‫الجمــهوريــة الجزائــريــة الديــمقراط ـيــة الشــعب ـي ــة‬

‫ج ـ ــام ــعة قـاصــدي مربـ ــاح ورقـ ـلـ ــة‬

‫كليــة الري ــاضيــات وعلـ ــوم الم ـ ــادة‬

‫قســم الــفيــزيـ ــاء‬

‫مذكرة ‪ :‬ماستر أكاديمي‬

‫تخصص ‪ :‬فيـزيــاء طــاقــويــة والطــاقــات المتجــددة‬

‫من إعداد الطالبتين ‪:‬‬

‫و رحمــاني ع ــايدة‬ ‫بــوعــزة فــاطــمة الزهــرة‬

‫مـذكرة بعـنـوان ‪:‬‬

‫دراسة ظاهرة النقـل اإللكتروني في أشباه الموصالت‬

‫تطبيق ‪:‬صمام ثنائي السيليكون‬

‫نوقشت يوم ‪2622/60/41‬‬

‫أمام لجنة المناقشة المتكونة من السادة ‪:‬‬

‫مشرفـا‬ ‫المدرسة العليا لألساتذة _ورقـلة _‬ ‫األستاذ‪ :‬جريوي محمد‬

‫رئيسا‬ ‫جامعة قـاصدي مرباح _ورقـلة _‬ ‫األستاذ ‪ :‬سوداني محمد البار‬
‫مناقشا‬ ‫المدرسة العليا لألساتدة _ورقـلة _‬ ‫األستاذ ‪ :‬سويقـات عبد القـادر‬

‫المـوسـم الجـامعـي ‪2622/2624‬‬

 ‫إهداء‬
‫ب ارحمهما كَما ربَّيـانِي ِ‬ ‫قـال الله تعالى ﴿ واخفِض لَهما جنَـاح الذُِّل ِمن َّ ِ‬
‫يرا﴾‬
‫صغ ً‬‫َ‬ ‫الر ْح َمة َوقـُل َّر ِ ْ َ ْ ُ َ َ َ َ‬ ‫َ‬ ‫َ ْ ْ َُ َ َ‬
‫[ اإلسراء‪]21 :‬‬

‫إلى التي أوصاني بها المولى خيرا وبرا ‪ ،‬إلى التي حملتني وهنا على وهن ‪ ،‬إلى التي سهرت الليالي ألنام ‪،‬‬
‫إلى منبع الحب والحنان ورمز الصفـاء والوفـاء إلى أمي الغالية حفضها الله وأطال في عمرها ‪.‬‬

‫إلى من أحمل اسمه بإفتخار ‪ ،‬إلى رمز العزة والوقـار‪ ،‬إلى من رعاني ابي الغالي حفظه الله وأطال في عمره‬

‫إلى من كانويضيئون لي الطريق ويساندونني إخوتي وأخواتي‪.‬‬

‫وإلى كل من أحبهم قـلبي‬

‫إلى من علمونا حروفـا من ذهب وكلمات من درر وعبارات من أسمى وأجلى عبارات في العلم إلى من‬
‫صاغو لنا علمهم حروفـا ومن فكرهم منارة تنير سيرة العلم والنجاح إلى من أساتذتنا الكرام ‪.‬‬

‫إلى من سرنا سويا ونحن نشق الطريق معا نحو النجاح واإلبداع إلى صديقـاتي وزميالتي ‪.‬‬

‫بوعزة فـاطمة الزهرة‬

 ‫إهداء‬
‫الحمد لله وكفى والصالة على الحبيب المصطفى وأهله ومن وفى أما بعد‪:‬‬

‫الحمد لله الذي وفقنا لتثمين هذه الخطوة في مسيرتنا الدراسية بمذكرتنا هذه‬

‫ثمرة الجهد والنجاح بفضله تعالى مهداة إلى الوالدين الكريمين حفظهما الله‬

‫وأدامهما نورا لدربي‬

‫لكل العائلة الكريمة التي ساندتني وال تزال ‪...‬‬

‫إلى كل من كان لهم أثر على حياتي ‪ ،‬وإلى كل‬

‫من أحبهم قـلبي ونسيهم قـلمي‬

‫رحماني عايدة‬
 ‫شكر وعرفـان‬

‫نحمد الله عز وجل الذي ألهمنا الصبر والثبات وأمدنا بالقوة والعزم على مواصلة مشوارنا‬

‫الدراسي وتوفيقه لنا في إنجاز هذا العمل ‪ ،‬فنحمدك اللهم ونشكرك على نعمتك وفضلك‬

‫ونسألك البر والتقوى ‪،‬ومن العمل ما ترضى ‪،‬والسالم على حبيبه وخليله األمين عليه أزكى‬

‫الصالة والسالم ‪ ،‬نتقدم بجزيل الشكر لألساتذ الفـاضل جريوي محمد لتفضله باإلشراف على هذا البحث‬

‫وسعة صدره وعلى حرصه ان يكون هذا العمل في صورة كاملة ال يشوهه أي نقص‬

‫نسال الله أن يجزيه عنا كل خير إلشرافه على هذا العمل البسيط‪،‬وعلى المجهودات التي‬

‫بذلها من أجلنا ‪،‬والنصائح والتوجيهات العظيمة التي كان يضعها نصيب أعيننا ‪...‬‬

‫جعل الله ذلك في ميزان حسناته يوم الدين ‪،‬نتقدم بجزيل الشكر وخالص االمتنان إلى‬

‫اإلدارة وأساتذة الكلية‬

 ‫فهرس المحتويات‬

‫فهرس األشكال ‪I ......................................................................................‬‬

‫قائمة الرموزواإلختصارات ‪III ..........................................................................‬‬

‫المقدمة العامة ‪1 ....................................................................................:‬‬

‫أشباه الموصالت‬ ‫الفصل األول ‪:‬‬

‫‪ 1.1‬المقدمة ‪3 ..................................................................................... :‬‬

‫‪ 1.1‬التركيب الذري ‪3 ...............................................................................:‬‬

‫‪ 3.1‬نطاقات الطاقة ‪3 .............................................................................. :‬‬

‫‪ 1.3.1‬نطاق التكافؤ ‪4 ........................................................................... :‬‬

‫‪ 1.3.1‬نطاق التوصيل ‪4 .......................................................................... :‬‬

‫‪ 3.3.1‬النطاق المحظور‪4 .......................................................................... :‬‬

‫‪ 4.1‬المواد الموصلة والعازلة وشبه الموصلة‪4 ........................................................:‬‬

‫‪ 1.4.1‬المواد الموصلة ‪4 ...........................................................: Conductors‬‬

‫‪ 1.4.1‬المواد العازلة ‪5 .................................................................:Insulators‬‬

‫‪ 3.4.1‬المواد شبه الموصلة ‪5 .................................................. :Semiconductors‬‬

‫‪ 5.1‬أنواع أشباه الموصالت ‪6 .......................................................................:‬‬

‫‪ 1.5.1‬أشباه الموصالت النقية (الذاتية) ‪6 .......................... :Intrinsic Semiconductors‬‬

‫‪ 1.5.1‬أشباه الموصالت المطعمة ‪7 ................................... : Impur Semiconductor‬‬

‫‪ 1.1.5.1‬أشباه الموصالت من نوع ‪7 .............................: N_Type Semiconductor N‬‬

‫‪ 1.1.5.1‬أشباه الموصالت من نوع ‪8 ............................. :P_ Type Semiconductor P‬‬

‫‪ 6.1‬مستوى فيرمي ‪9 ...............................................................................:‬‬

‫‪ 7.1‬حامالت الشحنة في أشباه الموصالت‪9 .........................................................:‬‬

‫‪ 1.7.1‬حامالت الشحنة األغلبية و األقلية‪11 ....................................................... :‬‬

‫‪ 1.1.7.1‬حامالت الشحنة األغلبية واألقلية في شبه الموصل من نوع ‪11 ........................... N‬‬

‫‪ 1.1.7.1‬حامالت الشحنة األغلبية واألقلية في شبه الموصل من نوع ‪11 ........................... P‬‬

‫‪ 8.1‬تركيز اإللكترونات و الثقوب ‪11 ...............................................................:‬‬

‫‪ 9.1‬آلية النقل الكهربائي في أشباه الموصالت ‪14 .................................................. :‬‬

‫‪ 1.9.1‬تيار اإلنجراف ‪14 ...........................................................:Drift current‬‬

‫‪ 1.9.1‬تيار اإلنتشار ‪15 .................................................. : Diffusion Current‬‬

‫‪ 11.1‬المقاومة النوعية والتوصيلية النوعية لشبه الموصل ‪16 ........................................ :‬‬

‫‪ 1.11.1‬التوصيلية النوعية ‪16 .....................................................................:‬‬

‫‪ 1.11.1‬المقاومة النوعية ‪17 ...................................................................... :‬‬

‫‪ 11.1‬معادالت نقل الشحنة ‪17 .....................................:Charg Transfer Equation‬‬

‫‪ 1.11.1‬معادالت االنجراف واالنتشار ‪17 ............................................................‬‬

‫‪ 1.11.1‬معادلة بواسون ‪18 ................................................:Poisson's Equation‬‬

‫‪ 3.11.1‬معادلة اإلستم اررية ‪19 .........................................: continuity Equations‬‬

‫‪ 11.1‬الخاتمة ‪11 ..................................................................................:‬‬

‫الصمام الثنائي‬ ‫الفصل الثاني ‪:‬‬

‫‪ 1.1‬المقدمة ‪11 ................................................................................... :‬‬

‫‪ 1.1‬الصمام الثنائي ‪11 ............................................................................:‬‬

‫‪ 1.1.1‬تركيب الصمام الثنائي ‪11 .................................................................. :‬‬

‫‪ 1.1.1‬شكل ورمز الصمام الثنائي‪11 ................................................................‬‬

‫‪ 3.1‬خواص الثنائي والمنحنى المميز‪13 .............................................................:‬‬

‫‪ 1.3.1‬يمرر التيار الكهربائي ‪13 .................................................................:‬‬

‫‪ 1.3.1‬ال يمرر التيار الكهربائي ‪13 ................................................................:‬‬

‫‪ 4.1‬مبدأ اشتغال الصمام ‪13 .......................................................................:‬‬

‫‪ 1 .4.1‬اإلستقطاب االمامي ‪13 ....................................................................:‬‬

‫‪ 1.4.1‬اإلستقطاب العكسي‪14 ......................................................................:‬‬

‫‪ 5.1‬مقارنة بين ديودات السيلكون وديودات الجرمانيوم ‪15 ........................................... :‬‬

‫‪ 6.1‬مقاومات الديود‪15 .............................................................................:‬‬

‫‪ 1.6.1‬المقاومة الستاتيكية ‪15 ......................................................................:‬‬

‫‪ 1.6.1‬المقاومة الديناميكية ‪15 .....................................................................:‬‬

‫‪ 3.6.1‬المقاومة المتوسطة ‪15 .....................................................................:‬‬

‫‪ 7.1‬الدوائر المكافئة لدايود ‪16 ..................................................................... :‬‬

‫‪ 1.7.1‬تقريب الثنائي ‪16 ...............................................:Approximations Diode‬‬

‫‪ 1.1.7.1‬التقريب األول ‪16 ........................................................................:‬‬

‫‪ 1.1.7.1‬التقريب الثاني‪16 ........................................................................ :‬‬

‫‪ 3.1.7.1‬التقريب الثالث‪17 ........................................................................ :‬‬

‫‪ 8.1‬انواع الديود‪18 .................................................................................:‬‬

‫‪ 1.8.1‬ديود زينر‪18 ............................................................................... :‬‬

‫‪ 1.8.1‬ديود السعة المتغيرة‪18 ...................................................................... :‬‬

‫‪ 3.8.1‬ديود النفقي ‪18 .............................................................................:‬‬

‫‪ 4.8.1‬ديود الضوئي ‪18 ...........................................................................:‬‬

‫‪ 5.8.1‬ديود اإلنبعاث الضوئي ‪18 ..................................................................:‬‬

‫‪ 9.1‬تطبيقات الصمام الثنائي ‪19 ...................................................................:‬‬

‫‪ 1.9.1‬دائرة تقويم النصف موجي‪19 ................................................................:‬‬

‫‪ 1.9.1‬دائرة تقويم الموجة الكاملة باستخدام صمامين‪19 ............................................. :‬‬

‫‪ 3.9.1‬دائرة تقويم الموجة الكاملة باستخدام اربع صمامات‪19 ........................................:‬‬

‫‪ 4.9.1‬دايودات األلواح الشمسية‪19 .................................................................:‬‬

‫‪ 5.9.1‬دائرة تشغيل محرك ‪ DC‬باتجاه واحد فقط‪19 ................................................. :‬‬

‫‪ 11.1‬الخاتمة ‪31 ..................................................................................:‬‬

‫تطبيق ‪ :‬صمام ثنائي السيليكون‬ ‫الفصل الثالث ‪:‬‬

‫‪ 1.3‬مقدمة ‪31 .....................................................................................:‬‬

‫‪ 3.3‬محاكاة خواص الديود ‪34 ......................................................................:‬‬

‫‪ 1.3.3‬اإلنحياز األمامي‪34 ........................................................................ :‬‬

‫‪ 1.3.3‬اإلنحياز العكسي ‪35 ....................................................................... :‬‬

‫‪ 4.3‬تأثير تغيير درجة الح اررة‪36 ...................................................................:‬‬

‫‪ 1.4.3‬االنحياز المباشر‪36 ........................................................................ :‬‬

‫‪ 1.4.3‬االنحياز العكسي ‪37 .........................................................................‬‬

‫‪ 5.3‬مناقشة النتائج‪38 ...............................................................................‬‬

‫‪ 6.3‬التفسير ‪38 ................................................................................... :‬‬

‫‪ 7.3‬الخاتمة ‪39 .....................................................................................‬‬

‫الخالصة العامة ‪41 ..................................................................................‬‬

‫قائمة المصادر والمراجع ‪43 ..........................................................................‬‬

 ‫فهرس األشكال‬
‫الصفحة‬ ‫عنوان الشكل‬ ‫الرقم‬
‫‪13‬‬ ‫نموذج بوهر لتكوين الذرة‬ ‫الشكل (‪)1_1‬‬
‫‪13‬‬ ‫تكوين الذرة‬ ‫الشكل (‪)1_1‬‬
‫‪15‬‬ ‫مخطاطات الطاقة أ‪-‬الموصالت ب‪-‬العوازل ج‪-‬اشباه الموصالت‬ ‫الشكل (‪)3_1‬‬
‫‪16‬‬ ‫رسم بياني لبلورة سيليكون نقي و الروابط االلكترونية فيه [‪]1‬‬ ‫الشكل (‪)4_1‬‬
‫‪18‬‬ ‫تطعيم سيليكون أ‪ -‬بذرة مانحة (األنتيمون) ب‪ -‬بذرة كاسبة (البورون)‬ ‫الشكل (‪)5_1‬‬
‫‪9‬‬ ‫موضع مستوى فيرمي لنصف الناقل أ‪ -‬نقي ب‪ -‬سالب ج‪ -‬موجب‬ ‫الشكل (‪)6_1‬‬
‫‪11‬‬ ‫حامالت الشحنة في نصف ناقل أ‪ -‬سالب ب‪ -‬موجب‬ ‫الشكل (‪)7_1‬‬
‫‪11‬‬ ‫شبه موصل نقي‬ ‫الشكل (‪)8_1‬‬
‫‪13‬‬ ‫شبه موصل من نوع ‪n‬‬ ‫الشكل (‪)9_1‬‬
‫‪14‬‬ ‫شبه موصل من نوع ‪p‬‬ ‫الشكل (‪)11_1‬‬
‫‪17‬‬ ‫تدرج حامالت الشحنة وتيارت اإلنتشار الناتجة في بلورة أ_ من النوع ‪P‬‬ ‫الشكل (‪)11_1‬‬
‫ب‪ -‬من النوع ‪N [5]..‬‬
‫‪16‬‬ ‫توصيل التيار الكهربائي في نصف ناقل مطعم بشكل متجانس [‪]16‬‬ ‫الشكل (‪)11_1‬‬
‫‪17‬‬ ‫المقاومة النوعية لنصف ناقل (السيليكون ‪ )si‬من النوع ‪N‬ومن النوع ‪P‬‬ ‫الشكل (‪)13_1‬‬
‫كدالة في تركيز التطعيم [‪]5‬‬
‫‪19‬‬ ‫حجم أولي مستخدم إلشتقاق معادلة اإلستم اررية [‪.]5‬‬ ‫الشكل (‪)14_1‬‬
‫‪22‬‬ ‫بنية الصمام من الداخل‬ ‫الشكل (‪)1_1‬‬
‫‪22‬‬ ‫رمز الصمام الثنائي‬ ‫الشكل (‪)1_1‬‬
‫‪22‬‬ ‫شكل الصمام الثنائي‬ ‫الشكل (‪)3-1‬‬
‫‪23‬‬ ‫المنحنى المميز لصمام الثنائي‬ ‫الشكل(‪)4-1‬‬
‫‪24‬‬ ‫دارة اإلنحياز االمامي للديود‬ ‫الشكل(‪)5-1‬‬
‫‪24‬‬ ‫دارة اإلنحياز العكسي للديود‬ ‫الشكل(‪)6-1‬‬
‫‪26‬‬ ‫التقريب االول للثنائي‬ ‫الشكل(‪)7-1‬‬
‫‪27‬‬ ‫التقرب الثاني للثنائي‬ ‫الشكل (‪)8-1‬‬
‫‪27‬‬ ‫التقريب الثالث للثنائي‬ ‫الشكل (‪)9-1‬‬
‫‪33‬‬ ‫النافذة الرئيسية للبرنامج‬ ‫الشكل (‪)1_3‬‬
‫‪33‬‬ ‫نافذة تحديد خواص التيار المار في الدارة‬ ‫الشكل (‪)1_3‬‬

‫‪I‬‬
‫‪34‬‬ ‫اإلنحياز األمامي لثنائي السيليكون‬ ‫الشكل (‪)3_3‬‬
‫‪34‬‬ ‫تحديد خواص ديود‬ ‫الشكل (‪)4_3‬‬
‫‪35‬‬ ‫تغيرات التيار والجهد في اإلنحياز األمامي‬ ‫الشكل (‪)5_3‬‬
‫‪35‬‬ ‫اإلنحياز العكسي لثنائي السيليكون‬ ‫الشكل (‪)6_3‬‬
‫‪36‬‬ ‫تغيرات التيار والجهد في اإلنحياز العكسي‬ ‫الشكل (‪)7_3‬‬
‫‪36‬‬ ‫المنحنى المميز ‪ IV‬لتأثير درجة الح اررة على شدة التيار حالة اإلنحياز‬ ‫الشكل (‪)8_3‬‬
‫المباشر‬
‫‪37‬‬ ‫المنحنى المميز ‪ IV‬لتأثير درجة الح اررة على شدة التيار حالة اإلنحياز‬ ‫الشكل (‪)9_3‬‬
‫العكسي‬
‫‪38‬‬ ‫منحنى خاصية الجهد الكهربائي لديود‬ ‫الشكل (‪)11_3‬‬

‫‪II‬‬
 ‫قائمة الرموزواإلختصارات‬

‫الوحدة‬ ‫المقدار الفيزيائي‬ ‫الرمز‬

‫‪eV‬‬ ‫طاقة مستوى فيرمي‬ ‫𝐹𝐸‬

‫‪eV‬‬ ‫النطاق المحظور‬ ‫𝑔𝐸‬

‫‪eV‬‬ ‫مستوى طاقة الجزء السفلي من نطاق التوصيل‬ ‫𝐶𝐸‬

‫‪eV‬‬ ‫مستوى طاقة الجزء العلوي من نطاق التكافؤ‬ ‫𝑉𝐸‬

‫𝐾‬ ‫درجة الح اررة المطلقة‬ ‫‪T‬‬

‫𝟑‪𝒄𝒎−‬‬ ‫كثافة اإللكترونات‬ ‫‪N‬‬

‫𝟑‪𝒄𝒎−‬‬ ‫كثافة الثقوب‬ ‫‪P‬‬

‫𝟑‪𝒄𝒎−‬‬ ‫كثافة شبه الموصل النقي‬ ‫𝑖𝑛‬

‫دالة توزع فيرمي وديراك‬ ‫)𝐸(𝑓‬

‫𝑲‪𝑱/‬‬ ‫ثابت بولتزمان ‪𝐾𝐵 = 1.38 ∗ 10−23‬‬ ‫𝐵𝐾‬

‫𝟑‪𝒄𝒎−‬‬ ‫الكثافة الفعالة لحاالت نطاق التوصيل‬ ‫𝑐𝑁‬

‫𝟑‪𝒄𝒎−‬‬ ‫كثافة الحاالت الفعالة لحاالت نطاق التكافؤ‬ ‫𝑉𝑁‬

‫دالة توزع فيرمي الخاصة باإللكترونات‬ ‫) 𝑐𝐸(𝑓‬

‫دالة توزع فيرمي الخاصة باالثقوب‬ ‫) 𝑉𝐸(𝑓‬

‫𝒈𝑲‬ ‫الكتلة الفعالة لإللكترون‬ ‫𝑛𝑚‬
‫𝒈𝑲‬ ‫الكتلة الفعالة للثقوب‬ ‫𝑝𝑚‬
‫𝒔‪𝒎𝟐 𝒌𝒈/‬‬ ‫ثابت بالنك ‪6.62 ∗ 10−34‬‬ ‫‪h‬‬
‫𝟑‪𝒄𝒎−‬‬ ‫تركيز اإللكترونات في نطاق التوصيل‬ ‫‪𝑛0‬‬
‫𝟑‪𝒄𝒎−‬‬ ‫تركيز الثقوب في نطاق التكافؤ‬ ‫‪𝑝0‬‬
‫𝟑‪𝒄𝒎−‬‬ ‫تركيز الذرات المانحة‬ ‫𝐷𝑁‬
‫𝟑‪𝒄𝒎−‬‬ ‫تركيز الدرات المستقبلة‬ ‫𝐴𝑁‬

‫‪III‬‬
 ‫𝟑‪𝒄𝒎−‬‬ ‫تركيز اإللكترونات في شبه الموصل من نوع ‪n‬‬ ‫𝑛𝑛‬
‫𝟑‪𝒄𝒎−‬‬ ‫تركيز الثقوب في شبه الموصل من نوع ‪p‬‬ ‫𝑝𝑝‬
‫𝟑‪𝒄𝒎−‬‬ ‫تركيز الثقوب في شبه الموصل من نوع ‪ n‬حامل أقلية‬ ‫𝑛𝑝‬
‫𝟑‪𝒄𝒎−‬‬ ‫تركيز اإللكترونات في شبه الموصل من نوع ‪ p‬حامل أقلية‬ ‫𝑝𝑛‬
‫𝟐𝒎𝒄‪𝑨/‬‬
‫كثافة تيار االنجراف‬ ‫𝐽‬
‫𝟐𝒎𝒄‪𝑨/‬‬ ‫كثافة تيار انجراف االلكترونات‬ ‫𝑛𝐽‬
‫𝟐𝒎𝒄‪𝑨/‬‬ ‫كثافة تيار انجراف الثقوب‬ ‫𝑝𝐽‬
‫𝟐𝒎𝒄‬ ‫حركية اإللكترونات‬ ‫𝑛𝜇‬
‫(‬ ‫)‬
‫𝒔 ‪𝑽.‬‬
‫𝟐𝒎𝒄‬ ‫حركية الثقوب‬ ‫𝑝𝜇‬
‫(‬ ‫)‬
‫𝒔 ‪𝑽.‬‬
‫) 𝟏‪(𝒔. 𝒎−‬‬ ‫الناقلية النوعية لإللكترونات‬ ‫𝑛𝜎‬
‫) 𝟏‪(𝐬. 𝐦−‬‬ ‫الناقلية النوعية للثقوب‬ ‫𝑝𝜎‬
‫(‪)V/m‬‬ ‫الحقل الكهربائي المطبق‬ ‫‪E‬‬
‫𝟏‪𝒄𝒎−𝟐 𝒔−‬‬ ‫تدفق تيار اإللكترونات‬ ‫𝑛𝐹‬
‫𝟏‪𝒄𝒎−𝟐 𝒔−‬‬ ‫تدفق تيار الثقوب‬ ‫𝑝𝐹‬
‫‪C‬‬ ‫شحنة االلكترون‬ ‫‪e‬‬
‫‪m‬‬ ‫طول العينة‬ ‫‪L‬‬
‫𝟏‪𝑺. 𝒄𝒎−‬‬ ‫التوصيلية النوعية‬ ‫‪σ‬‬
‫‪Ωcm‬‬ ‫المقاومة النوعية‬ ‫𝛲‬
‫( 𝟏‪)𝒄𝒎−𝟑 𝑺−‬‬ ‫معدل التوليد الخارجي لإللكترونات‬ ‫𝑛𝐺‬
‫( 𝟏‪)𝒄𝒎−𝟑 𝑺−‬‬ ‫معدل التوليد الخارجي للثقوب‬ ‫𝑝𝐺‬
‫كثافة التيار االلكتروني الداخل‬ ‫)𝑥( 𝑛𝐽‬
‫كثافة التيا رااللكتروني الخارج‬ ‫)𝑥𝑑 ‪𝐽𝑛 (𝑥 +‬‬

‫‪IV‬‬
‫المقدمة العامة‬
 ‫المقدمة العامة‬

‫المقدمة العامة ‪:‬‬

‫اإللكترونيات علم تطبيقي تتسع تطبيقاته لتشمل كل مرفق من مرافق حياتنا اليومية ‪ ،‬تشكل أنصاف النواقل‬
‫األساس الذي تقوم عليه اإللكترونيات الحديثة اليوم ‪ ،‬وهناك العديد من النبائط واألجهزة اإللكترونية تدخل في‬
‫تطبيقات صناعية واسعة مبنية على خواص أنصاف النواقل نذكر منها على سبيل المثال ال الحصر الديودات‬
‫بأنواعها المستخدمة كحساسات أو مقومات أو مصدرة للضوء والترانزاستورات بأنواعها والخاليا الشمسية و األلواح‬
‫الفوتوفلطية الشمسية التي تحول الطاقة الضوئية مباشرة إلى طاقة كهربائية والدارات المتكاملة الرقمية والتماثلية‪.‬‬

‫أنصاف النواقل صنف من المواد تقع مقاومتها الكهربائية في درجة حرارة الغرفة في‬
‫(‪10−3 Ωcm‬و𝑚𝑐‪)108 Ω‬‬

‫فهي متوسطة بين النواقل الجيدة 𝑚𝑐 ‪ 10−6 Ω.‬والعوازل( 𝑚𝑐 ‪1014 Ω.‬و 𝑚𝑐 ‪ ) 1022 Ω.‬وتنشأ صفات‬
‫النقل فيها من اإلثارة الحرارية أو العيوب في الشبكة البلورية [‪.]1‬وترجه أهميتها الكبيرة على أن خواصها الكهربائية‬
‫شديدة الحساسية لتراكيز الضئيلة من الشوائب التي تضاف إليها بعملية تسمى التطعيم ‪ ،‬ينشأ التيار في أنصاف‬
‫النواقل من جريان الشحنة الكهربائية السالبة التي تحملها اإللكترونات والموجبة التي تحملها الثقوب ‪ ،‬والمواد‬
‫نصف الناقلة الشائعة هي الجوامد بلورية أهمها وأكثرها إستعماال في الصناعة اإللكترونية على النطاق التجاري‬
‫عنصران مشهوران هما السيليكون ‪ Si‬والجرمانيوم ‪.]1[ Ge‬‬

‫لذا تتمحور دراسة موضوعنا على" دراسة ظاهرة النقل اإللكتروني في أشباه الموصالت تطبيق ‪:‬صمام‬
‫ثنائي السيليكون"‬

‫قسمنا هذا البحث في ثالث فصول حيث تطرقنا في الفصل األول إلى عموميات على أشباه الموصالت‬
‫وشرح خصائصها على المستوى الذري وحزم الطاقة التي تحدد الخواص االلكترونية للمادة والتي تنقسم إلى ثالث‬
‫تصنيفات ومنه خصائص أشباه الموصالت في إختالف درجات الحرارة وأنواعها و تناولنا حامالت الشحنة وتياري‬
‫االنتشار واالنجراف وطاقة مستوى فيرمي و تراكيز حامالت الشحنة و الى تياري االنتشار و االنجراف‪.‬‬

‫و الفصل الثاني خصصناه للوصلة ‪ PN‬التي تشكل الصمام الثنائي و الى بنية الصمام و مبدا عمله و‬
‫الدارات المكافئة و انواع الصمامات‬

‫اما الفصل الثالث انجزنا محاكاة للصمام الثنائي و ذلك باستعمال برنامج ‪ pspice9‬حيث اخترنا‬
‫مركبا موجودا في مكتبة البرنامج‪ .‬و رسمنا البيان المميز للصمام و تاثير درجة الحرارة عليه‬

‫‪1‬‬
 ‫الفصل األول‬

‫أشباه الموصالت‬
 ‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬

‫‪ 1.1‬المقدمة ‪:‬‬
‫تصنف المواد الصلبة البلورية إلى عناصر موصلة لتيار الكهربائي وعناصر شبه موصلة وأخرى عازلة نسبة‬
‫إلى قابليتها لنقل التيار الكهربائي سنتناول في هذا الفصل شرحا مبسطا لفيزياء أنصاف النواقل التي تشكل األرضية‬
‫الالزمة لفهم عمل العديد من العناصر و النبائط اإللكترونية المكونة للدارات الكهربائية واإللكترونية وتشغيلها[‪.]1‬‬
‫سنتطرق إلى دراسة ظاهرة النقل اإللكتروني في أشباه الموصالت وأنواعها ومستويات الطاقة الخاصة بها ودراسة‬
‫تركيز حامالت الشحنة في نصف الناقل ‪.‬‬

‫‪ 1.1‬التركيب الذري ‪:‬‬

‫الذرة هي أصغر جزء من المادة‪ ،‬مكونة من نواة كثيفة تدور حولها اإللكترونات على مسافة كبيرة من النواة‬
‫‪ ،‬تشبه المدارات التي تدور فيها الكواكب حول الشمس ‪ .‬مثلما إقترح نيلز بوهر حيث اعتبر أن اإللكترونات في‬
‫الذرة تدور حول النواة في نطاقات مختلفة وغالبا مايشار إلى نموذج بوهر بالنموذج الكوكبي [‪.]11‬‬

‫تحتوي النواة على نوعين من األجسام‪ ،‬أحدها موجب الشحنة ويطلق عليها بروتونات والثاني متعادل‬
‫الشحنة يطلق عليها نيوترونات ويدور حول النواة إلكترونات سالبة الشحنة في مدرات ثابتة [‪.]1‬‬

‫الشكل( ‪ )2_1‬تكوين الذرة‬ ‫الشكل (‪ )1_1‬نموذج بوهر لتكوين الذرة‬

‫‪ 1.1‬نطاقات الطاقة ‪:‬‬

‫تدور اإللكترونات حول النواة في مدرات منفصلة حيث لكل مدار مستوى طاقة معين ‪ ،‬تم تصنيف‬
‫المدارات إلى نطاقات طاقة تسمى ‪ ، shells‬ولكل ذرة عدد ثابت من نطاقات الطاقة‪ ،‬كل نطاق له عدد من‬
‫اإللكترونات المسموح بها تتمثل هذه النطاقات في ‪:‬‬

‫‪3‬‬
‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬

‫‪ 1.1.1‬نطاق التكافؤ ‪:‬‬

‫هو مجموعة من مستويات الطاقة القريبة من بعضها في الطاقة والمتداخلة معا[‪ ،]1‬يحتوي على الكترونات‬
‫المدار األخير لذرة التي في غالب األحيان تشكل الروابط التساهمية بين الذرات [‪.]2‬‬

‫‪ 1.1.1‬نطاق التوصيل ‪:‬‬

‫هو أعلى نطاق طاقة تنتقل إليه اإللكترونات عندما تكتسب طاقة [‪ . ]5‬يكون هذا النطاق فارغ من‬
‫اإللكترونات في المواد شبه الموصلة عند درجات الحرارة المنخفضة جدا أما عند زيادة درجة الحرارة تكون لبعض‬
‫اإللكترونات طاقة حرارية كافية إلنهاء وضيفتها في تشكيل رابطة بين الذرات وتتحرك في كافة أنحاء البلورة‪ ،‬تقفز‬
‫هذه اإللكترونات من نطاق التكافؤ إلى نطاق التوصيل حيث أنها تكون حرة الحركة ويسمى الفرق بين قاع نطاق‬
‫التوصيل وقمة نطاق التكافؤ بثغرة الطاقة المحظورة (النطاق المحظور ) ويشار إليها ب ‪.]6[ Eg‬‬

‫‪ 1.1.1‬النطاق المحظور‪:‬‬
‫اليمكن لإللكترونات أن تنتقل من حزمة التكافؤ الى حزمة التوصيل اال اذا اكتسبت طاقة أكبر من طاقتها‬
‫حيث لسيليكون يكون النطاق المحظورة 𝑖𝑆_𝑉𝑒‪ ،𝐸𝑔 ≈ 1.1‬والجرمانيوم 𝑒𝐺_𝑉𝑒‪ 𝐸𝑔 ≈ 0.67‬وهو‬
‫الذي يحدد الخواص الكهربائية للبلورة[‪.]7‬‬

‫‪ 1.1‬المواد الموصلة والعازلة وشبه الموصلة‪:‬‬

‫يمكن تصنيف المواد من حيث مقدرتها على إيصال التيار الكهربائي إلى ثالثة أنواع هي المواد الموصلة‬
‫(‪ )conductors‬والمواد العازلة (‪ ) insulators‬والمواد شبه الموصلة (‪.]1[ )semiconductors‬‬

‫‪ 1.1.1‬المواد الموصلة ‪: Conductors‬‬

‫هي مواد مقاومتها النوعية للتيار صغيرة جدا وتسمح بمرور التيار الكهربائي من خاللها إلحتوائها وفرة من‬
‫اإللكترونات الحرة وتتمثل هذه المواد في الفلزات والسبائك المعدنية[‪]2‬؛ وتتميز المواد الموصلة بعدم وجود نطاق‬
‫محظور بين نطاق التكافؤ ونطاق التوصيل‪ ،‬أي يتفاعل كل من نطاقي التكافؤ والتوصيل فيما بينهما ‪ ،‬وإلكترونات‬
‫التكافؤ تكون هي نفسها إلكترونات التوصيل وعند تواجد مجال كهربائي ما تكتسب اإللكترونات طاقة إضافية‬
‫مما يؤدي إلى سهولة اإلنتقال بين مستويات الطاقة المختلفة [‪.]8‬‬

‫‪4‬‬
‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬

‫‪ 1.4.2‬المواد العازلة ‪:Insulators‬‬

‫هي مواد مقاومتها النوعية لمرور التيار الكهربائي عالية جدا و ال تسمح بمرور التيار الكهربائي لعدم وجود‬
‫وفرة من اإللكترونات الحرة مثل الكوارترز و البورسيلين و المايكا و الزجاج[‪ . ]2‬ويكون اتساع النطاق المحظور‬
‫كبيرا ‪ ) 8-1ev( ،‬بحيث إذا استخدمنا مجال كهربائي لمنح أي الكترون طاقة لتخطي النطاق المحظور‬
‫ستكون الطاقة كبيرة جدا وتبلغ شدة المجال الكهربائي حوالي( 𝑚𝑐‪ ) 6 ∗ 108 𝑉/‬تقريبا‪ ،‬لذالك من‬
‫المستحيل منح أي الكترون من هذه الطاقة وبالتالي ال يوجد أي الكترون في نطاق التوصيل[‪.]8‬‬

‫‪ 3.4.2‬المواد شبه الموصلة ‪:Semiconductors‬‬

‫تأتي هذه المواد بين المواد الموصلة والمواد العازلة لها قدرة على توصيل التيار الكهربائي ويكون عرض‬
‫النطاق المحظور صغيرا جدا تقريبا (‪ )1ev‬وعند درجة حرارة الصفر المطلق (𝑘‪ )0‬تكون جميع اإللكترونات في‬
‫نطاق التكافؤ واليوجد أي منها في نطاق التوصيل وبالتالي هذه المواد تكون عازال مثاليا عند (= 𝑘‬
‫℃‪ ) 0−273‬وعند زيادة الحرارة فإن اإللكترونات تقفز من نطاق التكافؤ إلى نطاق التوصيل وبذلك تسلك‬
‫هذه المادة سلوك المواد الموصلة‪ ،‬إن من أشهر المواد شبه الموصلة السيليكون (‪ )Si‬والجرمانيوم (‪ ) Ge‬ويبلغ‬
‫عرض النطاق المحظور للسيليكون (‪ )1.21ev‬ويبلغ )‪ )0.785 ev‬للجرمانيوم عند درجة حرارة الصفر المطلق‬
‫[‪.]8‬‬

‫الشكل (‪ )1-1‬مخططات الطاقة‪ :‬أ‪-‬الموصالت ب‪-‬العوازل ج‪-‬اشباه الموصالت‬

‫‪5‬‬
‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬

‫‪ 1.1‬أنواع أشباه الموصالت ‪:‬‬

‫تنقسم أشباه الموصالت إلى نوعين‬

‫‪ 2.5.2‬أشباه الموصالت النقية (الذاتية) ‪:Intrinsic Semiconductors‬‬

‫يكون شبه الموصل نقيا إذا كان غير مطعم بشوائب غريبة وخال من العيوب‪ .‬وفي درجة الصفر المطلق‬
‫اليوجد في شبه الموصل حامالت الشحنة ‪ ،‬ولكن عندما ترتفع درجة الحرارة تتولد أزواج من االلكترونات والثقوب‬
‫نتيجة اثارة إ لكترونات نطاق التكافؤ حراريا عبر شريط الطاقة المحظورة إلى نطاق التوصيل هذه األزواج من‬
‫االلكترونات والثقوب هي حامالت الشحنة الوحيدة في شبه الموصل النقي حيث يمثل الشكل (‪ )4_1‬بلورة‬
‫سيليكون نقية ونتيجة إرتفاع درجة الحرارة استطاع إلكترون التكافؤ أن يخرج من مداره ليصبح إلكترونا حر الحركة‬
‫وترك مكانه السابق بتواجد ثقب و تكسير الرابطة التساهمية في موضع تكوين الثقب ‪ ،‬إن زيادة درجة الحرارة‬
‫تؤدي إلى زيادة تولد أزواج اإللكترونات والثقوب وبالتالي زيادة التيار[‪.]2‬‬

‫الشكل (‪ )4-1‬رسم بياني لبلورة سيليكون نقي و الروابط االلكترونية فيه [‪]1‬‬

‫يمكن تصور عملية توليد أزواج االلكترونات والثقوب بطريقة وصفية اعتمادا على كسر الروابط االلكترونية‬
‫في الشبكة البلورية لشبه الموصل‪ .‬إذا كسرت احدى الروابط االلكترونية في السيليكون وانخلع الكترون التكافؤ‬
‫من موضعه في الرابطة بحيث يصبح حرا وقادرا على التجوال في الشبكة البلورية فإنه يتولد إلكترون نقل مخلفا‬
‫وراءه رابطة محطمة (ثقب ) كما في الشكل (‪ )4-1‬إن الطاقة الالزمة لكسر الرابطة هي طاقة ثقب الطاقة 𝑔𝐸‬
‫[‪.]1‬‬

‫‪6‬‬
 ‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬

‫يبين الشكل (‪ ) 4-1‬أنه في أشباه الموصالت النقية يرتبط وجود كل الكترون في نطاق التوصيل بوجود ثقب‬
‫في نطاق التكافؤ ومنه نستنتج أن كثافة االلكترونات في نطاق التوصيل 𝑛 تساوي كثافة الثقوب في نطاق التكافؤ‬
‫𝑝 في شبه الموصل النقي وعليه يتحقق في شبه الموصل النقي العالقة 𝑖𝑛 = 𝑝 = 𝑛‬

‫‪ 1.5.2‬أشباه الموصالت المطعمة ‪: Impur Semiconductor‬‬

‫يصنع هذا النوع من أشباه الموصالت بعملية تسمى التطعيم (‪ )dopping‬وهي عبارة عن إضافة كمية‬
‫محدودة من الشوائب بغرض زيادة حامالت الشحنة(الكترون‪ -‬ثقب ) بصورة كبيرة إضافة إلى حامالت الشحنة‬
‫التي تنشأ حراريا‪ ،‬وهي التقنية األكثر انتشارا لتغيير الناقلية النوعية ألشباه الموصالت ‪ .‬فشبه الموصل الغير نقي‬
‫هو شبه موصل نقي مطعم بشائبة معينة قادر على تعديل عميق في خصائصه الكهربائية مما يجعله مناسبا‬
‫للتطبيقات اإللكترونية (الدايودات و الترانزاستورات و ما إلى ذلك ) ‪.‬‬

‫بعملية التطعيم يمكن تغيير نوع حامالت الشحنة المسيطرة في عملية النقل الكهربائي بحيث تكون إلكترونات‬
‫أو ثقوب‪ .‬تؤدي عملية التطعيم إلى نوعين من أشباه الموصالت المطعمة ‪ :‬النوع ‪ n‬تكون فيه غالبية لإللكترونات‬
‫والنوع ‪ p‬تكون فيه غالبية لثقوب ‪ ،‬فعند تطعيم بلورة بحيث تكون كثافة حامالت الشحنة في وضع التوازن ‪𝑛0‬‬
‫و ‪ 𝑝0‬مختلفتين عن كثافة حامل الشحنة النقي 𝑖𝑛 يقال عن شبه الموصل أنه غير نقي [‪.]1‬‬

‫إن الشوائب المستخدمة عبارة عن ذرات خماسية التكافؤ أو ثالثية التكافؤ أي وجود خمس أو ثالث‬
‫إلكترونات تكافؤ في المدار األخير ‪ ،‬تقع نسبة الشوائب المستخدمة في المدى ‪ 106‬ذرة سيليكون ‪ ،‬إن‬
‫الخصائص الفيزيائية و الكيميائية التتغير ولكن الخصائص الكهربائية تتغير تغيرا كبيرا ومنه يمكن تصنيف أشباه‬
‫الموصالت الغير نقية إلي نوعين وهما نوع سالب ‪ N‬ونوع موجب ‪. ]2[ P‬‬

‫‪ 2.1.5.2‬أشباه الموصالت من نوع ‪: N_Type Semiconductor N‬‬

‫يتم الحصول عليها بإضافة مادة شائبة من عناصر خماسية التكافؤ مثل الفوسفور (‪ )p‬أو الزرنيخ (‪)As‬‬
‫أو االنتيمون (‪ )Sb‬الشكل (‪_5_1‬أ) (تحتوي على خمس إلكترونات تكافؤ في مستوى الطاقة األخير) إلى‬
‫مادة شبه الموصل النقي مثل السيليكون (‪ )Si‬أو الجرمانيوم (‪ )Ge‬حيث هذا النوع من البلورات تكون له ذرة‬
‫شائبة خماسية التكافؤ مثل األنتيمون مرتبطة بأربع ذرات سيليكون عن طريق أربع روابط تشارك فيهم ذرة األنتيمون‬
‫بأربع الكترونات ويتبقى الكترون الخامس لذرة األنتيمون ضيف اإلرتباط بها إلكترون حر ‪ .‬وكلما زاد عدد ذرات‬
‫الشائبة يزداد عدد اإللكترونات الحرة وبالتالي تزداد قدرة البلورة على توصيل التيار الكهربائي ويسمى هذا النوع‬

‫‪7‬‬
‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬

‫من البلورات (بلورة سالبة) ألن خاصية التوصيل الكهربائي بها ناتجة عن حركة اإللكترونات السالبة وتسمى هذه‬
‫الذرة بذرة المانحة‪]7[ .‬‬

‫إن هذا اإللكترون الخامس يكون شبه شائب ‪ ،‬وتكفيه طاقة صغيرة التتعدى ‪ 0.04ev‬للجرمانيوم‬
‫و ‪ 0.01eV‬لسيليكون لنقله إلى نطاق التوصيل ‪ .‬وبهذا فإن وجود الذرات الشائبة يزيد من عدد اإللكترونات‬
‫الطليقة في نطاق التوصيل مع قليل من الطاقة ليس غير ‪ ،‬وقد يتضاعف هذا العدد من اإللكترونات الطليقة إلى‬
‫ألف مرة عما هو عليه في حالة السيليكون النقي ‪.‬‬

‫من الجدير بالذكر أن اإللكترونات الفائضة في نطاق التوصيل نتيجة لوجود الشوائب اليقابله ظهور الثقوب‬
‫في نطاق التكافؤ ‪ .‬فهذه اإللكترونات التنتقل من نطاق التكافؤ كما يحدث ذلك في المادة النقية بل إنها تنتقل‬
‫من مستويات طاقة واقعة تحت حافة نطاق التوصيل (ضمن ثقب الطاقة ) وعلى عمق قليل جدا من الطاقة‬
‫(‪ 0.01eV‬أو ‪.]11[ ) 0.04 eV‬‬

‫‪ 1.1.5.2‬أشباه الموصالت من نوع ‪:P_ Type Semiconductor P‬‬

‫يتم الحصول عليها بإضافة مادة شائبة ثالثية التكافؤ مثل الجاليوم (‪ )Ga‬أو األلمنيوم (‪ )Al‬أو البورون‬
‫(‪ )B‬الشكل (‪_5_1‬ب) ( تحتوي على ثالث إلكترونات تكافؤ في مستوى الطاقة األخير) إلى مادة شبه‬
‫الموصل النقي مثل السيليكون (‪ )Si‬أو الجرمانيوم (‪ )Ge‬حيث هذا النوع من البلورات تكون له ذرة ثالثية التكافؤ‬
‫و ليكن البورون مرتبط بأربع ذرات سيليكون عن طريق أربع روابط تساهمية تشارك فيهم ذرة البورون بثالث‬
‫إلكترونات ويتبقى في الرابطة الرابعة مكان إللكترون غير موجود تسمى ثقب ‪ ،‬تقوم الثقوب بجذب إلكترون من‬
‫رابطة مجاورة وعندما ينتقل اإللكترون يمأل هذه الثقوب ويترك خلفه ثقب جديدة وهكذا ونتيجة لحركة االلكترون‬
‫بين الروابط لمأل الثقوب يتسبب ذلك في وجود إلكترونات حرة مما يجعل البلورة توصل التيار الكهربائي ويسمى‬
‫هذا النوع بالذرة القابلة [‪.]7‬‬

‫الشكل (‪ )5_1‬تطعيم سيليكون أ‪ -‬بذرة مانحة (األنتيمون) ب‪ -‬بذرة كاسبة (البورون)‬

‫‪8‬‬
‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬

‫كذلك الشوائب القابلة تكون مستويات الطاقة جديدة ضمن ثقب الطاقة وعلى مسافة قريبة جدا من نطاق‬
‫التكافؤ يطلق عليها بالمنسوب القابل تبلغ قيمته حوالي ‪ 0.01ev‬بالنسبة للجرمانيوم ‪ 0.16ev‬بالنسبة‬
‫لسيليكون‪ .‬إن وجود هذا المنسوب يسهل من عملية انتقال االلكترونات من نطاق التكافؤ وهذه الثقوب تساعد‬
‫على سريان التيار[‪.]11‬‬

‫‪ 1.2‬مستوى فيرمي ‪:‬‬

‫هو المستوى الذي يكون احتمال انشغاله بالكترون ‪ 50%‬ويقع في منتصف مستوى الطاقة المحظورة‬
‫)‪ ] 7[(Eg‬؛ يعد مستوى طاقة فيرمي أكثر قيم الطاقة أهمية ألنه يعد مرجعا تقارن بالنسبة له طاقة اإللكترونات‬
‫والثقوب في مواد شبه موصلة ويرمز له ب( 𝐹𝐸)[‪.]1‬‬

‫بمأن كثافة اإللكترونات في نطاق التوصيل تساوي كثافة الثقوب في نطاق التكافؤ في مادة نصف الناقل‬
‫النقي فإن مستوى فيرمي يقع في المنتصف بين نطاق التوصيل ونطاق التكافؤ أي ‪ n=p‬كما في الجزء (أ) من‬
‫الشكل (‪. )6_1‬‬

‫من أجل شبه الموصل من نوع ‪ n‬المشوب بذرات مانحة فإن مستوى فيرمي يقع قريبا من نطاق التوصيل‬
‫‪ ،‬ألن كثافة اإللكترونات في نطاق التوصيل أكبر بكثير من كثافة الثقوب في نطاق التكافؤ ‪ ، n>>p‬ويعني‬
‫هذا أنه توجد مستويات طاقة مشغولة باإللكترونات فوق منتصف الطاقة المحظورة كما في الجزء (ب) من الشكل‬
‫(‪ ، )6_1‬ويقع مستوى فيرمي فوق نطاق التكافؤ وقريبا منه في شبه الموصل من نوع ‪ p‬كما في الجزء (ج) من‬
‫الشكل (‪.]1[ )6_1‬‬

‫الشكل (‪ )6_1‬موضع مستوى فيرمي لنصف الناقل أ‪ -‬نقي ب‪ -‬سالب ج‪ -‬موجب‬

‫‪ 1.1‬حامالت الشحنة في أشباه الموصالت‪:‬‬

‫اإللكترونات الموجودة في نطاق التوصيل والثقوب الموجودة في نطاق التكافؤ تسمى حامالت الشحنة‪.‬‬

‫‪9‬‬
‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬

‫يعتبر التوصيل في أشباه الموصالت إما حركة اإللكترونات الحرة في نطاق التوصيل أو حركة الثقوب في نطاق‬
‫التكافؤ ‪،‬والتي هي في الواقع حركة إلكترونات التكافؤ إلى الذرات القريبة مما يؤدي إلى إحداث ثقب في اإلتجاه‬
‫المعاكس ‪ ،‬ينشأ التيار في نطاق التوصيل بواسطة اإللكترونات أما في شريط التكافؤ بواسطة الثقوب[‪.]9‬‬

‫‪ 2.7.2‬حامالت الشحنة األغلبية و األقلية‪:‬‬

‫في أشباه الموصالت النقية ‪ ،‬تكتسب إلكترونات التكافؤ طاقة حركية كافية لتنتقل من نطاق التكافؤ إلى‬
‫نطاق التوصيل ويكون مصدر هذه الطاقة ضوئيا أو حراريا و نيتجة هذه الطاقة تغادر اإللكترونات ذراتها وتصبح‬
‫إلكترونات حرة ضمن البنية البلورية و تترك ورائها ثقوب إلكترونية موجبة ‪.‬‬

‫‪ 2.2.7.2‬حامالت الشحنة األغلبية واألقلية في شبه الموصل من نوع ‪N‬‬

‫في شبه الموصل من نوع (‪ ) N_ Type Semiconductor‬تكون هناك زيادة في اإللكترونات‬
‫المرشحة لتصبح إلكترونات حرة ناتجة من ذرات خماسية ‪ ،‬ويكون عدد هذه اإللكترونات كبير جدا مقارنة بعدد‬
‫الثقوب الموجودة في هذا النوع من أشباه الموصالت المطعمة‪ .‬وبذلك نصف اإللكترونات الحرة بأنها حامالت‬
‫الشحنة األغلبية والثقوب حامالت الشحنة األقلية‪ ]10[.‬مثلما يبين الشكل (‪-7-1‬أ)‬

‫‪ 1.2.7.2‬حامالت الشحنة األغلبية واألقلية في شبه الموصل من نوع ‪P‬‬

‫في شبه الموصل من نوع الموجب (‪ ) p_ Type Semiconductor‬تكون هناك زيادة في عدد‬
‫الثقوب ناتجة من ذرات ثالثية تكافؤ ‪ ،‬ويكون عدد هذه الثقوب أكبر بكثير من عدد اإللكترونات فإن حامالت‬
‫الشحنة األغلبية هي الثقوب اإللكترونية وحامالت الشحنة األقلية هي اإللكترونات كما بشكل (‪-7-1‬ب)‪.‬‬

‫الشكل (‪ )7_1‬حامالت الشحنة في نصف ناقل أ‪ -‬سالب ب‪ -‬موجب‬

‫يبين الجدول (‪ )1-1‬خالصة مقارنة بين نوعين من أشباه الموصالت من حيث حامالت الشحنة األغلبية‬
‫واألقلية‬

‫‪10‬‬
‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬

‫الجدول ( ‪ )1_1‬نوع حامالت الشحنة األقلية واألغلبية لشبه الموصل المطعم‬

‫حامالت الشحنة األقلية‬ ‫حامالت الشحنة األغلبية‬ ‫شبه الموصل المطعم‬
‫الثقوب اإللكترونية‬ ‫النوع) ‪ (N_ Type Semiconductor‬اإللكترونات‬
‫اإللكترونات‬ ‫الثقوب اإللكترونية‬ ‫النوع) ‪(P_ Type Semiconductor‬‬

‫‪ 1.2‬تركيز اإللكترونات و الثقوب ‪:‬‬

‫في أشباه الموصالت النقية وفي حالة درجات الحرارة المنخفضة تكون الموصلية قليلة جدا وذلك بسبب‬
‫عدم وجود اإللكترونات ‪ ،‬ومع ارتفاع درجة الحرارة تثار اإللكترونات في نطاق التكافؤ لتنتقل إلى نطاق التوصيل‬
‫كما بشكل (‪ ، )8_1‬لذا فشبه الموصل له خاصية مهمة وهي أن الموصلية تعتمد بشكل أساسي على درجة‬
‫الحرارة فكلما زادت درجة الحرارة زادت الموصلية [‪.]14‬‬

‫الشكل (‪ )8_1‬شبه موصل نقي‬

‫انطالقا من إحصاء فيرمي وديراك بالعالقة (‪ ، )1_1‬وعند درجة الحرار‪ T‬يكون تركيز اإللكترونات ‪𝑛0‬‬
‫في الجزء السفلي من نطاق التوصيل بالعالقة (‪:)2_1‬‬

‫‪1‬‬
‫= ) 𝐸( 𝑓‬ ‫)‪… … … … … . … … . (1_1‬‬
‫𝑇 𝐵𝐾‪1 + 𝑒 (𝐸−𝐸𝐹 )⁄‬‬
‫)‪𝑛0 = 𝑁𝑐 𝑓(𝐸𝑐 ) … … … … … … … … . . (2_1‬‬
‫حيث 𝑐𝑁 الكثافة الفعالة لحاالت نطاق التوصيل 𝑐𝐵 وتعطى بالعالقة (‪: )1_1‬‬

‫‪2𝜋𝑚𝑛 𝐾𝑇 3/2‬‬
‫[ ‪𝑁𝑐 = 2‬‬ ‫)‪] … … … … … . . . . . . . (3_1‬‬
‫‪ℎ2‬‬

‫‪11‬‬
‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬

‫𝐹𝐸 ‪ :‬طاقة مستوى فيرمي‬

‫𝐵𝐾 ‪ :‬ثابت بولتزمان ‪𝐾𝐵 = 1.38 ∗ 10−23 𝐽/K‬‬
‫𝐶𝐸 ‪ :‬مستوى طاقة الجزء السفلي من نطاق التوصيل‬
‫) 𝑐𝐸(𝑓 ‪ :‬دالة توزع فيرمي الخاصة باإللكترونات‬
‫𝑛𝑚‪ :‬الكتلة الفعالة لإللكترون ب𝑔𝐾‪.‬‬
‫‪ : h‬ثابت بالنك 𝑠‪6.62 ∗ 10−34 𝑚2 𝐾𝑔/‬‬
‫‪ :T‬درجة الحرارة المطلقة‬
‫𝑣𝑒‪𝐾𝐵 𝑇 = 0.026‬‬ ‫في درجة حرارة الغرفة‪:‬‬
‫و 𝑣𝑒‪𝐸𝑐 − 𝐸𝐹 = 1‬‬
‫ويمكن أن نهمل العامل ‪ 1‬في دالة فيرمي بدقة عالية لدينا ‪:‬‬

‫‪1‬‬
‫= ) 𝑐𝐸(𝑓‬ ‫)‪≈ 𝑒 −(𝐸𝐶 −𝐸𝐹 )⁄𝐾𝐵 𝑇 … … … … . . … (4_1‬‬
‫‪1+‬‬ ‫𝑇 𝐵𝐾‪𝑒 (𝐸𝑐−𝐸𝐹 )⁄‬‬
‫ومنه تركيز اإللكترونات في نطاق التوصيل هو ‪:‬‬

‫)‪𝑛0 = 𝑁𝑐 𝑒 −(𝐸𝑐 −𝐸𝐹 )⁄𝐾𝐵 𝑇 … … … … … . . … … (5_1‬‬

‫يؤدي نقص اإللكترونات في نطاق التكافؤ إلى تكون حامالت الشحنة المتحركة (الثقوب ) على نحو مماثل ‪،‬‬
‫ومنه تركيز الثقوب ‪ 𝑝0‬هو ‪:‬‬

‫)‪𝑝0 = 𝑁𝑉 [1 − 𝑓(𝐸𝑉 )] ≈ 𝑁𝑉 𝑒 −(𝐸𝐹 −𝐸𝑉)⁄𝐾𝐵 𝑇 … … … . . … . . (6_1‬‬

‫حيث 𝑉𝑁 الكثافة الفعالة لحاالت نطاق التكافؤ 𝑉𝐵وتعطى بالعالقة التالية ‪:‬‬

‫‪2𝜋𝑚𝑝 𝐾𝑇 3/2‬‬
‫[ ‪𝑁𝑉 = 2‬‬ ‫)‪] … … … . . . . . (7_1‬‬
‫‪ℎ2‬‬
‫𝑉𝐸 ‪:‬هي مستوى طاقة الجزء العلوي من نطاق التكافؤ ‪.‬‬

‫𝑝𝑚‪ :‬الكتلة الفعالة للثقوب ب 𝑔𝐾 ‪.‬‬

‫في أشباه الموصالت النقية يجب أن يكون تركيز اإللكترونات يساوي تركيز الثقوب يمكن تعريف تركيز حامل‬
‫الشحنة النقي كمايلي‪:‬‬

‫‪12‬‬
‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬

‫)‪𝑛𝑖 = √𝑁𝑐 𝑁𝑉 𝑒 −𝐸𝑔 ⁄2𝐾𝐵𝑇 … … … . . … . (8_1‬‬

‫بالخاصية العامة ‪:‬‬

‫)‪𝑛0 𝑝0 = 𝑛𝑖2 … … … … … . . . (9_1‬‬

‫التي تكون صحيحة حتى بالنسبة ألشباه الموصالت التي توجد بها شوائب‬

‫ومنه نعرف أشباه الموصالت من النوع ‪ p‬و النوع ‪n‬‬

‫في أشباه الموصالت غير النقية السالبة‪ ،‬يقع مستوى الطاقة الخاص بذرات المانحة مباشرة تحت الجزء‬
‫السفلى من نطاق التوصيل وبسهولة تتأين الذرة الشائبة إلضافة إلكترون لنطاق التوصيل بالنسبة للسيليكون‬
‫والجرمانيوم المطعمة بذرات (األنتيمون ‪ ،‬الزرنيخ ‪ ،‬الفوسفور ) ذرات مانحة فعالة ‪ .‬وتوريع فيرمي اليزال صالحا ‪،‬‬
‫لكن مستوى فيرمي قد تحرك بإتجاه نطاق التوصيل ‪ ،‬كما هو موضح بالشكل (‪.)9_1‬‬

‫نفترض أن تركيز الذرات المانحة هو 𝐷𝑁 فإذا كانت درجة الحرارة عالية بنحو معقول‪ ،‬فيمكن أن‬
‫يحدث تأين لكل الذرات المانحة يساوي تقريبا تركيز اإللكترونات الحرة 𝑛𝑛 في شبه الموصل من نوع ‪n‬‬
‫[‪.]14‬‬

‫)‪𝑛𝑛 = 𝑁𝐷 … … … … … … . . . … . (10_1‬‬

‫الشكل (‪ )9_1‬شبه موصل من نوع ‪n‬‬

‫في أشباه الموصالت غير النقية الموجبة‪ ،‬يقع مستوى الطاقة الخاص بذرات المستقبلة مباشرة فوق الجزء‬
‫العلوي من نطاق التكافؤ‪ ،‬و يمكن بسهولة لذرات المستقبلة أن تحجز إلكترونا في نطاق التكافؤ تاركة ثقب في‬

‫‪13‬‬
‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬

‫هذا النطاق‪ .‬اليزال مستوى فيرمي صالحا لكن مستوى فيرمي قد تحرك بإتجاه نطاق التكافؤ كما هو موضح في‬
‫الشكل (‪ ، )10_1‬نفترض أن تركيز الذرات المستقبلة هو 𝐴𝑁 ودرجة الحرارة عالية ‪،‬فيمكن أن تصبح كل الذرات‬
‫المستقبلة أيونا سالبا يساوي تركيز الثقوب 𝑝𝑝 في شبه الموصل من نوع ‪.]14[ p‬‬

‫)‪𝑝𝑝 = 𝑁𝐴 … … … … … … . . … (11_1‬‬

‫الشكل (‪ )10_1‬شبه موصل من نوع ‪p‬‬

‫في كلتا الحالتين يساوي حاصل ضرب تركيزي اإللكترونات الحرة والثقوب مربع تركيز حامل الشحنة‬
‫النقي‪:‬‬

‫)‪𝑛𝑛 𝑝𝑛 = 𝑝𝑝 𝑛𝑝 = 𝑛𝑖2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (12_1‬‬

‫𝑛𝑝 ‪ :‬تركيز الثقوب في شبه الموصل من النوع ‪ n‬حامل أقلية‬

‫𝑝𝑛 ‪ :‬تركيز اإللكترونات في شبه الموصل من النوع ‪ p‬حامل أقلية‬

‫‪ 1.2‬آلية النقل الكهربائي في أشباه الموصالت ‪:‬‬

‫توجد آلياتان لنقل التيار الكهربائي‬

‫‪ 2.1.2‬تيار اإلنجراف ‪:Drift current‬‬

‫تنجرف الثقوب مع جهة الحقل واإللكترونات في الجهة المعاكسة وبذلك يكون تيار النقل باإلنجراف‬
‫الناتج عنهما في جهة واحدة ويساوي مجموع مساهمتيهما [‪.]1‬‬

‫تعطى كثافة تيار تساوي مجموع تياري اإلنجراف لإللكترونات والثقوب بالعالقة التالية ‪:‬‬

‫)‪𝐽 = 𝐽𝑛 + 𝐽𝑝 = 𝑒(𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑝 )𝐸 = 𝜎𝑛 𝐸 + 𝜎𝑝 𝐸 … . … . (13_1‬‬

‫‪14‬‬
‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬

‫حيث‪:‬‬

‫‪𝑐𝑚2‬‬
‫(‬ ‫𝑛𝜇 ‪ :‬حركية اإللكترونات وحدتها )‬ ‫‪ : n‬كثافة اإللكترونات‬
‫𝑠‪𝑉.‬‬
‫‪𝑐𝑚2‬‬
‫(‬ ‫𝑝𝜇 ‪ :‬حركية الثقوب وحدتها )‬ ‫‪ :p‬كثافة الثقوب‬
‫𝑠‪𝑉.‬‬
‫𝑛𝜎 ‪ :‬الناقلية النوعية لإللكترونات وحدتها ) ‪(𝑠. 𝑚−1‬‬
‫𝑝𝜎 ‪ :‬الناقلية النوعية للثقوب وحدتها) ‪(𝑠. 𝑚−1‬‬
‫‪ : E‬الحقل الكهربائي المطبق وحدته (‪)v/m‬‬
‫بما أن ‪ n>>p‬في نصف الناقل من النوع ‪ N‬فإن كثافة تيار اإلنجراف تأخد الشكل التالي ‪:‬‬

‫)‪𝐽 = 𝑛𝑒𝜇𝑛 𝐸 … … … … … … … … … . … . (14_1‬‬

‫وبماأن ‪ p>>n‬في نصف الناقل من نوع ‪ p‬فإن كثافة تيار اإلنجراف تأخذ الشكل التالي‬

‫)‪𝐽 = 𝑝𝑒𝜇𝑝 𝐸 … … … … … … … … … … … (15_1‬‬

‫‪ 1.1.2‬تيار اإلنتشار ‪: Diffusion Current‬‬

‫نعتبر قطعة من شبه موصل من النوع ‪ N‬والتي يوجد فيها لسبب ما تدرج في تركيز اإللكترونات ‪ ،‬وقياسا‬
‫مع قوانين اإلنتشار في الغازات أو في السوائل يمكن القول أن اإللكترونات سوف تنتشر من المنطقة األعلى تركيز‬
‫إلى األقل تركيز كما هو موضح في الشكل (‪ )11_1‬يتناسب تدفق اإللكترونات 𝑛𝐹 الناتج عن عملية اإلنتشار‬
‫𝑛𝑑‬
‫عند ضرب التدفق هذا في شحنة اإللكترون ‪ -q‬فإن كثافة تيار اإلنتشار‬ ‫طرديا مع تدرج تركيز اإللكترونات‬
‫𝑥𝑑‬
‫لإللكترونات تساوي كمايلي [‪:]15‬‬

‫𝑛𝑑‬ ‫𝑛𝑑‬
‫𝐷‪𝐹𝑛 = −‬‬ ‫𝑛𝐷𝑞 = 𝑛𝐹𝑞‪→ 𝐽𝑛 = −‬‬ ‫)‪… … . . (16 − 1‬‬
‫𝑥𝑑‬ ‫𝑥𝑑‬
‫وبطريقة مماثلة يؤدي تدرج تركيز الثقوب إلى تيار إنتشار الثقوب وبماأن كل ثقب تحمل شحنة موجبة‬
‫‪ +q‬فإنه يمكن كتابة‪:‬‬

‫𝑝𝑑‬ ‫𝑝𝑑‬
‫𝐷‪𝐹𝑝 = −‬‬ ‫𝑝𝐷𝑞‪→ 𝐽𝑝 = +𝑞𝐹𝑝 = −‬‬ ‫)‪… … . (17 − 1‬‬
‫𝑥𝑑‬ ‫𝑥𝑑‬
‫حيث 𝑛𝐷 و 𝑝𝐷 ثوابت تسمى معامالت اإلنتشار لإللكترونات والثقوب على التوالي ويتعلق هذا الثابت بنوع‬
‫المادة وبدرجة الحرارة وكذلك بنوع حامل الشحنة [‪.]1‬‬

‫‪15‬‬
‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬

‫الشكل (‪ )11_1‬تدرج حامالت الشحنة وتيارت اإلنتشار الناتجة في بلورة‬

‫أ‪ -‬من النوع ‪ P‬ب‪ -‬من النوع ‪.]5[ N‬‬

‫‪ 2..2‬المقاومة النوعية والتوصيلية النوعية لشبه الموصل ‪:‬‬

‫‪ 2.2..2‬التوصيلية النوعية ‪:‬‬
‫نعتبر عينة لنصف ناقل على الهيئة المبينة في الشكل (‪ ، )12_1‬بفرض أن مساحة مقطع العينة هو ‪A‬‬
‫وطولها ‪ L‬وأن تركيز حامالت الشحنة في المادة هو ‪ ،n‬وبفرض أنه تم تطبيق مجال كهربائي شدته ‪ E‬على العينة‬
‫فإنه يمكن حساب كثافة التيار المتدفق في العينة 𝑛𝐽‪ ،‬بواسطة مجموع حواصل ضرب الشحنة (‪ )e‬في السرعة‬
‫لكل اإللكترونات الموجودة في وحدة الحجوم (‪.]17[ )n‬‬
‫𝑛𝐼‬ ‫𝑛‬
‫)‪𝐽𝑛 = = ∑ 𝑒𝑣𝑖 = −𝑒𝑛𝑣𝑛 = 𝑒𝑛𝜇𝑛 𝐸 … … … . . . . (18_1‬‬
‫𝐴‬ ‫‪𝑖=1‬‬

‫الشكل (‪ :)12_1‬توصيل التيار الكهربائي في نصف ناقل مطعم بشكل متجانس [‪]16‬‬

‫كما نعلم أنه يتم توصيل الكهربائي في شبه الموصل بواسطة كل من اإللكترونات والثقوب ‪ ،‬وبالتالي‬
‫تكون عبارة التيار الكلي كالتالي ‪:‬‬

‫)‪𝐽 = 𝐽𝑛 (𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑠) + 𝐽𝑝 (ℎ𝑜𝑙𝑠) = (𝑒𝑛𝜇𝑛 + 𝑒𝑞𝑝𝜇𝑃 )𝐸 … … (19_1‬‬

‫يتضح من المعادلة أن كثافة التيار تتناسب مع شدة المجال الكهربائي ‪ :‬ويعرف ثابت التناسب في هذا‬
‫المعادلة بالتوصيلية النوعية ‪ σ‬ووحدتها ( ‪ ،)𝑠. 𝑐𝑚−1‬وهكذا يمكن كتابة التوصيلية المادة على الصورة ‪:‬‬

‫‪16‬‬
‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬

‫)‪σ = (𝑒𝑛𝜇𝑛 + 𝑒𝑝𝜇𝑝 ) … … … … … … … . . . … . . (20_1‬‬

‫‪ 1.2..2‬المقاومة النوعية ‪:‬‬

‫جرى العرف على وصف الخصائص الكهربائية للمادة بمصطلح آخر أكثر شيوعا وهو المقاومة النوعية ‪ρ‬‬
‫والذي يساوي مقلوب التوصيلية الكهربائية ‪ ،‬وبالتالي يمكن كتابة عبارة المقاومة ‪ ρ‬بالعبارة التالية [‪:]16‬‬
‫‪−1‬‬
‫]) 𝑝𝜇𝑝 ‪ρ = [𝑒(𝑛𝜇𝑛 +‬‬ ‫)‪… … … … … … … . . . (21_1‬‬

‫بحيث أنه في شبه الموصل الذاتي (النقي) يكون التوصيل بواسطة أحد أنواع حامالت الشحنة‬
‫(اإللكترونات أو الثقوب ) هو الغالب ‪ ،‬ففي حالة شبه الموصل من النوع االسالب تعطى المقاومة النوعية بالمعادلة‬
‫(‪ )22_1‬في حالة شبه الموصل من نوع الموجب بالمعادلة تعطى بالمعادلة (‪)21_1‬‬
‫)‪ρ = (𝑒𝑛𝜇𝑛 )−1 … … … … … … … … . . … (22_1‬‬
‫)‪ρ = (𝑒𝑝𝜇𝑝 )−1 … … … … … … … … … . . (23_1‬‬

‫الشكل (‪ : )11_1‬المقاومة النوعية لنصف ناقل (السيليكون ‪ )si‬من النوع ‪ N‬ومن النوع ‪P‬‬

‫كدالة في تركيز التطعيم [‪]5‬‬

‫‪ 22.2‬معادالت نقل الشحنة ‪:Charg Transfer Equation‬‬

‫معادالت النقل هي مجموعة من المعادالت تحكم سلوك مواد شبه الموصالت وتتضمن معادالت تيار‬
‫اإلنجراف واإلنتشار ومعادلة بواسون ومعادالت اإلستمرارية ‪.‬‬

‫‪ 2.22.2‬معادالت االنجراف واالنتشار‬

‫كثافة التيار الكلي للثقوب في اشباه الموصالت هي عبارة عن مجموعة مركبات تيار اإلنجراف وتيار‬
‫االنتشار للثقوب ‪ ،‬وبالمثل فإن كثافة التيار الكلي لإللكترونات في اشباه الموصالت هي عبارة عن مجموع مركبات‬
‫تيار اإلنجراف وتيار اإلنتشار لإللكترونات [‪.]5‬‬

‫‪17‬‬
‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬
‫𝑁𝑑‬
‫𝑁𝐷𝑞 ‪𝐽𝑛 = 𝑞𝜇𝑛 𝑁𝐸 +‬‬ ‫)‪… … … … … … … . . (24_1‬‬
‫𝑥𝑑‬
‫𝑝𝑑‬
‫𝑝𝐷𝑞 ‪𝐽𝑝 = 𝑞𝜇𝑝 𝑝𝐸 −‬‬ ‫)‪… … … … … … . … … .25_1‬‬
‫𝑥𝑑‬

‫الخالصة ‪ :‬يمكن الحصول على الكثافة الكلية للتيار المار عند أي نقطة في شبه الموصل بجمع كثافات تيار‬
‫𝑃𝐽 ‪. ]15[ 𝐽 = 𝐽𝑁 +‬‬ ‫الثقوب وتيار اإللكترونات على الصورة ‪:‬‬

‫‪ : q‬شحنة االلكترون‬
‫𝑝𝜇 ‪ :‬ثابت التناسب يمثل حركية النواقل للثقوب‬
‫𝑛𝜇 ‪ :‬ثابت التناسب يمثل حركية النواقل اإللكترونات‬
‫𝑝‪ :‬تركيز الثقوب‬
‫𝐸 ‪ :‬الحقل الكهربائي‬
‫𝑝𝐷 ‪ :‬ثابت كثافة الثقوب‬
‫𝑁𝐷‪ :‬ثابت كثافة اإللكترونات‬
‫𝑝𝑑‬
‫‪ :‬تدرج كثافة الثقوب بالنسبة للمسافة (الميل)‬
‫𝑥𝑑‬
‫𝑁𝑑‬
‫‪ :‬تدرج كثافة اإللكترونات بالنسبة للمسافة (الميل)‬
‫𝑥𝑑‬

‫‪ 1.22.2‬معادلة بواسون ‪:Poisson's Equation‬‬

‫باإلعتماد على معادالت ماكسويل [‪.]16‬‬

‫)))𝑧 ‪∇2 ∅(𝑥. 𝑦. 𝑧) = 𝑑𝑖𝑣 (𝑔𝑟𝑎𝑑(∅(𝑥. 𝑦.‬‬

‫)𝑧‪𝜌(𝑥.𝑦.‬‬ ‫𝑞‬
‫‪= −𝑑𝑖𝑣𝐸 = −‬‬ ‫‪=−‬‬ ‫)‪(𝑝 − 𝑛 + 𝑁𝑑+ − 𝑁𝑎− ) … . (26_1‬‬
‫𝑠𝜀‬ ‫𝑠𝜀‬
‫حيث 𝑠𝜀‪ :‬هي سماحية نصف الناقل ‪.‬‬
‫‪ : ρ‬تمثل كثافة شحنة الفضاء المحلية ‪.‬‬
‫إذا كانت جميع الذرات المانحة واآلخذة متأينة كما هو الحال عند درجة حرارة الغرفة يتم الحصول على‬
‫معادلة بواسون بالشكل [‪:]5‬‬
‫𝑞‬
‫‪𝛻 2 ∅(𝑥. 𝑦. 𝑧) = −‬‬ ‫)‪(𝑝 − 𝑛 + 𝑁𝑑+ − 𝑁𝑎− ) … … . (27_1‬‬
‫𝑠𝜀‬

‫‪18‬‬
‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬

‫‪ 3.22.2‬معادلة اإلستمرارية ‪: continuity Equations‬‬

‫إلشتقاق المعادالت التي تصف تغير عدد حامالت الشحنة نتيجة أحداث التوليد إعادة التركيب ‪ ،‬سنعتبر‬
‫حجم تفاضلي من مادة شبه موصلة الشكل (‪ )14_1‬وبفرض أن مساحة المقطع للحجم قيد النظر هو‪ A‬مع‬
‫طول ‪ ، dx‬تكون كثافة التيار اإللكتروني الذي يدخل الحجم هي) 𝑥( 𝑛𝐽 وكثافة التيار المتدفق للخارج منه هي‬
‫) 𝑥𝑑 ‪.]5[ 𝐽𝑛 (𝑥 +‬‬

‫الشكل (‪ : )14_1‬حجم أولي مستخدم إلشتقاق معادلة اإلستمرارية [‪.]5‬‬

‫في حالة تدفق التيار في بعد واحد اتجاه ‪ -x‬فإن التغير في عدد اإللكترونات الحرة في الحجم ‪Adx‬‬
‫يعطى كدالة في الزمن بواسطة عدداإللكترونات الداخلة للحجم مطروحا منه عدد من اإللكترونات المتدفقة الخارجة‬
‫من الحجم زائد عدد من اإللكترونات المتولدة مطروحا منه عددمن اإللكترونات المعاد اتحادها على الصورة التالية‬
‫[‪.]5‬‬

‫𝑛𝜕‬ ‫) 𝑥𝑑 ‪𝐽𝑛 (𝑥 ) 𝐽𝑛 (𝑥 +‬‬

‫𝐴‬ ‫( 𝐴 = 𝑥𝑑‬ ‫‪−‬‬ ‫)‪) + 𝐴(𝐺𝑛 − 𝑈𝑛 )𝑑𝑥 … … . (28_1‬‬
‫𝑡𝜕‬ ‫𝑞‪−‬‬ ‫𝑞‪−‬‬
‫يمكن كتابة ) 𝑥𝑑 ‪ 𝐽𝑛 (𝑥 +‬على الصورة متسلسة ‪:‬‬
‫)𝑥( 𝑛𝐽𝑑‬
‫‪𝐽𝑛 (𝑥 + 𝑑𝑥 ) = 𝐽𝑛 (𝑥 ) +‬‬ ‫)‪𝑑𝑥 + ⋯ … … … . (29_1‬‬
‫𝑥𝑑‬

‫و بإستخدام النتيجة األخيرة يمكن إعادة كتابة المعادلة (‪ )26_1‬للحصول على معادلة اإلستمرارية‬
‫لإللكترونات على الصورة ‪:‬‬
‫𝑛𝜕‬ ‫)𝑛( 𝑛𝐽𝜕 ‪1‬‬
‫=‬ ‫)‪+ (𝐺𝑛 − 𝑈𝑛 ) … … … . . (30_1‬‬
‫𝑡𝜕‬ ‫𝑞‬ ‫𝑥𝜕‬

‫‪19‬‬
‫أشباه الموصالت‬ ‫‪:‬‬ ‫الفصل األول‬

‫وبحسابات مماثلة بالنسة للثقوب نحصل على معادلة اإلستمرارية الخاصة بها كتالي ‪:‬‬
‫𝑝𝜕‬ ‫)𝑝( 𝑝𝐽𝜕 ‪1‬‬
‫‪=−‬‬ ‫)‪+ (𝐺𝑃 − 𝑈𝑝 ) … … … . . (31_1‬‬
‫𝑡𝜕‬ ‫𝑞‬ ‫𝑥𝜕‬

‫𝑛𝑈 ‪ :‬معدل التوليد ‪/‬إعادة اإلتحاد الذاتية لإللكترونات ‪.‬‬

‫𝑝𝑈 ‪ :‬معدل التوليد ‪/‬إعادة اإلتحاد الذاتية للثقوب ‪.‬‬
‫𝑛𝐺 ‪ :‬معدل التوليد الخارجي لإللكترونات ( ‪. )𝑐𝑚−3 𝑆 −1‬‬
‫‪𝑐𝑚−3 𝑆 −1‬‬ ‫𝑃𝐺‪ :‬عدل التوليد الخارجي للثقوب‬
‫)𝑥( 𝑛𝐽 ‪ :‬كثافة التيار االلكتروني ‪.‬‬

‫‪ 21.2‬الخاتمة ‪:‬‬
‫من خالل هذا الفصل تمكننا من معرفة اشباه الموصالت النقية و المطعمة و عالقة ذلك بحزم الطاقة التي‬
‫من خاللها يمكن التمييز بين النقي و المطعم ثم بين المطعم السالب و الموجب ‪ .‬تناولنا تركيزي حامالت الشحنة‬
‫(االلكترونات و الثقوب) في انصاف النواقل المختلفة‪ ،‬و تطرقنا الى نوعي التيار الكهربائي االنجراف و االنتشار‬
‫و المعادالت التي تحكم الية النقل الكهربائي‪.‬‬

‫‪20‬‬
‫الفصل الثاني‬

‫الصمام الثنائي‬
 ‫الصمام الثنائي‬ ‫الفصل الثاني ‪:‬‬

‫‪ 1.1‬المقدمة ‪:‬‬
‫الصمام الثنائي أو ثنائي المساري أو اختصاراً الثنائي أو الديود باإلنجليزية‪ ) Diode(:‬في الكهرباء‬
‫واإللكترونيات هو نبيطة إلكترونية ينحصر دوره في السماح للتيار الكهربائي بالمرور في اتجاه واحد فقط‪ .‬قبل‬
‫اكتشاف أشباه الموصالت كانت أنابيب إلكترونية كبيرة تقوم بهذه المهمة وتسمى صمامات]‪.[17‬‬

‫‪ 1.1‬الصمام الثنائي ‪:‬‬

‫هو مركب الكتروني يحتوي على طرفين (المصعد والمهبط) يسمح للتيار بالمرور في إتجاه واحد‪.‬‬

‫‪ 2.1.1‬تركيب الصمام الثنائي ‪:‬‬

‫يتكون الثنائي من شريحتين من المواد نصف ناقلة إحداهما سالبة (‪ )N‬واألخرى موجبة (‪ )p‬تفصل بينهما‬
‫منطقة فاصلة تدعى منطقة االستنزاف ‪.‬وتشير األسهم الموضحة في الشكل(‪ )1-2‬إلى إتجاه حركة كل من تيار‬
‫الثقوب وتيار اإللكترونات]‪. [8‬‬

‫الشكل (‪ :)1-2‬بنية الصمام من الداخل‬

‫‪ 1.1.1‬شكل ورمز الصمام الثنائي‬

‫يبين الشكل(‪ )2-2‬رمز الصمام الثنائي‪.‬و يبين الشكل (‪ )1-2‬الشكل الخارجي للصمام الثنائي]‪.[22‬‬

‫الشكل(‪:)1-2‬شكل الصمام الثنائي‬ ‫الشكل(‪:)2-2‬رمز الصمام الثنائي‬

‫‪22‬‬
 ‫الصمام الثنائي‬ ‫الفصل الثاني ‪:‬‬

‫‪ 3.1‬خواص الثنائي والمنحنى المميز‪:‬‬

‫يمرر الثنائي تياراً عندما يكون موصالً في اإلتجاه األمامي‪ .‬وال يمرر تياراً عندما يكون موصالً في اإلتجاه‬
‫العكسي‬

‫ويوضح الشكل (‪ )4-2‬منحنى خواص الثنائي في الحالتين والذي يمكن إيجازه في النقاط التالية ‪:‬‬

‫‪ 2.3.1‬يمرر التيار الكهربائي ‪:‬‬

‫يسمح الثنائي للتيار بالمرور في اإلتجاه األمامي عندما يتعدى الجهد األمامي مايسمى بالجهد الحاجز‬
‫والذي يبدأ بعده الثنائي في التوصيل‪ .‬وتكون قيمتا الجهد الحاجز ‪ 0.7‬فولت في ثنائيات السليكون و‪ 0.1‬فولت‬
‫في ثنائيات الجرمانيوم ‪.‬‬

‫‪ 1.3.1‬ال يمرر التيار الكهربائي ‪:‬‬

‫الجزء السفلي من المنحنى يمثل حالة التوصيل العكسي حيث يبقى التيار تقريبا مساويا للصفر إلى أن‬
‫يصل الجهد إلى جهد االنهيار حيث يمر تيار عكسي شديد إذا لم يحد يمكنه أن يتلف الثنائي‪.[19].‬‬

‫الشكل (‪: )4-2‬المنحنى المميز للصمام الثنائي‬

‫‪ 4.1‬مبدأ اشتغال الصمام ‪:‬‬

‫‪ 2 .4.1‬اإلستقطاب االمامي ‪:‬‬
‫عندما نقوم بتوصيل الديود بالبطارية كما في الشكل بحيث يكون الجانب (‪ )p‬من الديود متصال بالقطب‬
‫الموجب من البطارية والجانب (‪ )N‬متصال بالقطب السالب‪ ،‬عندها اإللكترونات التي في الجزء السالب تتنافر‬

‫‪23‬‬
 ‫الصمام الثنائي‬ ‫الفصل الثاني ‪:‬‬

‫مع القطب السالب للبطارية وتندفع لعبور الوصلة إلى الجانب (‪ .)P‬بينما الثقوب تتنافر مع القطب الموجب‬
‫للبطارية وتندفع لعبور الوصلة إلى الجانب (‪ .)N‬وتصبح منطقة االستنزاف بمثابة حاجزاً بسيطا (يضيق الحاجز)‬
‫في طريق حركة اإللكترونات‪ ،‬ولذلك فإن اإللكترونات تحتاج إلى فرق جهد بسيط يمكنها من تجاوز جهد‬
‫الحاجز‪ ،‬ففي حالة مادة السليكون‪ ،‬جهد الحاجز مقداره ‪ 0,7‬بينما قيمته ‪ 0,1‬في حالة الجرمانيوم ‪.‬‬

‫الشكل (‪:)5 -2‬دارة االنحياز االمامي للديود‬

‫‪ 1.4.1‬اإلستقطاب العكسي‪:‬‬
‫إذا تم توصيل الديود كما في الشكل ‪ ،‬بحيث يكون الجانب (‪ )N‬من الديود متصال بالقطب الموجب‬
‫من البطارية والجانب (‪ )P‬من الد يود متصال بالقطب السالب من البطارية‪ ،‬لذا فإن اإللكترونات التي في الجزء‬
‫السالب تتجاذب مع القطب الموجب للبطارية وتبتعد عن الوصلة من الجانب (‪ .)N‬بينما الثقوب تتجاذب مع‬
‫القطب السالب للبطارية وتبتعد عن الوصلة من الجانب (‪ .)P‬و نتيجة لذلك‪ ،‬فإن منطقة االستنزاف سوف تتسع‬
‫اتساعا كبير وتشكل حاجزا كبير أمام تحرك اإللكترونات فال تستطيع اجتيازه‪ .‬وبالطبع‪ ،‬فإنه لن يمر التيار الكهربائي‬
‫في الدائرة‪ ،‬وتسمي هذه الحالة باالنحياز العكسي‪ .‬في هذه الحالة يمر تيار بسيط نتيجة حركة شحنات األقلية‬
‫يسمى تيار التسريب]‪.[18‬‬

‫الشكل(‪:)6-2‬دارة اإلنحياز العكسي للديود‬

‫‪24‬‬
 ‫الصمام الثنائي‬ ‫الفصل الثاني ‪:‬‬

‫‪ 5.1‬مقارنة بين ديودات السيلكون وديودات الجرمانيوم ‪:‬‬

‫ديودات الجرمانيوم هي الديودات المصنوعة من عنصر الجرمانيوم‪ ،‬وديودات السيليكون فهي مصنوعة من‬
‫أي يسمحان للتيار الكهربائي بالمرور‬
‫عنصر السيليكون والجدير بالذكر أ ّن كال العنصرين يؤديّان نفس الوظيفة ّ‬
‫عبرهما في اتجاه واحد‪ ،‬ولكن الفرق الرئيسي بين ديودات الجرمانيوم والسليكون هو الجهد الذي يبدأ عنده التيار‬
‫الكهربائي بالتدفق بحرية عبر الديود‪ ،‬حيث يبدأ ديود الجرمانيوم عاد ًة بتوصيل التيار الكهربائي عندما يصل الجهد‬
‫جهدا إضافيًا عن ديودات‬
‫المطبق عبر الديود إلى ‪ 0.1‬فولت‪ّ ،‬أما بما يتعلق بديودات السيليكون فإنّها تتطلب ً‬
‫أي أنّها تحتاج ‪ 0.7‬فولت إلنشاء حالة االستقطاب األمامي في ديود‬
‫الجرمانيوم لتقوم بتوصيل التيار الكهربائي‪ّ ،‬‬
‫السيليكون‪.[21].‬‬

‫‪ 1.1‬مقاومات الديود‪:‬‬
‫‪ 2.1.1‬المقاومة الستاتيكية ‪:‬‬
‫هي المقاومة التي يقدمها الصمام عندما يكون الجهد المطبق هو جهد التيار المستمر‪ .‬و تحسب باستخدام‬
‫قانون اوم والتي تساوي النسبة بين فرق الجهد بين طرفي الديود ( 𝐷𝑉) والتيار المار فيه ( ‪ )𝐼D‬إي أن ‪:‬‬

‫𝐷𝑉‬
‫= 𝐷𝑅‬ ‫)‪… … … … … … … … … … (1 − 2‬‬
‫𝐷𝐼‬

‫‪ 1.1.1‬المقاومة الديناميكية ‪:‬‬

‫هي المقاومة التي يقدمها الصمام عندما يكون الجهد المطبق هو جهد التيار المتناوب‪ .‬وتعرف بأنها‬
‫النسبة بين تغير فرق الجهد بين طرفي الديود ) ‪ (∆VD‬وتغير التيار المار فيه ( ‪ )∆𝐼D‬أي ان ‪:‬‬

‫𝐷𝑉∆‬
‫= 𝑑𝑟‬ ‫)‪… … … … … … … … (2 − 2‬‬
‫𝐷𝐼∆‬

‫‪ 3.1.1‬المقاومة المتوسطة ‪:‬‬

‫عندما تكون قيمة التيار المتناوب قيمية كبيرة نسبيا نحصل على جهد متأرجح‪ .‬تسمى المقاومة التي يقدمها‬
‫التيار في هذه الحالة بالمقاومة المتوسطة وتعرف بأنها النسبة بين تغير فرق الجهد بين طرفي الديود ) ‪(∆VD‬‬
‫وتغير التيار المار فيه ( ‪)∆𝐼D‬بين نقطتين معينتين من نقاط عمل الديود]‪ [20‬إي ان ‪:‬‬

‫‪∆VD‬‬
‫= ‪rav‬‬ ‫)‪… … … … . . … . (3 − 2‬‬
‫‪∆𝐼D‬‬

‫‪25‬‬
 ‫الصمام الثنائي‬ ‫الفصل الثاني ‪:‬‬

‫‪ 7.1‬الدوائر المكافئة لدايود ‪:‬‬

‫‪ 2.7.1‬تقريب الثنائي ‪:Approximations Diode‬‬
‫هنالك ثالثة تقريبات يمكن استخدامها لتمثيل الثنائي في الدوائر الكهربائية لتحليل الثنائي‪ .‬واختيار أحد‬
‫هذه التقريبات يعتمد على درجة دقة التحليل المطلوبة‪.‬‬

‫‪ 2.2.7.1‬التقريب األول ‪:‬‬

‫التقريب األول يعتبر الثنائي في حالة االنحياز األمامي مثل مفتاح مغلق له هبوط جهد صفر فولت‪ ،‬كما‬
‫موضح في الشكل (‪ .)7-2‬وبالمثل يعتبر الثنائي في حالة االنحياز العكسي مثل مفتاح مفتوح يمر عبره تيار‬
‫قيمته صفر أمبير كما موضح في الشكل(‪ )a-7-2‬الشكل‪ )c -7- 2(.‬يوضح خصائص التمثيل للثنائي بهذا‬
‫التقريب‪.‬‬

‫يسمي هذا التقريب الثنائي بالتقريب المثالي و يستخدم عادة في حالة الحاجة فقط لتوضيح فكرة عامة عن تيار‬
‫وجهد الدائرة‪.‬‬

‫الشكل(‪:)7-2‬التقريب االول للثنائي‬

‫‪ 1.2.7.1‬التقريب الثاني‪:‬‬
‫التقريب الثاني يعتبر الثنائي في حالة االنحياز كثنائي مثالي على التوالي مع بطارية ‪.‬كما هو موضح في‬
‫الشكل (‪ .)8-2‬لثنائي السيلكون يكون جهد البطارية هو ‪ 0.7‬فولت و لثنائي الجيرمانيوم ‪ 0.1‬فولت وهي‬
‫نفس قيمة جهد الحاجز للوصلة الثنائية ‪.‬أما في حالة االنحياز العكسي كمفتاح مفتوح ‪.‬‬

‫الشكل (‪ )c-8 -2‬يعرض أيضا خصائص الثنائي بهذا التقريب ‪.‬يستخدم التقريب الثاني عند اإلحتياج لقيم أكثر‬
‫دقة ‪.‬‬

‫‪26‬‬
 ‫الصمام الثنائي‬ ‫الفصل الثاني ‪:‬‬

‫الشكل(‪:)8-2‬التقريب الثاني للثنائي‬

‫‪ 3.2.7.1‬التقريب الثالث‪:‬‬
‫التقريب الثالث يستخدم المقاومة الكلية للثنائي 𝐵𝑟 ‪،‬قيمة هذه المقاومة تعتمد علي مستوي التطعيم وحجم‬
‫الجانب الموجب والجانب السالب‪ .‬التقريب الثالث موضح في الشكل (‪ )9-2‬هبوط الجهد عبر الثنائي يحسب‬
‫من العالقة التالية ‪:‬‬

‫)‪𝑉 = 𝑉𝐵 + 𝐼𝑟𝐵 … … … … … (4_2‬‬

‫القيمة الكلية للمقاومة ‪ 𝑟B‬تزيد من جهد االنحياز االمامي علي طرفي الثنائي مع ازدياد قيمة التيار]‪.[16‬‬

‫الشكل (‪:)9-2‬التقريب الثالث للثنائي‬

‫‪27‬‬
 ‫الصمام الثنائي‬ ‫الفصل الثاني ‪:‬‬

‫‪ 1.1‬انواع الديود‪:‬‬
‫‪ 2.1.1‬ديود زينر‪:‬‬
‫جهدا مرجعيًا ثابتًا‪ .‬يتم تشغيله في انحياز‬
‫إنه النوع األكثر فائدة من الصمام الثنائي ألنه يمكن أن يوفر ً‬
‫محدودا ‪ ،‬يتم إنشاء جهد ثابت‪.‬‬
‫ً‬ ‫عكسي وينهار عند وصول جهد معين‪ .‬إذا كان التيار الذي يمر عبر المقاومة‬
‫تستخدم ثنائيات زينر على نطاق واسع في إمدادات الطاقة لتوفير جهد مرجعي‪..‬‬

‫‪ 1.1.1‬ديود السعة المتغيرة‪:‬‬

‫هو الصمام الثنائي “الدايود” الذي تختلف السعه الداخلية له تبعاً الختالف الجهد العكسي‪ ،‬يُعرف هذا‬
‫النوع من الصمام الثنائي باسم الصمام الثنائي (‪ .)Varactor‬يتم استخدامه لتخزين الشحنة‪.‬‬

‫‪ 3.1.1‬ديود النفقي ‪:‬‬

‫ان الصمام الثنائي للنفق أو الصمام الثنائي ‪ Esaki‬هو نوع من أشباه الموصالت قادر على التشغيل السريع‬
‫للغاية ‪ ،‬في منطقة تردد الموجات الصغرية (حتى ‪ 100‬جيجاهيرتز) ‪ ،‬والذي أصبح ممكنًا باستخدام التأثير‬
‫الميكانيكي الكمومي الذي يسمى النفق‪.‬‬

‫‪ 4.1.1‬ديود الضوئي ‪:‬‬

‫جدا في‬
‫يمكن للصمام الثنائي الضوئي ان ينشئ تيارا من خالل تدفق كمية صغيرة من الضوء‪ .‬هذه مفيدة ً‬
‫الكشف عن الضوء‪ .‬حيث يستخدم الصمام الثنائي التحيز العكسي ويستخدم في الخاليا الشمسية التي تستخدم‬
‫لتوليد الكهرباء‪.‬‬

‫‪ 5.1.1‬ديود اإلنبعاث الضوئي ‪:‬‬

‫عندما يمر التيار الكهربائي بين األقطاب الكهربائية عبر هذا الصمام الثنائي ‪ ،‬يتم إنتاج الضوء‪ .‬بمعنى آخر‬
‫‪ ،‬يتم إنشاء الضوء عندما تمر كمية كافية من تيار إعادة التوجيه خالله‪ .‬في العديد من الثنائيات ‪ ،‬ال يكون هذا‬
‫الضوء المتولد مرئيًا ألنها مستويات تردد ال تسمح بالرؤية‪ .‬المصابيح متوفرة بألوان مختلفة‪ .‬توجد مصابيح ‪LED‬‬
‫ثالثية األلوان يمكنها إصدار ثالثة ألوان في وقت واحد‪ .‬يعتمد اللون الفاتح على ثقب الطاقة ألشباه الموصالت‬
‫المستخدمة‪.[19].‬‬

‫‪28‬‬
 ‫الصمام الثنائي‬ ‫الفصل الثاني ‪:‬‬

‫‪ 1.1‬تطبيقات الصمام الثنائي ‪:‬‬

‫‪ 2.1.1‬دائرة تقويم النصف موجي‪:‬‬
‫هي من أحد تطبيقات الديود المستخدمة في بعض الدوائر اإللكترونية‪ ،‬حيث تعمل على تقويم نصف‬
‫الموجة للتيار المتردد (متغير القيمة واالتجاه)‪ ،‬وتحويله إلى تيار مستمر (متغير القيمة فقط)‪.‬‬

‫‪ 1.1.1‬دائرة تقويم الموجة الكاملة باستخدام صمامين‪:‬‬

‫هو نوع آخر من تطبيقات الديود‪ ،‬حيث تحتاج لمحول ذو نقطة وسطى‪ ،‬ويعمل الديود األول على تمرير‬
‫نصف الموجة الموجبة‪ ،‬بينما يقوم الديود الثاني بتمرير نصف الموجة السالبة‪ ،‬بحيث يصبح الخرج موجب دائماً‪.‬‬
‫ومن عيوبها الكفاءة المنخفضة‪.‬‬

‫‪ 3.1.1‬دائرة تقويم الموجة الكاملة باستخدام اربع صمامات‪:‬‬

‫هي من أشهر وأهم التطبيقات التي تستخدم بكثرة في أغلب الدوائر اإللكترونية‪ ،‬حيث يقوم الصمامان‬
‫األول والثاني بتمرير نصف الموجة الموجبة‪ ،‬بينما يمرر الصمامان الثالث والرابع نصف الموجة السالبة‪ ،‬بحيث‬
‫يصبح خرج الموجة موجب دائما‪.‬‬

‫‪ 4.1.1‬دايودات األلواح الشمسية‪:‬‬

‫يتكون من مجموعة من الخاليا الشمسية‪ ،‬وكل مجموعة من الخاليا توصل معاً على التوالي إلخراج جهد‬
‫معين ‪ ،‬ثم يتم توصيل الديود الواحد على التوالي مع هذه المجموعة المكونة من الخاليا وتتكرر مع باقي‬
‫المجموعات األخرى للوح الشمسي وتعمل ديودات األلواح الشمسية على وظيفتين وهما‪:‬‬

‫• خفض نسبه فقد إنتاجية األلواح الشمسية عند تعرضه للتضليل‪.‬‬

‫• العمل على منع البقع الساخنة الناتج عن التضليل‪.‬‬

‫‪ 5.1.1‬دائرة تشغيل محرك ‪ DC‬باتجاه واحد فقط‪:‬‬

‫حيث يتم توصيل طرف األنود للديود بموجب مصدر الجهد المستمر‪ ،‬بينما يوصل طرف الكاثود بطرف‬
‫محرك التيار المستمر‪ ،‬وهنا يقوم الديود بوظيفة العمل على منع تشغيل المحرك عند قلب طرف الموجب مكان‬
‫السالب‪ .‬وذلك ألن الديود يسمح بمرور التيار باتجاه واحد فقط‪.‬‬

‫‪29‬‬
 ‫الصمام الثنائي‬ ‫الفصل الثاني ‪:‬‬

‫‪ 2..1‬الخاتمة ‪:‬‬
‫تمكننا من خالل هذا الفصل من معرفة الصمام الثنائي ذي الوصلة من حيث التركيب و مبدا االشتغال ‪،‬‬
‫ثم نوعي التوصيل من خالل االنحياز المباشر و العكسي و البيانات المميزة في االتجاهين ثم المقاومات المرافقة‬
‫و انواع الصمامات و اهم التطبيقات]‪. [21‬‬

‫‪30‬‬
 ‫الفصل الثالث‬
‫تطبيق ‪ :‬صمام ثنائي السيليكون‬
 ‫تطبيق ‪ :‬صمام ثنائي السيليكون‬ ‫الفصل الثالث ‪:‬‬

‫‪ 2.3‬مقدمة ‪:‬‬
‫يعتبر الديود من أبسط العناصر االلكترونية والذي يستخدم لسماح للتيار الكهربائي بالمرور في اتجاه واحد‬
‫ومنعه في االتجاه المعاكس في هذا الفصل نقوم بمحاكاة الصمام للحصول على البيانات المميزة الخاصة (‪-V‬‬
‫‪ )I‬لمعرفة كيف يتطور التيار ‪ I‬بداللة ‪ V‬و ذلك بتركيب دارة مناسبة و دراسة كيفية تأثير تغيير درجة الحرارة على‬
‫الخصائص المميزة‪ .‬اعتمدنا في دراستنا على المحاكاة ال نها تعطي تجارب حية في بيئات آمنة و ذات دقة‬
‫عالية‪ .‬ال نتمكن من الحصول عليها عن طريق المخابر التقليدية‪ .‬عند تغيير المدخالت في المحاكاة نالحظ‬
‫تغيير فورى للخرج‪ .‬و كان االختيار على برنامج ‪. Pspice‬‬

‫‪ 1.3‬لمحة على برنامج ‪:PSpice‬‬

‫برنامج ‪ PSpice‬من أهم البرامج في محاكاة الدوائر اإللكترونية ‪ ،‬و يعني الحرف ‪Personal P‬‬
‫‪ SPICE‬و كلمة ‪ SPICE‬هي اختصار للكلمات التالية ‪Simulated Program with‬‬
‫‪ .Integrated Circuit Emphasis‬من خالل برنامج ‪ PSpice‬يمكن إجراء التحليل ألنواع مختلفة‬
‫‪time‬‬ ‫من الدوائر الكهربائية واإللكترونية بما في ذلك االستجابة في نطاق الزمن‬
‫‪، domainréponse‬االستجابة لتردد اإلشارة الصغيرة ‪ ،small signalfrequencyresponse‬وتبديد‬
‫الطاقة الكلي ‪ ،total power dissipation‬وتحديد الجهد العقدي وتفرع التيار‬
‫في الدائرة ‪، détermination of nodal voltages and branchcurrent in a circuit‬‬
‫والتحليل العابر ‪ ، transientanalysis‬وتحديد نقطة التشغيل في الترانزستورات ‪determination of‬‬
‫‪ ،operating point of transistors‬وتحديد انتقال الوظائف ‪déterminations of‬‬
‫‪ ... ،transferfunctions‬الخ‪ .‬صمم هذا البرنامج بهذه الطريقة بحيث يمكنه محاكاة تشغيل العديد من‬
‫الدوائر المختلفة والتي تشمل الترانزستورات‪ ،‬والمكبرات العملية – ‪operationalamplifiers (op‬‬
‫)‪ ،amp‬وغيرها‪ .‬كذلك يحتوي البرنامج على نماذج لعناصر الدائرة الخاملة ( ‪) passive elements‬‬
‫وكذلك النشطة ( ‪ PSPICE. ]17[ ) active elements‬هو برنامج محاكاة بمساعدة الكمبيوتر يم ّكنك‬
‫من تصميم دائرة ثم محاكاة التصميم على الكمبيوتر‪ .‬قام مختبر أبحاث اإللكترونيات بجامعة كاليفورنيا بتطويره‬
‫متاحا للجمهور في عام ‪.1975‬‬
‫وجعله ً‬
‫‪ PSPICE‬هو برنامج لألغراض العامة مصمم لمجموعة واسعة من محاكاة الدوائر بما في ذلك محاكاة‬
‫الدوائر غير الخطية و خطوط النقل و الضوضاء و التشويه و الدوائر الرقمية و الدوائر الرقمية و التناظرية المختلطة‪.‬‬

‫‪32‬‬
 ‫تطبيق ‪ :‬صمام ثنائي السيليكون‬ ‫الفصل الثالث ‪:‬‬

‫يمكنه إجراء تحليل التيار المستمر‪ ،‬وتحليل الحالة الجيبية المشتق)‪ ، (AC‬والتحليل العابر‪ ،‬وتحليل سلسلة‬
‫فورييه‪.‬‬
‫يعتمد العمل باستخدام ‪ PSPICE‬على ‪ 1‬خطوات أساسية متتالية‪:‬‬
‫الخطوة ‪ : 2‬يرسم المستخدم الدائرة في شكل تخطيطي أو برنامج يريد محاكاته‪.‬‬
‫الخطوة ‪ : 1‬يحدد المستخدم نوع التحليل المطلوب‪ ،‬ويوجه ‪ PSPICE‬إلجراء هذا التحليل‪ .‬يمكن أن يكون‬
‫هذا على سبيل المثال تحليل التيار المستمر وتحليل التيار المتردد والتحليل العابر‪.‬‬
‫الخطوة ‪ :3‬يوجه المستخدم الكمبيوتر لطباعة أو رسم نتائج التحليل في هذه الخطو يرى المستخدم أن النتائج‬
‫الرسومية للتحليل قد تم إجراؤها‪ .‬على سبيل المثال يمكنه رؤية الرسم البياني لجهد الخرج مقابل تيار الخرج (‪V‬‬
‫مقابل ‪ ، )I‬أو أي بيانات يريد تحليلها [‪.]18‬‬
‫يبين الشكل (‪ )1_1‬الواجهة الرئيسية لبرنامج ‪PSPICE‬‬

‫الشكل (‪ )1_1‬النافذة الرئيسية للبرنامج‬

‫(‪ )2_1‬نافذة تحديد خواص التيار المار في الدارة‬

‫‪33‬‬
 ‫تطبيق ‪ :‬صمام ثنائي السيليكون‬ ‫الفصل الثالث ‪:‬‬

‫‪ 3.3‬محاكاة خواص الديود ‪:‬‬

‫من أجل الحصول على البيانات المميزة للديود ‪ D1n4002‬ودراسته ثم تأثير تغيير درجة الحرارة على‬
‫ذلك نستعمل برنامج ‪ Pspice 9.1 Student Version‬و نأخد كمثال صمام ثنائي السيليكون‬

‫‪ 2.3.3‬اإلنحياز األمامي‪:‬‬
‫في حالة اإلنحياز األمامي لثنائي السيليكون نقوم بربط منبع جهد البطارية بحيث يكون القطب الموجب‬
‫للبطارية متصال باألنود (‪ )A‬والقطب السالب بالكاثود (‪ )k‬لثنائي ‪ ،‬كما هو مبين بالشكل (‪ )1_1‬حيث تتكون‬
‫الدارة من العناصر التالية )‪. )d1n4002 ،r ،VDC ،EGND‬‬

‫نختار ‪ Analysis‬من نافذة الرئيسية للبرنامج ثم األمر ‪ setup‬نحدد ‪ DC sweep‬كما هو موضح في‬
‫الشكل (‪)4_1‬‬

‫الشكل(‪ )1_1‬اإلنحياز األمامي لثنائي السيليكون‬

‫الشكل (‪ )4_1‬تحديد خواص ديود‬

‫‪34‬‬
 ‫تطبيق ‪ :‬صمام ثنائي السيليكون‬ ‫الفصل الثالث ‪:‬‬

‫تظهر نافذة نتمكن من خاللها من تغيير التوتر ‪ V1‬من [‪ V=0‬إلى ‪ ]V=2‬بخطوة ‪ 0.2‬ونجري‬
‫المحاكاة فنحصل على المنحنى البياني (‪ )5_1‬التالي ‪:‬‬
‫‪1.5mA‬‬

‫‪1.0mA‬‬

‫‪0.5mA‬‬

‫‪0A‬‬
‫‪0V‬‬ ‫‪200mV‬‬ ‫‪400mV‬‬ ‫‪600mV‬‬
‫)‪I(D1‬‬
‫)‪V1(D1‬‬

‫الشكل (‪ )5_1‬منحنى بياني لتغيرات التيار والجهد في االنحياز األمامي‬

‫يوضح المنحنى العالقة بين الجهد (‪V )D1‬المطبق على الديود والتيار لمار فيه (‪ I)D1‬نالحظ عند بداية‬
‫التوصيل اليمر تيار كهربائي يكون صفر إلى أن يصبح الجهد المطبق أكبر من جهد الحاجز وعند هذه اللحظة‬
‫سوف يمر التيار الكهربائي في إتجاه واحد كما نالحظ أنه كلما زادت شدة التيار زاد الجهد المار في الديود‪.‬‬
‫‪ 1.3.3‬اإلنحياز العكسي ‪:‬‬
‫عندما نوصل ثنائي الوصلة بمنبع جهد يكون القطب الموجب للبطارية متصال بالكاثود(‪ )k‬والقطب‬
‫السالب للبطارية متصال باألنود (‪ )A‬كما هو مبين بالشكل (‪. )6_1‬‬

‫الشكل (‪ )6_1‬اإلنحياز العكسي لثنائي السيليكون‬

‫‪35‬‬
 ‫تطبيق ‪ :‬صمام ثنائي السيليكون‬ ‫الفصل الثالث ‪:‬‬

‫و بإجراء المحاكاة نحصل على المنحنى التالي ‪:‬‬

‫‪0A‬‬

‫‪-5nA‬‬

‫‪-10nA‬‬

‫‪-15nA‬‬
‫‪0V‬‬ ‫‪0.5V‬‬ ‫‪1.0V‬‬ ‫‪1.5V‬‬ ‫‪2.0V‬‬
‫)‪I(D1‬‬
‫)‪V2(D1‬‬

‫الشكل (‪ )7_1‬منحنى بياني لتغيرات التيار والجهد في اإلنحياز العكسي‬

‫يمثل المنحنى تغيرات شدة التيار المار في دايود (‪ I )D1‬بداللة لجهد (‪V2 )D1‬في حالة اإلنحياز‬
‫العكسي عند بداية التوصيل اليمر تيار كهربائي حيث تكون مقاومة الديود كبيرة جدا التسمح بمرور التيار‬
‫الكهربائي ويظل لفترة معينة اليسمح بمرور التيار ولكن عند زيادة الجهد المطبق على الديود بقيمة اكبر من القيم‬
‫التي يتحملها الديود عند حدوث ذلك ينهار الدايود ‪ ،‬ونالحظ أنه كلما نقصت شدة التيار زاد الجهد المار في‬
‫الديود‬

‫‪ 4.3‬تأثير تغيير درجة الحرارة‪:‬‬

‫‪ 2.4.3‬االنحياز المباشر‪:‬‬
‫_ يمكننا أيضا دراسة تأثير درجة الحرارة على مميزات الصمام ‪ V-I‬إنطالقا من التعليمات السابقة في‬
‫تغيير التوتر نقوم بتغير درجة الحرارة وذلك بالضغظ على ‪ Nested Sweep‬نغير درجة الحرارة من [℃‪40‬‬
‫إلى℃‪ ]80‬بخطوة ℃‪ 20‬فيظهر لنا المنحنى التالي‪:‬‬

‫‪36‬‬
 ‫تطبيق ‪ :‬صمام ثنائي السيليكون‬ ‫الفصل الثالث ‪:‬‬

‫‪2.0mA‬‬

‫‪1.0mA‬‬

‫‪0A‬‬
‫‪0V‬‬ ‫‪100mV‬‬ ‫‪200mV‬‬ ‫‪300mV‬‬ ‫‪400mV‬‬ ‫‪500mV‬‬ ‫‪600mV‬‬
‫)‪I(D1‬‬
‫)‪V1(D1‬‬

‫الشكل (‪ )8_1‬المنحنى المميز ‪ IV‬لتأثير درجة الحرارة على شدة التيار حالة اإلنحياز المباشر‬

‫يمثل المنحنى تغيرات شدة التيار المار في الديود بداللة الجهد في حالة اإلنحياز األمامي فنالحظ أنه‬
‫كلما زادت درجة الحرارة نقص جهد المار في الديود ‪.‬‬

‫‪ 1.4.3‬االنحياز العكسي‬
‫تأثير درجة الحرارة في حالة االنحياز العكسي بنفس درجات الحرارة المأخوذة في االنحياز األمامي‬
‫بياني التالي ‪:‬‬ ‫نحصل على منحنى‬
‫‪0A‬‬

‫‪-250nA‬‬

‫‪-500nA‬‬
‫‪0V‬‬ ‫‪0.5V‬‬ ‫‪1.0V‬‬ ‫‪1.5V‬‬ ‫‪2.0V‬‬
‫)‪I(D1‬‬
‫)‪V2(D1‬‬

‫الشكل (‪ )9_1‬المنحنى المميز ‪ IV‬لتأثير درجة الحرارة على شدة التيار حالة اإلنحياز العكسي‬

‫يمثل المنحنى تغيرات شدة التيار المار في الديود بداللة الجهد في حالة اإلنحياز العكسي فنالحظ أنه‬
‫كلما زادت درجة الحرارة زادت شدة التيار المارة في الديود‪.‬‬

‫‪37‬‬
 ‫تطبيق ‪ :‬صمام ثنائي السيليكون‬ ‫الفصل الثالث ‪:‬‬

‫‪ 1.1‬مناقشة النتائج‬
‫درجة الحرارة لها تأثير كبير على أداء الصمام الثنائي‪ .‬عندما ترتفع درجة الحرارة ‪ ،‬سيزداد التيار العكسي‬
‫أضعافا مضاعفة‪ .‬على سبيل المثال‪:‬‬
‫عندما تزيد درجة حرارة الصمام الثنائي للسيليكون بمقدار ℃‪ ، 8‬سيزداد التيار العكسي بمقدار الضعف تقريبًا‬
‫عندما تزيد درجة حرارة الصمام الثنائي الجرمانيوم بمقدار ℃‪ ، 12‬فإن التيار العكسي سيزداد بنحو مرتين ؛‬
‫عندما ترتفع درجة الحرارة ‪ ،‬سينخفض انخفاض الجهد األمامي في الصمام الثنائي ‪ ،‬وعندما تزيد درجة الحرارة‬
‫بمقدار ‪ 1‬درجة مئوية ‪ ،‬سينخفض الجهد األمامي بحوالي ‪ 2‬مللي فولت ‪ ،‬أي معامل درجة الحرارة السلبية‪ .‬يمكن‬
‫رؤية هذه من منحنى خاصية الجهد الكهربي للديود المبين في الشكل(‪.)10_1‬‬
‫نالحظ من الشكل كيف يتطور التيار بداللة التوتر و ذلك بتغيير درجة الحرارة ‪.‬‬

‫الشكل (‪ )10_1‬منحنى خاصية الجهد الكهربائي لديود‬

‫‪ 3.1‬التفسير ‪:‬‬
‫كلما ازدادت درجة الحرارة قل الجهد الحاجز وبالعكس من الناحية العملية ان التغير في قيمة الجهد‬
‫‪−25℃/Vm‬لكل من ثنائيات ‪ Ge Si‬حسب المعادلة التالية‬ ‫الحاجز يساوي‬

‫)‪∆𝑉 = −0.0025(∆𝑇) … . (1_3‬‬

‫كلما ارتفعت درجة الحرارة ازداد توليد االلكترونات والثقوب ويزداد ‪ II‬حيث يتغير مع تغير درجة الحرارة‬
‫حسب العالقة‪:‬‬
‫‪𝑇2−𝑇1‬‬
‫)‪𝐼𝑆2 = 𝐼𝑆(2‬‬ ‫)‪10 … … … (2_3‬‬

‫نتيجة ‪ :‬يمكن استخدام الصمام الثنائي كجهاز لقياس درجة الحرارة ‪ً ،‬‬
‫نظرا ألن انخفاض الجهد األمامي عبر‬
‫الصمام الثنائي يعتمد على درجة الحرارة‬

‫‪38‬‬
 ‫تطبيق ‪ :‬صمام ثنائي السيليكون‬ ‫الفصل الثالث ‪:‬‬

‫‪ 1.1‬الخاتمة‬
‫في هذا الفصل قمنا بمحاكاة الديود في حالة اإلنحياز األمامي والعكسي ‪ ،‬للحصول على البيانات المميزة‬
‫الخاصة (‪ )I-V‬لمعرفة كيف يتطور التيار ‪ I‬بداللة ‪V‬و دراسة كيفية تأثير تغيير درجة الحرارة على الخصائص‬
‫المميزة لديود حيث تمت مناقشة النتائج المتحصل عليها وتفسرها وتوصلنا إلى نتيجة مهمة وهي أننا نستطيع‬
‫إستخدام الصمام كجهاز لقياس درجة الحرارة ‪.‬‬

‫‪39‬‬
‫الخالصة العامة‬
 ‫الخالصة العامة‬

‫الخالصة العامة‬
‫إن البحث في اإللكترونيات شيئ ممتع النه يرتبط ارتباطا وثيقا بمتطلبات العصر و ال يكاد يخلو مجال من وجود‬
‫ يعد الصمام الذي هو موضوع دراستنا العنصر االساسي االول في سلسلة المركبات‬، ‫المركبات اإللكترونية‬
.‫االلكترونية االساسية‬

‫من خالل هذا البحث تمكننا من معرفة اشباه النواقل النقية و غير النقية اي المطعمة بالشوائب السالبة و الموجبة‬
‫ و تعرفنا على نوعي حامالت الشحنة في انصاف النواقل و نوعي التيار (االنتشار و‬. ‫و عالقة حزم الطاقة بذلك‬
. ‫االنجراف) و المعادالت التي تحكم وجود التيار‬

‫تن اولنا التطبيق االول للقطع المشوبة و هو تماس نوعين من انصاف النواقل السالبة و الموجبة و العالقات االساسية‬
‫ و تعرفنا على الدارات المكافئة التي تسمح لنا بتحليل الدارات التي‬. ‫التي تصف المميزة االساسية توتر – تيار‬
‫تحتوي الصمام الثنائي‬

‫ تمكننا من مشاهدة البيانات المميزة في التجاهين‬Pspice 9.1 Student Version ‫بواسطة برنامج‬
. ‫المباشر و غير المباشر ثم تمكننا من معرفة تاثير درجة الحرارة على اشتغال الصمام الثنائي‬

. ‫ أشباه الموصالت‬، ‫ الصمام الثنائي‬، ‫ السيلكون‬: ‫الكلمات المفتاحية‬

ABSTRACT

electronics is an interesting thing because it is closely related to the requirements of the times, and
there is hardly a field without electronic vehicles. The valve, which is the subject of our study, is the
first essential element in the series of basic electronic vehicles.

Through this research, we were able to know the pure and impure semiconductors, that is, grafted
with negative and positive impurities, and the relationship of energy packets to that. And we got
acquainted with the two types of charge carriers in semiconductors and the two types of current
(diffusion and drift) and the equations that govern the presence of current.

We dealt with the first application of defective segments, which is the contact of two types of
semiconductors, negative and positive, and the basic relations that describe the basic characteristic,
tension - current. And we learned about equivalent circuits that allow us to analyze circuits that contain
a diode

Through Student Version Pspice 9.1 program, we were able to see the characteristic data in both direct
and indirect directions, then we were able to know the effect of temperature on the operation of the
diode.

41
 ‫الخالصة العامة‬

Kye word : silicon,diod,semiconductour

Rèsumèe

La recherche en électronique est une chose intéressante car elle est étroitement liée aux exigences
de l'époque, et il n'y a guère de domaine sans véhicules électroniques.La vanne, qui fait l'objet de
notre étude, est le premier élément essentiel de la série des composants de base. véhicules
électroniques. Grâce à cette recherche, nous avons pu connaître les semi-conducteurs purs et
impurs, c'est-à-dire greffés avec des impuretés négatives et positives, et la relation des paquets
d'énergie à cela. Et nous nous sommes familiarisés avec les deux types de porteurs de charge dans
les semi-conducteurs et les deux types de courant (diffusion et dérive) et les équations qui régissent
la présence de courant. Nous avons la première applicationPour les pièces défectueuses, c'est le
contact de deux types de semi-conducteurs, négatif et positif, et les relations de base qui décrivent la
caractéristique principale, tension - courant. Et nous avons découvert les

42
‫قائمة المصادر والمراجع‬
 ‫قائمة المصادر والمراجع‬
‫[‪ :]1‬د‪.‬محمد قعقع ‪ ،‬اإللكترونيات األساسية ‪ ،‬جامعة دمشق كلية العلوم ‪ ،‬طبعة ‪ ،2015-2014‬سوريا‪.‬‬
‫[‪:]2‬م‪.‬مؤيد فايزالقواسمة‪ ،‬أشباه الموصالت ‪ ،‬مكتبة المجتمع العربي للنشر والتوزيع ‪،‬الطبعة األولى‪ ،‬عمان‬
‫‪2006‬‬
‫[‪:]1‬ياسين أحمد الشبول ‪،‬اإللكترونيات المعاصرة (الجزء األول)‪2005 ،‬م‪ ،‬مكتبة المجتمع العربي الطبعة‬
‫األولى‪،‬عمان ‪2005،‬‬
‫[‪:]4‬أشباه الموصالت قناة المستقبل‬
‫‪https://www.youtube.com/watch?v=kRAiz65cs2‬‬
‫[‪:]5‬أ‪.‬د‪/‬يسري مصطفى ‪ .‬د‪/‬الحسيني الطاهر ‪ ،‬مقدمة في فيزياء أشباه الموصالت ‪ ،‬الجزء األول ‪ ،‬النوارس‬
‫للدعاية والنشر‪ ،‬الطبعة ‪. 2017‬‬
‫[‪:]6‬د‪.‬فاروق الطويل البطاينة ‪ ،‬مدخل في علم اإللكترونيات الحديثة ‪ ،‬جامعة البلقاء التطبيقية _كلية عمان‬
‫للهندسة التكنولوجية مكتبة المجتمع العربي‪ ،‬عمان ‪1999،‬م‬
‫[‪:]7‬المهندس محمداسعد بعبع ‪ ،‬الفيرا الكسندوفنا الدويري ‪ ،‬صفاء توفيق المقبل ‪ ،‬اإللكترونيات ‪،‬مكتبة‬
‫المجتمع العربي ‪ ،‬دار اإلعصار العلمي ‪ ،‬الطبعة األولى ‪ ،‬عمان _األردن ‪2004،‬‬
‫[‪ :]8‬أ‪.‬م‪.‬إحسان ضياء البيرماني ‪ ،‬محاضرة ‪ 1‬الفصل األول أشباه الموصالت ‪ ،‬جامعة بابل كلية التربية للعوم‬
‫الصرفة قسم الفيزياء االلكترونيات التماثلية المرحلة الثالثة‪2011/2012،‬‬
‫[‪ :]9‬الدكتور حازم فالح سكيك ‪ ،‬سلسلة محاضرات أساسيات علم اإللكترونيك ‪ ،‬جامعة األزهر _كلية‬
‫العلوم _ قسم الفيزياء‬
‫[‪ : ]10‬مؤلف ميشيل نقوالبكني ‪،‬ثنائي القطب (القواعد والفوائد)اإلصدار األول ‪2019( ،‬م) مراجعة وتدقيق‬
‫ساندا رهابنة تصميم الغالف زينة خوري‬
‫[‪ : ]11‬د‪.‬صبحي سعيد الراوي ‪ ،‬فيزياء االلكترونات ‪ ،‬وزارة التعليم العالي والبحث العلمي جامعة الموصل‬
‫[‪ : ]12‬د_ الخضر تاي الله يوسف الخضر ‪ ،‬كتاب الدوائر اإللكترونية ‪ ،‬طبعة ‪2018‬‬
‫[‪conventioal Current version , Ninth Editionj Thomas L.Floyd, : ]11‬‬
‫‪،Electronic Devices‬‬
‫[‪ :]14‬تأليف سي جوليان تشن ‪ ،‬ترجمة مصطفى محمد فؤاد ‪ ،‬فيزياء الطاقة الشمسية ‪ ،‬اإلصدار باإلنجليزية‬
‫‪ 2011‬إصدار الترجمة ‪2020‬‬
‫[‪J. P. COLINGE ". Physique des Dispositifs Semi -conducteurs.", :]15‬‬
‫‪, département de Boeck Université, Paris,1996،DE WIELE F. V‬‬

‫‪44‬‬
 ‫قائمة المصادر والمراجع‬
‫ جامعة الملك عبد‬، ‫ مركز النشر العلمي‬، ‫ الغامدي ن فيزياء الحالة الصلبة ونطبيقاتها‬. ‫ أ‬،‫مصطفى‬.‫ ي‬: ] 16[
2010 ،‫العزيز‬
https://ar.wikipedia.org/wiki:[17]
.)2018‫ (طبعة‬، ‫ كتاب الدوائر اإللكترونية‬،‫ الخضر تاي الله يوسف الخضر‬.‫ د‬: [18]
JORDAN –ZARQATEL –.AHMAD AL-HADID–0777409465: [19]
HADIDY_66@YAHOO.COM
‫ترجمة للفصل االول من كتاب تقريبات دوائر الترانزستور‬.‫أشباه الموصالت‬: [20]
Transistor circuit approximation .‫أسامة عمر مسعود العشي‬..‫للمؤلف ماليفينو‬
What is germanium diode ?.www.quora.com ,Retrieved: [21]
21/08/2019 .Edited
Characteristics of Silicon & germanium diodes .sciencing.com.: [22]
Retrieved 19/08/2019 .Edited
‫ برنامج محاكاة الدوائر اإللكترونية‬:‫ سمارت إلكترون‬Smart Electron ‫ مدونة أبو إياد‬:[23]
PSpice http://www.s-
martelectron.com/2014/03/pspice.html#ixzz7VGic8NdX
http://www.learningaboutelectronics.com/Articles/Introduction-:]24[
to-pspice.php

45