Instituto Politécnico Nacional

Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería y Tecnologías

Avanzadas

Tarea 2
Mecanismos combinados de transferencia de calor y
cambios de fase

Alumno: Ruiz Mayo Carlos Gustavo

Boleta: 2020640460
Unidad de Aprendizaje: Transferencia de calor
Grupo: 5EV1
Docente: Sofía Romero Vargas
 Fecha de entrega: 26/Febrero/2024
1er Departamental – Tarea 2: Mecanismos combinados de
transferencia de calor y cambios de fase

Problema 1. (Problema 1-88, p.64)

Consider a 20 cm thick granite wall
with a thermal conductivity of 2.79
W
. The temperature of the left
mK
surface is held constant at 50 ˚C.
whereas the right face is exposed to
a flow of 22˚C. air with a convection
W
heat transfer coefficient of 15 2 .
m K
Neglecting heat trasnfer by radiation,
find the right wall surface
temperature and the heat flux
through the wall

Datos:
e=20 cm=.2m T ext =50 ˚ C=323.15 K
W T ∞=22 ˚ C=295.15 K
h = 15 2
m K
q̇=?
T s=?

T PD −T PI
Q̇cond =−kA
e
Q̇conv =h A s (T PD−T ∞ )

Donde:
e: Espesor del sólido
h: Constante de conductividad por convección
T ext =T PD : Temperatura del sólido del lado derecho

T ∞: Temperatura del fluido

Q̇cond =Q̇conv

⇉
T PD −T PI k
−kA =hA (T PD −T ∞ ) −(h T ∞+ T PI )
e e
T PD =
k
−k −( + h)
( T PD−T PI )=h (T PD−T ∞ ) e
e
∴
−k k
T PD+ T PI =h T PD −h T ∞
e e W
2.79
W mK
−k k T PD =(15 2 K )(295.15 K )+( )(323.15 K )¿
T PD−h T PD =−h T ∞ − T PI m .2 m W
e e 2.79
mK
(
−k k .2 m
T PD ( −h)=−h T ∞− T PI
e e
T PD =308.642 K =35.492˚ C

Para encontrar la transferencia de calor se sustituye el valor T PD en las

ecuaciones

( )
W
2.79
Q̇cond mK W
= ( 308.642−323.15 ) K =202.3866 2
A .2 m m

( )
Q̇conv W
= 15 2 K ( 308.642−295.15 ) K=202.38
A m
Problema 2.
Heat treatment is common in processing of semiconductor material. A
200 mm diameter silicon wafer with thickness of 725 um is being heat
treated in a vacuum chamber by infrared heat. The surrounding walls of
the chamber have a uniform temperature of 310 K. The infrared heater
provides an incident radiation flux of 200 kW/m2 on the upper surface
of the wafer, and the emissivity and absorptivity of the wafer surface are
0-70. Using a pyrometer, the lower surface temperature of the wafer is
measured to be 1000K. Assuming there is no radiation exchange
between the lower surface of the wafer and the surroundings, determine
the upper surface temperature of the wafer (A pyrometer is a
noncontacting device taht intercepts and measures thermal radiation.
This device can be used to determine the temperature of an object´s
surface)
Problema 3 (Problema 1-94, p.65)
Consider a person standing in a room at 23 ˚C. Determine the total rate of heat
transfer from this person if the exposed surface area and the skin temperature
of the person are 1.7 m2 and 32 ˚C, respectively, and the convection heat
W
transfer coefficient is 5 2 . Take the emissivity of the skin and the clothes to
m K
be 0.9 and assume the temperature of the inner surfaces of the room to be the
same as the air temperature.
Datos:
T ∞=23 ˚ C=296.15 K

A=1.7 m
2
Q̇T =Q̇rad + Q̇conv
4 4
Q̇Tot =? Q̇rad =εσ A s (T s −T ∞ )
T s=32 ˚ C=305.15 K Q̇conv =h A s (T s−T ∞ )
W
h=5 2K
m
ε =0.9
−8 W
σ =5.67 x 10 2 4
m K

Donde:
T ∞ : Temperatura ambiente

A : Area
Q̇Tot :Transferencia de calor total
T s :Temperatura de la superficie expuesta al sol

h :Coeficiente de transferencia de calor

ε : Emisividad

σ :Constante de Stefan
Q̇rad :Transferencia de calor por radiación

Q̇conv :Transferencia de calor por convección

 ( mW ) (1.7 m )( 305.15−296.15) K=76.5 W
Q̇conv = 5 2K
2

−8 W 2
Q̇rad =(0.9)(5.67 x 10 2 4
)(1.7 m )¿
m K
⇉
Q̇T =( 76.5+84.89 ) W =161.39W
Problema 4 (Problema 103E, p 67)
Considere un colector solar de placa plana colocado horizontalmente sobre el
techo plano de una casa. El colector tiene 5 ft de ancho y 15 ft de largo, y la
temperatura promedio de la superficie expuesta del colector es 100°F. La
emisividad de esa superficie expuesta es 0.9. Determine la razón de la pérdida
de calor del colector por convección y radiación duran te un día calmado,
cuando la temperatura ambiente del aire es de 70°F y la temperatura efectiva
del cielo para el intercambio de radiación es de 50°F. Tome el coeficiente de
transferencia de calor por convección sobre la superficie expuesta como 2.5
Btu/h · ft2 · °F.
Problema 5
Una pista de patinaje sobre hielo está ubicada en un edificio en donde el aire
está a T aire=20° C y las paredes, a T w =25 ° C . El coeficiente de transferencia de
W
calor por convección entre el hielo y el aire circundante es h=10 2 . La
m K
kJ
emisividad del hielo es ε =0 .9 5. El calor latente de fusión del hielo hif =333.7 y
kg
kg
su densidad, de ρ=9 20 3 . a) Calcule la carga necesaria de refrigeración del
m
sistema para mantener el hielo a Ts=0°C, para una pista de 12 m x 40 m b)
¿Cuánto 3 mm de hielo de la superficie de la pista si no se proporciona
enfriamiento y el lado inferior del hielo se considera aislado?
Datos:
T ∞=20 ˚ C=293.15 K

T pared=25˚ C=298.15 K

W
h h−a=10 2K
m
ε =0.95
kJ
hif =333.7
kg

kg
ρ=9 20 3
m
4 4
Q̇rad =εσ A s (T s −T ∞ )

Q̇conv =h A s (T s−T ∞ )
 m
ρ= ∴ m=ρv
v
Q=mL
v= Ae
Donde:
T ∞ : Temperatura ambiente

T pared :Temperatura de las paredes

h h−a :Coeficiente de trasferenciade caor por conveccion entre el hielo y aire

ε : Emisividad
hif :Calor latente de fusión delhielo

ρ : Densidad del hielo

Q̇rad :Transferencia de calor por radiación

Q̇conv :Transferencia de calor por convección

Q :Calor entregado
L :Calor latente
m : Masa
v :Volumen
e : Espesor
σ :Constante de Stefan

a)
T s=0 ˚ C l= (12 m)(40 m)
2
Q̇=? A=480 m

(
Q̇conv = 10
W
m
2K)( 480 m2 ) ( 293.15−0 ) K =1407120W

−8 W 2
Q̇ rad =(0.95)(5.67 x 10 2 4
)(480 m )¿
m K
Q̇T =Q̇rad + Q̇conv =( 1407120+60378 ) W =1467498W ≈1.467 MW
b)
J
t=? W [¿ ]
s
e=3 mm

v=( 480 m2 ) ( 0.003 m )=1.44 m3

(
m= 9 20
kg
m
3 )
( 1.44 m3 ) =1324.8 kg

(
Q= (1324.8 kg ) 333.7
kJ
kg)=442085.76 kJ

442085.76 kJ
t= =301.5 s=5.02 min
J
1467498
s
 Ė gen=∫ ė gen dv

T t +∆ t −T t
Q̇ x −Q̇ x+ ∆ x + ė gen A ∆ x=ρ C p A ∆ x( )
∆E ∆t
Q̇r −Q̇r +∆ r + Ė gen=
∆t

A (
−1 Q̇ x+∆ x −Q̇ x
∆t )
+ ė gen=ρ C p (
T t +∆ t −T t
∆t
)

−1 ∂ Q̇ x ∂T
+ ė gen=ρ C p
A ∂x ∂t
∂T
∂(− Ak )
−1 ∂t ∂T
+ ė gen =ρ C p
A ∂x ∂t
∂T
∂(k )
∂t 1 ∂T
+ ė gen =
∂x α ∂t

∂ T ė gen 1 ∂T
2

2
+ =
∂x k α ∂t
k
α=
ρ Cp

d T 2 dT ė gen =0
(r )=0
dr dr 2
∂T
2
=0
∂x
∂
=0
∂t
2
d T dT
r 2
+2 =0
dr dr

A (
−1 Q̇r +∆ r −Q̇ x
∆r )
+ ė gen=ρ C p (
T t +∆ t −T t
∆t
)

∂T
∂( Ak )
1 ∂t ∂T
+ ė gen=ρ C p
A ∂x ∂t
 −1 ∂ Q̇ x ∂T
+ ė gen=ρ C p
A ∂r ∂t
∂T
∂(k )
1 ∂t 1 ∂T
+ ė gen=
r ∂x α ∂t
∂T
∂(r k )
1 ∂t ∂T
+ ė gen=ρ C p
r ∂r ∂t

W
[ ¿]
3
m

1 ∂ ∂ T ė gen 1 ∂T
(r )+ =
r ∂r ∂ t k α ∂t

1 ∂ 2 ∂ T ė gen
2
(r )+ =0
r ∂r ∂t k
 1 ∂ 2 ∂ T ė gen 1 ∂T
2
(r )+ =
r ∂r ∂t k α ∂t

1 (
∂ r2
∂T
∂t )ė
+ gen = ρC p
∂T
r
2
∂r k ∂t