện áp bắt đầu: -2V; điện áp kết thúc: 2V; số
điểm quét: 20; thời gian trễ trong mỗi bước quét: 0,1s; dạng quét: Linear; giới hạn giá trị dòng
điện: 0,1A)
+ Nhập tên file và đường dẫn tới thư mục lưu kết quả đo
+ Ấn nút “Start I-V sweep” để bắt đầu quá trình quét
+ Thu được dữ liệu và xử lý
IV. XỬ LÝ SỐ LIỆU
1.Tính năng lượng hoạt hóa
Các bước tiến hành:
Bước 1: Nhập số liệu đã đo theo từng nhiệt độ (500C, 1000C, 1500C, 2000C, 2500C)
File  Import  Single ASCII
 Đường đặc
tuyến I-V của vật liệu bán dẫn SnO2

Bước 2: Lập bảng số liệu

Sự phụ thuộc của độ dẫn điện SnO2 được biểu thị bằng phương trình Arrhenius:
−Ea
kb T
I =I 0 e
Logarit 2 vế ta có:
−E a 1
l n ( I )=
kB T( )
+l n(I 0)

Hàm trên có thể biểu diễn thành phương trình:

y=ax+ b
Từ kết quả đo ta thu được bảng dữ liệu dưới đây, trong đó, giá trị dòng I ở mỗi nhiệt độ
có thể được lấy tương ứng với mỗi giá trị điện áp U bất kì trong khoảng đã cho trước (từ −2 V
đến 2 V ), ở đây nhóm thí nghiệm lấy giá trị dòng I ở mỗi nhiệt độ ứng với giá trị điện áp là 2 V
Bước 3:Fitting thành đường tuyến tính
Chọn điểm  Analysis  Fitting  Linear Fit

a là kết quả Slope thu được từ fitting hàm Arrhenius plot giữa ln(I) và 1/T
Ta tính được năng lượng hoạt hóa E a:
Ea
Slope→ Ea =|a . k B|=|−538,38777∗8.6∗10 |=0,0463 eV
−5
a −
kB

2.Tính hệ số nhiệt độ:

Các bước tiến hành:
Bước 1: Nhập số liệu đã đo theo từng nhiệt độ (500C, 1000C, 1500C, 2000C, 2500C)
File  Import  Single ASCII
 Đường đặc tuyến I-V của vật liệu kim loại Pt
Bước 2: Lập bảng số liệu
Ảnh hưởng của nhiệt độ lên điện trở suất của kim loại được biết đến theo phương trình:
(T )=ρo¿(T-To)¿
Biến đổi, ta được:
R ( T )=R0 +α R 0 ( T −T 0 ) =α R0 T −α R 0 T 0 + R0
Hàm trên có thể biểu diễn thành phương trình:
y=ax+ b
Từ kết quả đo ta thu được bảng dữ liệu dưới đây, trong đó, giá trị dòng I ở mỗi nhiệt độ
có thể được lấy tương ứng với mỗi giá trị điện áp U bất kì trong khoảng đã cho trước (từ −2 V
đến 2 V ), ở đây nhóm thí nghiệm lấy giá trị dòng I ở mỗi nhiệt độ ứng với giá trị điện áp là 2 V
và giá trị R0 =100 Ω tại T 0=273 K

Bước 3: Fitting thành đường tuyến tính

 Chọn điểm  Analysis  Fitting  Liner Fit

a là kết quả Slope thu được từ fitting hàm plot giữa R ( T ) và T

Ta tính được hệ số nhiệt điện trở:
a 0,21502 −1
a R0 . α Slope→ α ≈ = ≈ 0,00215 T
R0 100
V. NHẬN XÉT
+) Trong quá trình đo ta có thể xác định được điện trở của chất bán dẫn (SnO2) giảm và chất
dẫn điện (Pt) tăng.
+) Đường cong I-V có dạng tuyến tính đối với vật liệu Pt hơn so với vật liệu SnO2 (đối xứng
qua gốc tọa độ).
+) Khi ta tăng nhiệt độ lên các mốc cao hơn, do các yếu tố như nhiệt độ hay đặc tính của vật
liệu SnO2 nên đường cong I-V phi tuyến tính như hình trên và trở thành chất dẫn điện.
+) Trong bán dẫn, mật độ hạt tải tăng nhanh theo nhiệt độ, độ linh động giảm chậm nên điện
trở giảm và độ dẫn tăng lên khi nhiệt độ tăng.

+) Trong kim loại, nồng độ hạt tải tăng rất chậm nhưng độ linh động giảm nhanh hơn so với
bán dẫn nên điện trở tăng và độ dẫn giảm đi khi nhiệt độ tăng.